JP2001330842A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、所望の開口率の維持と、応答速度
の向上を両立でき、更には斜め視野からの色付きを防止
し、更なる広視野角を達成することができるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明による液晶表示装置は、液晶（２
０）の配向を決定する画素電極（４）から発生される基
板に対して実効的な横電界を強めるように、透明材料か
らなる補助電極（８）に画素電極（２）及び／若しくは
共通電極（４）と等価な電位が印加される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面と平行に
発生する電界により液晶分子を回転させて表示を実行す
るインプレーンスイッチング型のアクティブマトリクス
型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】インプレーンスイッチング（ＩＰＳ：In
-Plane Switching）型の液晶表示装置の表示パネルは、
一対の透明基板の間の所定の間隔に液晶を挟持し、基板
に対して実効的に平行な電界を印加することによって液
晶分子を基板面内と水平方向に回転することで、広視野
角や達成できるという特徴を有している。基板に対して
平行な電界は、液晶を挟持する透明基盤の一方に画素電
極と共通電極を所定の間隔を設けて櫛歯状に配置するこ
とにより、発生させる。一方、櫛歯電極においては液晶
が基板面とは垂直な方向に立ち上がることから、櫛歯電
極をＩＴＯなどからなる透明電極で構成するとコントラ
ストの低下など不具合が生じる。そのため、櫛歯電極を
不透明電極とする必要があった。

【０００３】ＩＰＳ型液晶表示装置において、輝度低
下、コントラスト及び視角特性の劣化を防止する技術
は、例えば特開平９−２６９５０８号公報に開示されて
いる。

【０００４】ここで、図面を参照して、従来のＩＰＳ型
液晶表示装置の表示セルの構成について説明する。図５
０は、従来の表示セルに係る第１の平面図（ＴＦＴ基板
側）を示す。図に示された表示セル201は、アモルファ
スシリコン１と、画素電極２と、ゲート電極３と、共通
電極４と、データ線５と、ソース電極６と、ドレイン電
極７を備える。このよにして作成したＴＦＴ基板及び等
加工を着色する式層を形成したカラーフィルタのそれぞ
れに、オフセット印刷等による方法で、配向膜１１を印
刷する。こうして得られたＴＦＴ基板とカラーフィルタ
基板の配向幕をラビング方法により所定の方向に配向膜
分子を並べて（ラビング方向１９）、この２枚の基板が
所定の間隔を持つようにセルギャップ材を挟み込ませて
組み合わせ、その間隙に液晶を封止する。

【０００５】このようにして得られた液晶パネルは、ラ
ビング方法により規定した液晶配向方向に透過軸を直交
させた偏光板を貼り合せ、画素電極２と共通電極４の間
に自在に電位差を与えることで、黒表示から白表示まで
フルカラー表示を行うことができる。

【０００６】以下、表示セル201の構成を説明する。図
５１は、セル201のＡ−Ａ´断面をである。図におい
て、液晶２０が配置される液晶層の上部に位置する上部
構造体は、偏光板１７と、導電層１６と、第２の透明基
板１４と、ブラックマトリクス１２と、色層（カラーフ
ィルタ）１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。共通電極４上には、ブラックマトリクス１２のエッ
ジ（図示されず）が配置される。

【０００７】図において、液晶層の下部に位置する下部
構造体は、配向膜１１と、パッシベーション膜２２と、
データ線５と、画素電極２と、層間絶縁膜（ゲート絶縁
膜）１０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光
板１８からなる。

【０００８】また、基板に対して実効的な横方向の電界
を発生させる画素電極２と共通電極４の相互間隔は、お
よそ１０μmが設定される。

【０００９】また、偏光板１７，１８は、およそ0.2mm
の厚さに設定される。導電膜１６は、およそ500Åの厚
さに設定される。第１及び第２の透明基板９，１４は、
およそ0.7mmの厚さに設定される。ブラックマトリクス
１２は、およそ１μmの厚さに設定される。色層１３
は、およそ１μmの厚さに設定される。平坦化層１５
は、およそ１μmの厚さに設定される。配向膜１１は、
およそ500Åの厚さに設定される。データ線５及び画素
電極２は、およそ2000Åの厚さに設定される。層間絶縁
膜（ゲート絶縁膜）１０は、およそ5000Åの厚さに設定
される。パッシベーション膜２２は、およそ3000Åの厚
さに設定される。共通電極４は、およそ5000Åの厚さに
設定される。

【００１０】図５２は、従来の表示セルに係る第２の平
面図を示す。図に示された表示セル202は、アモルファ
スシリコン１と、画素電極２と、ゲート電極３と、共通
電極４と、データ線５と、ソース電極６と、ドレイン電
極７を備える。

【００１１】図において、セル202の断面を図５３に示
す。図５３は、従来の表示セルに係る第２の断面を示
す。図において、液晶２０が配置される液晶層の上部に
位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１６と、
第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２と、色
層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からなる。

【００１２】図において、液晶層の下部に位置する下部
構造体は、配向膜１１と、パッシベーション膜２２と、
データ線５と、画素電極２と、層間絶縁膜（ゲート絶縁
膜）１０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光
板１８からなる。

【００１３】図５２及び図５３に示された表示セル202
は、図５０，５１に示されたセル201と比べると、画素
電極２及び共通電極４のエッジの形状が相違する。その
他の構成は、同一である。その形状相違により、表示セ
ル202においてはエッジ部付近において液晶が逆回転す
る領域が無くなるため、表示性能及び信頼性が向上す
る。

【００１４】図５４は、ＩＰＳ型液晶表示装置の第１の
駆動特性図である。図に示されるように、ＩＰＳ型液晶
表示装置は、櫛型電極間隔（画素電極２と共通電極４と
の間隔）が狭くなると、低電圧により液晶駆動ができる
ようになる。しかしながら一方で、電極間隔が狭くなる
と不透明電極である画素電極と共通電極の面積が増加す
るため、開口率が低下することから輝度が低くなるとい
う問題が存在する。

【００１５】図５５は、ＩＰＳ型液晶表示装置の第２の
駆動特性図である。図に示されるように、セルギャップ
（カラーフィルタ基板とＴＦＴ付き基板の間隔：液晶層
の厚さ）を狭くすると応答速度が短縮される。しかしな
がら一方で、セルギャップが狭くなると液晶を駆動する
電圧を高くしないと所定の輝度を得ることができないと
いう問題点が存在する。

【００１６】図５６は、ＩＰＳ型液晶表示装置の櫛歯電
極近傍の駆動概念図である。図に示されるように、液晶
２０は、画素電極２と共通電極４の作用により発生する
電界（等電位面６１と垂直な方向）に沿って配向する。
また、画素電極２上には電極幅中心を軸に右半分と左半
分では、液晶の配向方向が異なるため、ディスクリネー
ションが発生する（ディスクリネーション発生位置６
２）。よって、このディスクリネーション発生位置６２
には、遮光をする必要がある。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ＩＰＳ型液晶表示装置
において、速い応答速度を達成するためには液晶材料の
粘度低減及び狭セルギャップ化が必須である。この方法
による応答速度改善は、図５５に示した通り、駆動電圧
の上昇を伴なうという問題点があるため、この駆動電圧
を例えば５Ｖ以下として、かつ所望の電界強度を得られ
るようにするためには櫛歯電極の間隔を狭める必要があ
る。しかしながら櫛歯電極の間隔を狭くすると,画素電
極及び共通電極は不透明であることから、開口率が低下
して輝度が下がる。このため、櫛歯電極の間隔を狭くし
て所望の電界強度を得ることは事実上不可能であった。

