CN108447875B - 一种触摸显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触摸显示面板及其制造方法。该触摸显示面板包括：基板；第一金属层，包括设置于基板之上的触控线和遮光块；TFT功能层，位于第一金属层之上，TFT功能层上设有第一过孔；公共电极层，位于TFT功能层之上，并与触控线通过第一过孔连接。通过上述方式，本发明能够降低制作成本，提高制程可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板领域，特别是涉及一种触摸显示面板及其制造方法。
背景技术
LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)显示面板的触控类型常采用自感电容型，通过将sensor pad集成在阵列基板上实现 ITP(In Cell Touch Panel，内嵌式触摸屏)提高产品的品质和价值。Sensor pad的结构一般包含Common ITO和触控线走线。触控线走线的制作可单独设计光罩，即单独设置触控线走线；也可以采用数据线的光罩，即与数据线同层设置或同一工艺形成，使用相同的金属同步制作的方式，但是两种方案都有成本和制程风险增加的问题。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种触摸显示面板及其制造方法，能够降低制作成本，减小制程风险，提高制程可靠性。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种触摸显示面板，包括：基板；第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述基板之上的触控线和遮光块；TFT功能层，所述TFT功能层位于所述第一金属层之上，所述TFT功能层上设有第一过孔；公共电极层，位于所述TFT功能层之上，并与所述触控线通过第一过孔连接。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种一种制造触摸显示面板的方法，包括：在基板的一侧设置第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述基板之上的触控线和遮光块；在所述第一金属层之上设置TFT功能层，所述TFT功能层上设有第一过孔；在所述TFT功能层之上设置公共电极层，所述公共电极层与所述触控线通过第一过孔连接。
第一金属层本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过将触控线与用于遮挡背光对半导体层的照射的遮光块同层设置或同一工艺形成，使得公共电极层可以通过第一过孔与触控线连接，以实现触摸显示面板的触摸功能，这样可以有效减少制造触控线时的成本，且第一开孔是在公共电极层下方，制程风险小。
附图说明
图1是本发明提供的触摸显示面板的一实施例的截面示意图；
图2是本发明提供的触摸显示面板的一实施例的第一金属层的俯视示意图；
图3是本发明提供的触摸显示面板的一实施例的第一金属层与半导体层俯视示意图；
图4是本发明提供的触摸显示面板的制造方法的实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1是本发明提供的触摸显示面板的第二实施例的截面示意图。触摸显示面板包括基板10、第一金属层20、缓冲层30、栅绝缘层50、层间绝缘层60和平坦化层70、公共电极层80、钝化层90、像素电极层100以及漏极电极41和源极电极42。缓冲层30、栅绝缘层 50、层间绝缘层60和平坦化层70属于TFT功能层。其中，第一金属层 20是以金属钼(Mo)为材料采用物理气相沉积的方法在基板10上制成的。基板10设有第一金属层20的一侧，第一金属层20远离基板10的一侧覆盖有缓冲层30，其材料组成为SiNx/SiOx。在缓冲层30远离基板 10的一侧设置有半导体层40，半导体层40与第一金属层20在垂直投影方向上的覆盖面积至少部分重合，半导体层40的材料是使用准分子激光退火而从非晶硅转化而成的多晶硅。在半导体层40远离基板10的一侧设置有栅绝缘层50，其材料组成为SiOx。在栅绝缘层50远离基板 10的一侧设置有层间绝缘层60。在层间绝缘层60上设置有漏极电极41 和源极电极42，漏极电极41和源极电极42通过层间绝缘层60上的第二过孔91与半导体层40实现电连接。在层间绝缘层60远离基板10的一侧设置有平坦化层70。平坦化层70远离基板10的一侧还依次设置了钝化层90和像素电极层100。
其中，平坦化层70远离基板10的一侧设置有公共电极层80。缓冲层30、栅绝缘层50、层间绝缘层60和平坦化层70在相同的位置设置有第一过孔81，以使得公共电极层80通过该第一过孔81连接第一金属层20，实现触摸显示面板的触摸功能。为了能让共电极层顺利通过该第一过孔81连接第一金属层20，半导体层40以及设置在半导体层40上的漏极电极41和源极电极42都要错开第一开孔的位置。此外，层间绝缘层60上还设有第二过孔91，是为了让像素电极层100通过该第二过孔91与漏极电极41连接，以实现触摸显示面板的显示功能。因为半导体层40以及源极电极42和漏极电极41的位置都与第一过孔81错开，那么连接漏极电极41与像素电极层100的第二过孔91必然错开第一过孔81的位置。
