TWI747427B - 電子裝置 - Google Patents

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TWI747427B
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鍾岳宏
李珉澤
鄭聖諺
陳品妏
翁嘉鴻
余悌魁
徐雅玲
廖烝賢
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種電子裝置包括基板、橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線以及第一屏蔽縱線。橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線以及第一屏蔽縱線都配置於基板上。第一縱向訊號線與第二縱向訊號線相交橫向訊號線相交。第二縱向訊號線連接橫向訊號線的其中一條。第一屏蔽縱線在基板的垂直投影位於第一縱向訊號線在基板的垂直投影與第二縱向訊號線在基板的垂直投影之間。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種電子裝置。
隨著電子產品的普及化，各種電子裝置中的線路佈局月亦複雜。因此，許多相鄰的線路可能用於傳遞不同類型的訊號。然而，相鄰線路之間的耦合作用往往影響訊號傳遞的品質，而導致最終呈現的功能不符預期。因此，線路佈局的規劃，往往是電子產品中的設計重點之一。
本發明提供一種電子裝置，其設計可有助於降低線路之間的耦合而提供改進的品質。
本發明的電子裝置包括基板、多條橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線以及第一屏蔽縱線。多條橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線以及第一屏蔽縱線都配置於基板上。第一縱向訊號線與橫向訊號線相交。第二縱向訊號線與橫向訊號線相交，且第二縱向訊號線連接多條橫向訊號線的其中一條。第一屏蔽縱線在基板的垂直投影位於第一縱向訊號線在基板的垂直投影與第二縱向訊號線在基板的垂直投影之間。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括多個畫素結構，配置於基板上。多個畫素結構的其中一者被橫向訊號線的相鄰兩條以及第二縱向訊號線圍繞且包括畫素電極。畫素電極於垂直基板方向上重疊第一縱向訊號線或第二縱向訊號線。
在本發明的一實施例中，上述的畫素電極重疊第一屏蔽縱線。
在本發明的一實施例中，上述的畫素電極橫跨第二縱向訊號線，畫素電極具有中央主幹部，且第二縱向訊號線重疊中央主幹部。
在本發明的一實施例中，上述的第一屏蔽縱線為透明走線。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括共用電極線。共用電極線配置於基板上。共用電極線位於多條橫向訊號線的相鄰兩條之間。
在本發明的一實施例中，上述的共用電極線與第一縱向訊號線及第二縱向訊號線相交。
在本發明的一實施例中，上述的第一屏蔽縱線與共用電極線彼此直接堆疊。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括至少一絕緣層以及貫穿絕緣層的導通結構。絕緣層配置於第一屏蔽縱線與共用電極線之間，且導通結構將第一屏蔽縱線與共用電極線電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括多個畫素結構，配置於基板上。畫素結構的其中一者位於多條橫向訊號線的相鄰兩條之間且包括畫素電極。第一屏蔽縱線的膜層位於共用電極線的膜層與畫素電極的膜層之間。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括多個畫素結構，配置於基板上。畫素結構的其中一者位於多條橫向訊號線的相鄰兩條之間且包括畫素電極。共用電極線的膜層位於第一屏蔽縱線的膜層與畫素電極的膜層之間。
在本發明的一實施例中，上述的共用電極線包括第一線以及第二線。第一屏蔽縱線重疊第一線、第二線或兩者。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括第二屏蔽縱線。第一縱向訊號線位於第一屏蔽縱線與第二屏蔽縱線位於該畫素電極之間。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括第三屏蔽縱線。第三屏蔽縱線位於第一縱向訊號線與第二屏蔽縱線之間。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括第四縱向訊號線。第一縱向訊號線與第三縱向訊號線在基板的垂直投影位於第二縱向訊號線在基板的垂直投影與第四縱向訊號線在基板的垂直投影之間。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括屏蔽電極。屏蔽電極連接第一屏蔽縱線。
在本發明的一實施例中，上述的第一屏蔽縱線完全位於多條橫向訊號線的相鄰兩條之間。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括多個畫素結構，配置於該基板上。畫素結構的其中一者包括畫素電極。第一屏蔽縱線在基板的垂直投影位於畫素電極在基板的垂直投影之外。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括多個畫素結構及第三縱向訊號線。多個畫素結構陣列配置於基板上。第二縱向訊號線位於第三縱向訊號線與第一縱向訊號線之間，且第一縱向訊號線、第二縱向訊號線與第三縱向訊號線位於多個畫素結構的相鄰兩列之間。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括第二屏蔽縱線，配置於基板上。第二屏蔽縱線在基板的垂直投影位於第二縱向訊號線在基板的垂直投影與第三縱向訊號線在基板的垂直投影之間。
基於上述，本發明實施例的電子裝置中，於傳遞不同訊號的相鄰線路之間設置屏蔽走線，以降低線路之間的耦合造成的不良影響。此外，在部分實施例中，屏蔽走線可以為透明走線。因此，電子裝置用以顯示畫面時，其顯示開口率可不受屏蔽走線影響而縮減。
圖1為一種的電子裝置的局部上視示意圖。在圖1中，電子裝置100’包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130以及多個畫素結構140。畫素結構140以陣列排列的方式配置於基板110上。換言之，畫素結構140沿著第一方向D1以及相交於第一方向D1的第二方向D2呈現陣列排列，其中第一方向D1可理解為橫向方向，而第二方向D2可理解為縱向方向。因此以下實施例描述的橫向與縱向可分別視為圖1中的第一方向D1與第二方向D2。各畫素結構140連接於多條橫向訊號線120的其中一條。另外，多條縱向訊號線130可以劃分成直接連接畫素結構140的縱向訊號線DL以及沒有直接連接畫素結構140的縱向訊號線VL。沿著第二方向D2排成一行的畫素結構140夾於兩條縱向訊號線DL之間，且各個畫素結構140連接於縱向訊號線DL的其中一條。在部分實施例中，沿著第二方向D2排列在同一行的不同畫素結構140可以分別連接至位於第一側的縱向訊號線DL以及位於相對的第二側的縱向訊號線DL。各縱向訊號線VL則夾於兩行畫素結構140之間以及兩條縱向訊號線DL之間。在部分實施例中，縱向訊號線VL包括透過對應的導通結構VIA連接於橫向訊號線120的縱向訊號線VL1，但不以此為限。
在部分實施例中，各畫素結構140可包括主動元件142以及連接於主動元件142的畫素電極144，其中每個主動元件142可以為具有閘極、源極與汲極的電晶體，閘極可連接到其中一條橫向訊號線120，源極連接到其中一條縱向訊號線DL，而汲極連接到畫素電極144。另外，每一條橫向訊號線120都連接至其中一條縱向訊號線VL1。因此，主動元件142的閘極的訊號可以由縱向訊號線VL1傳遞給橫向訊號線120，再由橫向訊號線120輸入給閘極。具體而言，為了避免橫向訊號線120與縱向訊號線130之間的短路，橫向訊號線120與縱向訊號線130可由不同膜層構成，且橫向訊號線120與縱向訊號線130之間可夾有一或多層絕緣層。在一些實施例中，為了將訊號由縱向訊號線VL1傳遞給橫向訊號線120，可以在對應的縱向訊號線VL1與橫向訊號線120之間設置導通結構VIA。如此，閘極需要的訊號可由縱向訊號線VL1藉由導通結構VIA傳遞給橫向訊號線120，再由橫向訊號線120傳遞給閘極。
在部分的實施例中，電子裝置100’可更包括驅動電路IC，且驅動電路IC位於縱向訊號線130的一端。縱向訊號線DL與縱向訊號線VL1可以直接接收由驅動電路IC所提供的訊號，而橫向訊號線120則可透過縱向訊號線VL1接收到對應的訊號。如此一來，電子裝置100’在第一方向D1的兩端無須設置傳遞訊號用的線路或是相關電路而可達到窄邊框的設計，並且電子裝置100’的輪廓也無須受限。舉例而言，由上視視角來看，電子裝置100’可以具有非矩形的輪廓。在一些實施例中，電子裝置100’中的縱向訊號線VL還可包括縱向訊號線VL2，且縱向訊號線VL2可以不用來傳遞橫向訊號線120需要的訊號，而是被輸入直流電位。舉例而言，縱向訊號線VL2可以不連接任何橫向訊號線120，而應用於觸控或其他功能的實現。
圖2為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖2的電子裝置100A具有大致相似於圖1的電子裝置100’的布局設計，因此兩者的說明中採用相同的元件符號來表示相同的構件。在圖2中，電子裝置100A包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構140以及多條第一屏蔽縱線150A，且多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構140、多條第一屏蔽縱線150A以及共用電極線160都配置於基板110上。多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130與多個畫素結構140的佈局與連接關係例如如圖1所述，在此不另重述。為了方便說明，以下主要闡述圖2中位於中間的單一個畫素結構140周邊的訊號線路。