【００１８】本発明は、所望の開口率を維持しながら、
低電圧で液晶を駆動し、かつ応答速度の向上が図れ、更
には斜め視野からの色付きをも防止することができるア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。

【００１９】

【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段が、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧（）付きで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複
数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実
施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特
に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現さ
れている技術的事項に付せられている参照番号、参照記
号等に一致している。このような参照番号、参照記号
は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の
技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよ
うな対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の
形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されるこ
とを意味しない。

【００２０】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、共通電極（４）の上層に絶縁膜を介して透
明材料からなる補助電極（８）を備え、補助電極（８）
には共通電極（４）と同一電位を入力し、該横方向電界
を強めたアクティブマトリクス型液晶表示装置。

【００２１】本発明による更なるアクティブマトリクス
型液晶表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び
共通電極（４）から発生される基板に対して実効的な横
方向電界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、画素電極（２）及び共通電極（４）
の両方の上層に同一の層にて絶縁膜を介して透明電極材
料からなる補助電極（８）及び第２の補助電極（２３）
を備え、補助電極（８）、第２の補助電極（２３）は、
それぞれ画素電極（２）、共通電極（８）とコンタクト
ホールを介して電気的に接続されたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。

【００２２】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極（４）の両方
の上層に絶縁膜を介して透明材料からなる補助電極
（８）及び第２の補助電極（２３）を備え、かつ補助電
極（８）と第２の補助電極（２３）は別の絶縁膜を介し
て構成され、更に補助電極（８）、第２の補助電極（２
３）は、それぞれ画素電極（２）、共通電極（８）とコ
ンタクトホールを介して電気的に接続されたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。

【００２３】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極８４）のどち
らか一方のみの上層に絶縁膜を介して透明材料からなる
補助電極（８）を備え、その補助電極（８）は、その下
層にある画素電極（２）若しくは共通電極（８）とコン
タクトホールを介して電気的に接続されたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。

【００２４】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極（４）のどち
らか一方の上層に絶縁膜を介して透明材料からなる補助
電極（８）を備え、その補助電極（８）は、その下層に
ある画素電極（２）若しくは共通電極（８）と複数のコ
ンタクトホールを介して電気的に接続されたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。

【００２５】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極（４）の少な
くとも一方の上層に絶縁膜を介して透明材料からなる補
助電極（８）を備え、その補助電極（８）は、それぞれ
下層にある画素電極８（２）若しくは共通電極（８）と
コンタクトホールを介して電気的に接続され、かつ画素
電極（２）、共通電極（４）、補助電極（８）は全て直
線形状の電極であるアクティブマトリクス型液晶表示装
置。

【００２６】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極（４）の少な
くとも一方の上層に絶縁膜を介して透明材料からなる補
助電極（８）を備え、その補助電極（８）は、それぞれ
下層にある画素電極（２）若しくは共通電極（８）とコ
ンタクトホールを介して電気的に接続され、かつ画素電
極（２）、共通電極（４）、補助電極（８）の内、少な
くとも一つは折れ曲がった形状の電極であるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。

【００２７】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極（４）の少な
くとも一方の上層に絶縁膜を介して透明材料からなる補
助電極（８）を備え、その補助電極（８）は、それぞれ
下層にある画素電極（２）若しくは共通電極（８）とコ
ンタクトホールを介して電気的に接続され、かつ画素電
極（２）、共通電極（４）、補助電極（８）の内、少な
くとも一つはくの字に折れ曲がった形状の電極であるア
クティブマトリクス型液晶表示装置。

【００２８】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極（４）の少な
くとも一方の上層に絶縁膜を介して透明材料からなる補
助電極（８）を備え、その補助電極（８）は、それぞれ
下層にある画素電極（２）若しくは共通電極（８）とコ
ンタクトホールを介して電気的に接続され、かつ補助電
極（８）は、その下層にある画素電極（２）及び／若し
くは共通電極（４）よりも幅広い電極であるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。

【００２９】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶（２０）を画素電極（２）及び共通電
極（４）から発生される基板に対して実効的な横方向電
界で液晶を駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極（２）及び共通電極（４）の少な
くとも一方の上層に絶縁膜を介して透明材料からなる補
助電極（８）を備え、その補助電極（８）は、それぞれ
下層にある画素電極（２）若しくは共通電極（８）とコ
ンタクトホールを介して電気的に接続され、かつ補助電
極（８）は、その下層にある画素電極（２）及び／若し
くは共通電極（４）よりも幅広い電極で、更に補助電極
（８）とその下層にある画素電極（２）及び／若しくは
共通電極（４）と電極幅の中心線が同一であるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。

【００３０】本発明による更なる液晶表示装置は、透明
材料がＩＴＯである。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例が種々の
変形例を交えて説明される。その変形例は主に、電極の
形状の変形に基づく。

【００３２】図１及び図２を参照して、本発明に係る表
示セルの第１の実施例を説明する。図１は、本発明の表
示セルに係る第１の平面図（TFT基板側）を示す。図に
示されたセル101は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１を備える。図に示されたセル101の液晶２０
は、ラビング方向１９（櫛歯電極の長手方向に対して１
５°ずれた角度）に初期配向されている。

【００３３】本発明の表示セル101のＡ−Ａ´断面を図
２に示す。図２は、本発明の表示セルに係る第１の断面
図である。図において、液晶２０からなる液晶層の上部
に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１６
と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２
と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００３４】画素電極２と共通電極４の間隔は、およそ
１０μmに設定される。補助電極８と画素電極２及び補
助電極８と共通電極４の間隔は、およそ５〜８μmに設
定される。

【００３５】偏光板１７，１８は、およそ0.2mmの厚さ
に設定される。導電層１６は、およそ500Åの厚さに設
定される。第１及び第２の透明基板９，１４は、およそ
0.7mmの厚さに設定される。ブラックマトリクス１２
は、およそ１μmの厚さに設定される。平坦化層１５
は、およそ１μmの厚さに設定される。パッシベーショ
ン膜２２は、およそ3000Åの厚さに設定される。配向膜
１１は、およそ500Åの厚さに設定される。データ線５
及び画素電極２は、およそ2000Åの厚さに設定される。
共通電極４は、およそ2000Åの厚さに設定される。補助
電極８は、およそ1000Åの厚さに設定される。

【００３６】画素電極２及び共通電極４は、クロム等か
らなる不透明電極である。補助電極８は、ITO等からな
る透明電極である。補助電極８は、コンタクトホール２
１（図１）を介して画素電極２に接続される。このた
め、補助電極８には、画素電極２と実質的に同一な電位
が印加される。補助電極８は、画素電極２の拡張と等価
な作用を形成する。このため、画素電極２と共通電極４
の間で形成される電界強度を上昇させる効果が得られ
る。

【００３７】補助電極８は、透明電極からなり、表示セ
ル101の開口率には影響を及ぼさないため、表示セル101
の開口率の低下を回避しつつ、電界強度の向上に寄与す
ることができる。即ち、本構成の液晶表示装置において
は、狭セルギャップを形成して液晶に印加する駆動電圧
を高くすることなく、応答速度を向上させ、かつ開口率
の低下を回避して高い輝度及びコントラストを得ること
が可能である。