请结合参考图2，图2是本发明提供的触摸显示面板的第二实施例的第一金属层20的俯视示意图。在图3中，可以看到，在本实施例中，第一金属层20包括用于与公共电极层80组合实现面板的触摸功能的触控线22和用于遮挡背光对半导体层40的照射的遮光块21。触控线22 与至少一个遮光块21部分重叠。一般来说，第一金属层20的主要材料为金属钼(Mo)，在本实施例中，触控线22与遮光块21采用相同的材料，使用同一工艺在层第一金属层20中制成。例如，采用物理气相沉积的方法，采用金属钼(Mo)一次性在基板10的表面制成如图3所示的包括触控线22和遮光块21的第一金属层20。采用这种方法，可以避免为了制成触控线22而单独制作光罩，一次性完成遮光块21与触控线 22两者的布局，可以有效节约时间和制作成本，制作步骤简化。
在其他实施例中，触控线22可以采用其他材料和/或其他工艺与遮光块21一起在第一金属层20中制成。例如，可以先使用一种工艺(例如，物理气相沉积)在基板10上沉积出若干个材料为金属钼(Mo)的遮光块21，然后在使用另一种工艺再在基板10上设置材料为金属铂的触控线22。在另外的实施例中，遮光块21和触控线22的材料可以一致 (例如，金属钼(Mo))，但是可以先后以不同的工艺制得。
请继续参阅图3，第一过孔81位于遮光块21的垂直投影内，因为在本实施例中，第一金属层20中的遮光块21与触控线22是采用同种材料一体成型的，因此遮光块21与触控线22之间彼此导通，因此当第一过孔81位于遮光块21的垂直投影内即公共电极层80与遮光块21连接，而又因为遮光块21与触控线22之间彼此导通，因此公共电极层80 等同于连接触控线22。在其他实施场景中，即使遮光块21与触控线22 不是一体成型，但只需两者部分重叠，彼此导通也可以实现本发明的目的。
请结合参阅图1和图3，图3是本发明提供的触摸显示面板第二实施例的第一金属层20与半导体层40俯视示意图。根据图2可知，在平坦化层70上有第一过孔81和第二过孔91两种过孔，第一过孔81是用于公共电极层80与第一金属层20连接以实现触摸显示面板的触摸功能，第二过孔91是用于像素电极层100与漏极电极41连接以实现触摸显示屏的显示功能。第一过孔81和第二过孔91的位置可以参阅图3，如图3中所示的，第一过孔81和第二过孔91的位置相互错开，也没有紧靠在一起，且第一过孔81设在遮光块21的垂直投影内比设置在触控线22距离第二过孔91更远。第一过孔81与第二过孔91之间的间隔只要不为零即可以有效避免制程风险，且第一过孔81与第二过孔91相隔越远，制程风险就越小。
通过上述描述可知，本实施例通过将触控线与遮光块在第一金属层中同层设置，并通过第一过孔与公共电极层连接以实现触摸显示面板的触摸功能，可以简化制成触控线的步骤，节省制作成本。因为本实施例中触控线与部分遮光块连接，因此在部分遮光块的垂直投影区域设置第一过孔，以拉大第一过孔和用于连接漏极电极和像素电极的第二过孔之间的间隔，提高制程可靠性。
请参参阅图4，图4是本发明提供的触摸显示面板的制造方法的实施例的流程示意图。本发明提供的触摸显示面板的制造方法包括如下步骤：
S401：在基板的一侧设置第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述基板之上的触控线和遮光块。
在一个具体的实施场景中，在基板的一侧设置第一金属层，第一金属层以金属钼(Mo)为材料采用物理气相沉积的方法在基板上制成，包括用于遮挡背光对半导体层的照射的遮光块和触控线，其中触控线与部分遮光块的部分区域重叠。在本实施场景中，第一金属层中的触控线与遮光块是一体成型，在其他实施场景中，第一金属层中的触控线和遮光块可以是由不同材料，先后分别通过不同工艺制作成型。
S402：在所述第一金属层之上设置TFT功能层，所述TFT功能层上设有第一过孔。
在一个具体的实施场景中，在第一金属层上设置TFT功能层，TFT 功能层包括：缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层和平坦化层，并在缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层和平坦化层的相同的位置上设置第一过孔。
在本实施场景中，触摸显示面板除去第一金属层以外的其他各层的制作方法为：缓冲层材料为SiNx/SiOx，覆盖于第一金属层上，待其成膜后，在预设的第一过孔的位置打孔。在缓冲层上用化学气相沉积制作一层非晶硅，使用准分子激光退火转化成半导体层。在半导体层上使用化学气相沉积一层栅绝缘层，其材料组成为SiOx，同样的，栅绝缘层成膜后在第一过孔的位置开孔。栅绝缘层上用化学气相沉积一层层间绝缘层，同样等成膜后在第一过孔的位置开孔。此外，栅绝缘层上还需要开设另外的过孔，该过孔位于半导体层上方，用于设置漏极电极和源极电极。漏极电极和源极电极通过物理气相沉积制成。栅绝缘层成膜后开两个孔，一个为第一过孔，另一个为第二过孔，第二过孔用于连接漏极和像素电极层，以实现触摸显示面板的显示功能。制作平坦化层。
S403：在所述TFT功能层之上设置公共电极层，所述公共电极层与所述触控线通过第一过孔连接。