在本實施例中，橫向訊號線120的延伸方向例如為圖1所示的第一方向D1，而縱向訊號線130的延伸方向例如為圖1所述的第二方向D2，其中橫向與縱向彼此相交，但兩者相交角度不以90度為限。縱向訊號線130可包括位於畫素結構140的一側的第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134，其中第一縱向訊號線132為直接連接於其中一個畫素結構140的縱向訊號線，而第二縱向訊號線134可以連接於整個電子裝置100A中的其中一條橫向訊號線120。畫素結構140的其中一個位於橫向訊號線120的相鄰兩條之間且位於第二縱向訊號線134的一側。單一個畫素結構140可包括主動元件142與畫素電極144，其中主動元件142的三端分別連接至對應的橫向訊號線120、第一縱向訊號線132以及畫素電極144。
在此，橫向訊號線120例如為掃描訊號線，其用於提供掃描訊號給畫素結構140，而第一縱向訊號線132用於提供資料訊號給畫素結構140。換言之，第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134雖彼此相鄰，卻是用於傳遞不同類型的訊號。在這樣的線路設置之下，第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134彼此耦合可能造成彼此的訊號傳輸品質受到影響。不過，在本實施例中，第一屏蔽縱線150A在基板110的垂直投影(也就是圖2中的佈局面積)位於第一縱向訊號線132在基板110的垂直投影與第二縱向訊號線134在基板110的垂直投影之間。另外，電子裝置100A可更包括共用電極線160，且第一屏蔽縱線150A可以連接至共用電極線160以被施加共用電位。如此，第一屏蔽縱線150A的設置有助於減輕第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134彼此之間的干擾而有助於確保第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134的訊號傳遞品質，從而使電子裝置所執行的功能(例如畫面顯示、觸控感測等)可符合預期。在圖2中，共用電極線160包括第一線162與第二線164，其中第一線162與第二線164位於相鄰兩條橫向訊號線120之間且位於畫素結構140的相對兩側。此外，第一屏蔽縱線150A可以既重疊第一線162也重疊第二線164，但不以此為限。
在本實施例中，縱向訊號線130還可包括位於畫素結構140另一側的第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。畫素結構140例如位於第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間。第三縱向訊號線136位於第四縱向訊號線138與第一縱向訊號線132之間。另外，第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136在基板110的垂直投影位於第二縱向訊號線134在基板110的垂直投影與第四縱向訊號線138在基板110的垂直投影之間。另外，第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138之間可不設置有屏蔽縱線，但不以此為例。第三縱向訊號線136連接於同一行的其他畫素結構，而第四縱向訊號線138例如可連接至直流電位或是整個電子裝置100A中的其中一條橫向訊號線120，但不以此為限。
在本實施例中，畫素結構140的畫素電極144於垂直基板110方向上可重疊第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138以及第一屏蔽縱線150A。具體而言，畫素電極144可以橫跨第一縱向訊號線132、第一屏蔽縱線150A與第三縱向訊號線136，並且重疊一部分寬度的第二縱向訊號線134及一部分寬度的第四縱向訊號線138。第一屏蔽縱線150A可以為透明走線，因此畫素電極144重疊於第一屏蔽縱線150A的部分仍可作為有效的顯示面積。如此一來，電子裝置100A雖另外設置有第一屏蔽縱線150A，卻不因第一屏蔽縱線150A而減小顯示面積。
另外，在本實施例中，畫素電極144可包括縱向主幹部MV、橫向主幹部MH以及多條條紋部ST，其中縱向主幹部MV與橫向主幹部MH相交呈十字型而劃分出四個子區域，而條紋部ST連接於縱向主幹部MV與橫向主幹部MH以大致放射狀的方式由縱向主幹部MV與橫向主幹部MH向外延伸。不過，在其他實施例中，畫素電極144可以具有其他圖案，或視為完整矩形形狀。
圖3為圖2的電子裝置中沿剖線A-A的剖面的一種實施方式的示意圖。同時參閱圖2與圖3可知，共用電極線160配置於基板110上。在本實施例中，共用電極線160所在膜層可以相同於橫向訊號線120所在膜層。共用電極線160與橫向訊號線120的材質包括金屬或合金等具有良好導電性的材料。共用電極線160與橫向訊號線120所在膜層例如相較於其他線路所在膜層更接近基板110，但不以此為限。
製作完共用電極線160與橫向訊號線120後，可以直接形成另一導電層以製作而第一屏蔽縱線150A，使第一屏蔽縱線150A直接疊置於共用電極線160上。換言之，第一屏蔽縱線150A直接接觸共用電極線160而無中間夾層。第一屏蔽縱線150A的可以是透明導電圖案。第一屏蔽縱線150A的材質可以是金屬氧化物，例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。或是，第一屏蔽縱線150A的材質可以是有機透明導電材料。在部分實施例中，由於第一屏蔽縱線150A的材質與共用電極線160的材質具有不同性質，在第一屏蔽縱線150A的圖案化過程中較不容易損傷共用電極線160及橫向訊號線。因此，第一屏蔽縱線150A可以直接疊置於共用電極線160上，而無中間夾層。
第一屏蔽縱線150A製作完成之後，可將絕緣層I1形成於基板110上，並接著製作縱向訊號線130。在此，縱向訊號線130會相交於橫向訊號線120與共用電極線160。因此絕緣層I1的設置可將縱向訊號線130與共用電極線160分隔開來也將縱向訊號線130與橫向訊號線120分隔開來。在一些實施例中，絕緣層I1的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。另外，縱向訊號線130的材質包括金屬或合金等具有良好導電性的材料。
在完成縱向訊號線130之後，可選擇性的在基板110上形成一或多層絕緣層或功能層，其中本實施例以絕緣層I2、濾光層CF以及絕緣層I3為例，但不以此為限。絕緣層I2與I3的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。濾光層CF的材質可包括彩色濾光材料，例如紅色濾光材料、綠色濾光材料以及藍色濾光材料。另外，絕緣層I3可以具有較厚的厚度，以作為平坦層用，但不以此為限。
畫素電極144可以形成於絕緣層I3上。畫素電極144的材質可包括透明導電材料。透明導電材料可包括金屬氧化物，例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。或是，透明導電材料可以是有機透明材料。在部分實施例中，畫素電極144的材質可相同於第一屏蔽縱線150A的材質。
圖4為圖2的電子裝置中沿剖線A-A的剖面的另一種實施方式的示意圖。在圖4中，第一屏蔽縱線150A、共用電極線160、絕緣層I1、縱向訊號線130、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3與畫素電極144依序堆疊於基板110上。具體來說，圖4的剖面不同於圖3的剖面之處在於，第一屏蔽縱線150A與共用電極線160的堆疊順序。因此，圖4的剖面中各膜層的材質、堆疊關係等可參照圖3的相關說明，而不另重述。
圖5為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖5的電子裝置100B大致相似於圖2的電子裝置100A，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100B可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150B與共用電極線160的相對關係可參照圖2實施例，而不在此重述。具體而言，本實施例不同於圖2的實施例之處在於，電子裝置100B更包括第二屏蔽縱線152B，且第一屏蔽縱線150B的長度設計不同。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150B位於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間，而第二屏蔽縱線152B位於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間。換言之，第一縱向訊號線132位於第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線150B之間，而第三縱向訊號線136位於第一縱向訊號線132與第二屏蔽縱線152B之間。畫素結構140包括主動元件142與畫素電極144，且第二屏蔽縱線152B與第一屏蔽縱線150B位於畫素電極144的相對兩側。另外，畫素電極144可以橫越第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B而延伸到第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138。在部分的實施例中，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B例如以畫素結構140成對稱分布。也就是說，第一屏蔽縱線150B到畫素電極144的中心軸的距離可以大致相同於第二屏蔽縱線152B到畫素電極144的中心軸的距離，但不以此為限。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B可以都橫越共用電極線160的第一線162，但不與共用電極線160的第二線164相交。在一些實施例中，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B可以與第二線164相隔一段距離。不過，在其他的實施例中，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B可以都橫越第一線162也重疊第二線164。或是，在另外一些實施例中，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B可以都重疊第二線164，但都與第一線162相隔一段距離。整體而言，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B只要可以接觸第一線162與第二線164的其中一者或兩者就可以接收到共用電位而提供屏蔽作用。另外，第二屏蔽縱線152B可以為透明導電圖案，因此畫素結構140在第二屏蔽縱線152B的面積中也是可有效進行顯示，而不因第二屏蔽縱線152B的設置而縮減畫素結構140的有效顯示面積。