【００３８】ここで、図３及び図４を参照して、本発明
に係る表示セルの第２の実施例を説明する。図３は、本
発明の表示セルに係る第２の平面を示す。図に示された
セル102は、アモルファスシリコン１と、画素電極２
と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５と、ソ
ース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホール２
１，２１´を備える。図に示された表示セル102の液晶
２０は、ラビング方向１９（櫛歯電極の長手方向から１
５°ずれた角度）に初期配向されている。

【００３９】本発明の表示セル102のＡ−Ａ´断面を図
４に示す。図４は、本発明の表示セルに係る第２の断面
図（TFT基板側）である。図において、液晶２０からな
る液晶層の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７
と、導電層１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマ
トリクス１２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜
１１からなる。液晶層の下部に位置する下部構造体は、
配向膜１１と、補助電極８と、パッシベーション膜２２
と、画素電極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート
絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、
偏光板１８からなる。

【００４０】図３及び４に示された表示セル102の構造
は、基本的には図１及び図２に示された表示セル101と
同一である。相違点は、表示セル102がコンタクトホー
ル２１´を備える点である。表示セル102は、２つのコ
ンタクトホールを備えるため、補助電極８の電位が、そ
の何れの個所においても、正確に略一定に設定される。

【００４１】ここで、図５及び図６を参照して、本発明
に係る表示セルの第３の実施例を説明する。図５は、本
発明の表示セルに係る第３の平面を示す。図に示された
セル103は、アモルファスシリコン１と、画素電極２
と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５と、ソ
ース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホール２
１を備える。図に示された表示セル103の液晶２０は、
ラビング方向１９（共通電極４の長手方向に対して平
行）に初期配向されている。

【００４２】本発明の表示セル103のＡ−Ａ´断面を図
６に示す。図６は、本発明の表示セルに係る第３の断面
図（TFT基板側）である。図において、液晶２０からな
る液晶層の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７
と、導電層１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマ
トリクス１２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜
１１からなる。液晶層の下部に位置する下部構造体は、
配向膜１１と、補助電極８と、パッシベーション膜２２
と、画素電極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート
絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、
偏光板１８からなる。

【００４３】図５及び６に示された表示セル103の構造
は、基本的には図１及び図２に示された表示セル101と
同一である。相違点は、補助電極８の形状と液晶２０の
初期配向角度（ラビング方向１９：共通電極４の長手方
向に対して平行）にある。表示セル103の画素電極２と
同電位である補助電極８は、その中央付近にくびれ部が
形成されており、且つ共通電極４は直線形状であるた
め、櫛歯電極の表示セル103においては、そのくびれ部
の作用により、光を透過するコラム内デ液晶２０の回転
方向が右方向回転と左方向間点する領域が共存する。そ
のため白表示においては、画素電極2と共通電極４の間
に電界を印加しても液晶の配向方向が一方向を向いてい
ないため、斜め視野からの色付きを防止でき、且つ表示
接101，102より広視野角を達成できるメリットも有す
る。

【００４４】ここで、図７及び図８を参照して、本発明
に係る表示セルの第４の実施例を説明する。図７は、本
発明の表示セルに係る第４の平面（TFT基板側）を示
す。図に示されたセル104は、アモルファスシリコン１
と、画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、デ
ータ線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コン
タクトホール２１，２１´を備える。補助電極８は、２
極構造を備える。図に示された表示セル104の液晶２０
は、ラビング方向１９（共通電極４の長手方向に対して
平行）に初期配向されている。

【００４５】本発明の表示セル104のＡ−Ａ´断面を図
８に示す。図８は、本発明の表示セルに係る第４の断面
図である。図において、液晶２０からなる液晶層の上部
に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１６
と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２
と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００４６】図７及び８に示された表示セル104の構造
は、基本的には図５及び図６に示された表示セル103と
同一である。相違点は、表示セル104がコンタクトホー
ル２１´を備える点である。表示セル104は、２つのコ
ンタクトホールを備えるため、補助電極８の電位が、そ
の何れの個所においても、正確に略一定に設定される。
また、表示セル103同様、表示セル101，102に比べて斜
め視野からの色付きを防止でき、かつ広視野角を達成で
きるメリットも有する。

【００４７】ここで、図９及び図１０を参照して、本発
明に係る表示セルの第５の実施例を説明する。図９は、
本発明の表示セルに係る第５の平面図（TFT基板側）を
示す。図に示されたセル105は、アモルファスシリコン
１と、画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、
データ線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、補
助電極８と、コンタクトホール２１を備える。図に示さ
れた表示セル105の液晶２０は、ラビング方向１９（共
通電極４の長手方向に対して１５°ずれた角度）に初期
配向されている。

【００４８】本発明の表示セル105のＡ−Ａ´断面を図
１０に示す。図１０は、本発明の表示セルに係る第５の
断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層の
上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１
６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２
と、色層（カラーフィルタ）１３と、平坦化膜１５と、
配向膜１１からなる。液晶層の下部に位置する下部構造
体は、配向膜１１と、補助電極８と、パッシベーション
膜２２と、画素電極２と、データ線５と、層間絶縁膜
（ゲート絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透明基
板９と、偏光板１８からなる。

【００４９】図９及び１０に示された表示セル105の構
造は、基本的には図５及び図６に示された表示セル104
と同一である。相違点は、画素電極２の形状と液晶２０
の初期配向角度にある。表示セル105の補助電極８は、
その中央付近が拡張した形状になっているが、液晶２０
により支配的に電界を発生させる補助電極８の形状が直
線構造であるため、実効的に発生する電界は全てのコラ
ムでほぼ均一に共通電極４の長手方向に対して垂直であ
ることから、液晶２０の初期配向角度１９は共通電極４
の長手方向に対して１５°ずれた角度に設定される。表
示セル105のように、画素電極２に折れ曲がり点を持た
せた構成においても、表示セル101と同じ表示性能を達
成することができる。

【００５０】ここで、図１１及び図１２を参照して、本
発明に係る表示セルの第６の実施例を説明する。図１１
は、本発明の表示セルに係る第５の平面図（TFT基板
側）を示す。図に示されたセル106は、アモルファスシ
リコン１と、画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極
４と、データ線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７
と、コンタクトホール２１，２１´を備える。図に示さ
れた表示セル106の液晶２０は、ラビング方向１９（共
通電極の長手方向に対して１５°ずれた角度）に初期配
向されている。

【００５１】本発明の表示セル106のＡ−Ａ´断面を図
１２に示す。図１２は、本発明の表示セルに係る第６の
断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層の
上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１
６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２
と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００５２】図１１及び１２に示された表示セル106の
構造は、基本的には図９及び図１０に示された表示セル
105と同一である。相違点は、表示セル106がコンタクト
ホール２１´を備える点である。表示セル106は、２つ
のコンタクトホールを備えるため、補助電極８の電位
が、その何れの個所においても、正確に略一定に設定さ
れる。

【００５３】ここで、図１３及び図１４を参照して、本
発明に係る表示セルの第７の実施例を説明する。図１３
は、本発明の表示セルに係る第７の平面図（TFT基板
側）を示す。図に示されたセル107は、アモルファスシ
リコン１と、画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極
４と、データ線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７
と、コンタクトホール２１を備える。補助電極８は、２
極構造を備える。図に示された表示セル107の液晶２０
は、ラビング方向１９（共通電極４の長手方向と平行）
に初期配向されている。

