TWI358132B - Thin film transistor array panel and liquid crysta - Google Patents

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TWI358132B
TWI358132B TW094104190A TW94104190A TWI358132B TW I358132 B TWI358132 B TW I358132B TW 094104190 A TW094104190 A TW 094104190A TW 94104190 A TW94104190 A TW 94104190A TW I358132 B TWI358132 B TW I358132B
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Dong-Gyu Kim
Sang-Soo Kim
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Description

九、發明說明： H 明戶斤屬^軒々貝】 發明領域 本發明係有關於一種薄膜電晶體陣列面板與包含具高 開口率之該面板的液晶顯示器。 發明背景 液晶顯示器（LCD)通常包括一具有一共同電極之上方 面板、一具有薄膜電晶體(TFTs)與像素電極之下方面板、 以及-介㈣φ板之H日日(LC)層。該像素電極與該共 同電極具有不同的電壓以產生改變Lc分子之方位的電場/，' 進而調整光透射比以顯示影像。 LCD之一關鍵課題為開口率而高開口率會增加之 月視度及下舰項優點。為達此—目的，像素電極與鄰接 的資料線互相部分重疊。然而，具有—像素電壓之像素電 極與連續傳送變化資料電壓之資料線之間的部分重疊會造 成可能產生若干缺點之寄生電容。舉例來說，當一平板印 刷光罩小於包含該料電極之线區域時，製造LCD之平 板印刷術麵—面板切分成奸方塊後執行—曝光步驟。 sX像素電極财同方塊巾之該資料線之間的距離可能有些 不^ ’視核罩與該面板之間㈣準角度而定。這會以方 兔區刀錢素電極與該資料線之間的寄生電容以致產生縫 合缺陷。 【明内容^】 丄观132 10 15
20 發明概要 本發明使該像素電極與該資料線之間所產生的寄 容分佈均勻。 提供- _電晶||(TFT)_面板，其包括：複數條傳 送閘訊號之閘線；複數條與該閘線交叉並傳送資料訊號之 貢料線’各該資料線包括互相電性連接且彼此隔開之第一 及第二資料線分支；複數個料電極，該料電極透過薄 膜電晶體被電性連接至該閘線及該資料線且覆蓋該第二戈 第二資料線分支之邊緣；-設置於該資料線與該像素電二 之間之鈍化層；以及一覆蓋該第—資料線分支與該第二資 料線分支之間之缺口的光線阻斷元件。 、 ，提供-_電㈣(TFT)_面板，其包括：複數條傳 送掃描訊號之閘線；複數條與該問線交叉並傳送資料訊號 之資料線，各《料線包括互相電性連接錢此隔開^第 及第二資料線分支；複數個像素電極，該像素電極透過 薄膜電晶體被電性連接至該閘線及該資料線且覆罢該第2 或第二資料線分支之邊緣；-設置於該資料線與^素電 極之間之彩色渡光層；以及-包括含該資料線之層並與該 資料線部分重疊之光線阻斷元件。 ~ / 以此方式，各遠資料線包括—組互相平行之資料線八 支’該像《極與該資料線分切分重疊，且—光線阻^ 元件覆蓋該資料線分支之間的缺〇。因此，今次 伧i 口此邊資料線與該 像素電極之間的寄生電容被減少且開口率被増加。 視包含成對之該資料線分支的該資料線所在位置、與 6 1358132 該資料線部分重疊之該像素電極、以及覆蓋該資料線分支 之間之缺口的該光線阻斷元件而定，本發明包括複數個實 施例。 5
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20 根據本發明實施例之TFT陣列面板包括傳送閘訊號之 閘線；與該閘線交叉並傳送資料訊號之資料線，各該資料 線包括在靠近像素電極處至少部分地彼此隔開之第一及第 二資料線分支，該像素電極被設置於由該閘線及該資料線 界定之像素電極中；以及薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括 連接至該閘線之閘極、連接至該資料線之源極、以及連接 至該像素電極之汲極。 該TFT陣列面板進一步包括一設置於該薄膜電晶體、該 閘線及該資料線上之絕緣層。該像素電極可設置於該絕緣 層上，且該絕緣層可以有機絕緣材料做成或包括彩色濾光 片。該TFT陣列面板可進一步包括與該像素電極部分重疊之 儲存電極以形成儲存電容。 各該資料線具有一以一像素長度單位重複出現的形狀 。一組資料線分支互相平行。該資料線可為直線或彎曲。 當該資料線呈彎曲時，各該資料線可包括重複配置之彎曲 部分及直線部分。該直線部分可與該閘線交又。各該彎曲 部分可包括複數個在順時鐘方向與逆時鐘方向上構成大約 45度之角度的傾斜部分。該像素電極可沿該資料線彎曲。 在此，該像素電極可覆蓋與其鄰接之該資料線的兩邊緣。 該光線阻斷元件可與該資料線切斷電性且可以有機材料或 金屬做成。該光線阻斷元件覆蓋該資料線分支之間的缺口 ⑧ 7 1358132
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20 且具有位於該資料線分支之外側邊緣内的外部邊緣。 包括該TFT陣列面板之LCD進一步包括一共同電極面 板，該共同電極面板面對該TFT陣列面板且包括面對該像素 電極之該共同電極以及一設置於該TFT陣列面板與該共同 電極面板之間之液晶層。 該液晶層可具有數種變化。雖然實施例顯示TN模式 LCD，本發明亦可使用於垂直配向模式。垂直配向模式LCD 包括一液晶層，該液晶層具有陰極介電非等方性且液晶分 子之長軸與該面板之表面成垂直地配向。該垂直配向模式 LCD具有設於該共同電極與該像素電極之分割器或突出物 ，其於電場被施加至該液晶層時區別該液晶分子之傾斜方 向，進而改進所謂的視角。 該TFT陣列面板可進一步包括設置於閘極與源/汲極之 間之半導體。該半導體可具有島嶼的形狀。然而，該半導 體可沿該資料線延伸使其具有與該資料線和該汲極大致相 同的平坦形狀，除了該源極和該汲極之間的管道部分以外。 圖式簡單說明 本發明在詳閱參考隨附圖示作成之實施例的詳細說明 後將更易於理解，在圖示中： 第1圖為一佈局圖，顯示根據本發明第一實施例之LCD 的TFT陣列面板； 第2圖為一包含第1圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍ΙΙ-ΙΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 第3圖為一包含第1圖中該TFT陣列面板與取自線條範 ⑧ 8 1358132
