TWI312901B - - Google Patents

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TWI312901B
TWI312901B TW091115191A TW91115191A TWI312901B TW I312901 B TWI312901 B TW I312901B TW 091115191 A TW091115191 A TW 091115191A TW 91115191 A TW91115191 A TW 91115191A TW I312901 B TWI312901 B TW I312901B
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Description

1312901 A7
1312901 五、發明説明（ 於提供-液晶顯示裝置，其可解決薄膜電 之配向的誤差造成的問題。 飞電谷70件 以下簡單說明本案揭示之發明中具代表性者之概要。 (1) 本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 在隔著液晶對向配置之各基板中— 之面之各圖純域上，具備薄膜電中^，方之基板之液晶侧 晶體之構造具有：間極電極，其係連接於問極 -導體層’其係隔著此閘極電極與絕緣膜而層積 、’汲極電極’其係於此半導體層上連接於沒極信號線；及 源極電極，其係連接於圖素電極；並且 前述半導體層係至少於該源極電極被拉出的邊，以比該 源極電極之寬幅大的寬幅區間成周期性凹凸形狀。 (2) 本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 側 在隔著&晶對向配置之各基板中之—方之基板之液晶 之面之各圖素上，具備薄膜電晶體， 其 電 極 ^此薄膜電晶體之構造具有：閘極信號線；半導體層， 係於此閘極信號線之一區域上隔著絕緣膜而層積；没極 極，其係於此半導體層上連接於汲極信號線；及源極電 ’其係連接於圖素電極；並且 該 别述半導體層係至少於該源極電極被拉出的邊，以比 源極電極之寬幅大的寬幅區間成周期性凹凸形狀；並且 前述閑極信號線於其薄膜電晶體形成區域附近’藉由 該源極電極被拉出側之邊突出形成，而成為較寬。 (3 )本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 1312901 A7 B7 五、發明説明（ 於隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之液晶側 之面上，具備：複數之閘極信號線，其係並列設置者；及 複數之汲極彳S號線，其係與該等各閘極信號線交差並列設 置者； 於由3亥等閘極仏號線與汲極信號線所圍住之各圖素區域 上’具備.薄膜電晶體，其係、由來自—方側之閘極信號線 之掃號所驅動纟，圖素電極，其係經由此薄膜電晶體 被供給來自一方側之汲極信號線之影像信號；及電容元件 ，j係形成於此圖素電極與他方側之閘極信號線之間； w述電今元件係包含：第丨絕緣膜，其係於前述他方侧之 閘極信號線上’由前述薄膜f晶體之閑極絕緣膜延伸形成 者；導電層，其係形成於此絕緣膜上；第2絕緣膜，其係由 此導電層上被覆前述薄膜電晶體之保護膜延伸形成者；前 述圖素電極之延伸部，其係形成於此第2絕緣膜上；而該延 伸部係通過形成於前述第2絕緣膜上之通孔，形成於前述導 電層者。 (4)本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： :隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之液晶側 具備·複數之閉極信？虎線，其係、並列設置者；及 .、及極t號線’其係與該等各閘極信號線交差並列設 於由該等閑極信號線與汲極信號線所圍住之各圖素區域 播具備：薄膜電晶體，其係由來自一方側之間極信號線 知^號所驅動者；圖素電極，其係經由此薄膜電晶體 -6- 1312901 五 、發明説明（ 被^ 給來自-方側之汲極信號線之影像信號；及電容元件 八係形成於此圖素電極與他方側之閘極信號線之間. 