圖6為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖6的電子裝置100C大致相似於圖5的電子裝置100B，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100C可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150C與第二屏蔽縱線152C。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150C、第二屏蔽縱線152C與共用電極線160的相對關係可參照前述實施例，而不在此重述。具體而言，本實施例不同於圖5的實施例之處在於，電子裝置100C中第一屏蔽縱線150C與第二屏蔽縱線152C的寬度設計不同。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150C具有延伸部150C1與重疊部150C2，延伸部150C1在第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間的間隙中延伸並接觸共用電極線160的第一線162，而重疊部150C2連接於延伸部150C1且重疊第一縱向訊號線132。另外，第二屏蔽縱線152C也具有延伸部152C1與重疊部152C2，延伸部152C1在第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間的間隙中延伸並接觸共用電極線160的第一線162，而重疊部152C2連接於延伸部152C1且重疊第三縱向訊號線136。在本實施例中，重疊部150C2連接延伸部150C1的中間段，且重疊部152C2連接延伸部152C1的中間段，但不以此為限。
圖7為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖7的電子裝置100D大致相似於圖6的電子裝置100C，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100D可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150D與第二屏蔽縱線152D。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140與共用電極線160的相對關係可參照前述實施例，而不在此重述。具體而言，本實施例不同於圖6的實施例之處在於，電子裝置100D中第一屏蔽縱線150D與第二屏蔽縱線152D在重疊部的設計不同。
具體而言，第一屏蔽縱線150D具有延伸部150D1與重疊部150D2，延伸部150D1在第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間的間隙中延伸並接觸共用電極線160的第一線162，而重疊部150D2連接於延伸部150D1且重疊第一縱向訊號線132。另外，第一屏蔽縱線150D的重疊部150D2可朝向共用電極線160的第二線164延伸而重疊第二線164。第二屏蔽縱線152D也具有延伸部152D1與重疊部152D2，延伸部152D1在第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間的間隙中延伸並接觸共用電極線160的第一線162，而重疊部152D2連接於延伸部152D1且重疊第三縱向訊號線136。另外，第二屏蔽縱線152D的重疊部152D2可朝向共用電極線160的第二線164延伸而重疊第二線164。
圖8為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖8的電子裝置100E大致相似於圖5的電子裝置100B，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100E可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150B、第二屏蔽縱線152B以及屏蔽橫線154E。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150B與共用電極線160的相對關係可參照圖2實施例且第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B的設置方式可參照圖5的實施例，而不在此重述。具體而言，本實施例不同於圖5的實施例之處在於，電子裝置100E更包括屏蔽橫線154E。
屏蔽橫線154E由第一屏蔽縱線150B朝橫向延伸而橫跨第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136並且連接至第二屏蔽縱線152B。屏蔽橫線154E連接於第一屏蔽縱線150B的中間段，且連接於第二屏蔽縱線152B的中間段，因此屏蔽橫線154E、第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽橫線152B構成H字型的圖案。在本實施例中，畫素結構140的畫素電極144例如具有橫向主幹部MH，且屏蔽橫線154E在基板110上的正投影可以重疊橫向主幹部MH在基板110上的正投影，但不以此為限。另外，屏蔽橫線154E可以為透明導電圖案，因此畫素結構140在屏蔽橫線154E的面積中也是可有效進行顯示，而不因屏蔽橫線154E的設置而縮減畫素結構140的有效顯示面積。
在一些實施例中，由於屏蔽橫線154E將第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽橫線152B連接在一起，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽橫線152B可以僅有一者連接於共用電極線160。舉例而言，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽橫線152B中可以僅有一者連接至共用電極線160的第一線162、連接至共用電極線160的第二線164、或是同時連接至共用電極線160的第一線162與第二線164。
圖9為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖9的電子裝置100F大致相似於圖8的電子裝置100E，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100F可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150B、第二屏蔽縱線152B、屏蔽橫線154E以及第三屏蔽縱線156F。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140與共用電極線160的相對關係可參照圖2實施例，第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B的設置方式可參照圖5的實施例，且屏蔽橫線154E的設置方式可參照圖8的實施例，而不在此重述。
具體而言，本實施例不同於圖5的實施例之處在於，電子裝置100F更包括第三屏蔽縱線156F。第三屏蔽縱線156F位於第一屏蔽縱線150B與第二屏蔽縱線152B之間。第三屏蔽縱線156F可以連接於屏蔽橫線154E且第三屏蔽縱線156F與屏蔽橫線154E交錯以構成十字型，但不以此為限。在本實施例中，畫素結構140的畫素電極144例如具有縱向主幹部MV與橫向主幹部MH，其中第三屏蔽縱線156F在基板110上的正投影可以重疊縱向主幹部MV在基板110上的正投影，而屏蔽橫線154E在基板110上的正投影可以重疊橫向主幹部MH在基板110上的正投影，但不以此為限。另外，屏蔽橫線154E與第三屏蔽縱線156F可以為透明導電圖案，因此畫素結構140在屏蔽橫線154E的面積中也是可有效進行顯示，而不因屏蔽橫線154E與第三屏蔽縱線156F的設置而縮減畫素結構140的有效顯示面積。
圖10為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖10的電子裝置100G大致相似於圖2的電子裝置100A，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100G可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150A與屏蔽橫線154G。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150A與共用電極線160的相對關係可參照圖2實施例，而不在此重述。