【００５４】本発明の表示セル107のＡ−Ａ´断面を図
１４に示す。図１４は、本発明の表示セルに係る第７の
断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層の
上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１
６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２
と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００５５】図１３及び１４に示された表示セル107の
構造は、基本的には図５及び図６に示された表示セル10
3と同一である。相違点は、画素電極２と補助電極８の
形状及びラビング方向１９にある。表示セル107の画素
電極２は、補助電極８の形状に整合して、どちらも折れ
曲がった形状になっており、画素電極２とコンタクトホ
ール２１を介して同電位になっている補助電極８は、共
通電極との電極間隔を狭めているため、液晶に印加する
駆動電圧を低減させることができる。また、その中央付
近にくびれ部が形成されており、かつ共通電極４は直線
形状であるため、櫛歯電極の表示セル107においては、
そのくびれ部の作用により、光を透過するコラム内で液
晶２０の回転方向が右方向回転と左方向回転する領域が
共存する。そのため白表示の際に、画素電極２と共通電
極４の間に電界を印加しても液晶の配向方向が一方向で
ないため、斜め視野からの色つきを防止した上で、更な
る広視野角を達成できるメリットも有する。

【００５６】ここで、図１５及び図１６を参照して、本
発明に係る表示セルの第８の実施例を説明する。図１５
は、本発明の表示セルに係る第８の平面図を示す。図に
示されたセル108は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１，２１´を備える。補助電極８は、２極構造を
備える。図に示された表示セル108の液晶２０は、ラビ
ング方向１９（共通電極４の長手方向と平行）に初期配
向されている。

【００５７】本発明の表示セル108のＡ−Ａ´断面を図
１６に示す。図１６は、本発明の表示セルに係る第８の
断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層の
上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１
６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２
と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００５８】図１５及び１６に示された表示セル108の
構造は、基本的には図１３及び図１４に示された表示セ
ル107と同一である。相違点は、表示セル108がコンタク
トホール２１´を備える点にある。表示セル108は、２
つのコンタクトホールを備えるため、補助電極８の電位
が、その何れの個所においても、正確に略一定に設定さ
れる。

【００５９】ここで、図１７及び図１８を参照して、本
発明に係る表示セルの第９の実施例を説明する。図１７
は、本発明の表示セルに係る第９の平面図を示す。図に
示されたセル109は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１を備える。補助電極８は、３極構造を備える。
図に示された表示セル109の液晶２０は、ラビング方向
１９（画素電極２の長手方向に対して１５°ずれた角
度）に初期配向されている。

【００６０】本発明の表示セル109のＡ−Ａ´断面を図
１８に示す。図１８は、本発明の表示セルに係る第９の
断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層の
上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層１
６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１２
と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００６１】図１７及び１８に示された表示セル109の
構造は、基本的には図１及び図２に示された表示セル10
1と同一である。相違点は、補助電極８の電極数にあ
る。表示セル109においては、補助電極８はコンタクト
ホール２１を介して、共通電極4と同電位になってい
る。透明材料からなる補助電極８は、開口率の低下を回
避させつつ、画素電極２との電極間隔を狭めるため、電
界強度を増加させることが可能になる。

【００６２】ここで、図１９及び図２０を参照して、本
発明に係る表示セルの第１０の実施例を説明する。図１
９は、本発明の表示セルに係る第１０の平面図を示す。
図に示されたセル110は、アモルファスシリコン１と、
画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ
線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタク
トホール２１，２１´を備える。補助電極８は、３極構
造を備える。図に示された表示セル109の液晶２０は、
ラビング方向１９（画素電極２の長手方向に対して１５
°ずれた角度）に初期配向されている。

【００６３】本発明の表示セル110のＡ−Ａ´断面を図
２０に示す。図２０は、本発明の表示セルに係る第１０
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００６４】図１９及び２０に示された表示セル110の
構造は、基本的には図１７及び図８に示された表示セル
109と同一である。相違点は、コンタクトホールの数で
ある。表示セル109は、２つのコンタクトホールを備え
るため、補助電極８の電位が、その何れの個所において
も、正確に略一定に設定される。

【００６５】ここで、図２１及び図２２を参照して、本
発明に係る表示セルの第１１の実施例を説明する。図２
１は、本発明の表示セルに係る第１１の平面図を示す。
図に示されたセル111は、アモルファスシリコン１と、
画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ
線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタク
トホール２１を備える。図に示された表示セル111の液
晶２０は、ラビング方向１９（画素電極２の長手方向に
対して平行）に初期配向されている。

【００６６】本発明の表示セル111のＡ−Ａ´断面を図
２２に示す。図２２は、本発明の表示セルに係る第１１
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００６７】図２１及び２２に示された表示セル111の
構造は、基本的には図１７及び図１８に示された表示セ
ル109と同一である。相違点は、補助電極８の形状にあ
る。表示セル111の補助電極８は、くびれ部を備える。
表示セル111の共通電極４とコンタクトホール２１を介
して同電位になっている透明電極である補助電極８は、
画素電極２との電極間隔を狭めるため、開口率の低下を
回避しつつ、液晶202印加される電界強度を強めること
ができる。また、その中央部付近にくびれ部が形成され
ているため、光を透過するコラム内で液晶２０の回転方
向が右方向回転と左方向回転する領域が共存する。その
ため白表示の際に、画素電極２と共通電極４の間に電界
を印加しても液晶の配向方向が一方向でないため、斜め
視野からの色つきを防止でき、更なる広視野角を達成で
きるメリットも有する。

【００６８】次に、図２３及び図２４を参照して、本発
明に係る表示セルの第１２の実施例を説明する。図２３
は、本発明の表示セルに係る第１２の平面図を示す。図
に示されたセル112は、アモルファスシリコン１と、画
素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線
５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクト
ホール２１，２１´を備える。補助電極８は、３極構造
を備える。図に示された表示セル112の液晶２０は、ラ
ビング方向１９（画素電極２の長手方向に対して平行）
に初期配向されている。

【００６９】本発明の表示セル112のＡ−Ａ´断面を図
２４に示す。図２４は、本発明の表示セルに係る第１２
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００７０】図２３及び２４示された表示セル112の構
造は、基本的には図２１及び図２２に示された表示セル
111と同一である。相違点は、表示セル112がコンタクト
ホール２１´を備える点である。表示セル112は、２つ
のコンタクトホールを備えるため、補助電極８の電位
が、その何れの個所においても、正確に略一定に設定さ
れる。

【００７１】次に、図２５及び図２６を参照して、本発
明に係る表示セルの第１３の実施例を説明する。図２５
は、本発明の表示セルに係る第１３の平面図を示す。図
に示されたセル113は、アモルファスシリコン１と、画
素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線
５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクト
ホール２１を備える。補助電極８は、３極構造を備え
る。図に示された表示セル111の液晶２０は、ラビング
方向１９（画素電極２の長手方向に対して１５°ずれた
方向）に初期配向されている。

【００７２】本発明の表示セル113のＡ−Ａ´断面を図
２６に示す。図２６は、本発明の表示セルに係る第１３
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００７３】図２５及び２６に示された表示セル113の
構造は、基本的には図１７及び図１８に示された表示セ
ル109と同一である。相違点は、共通電極４の形状及び
液晶２０の初期配向角度にある。表示セル113の共通電
極４は、その中央付近が拡張した形状になっているが、
液晶２０により支配的に電界を発生させる補助電極8の
形状が直線構造であるため、実効的に発生する電界は全
てのコラムでほぼ均一に画素電極２の長手方向に対して
垂直であることから、液晶２０の初期配向角度１９は、
共通電極４の長手方向に対して１５°ずれた角度に設定
される。表示セル105のように、共通電極４に折れ曲が
り点を持たせた構成においても、表示セル109と同じ表
示性能を達成することができる。

