TWI418909B - 平面顯示裝置和製造其之方法 - Google Patents

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Description

平面顯示裝置和製造其之方法
本發明之一態樣是關於一種平面顯示裝置及製造其之方法，且更特定言之，是關於一種能夠顯示影像之平面顯示裝置及製造其之方法。
平面顯示裝置，諸如使用液晶之電光學特徵的液晶顯示裝置及使用有機發光二極體之自發射特徵的有機發光顯示裝置，分為被動矩陣類型及主動矩陣類型。包括薄膜電晶體之主動矩陣類型具有優良解析度及動態影像實施能力。因此，相較於被動矩陣類型，往往使用主動矩陣類型。
主動矩陣類型液晶顯示裝置(TFT-LCD)包括一具有注射於兩個基板間之液晶的顯示面板、一置於該顯示面板背後用作光源之背光及一用於驅動該顯示面板之驅動積體電路(IC)。背光所產生之光入射在顯示面板上，由根據驅動IC產生之信號定向的液晶調製，且接著發射到顯示面板之外部，從而顯示字元或影像。
一態樣為一種具有一改良之透光度的平面顯示裝置及一種製造其之方法。
另一態樣為一種平面顯示裝置，其包括一第一基板；一形成於該第一基板上之薄膜電晶體(TFT)；一阻擋層，其經形成垂直對應於該第一基板與該TFT之間的該TFT；一形成於具有該TFT之該第一基板上的平坦化層，該平坦化層具有形成於其中之通孔以便該TFT之源極電極或汲極電極經由該通孔暴露；一形成於該平坦化層上以連接至該源極電極或汲極電極的像素電極；一與該第一基板相對安置的第二基板，一形成於該第二基板上的共同電極；及一注射於該第一基板與該第二基板之間的液晶層。
另一態樣為一種平面顯示裝置，其包括一形成於該第一基板上的TFT；一阻擋層，其經形成垂直對應於該第一基板與該TFT之間的該TFT；一形成於具有該TFT之該第一基板上的平坦化層，該平坦化層具有形成於其中之通孔以便該TFT之源極電極或汲極電極經由該通孔暴露；一形成於該平坦化層上以連接至該源極電極或汲極電極之像素電極；一形成於該像素電極上的有機發光層；及一形成於該有機發光層上的陰極電極。
另一態樣為一種製造一平面顯示裝置之方法，其包括提供一基板，其具有一像素區及一元件形成區；在具有該像素區及該元件形成區之該基板上形成一阻擋層；在該元件形成區中之該阻擋層上形成一主動層；在該阻擋層中移除暴露於該主動層之一側的一部分，使得該阻擋層僅安置於該主動層下方；在具有該主動層之該基板上形成一閘極絕緣層；在該主動層上方之該閘極絕緣層上形成一閘極電極；在具有該閘極電極之該閘極絕緣層上形成一層間介電層，且接著暴露該主動層之一部分；形成源極電極及汲極電 極以連接至該層間介電層上之該主動層；在具有該等源極電極及汲極電極的該層間介電層上形成一平坦化層，且接著暴露該源極電極或汲極電極；及形成一像素電極以連接至具有該像素區之該平坦化層上的該源極電極或汲極電極。
該方法可進一步包括在具有該像素電極之該平坦化層上形成一像素界定層；將該像素界定層圖案化以便暴露一發光區域中之該像素電極；在該經暴露之像素電極上形成一有機發光層；及在該有機發光層上形成一陰極電極。
應用於平面顯示裝置之TFT的主動層可由半導體形成，諸如多晶矽。半導體可具有由於自基板擴散之雜質而改變之傳導率。阻擋層可由無機材料形成於TFT下方。阻擋層可並非形成於像素區(光透射至此區域)中，而是僅形成於具有TFT之元件形成區中。另一態樣為一種平面顯示裝置，其包含：一第一基板；一與該第一基板相對安置的第二基板；一形成於該第一基板與該第二基板之間的共同電極，其中相較於該第一基板，該共同電極更接近於該第二基板；一形成於該第一基板與該第二基板之間的液晶層；一形成於該第一基板與該第二基板之間的薄膜電晶體(TFT)，其中該TFT包含源極電極及汲極電極；一形成於該第一基板與該TFT之間的阻擋層，其中該阻擋層僅形成於該TFT下方；一形成於該TFT上之平坦化層，其中在該平坦化層中界定一通孔；及一形成於該平坦化層上且經由該通孔電連接至該TFT之該源極電極或汲極電極的像素電極。