『述電容元件係包含··紅絕緣膜，其係於前述他方側之 ^極n線上，由前述薄膜電晶體m緣膜延伸形成 =導電層，其係形成於此絕緣膜上，·第2絕緣膜，其係由 $導電層上被覆前述薄膜電晶體之保護膜延伸形成者.及 前述圖素電極之延伸部，其係形成於此第2絕緣n該 :伸部係通過形成於前述第2絕緣膜上之通孔，形 導電層者；並且 跨過該閘極 前述導電層係於閘極信號線之寬方向延伸 信號線而形成。 (5)本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 於隔著液晶對向配置之各基板中之—方之基板之液晶側 之面上，具備··複數之閘極信號線’其係並列設置者；及 複數之沒極信號線，其係與該等各閑極信號線交差設 置者； 於由該等問極信號線與沒極信號線所圍住之各圖素區域 上’具備1膜電晶體’其係由來自一方側之閑極信號線 之掃描信號所驅動者；圖素電極，其係經由此薄膜電晶體 被供給來自-方側之汲極信號線之影像信號；及電容元件 ，其係形成於此圖素電極與他方側之閘極信號線之間； 前述電容元件係包含：&絕緣膜，其係於前述他方側之 閘極㈣線上’由前述薄膜電晶體之閑極絕緣膜延伸形成 者；導電層’其係形成於此絕緣膜上；第2絕緣膜，其係由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ 1312901
五、發明説明（ 此導電層上被覆前述薄膜電晶體之保護膜延 前述圖素電極之延伸部，其係、形成於此第2絕緣膜上而二 延伸部係通過形成於前述第2絕緣膜上之通孔 於^ 導電層者；並且 心成於刖述 具備支柱狀之間隔件，其係、形成於前述各基板中之他方 之基板之液晶側之面上，於前述電容元件之形成區域内相 對向者；此間隔件係避開前述通孔之形成區域而形成者。 (6) 本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 在隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之液晶側 之面之各圖素區域上，具備薄膜電晶體， 此薄膜電晶體具有：閘極絕緣膜，其係形成於閘極電極 上；半導體層，其係形成於此絕緣膜上，與前述閑極電極 間隔配置之其他圖素區域側有圓弧部之大致成半圓形之圖 案者；汲極電極，其係於此半導體層上沿該半導體層之圓 弧部成圓弧形狀者；及源極電極，其係位於此圓弧形汲極 電極之中心點位置之圓形形狀者，具有延伸部，以與其直 徑大致相等的寬幅向該圖素區域側延伸；而 刖述半導體層係至少於該源極電極被拉出的邊，以比該 源極電極之寬幅大的寬幅區間成周期性凹凸形狀。 (7) 本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 於隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之液晶側 之面上，具備：複數之閘極信號線，其係並列設置者；及 複數之汲極信號線，其係與該等各閘極信號線交差並列設 置者； 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs) A4规格(21〇 X 297公釐) 1312901 A7 -------------Β7 五、發明説明（6 ) " ' 於由6亥等閘極信號線與汲極信號線所圍住之各圖素區域 上二具備：薄膜電晶體，其係由來自一方側之間極信號線 、掃& 15虎所驅動I，圖素電極，其係經由此薄膜電晶體 被供給來自-方侧之沒極信號線之影像信號；及電容元件 f係形成於此®素電極與他方側之閘極信號線之間； 前述薄膜電晶體具有：閘極絕緣膜，其係形成於前述一 方側=閘極信號線上；半導體層，其係形成於此絕緣膜上 ”月』述κ則之閘極信號、線間隔酉己置之纟他圖素區域側 有圓弧部之大致成半圓形之圖案者；沒極電極，其係於此 半導體層上沿該半導體層之圓弧部成圓孤形狀者；及源極 電極，其係位於此圓弧形汲極電極之中心點位置之圓形形 狀者，具有延伸部，以與其直徑相等的寬幅向該圖素區域 侧延伸； 前述電容元件於前述他方側之閘極信號線i，係至少包 含m缘膜，其係於由前述薄膜電晶體之閘極絕緣膜延 伸形成者42絕緣膜’其係、由被覆前述薄膜電晶體之保護 膜延伸形成者：及前述圖素電極之延仲部，其係形成於此 第2絕緣膜上； 構成前述電容元件之-部分之該他方側之閘極信號線， 係具備突出部，其係與以此閘極信號線為間隔之其他圖素 區域之圖素電極之一部分相重疊者。 (8)本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 在隔著液晶對向配置之各基板中之—方之基板之液晶側 之面之各圖素區域上，具備薄膜電晶體， 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格(210X297公釐) 1312901 五、發明説明（7 此：膜電晶體具有：閘極絕緣膜’其係形成於閘極電極 二+導體層’其係形成於此絕緣膜上，與前述閘極電極 配置之其他圖素區域側有圓弧部之大致成半圓形之圖 弧邱極電極’其係於此半導體層上沿該半導體層之圓 ::成圓弧形狀者及源極電極，其係位於此圓弧形汲極 電極之中心點位置之圓形形狀者，具有延伸部，以與其直 偟大致相等的寬幅向該圖素區域側延伸；而 :::閘桎電#’係具備突出部，其係於其薄膜電晶體之 "極被拉出之側之邊上，與該源極電極相重疊，向該 源極電極之延伸方向延伸者。 (9)本發明之液晶顯示裝置係例如特徵在於： 於隔著液晶對向配置之各基板中之_方之基板之液晶側 之面上’具備：複數之閘極信號線，其係並列設置者；及 複數之汲極信號線，其係與該等各閘極信號線交差並列設 置者； 於由6亥等閘極信號線與汲極信號線所圍住之 \具備··薄膜電晶體，其係由來自一方側之閉極信號： 之掃描信號所驅動者；圖素電極，其係經由此薄膜電晶體 被供給來自-方側之汲極信號線之影像信號；及電容元件 ’其係形成於此圖素電極與他方側之閘極信號線之間； 前述薄膜電晶體具有：閘極絕緣臈，其係形成於前述一 方側之閘極信號線上；半導體層，其係形成於此絕緣膜上 ，與前述-方側之閑極信號線間隔配置之其他圖素區域側 有圓孤部之大致成半圓形之圖案者；没極電極，其係於此 本紙張尺度適用中固國家標準(CNS) A4規格(210X297公 -10- 1312901 、發明説明（ =體=沿該半導體層之圓弧部成圓狐形狀者；及源極 電桎，其係位於此圓弧形汲極電極之中心點位 大者，具有延伸部，以與其直徑大致相等圖^ 區域側延伸； 見τ田向*亥圖素 八則述電容元件於前述他方側之閘極信號線上，係至少包 :开=絕緣广其係於由前述薄膜電晶體之閑極絕緣雇： 伸开/成者；第2絕緣膜，其係由被覆前述薄膜電 膜延伸形成者.用呤冲同本帝& 體之ί呆4 第2絕緣膜上； 伸部，其係形成於此 ::第2絕緣膜，係僅由有機材料層構成’或由無機材料 層及有機材料層依序層積構成；並且 構成前述電容元件之-部分之該他方侧之閘極信號線， :二備大出部’其係與以此閘極信號線為間隔之其他圖素 區域之圖素電極之一部分相重疊者。 【圖式之簡單說明】 圖1為本發明之液晶顯示裝置之圖素之—實施例之平面圖。 圖2為本發明之液晶顯示裝置之一實施例之全體平面圖。 圖3為圖1之in—ji丨線之剖面圖。 圖4為本發明之液晶顯示裝置之效果說明圖。 圖5Α D為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之要部平面圖。 圖6為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之平面 圖。 圖7為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之 圖。 本紙張尺度通用巾a ®家標準(CNS) A4W(21G X挪公釐) 11 - 1312901 A7 B7 五 發明説明（ 圖8為圖7之VIII—vm線之剖面圖。 圖9為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之剖面 圖。 圖1 〇為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之平 面圖。 圖π為圖10之;XI—XI線之剖面圖。 