【００７４】次に、図２７及び図２８を参照して、本発
明に係る表示セルの第１４の実施例を説明する。図２７
は、本発明の表示セルに係る第１４の平面図を示す。図
に示されたセル114は、アモルファスシリコン１と、画
素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線
５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクト
ホール２１，２１´を備える。補助電極８は、３極構造
を備える。図に示された表示セル114の液晶２０は、ラ
ビング方向１９（画素電極２の長手方向に対して１５°
ずれた方向）に初期配向されている。

【００７５】本発明の表示セル114のＡ−Ａ´断面を図
２８に示す。図２８は、本発明の表示セルに係る第１４
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００７６】図２７及び２８に示された表示セル114の
構造は、基本的には図２５及び図２６に示された表示セ
ル113と同一である。相違点は、表示セル114がコンタク
トホール２１´を備える点である。表示セル114は、２
つのコンタクトホールを備えるため、補助電極８の電位
が、その何れの個所においても、正確に略一定に設定さ
れる。

【００７７】次に、図２９及び図３０を参照して、本発
明に係る表示セルの第１５の実施例を説明する。図２９
は、本発明の表示セルに係る第１５の平面を示す。図に
示されたセル115は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１を備える。補助電極８は、３極構造を備える。
図に示された表示セル115の液晶２０は、ラビング方向
１９（画素電極２の長手方向に対して平行）に初期配向
されている。

【００７８】本発明の表示セル115のＡ−Ａ´断面を図
３０に示す。図３０は、本発明の表示セルに係る第１５
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００７９】図２９及び３０に示された表示セル115の
構造は、基本的には図２５及び図２６に示された表示セ
ル113と同一である。相違点は、共通電極４と補助電極
８の形状及びラビング方向１９にある。表示セル115の
補助電極８は、共通電極４に整合して、どちらも折れ曲
がった形状になっており、共通電極４とコンタクトホー
ル２１を介して同電位になっている補助電極８は共通電
極との電極間隔を狭めているため、液晶に印加する駆動
電圧を低減させる事ができる。また、その中央付近にく
びれ部がけいせいされており、かつ画素電極２は直線形
状であるため、櫛歯電極の表示セル115においては、そ
のくびれ部の作用により、光を透過するコラム内で液晶
２０の回転方向が右方向回転と左方向回転する領域が共
存する。そのため白表示の際に、画素電極２と共通電極
４の間に電界を印加しても液晶の配向方向が一方向でな
いため、斜め視野からの色付きを防止した上で、更なる
広視野角を達成できるメリットも有する。

【００８０】次に、図３１及び図３２を参照して、本発
明に係る表示セルの第１６の実施例を説明する。図３１
は、本発明の表示セルに係る第１６の平面を示す。図に
示されたセル116は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１，２１´を備える。補助電極８は、３極構造を
備える。図に示された表示セル116の液晶２０は、ラビ
ング方向１９（画素電極２の長手方向に対して平行）に
初期配向されている。

【００８１】本発明の表示セル116のＡ−Ａ´断面を図
３２に示す。図３２は、本発明の表示セルに係る第１６
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２２と、画素電
極２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１
０と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８
からなる。

【００８２】図３１及び３２に示された表示セル116の
構造は、基本的には図２９及び図３０に示された表示セ
ル115と同一である。相違点は、表示セル116がコンタク
トホール２１´を備える点である。表示セル116は、２
つのコンタクトホールを備えるため、補助電極８の電位
が、その何れの個所においても、正確に略一定に設定さ
れる。

【００８３】次に、図３３及び図３４を参照して、本発
明に係る表示セルの第１７の実施例を説明する。図３３
は、本発明の表示セルに係る第１７の平面を示す。図に
示されたセル117は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１，２１´と、第２の補助電極２３を備える。補
助電極８は、３極構造を備える。図に示された表示セル
116の液晶２０は、ラビング方向１９（データ線５の長
手方向に対して平行）に初期配向されている。

【００８４】本発明の表示セル116のＡ−Ａ´断面を図
３４に示す。図３４は、本発明の表示セルに係る第１７
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、第２の補助電極２３と、パッシベー
ション膜２２と、画素電極２と、データ線５と、層間絶
縁膜（ゲート絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透
明基板９と、偏光板１８からなる。

【００８５】補助電極８は、コンタクトホール２１を介
して画素電極２に接続する。第２の補助電極２３は、コ
ンタクトホール２１´を介して共通電極４に接続する。

【００８６】第２の補助電極２３は、ITO等からなる透
明電極である。補助電極８には、共通電極４と実質的に
同一な電位が印加される。第２の補助電極２３には、共
通電極４と実質的に同一な電位が印加される。補助電極
８と第２の補助電極２３の電極間隔は、画素電極２と共
通電極４の電極間隔を狭めるように配置されているた
め、開口率の低下を回避しつつ、補助電極８のみにより
電界強度を強める表示セル101〜115よりも発生する電界
の強度を更に増大することができる。

【００８７】図３３及び３４に示された表示セル117の
構造は、図３１及び図３２に示された表示セル116の変
形である。表示セル117においては、画素電極２及び共
通電極４の電界強度を強めるよう、それぞれに透明電極
からなる補助電極を配置される。また、補助電極８及び
第２の補助電極２３は、それぞれ画素電極２及び共通電
極４と整合した形状をなして、かつ電界強度を強める。
また画素電極２、共通電極４、補助電極８、そして第２
の補助電極２３の全てが折れ曲がった形状を成している
ため、液晶の初期配向角度は、データ線５の長手方向に
対して平行な角度に設定される。この構成からなる表示
セル117は、そのくびれ部の作用により、光を透過する
コラム内で液晶２０の回転方向が右方向回転と左方向回
転する領域が共存する。そのため、白表示の際に、画素
電極２と共通電極４の間に電界を印加しても液晶の配向
方向が一方向でないため、斜め視野からの色つきを防止
した上で、更なる広視野角を達成できるメリットも有す
る。

【００８８】次に、図３５及び図３６を参照して、本発
明に係る表示セルの第１８の実施例を説明する。図３５
は、本発明の表示セルに係る第１８の平面を示す。図に
示されたセル118は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１，２１´と、第２の補助電極２３を備える。補
助電極８は、３極構造を備える。図に示された表示セル
118の液晶２０は、ラビング方向１９（データ線５の長
手方向に対して平行）に初期配向されている。

【００８９】本発明の表示セル118のＡ−Ａ´断面を図
３６に示す。図３６は、本発明の表示セルに係る第１８
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、第２の補助電極２３と、パッシベー
ション膜２２と、画素電極２と、データ線５と、層間絶
縁膜（ゲート絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透
明基板９と、偏光板１８からなる。

【００９０】図３５及び３６に示された表示セル118の
構造は、図３３及び図３４に示された表示セル117の変
形である。表示セル118において、補助電極８は、くの
字型に形成される。画素電極２も同様に、補助電極８に
整合するくの字型に形成される。第２の補助電極２３
は、補助電極８の形状に整合するくびれ部及び拡張部を
備える。共通電極４も同様に、第２の補助電極２３に整
合するくびれ部及び拡張部を備える。これらの形状によ
り、表示セル118においては、そのくびれ部の作用によ
り、光を透過するコラム内で液晶２０の回転方向が右方
向回転と左方向回転する領域が共存する。そのため白表
示の際に、画素電極２と共通電極４の間に電界を印加し
ても液晶の配向方向が一方向でないため、斜め視野から
の色つきを防止した上で更なる広視野角を達成できるメ
リットも有する。