具體而言，本實施例不同於圖2的實施例之處在於，電子裝置100G更包括屏蔽橫線154G。屏蔽橫線154G由第一屏蔽縱線150A朝橫向延伸而橫跨第一縱向訊號線132且屏蔽橫線154G連接於第一屏蔽縱線150A的末端。屏蔽橫線154G在基板110上的正投影可以重疊共用電極線160的第二線164在基板110上的正投影，且設置可以完全位在共用電極線160的第二線164在基板110上的正投影之內。
圖11為圖2的電子裝置中沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。在圖11中，共用電極線160、屏蔽橫線154G、絕緣層I1、縱向訊號線130、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3與畫素電極144依序堆疊於基板110上，其中屏蔽橫線154G與第一屏蔽縱線150A為相同膜層。本實施例的各膜層的材質可參照圖3與圖4的說明，而不另重述。另外，在圖11的剖面中，區段SEC1表示為屏蔽橫線154G既重疊縱向訊號線130也重疊共用電極線160時，各膜層堆疊順序。同時，區段SEC2表示為第一屏蔽縱線150A與屏蔽橫線154G重疊共用電極線160時，各膜層堆疊順序，其中區段SEC2的膜層數量與膜層堆疊順序大致相同於圖3的剖面結構。在區段SEC1中，屏蔽橫線154G與第一縱向訊號線132在厚度方向上重疊。不過，屏蔽橫線154G與第一縱向訊號線132之間設置有絕緣層I1。因此，屏蔽橫線154G與第一縱向訊號線132不會彼此短路。
圖12為圖2的電子裝置中沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。在圖12中，屏蔽橫線154G、共用電極線160、絕緣層I1、縱向訊號線130、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3與畫素電極144依序堆疊於基板110上。具體來說，圖12的剖面不同於圖11的剖面之處在於，屏蔽橫線154G與共用電極線160的堆疊順序。因此，圖12的剖面中各膜層的材質、堆疊關係等可參照圖11的相關說明，而不另重述。在圖12的剖面中，區段SEC1表示為屏蔽橫線154G既重疊縱向訊號線130也重疊共用電極線160時，各膜層堆疊順序。同時，區段SEC2表示為第一屏蔽縱線150A與屏蔽橫線154G重疊共用電極線160時，各膜層堆疊順序，其中區段SEC2的膜層數量與膜層堆疊順序大致相同於圖4的剖面結構。
在圖11與圖12的區段SEC1中，屏蔽橫線154G與縱向訊號線130的重疊關係與膜層堆疊順序可以應用於圖6到圖9任一實施例中。舉例而言，區段SEC1中的共用電極線160移除後即可視為圖6與圖7的實施例中重疊部150C2與150D2重疊第一縱向訊號線132的剖面結構。例如，重疊部150C2與150D2重疊第一縱向訊號線132的剖面結構可包括依序堆疊的基板110、重疊部150C2或150D2、絕緣層I1、第一縱向訊號線132、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3與畫素電極144。圖6與圖7的實施例中重疊部152C2與152D2重疊第三縱向訊號線136的剖面結構、以及圖8與圖9的實施例中屏蔽橫線154E重疊第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136的剖面結構。例如，重疊部150C2與150D2重疊第三縱向訊號線136的剖面結構可包括依序堆疊的基板110、重疊部150C2或150D2、絕緣層I1、第三縱向訊號線136、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3與畫素電極144。
圖13為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖13的電子裝置100H大致相似於圖10的電子裝置100G，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100H可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150A、屏蔽橫線154G與第二屏蔽縱線152B。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150A與共用電極線160的相對關係可參照前述實施例，而不在此重述。具體而言，本實施例不同於圖10的實施例之處在於，電子裝置100H更包括第二屏蔽縱線152H。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150A位於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間，而第二屏蔽縱線152H位於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間。屏蔽橫線154G連接於第一屏蔽縱線150A的末端與第二屏蔽縱線152H的末端之間，以構成U字型圖案，但不以此為限。畫素結構140包括主動元件142與畫素電極144，且第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H位於畫素電極144的相對兩側。畫素電極144，可以橫越第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H。第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H都是由透明導電材料製作，因此第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H所在區域不會遮蔽畫素結構140的顯示面積，這有助於確保電子裝置100H的顯示效果。
在本實施例中，屏蔽橫線154G、第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H彼此連接而構成的U字型圖案例如既重疊共用電極線160的第一線162也重疊共用電極線160的第二線164，且第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H甚至橫越第一線162，但不以此為例。在部分實施例中，屏蔽橫線154G、第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H中可僅有一者或兩者重疊並接觸共用電極線160。舉例而言，第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H可以具有不同長度，使得第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H其中一者橫越第一線162而另一者與第一線162相隔一段距離。或是，在其他實施例中，連接於第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H之間的屏蔽橫線154G可以不重疊第二線164。
圖14為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖14的電子裝置100I大致相似於圖13的電子裝置100H，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100I可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150A、屏蔽橫線154G、第二屏蔽縱線152H與屏蔽橫線154E。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150A與共用電極線160的相對關係可參照前述的實施例，而不在此重述。
具體而言，本實施例不同於圖13的實施例之處在於，電子裝置100H更包括屏蔽橫線154E，其中屏蔽橫線154E的設置方式大致相同於圖8中的屏蔽橫線154E。屏蔽橫線154E由第一屏蔽縱線150A朝橫向延伸而橫跨第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136並且連接至第二屏蔽縱線152H。屏蔽橫線154E連接於第一屏蔽縱線150A的中間段，且連接於第二屏蔽縱線152H的中間段。畫素結構140的畫素電極144例如具有橫向主幹部MH與縱向主幹部MV，橫向主幹部MH與縱向主幹部MV相交成十字型且屏蔽橫線154E在基板110上的正投影可以重疊橫向主幹部MH在基板110上的正投影，但不以此為限。
圖15為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖15的電子裝置100J大致相似於圖14的電子裝置100I，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100J可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150A、屏蔽橫線154G、第二屏蔽縱線152H、屏蔽橫線154E與第三屏蔽縱線156F。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150A與共用電極線160的相對關係可參照前述的實施例，而不在此重述。
具體而言，本實施例不同於圖13的實施例之處在於，電子裝置100H更包括第三屏蔽縱線156F，其中第三屏蔽縱線156F的設置方式大致相同於圖9中的第三屏蔽縱線156F。第三屏蔽縱線156F位於第一屏蔽縱線150A與第二屏蔽縱線152H之間。第三屏蔽縱線156F可以連接於屏蔽橫線154E且第三屏蔽縱線156F與屏蔽橫線154E交錯以構成十字型，但不以此為限。在本實施例中，畫素結構140的畫素電極144例如具有縱向主幹部MV與橫向主幹部MH，其中第三屏蔽縱線156F在基板110上的正投影可以重疊縱向主幹部MV在基板110上的正投影，而屏蔽橫線154E在基板110上的正投影可以重疊橫向主幹部MH在基板110上的正投影，但不以此為限。