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20 圍ΙΙΙ-ΙΙΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 第4圖為一佈局圖，顯示根據本發明第二實施例之LCD 的TFT陣列面板； 第5圖為一包含第4圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍V-V’之共同電極面板的LCD斷面圖； 第6圖為一包含第4圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍VI-VI’之共同電極面板的LCD斷面圖； 第7圖為一佈局圖，顯示根據本發明第三實施例之LCD 的TFT陣列面板； 第8圖為一包含第7圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍Vll-Vir之共同電極面板的LCD斷面圖； 第9圖為一包含第7圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍IX-IX’之共同電極面板的LCD斷面圖； 第10圖為一佈局圖，顯示根據本發明第四實施例之 LCD的TFT陣歹丨J面板； 第11圖為一包含第10圖中該TFT陣列面板與取自線條 範圍ΧΙ-ΧΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 第12圖為一包含第10圖中該TFT陣列面板與取自線條 範圍ΧΙΙ-ΧΙΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 第13圖為一佈局圖，顯示根據本發明第五實施例之 LCD的TFT陣歹|J面板； 第14圖為一包含第13圖中該TFT陣列面板與取自線條 範圍XIV-XIV’之共同電極面板的LCD斷面圖；以及 第15圖為一包含第13圖中該TFT陣列面板與取自線條 ⑧ 9 fe圍xv-xv之共同電極面板的匕⑶斷面圖。 C 方包】 較佳實施例之詳細說明 現在將參考顯示本發明之較佳實施例的隨附圖示更完 正地°兒明本發明° S而’本發明可以許多不同形式實施， 故不應該被轉為限於此處㈣的實施例。 在圖示中’層、薄膜與區域的厚度被誇大以求清晰。 整伤文件巾’同樣的數字代表同樣的元件。可以理解的， 田元件如層、溥膜、區域或基板被描述為位於另一元件“ 上方恰，匕可以直接位於該另一元件上方或具有介入元件 。相反地，當—元件被描述為位於另一元件“直接上方，，時 ’它便不具有介入元件。 現在，根據本發明實施例之LCD將參考隨附圖示說明 如後。 15 給 、 弟1圖為一佈局圖，顯示根據本發明第—實施例iLCD 的TFT陣列面板’第2圖為—包含第j圖中該Tft陣列面板與 取自線條範圍II-II之共同電極面板的LCD斷面圖，第3圖為 —包含第1圖中該TFT陣列面板與取自線條範圍ΠΙ_ΙΠ，之共 同電極面板的LCD斷面圖。 2〇 參考第2及3圖，根據本實施例之LCD包括互相面對面 之TFT陣列面板1〇〇與共同電極面板2〇〇以及一液晶層3⑽和 —膠黏劑330。於該TFT陣列面板100上，一薄膜43〇如具有 汛號線420及將該薄膜430銜接至該面板丨0〇之非等方性導 電薄膜410的可撓印刷電路薄膜妹形成。 首先’我們概略敘述該TFT陣列面板1〇〇。 參考第！圖，複數個宜以透明導電材料如氧化鋼錫(ιτ〇) 或氧化銦鋅(ΙΖΟ)做成之像素電極19〇、複 素電極例之TFT、複數個連接至該TFT並傳 閘線121、以及複數條資料線171，各該資料線171被連接至 該TFT並包括一組傳送資料訊號之資料線分支i7ia、17沁 ，被形成於一宜由透明絕緣體如玻璃做成之絕緣基板ιι〇上 。該TF T開啟/關閉以將資料訊號選擇性地傳送至該像素電 極190以回應該掃描訊號。在此，設有該像素電極19〇之區 域稱為主動區域（或顯示區域）而位於該主動區域之外的區 域則被稱為周邊區域。 茲詳述該TFT陣列面板1〇〇如下。 大致在橫切方向上延伸之複數條閘線121與複數條儲 存電極線131被形成於一絕緣基板no如透明破璃上。 該閘線121被互相隔開且傳送閘訊號。各該閘線121包 括形成複數個閘極124之複數個突出部以及—從一外部電 路接收該閉訊號之端部129。該閘線121可延伸成為一驅動 電路之連接輸出端子以整合於該TFT陣列面板1〇〇上。 各該儲存電極線131包括複數個寬儲存電極135。 一用以將一共同電壓傳輸至該共同電極面板2〇〇之電 壓傳輸線（圖中未示）可以與該閘線121相同之層做成。 該閘線121與該儲存電極線131宜以鋁、鋁合金、銀、 銀合金、銅、鉻、鈦、钽 '或鉬做成。根據本實施例之該 閘線121與該儲存電極線131包括一單層，但它們可具有一 1358132 雙層結構，包含一如鉻、鉬、 ^ 欽、叙4具有良好物理化學 特相及—具有含料含銀金屬之低阻力層 。讀用—含18金屬時，_線⑵與該儲存電極脚包括 至>'兩層以防止銘與該像素電極190之材料之間的接觸。可 使用右干金屬或導體於該閉線⑵與該储存電極線m。
匕外m線121與§續存電極線131等之側邊相對於 一水平表面地傾斜，且其傾斜角度約在3g魏度之間。 且以氮化邦㈣做成之閘絕緣層〗4{)被形成於該閘 線121與該儲存電極線131上。 10 複數條資料線171、複數個汲極175、以及一儲存連接 部176被形成於該閘絕緣層丨4〇上。 各該汲極175延伸至並與一儲存電極線131之一儲存電 極部分重疊。一儲存電容透過使該汲極Π5與該儲存電極線 131，包括該閘絕緣層14〇，部分重疊且將一介電置於其間 15 的方式被形成。
20 各該資料線171大致朝一縱向延伸且包括複數個往該 汲極175分支之源極173。各該資料線171進一步包括一接觸 部分179以從一外部裝置接收資料訊號《在此，各該資料線 171包括一組在該主動區域中互相電性連接之資料線分支. 171a、171b。各該資料線分支171a、171b透過複數個資料 連接部178在該主動區域中互相連接並聯合以形成該接觸 部分179。 該儲存連接部176被置於該主動區域之外並大致朝該 縱向延伸以在靠近該閘線121之該端部129處與該閘線121 12 1358132 交叉。该儲存連接部176位於該儲存電極線131之端部附近 並被連接至所有该儲存電極線131以供應一預設電壓如供 給至該共同電極面板200與該储存電極線131之共同電壓， 如下述。在沒有該閘線121之該端部丨29的情況下，該儲存 5 電極線131可以結合方式連接。 該資料線17卜該汲極175、以及該儲存連接部176宜以 絡、组、等做成。雖然它們包含一單一層，如第2及3圖 所不，它們可具有一多層結構。多層結構之範例包括由一 鉬層、一鋁層及另一鉬層所組成之三層。如同此例，該多 10層結構包括一具有低阻力之中間金屬層如鋁以及上、下耐 火金屬層如钥。 15
複數個半導體島狀物154被形成於該源極173、該沒極 175、以及夾於其間之部分下方。第1圖顯示該半導體島狀 物154比該源極173及該汲極175寬，但情況亦可相反。複數 個其他的半導體島狀物152被形成於該儲存電極線131與亨 資料線171之交叉處。該半導體154亦被設置於該間線121與 該資料線171之間的交又處以避免該訊號線121、171之斷線 。不同於第1圖，該半導體154可沿該資料線171延伸。該半 導體152、154宜以非晶石夕等做成。 2〇 複數個歐姆接觸島161、162被形成於該半導體島狀物 152、154與該源極173及該汲極175之間，或者該半導體島 狀物152、154與該資料線171之間’以降低其間的接觸阻力 。該歐姆接觸島16卜162宜以矽化物或大量摻雜n型雜質之 非晶碎做成。 13 1358132 10 15