【００９１】次に、図３７及び図３８を参照して、本発
明に係る表示セルの第１９の実施例を説明する。図３７
は、本発明の表示セルに係る第１９の平面を示す。図に
示されたセル119は、アモルファスシリコン１と、画素
電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線５
と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクトホ
ール２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、第２の補助電
極２３を備える。補助電極８は、３極構造を備える。図
に示された表示セル119の液晶２０は、ラビング方向１
９（データ線５の長手方向に対して平行）に初期配向さ
れている。

【００９２】本発明の表示セル119のＡ−Ａ´断面を図
３８に示す。図３８は、本発明の表示セルに係る第１９
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、第２の補助電極２３と、パッシベー
ション膜２２と、画素電極２と、データ線５と、層間絶
縁膜（ゲート絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透
明基板９と、偏光板１８からなる。

【００９３】図３７及び３８に示された表示セル119の
構造は、図３３及び図３４に示された表示セル117と基
本的には同一である。表示セル119において、補助電極
８は、コンタクトホール２１ａ，２１ｂを介して画素電
極２に接続する。第２の補助電極２３は、コンタクトホ
ール２１ｃ，２１ｄを介して共通電極４に接続する。補
助電極８及び第２の補助電極２３のそれぞれに対してコ
ンタクトホールが設けられることにより、補助電極８及
び第２の補助電極２３の電位の均一性が向上する。

【００９４】次に、図３９及び図４０を参照して、本発
明に係る表示セルの第２０の実施例を説明する。図３９
は、本発明の表示セルに係る第２０の平面図を示す。図
に示されたセル120は、アモルファスシリコン１と、画
素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ線
５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタクト
ホール２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、第２の補助
電極２３を備える。補助電極８は、３極構造を備える。
図に示された表示セル120の液晶２０は、ラビング方向
１９（データ線５の長手方向に対して平行）に初期配向
されている。

【００９５】本発明の表示セル120のＡ−Ａ´断面を図
４０に示す。図４０は、本発明の表示セルに係る第２０
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、第２の補助電極２３と、パッシベー
ション膜２２と、画素電極２と、データ線５と、層間絶
縁膜（ゲート絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透
明基板９と、偏光板１８からなる。

【００９６】図３９及び図４０に示された表示セル120
の構造は、図３５及び図３６に示された表示セル118の
変形である。表示セル120において、補助電極８は、コ
ンタクトホール２１ａ，２１ｂを介して画素電極２に接
続する。第２の補助電極２３は、コンタクトホール２１
ｃ，２１ｄを介して共通電極４に接続する。補助電極８
及び第２の補助電極２３のそれぞれに対してコンタクト
ホールが設けられることにより、補助電極８及び第２の
補助電極２３の電位の均一性が向上する。

【００９７】次に、図４１及び図４２を参照して、本発
明に係る表示セルの第２１の実施例を説明する。図４１
は、本発明の表示セルに係る第２１の平面図を示す。図
に示された表示セル121は、アモルファスシリコン１
と、画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、デ
ータ線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コン
タクトホール２１，２１´と、第２の補助電極２３を備
える。補助電極８は、３極構造を備える。図に示された
表示セル121の液晶２０は、ラビング方向１９（画素電
極２の長手方向に対して１５°ずれた角度）に初期配向
されている。を形成する。

【００９８】本発明の表示セル121のＡ−Ａ´断面を図
４２に示す。図４２は、本発明の表示セルに係る第２１
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、第２の補助電極２３と、パッシベー
ション膜２２と、画素電極２と、データ線５と、層間絶
縁膜（ゲート絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透
明基板９と、偏光板１８からなる。

【００９９】補助電極８は、コンタクトホール２１を介
して画素電極２に接続する。第２の補助電極２３は、コ
ンタクトホール２１´を介して共通電極４に接続する。

【０１００】補助電極８は、画素電極２の拡張に相当す
る効果を奏する。補助電極８は、画素電極２の作用によ
り発生する電界の強度を増大する。第２の補助電極２３
は、共通電極４の拡張に相当する効果を奏する。第２の
補助電極２３は、共通電極４の作用により発生する電界
の強度を増大する。

【０１０１】図４１及び図４２に示された表示セル121
の構造は、図３３及び図３４に示された表示セル117の
変形である。その相違点は、電界強度を強める補助電極
の配置にある。表示セル121は、画素電位を強める補助
電極８と、共通電位を強める第２の補助電極２３の両方
を備える。そのため、表示セル121は、表示セル102より
も電界強度を強める効果が顕著。

【０１０２】次に、図４３及び図４４を参照して、本発
明に係る表示セルの第２２の実施例を説明する。図４３
は、本発明の表示セルに係る第２２の平面を示す。図に
示された表示セル122は、アモルファスシリコン１と、
画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ
線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタク
トホール２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、第２の補
助電極２３を備える。補助電極８は、３極構造を備え
る。図に示された表示セル122の液晶２０は、ラビング
方向１９（画素電極２の長手方向に対して１５°ずれた
角度）に初期配向されている。

【０１０３】本発明の表示セル122のＡ−Ａ´断面を図
４４に示す。図４４は、本発明の表示セルに係る第２２
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、第２の補助電極２３と、パッシベー
ション膜２２と、画素電極２と、データ線５と、層間絶
縁膜（ゲート絶縁膜）１０と、共通電極４と、第１の透
明基板９と、偏光板１８からなる。

【０１０４】補助電極８は、コンタクトホール２１ａ，
２１ｂを介して画素電極２に接続する。第２の補助電極
２３は、コンタクトホール２１ｃ，２１ｄを介して共通
電極４に接続する。表示セル122の補助電極８及び第２
の補助電極２３は、それぞれ２つのコンタクトホールを
備えるため、その電位が、その何れの個所においても、
正確に略一定に設定される。

【０１０５】次に、図４５及び図４６を参照して、本発
明に係る表示セルの第２３の実施例を説明する。図４５
は、本発明の表示セルに係る第２３の平面を示す。図に
示された表示セル123は、アモルファスシリコン１と、
画素電極２と、ゲート電極３と、共通電極４と、データ
線５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、コンタク
トホール２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、第２の補
助電極２３を備える。補助電極８は、３極構造を備え
る。図に示された表示セル123の液晶２０は、ラビング
方向１９（画素電極２長手方向に対して１５°ずれた角
度）に初期配向されている。

【０１０６】本発明の表示セル123のＡ−Ａ´断面を図
４６に示す。図４６は、本発明の表示セルに係る第２３
の断面図である。図において、液晶２０からなる液晶層
の上部に位置する上部構造体は、偏光板１７と、導電層
１６と、第２の透明基板１４と、ブラックマトリクス１
２と、色層１３と、平坦化膜１５と、配向膜１１からな
る。液晶層の下部に位置する下部構造体は、配向膜１１
と、補助電極８と、パッシベーション膜２４と、第２の
補助電極２３と、パッシベーション膜２２と、画素電極
２と、データ線５と、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０
と、共通電極４と、第１の透明基板９と、偏光板１８か
らなる。