圖16為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖16的電子裝置100K大致相似於圖13的電子裝置100H，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100K可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150K、屏蔽橫線154G與第二屏蔽縱線152K。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150A與共用電極線160的相對關係可參照前述的實施例，而不在此重述。
具體來說，在本實施例中，第一屏蔽縱線150K與第二屏蔽縱線152K的布局方式與圖案設計大致相同於圖6的第一屏蔽縱線150C與第二屏蔽縱線152C。不過，在電子裝置100K中，第一屏蔽縱線150K與第一屏蔽縱線152K可以延伸至重疊共用電極線160的第二線164且在兩者的末端由屏蔽橫線154G連接在一起。
第一屏蔽縱線150K具有延伸部150K1與重疊部150K2，延伸部150K1在第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間的間隙中延伸並接觸共用電極線160的第一線162與第二線164，而重疊部150K2連接於延伸部150K1且重疊第一縱向訊號線132。另外，第二屏蔽縱線152K也具有延伸部152K1與重疊部152K2，延伸部152K1在第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間的間隙中延伸並接觸共用電極線160的第一線162，而重疊部152K2連接於延伸部152K1且重疊第三縱向訊號線136。在本實施例中，重疊部150K2連接延伸部150K1的中間段，且重疊部152K2連接延伸部152K1的中間段，但不以此為限。
圖17為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖17的電子裝置100L大致相似於圖13的電子裝置100H，因此兩實施例中所記載的相同構件可參照前述內容。電子裝置100L可包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、共用電極線160、第一屏蔽縱線150L、屏蔽橫線154G與第二屏蔽縱線152L。在此，縱向訊號線130可包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150A與共用電極線160的相對關係可參照前述的實施例，而不在此重述。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150L與第二屏蔽縱線152L的布局方式與圖案設計大致相同於圖7的第一屏蔽縱線150D與第二屏蔽縱線152D。第一屏蔽縱線150L可包括位於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間的延伸部150L1以及重疊於第一縱向訊號線132的重疊部150L2。第二屏蔽縱線152L可包括位於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間的延伸部152L1以及重疊於第三縱向訊號線136的重疊部152L2。另外，第一屏蔽縱線150L的末端與第二屏蔽縱線152L的末端由屏蔽橫線154G連接在一起。
圖18為本發明一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖18的電子裝置100M包括基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140、第一屏蔽縱線150M、第二屏蔽縱線152M、屏蔽電極158M以及包括第一線162與第二線164的共用電極線160。在本實施例中，基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140以及共用電極線160大致相同於圖2的實施例，因此這些構件的具體結構、材質與相對配置關係可參照圖2的相關描述，不在此重述。
在圖18中，第一屏蔽縱線150M在基板110的垂直投影位於第一縱向訊號線132在基板110的垂直投影與第二縱向訊號線134在基板110的垂直投影之間，而第二屏蔽縱線152M在基板110的垂直投影位於第三縱向訊號線136在基板110的垂直投影與第四縱向訊號線138在基板110的垂直投影之間。另外，第一屏蔽縱線150M與第二屏蔽縱線152M連接於屏蔽電極158M，且第一屏蔽縱線150M與第二屏蔽縱線152M可朝向對應的橫向訊號線120延伸而橫越共用電極線160的第一線162。
屏蔽電極158M例如是整面的電極，且橫越第一縱向訊號線132及第三縱向訊號線136。屏蔽電極158M大致上位於第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間，而不重疊第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138。屏蔽電極158M在基板110上的正投影重疊畫素結構140的畫素電極144在基板110上的正投影。屏蔽電極158M、第一屏蔽縱線150M與第二屏蔽縱線152M連成一體，而且可例如由透明導電材料製作。因此，屏蔽電極158M雖重疊畫素電極144大部分的面積，但不影響畫素結構140的有效顯示面積。
圖19為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。圖19的電子裝置100N包括基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、包括主動元件142與畫素電極144的畫素結構140、第一屏蔽縱線150N、第二屏蔽縱線152N以及包括第一線162與第二線164的共用電極線160。在本實施例中，基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140以及共用電極線160的配置方式、結構與堆疊順序大致相同於圖2的實施例，因此相關描述請參照圖2的說明。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150N在基板110上的正投影位於第一縱向訊號線132在基板110上的正投影與第二縱向訊號線134在基板110上的正投影之間，而第二屏蔽縱線152N在基板110上的正投影位於第三縱向訊號線136在基板110上的正投影與第四縱向訊號線138在基板110上的正投影之間。另外，第一屏蔽縱線150N與第二屏蔽縱線152N都橫越且相交於橫向訊號線120以及共用電極線160的第一線162與第二線164。
橫向訊號線120以及共用電極線160可以由相同膜層製作而成，其中橫向訊號線120所傳遞的訊號是提供給主動元件142的掃描訊號，而共用電極線160所傳遞的訊號是共用電位。相交於橫向訊號線120以及共用電極線160的第一屏蔽縱線150N與第二屏蔽縱線152N必須避免與橫向訊號線120以及共用電極線160電性短路。因此，第一屏蔽縱線150N與第二屏蔽縱線152N的膜層可以不同於橫向訊號線120以及共用電極線160的膜層。另外，在本實施例中，第一屏蔽縱線150N與第二屏蔽縱線152N可以透過導通結構TH電性連接至共用電極線160以接收到共用電位，但不以此為限。在一些實施例中，電子裝置100N中的導通結構TH可被省略，而第一屏蔽縱線150N與第二屏蔽縱線152N可以延伸到電子裝置100N的驅動電路(例如圖1所示的驅動電路IC)，而直接由驅動電路提供需要的電位給第一屏蔽縱線150N與第二屏蔽縱線152N。
圖20示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線C-C的剖面結構的一種實施方式，而圖21示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線D-D的剖面結構的一種實施方式。由圖19、圖20與圖21可知，第一屏蔽縱線150N、絕緣層I0、共用電極線160、絕緣層I1、第一縱向訊號線132、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3以及畫素電極144依序堆疊於基板110上。絕緣層I0、絕緣層I1、絕緣層I2與絕緣層I3的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。濾光層CF的材質可包括彩色濾光材料，例如紅色濾光材料、綠色濾光材料以及藍色濾光材料。共用電極線160與第一縱向訊號線132的材料包括金屬或合金。第一屏蔽縱線150N以及畫素電極144的材料包括透明導電材料。另外，圖19中橫向訊號線120的膜層相同於共用電極線160的膜層，且圖19中第二屏蔽縱線152N在剖面結構中的堆疊方式可相同於第一屏蔽縱線150N。
由圖20可知，道通結構TH可將第一屏蔽縱線150N與共用電極線160的第一線162電性連接，且導通結構TH是一個貫穿絕緣層I0的導體結構。如此，第一屏蔽縱線150N的膜層不同於共用電極線160的膜層卻可以電性連接至共用電極線160。當共用電極線160與橫向訊號線120的膜層相同時，第一屏蔽縱線150N不會連接到橫向訊號線120，而可使橫向訊號線120與共用電極線160保持彼此獨立的電性。
圖22示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線C-C的剖面結構的另一種實施方式，而圖23示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線D-D的剖面結構的另一種實施方式。由圖19、圖22與圖23可知，共用電極線160、絕緣層I1、第一屏蔽縱線150N、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3以及畫素電極144依序堆疊於基板110上。圖19中橫向訊號線120的膜層相同於共用電極線160的膜層，且圖19中第二屏蔽縱線152N在剖面結構中的堆疊方式可相同於第一屏蔽縱線150N。在本實施例中，各膜層的材質可參照圖20與圖21的相關說明。