在上述裝置中，該阻擋層包含一第一子阻擋層及一形成於該第一 子阻擋層上之第二子阻擋層，且其中該第一阻擋層相較於該第二子阻擋層更薄且更接近於該第一基板。在上述裝置中，該第一子阻擋層由氧化矽形成，且其中該第二子阻擋層由氮化矽形成。
在上述裝置中，該TFT包含：一形成於該阻擋層上之主動層，其中該主動層包含源極、汲極及通道區，且其中該阻擋層僅形成於該主動層下方；一形成於該主動層上之閘極絕緣層；一形成於該通道區中之該閘極絕緣層上的閘極電極；一形成於該閘極電極及該閘極絕緣層上之層間介電層，其中在該層間介電層中界定一接觸孔；及形成於該層間介電層上之源極電極及汲極電極，其中該等源極電極及汲極電極經由該接觸孔電連接至該主動層。
在上述裝置中，該阻擋層形成於該第一基板與該主動層之間並且與該第一基板及該主動層接觸。在上述裝置中，該阻擋層形成於該第一基板與該主動層之間並且與該第一基板及該主動層接觸，其中該阻擋層具有一沿一第一方向界定之第一寬度，且其中該主動層具有一沿該第一方向界定之第二寬度，且其中該第一寬度與該第二寬度實質上相同。在上述裝置中，該主動層由多晶矽形成。上述裝置進一步包含以矩陣形式配置在該第一基板上方之閘極線及資料線，其中該等閘極線及資料線電連接至該TFT。
另一態樣為一種平面顯示裝置，其包含：一基板，其中在該基板中或在該基板上方形成一像素區及一元件形成區，且其中該像素區經組態以發光；一形成於該基板上方之薄膜電晶體(TFT)，其中該TFT包含源極電極及汲極電極；一形成於該第一基板與該TFT之間的第一阻擋層，其中該阻擋層並非形成於該像素區中； 一形成於該TFT上之平坦化層，其中在該平坦化層中界定一通孔；一形成於該平坦化層上且經由該通孔電連接至該TFT之該源極電極或汲極電極的像素電極；一形成於該像素電極上的有機發光層；及一形成於該有機發光層上的陰極電極。
在上述裝置中，該第一阻擋層包含一氧化矽層及一形成於該氧化矽層上之氮化矽層，且其中該氧化矽層相較於該氮化矽層更接近於該基板。在上述裝置中，該TFT包含：一形成於該第一阻擋層上之主動層，其中該主動層包含源極、汲極及通道區，且其中該阻擋層僅形成於該主動層下方；一形成於該主動層上之閘極絕緣層；一形成於該通道區中之該閘極絕緣層上的閘極電極；一形成於該閘極電極及該閘極絕緣層上之層間介電層，其中在該層間介電層中界定一接觸孔；及形成於該層間介電層上且經由該接觸孔電連接至該等源極及汲極區中之該主動層的源極電極及汲極電極。
在上述裝置中，該第一阻擋層形成於該第一基板與該主動層之間，其中該第一阻擋層具有一沿一第一方向界定之第一寬度，其中該主動層具有一沿該第一方向界定之第二寬度，且其中該第一寬度與該第二寬度實質上相同。上述裝置進一步包含：一形成於該基板與該層間介電層之間的電容器，其中該電容器經形成鄰接於該TFT，且其中該電容器包含一下電極及一上電極；及一形成於該基板與該電容器之該下電極之間且與該基板及該電容器之該下電極接觸的第二阻擋層，其中該第二阻擋層僅形成於該電容器之該下電極下方。在上述裝置中，該第二阻擋層包含一氧化矽層及 一形成於該氧化矽層上之氮化矽層，且其中該氧化矽層相較於該氮化矽層更接近於該基板。