【０１０７】表示セル123の第２の補助電極２３の配置
は、図４３及び図４４に示された表示セル122と相違す
る。その他の点は、一致する。

【０１０８】表示セル123において、第２の補助電極２
３は、パッシベーション膜２２の一部にコンタクトホー
ルを形成して共通電極１４と電気的に接続されて構成さ
れる。補助電極８は、パッシベーション膜２２及び第２
のパッシベーション膜２４の一部にコンタクトホールを
下位して画素電極２と電気的に接続されて構成される。
このような構成にすることで、補助電極８と第２補助電
極２３の短絡による表示欠陥を防止する事ができる。

【０１０９】図４７は、本発明に係る電極の配置を示
す。図は、図４５及び図４６に示された構成の一部を示
す。図には、画素電極２と、共通電極４と、第２の補助
電極２３が示される。共通電極４は、幅Ｗｕを有する。
第２の補助電極２３は、幅Ｗｔを有する。共通電極４と
第２の補助電極２３の中心は、整合される。この整合に
関する条件は、画素電極２と補助電極８にも適用され
る。また、液晶に印加される電界の強度を強めるために
は、補助電極８は画素電極２よりも幅が広く、補助電極
２３は共通電極４よりも幅を広くすると、尚効果的であ
る（Ｗｔ＞Ｗｕ、特にＷｔ≧Ｗｕ＋２（μm））。この
整合に関する条件及び補助電極幅の条件は、本実施例以
外の他の実施例にも適用される。

【０１１０】図４８は、本発明に係るコンタクトホール
の構成を示す。図には、表示セルのコンタクトホール２
１のＢ−Ｂ´断面が示される。コンタクトホール２１
は、補助電極２３の部分的な凹部形状により形成され
る。補助電極２３の凹部形状は、パッシベーション膜２
２及び層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０を貫き、共通電
極４に接続する。このようなコンタクトホール２１の形
状は、他のコンタクトホールにも共通する。補助電極８
の場合、凹部形状は、画素電極２に接続する。

【０１１１】図４９は、本発明のコンタクトホールに係
るプロセスの構成を示す。図は、図４８に示されたＢ−
Ｂ´断面の変化を示す。図４９（ａ）に示されるよう
に、第１の透明基板９上にクロム層（Ｃｒ）からなるゲ
ート電極層が形成される。この工程では、洗浄、クロム
スパッタ、洗浄、レジストリ塗布、露光、現像、クロム
エッチング、そしてレジスト剥離が実行される。

【０１１２】次に図４９（ｂ）に示されるように、ゲー
ト電極の形状が設定される。次に図４９（ｃ）におい
て、ゲート電極上に層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０
（SiO2／SiNx）が形成される。次に図４９（ｄ）に示さ
れるように、層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０上にパッ
シベーション層２２の下部層（SiNx）とアモルファスシ
リコン層（ａ−Si，ｎ^＋ａ−Si）が形成される。次に図
４９（ｅ）に示されるように、ゲート電極３上方から、
アモルファスシリコン層（ａ−Si，ｎ^＋ａ−Si）が除去
される。図４９（ｂ）〜（ｅ）に示された工程では、洗
浄、SiO2成膜、洗浄、3層連続P-CVD、洗浄、レジスト塗
布、露光、現像、アイランド−ドライエッチング、そし
てレジストリ剥離が実行される。

【０１１３】次に図４９（ｆ）に示されるように、ゲー
ト電極３の上方に、クロム層が形成される。次に図４９
（ｇ）に示されるように、ゲート電極３上方からクロム
層が除去される。次に図４９（ｈ）に示される工程で
は、チャネルドライエッチングが実行される。図４９
（ｆ）〜（ｈ）に示された工程では、洗浄、クロムスパ
ッタ、洗浄、レジスト塗布、露光、現像、クロムエッチ
ング、クロムドライエッチング、レジスト剥離、そして
チャネルドライエッチングが実行される。

【０１１４】次に図４９（ｉ）に示されるように、ゲー
ト電極３の上方に、パッシベーション層２２の上部層
（SiNx）が形成される。次に図４９（ｊ）に示されるよ
うに、パッシベーション層２２の上部層及び下部層、そ
して層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０の一部が除去さ
れ、凹部が形成される。図４９（ｉ），（ｊ）に示され
る工程では、洗浄、パッシベーションＣＶＤ、洗浄、レ
ジスト塗布、露光、現像、コンタクトエッチング、コン
タクトドライエッチング、そしてレジスト剥離が実行さ
れる。

【０１１５】次に図４９（ｋ）に示される工程では、IT
Oのスパッタリング処理によりITO層が形成される。次に
図４９（ｌ）に示される工程では、ITOの除去処理が実
行される。図４９（ｋ），（ｌ）に示される工程では、
洗浄、ITOスパッタ、洗浄、レジスト塗布、露光、現
像、ITOエッチング、レジスト剥離、洗浄、アニール、
そして検査が実行される。特に、本工程にてＩＴＯから
なる補助電極を形成すれば、ゲートパッド、ドレインパ
ッドにおいて、導電性を確保するためのＩＴＯ成膜と同
一工程にて形成できるため、コスト的にも、プロセス的
にも有利である。

【０１１６】以上説明のように、透明電極からなる補助
電極８及び／若しくは第２の補助電極２３を画素電極２
及び／若しくは共通電極４と同電位とし、電極間隔を狭
めて電界強度を強めることで、開口率の低下を回避しつ
つ、狭セルギャップ化による応答改善をスムーズに図る
ことができる。

【０１１７】

【発明の効果】本発明による液晶表示装置は、所望の開
口率の維持と、応答速度の向上、即ち液晶に印加される
電界強度の増大を両立できるため、狭セルギャップ化に
よる応答改善をスムーズに図ることができる。更には、
電極の構成によっては斜め視野からの色付きを防止し、
更なる広視野角化も達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図は、本発明の表示セルに係る第１の平面図で
ある。