圖12為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之平 面圖。 圖13為圖12之χιπ—χΙΠ線之剖面圖。 圖14A-C為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之要部平 面圖。 圖15為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之平 面圖。 圖16為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之要 部平面圖。 圖17為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之要 部平面圖。 圖18為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之平 面圖。 圖19為本發明之液晶顯示裝置之圖素之其他實施例之 面圖。 圖20為基於圖18所示構造附加實際設計階段所定的尺 之平面圖。 ' 【符號之說明】 -12- 本紙張尺歧t目目家料(CNS) Α4胁(210 X 297公釐) ---------- A7 B7 1312901 五、發明説明（1。) SUB……透明基板，GL……閘極信號線，DL……汲極信號 線，TFT......薄膜電晶體，Cadd......電容元件，PX......圖 素電極，CT……對向電極，AS……半導體層，SD1……汲 極電極’ SD2......源極電極，CND......導電層，SP......支 柱狀之間隔件，PRO……突出部，CL……遮光膜，PSV… …保護膜，CH……接觸孔。 【發明之實施形態】 以下，用圖式說明本發明之液晶顯示裝置之實施例。 實施例1. 圖2為本發明之液晶顯示裝置之一實施例之平面圖。 同圖中，隔著液晶相互對向配置一對透明基板SUB 1、 SUB2，該液晶係由密封材SL封入，其並兼將他方之透明基 板SUB2固定於一方之透明基板SUB 1。於由密封材SL所圍 住之前述一方之透明基板SUB 1之液晶側之面上，形成：於 其X方向延伸並於y方向並列設置之閘極信號線GL，及於y方 向延伸並於y方向並列設置之汲極信號線DL。 由各閘極信號線GL與各汲極信號線DL所圍住之區域構成 圖素區域，並且該等各圖素區域之矩陣狀之集合體構成液 晶顯不部AR。 於各圖素區域上，形成依來自其一側之閘極信號線GL之 掃描信號而進行動作之薄膜電晶體TFT，及經由此薄膜電晶 體TFT被供給來自一側之汲極信號線DL之影像信號之圖素 電極P X。 此圖素電極PX，於他方之透明基板SUB2側之各圖素區域 -13- 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1312901 A7 I---- B7 五、發明説明（”) 上共通形成之對向電極（未圖示）之間產生電場，由此電場控 制液晶之光透過率。 則述閘極信號線Gl之各之一端延伸超過前述密封材％， 其延伸端構成與垂直掃描驅動電路V之輸出端子相連接之端 子。又，前述垂直掃描驅動電路v之輸入端子被輸入來自液 晶顯示面板外部所配置之印刷基板之信號。 垂直掃描驅動電路V係由複數個半導體裝置所成，相鄰接 之複數閘極信號線被群體化，該等各群體各分配一個半導 體裝置。 同樣的，前述汲極信號線DL之各一端延伸超過前述密封 材SL，其延伸端構成與影像信號驅動電路He之輸出端子相 連接之端子。又，前述影像信號驅動電路He之輸入端子被 輸入來自液晶顯示面板外部所配置之印刷基板之信號。 此影像彳§號驅動電路He亦係由複數個半導體裝置所成， 相鄰接之複數汲極信號線被群體化，該等各群體各分配— 個半導體裝置。 前述各閘極信號線GL由來自垂直掃描電路v之掃描信號 依序選擇其一。 ° ~ 又’前述各汲極信號線DL各由影像信號驅動電路^£，配 合前述閘極信號線GL之選擇時序供給影像信號。 圖1為前述圖素區域之構造圖，同圖之ΠΙ — II]t線之剖面 示於圖3。 圖1中，於透明基板SUB1之液晶側之面上，首先，形成於 X方向延伸並於y方向並列設置之一對閘極信號線GL。 • 14 - 1312901