另一態樣為一種製造一平面顯示裝置之方法，其包含：提供一基板，其中在該基板中及在該基板上方形成一像素區及一元件形成區；在該基板之該元件形成區中形成至少一個阻擋層；在該元件形成區中之該阻擋層上形成一主動層；移除部分該主動層及該至少一個阻擋層，使得該阻擋層僅安置於該主動層下方；在該基板及該主動層上形成一閘極絕緣層；在該閘極絕緣層上形成一閘極電極；在該閘極絕緣層及該閘極電極上形成一層間介電層；暴露該主動層之一部分；在該層間介電層上形成源極電極及汲極電極以便電連接至該主動層之經暴露部分；在i)該層間介電層及ii)該等源極電極及汲極電極上形成一平坦化層；暴露該源極電極或汲極電極；及在該平坦化層上形成一像素電極以便電連接至該源極電極或汲極電極之該經暴露部分。
在上述方法中，該至少一個阻擋層包含複數個彼此分離且並非形成於該像素區中的阻擋層。在上述方法中，形成該至少一種阻擋層包含：在該基板上形成一氧化矽層；及在該氧化矽層上形成一氮化矽層，其中該氧化矽層及該氮化矽層具有實質上相同之寬度。
在上述方法中，該阻擋層之移除藉由乾式蝕刻進行。在上述方法中，該乾式蝕刻為感應耦合電漿蝕刻。上述方法進一步包含：在該平坦化層及該像素電極上形成一像素界定層；將該像素界定層圖案化以便暴露一發光區域中之該像素電極；在該經暴露像素電 極上形成一有機發光層；及在該有機發光層上形成一陰極電極。
11‧‧‧阻擋層
12a‧‧‧主動層
12b‧‧‧下電極
13‧‧‧絕緣層
14a‧‧‧閘極電極
14b‧‧‧上電極
15‧‧‧絕緣介電層
16a、16b‧‧‧源極電極及汲極電極
17‧‧‧平坦化層
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧基板
111‧‧‧閘極線
112‧‧‧資料線
113‧‧‧像素區
114‧‧‧薄膜電晶體
115‧‧‧像素電極
116‧‧‧起偏板
117‧‧‧電容器
120‧‧‧基板
121‧‧‧彩色濾光片
122‧‧‧電極
123‧‧‧起偏板
130‧‧‧液晶層
200‧‧‧顯示面板
210‧‧‧基板
211‧‧‧阻擋層
212a‧‧‧主動層
212b‧‧‧下電極
213‧‧‧閘極絕緣層
214a‧‧‧閘極電極
214b‧‧‧上電極
215‧‧‧絕緣介電層
216a、216b‧‧‧源極電極及汲極電極
217‧‧‧平坦化層
218‧‧‧像素電極
219‧‧‧像素界定層
220‧‧‧有機發光層
221‧‧‧陰極電極
224‧‧‧薄膜電晶體
227‧‧‧電容器
230‧‧‧密封基板
圖1為根據本發明之一具體實例的平面顯示裝置之透視圖。
圖2及圖5為說明圖1中所示之像素區及薄膜電晶體(TFT)的剖視圖。
圖3為根據本發明之另一具體實例的平面顯示裝置之剖視圖。
圖4A至圖4E為說明製造根據本發明之一具體實例的平面顯示裝置之方法的剖視圖。
圖6為說明根據本發明之一具體實例的平面顯示裝置之透光度的曲線圖。
圖7A及圖7B為說明製造根據本發明之另一具體實例的平面顯示裝置之方法的剖視圖。
【相關申請案】
本申請案主張2009年10月21日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2009-0100197號之優先權及權益，該申請案之全部內容以引用的方式併入本文中。
主動矩陣類型有機發光顯示裝置包括一具有形成於其中之有機發光二極體的顯示面板及用於驅動該顯示面板之驅動IC。由該有機發光二極體產生之光根據該驅動IC所產生之信號而發射到該顯示面板之外部，從而顯示字元或影像。
因而，在諸如液晶顯示裝置及有機發光顯示裝置之平面顯示裝置中，顯示面板之透光度對亮度具有很大影響。
然而，由於主動矩陣類型平面顯示裝置包括薄膜電晶體，因此在製造過程中諸如氧化矽及氧化氮之絕緣層在基板上於像素區中(其中光透射至該像素區中)形成堆疊結構。因此，該等絕緣層使透光度降低，並且降低亮度。