20 一閘極124、一源極173、一沒極175與一半導體長條151 之一突出部154共同形成一TFT。 一無機鈍化薄層180a被形成於該資料線171、該沒極 175、該儲存連接部176、以及該半導體長條151之未被該資 料線171、該汲極175、及該儲存連接部176覆蓋的曝光部分 上。該無機鈍化薄層180a宜以無機材料如氮化矽透過電浆 強化化學氣相沉積法(PECVD)做成具有大約300至7〇〇人之 厚度。該無機鈍化薄層180a具有複數個接觸孔185、丨81、 182、183、184、186 ’該接觸孔被設置於該汲極175、該閘 線U1之該端部1M、該資料線171之該接觸部分179、該儲存 電極線131之該端部、以及該儲存連接部176之一端部上。 "、··阻斷元件16G被形成於該無機純化薄層】上 ，如第丨及2圖所示。該光線阻斷元件⑽覆蓋該資料線分支 171a、17狀_空間。該光線阻斷元件丨⑼觀置於該主 動區域中㈣·分支l7la、⑽之外部邊㈣以避免開 口率之降低。《料線分切la、㈣之該外部邊緣與該 光線阻斷讀160之該外部邊緣之間的距離w2宜大於大約上 微米，如第2圖所示。該光線阻斷元件刚宜以無機絕緣體 做成以避免«料線171產生寄生電容。纽材料可促進該 光線阻斷元件1齡形成。含碳或散佈其中之黑色晶粒的光 阻為較佳的範例。 該光線阻斷兀件160具有一在週邊區域包圍該主動區 域之帶狀物的雜，如第丨_示，其可避免魅動區域盘 該周邊區狀M料線。此—做法可省略設於該共同電 14 極面板200上之分離的光線阻斷元件。 一有機鈍化層180b被形成於該光線阻斷元件16〇及該 無機鈍化薄層180a之曝光部分上。該有機鈍化層18肋宜以 具有低於大約3.0之介電常數且具有良好平坦特性的低介 電絕緣材料做成。該有機鈍化層180b具有大約〇7微米之厚 度。該有機鈍化層180b亦具有複數個接觸孔185、181、182 、⑻、184、186’該接觸孔被設置於該祕175、該閉線 121之該端部129、該資料線171之該_部分Π9、該儲存 電極線131之該端部、以及該儲存連拉a 10 钱。P 176之中間部分與 ~端部上，如同該無機鈍化薄層1^ &<該接觸孔185、181 ' 182、183、184、186。 該接觸孔 185、181、182、183、 184、186之用途約有 兩種。位於該TFT陣列面板1〇〇之邊绦 ^ 咬、采附近的接觸孔係為從 半導體晶片接收若干訊號而設，而位认4 15 以於該面板100之内部者 :是為電性連接内部訊麟而設1電性連接係藉由在該 有機鈍化層職上形成導電連接部細誠接料接至下 層導體之方式完成的，如下述。 特別是’設於該_121之㈣部129錢蘭存電極 20 線⑶之該端部上的該接觸孔181、186貫穿該純化層⑽a、 ⑽b以及該閘絕緣以伽使設於_絕緣層⑽下方之該 訊號線121、131曝光。 舉例來說，如第2圖中參閱數字c所示該有機純化層 ⑽b在靠近使舰極m曝光之輯心⑽處較薄以使從 該有機鈍化層麟之表面至雜·U85之底料輪廊平 15 1358132 滑。為了輕易形成此一結構，該有機鈍化層180b宜以感光 材料做成，如上述。就此一範例，我們將說明一種形成具 有平滑輪廓之接觸孔185結構的方法。 首先，一正面感光有機層被形成於該基板110上且一光 5 罩（圖中未示）與該基板110對準。然後該基板110透過該光罩 被曝光。
該光罩包括透明區域、不透明區域、以及具有一狹縫 圖案之半透明區域。該狹縫圖案具有複數個狹縫，該狹縫 之寬度小於此一步驟中所使用之曝光機（圖中未示）的解析 10 度。該光罩之該透明區域對應該接觸孔185且該狹縫被設置 於該透明區域四周。經由該狹缝圖案之曝光量很小且經由 該透明區域被曝光之該接觸孔185的光線量充足至使具有 少量曝光之光阻薄膜部分維持於一厚度，而該接觸孔185之 對應至接受充足光線量的部分則可完全移除。其次，該無 15 機鈍化薄層180a及該閘絕緣層140之曝光部分以該有機鈍 化層180b做為蝕刻曝光機被進行乾式蝕刻以形成該接觸孔 185 ° 為了形成使與該閘線121位於同一層上之架線如該儲 存電極線131曝光的該接觸孔186、181，該無機閘絕緣層 20 140之部分亦被乾式蝕刻以移除之。此時，透過與該資料 線171位於同一層之架線上的接觸孔被曝光之金屬層幾乎 沒有被蝕刻，因為金屬與無機絕緣體之蝕刻選擇性相當不 同。 另一方面，由於靠近該資料線171之該接觸部分179與 16 1358132 該閉線m之該端部129的寄生電容甚少，該有機純化層 180b之厚度在該處會比其在第2及3圖中所示之該主動區^ 處更薄。這在驅動電路晶片之墊片凸塊（圖中未示）或包含用 以傳輸該閘訊號及該資料訊號之該訊號線的該薄膜伙透 5過該接觸孔18卜182以該非等方性導電薄膜41〇銜接至該架 線121、171之該曝光部分時，可改善接觸可靠产。為達^ 目的，在形成έ亥純化層180a、180b之步禪中，且有】於 曝光機解析度之狹縫或包括半透明材料的該半透明區域面 對s亥周邊區域以降低該純化層18〇b相對於包括該像素電極 10 190如該接觸孔之該主動區域的高度。 15
複數個像素電極190、複數個接觸輔助件81、82、⑽及 複數個連接部85，如連接該儲存電極線131及該儲存連接部 176者，被形成於該鈍化層i80b上◎該像素電極19〇、該接 觸輔助件81、82、86、及該連接部85宜以ITO或ιζο做成 。該接觸輔助件81、82、86分別透過散佈其中之該接觸 孔181、182、186被電性連接至該閘線121之該端部129、 該資料線171之該接觸部分179、及該儲存連接部176之該 端部。 該像素電極190 ’如第1及2圖所示，完全覆蓋其鄰近資 20 料線分支171a' 171b的内部邊緣。參考第2圖，該像素電極 190之邊緣與其鄰近資料線分支171a、171b的内部邊緣之間 之距離wl宜大於大約2微米。然而，該距離可視曝光裝置之 對準極限改變。該像素電極190透過延伸至該儲存電極線 131之該汲極175上的該接觸孔185被電性連接至該TFT。 ⑧ 17 1358132 如上所述，由於該像素電極190覆蓋其鄰近資料線分支 171a、171b的内部邊緣，該像素電極190與該資料線分支 171a、171b之間的寄生電容呈均勻分布，不論在該面板1〇〇 之該對準極限中其距離的橫向誤差為何。 現在，我們將詳述該共同電極面板200。 一彩色濾光層23 0被形成於一透明絕緣基板210如玻璃 上。該彩色濾光層230面對該TFT陣列面板1〇〇之該像素電極 190。一透明有機絕緣層250被形成於該彩色濾光層230上且 一共同電極270被形成於其上方。該透明絕緣層250為任選 10 元件，且在此一範例中該共同電極270被直接設置於該彩色 滤光層230上。如上所述，由於該TFT陣列面板100之該光線 阻斷元件160充分阻斷光線漏洩，該共同電極面板2〇〇並不 包括任何光線阻斷元件諸如阻斷陣列。 15