等閘極信號線GL與後述之一對汲極信號線1^共同圍出矩 形形狀之區域，將此區域構成為圖素區域。 另外，於形成此閘極信號線GL之同時形成遮光臈CL，此 遮光臈CL係於圖素區域之左右側平行接近汲極信號線dl而 設置。 此遮光膜CL係與形成於透明基板SUB2側之黑矩陣共同區 畫出圖素區域者，藉由該遮光膜(：]1之存在，可使透明基板 SUB2對透明基板SUB1貼合之際之裕度增大。 如此於形成有閘極信號線GL與遮光膜（^之透明基板SUB1 之表面上，將例如SiN所成絕緣膜GI被覆該閘極信號線 予以形成。 此絕緣膜GI於後述之汲極信號線DL之形成區域中，對前 述閘極信號線GL具有作為層間絕緣膜之機能，於後述之薄 膜電晶體TFT之形成區域中，具有作為其閘極絕緣膜之機能 ，於後述之電容元件Cadd之形成區域中，具有作為其誘電 體膜之機能。 又’於此絕緣膜GI之表面’與前述閘極信號線gl之一部 分相重疊形成由例如非晶質Si所成半導體層AS。 此半導體層AS係為薄膜電晶體TFT之半導體層，藉由於 其上面形成汲極電極SD1及源極電極SD2，可構成將閘極信 號線GL之一部分作為閘極電極之逆交錯（stagger)構造之mis 型電晶體。 於此’前述汲極電極SD 1及源極電極SD2係於例如汲極信 號線DL之形成之際被同時形成。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐) 13 1312901 A7 B7 五、發明説明（ 即’形成於y方向延伸並於χ方向並列設置之汲極信號線 DL ’其一部分係延伸至前述半導體層as之上面為止形成汲 極電極SD1 ’又’與此汲極電極SD1僅離開間隔約薄膜電晶 體TFT之通道長的分’形成源極電極SD2。 此源極電極SD2自半導體層AS面稍延伸至圖素區域側之 絕緣膜GI之上面為止，形成用以與後述之圖素電極ρχ連接 之接觸部CN。 於此’前述半導體層AS至少，於其上層所形成之源極電 極SD2被拉出於未形成有該半導體層as之區域為止的邊部 中’形成周期的重複凹凸的鋸狀圖案。 如此做的理由係因：半導體層AS之段差部之源極電極 SD2之分段造成的問題’藉由做成前述鋸狀圖案，使段差部 之長度增大’可使得發生分段的部分不會遍及該段差部之 全部。 又’對半導體層AS形成源極電極SD2之情況下，即使有 源極電極SD2之配向之誤差（特別係x方向之誤差），對半導 體層AS之該源極電極SD之重疊面積亦無變化。 於此，X方向之配向誤差所造成之問題在於：一般液晶顯 示部AR之X方向邊比y方向邊大，依此，父方向之配向誤差 比y方向之配向誤差大，而無法忽視。 另外，半導體層AS與汲極電極SD1及源極電極SD2之界面 开> 成摻雜高濃度雜質之薄層，此層之機能在作為接觸層。 此接觸層係於例如半導體層AS之形成時，其表面已形成 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐) " ------- 1312901 A7 ________B7 五、發明説明（14 ) 南遭度之雜質層，可將其上面所形成之汲極電極sm及源極 電極SD2之圖案作為掩罩’藉由蝕刻自其露出之前述雜質層 而予以形成。 ' 如此於形成有薄膜電晶體TFT ,汲極信號線DL，汲極電 極SD1，及源極電極SD2之透明基板SUB1之表面，形成由例 如SiN等之無機材料層與樹脂等之有機材料層之依序層積所成 保護膜psv。此保護膜PSV係避免與前述薄臈電晶體tft之 液晶直接接觸之層，可防止該薄膜電晶體11?了之特性劣化。 保護膜PSV之上面形成有圖素電極卩又。此圖素電極ρχ係 由例如ITO(Indium-Tin-Oxide)膜所成透光性之導電膜所構 成。 此圖素電極PX係避開薄膜電晶體TFT之形成區域而占據 圖素區域之大部分而形成。又，其一部分通過形成於前述 保護膜PSV之一部分之接觸孔CH，而與薄膜電晶體TFT之 源極電極SD2電性連接。 又’圖素電極PX係延伸至與驅動其所連接之前述薄膜電 晶體TFT之閘極信號線GL相異之其他鄰接的閘極信號線gl 之上方為止，形成與該其他閘極信號線GL相重疊的部分。 於此部分中，圖素電極PX與其他閘極信號線GL之間，形成 以前述保護膜PSV作為誘電體膜之電容元件Cadd。 此電容元件Cadd具有例如將供給至圖素電極ρχ之影像信 號蓄積較久等機能。 又，如此於形成有圖素電極PX之透明基板SUB 1上面，形 成被覆該圖素電極PX之配向膜（未圖示）。此配向膜係直接 -17- 本紙强·尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1312901