在以下詳細描述中，僅以說明方式展示及描述僅本發明之某些例示性具體實例。如熟習此項技術者應瞭解，所描述之具體實例可能以各種不同方式進行修改，所有修改均不背離本發明之精神或範疇。因此，圖式及描述視為本質上為說明性的且不具限制性。此外，當稱一元件「在」另一元件「上」時，其可直接在另一元件上；或間接在另一元件上，其間插有一或多個介入元件。又，當稱一元件「連接至」另一元件時，其可直接連接至另一元件；或間接連接至另一元件，其間插有一或多個介入元件。在下文中相似參考數字是指相似元件。
圖1為根據本發明之一具體實例的平面顯示裝置之透視圖。將示意性地描述用於顯示影像之顯示面板。
在一具體實例中，顯示面板100包括彼此相對安置的兩個基板110及120，及一插入該兩個基板110與120之間的液晶層130。
在基板110上，以矩陣形式配置之複數個閘極線111及複數個資料線112界定像素區113。在基板110上，可在閘極線111與資料線112之各交會部分形成一用於控制供應至各像素之信號的薄膜電晶體(TFT)114及一連接至該TFT 114之像素電極115。一用於維持信號之電容器(未圖示)可連接至TFT 114。
可在基板120上形成一彩色濾光片121及一共同電極122。可分別在基板110及120背後形成起偏板116及123。可在起偏板116下方安置一背光(未圖示)作為光源。
可在顯示面板100上安裝一LCD驅動IC(未圖示)。該LCD驅動IC將自其外部供應之電信號轉化成掃描信號及資料信號，且將該等掃描信號及資料信號分別供應至閘極線及資料線。
圖2為更明確地說明圖1中所說明之像素區113及TFT 114的剖視圖。在圖2中進一步說明連接至TFT 114之電容器117。
基板110可包括一像素區P及一元件形成區T。可在基板110上於元件形成區T中形成一阻擋層11，且可在該阻擋層11上形成TFT 114及電容器117。
在一具體實例中，TFT 114包括i)一主動層12a；ii)一閘極絕緣層13；iii)一閘極電極14a；iv)一絕緣介電層15；及v)源極電極16a及汲極電極16b。主動層12a可形成於阻擋層11上以實質上垂直對應於阻擋層11，且可具有源極、汲極及通道區。閘極絕緣層13可形成於主動層12a上。可在閘極絕緣層13上於通道區中形成閘極電極14a。絕緣介電層15可形成於i)閘極電極14a、ii)閘極絕緣層13及iii)上電極14b上。絕緣介電層15可形成有一接觸孔以便源極及汲極區中之主動層12a經由其暴露。源極電極16a及汲極電極16b可形成於層間介電層15上，且可經由該接觸孔連接至源極及汲極區中之主動層12a。
在此，阻擋層11可選擇性地僅安置於主動層12a下方。在一具體 實例中，如圖2中所示，阻擋層11實質上垂直對應於主動層12a，且阻擋層11之上表面實質上完全被主動層12a覆蓋。
電容器117可形成為一形成於阻擋層11上的金屬-絕緣體-半導體(MIS)結構，包括一下電極12b、一閘極絕緣層13及一上電極14b。
阻擋層11可選擇性地僅安置於主動層12a下方。亦即，阻擋層11實質上垂直對應於下電極12b，且阻擋層11之上表面可實質上完全被下電極12b覆蓋。
可在基板110上方於像素區P及元件形成區T中形成一平坦化層17，在該元件形成區T中如上文所述形成TFT 114及電容器117。可在平坦化層17中形成一通孔以便源極電極16a或汲極電極16b可經由該通孔暴露。可在平坦化層17及像素區P上形成一像素電極115以經由該通孔連接至源極電極16a或汲極電極16b。
圖3為根據本發明之另一具體實例的平面顯示裝置之剖視圖。將示意性地描述用於顯示影像之顯示面板200。
在一具體實例中，如圖3中所示，基板210包括一像素區P及一元件形成區T。可在基板210上於元件形成區T中形成一阻擋層211，且可在該阻擋層211上形成一TFT 224及一電容器227。