由圖22可知，道通結構TH可將第一屏蔽縱線150N與共用電極線160的第一線162電性連接，且導通結構TH是一個貫穿絕緣層I1的導體結構。如此，第一屏蔽縱線150N的膜層不同於共用電極線160的膜層卻可以電性連接至共用電極線160。當共用電極線160與橫向訊號線120的膜層相同時，第一屏蔽縱線150N不會連接到橫向訊號線120，而可使橫向訊號線120與共用電極線160保持彼此獨立的電性。
另外，在本實施例中，第一縱向訊號線132與第一屏蔽縱線150N都是夾於絕緣層I1與絕緣層I2之間。不過，第一縱向訊號線132與第一屏蔽縱線150N可採用不同膜層製作。因此，第一縱向訊號線132與第一屏蔽縱線150N可為不同材料的構件。舉例來說，第一縱向訊號線132的材質可包括金屬、合金等材料，而第一屏蔽縱線150N的材質可包括金屬氧化物、有積導電材料等透明導電材料。
圖24示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線C-C的剖面結構的再一種實施方式，而圖25示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線D-D的剖面結構的再一種實施方式。由圖19、圖24與圖25可知，共用電極線160的第一線162與第二線164、絕緣層I1、第一縱向訊號線132、絕緣層I2、第一屏蔽縱線150N、濾光層CF、絕緣層I3以及畫素電極144依序堆疊於基板110上。圖19中橫向訊號線120的膜層相同於共用電極線160的膜層，且圖19中第二屏蔽縱線152N在剖面結構中的堆疊方式可相同於第一屏蔽縱線150N。在本實施例中，各膜層的材質可參照圖20與圖21的相關說明。在本實施例中，第一屏蔽縱線150N的膜層設置於絕緣層I2之上，而共用電極線160的膜層設置於絕緣層I1之下。因此，用於將第一屏蔽縱向線150N電性連接於共用電極線160的導通結構TH可以貫穿絕緣層I1與絕緣層I2。
圖20、圖22與圖24分別表示第一屏蔽縱線150N在不同堆疊順序下的實施方式，但本揭露不以此為限。另外，導通結構TH在部分實施例中可被省略，且第一屏蔽縱線150N與第二屏蔽縱線152N可以延伸到設置於電子裝置100N周邊的驅動電路以接收需要的訊號。
圖26為本揭露一實施例的電子裝置的上視示意圖。圖26的電子裝置100O包括基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、包括主動元件142與畫素電極144的畫素結構140、第一屏蔽縱線150O、第二屏蔽縱線152O以及包括第一線162與第二線164的共用電極線160。在本實施例中，基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140以及共用電極線160的配置方式、結構與堆疊順序大致相同於圖19的實施例，因此相關描述請參照圖19及其相關內容的說明。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150O在基板110上的正投影位於第一縱向訊號線132在基板110上的正投影與第二縱向訊號線134在基板110上的正投影之間，而第二屏蔽縱線152O在基板110上的正投影位於第三縱向訊號線136在基板110上的正投影與第四縱向訊號線138在基板110上的正投影之間。第一屏蔽縱線150O與第二屏蔽縱線152O並不重疊橫向訊號線120，也不重疊共用電極線160的第二線164。
另外，第一屏蔽縱線150O與第二屏蔽縱線152O可不同於共用電極線160的膜層。第一屏蔽縱線150O與第二屏蔽縱線152O可以透過導通結構連接至共用電極線160的第一線162，以接收共用電位。具體而言，第一屏蔽縱線150O與第二屏蔽縱線152O在剖面結構中的堆疊方式可參照圖20至圖24的說明。換言之，圖20至圖24的剖面結構也可作為電子裝置100O的實施方式。
圖27為本揭露一實施例的電子裝置的上視示意圖。圖27的電子裝置100P包括基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、包括主動元件142與畫素電極144的畫素結構140、第一屏蔽縱線150P、第二屏蔽縱線152P、屏蔽橫線154P以及包括第一線162與第二線164的共用電極線160。在本實施例中，基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140以及共用電極線160的配置方式、結構與堆疊順序大致相同於圖2的實施例，因此相關描述請參照圖2及其相關內容的說明。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150P在基板110上的正投影位於第一縱向訊號線132在基板110上的正投影與第二縱向訊號線134在基板110上的正投影之間，而第二屏蔽縱線152P在基板110上的正投影位於第三縱向訊號線136在基板110上的正投影與第四縱向訊號線138在基板110上的正投影之間。屏蔽橫線154P由第一屏蔽縱線150P朝橫向延伸而橫跨第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136，且屏蔽橫線154P連接於第一屏蔽縱線150P與第二屏蔽縱線152P之間。另外，屏蔽橫線154P在基板110上的正投影可以重疊共用電極線160的第二線164在基板110上的正投影。
圖28示意性的表示圖27的電子裝置沿剖線E-E的剖面結構的一種實施方式。由圖27與圖28可知，第一屏蔽縱線150P與屏蔽橫線154P、絕緣層I0、共用電極線160、絕緣層I1、第一縱向訊號線132、絕緣層I2、濾光層CF、絕緣層I3以及畫素電極144依序堆疊於基板110上。絕緣層I0、絕緣層I1、絕緣層I2與絕緣層I3的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。濾光層CF的材質可包括彩色濾光材料，例如紅色濾光材料、綠色濾光材料以及藍色濾光材料。共用電極線160與第一縱向訊號線132的材料包括金屬或合金。第一屏蔽縱線150P、屏蔽橫線154P以及畫素電極144的材料包括透明導電材料。另外，圖27中橫向訊號線120的膜層相同於共用電極線160的膜層，且圖27中第二屏蔽縱線152P在剖面結構中的堆疊方式可相同於第一屏蔽縱線150P。另外，由圖28可知，屏蔽橫線154P與第一縱向訊號線132在厚度方向D3上重疊。
圖29示意性的表示圖27的電子裝置沿剖線E-E的剖面結構的一種實施方式。由圖27與圖29可知，共用電極線160、絕緣層I1、第一縱向訊號線132、絕緣層I2、第一屏蔽縱線150P與屏蔽橫線154P、濾光層CF、絕緣層I3以及畫素電極144依序堆疊於基板110上。絕緣層I1、絕緣層I2與絕緣層I3的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。濾光層CF的材質可包括彩色濾光材料，例如紅色濾光材料、綠色濾光材料以及藍色濾光材料。共用電極線160與第一縱向訊號線132的材料包括金屬或合金。第一屏蔽縱線150P、屏蔽橫線154P以及畫素電極144的材料包括透明導電材料。另外，圖27中橫向訊號線120的膜層相同於共用電極線160的膜層，且圖27中第二屏蔽縱線152P在剖面結構中的堆疊方式可相同於第一屏蔽縱線150P。在本實施例中，屏蔽橫線154P在厚度方向D3上重疊第一縱向訊號線132，且屏蔽橫線154P的膜層與第一縱向訊號線132的膜層之間至少設置有絕緣層I2。如此，屏蔽橫線154P雖相交於第一縱向訊號線132，兩線路不會彼此電性連接。
圖30為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖30的電子裝置100Q包括基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、包括主動元件142與畫素電極144的畫素結構140、第一屏蔽縱線150Q、第二屏蔽縱線152Q、屏蔽橫線154G以及包括第一線162與第二線164的共用電極線160。在本實施例中，基板110、橫向訊號線120、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136、第四縱向訊號線138、畫素結構140以及共用電極線160的配置方式、結構與堆疊順序大致相同於圖27的實施例，因此相關描述請參照圖27的說明。
在本實施例中，第一屏蔽縱線150Q位於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間，而第二屏蔽縱線152Q位於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間。第一屏蔽縱線150Q與第二屏蔽縱線152Q分別可通過導通結構TH電性連接至共用電極線160的第一線162。第一屏蔽縱線150Q與第二屏蔽縱線152Q都不重疊橫向訊號線120，且屏蔽橫線154G連接於第一屏蔽縱線150Q的末端與第二屏蔽縱線152Q的末端之間以構成U字型圖案，但不以此為限。另外，屏蔽橫線154G可以重疊於共用電極線160的第二線164。第一屏蔽縱線150Q、第二屏蔽縱線152Q與屏蔽橫線154G在剖面上的結構可相同於圖28與圖29中的第一屏蔽縱線150P、第二屏蔽縱線152P與屏蔽橫線154P。
圖31為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖31中示出了電子裝置200A的基板210、第一縱向訊號線232、第二縱向訊號線234、第三縱向訊號線236、畫素結構240的畫素電極244、第一屏蔽縱線250A與第二屏蔽縱線252A。具體而言，電子裝置200A可以由圖31所示的結構陣列排列所組成，且電子裝置200A還可包括橫向訊號線以及畫素結構240的主動元件等線路與電路結構，但為了清楚描述縱向線路的設置，圖31以省略區塊BK標註這些構件所在位置。在部分實施例中，橫向訊號線以及主動元件的配置方式可參照圖2等實施例的說明，但不以此為限。