對準層1.1、21被形成於該TFT陣列面板1〇〇與該共同電 極面板200之内部表面上，且極化器12、22被銜接至該TFT 陣列面板100之外部表面。該對準層U、21幾乎被設置於該 主動區域中。 密封件330被設置於該TFT陣列面板1〇〇與該共同電極 面板200之間且具有一沿該共同電極面板2〇〇延伸之帶狀物 20的形狀。該密封件33〇與該光線阻斷元件160宜至少部分地 互相部分重疊以避免光線漏洩。 液晶層300被設置於該對準層丨丨、21之間、該TFT陣 列面板100與該共同電極面板2〇〇之該像素電極丨9〇與該 共同電極270上且被密封於一由該密封件33〇包圍之區域 ⑧ 18 中。 各種LCD根據該對準層n、21之材料、 種类員 '對準類型等被組態。第⑴圖中°〆液晶層300之 於〜起扭轉向列型(叫模式中。 <LcD宜使用 當該LCD處於垂直對準模式中時，該 共同電極270宜具有複數個分割器（圖中）、電極190與該 該分割器互相平行且至少彎曲一次增加視角。 rgi Φ , 像素電極190盥該丘 10 15 ^崎產生之電場被該分㈣之緣場效應扭曲使^ ^錢極19〇上之液晶分子的傾斜方向互異。除了提供該 刀於該電極190、27〇處以外，也可以僅使該像素電極 190具備該分割器而在該共同電極27〇上提供突出部。該突 出部被設置於該對準層21與該共同電極27G之間且與該像 素電極19 0之該分割器平行。該突出部可以感光有機材料做 成。該突出部與該液晶之電容率之間的差異或者該突出部 之傾斜表面決定該液晶分子之傾斜方向。因此該緣場效 應與該電容率效應或該傾斜表面效應使該液晶分子之傾斜 方向多樣化。若無該分割器，該突出部可設置於該像素電 極190與該共同電極27〇上。 參考第4至6圖’我們將詳述根據本發明第二實施例之 20 LCD 〇 第4圖為—佈局圖，顯示根據本發明第二實施例之L C D 的TFT陣列面板，第5圖為一包含第4圖中該TF 丁陣列面板與 取自線條範圍V-V’之共同電極面板的LCD斷面圖，第6圖為 一包含第4圖中該TFT陣列面板與取自線條範圍vi-VI，之共 19 1358132 同電極面板的LCD斷面圖。 根據第二實施例之該LCD具有與根據第一實施例之該 LCD類似的佈局與結構。 關於該TFT陣列面板100，複數條包含閘極124之閘線 5 121與複數條儲存電極線131被形成於一基板11〇上，且一閘 絕緣層140、複數個半導體島狀物154、以及複數個歐姆接
觸島161、162被依序地形成於其上方》複數條包括源極173 及成對之資料線分支171a、171b的資料線171、複數個汲_極 175、以及一儲存連接部176被形成於該歐姆接觸島161、162 10 上且一無機鈍化層180a被形成於其上方。一光線阻斷元件 160被形成於該無機鈍化層180a上且一有機鈍化層i8〇b被 形成於其上方。複數個接觸孔181-186被提供於該鈍化層 180a、180b以及該閘絕緣層140上。複數個像素電極190、 複數個接觸輔助件81、82及複數個連接部85被形成於該有 15 機鈍化層180b上。
該共同電極面板200包括形成於其上方之一絕緣基板 210和一共同電極270。 20 對準層11、21被形成於該面板100、200之内部表面上 ，且極化器12、22被提供於該面板100、200之外部表面。 一密封件330與一液晶層300被設置於該面板100、200之間 ，且一具有訊號線420之薄膜430以非等方性導電薄膜410被 銜接至該TFT陣列。 參考第4及5圖，根據本實施例之LCD的彩色濾光層230 被設置於該TFT陣列面板1〇〇上但未形成於該共同電極面板 ⑧ 20 1358132
200上❶該彩色濾光層230被設置於該無機鈍化層180a與該 光線阻斷元件160之間。該彩色濾光層230代表三原色如紅 色、綠色及藍色。該彩色濾光層之邊緣位於該資料線分 支17la、171b之間且覆蓋該資料線分支171a、171b之内部 5 邊緣。該彩色濾光層230僅設於該主動區域内且具有複數個 使該無機鈍化層180a之該接觸孔185邊緣曝光的接觸孔231 。由於該彩色濾光層230被設置於該TFT陣列面板100上，該 共同電極270被直接設置於該玻璃基板210上，如第5圖所示 。因此，根據本實施例之該共同電極面板200可輕鬆形成而 10無需執行平版印刷術。 參考第7至9圖，我們將詳述根據本發明第三實施例之 LCD。 第7圖為一佈局圖，顯示根據本發明第三實施例之LCD 的TFT陣列面板，第8圖為一包含第7圖中該TFT陣列面板與 15 20 取自線條範圍VII-VII，之共同電極面板的LCD斷面圖，第9 圖為一包含第7圖中該TFT陣列面板與取自線條範圍IX-IX， 之共同電極面板的LCD斷面圖。 第7至9圖中所示之該LCD具有與第4至6圖中所示之該 LCD類似的佈局與結構。 關於該TFT陣列面板100，複數條包含閘極丨24之閘線 121與複數條儲存電極線131被形成於一基板110上，且一閘 絕緣層14〇、複數個半導體島狀物154、以及複數個歐姆接 觸島161、162被依序地形成於其上方。複數條包括源極173 及成對之資料線分支171a、171b的資料線171、複數個汲極 ⑧ 21 175、以及—儲存連接部176被形成於該歐姆接觸島161、162 上且一無機鈍化層18如被形成於其上方。一彩色濾光層23〇 被形成於該無機鈍化層180a上且一有機鈍化層180b被形成 於其上方。複數個接觸孔181-186被提供於該鈍化層18〇a 5 、18〇15以及該閘絕緣層140上且複數個接觸孔231被形成 於该衫色濾光層230上。複數個像素電極190、複數個接 觸輔助件81 ' 82及複數個連接部85被形成於該有機鈍化 層180b上。 該共同電極面板200包括形成於其上方之一絕緣基板 10 210和—共同電極270。 對準層11、21被形成於該面板1 〇〇、2〇〇之内部表面上 ，且極化器12、22被提供於該面板100、200之外部表面。 述封件330與液晶層300被設置於該面板1〇〇、2〇〇之間 ，且一具有訊號線420之薄膜430以非等方性導電薄膜41〇被 15 銜接至該TFT陣列。 參考第7及9圖，根據本實施例之LCD的光線阻斷元件 160被設置於該絕緣基板21〇與該共同電極27〇之間之該共 同電極面板200上。第7圖中所示之位於該TFT陣列面板1〇〇 上的該光線阻斷元件160僅為其投影，以利理解。該面板1〇〇 20、200組裝後’ 1¾光線阻斷元件16〇宜比該資料線⑺寬，特 別是，它覆蓋該成對之資料線分支171&、171b。. 在第-及第二實施例中，該光線阻斷元件16〇被設置於 該無機鈍化層180a與該有機純化層腦之間，或位於該彩 色濾光層230上，當該光線阻斷元件16〇係由無機材料做成 ⑧ 22 1358132 時，其位置並不重要。舉例來說，該光線阻斷元件160可位 於該無機鈍化層180a或該彩色濾光層230下方。在此一情況 下，該光線阻斷元件160宜比該資料線分支171a、171b寬， 如上述。 5 第二及第三實施例可省略該有機鈍化層180b而保留 該彩色濾光層230，視該彩色濾光層230之材料而定。在 此一情況下，相鄰之彩色濾光層宜互相部份重疊以達極 化目的。
在第一至第三實施例中，半導體可設置於所有包括與 10 該資料線171和該閘絕緣層140位於同一層上之導體之間。 這可透過依序設置一半導體層、一歐姆接觸層、及一資料 金屬層然後在製造該面板100時使該等層依序地圖案化來 達成。 15 各該像素電極190可具有一至少彎曲一次之回飛棒形 狀，而非長方形形狀。在此一情況下，該資料線171與該光 線阻斷元件160可以如同該像素電極190地彎曲。 參考第10至12圖，我們將詳述根據本發明第四實施例 之LCD。 第10圖為一佈局圖，顯示根據本發明第四實施例之 20 LCD的TFT陣歹4面板，第11圖為一包含第10圖中該TFT陣歹|J 面板與取自線條範圍ΧΙ-ΧΓ之共同電極面板的LCD斷面圖 ，第12圖為一包含第10圖中該TFT陣列面板與取自線條範圍 ΧΙΙ-ΧΙΓ之共同電極面板的LCD斷面圖。
根據本實施例之該L C D具有與第1至3圖所示之該L C D ⑧ 23 1358132 類似的佈局與結構。
關於該TFT陣列面板100，複數條包含開極124之閉線 !21與複數條儲存電極線131被形成於一基板11〇上，且一閘 絕緣層140、複數個半導體島狀物154、以及複數個歐姆接 5觸島161、I62被依序地形成於其上方。複數條包括源極173 及成對之負料線分支171a、171b的資料線171、複數個沒極 175、以及一儲存連接部176被形成於該歐姆接觸島16卜162 上且一無機鈍化層180a與一有機鈍化層180b被形成於其上 方。複數個接觸孔181-186被提供於該鈍化層180a、180b以 10及該閘絕緣層140上。複數個像素電極190、複數個接觸輔 助件81、82及複數個連接部85被形成於該有機鈍化層18〇b 上。此外，複數個光線阻斷元件16〇被形成。 該共同電極面板200包括形成於其上方之一絕緣基板 210和一共同電極270。 15