TFT 224可包括i)一主動層212a、ii)一閘極絕緣層213、iii)一閘極電極214a、iv)一絕緣介電層215、及v)源極電極216a及汲極電極216b。主動層212a可形成於阻擋層211上以實質上垂直對應於阻擋層211，且可具有源極、汲極及通道區。閘極絕緣層 213可形成於主動層212a上。可在閘極絕緣層213上於通道區中形成閘極電極214a。絕緣介電層215可形成於i)閘極電極14a、ii)閘極絕緣層13及iii)上電極14b上。絕緣介電層215可形成有一接觸孔以便源極及汲極區中之主動層212a經由其暴露。源極電極216a及汲極電極216b可形成於層間介電層215上，且可經由該接觸孔連接至源極及汲極區中之主動層212a。
電容器227可形成為一形成於阻擋層11上之MIS結構，包括一下電極212b、閘極絕緣層213及一上電極214b。
可在基板210上方於像素區P及元件形成區T中形成一平坦化層217，在該元件形成區T中如上文所述形成TFT 224及電容器227。可在平坦化層217中形成一通孔以便源極電極216a或汲極電極216b可經由其暴露。可在平坦化層217及像素區P上形成一像素電極218以經由該通孔連接至源極電極216a或汲極電極216b。
像素界定層219可形成於包括像素電極218之平坦化層217上以暴露像素電極218，且可在經暴露像素電極218上形成一有機發光層220。可在像素界定層219及有機發光層220上形成一陰極電極221。
可在如上文所述組態之下基板210上安置一密封基板230，且該下基板210可與該密封基板230接合在一起，並由一密封構件(未圖示)密封。
在下文中，將以更詳細之方式描述一種製造如上文所述組態之平面顯示裝置的方法。
圖4A至圖4E為說明製造根據本發明之一具體實例的平面顯示裝置之方法的剖視圖。
參考圖4A，製備一透明基板110，諸如玻璃或塑膠。基板110包括一像素區P及一元件形成區T。首先，在基板110上於像素區P及元件形成區T中形成一阻擋層11。在一具體實例中，阻擋層11防止主動層由於雜質擴散而受到污染，且控制主動層在結晶過程中的結晶度。因此，阻擋層11可形成為i)一諸如氧化矽(SiO2)11a之第一子阻擋層及ii)一諸如氮化矽(SiNx)11b之第二子阻擋層的堆疊結構，以有效防止雜質擴散並且等化主動層之結晶度。
參考圖4B，在基板110上於元件形成區T中形成電容器之主動層12a及下電極12b。在此，主動層12a包括TFT之源極、汲極及通道區。在一具體實例中，主動層12a及下電極12b由諸如多晶矽之半導體形成。可對主動層12a及下電極12b進行結晶及離子植入。可藉由乾式蝕刻移除主動層12a及下電極12b之側面部分，亦即阻擋層11之經暴露部分。乾式蝕刻可使用感應耦合電漿蝕刻進行，此舉可將對主動層12a之破壞降至最小並維持側壁之輪廓令人滿意。
在一具體實例中，如圖4B中所示，阻擋層11選擇性地僅安置於主動層12a及下電極12b下方。
參考圖4C，在i)基板110、ii)主動層12a及iii)下電極12b上形成一閘極絕緣層13。接著，在主動層12a上方之閘極絕緣層13上形成一閘極電極14a，且在下電極12b上方之閘極絕緣層13上形成一上電極14b。可在形成閘極電極14a及上電極14b的過程中形 成閘極線111或資料線112。
參考圖4D，在i)閘極絕緣層13、ii)閘極電極14a及iii)上電極14b上形成一層間介電層15，且在該層間介電層15中形成一接觸孔，使得源極區及汲極區中之主動層12a經由其暴露。接著，形成源極電極16a及汲極電極16b以便經由該接觸孔連接至源極區及汲極區中之主動層12a。可在形成源極電極16a及汲極電極16b的過程中形成閘極線112或資料線114(參看圖1)。