在一个具体的实施场景中，第一金属层远离基板的一侧设置公共电极层，该公共电极层通过该第一过孔连接第一金属层。此外在缓冲层上设置半导体层，该半导体层的位置错开所述第一过孔位置。半导体层上设置源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极的位置错开第一过孔的位置。
公共电极层通过物理气相沉积的方法制成，并通过第一过孔与第一金属层连接。因为半导体层以及源极电极和漏极电极的位置都与第一过孔错开，那么连接漏极电极与像素电极层的第二过孔必然错开第一过孔的位置。
在本实施场景中，第一过孔位于部分遮光块的垂直投影区域中。因为在本实施场景中，第一金属层中的遮光块与触控线是采用同种材料一体成型的，因此遮光块与触控线之间彼此导通，因此当第一过孔位于遮光块的垂直投影内即公共电极层与遮光块连接，而又因为遮光块与触控线之间彼此导通，因此公共电极层等同于连接触控线。第一过孔设在遮光块的垂直投影内比设置在触控线距离第二过孔更远。而第一过孔与第二过孔相隔越远，制程风险就越小。
通过上述描述可知，本实施例通过将触控线与遮光块在第一金属层中同层设置，与公共电极层通过第一过孔连接第一金属层以实现触摸显示面板的触摸功能，这可以简化制成触控线的步骤，节省制作成本。因在部分遮光块的垂直投影区域设置第一过孔，可以拉大第一过孔和用于连接漏极电极和像素电极的第二过孔之间的间隔，减小制程的风险。
区别于现有技术，本发明中的公共电极通过第一过孔连接位于第一金属层中的触控线，该触控线与遮光块在第一金属层中同层设置或同一工艺制得。这样可以减少制成触控线的步骤和成本，简化步骤也有利于降低制程的风险。此外，因为在本发明中触控线与遮光块存在部分重叠，因此可以将第一开孔设置在部分遮光块的垂直投影中，这样公共电极层通过遮光块连接触控层，实现触摸功能，这样第一过孔的位置距离其他需要开设的过孔更远，进一步降低制程风险。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (2)
1.一种触摸显示面板，其特征在于，包括：
基板；
第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述基板之上的触控线和遮光块，所述触控线与至少一个所述遮光块部分重叠，所述遮光块与所述触控线之间彼此导通；所述触控线和部分的所述遮光块一体成型；
TFT功能层，所述TFT功能层位于所述第一金属层之上，所述TFT功能层上设有第一过孔；所述第一过孔位于部分的所述遮光块的垂直投影区域内；
公共电极层，位于所述第一金属层和所述TFT功能层之上，并与所述触控线通过所述第一过孔连接；
其中，所述TFT功能层包括：依次设置于所述第一金属层和所述公共电极层之间的缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层和平坦化层，所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述层间绝缘层和所述平坦化层在相同的位置设有所述第一过孔，以通过所述第一过孔连接所述公共电极层与所述第一金属层，从而使得所述公共电极层连接所述触控线和所述遮光块，实现触摸显示面板的触摸功能；
其中，所述缓冲层上设置的半导体层，所述半导体层的位置错开所述第一过孔位置；所述半导体层上设置源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极的位置错开所述第一过孔的位置；
在所述平坦化层、所述层间绝缘层上有第二过孔，所述第二过孔用于像素电极层与所述漏极电极连接，以实现触摸显示屏的显示功能；所述第一过孔和所述第二过孔的位置相互错开。
2.一种制造触摸显示面板的方法，其特征在于，包括：
在基板的一侧设置第一金属层，所述第一金属层包括设置于所述基板之上的触控线和遮光块，所述触控线与至少一个所述遮光块部分重叠，所述遮光块与所述触控线之间彼此导通；其中，在同一工艺中形成所述触控线和与其一体成型的部分的所述遮光块；
在所述第一金属层之上设置TFT功能层，所述TFT功能层上设有第一过孔，其中，所述第一过孔位于部分的所述遮光块的垂直投影区域内；
在所述TFT功能层之上设置公共电极层，所述公共电极层与所述触控线通过所述第一过孔连接；
其中，在所述基板上设置第一金属层的步骤之后，所述方法进一步包括：所述遮光块上依次设置缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层和平坦化层，并在缓冲层、所述栅绝缘层、所述层间绝缘层和所述平坦化层的相同的位置上设置第一过孔，以通过所述第一过孔连接所述公共电极层与所述第一金属层，从而使得所述公共电极层连接所述触控线和所述遮光块，实现触摸显示面板的触摸功能；
其中，所述遮光块上设置缓冲层的步骤之后，在所述缓冲层上设置半导体层，所述半导体层的位置错开所述第一过孔位置；在所述半导体层上设置源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极的位置错开所述第一过孔的位置；
在所述平坦化层、所述层间绝缘层上有第二过孔，所述第二过孔用于像素电极层与所述漏极电极连接，以实现触摸显示屏的显示功能；所述第一过孔和所述第二过孔的位置相互错开。
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