20 對準層11、21被形成於該面板100、200之内部表面上 ，且極化器12、22被提供於該面板100、200之外部表面。 一密封件330與一液晶層300被設置於該面板1〇〇、200之間 ’且一具有訊號線420之薄膜430以非等方性導電薄膜41 〇被 銜接至該TFT陣列。 不同於第1至3圖所示之該LCD，根據本實施例之LCD 的光線阻斷元件160被設置於與該閘線121相同之層上。該 光線阻斷元件160大致朝一縱向延伸且與該閘線121及該儲 存電極線131斷線以呈浮動。 該光線阻斷元件160覆蓋該資料線分支171a、171b之間 24 ⑧ 的缺口且該光線阻斷元件160並不超出該資料線分支1713 、171b之外部邊緣，以避免該主動區域中之開口率降低。 如上所述，由於該光線阻斷元件16〇呈浮動，該資料線分支 171a、171b與該光線阻斷元件16〇之間並無寄生電容。 5 參考第13至15圖，我們將詳述根據本發明第五實施例 之 LCD。 第13圖為一佈局圖，顯示根據本發明第五實施例之 LCD的TFT陣列面板，第14圖為一包含第13圖中該tft陣列 面板與取自線條範圍χινοαν，之共同電極面板的LCD斷面 10圖’第15圖為—包含第13圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍XV-XV之共同電極面板的LCD斷面圖。 根據第五實施例之該LCD具有與根據第四實施例之該 LCD類似的佈局與結構。 關於該TFT陣列面板100，複數條包含閑極124之閉線 is m、魏條儲存電減13卜以及魏個光線崎元件⑽ .被形成於-基板n〇上，且一閘絕緣層刚、複數個半導體 島狀物154、以及複數個歐姆接觸島161、162被依序地形成 於其上方。複數條包括源極173及成對之資料線分支ma、 mb的資料線m、複數個汲極175、以及一储存連接部i76 20被形成於該歐姆接觸島⑹、162上且一無機純化層伽與 -有機鈍化層職被形成於其上方。魏健觸孔ΐ8ι韻 被提供於該鈍化層180a、_以及該閘絕緣層14〇上。複數 個像素電極190、複數個接觸輔助件81、似複數個連接部 85被形成於該有機鈍化層1801)上。 25 該共同電極面板200包括形成於其上方之一絕緣基板 210和一共同電極270。 對準層11、21被形成於該面板1〇〇、200之内部表面上 ’且極化器12、22被提供於該面板1〇〇、200之外部表面。 —岔封件330與一液晶層300被設置於該面板1〇〇、2〇〇之間 ’且—具有訊號線420之薄膜430以非等方性導電薄膜41〇被 銜接至該TFT陣列。 參考第13及14圖，根據本實施例之LCD的彩色濾、光層 23 0被設置於該T F T陣列面板10 0上但未形成於該共同電極 面板200上。該彩色慮光層230被設置於該無機鈍化層i8〇a 與該光線阻斷元件160之間。該彩色濾光層230代表三原色 如紅色、綠色及藍色。該彩色滤光層230之邊緣位於該資料 線分支171a、171b之間且覆蓋該資料線分支171a、171b之 内部邊緣。該彩色濾光層23 0僅設於該主動區域内且具有複 數個使該無機鈍化層180a之該接觸孔185邊緣曝光的接觸 孔231。由於該彩色濾光層230被設置於該TFT陣列面板1〇〇 上，該共同電極270被直接設置於該玻璃基板21〇上，如第 14圖所示。因此’根據本實施例之該共同電極面板2〇〇可輕 鬆形成而無需執行平版印刷術。 如上所述，各該資料線包括一組互相平行之資料線分 支’該像素電極與該資料線分支部分重疊，且一光線阻斷 元件覆蓋該資料線分支之間的缺口。因此，該資料線與該 像素電極之間的寄生電容被減少且開口率被增加。這可避 免寄生電容或其誤差所致之影像品質惡化，特別是，可以 ⑧ 26 降低寄生電容之誤差所產生的縫合缺陷。 雖然本發明已參考較佳實施例詳細說明如上，熟系此 項技藝之人士將理解，在沒有背離隨附申請專利範圍所定 義之本發明的精神與範疇下，各種修飾與替換皆是可行的。 5 【圖式簡單說明】 第1圖為一佈局圖，顯示根據本發明第一實施例之^^〇 的TFT陣列面板； 第2圖為一包含第i圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍Π-ΙΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 1〇 第3圖為-包含第1圖中該T F T陣列面板與取自線條範 圍ΠΙ_ΙΙΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 第4圖為佈局圖，顯示根據本發明第二實施例之1^]〇 的TFT陣列面板； 第5圖為—包含第4圖中該TFT陣列面板與取自線條範 15圍V-V’之共同電極面^LCD斷面圖； 第6圖為—包含第4圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍VI-VI’之共同電極面板的LCD斷面圖； 第7圖為一佈局圖，顯示根據本發明第三實施例之LCD 的TFT陣列面板； 20 第8圖為一包含第7圖中該TFT陣列面板與取自線條範 圍VII-νΐΓ之共同電極面板的lCd斷面圖； 第9圖為一包含第7圖中該T F τ陣列面板與取自線條範 圍IX-IX之共同電極面板的LCD斷面圖； 第10圖為一佈局圖’顯示根據本發明第四實施例之 27 1358132 LCD的TFTP車歹4面板； 第11圖為一包含第10圖中該TFT陣列面板與取自線條 範圍ΧΙ-ΧΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 第12圖為一包含第10圖中該TFT陣列面板與取自線條 5 範圍ΧΙΙ-ΧΙΓ之共同電極面板的LCD斷面圖； 第13圖為一佈局圖，顯示根據本發明第五實施例之 LCD的TFT陣歹丨J面板；
第14圖為一包含第13圖中該TFT陣列面板與取自線條 範圍XIV-XIV’之共同電極面板的LCD斷面圖；以及 10 第15圖為一包含第13圖中該TFT陣列面板與取自線條 範圍XV-XV’之共同電極面板的LCD斷面圖。 【主要元件符號說明】 11,21…對準層 151…半導體長條 12, 22…極化器 152, 154…半導體島狀物 81, 82, 86…接觸輔助件 154…突出部 85…連接部 160…光線阻斷元件 100—TFT陣列面板 161, 162…歐姆接觸島 110, 210…絕緣基板 171…資料線 121…閘線 171a, 171b…資料線分支 124…閘極 173…源極 129…端部 175···汲極 131···儲存電極線 176…儲存連接部 135···寬儲存電極 178…資料連接部 140···閘絕緣層 179…接觸部分 ⑧ 28 1358132 180a…無機鈍化薄層 181 〜186, 231···接觸孔 180b…有機鈍化層 190···像素電極 200···共同電極面板 230···彩色遽光層 250…透明有機絕緣層 270···共同電極 300···液晶層 330…膠黏劑 330···密封件 410···非等方性導電薄膜 420…訊號線 430··.薄膜