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與圖1對應之圖。 與圖1之情況比較，相異的構造為：閘極信號線GL之中， 於薄膜電晶體TFT之半導體層AS重疊的附近部為較寬，特 別是該薄膜電晶體TFT之源極電極SD2之拉出側之邊部，形 成為自圖素區域側突出（伸出）的圖案。 在做成如此之情況’依半導體層AS對閘極信號線gl之配 向誤差，可避免該半導體層人8之一部分自閘極信號線GL突 出。 實施例1所示半導體層AS之上述特徵性圖案之效果，係以 將該半導體層AS重疊形成於閘極信號線GL上為前提，係基 於該半導體層AS之一部分自閘極信號線突出之情況無法 獲得上述效果。 實施例3. 圖7為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之構造圖，為 與圖1對應之圖。又，圖7之VI„—VIII線之剖面示於圖8。 與圖1之情況比較，相異的構造為：電容元件之部分 。隔著閘極信號線GL與絕緣膜以形成導電層eND，此導電 層CND通過形成於其上層之保護膜psv上所形成之通孔，連 接圖素電極PX之延伸部。 於此，則述導電層CND係於例如汲極信號線DL之形成之 際被同時形成^ 依此，不需縮小圖素區域之開口部，即可增大電容元件 Cadd之電容量。 此情況，因電容元件Cadd之容量增大，無法否認前述導 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐)
裝 訂
線 1312901 A7 B7 五、發明説明（17 ) 電層CND之配向誤差因電容值之變動而增大。 因此’此實施例中，前述導電層CND於閘極信號線GL之 寬方向中，係形成為充分跨過該閘極信號線GL。依此，於 忒導電層CND即使產生圖中y方向之配向誤差，因該導電層 CND與閘極信號線GL之重疊部之面積不變，可使電容元件 Cadd之電容量不會變動。 圖8所示’藉由在設定閘極信號線gl之寬幅為W5，跨過 此閘極信號線GL形成之前述導電層CND之一方之突出部之 突出寬幅為W4，閘極信號線GL與圖素電極ρχ之分離距離 為W3之情況，使次式（丨）之關係成立，可避免圖素電極ρχ之 寄生電容增加，並且可抑制電容元件Cadd之電容值變動。 【式 1】 l/4xW3^W4 ^ 3/4χ W3 ......⑴ 又，此實施例係未施行薄膜電晶體TFT與其源極電極SD2 之配向誤差對策之構造。JL中告妒 八T *然亦可直接採用實施例1、 2所示之構造。 實施例4. 圖9為本發明之液晶顯示袭置之其他實施例之構造圖，為 與圖8對應之圖。
接保通過該層積體上所形成之通孔進行。 藉由形成此種保護膜PSV，其表面平坦化 ΡΧ而形成之配向膜ORI1之刷擦處理 被覆圖素電極 可得具可靠度者。又 -20- 1312901
藉由有機材料層所成之保護 之電容值之減少雖無法避免 的範圍内。 膜OPAS之形成，電容元件Cadd ’但可將其減少量抑制於極小 另卜jtb貫施例巾，保護膜pS v雖係由無機材料層所成之 保護膜IPAS與有機材料層所成之保護膜〇pAs依序層積形成 ，但僅由有機材料層所成之保護膜〇pAS形成，亦可獲同 之效果。 ’ 又，此實施例係未施行薄膜電晶體TFT與其源極電極SD2 之配向誤差對策之構造。其中當然亦可直接採用實施例卜 2所示之構造。 實施例5. 圖10為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之構造圖， 為與圖7對應之圖。又，圖10之XI—XI線之剖面示於圖U。 與圖7之情況比較，相異的構造為：圖素電極ρχ延伸至閘 極信號線GL側，依此，與該閘極信號線GLi χ方向邊之一 部分相重疊。