在本實施例中，畫素電極244可包括第一子電極244A與第二子電極244B，且第一子電極244A與第二子電極244B分別位於省略區塊BK的相對兩側。第一縱向訊號線232與第三縱向訊號線236位於畫素電極244的周邊。第二縱向訊號線234則大致重疊畫素電極244的第一子電極244A的中央主幹部MV。具體而言，第二縱向訊號線234在基板210上的正投影大致重疊第一子電極244A在基板110上的正投影的中心線也重疊第二子電極244B在基板110上的正投影的中心線。第一屏蔽縱線250A與第二屏蔽縱線252A分別位於畫素電極244的相對兩側。同時，第一屏蔽縱線250A在基板210的垂直投影位於第一縱向訊號線232在基板210的垂直投影與第二縱向訊號線234在基板210的垂直投影之間，而第二屏蔽縱線252A在基板210的垂直投影位於第三縱向訊號線236在基板210的垂直投影與第二縱向訊號線234在基板210的垂直投影之間。
圖32示意性的表示圖31的電子裝置200A中，第一屏蔽縱線250A所在位置的剖面的一種實施方式。由圖32可知，第一屏蔽縱線250A、絕緣層I1、絕緣層I2以及畫素電極244可以依序疊置於基板210上。絕緣層I1與絕緣層I2的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。第一屏蔽縱線250A以及畫素電極244的材質可包括透明導電材料。另外，圖31中第一縱向訊號線232、第二縱向訊號線234與第三縱向訊號線236的膜層可以設置於絕緣層I1與絕緣層I2之間，且圖31中第二屏蔽縱線252A在剖面結構中的堆疊方式可相同於第一屏蔽縱線250A。
圖33示意性的表示圖31的電子裝置200A中，第一屏蔽縱線250A所在位置的剖面的另一種實施方式。由圖33可知，第一屏蔽縱線250A、絕緣層I1、絕緣層I2以及畫素電極244可以依序疊置於基板210上，並且絕緣層I2以及畫素電極244之間可以更設置有濾光層CF與第三絕緣層I3。在本實施例中，絕緣層I1、絕緣層I2與絕緣層I3的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。濾光層CF的材質可包括彩色濾光材料，例如紅色濾光材料、綠色濾光材料以及藍色濾光材料。第一屏蔽縱線250A以及畫素電極244的材質可包括透明導電材料。另外，圖31中第一縱向訊號線232、第二縱向訊號線234與第三縱向訊號線236的膜層可以設置於絕緣層I1與絕緣層I2之間，且圖31中第二屏蔽縱線252A在剖面結構中的堆疊方式可相同於第一屏蔽縱線250A。
在圖33中，第一屏蔽縱線250A的膜層位於絕緣層I1與基板210之間。在一些實施例中，第一屏蔽縱線250A與未示出的橫向訊號線可以由連續堆疊的膜層構成，因此第一屏蔽縱線250A可以連接至橫向訊號線(未示出)。另外，在其他實施例中，第一屏蔽縱線250A的膜層可以選擇的位於絕緣層I2與濾光層CF之間或是濾光層CF與絕緣層I3之間。
圖34為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖34中示出了電子裝置200B的基板210、第一縱向訊號線232、第二縱向訊號線234、第三縱向訊號線236、畫素結構240的畫素電極244、第一屏蔽縱線250B與第二屏蔽縱線252B。具體而言，電子裝置200B可以由圖34所示的結構陣列排列所組成，且電子裝置200B還可包括橫向訊號線以及畫素結構240的主動元件等線路與電路結構，但為了清楚描述縱向線路的設置，圖34以省略區塊BK標註這些構件所在位置。在部分實施例中，橫向訊號線以及主動元件的配置方式可參照圖2等實施例的說明。
電子裝置200B相似於電子裝置200A，因此兩實施例中相同的元件符號表示相同的構件而可彼此參照。具體而言，電子裝置200B不同於電子裝置200A之處主要在於第一屏蔽縱線250B與第二屏蔽縱線252B的布局方式。在本實施例中，畫素電極244可包括第一子電極244A與第二子電極244B，第一子電極244A與第二子電極244B位於省略區塊的相對兩側且第一屏蔽縱線250B與第二屏蔽縱線252B都不重疊第二子電極244B。換言之，第一屏蔽縱線250B與第二屏蔽縱線252B僅重疊第一子電極244A。第一屏蔽縱線250B與第二屏蔽縱線252B位於第一子電極244A的相對兩側。第一屏蔽縱線250B位於第一縱向訊號線232與第二縱向訊號線234之間，而第二屏蔽縱線252B位於第二縱向訊號線234與第三縱向訊號線236之間。第一屏蔽縱線250B與第二屏蔽縱線252B在剖面中的堆疊順述可參照圖32與圖33中第一屏蔽縱線250A的說明。
圖35為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖34中示出了電子裝置200C的基板210、第一縱向訊號線232、第二縱向訊號線234、第三縱向訊號線236、畫素結構240的畫素電極244、第一屏蔽縱線250C與第二屏蔽縱線252C。具體而言，電子裝置200C相似於電子裝置200A，因此兩實施例中相同的元件符號表示相同的構件而可彼此參照。
電子裝置200C不同於電子裝置200A之處主要在於第一屏蔽縱線250C與第二屏蔽縱線252C的布局方式。在本實施例中，畫素電極244可包括第一子電極244A與第二子電極244B，第一子電極244A與第二子電極244B位於省略區塊的相對兩側且第一屏蔽縱線250C與第二屏蔽縱線252C都不重疊第一子電極244A。換言之，第一屏蔽縱線250C與第二屏蔽縱線252C僅重疊第二子電極244B。第一屏蔽縱線250C與第二屏蔽縱線252C位於第二子電極244B的相對兩側。第一屏蔽縱線250C位於第一縱向訊號線232與第二縱向訊號線234之間，而第二屏蔽縱線252C位於第二縱向訊號線234與第三縱向訊號線236之間。第一屏蔽縱線250C與第二屏蔽縱線252C在剖面中的堆疊順述可參照圖32與圖33中第一屏蔽縱線250A的說明。
圖36為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖36中示出了電子裝置300A的基板310、第一縱向訊號線332、第二縱向訊號線334、第三縱向訊號線336、畫素結構340的畫素電極344、第一屏蔽縱線350A與第二屏蔽縱線352A。具體而言，電子裝置300A可以由圖36所示的結構陣列排列所組成，且電子裝置300A還可包括橫向訊號線以及畫素結構240的主動元件等線路與電路結構，但為了清楚描述縱向線路的設置，圖36以省略區塊BK標註這些構件所在位置。在部分實施例中，橫向訊號線以及主動元件的配置方式可參照圖2等實施例的說明。
圖36示出兩個畫素結構340，且第一縱向訊號線332、第二縱向訊號線334與第三縱向訊號線336位於兩個畫素結構340之間。第二縱向訊號線334位於第一縱向訊號線332與第三縱向訊號線336之間。在本實施例中，第一屏蔽縱線350A在基板310的垂直投影位於第一縱向訊號線332在基板310的垂直投影與第二縱向訊號線334在基板310的垂直投影之間，而第二屏蔽縱線352A在基板310的垂直投影位於第二縱向訊號線334在基板310的垂直投影與第三縱向訊號線336在基板310的垂直投影之間。因此，第一屏蔽縱線350A在基板310的垂直投影位於畫素電極344在基板310的垂直投影之外，且第二屏蔽縱線352A在基板310的垂直投影位於畫素電極344在基板310的垂直投影之外。
在本實施例中，第一屏蔽縱線350A與第二屏蔽縱線352A例如都是透明走線。換言之，第一屏蔽縱線350A與第二屏蔽縱線352A是由透明導電材料製作。另外，畫素電極344也是由透明材料製作。在部分實施例中，畫素電極344、第一屏蔽縱線350A與第二屏蔽縱線352A可以為相同膜層，但在其他實施例中，畫素電極344的膜層可不同於第一屏蔽縱線350A與第二屏蔽縱線352A的膜層。
圖37示意性的表示電子裝置300中第一屏蔽縱線350A所在處的剖面結構的一種實施方式。由圖37可知，絕緣層I1、絕緣層I2、第一屏蔽縱線350A與絕緣層I3可依序疊置於基板310上。絕緣層I1、絕緣層I2與絕緣層I3的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。配置於絕緣層I2與絕緣層I3之間的第一屏蔽縱線350A可例如以透明導電材料製作。在本實施例中，第一縱向訊號線332、第二縱向訊號線334與第三縱向訊號線336的膜層可以位在絕緣層I1與絕緣層I2之間，而未示出的橫向訊號線的膜層可以位在基板310與絕緣層I1之間。另外，畫素電極344的膜層可設置於絕緣層I3之上，換言之，絕緣層I3可以設置於畫素電極344的膜層與第一屏蔽縱線350A的膜層之間。
圖38示意性的表示電子裝置300中第一屏蔽縱線350A所在處的剖面結構的另一種實施方式。圖38的剖面結構相似於圖37的剖面結構，因此兩實施例中以相同的元件符號表示相同的構件。由圖38可知，絕緣層I1、絕緣層I2、第一屏蔽縱線350A、濾光層CF與絕緣層I3可依序疊置於基板310上。絕緣層I1、絕緣層I2、第一屏蔽縱線350A與絕緣層I3的堆疊順序與材質等說明可參照圖37的相關描述。濾光層CF的材質可包括彩色濾光材料，例如紅色濾光材料、綠色濾光材料以及藍色濾光材料。
圖39示意性的表示電子裝置300的剖面結構的另一種實施方式。圖39除了示出圖36中的第一縱向訊號線332、畫素電極344與第一屏蔽縱線350A之外，還將省略區塊BK中所設置的橫向訊號線320也示出，以說明電子裝置300中各構件的堆疊關係。由圖39可知，橫向訊號線320、絕緣層I1、第一縱向訊號線332、絕緣層I2與畫素電極344可以依序疊置於基板310上，且畫素電極344與第一縱向訊號線332可以為相同膜層。
綜上所述，本發明實施例的電子裝置中在不同訊號線之間設置屏蔽線路(例如第一屏蔽縱線、第二屏蔽縱線等)。屏蔽線路可連接至共用電位以提供訊號屏蔽作用，從而減輕訊號線之間的干擾。因此，本揭露實施例的電子裝置可具有較佳的品質。