⑧ 29

Claims (1)

1^132
10 15
20 第94104190號專利申請案申請專利範圍修正本97年1月31曰十、申請專利範圍： 1. 一種薄膜電晶體陣列面板，包括： 複數條傳送閘訊號之閘線； 複數條與該閘線交叉並傳送資料訊號之資料線， 各該資料線包括互相電性連接且彼此隔開之第一及第 二資料線分支； 複數個像素電極，該像素電極透過薄膜電晶體被 電性連接至該閘線及該資料線且覆蓋該第一或第二資 料線分支之邊緣； 一設置於該資料線與該像素電極之間之鈍化層； 以及 一覆蓋該第一資料線分支與該第二資料線分支之 間之缺口的光線阻斷元件。 2. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 光線阻斷元件與該第一及第二資料線分支之較近邊緣 部份重疊，且不與該第一及第二資料線分支之較遠邊緣 部份重疊。 3. 如申請專利範圍第2項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 鈍化層包括一無機絕緣薄膜。 4. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 鈍化層包括有機絕緣體。 5. 如申請專利範圍第4項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 鈍化層包括彩色濾光片。 30 6.如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，進一步 包括與該像素電極部分重疊之儲存電極以形成儲存電 容。 7· 一種液晶顯示器，包括： 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板； 共同電極面板，該共同電極面板面對該TFT陣 列面板且包括一面對該像素電極之共同電極；以及 一設置於該TFT陣列面板與該共同電極面板之間 之液晶層。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器，其中該液晶層具 有陰極介電非等方性且該液晶層中之液晶分子的長軸 與該面板之表面成垂直地配向。 9. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示器，其中該共同電極 與該像素電極具有像素分割元件以使該液晶層中之該 液晶分子分割地配向。 瓜如中請專利範圍第9項之液晶顯示器’其中該像素分割 元件包括分割器或突出部。 U.如申請專利範圍第7項之液晶顯示器，其中該薄膜電晶 體陣列面板之各該薄膜電晶體包括一閘極、一源極、及 汲極，且该液晶顯示器進一步包括設置於該源極與該 汲極之間之第一半導體元件。 12·如申凊專利範圍第11項之液晶顯示器，進一步包括設置 於該資料線下方之第二半導體元件。 13·如申請專利範圍第12項之液晶顯示器’其中該第二半導 1358132 體元件具有大致與該資料線和該汲極相同的形狀，除了 該源極和該汲極之間的管道部分以外，且比該資料線 寬。 14. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器，其中該光線阻斷 元件包括與該閘線相同之層。 15. —種薄膜電晶體陣列面板，包括： 複數條傳送掃描訊號之閘線；
10 複數條與該閘線交叉並傳送資料訊號之資料線， 各該資料線包括互相電性連接且彼此隔開之第一及第 二資料線分支； 複數個像素電極，該像素電極透過薄膜電晶體被 電性連接至該閘線及該資料線且覆蓋該第一或第二資 料線分支之邊緣； 一設置於該資料線與該像素電極之間之彩色濾光 15 層；以及
一包括與該閘線相同之層並與該資料線部分重疊 之光線阻斷元件。 16. 如申請專利範圍第15項之薄膜電晶體陣列面板，進一步 包括一設置於該彩色濾光層與該資料線之間之無機絕 20 緣層。 17. 如申請專利範圍第15項之薄膜電晶體陣列面板，進一步 包括與該像素電極部分重疊之儲存電極以形成儲存電 容。 18.如申請專利範圍第15項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 32 1358132 像素電極至少彎曲一次。 19. 一種液晶顯示器，包括： 5
10 15
20 一薄膜電晶體陣列面板，包括複數條傳送掃描訊 號之閘線、複數條與該閘線交叉並傳送資料訊號之資 料線，各該資料線包括互相電性連接且彼此隔開之第 一及第二資料線分支、複數個像素電極，該像素電極 透過薄膜電晶體被電性連接至該閘線及該資料線且覆 蓋該第一或第二資料線分支之邊緣、以及一設置於該 資料線與該像素電極之間之彩色濾光層； 一共同電極面板，該共同電極面板面對該TFT陣 列面板且包括一光線阻斷元件，該光線阻斷元件具有 一突出部於覆蓋該第一及第二資料線分支之該TFT陣 列面板上；以及 一設置於該TFT陣列面板與該共同電極面板之間 之液晶層。 20. 如申請專利範圍第19項之液晶顯示器，進一步包括一設 置於該彩色濾光層與該資料線之間之無機絕緣層。 21. 如申請專利範圍第19項之液晶顯示器，進一步包括與該 像素電極部分重疊之儲存電極以形成儲存電容。 22. 如申請專利範圍第19項之液晶顯示器，其中該光線阻斷 元件在該T F T陣列面板上之投射覆蓋該資料線之兩端邊 緣0 23.如申請專利範圍第19項之液晶顯示器，其中該像素電極 至少彎曲一次。 33
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100242438B1 (ko) * 1996-08-30 2000-02-01 윤종용 능동 행렬형 액정 표시 장치
CN100504553C (zh) * 2004-02-06 2009-06-24 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器
KR101216688B1 (ko) * 2005-05-02 2012-12-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101348375B1 (ko) * 2005-09-07 2014-01-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치,그리고 표시 장치의 수리 방법
KR101197053B1 (ko) * 2005-09-30 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101240647B1 (ko) * 2005-10-13 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN100365496C (zh) * 2005-10-13 2008-01-30 友达光电股份有限公司 有源器件矩阵基板及其修补方法
EP2270583B1 (en) * 2005-12-05 2017-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
US20070242666A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Alcatel Apparatus for managing requests for data in a communication network