又，該圖素電極Ρχ亦延伸至汲極信號線1)1^側 ’與該汲極信號線DL.之一部分相重疊。 依此，可提咼圖素區域之開口率。此情況，圖素電極ρχ 雖與前述導電層CND的一部分相重疊，但該等之間所產生 的電容，可由有機材料所成之保護臈〇PAs大幅抑制，可防 止造成對畫質的影響。 實施例6. 圖12為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之構造圖， 為與圖7對應之圖。又，圖12之XIII-χΠΙ線之剖面示於圖 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公董) 1312901
13 ° 與圖7之情況比較，相異的構造為：使用以使透明基板 SUB2對透明基板SUB1i間隙均一化的間隔件卯之構造明 確化。 該間隔件sp係由形成於透明基板SUB2之液晶側之面上之 支柱狀之間隔件SP所成，此間隔件SP係與電容元件。化相 對向形成。電容元件Cadd之形成區域具有較大的面積，若 與其相對向配置該間隔件Sp ,則不必降低開口率。 另外，支柱狀之間隔件SP係將塗布於透明基板SUB2之液 晶側之面之全域上的有機材料層以光學微影蝕刻技術之選 擇蝕刻法形成者，其形成處可任意設定。 、又，忒支柱狀之間隔件把係避開電容元件以如之形成區 f内之用以連接導電層CND與圖素電極ρχ之延伸部之通孔 邛CH電配置。因為在與通孔部cH相對向配置該間隔件”之 情況下可確保間隙之精確度。 ,又’如圖13所示，在設定間隔件之頂部之大小(剖面為圓 形之It况為其直徑’剖面為矩形之情況為其寬幅)為W6，通 孔部CH之底面之大小（剖面為圓形之情況為其直徑，剖面為 矩形之If况為其寬幅）為W7之情況，以設定為具有W6 > W7 之關係較佳。 在將透明基板SUB2對透明基板SUB丨貼合之際，該等之相 對位置之此料^ f么止
— 是’係為防止間隔件SP完全嵌入通孔部CH 無法拔出。 另卜則述間隔件SP若形成於電容元件Cadd之形成區域 -22-
1312901 A7 _____ B7 五、發明説明（2〇 ) 内避開前述通孔部CH之處，亦可配置於如圖i4(A)至（〇所 示之部分。 實施例7. 圖15為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之構造圖， 為與圖12對應之圖。 與圖12之情況比較，相異的構造為：薄膜電晶體τρτ。即 ’其半導體層AS於該圖素區域與相反側中成為有圓弧部之 大致半圓形之圖案，其汲極電極SD1係沿該半導體層八8之 圓弧部成圓弧形狀，並且源極電極SD2係為位於成圓弧形之 汲極電極SD1之中心點位置之圓形形狀，具有與其直徑等幅 度延伸至該圖素區域側之延伸部。 •此種構造之薄膜電晶體TFT具有與圓弧形汲極電極8£>1之 長度對應之寫入能力’並且源極電極SD2之寬度大幅減小之 故，可使閘極一源極間容量（Cgs)減小，可使其變動減小。 惟，源極電極S D 2之寬幅減小，係因半導體層a s之段差 之部分易產生分段’此實施例，特別係於大致成半圓形圖 案之半導體層A S中，其圓弧部以外的部分，即，源極電極 SD2被拉出之邊部係做成周期的凹凸形狀。 如此’由源極電極SD2被覆之半導體層as之段差部，因 其蛇行可使長度增加’即使一處產生分段，亦可確保其他 處電性連接。 又’即使對半導體層AS產生源極電極SD2之配向誤差， 閘極一源極間電容（Cgs)幾乎不產生變動，與實施例1所示者 相同。 -23- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) " --- 1312901 A7 B7 21 五、發明説明（ 另外，上述實施例中汲極電極SD1i形狀雖為半圓弧形， 但並不限定於此，如圖16所示，當然亦可為具有大約6〇。開 角之圓弧形。因汲極電極SD1之前述開角係依薄膜電晶體 TFT之通道寬幅之設定而定。 實施例8. 圖17為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之構造圖， 為與圖15對應之圖，係為薄膜電晶體TFT之形成區域附近之 表不圖。 