參考圖4E，在i)層間介電層15及ii)源極電極16a及汲極電極16b上形成一平坦化層17。在平坦化層17中形成一通孔以便源極電極16a及汲極電極16b經由該通孔暴露。接著，在平坦化層17及像素區P上形成一像素電極115以便經由該通孔連接至源極電極16a或汲極電極16b。像素電極115可由透明電極材料形成，諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
隨後，將一具有一形成於其上之共同電極122的基板120安置於該基板上。在基板110及120彼此由一間隔物(未圖示)以預定間隔間隔開的狀態下，其可藉由一密封構件(未圖示)接合在一起。接著，在基板110與120之間注射一液晶層130，從而完成顯示面板100。
在一具體實例中，由安置於基板110背後之背光產生的光入射到像素區P中之液晶層130中，經根據施加至像素電極115及共同電極122之電壓定向之液晶調製，且接著經由基板120發射至顯示面板100之外部，從而顯示字元或影像。
因而，在顯示面板100中，光實質上透射至其中之區域(亦即像素區P)的透光度對亮度影響很大。在一具體實例中，僅閘極絕緣層13、層間介電層15及平坦化層17形成於像素區P中之基板110上，且因此幾乎不降低透光度。
在一比較實施例中，如圖5中所示，在基板110上於像素區P及元件形成區T中形成具有氧化矽11a及氮化矽11b之堆疊結構的阻擋層11。在此比較實施例中，由於阻擋層11阻擋像素區P中之光發射路徑，因此氮化矽11b之透射率與氧化矽11a相比降低約20%，且光振盪增加。因此，透光度降低。
圖6為說明平面顯示裝置之透光度的曲線圖。可見，根據本發明之一具體實例的圖2之平面顯示器的透光度(線A)與圖5之平面顯示器(線B)相比高約20%，且光振盪減少。如圖2至圖4中所示，由於阻擋層11僅形成於元件形成區T中，且因而不阻擋像素區P中之光發射路徑，因此不降低透光度。
圖7A及圖7B為說明製造根據本發明之另一具體實例的平面顯示裝置之方法的剖視圖。
參考圖7A，藉由與圖4A至圖4E相同之製造過程形成TFT 224及電容器227。接著，在包括TFT 224及電容器227之下基板210上方形成平坦化層217，且形成像素電極218以便經由通孔連接至源極電極216a或汲極電極216b。
參考圖7B，在平坦化層217及像素電極218上形成一像素界定層219，以便暴露發光區域中之像素電極218。接著，在經暴露像素 電極218上形成一有機發光層220，並在包括該有機發光層220之像素界定層219上形成一陰極電極221。
在如上文所述組態之下基板210上方安置一密封基板230，且藉由一密封構件將下基板210與密封基板230接合在一起。
在平面顯示裝置中，若將電壓施加至像素電極218及陰極電極221，則分別經由像素電極218植入之電洞及電子在有機發光層220中複合。接著，由有機發光層220產生之光藉由此程序中所產生之能量差經由下基板210發射至顯示面板200之外部，從而顯示字元或影像。
根據一具體實例，顯示面板200中光實質上透射至其中之區域(亦即像素區P)的透光度對亮度影響很大。在一具體實例中，僅閘極絕緣層213、層間介電層215及平坦化層217形成於基板210上之像素區P中，且因此幾乎不降低透光度。
根據至少一個具體實例，無機材料(尤其氮化矽)不降低透光度，且因此可改良平面顯示裝置之亮度及影像品質。
雖然已結合某些例示性具體實例描述了本發明，但應理解，本發明不侷限於所揭示之具體實例，而是相反，本發明意欲涵蓋隨附申請專利範圍及其等效物之精神及範疇內所包括的各種修改及等效配置。
11‧‧‧阻擋層
11a、11b‧‧‧子阻擋層