JP5039126B2 (ja) * 2007-03-26 2012-10-03 パイオニア株式会社 有機半導体素子及びその製造方法
CN101299124B (zh) 2008-06-25 2010-06-02 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板
KR101623224B1 (ko) * 2008-09-12 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101285638B1 (ko) * 2008-09-23 2013-07-12 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
CN101685233B (zh) 2008-09-23 2012-06-27 乐金显示有限公司 电泳显示设备及其制造方法
KR101276749B1 (ko) 2009-08-03 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
TWI386743B (zh) * 2009-12-01 2013-02-21 Au Optronics Corp 顯示面板
KR101735569B1 (ko) * 2010-02-24 2017-05-25 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 내장한 액정 표시 장치
US9568794B2 (en) * 2010-12-20 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5682385B2 (ja) * 2011-03-10 2015-03-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
US20130000118A1 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Shenzhen China Star Optpelectronics Technology Co. Assembly Method of Liquid Crystal Panel
CN102360146A (zh) * 2011-10-14 2012-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
GB2498072B (en) 2011-12-21 2015-03-18 Lg Display Co Ltd Display device and method for manufacturing of the same
GB2509844B (en) * 2011-12-21 2015-03-18 Lg Display Co Ltd Display device and method for manufacturing of the same
KR101996438B1 (ko) 2012-12-13 2019-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판, 이를 포함한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102084062B1 (ko) * 2013-08-26 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10008513B2 (en) * 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102074422B1 (ko) * 2013-10-10 2020-02-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102130545B1 (ko) * 2013-11-27 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102102155B1 (ko) * 2013-12-23 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
WO2016128860A1 (ja) 2015-02-12 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102271115B1 (ko) 2015-02-13 2021-06-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105093688B (zh) * 2015-07-16 2018-07-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
KR102498604B1 (ko) * 2015-07-22 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102523911B1 (ko) * 2016-02-05 2023-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10878165B2 (en) * 2018-07-16 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for generating layout diagram including protruding pin cell regions and semiconductor device based on same
CN109613740A (zh) * 2018-12-28 2019-04-12 天马微电子股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN113805392A (zh) * 2020-06-12 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法
KR20220082153A (ko) * 2020-12-09 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN114077089B (zh) * 2021-11-24 2023-10-13 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0667208A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
US5715025A (en) 1993-02-22 1998-02-03 Goldstar Co., Ltd. Active matrix for liquid crystal displays in which a data bus consists of two data subbuses and each data subbus is separated from an adjacent data bus by one display electrode
KR0139319B1 (ko) 1994-11-14 1998-06-15 김광호 한 화소에 이중배선과 복수의 트랜지스터를 구비한 액정 표시 장치