100’、100A~100Q、200A~200C、300:電子裝置 110、210、310:基板 120、320:橫向訊號線 130、DL、VL、VL1、VL2:縱向訊號線 132、232、332:第一縱向訊號線 134、234、334:第二縱向訊號線 136、236、336:第三縱向訊號線 138:第四縱向訊號線 140、240、340:畫素結構 142:主動元件 144、244、344:畫素電極 150A~150D、150K、150L~150Q、250A~250C、350A:第一屏蔽縱線 150C1、152C1、150D1、152D1、150K1、152K1、150L1、152L1:延伸部 150C2、152C2、150D2、152D2、150K2、152K2、150L2、152L2:重疊部 152B~152E、152K~152Q、252A~252c:第二屏蔽縱線 154E、154G、154P:屏蔽橫線 156F:第三屏蔽縱線 158M:屏蔽電極 160:共用電極線 162:第一線 164:第二線 244A:第一子電極 244B:第二子電極 A-A、B-B-、C-C、D-D、E-E:剖線 BK:省略區塊 CF:濾光層 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:厚度方向 I0~I3:絕緣層 MH:橫向主幹部 MV:縱向主幹部 TH、VIA:導通結構 SEC1、SEC2:區段 ST:條紋部
圖1是一種的電子裝置的局部上視示意圖。 圖2為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。 圖3為圖2的電子裝置中沿剖線A-A的剖面的一種實施方式的示意圖。 圖4為圖2的電子裝置中沿剖線A-A的剖面的另一種實施方式的示意圖。 圖5~圖10分別為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。 圖11為圖2的電子裝置中沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。 圖12為圖2的電子裝置中沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。 圖13~圖19分別為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖。 圖20示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線C-C的剖面結構的一種實施方式。 圖21示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線D-D的剖面結構的一種實施方式。 圖22示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線C-C的剖面結構的另一種實施方式。 圖23示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線D-D的剖面結構的另一種實施方式。 圖24示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線C-C的剖面結構的再一種實施方式。 圖25示意性的表示圖19的電子裝置沿剖線D-D的剖面結構的再一種實施方式。 圖26為本揭露一實施例的電子裝置的上視示意圖。 圖27為本揭露一實施例的電子裝置的上視示意圖。 圖28示意性的表示圖27的電子裝置沿剖線E-E的剖面結構的一種實施方式。 圖29示意性的表示圖27的電子裝置沿剖線E-E的剖面結構的一種實施方式。 圖30為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。 圖31為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。 圖32示意性的表示圖31的電子裝置200A中，第一屏蔽縱線250A所在位置的剖面的一種實施方式。 圖33示意性的表示圖31的電子裝置200A中，第一屏蔽縱線250A所在位置的剖面的另一種實施方式。 圖34~圖36分別為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。 圖37示意性的表示電子裝置300中第一屏蔽縱線350A所在處的剖面結構的一種實施方式。 圖38示意性的表示電子裝置300中第一屏蔽縱線350A所在處的剖面結構的另一種實施方式。 圖39示意性的表示電子裝置300的剖面結構的另一種實施方式。
100A:電子裝置
110:基板
120:橫向訊號線
130:縱向訊號線
132:第一縱向訊號線
134:第二縱向訊號線
136:第三縱向訊號線
138:第四縱向訊號線
140:畫素結構
142:主動元件
144:畫素電極
150A:第一屏蔽縱線
160:共用電極線
162:第一線
164:第二線
MH:橫向主幹部
MV:縱向主幹部
ST:條紋部

Claims (20)

  1. 一種電子裝置，包括：基板；多條橫向訊號線，配置於該基板上；第一縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交；第二縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交，且該第二縱向訊號線連接該多條橫向訊號線的其中一條；第一屏蔽縱線，配置於該基板上，該第一屏蔽縱線在該基板的垂直投影位於該第一縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影之間；以及共用電極線，配置於該基板上，該共用電極線位於該多條橫向訊號線的相鄰兩條之間，且該第一屏蔽縱線的整體位於該多條橫向訊號線的該相鄰兩條之間。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，更包括多個畫素結構，配置於該基板上，該多個畫素結構的其中一者被該多條橫向訊號線的相鄰兩條以及該第二縱向訊號線圍繞且包括畫素電極，其中該畫素電極於垂直該基板方向上重疊該第一縱向訊號線或該第二縱向訊號線。
  3. 如請求項2所述的電子裝置，其中該畫素電極重疊該第一屏蔽縱線。
  4. 如請求項2所述的電子裝置，其中該畫素電極橫跨該第二縱向訊號線，該畫素電極具有中央主幹部，且該第二縱向訊號線重疊該中央主幹部。
  5. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一屏蔽縱線為透明走線。
  6. 如請求項1所述的電子裝置，其中該共用電極線與該第一縱向訊號線及該第二縱向訊號線相交。
  7. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一屏蔽縱線與該共用電極線彼此直接堆疊。
  8. 如請求項1所述的電子裝置，更包括至少一絕緣層以及貫穿該至少一絕緣層的導通結構，該至少一絕緣層配置於該第一屏蔽縱線與該共用電極線之間，且該導通結構將該第一屏蔽縱線與該共用電極線電性連接。
  9. 如請求項1所述的電子裝置，更包括多個畫素結構，配置於該基板上，該多個畫素結構的其中一者位於該多條橫向訊號線的相鄰兩條之間且包括畫素電極，其中該第一屏蔽縱線的膜層位於該共用電極線的膜層與該畫素電極的膜層之間。
  10. 如請求項1所述的電子裝置，更包括多個畫素結構，配置於該基板上，該多個畫素結構的其中一者位於該多條橫向訊號線的相鄰兩條之間且包括畫素電極，其中該共用電極線的膜層位於該第一屏蔽縱線的膜層與該畫素電極的膜層之間。
  11. 如請求項1所述的電子裝置，其中該共用電極線包括第一線以及第二線，且該第一屏蔽縱線重疊該第一線、該第二線或兩者。
  12. 如請求項1所述的電子裝置，更包括第二屏蔽縱線，該第一縱向訊號線位於該第一屏蔽縱線與該第二屏蔽縱線之間。
  13. 如請求項12所述的電子裝置，更包括第三縱向訊號線，該第三縱向訊號線位於該第一縱向訊號線與該第二屏蔽縱線之間。
  14. 如請求項13所述的電子裝置，更包括第四縱向訊號線，該第一縱向訊號線與該第三縱向訊號線在該基板的垂直投影位於該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第四縱向訊號線在該基板的垂直投影之間。
  15. 如請求項1所述的電子裝置，更包括屏蔽電極，連接該第一屏蔽縱線。
  16. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一屏蔽縱線完全位於該多條橫向訊號線的相鄰兩條之間。
  17. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：多個畫素結構，配置於該基板上，該多個畫素結構的其中一者包括畫素電極，其中該第一屏蔽縱線在該基板的垂直投影位於該畫素電極在該基板的垂直投影之外。
  18. 如請求項1所述的電子裝置，更包括多個畫素結構及第三縱向訊號線，該多個畫素結構陣列配置於該基板上，該第二縱向訊號線位於該第三縱向訊號線與該第一縱向訊號線之間，且該第一縱向訊號線、該第二縱向訊號線與該第三縱向訊號線位於該多個畫素結構的相鄰兩列之間。
  19. 如請求項18所述的電子裝置，更包括第二屏蔽縱線，配置於該基板上，該第二屏蔽縱線在該基板的垂直投影位於該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第三縱向訊號線在該基板的垂直投影之間。
  20. 一種電子裝置，包括：基板；多條橫向訊號線，配置於該基板上；第一縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交；第二縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交，且該第二縱向訊號線連接該多條橫向訊號線的其中一條；第一屏蔽縱線，配置於該基板上，該第一屏蔽縱線在該基板的垂直投影位於該第一縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影之間；以及多個畫素結構，配置於該基板上，該多個畫素結構的其中一者被該多條橫向訊號線的相鄰兩條以及該第二縱向訊號線圍繞且包括畫素電極，其中該畫素電極重疊該第一屏蔽縱線，且該第一 屏蔽縱線為透明走線。
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