【図２】図は、本発明の表示セルに係る第１の断面図で
ある。

【図３】図は、本発明の表示セルに係る第２の平面図で
ある。

【図４】図は、本発明の表示セルに係る第２の断面図で
ある。

【図５】図は、本発明の表示セルに係る第３の平面図で
ある。

【図６】図は、本発明の表示セルに係る第３の断面図で
ある。

【図７】図は、本発明の表示セルに係る第４の平面図で
ある。

【図８】図は、本発明の表示セルに係る第４の断面図で
ある。

【図９】図は、本発明の表示セルに係る第５の平面図で
ある。

【図１０】図は、本発明の表示セルに係る第５の断面図
である。

【図１１】図は、本発明の表示セルに係る第６の平面図
である。

【図１２】図は、本発明の表示セルに係る第６の断面図
である。

【図１３】図は、本発明の表示セルに係る第７の平面図
である。

【図１４】図は、本発明の表示セルに係る第７の断面図
である。

【図１５】図は、本発明の表示セルに係る第８の平面図
である。

【図１６】図は、本発明の表示セルに係る第８の断面図
である。

【図１７】図は、本発明の表示セルに係る第９の平面図
である。

【図１８】図は、本発明の表示セルに係る第９の断面図
である。

【図１９】図は、本発明の表示セルに係る第１０の平面
図である。

【図２０】図は、本発明の表示セルに係る第１０の断面
図である。

【図２１】図は、本発明の表示セルに係る第１１の平面
図である。

【図２２】図は、本発明の表示セルに係る第１１の断面
図である。

【図２３】図は、本発明の表示セルに係る第１２の平面
図である。

【図２４】図は、本発明の表示セルに係る第１２の断面
図である。

【図２５】図は、本発明の表示セルに係る第１３の平面
図である。

【図２６】図は、本発明の表示セルに係る第１３の断面
図である。

【図２７】図は、本発明の表示セルに係る第１４の平面
図である。

【図２８】図は、本発明の表示セルに係る第１４の断面
図である。

【図２９】図は、本発明の表示セルに係る第１５の平面
図である。

【図３０】図は、本発明の表示セルに係る第１５の断面
図である。

【図３１】図は、本発明の表示セルに係る第１６の平面
図である。

【図３２】図は、本発明の表示セルに係る第１６の断面
図である。

【図３３】図は、本発明の表示セルに係る第１７の平面
図である。

【図３４】図は、本発明の表示セルに係る第１７の断面
図である。

【図３５】図は、本発明の表示セルに係る第１８の平面
図である。

【図３６】図は、本発明の表示セルに係る第１８の断面
図である。

【図３７】図は、本発明の表示セルに係る第１９の平面
図である。

【図３８】図は、本発明の表示セルに係る第１９の断面
図である。

【図３９】図は、本発明の表示セルに係る第２０の平面
図である。

【図４０】図は、本発明の表示セルに係る第２０の断面
図である。

【図４１】図は、本発明の表示セルに係る第２１の平面
図である。

【図４２】図は、本発明の表示セルに係る第２１の断面
図である。

【図４３】図は、本発明の表示セルに係る第２２の平面
図である。

【図４４】図は、本発明の表示セルに係る第２２の断面
図である。

【図４５】図は、本発明の表示セルに係る第２３の平面
図である。

【図４６】図は、本発明の表示セルに係る第２３の断面
図である。

【図４７】図は、本発明に係る電極の配置図である。

【図４８】図は、本発明に係るコンタクトホールの構成
図である。

【図４９】図は、本発明のコンタクトホールに係るプロ
セス構成図である。

【図５０】図は、従来の表示セルに係る第１の平面図で
ある。

【図５１】図は、従来の表示セルに係る第１の断面図で
ある。

【図５２】図は、従来の表示セルに係る第２の平面図で
ある。

【図５３】図は、従来の表示セルに係る第２の断面図で
ある。

【図５４】図は、ＩＰＳ型液晶表示装置の第１の駆動特
性図である。

【図５５】図は、ＩＰＳ型液晶表示装置の第２の駆動特
性図である。

【図５６】図は、ＩＰＳ型液晶表示装置の駆動概念図で
ある。

【符号の説明】

１，１´：アモルファスシリコン ２：画素電極 ３：ゲート電極 ４：共通電極 ５，５´：データ線 ６：ソース電極 ７：ドレイン電極 ８：補助電極 ９：第１の透明基板 １０：層間絶縁膜（ゲート絶縁膜） １１：配向膜 １２：ブラックマトリクス １３：色層（カラーフィルタ） １４：第２の透明基板 １５：平坦化膜 １６：導電膜 １７，１８：偏光膜 １９：ラビング方向 ２０：液晶 ２１：コンタクトホール ２２：パッシベーション膜

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板と、この一対の基板に挟持さ
   れた液晶層を有し、前記一対の基板の少なくとも一方に
   は、基板に対して支配的に平行な成分を持った電界を前
   記液晶層に発生させるように櫛歯状に画素電極と共通電
   極を所定の間隔を設けて、交互に配したアクティブマト
   リクス型液晶表示装置において、 前記液晶層に印加される該電界を強めるように、前記共
   通電極の上層に絶縁膜を介して透明な補助電極を形成
   し、前記補助電極には前記共通電極と同一電圧を入力す
   るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 一対の基板と、この一対の基板に挟持さ
   れた液晶層を有し、前記一対の基板の少なくとも一方に
   は、基板に対して支配的に平行な成分を持った電界を前
   記液晶層に発生させるように櫛歯状に画素電極と共通電
   極を所定の間隔を設けて、交互に配したアクティブマト
   リクス型液晶表示装置において、 前記画素電極上層の透明補助電極１と共通電極上層の透
   明補助電極２がそれぞれコンタクトホールを介して電気
   的に接続されながら形成されて、前記透明補助電極１と
   前記補助電極２は同じ層にて形成されるアクティブマト
   リクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 一対の基板と、この一対の基板に挟持さ
   れた液晶層を有し、前記一対の基板の少なくとも一方に
   は、基板に対して支配的に平行な成分を持った電界を前
   記液晶層に発生させるように櫛歯状に画素電極と共通電
   極を所定の間隔を設けて、交互に配したアクティブマト
   リクス型液晶表示装置において、 前記画素電極層の透明補助電極１と共通電極上層の透明
   補助電極２がそれぞれコンタクトホールを介して電気的
   に接続されながら形成されて、前記補助電極１と前記補
   助電極２は別の絶縁層を介して形成されるアクティブマ
   トリクス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 一対の基板と、この一対の基板に挟持さ
   れた液晶層を有し、前記一対の基板の少なくとも一方に
   は、基板に対して支配的に平行な成分を持った電界を前
   記液晶層に発生させるように櫛歯状に画素電極と共通電
   極を所定の間隔を設けて、交互に配したアクティブマト
   リクス型液晶表示装置において、 前記画素電極と前記共通電極のどちらか一方のみの上層
   に絶縁膜を介して透明補助電極がそれぞれコンタクトホ
   ールを介して電気的に接続されて形成されるアクティブ
   マトリクス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 請求項２〜４の何れか一項に記載の液晶
   表示装置において、 前記コンタクトホールは表示画素１個当たりに複数有す
   る有するアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 請求項１〜５の何れか一項に記載の液晶
   表示装置において、 前記一対の一方の基板に対して支配的に平行な成分を持
   った電界を前記液晶層に発生させる櫛歯電極となる、前
   記画素電極と前記共通電極および前記透明電極は全て直
   線形状であるアクティブマトリクス型液晶表示装置。
7. 【請求項７】 請求項１〜５の何れか一項に記載の液晶
   表示装置において、 前記一対の一方の基板に対して支配的に平行な成分を持
   った電界を前記液晶層に発生させる櫛歯電極となる、前
   記画素電極と前記共通電極及び前記透明電極のうち少な
   くとも一つは折れ曲がった形状であるアクティブマトリ
   クス型液晶表示装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載のアクティブマトリクス
   型液晶表示装置において、 前記一対の一方の基板に対して支配的に平行な成分を持
   った電界を前記液晶層に発生させる櫛歯電極となる、前
   記画素電極と前記共通電極及び前記透明電極のうち少な
   くとも一つはくの字型に折れ曲がった形状であるアクテ
   ィブマトリクス型液晶表示装置。
9. 【請求項９】 請求項１〜８の何れか一項に記載の液晶
   表示装置において、 前記一対の一方の基板に対して支配的に平行な成分を持
   った電界を前記液晶層に発生させる櫛歯電極となる、前
   記画素電極と前記共通電極及び前記透明電極について、
   前記透明電極は、櫛歯電極間隔を狭めるように、前記画
   素電極及び前記共通電極よりも幅が広いアクティブマト
   リクス型液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の液晶表示装置におい
    て、 前記透明電極と前記画素電極及び前記透明電極と前記共
    通電極の電極幅の中心線が同一であるアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０の何れか一項に記載の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記透明電極の材料は、ＩＴＯであるアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。