12a‧‧‧主動層
12b‧‧‧下電極
13‧‧‧絕緣層
14a‧‧‧閘極電極
14b‧‧‧上電極
15‧‧‧絕緣介電層
16a、16b‧‧‧源極電極及汲極電極
17‧‧‧平坦化層
110‧‧‧基板
111‧‧‧閘極線
112‧‧‧資料線
114‧‧‧薄膜電晶體
115‧‧‧像素電極
117‧‧‧電容器

Claims (17)

  1. 一種平面顯示裝置，其包含：一第一基板；一與該第一基板相對安置的第二基板；一形成於該第一基板與該第二基板之間的共同電極，其中相較於該第一基板，該共同電極更接近於該第二基板；一形成於該第一基板與該第二基板之間的液晶層；一形成於該第一基板與該第二基板之間的薄膜電晶體(TFT)，其中該TFT包含源極電極及汲極電極；一形成於該第一基板與該TFT之間的第一阻擋層，其中該第一阻擋層僅形成於該TFT下方；一形成於該TFT上之平坦化層，其中在該平坦化層中界定一通孔；及一形成於該平坦化層上且經由該通孔電連接至該TFT之該源極電極或汲極電極的像素電極；其中該TFT包含：一形成於該第一阻擋層上之主動層，其中該主動層包含源極區、汲極區及通道區，且其中該第一阻擋層僅形成於該主動層下方；一形成於該主動層上之閘極絕緣層；一形成於該通道區中之該閘極絕緣層上的閘極電極；一形成於該閘極電極及該閘極絕緣層上之層間介電層，其中在該層間介電層中界定一接觸孔；及形成於該層間介電層上之源極電 極及汲極電極，其中該等源極電極及汲極電極經由該接觸孔電連接至該主動層；其中，該平面顯示裝置進一步包含：一形成於該第一基板的電容器，其中該電容器經形成鄰接於該TFT，且其中該電容器包含一下電極及一上電極；以及一形成於該基板與該層間介電層之間之該下電極之間且與該基板及該電容器之該下電極接觸的第二阻擋層，其中該第二阻擋層僅形成於該電容器之該下電極下方。
  2. 如申請專利範圍第1項之平面顯示裝置，其中該第一阻擋層與該第二阻擋層皆包含有一第一子阻擋層及一形成於該第一子阻擋層上之一第二子阻擋層，且其中該第一阻擋層相較於該第二子阻擋層更薄且更接近於該第一基板。
  3. 如申請專利範圍第2項之平面顯示裝置，其中該第一子阻擋層由氧化矽形成，且其中該第二子阻擋層由氮化矽形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之平面顯示裝置，其中該第一阻擋層形成於該第一基板與該主動層之間並且與該第一基板及該主動層接觸。
  5. 如申請專利範圍第1項之平面顯示裝置，其中該第一阻擋層形成於該第一基板與該主動層之間並且與該第一基板及該主動層接觸，其中該第一阻擋層具有一沿一第一方向界定之第一寬度，且其中該主動層具有一沿該第一方向界定之第二寬度，且其中該第一寬度與該第二寬度實質上相同。
  6. 如申請專利範圍第1項之平面顯示裝置，其中該主動層由多晶矽形成。
  7. 如申請專利範圍第1項之平面顯示裝置，其進一步包含以一矩陣形式配置在該第一基板上方之閘極線及資料線，其中該等閘極線及資料線電連接至該TFT。
  8. 一種平面顯示裝置，其包含：一基板，其中在該基板中或在該基板上方形成一像素區及一元件形成區，且其中該像素區經組態以發光；一形成於該基板上方之薄膜電晶體(TFT)，其中該TFT包含源極電極及汲極電極；一形成於該第一基板與該TFT之間的第一阻擋層，其中該第一阻擋層並非形成於該像素區中；一形成於該TFT上之平坦化層，其中在該平坦化層中界定一通孔；一形成於該平坦化層上且經由該通孔電連接至該TFT之該源極電極或汲極電極的像素電極；一形成於該像素電極上之有機發光層；及一形成於該有機發光層上之陰極電極；其中該TFT包含：一形成於該第一阻擋層上之主動層，其中該主動層包含源極、汲極及通道區，且其中該第一阻擋層僅形成於該主動層下方；一形成於該主動層上之閘極絕緣層；一形成於該通道區中之該閘極絕緣層上的閘極電極；一形成於該閘極電極及閘極絕緣層上之層間介電層，其中在該層間介電層中界定一接觸孔；以及形成於該層間介電層上且經由該接觸孔電連接至該等源極及汲極 