JP3866783B2 (ja) * 1995-07-25 2007-01-10 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JPH09236826A (ja) * 1995-09-28 1997-09-09 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP3634061B2 (ja) * 1996-04-01 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US5866919A (en) * 1996-04-16 1999-02-02 Lg Electronics, Inc. TFT array having planarized light shielding element
KR100209277B1 (ko) * 1996-04-25 1999-07-15 구자홍 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US6057038A (en) * 1996-08-02 2000-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same
JP3460914B2 (ja) * 1996-10-28 2003-10-27 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JPH10197894A (ja) 1996-12-28 1998-07-31 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法
KR19990026575A (ko) 1997-09-25 1999-04-15 윤종용 화소 결함 구제 구조를 갖는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터기판
KR100517135B1 (ko) 1997-10-27 2005-11-29 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판
KR100471391B1 (ko) 1997-12-08 2005-06-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 소자
KR100247272B1 (ko) 1998-01-26 2000-03-15 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR20000050909A (ko) 1999-01-15 2000-08-05 윤종용 액정표시장치
JP2000310783A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Canon Inc 液晶素子
CN1195243C (zh) 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
JP2001108959A (ja) 1999-10-04 2001-04-20 Canon Inc 液晶装置
JP4115649B2 (ja) * 2000-03-30 2008-07-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3645184B2 (ja) * 2000-05-31 2005-05-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
KR100385886B1 (ko) 2000-06-15 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4489913B2 (ja) 2000-07-25 2010-06-23 株式会社平和 遊技機用電子デバイス搭載回路基板
KR100518051B1 (ko) * 2001-01-11 2005-09-28 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치와 그 제조 방법
JP4991052B2 (ja) 2001-02-28 2012-08-01 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示パネル
KR100848108B1 (ko) 2001-03-16 2008-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치, 그의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
JP2002131784A (ja) 2001-07-26 2002-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP3605823B2 (ja) * 2001-08-03 2004-12-22 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ・アレイ基板およびアクティブマトリックス型液晶表示装置
JP3806629B2 (ja) 2001-09-28 2006-08-09 三洋電機株式会社 液晶表示装置
KR100796795B1 (ko) * 2001-10-22 2008-01-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
US6862052B2 (en) 2001-12-14 2005-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display, thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR100776939B1 (ko) 2001-12-28 2007-11-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
US7072012B2 (en) * 2003-05-12 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device including data line divided into first and second branch lines and method of fabricating the same
JP3958306B2 (ja) * 2003-09-02 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2005091819A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Sharp Corp 液晶表示装置
CN100504553C (zh) * 2004-02-06 2009-06-24 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器

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