區中之該主動層的源極電極及汲極電極；其中，該平面顯示裝置進一步包含：一形成於該基板與該層間介電層之間的電容器，其中該電容器經形成鄰接於該TFT，且其中該電容器包含一下電極及一上電極；以及一形成於該基板與該電容器之該下電極之間且與該基板及該電容器之該下電極接觸的第二阻擋層，其中該第二阻擋層僅形成於該電容器之該下電極下方。
  9. 如申請專利範圍第8項之平面顯示裝置，其中該第一阻擋層包含一氧化矽層及一形成於該氧化矽層上之氮化矽層，且其中該氧化矽層相較於該氮化矽層更接近於該基板。
  10. 如申請專利範圍第8項之平面顯示裝置，其中該第一阻擋層形成於該基板與該主動層之間，其中該第一阻擋層具有一沿一第一方向界定之第一寬度，其中該主動層具有一沿該第一方向界定之第二寬度，且其中該第一寬度與該第二寬度實質上相同。
  11. 如申請專利範圍第8項之平面顯示裝置，其中該第二阻擋層包含一氧化矽層及一形成於該氧化矽層上之氮化矽層，且其中該氧化矽層相較於該氮化矽層更接近於該基板。
  12. 一種製造一平面顯示裝置之方法，其包含：提供一基板，其中在該基板中及在該基板上方形成一像素區及一元件形成區；在該基板之該元件形成區中形成一薄膜電晶體(TFT)，其包含下列步驟：在該基板之該元件形成區中形成一第一阻擋層； 在該元件形成區中之該第一阻擋層上形成一主動層；移除部分該主動層及該第一阻擋層，使得該第一阻擋層僅安置於該主動層下方；在該基板及該主動層上形成一閘極絕緣層；在該閘極絕緣層上形成一閘極電極；在該閘極絕緣層及該閘極電極上形成一層間介電層；暴露該主動層之一部分；在該層間介電層上形成源極電極及汲極電極以便電連接至該主動層之該經暴露部分；在該層間介電層及該等源極電極及汲極電極上形成一平坦化層；暴露該源極電極或汲極電極；及在該平坦化層上形成一像素電極以便電連接至該源極電極或汲極電極之該經暴露部分；以及在該基板與該層間介電層之間形成一電容器，其中該電容器經形成鄰接於該TFT，且其中該電容器經形成而包含有一下電極及一上電極；以及經形成後該電容器之該下電極與該基板之間係形成有與該基板及該電容器之該下電極接觸之一第二阻擋層，其中該第二阻擋層僅形成於該電容器之該下電極下方。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該第一阻擋層與該第二阻擋層係為彼此分離且並非形成於該像素區中。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中形成該第一阻擋層與該第二阻擋層皆包含：在該基板上形成一氧化矽層；及在該氧化矽層上形成一氮化矽層，其中該氧化矽層及該氮化矽層具有實質上相同 之寬度。
  15. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該第一阻擋層之該移除藉由乾式蝕刻進行。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該乾式蝕刻為一感應耦合電漿蝕刻。
  17. 如申請專利範圍第12項之方法，其進一步包含：在該平坦化層及該像素電極上形成一像素界定層；將該像素界定層圖案化以便暴露一發光區域中之該像素電極；在該經暴露像素電極上形成一有機發光層；及在該有機發光層上形成一陰極電極。
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