與圖15之情況比較，相異的構造為：實施例7所示之薄膜 電晶體TFT之構&使用帛電場方式之液晶顯示震£之薄膜電 晶體TFT者。 於此檢電场方式之液晶顯.示裝置係為對向電極c τ與圖 素電極PX—起形成於透明基板SUB1之液晶側之面，該等形 成互相咬合之櫛齒狀圖案。 / 此種構造之液晶顯示裝置，係以圖素電極ρχ與對向電極 CT之間所產生的電場中之水平方向之成分驅動液晶，對液 晶顯示裝置之斜向之觀視可呈現良好的晝質，即具有廣 之視野角特性。 、 活 薄膜電晶體TFT之源極電極SD2與圖素電極PX之連接係與 目前為止之實施例完全相同之故，可依樣沿用。 實施例9. 圖18為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之構造圖， 為與圖1 5對應之圖。 於此，與圖1 5之情況比較，相異的構造為：電容元件 -24-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公嫠） 1312901 22 五、發明説明（
Cadd之構造。 、P該電谷元件Cadd之形成區域之閘極信號線机之 ^延伸至圖素區域側，設有突㈣PR01，其突出部PR011 則端部與圖素電極PX相重疊而形成。 之 &薄膜電Ba體TFT係如上所述其源極電極犯2之寬幅形成 較窄，無法確保其閘極―源極容量（Cgs)之故，於前述電容 兀件Cadd之形成區域中確保閘極—源極之電容。 信 往 此情況，於共用閘極信號線GL之各圖素區域之電容 ⑽中’自掃描信號之供給端至其相反側之端，藉由依序 調整閘極-源極容量使其自小而大變化，可防止因掃描 號之信號歪斜造成雜訊弊害，並且該調整極為容易。以 在具備有寬幅窄之源極電極SD2之薄膜電晶體tft之情況 該薄膜電晶體TFT之閘極—源極之電容量之調整極為困難。 另外’圖20為將本實施例之構造加上實際之設計段階所 定之尺寸之平面圖，為薄膜電晶體TFT與電容元件Cadd之 附近。 實施例10. 圖19為本發明之液晶顯示裝置之其他實施例之構造圖， 為與圖15對應之圖。 與圖15之情況比較，相異的構造為：首先，前述保護膜 PSV係僅由有機材料層構成’《由無機材料層及有機材料層 依序層積構成。 又，於薄膜電晶體TFT之形成區域中，閘極信號線见之 一部分具有沿薄膜電晶體TFT之源極電極SD2之長方向延伸 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） A7 B7 1312901 五、發明説明（23 ) 之突出部PR02，其突出部PR02與該源極電極SD2相重疊。 即，鑑於前述保護膜之閘極一源極電容無法充分確保， 而增大薄膜電晶體TFT之源極電極SD2與閘極信號線GL之重 疊區域。 又，共用閘極信號線GL之各圖素區域之薄膜電晶體TFT 之閘極一源極電量之調整，係藉由調整閘極信號線GL之延 伸部之延伸方向之長度而進行。 另外，此實施例所示薄膜電晶體TFT之構造，當然亦可使 用於上述橫電場方式之液晶顯示裝置，又，亦可使用於其 以外之構造之液晶顯示裝置，又，當然亦可使用於具備薄 膜電晶體TFT之使用EL (Electro Luminescence，電子發光）元 件之顯示裝置。 由以上說明可知，依本發明之液晶顯示裝置，可其解決 薄膜電晶體或電容元件之配向誤差問題。 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

1312901 as Βδ C8
裝 m 1312901
液晶側之面上，具備：複數 罟去· n ^ ⑺拉仏說線，其係並列設 置者，及硬數之汲極信號線，其传 交差並列設置者； -係與㈣各問極信號線 域Γ由&等閘極信號線與及極信號線所圍住之各圖素區 或上，具備：薄膜電晶體，其係由 ’、 :線之“信號所驅動者；圖素電極，其係經由此薄膜 冬曰々側之及極仏號線之影像信號；及 電容凡件’其係'形成於此圖素電極與他方側之閘極 線之間； σ 7 其特徵在於： 刖述電谷元件係包含：第丨絕緣膜，其係於前述他方 側之閘極信號線上，由前述薄膜電晶體之閘極絕緣膜延 伸形成者，導電層，其係形成於此絕緣膜上；第2絕緣 膜，其係由此導電層上被覆前述薄膜電晶體之保護膜延 伸形成者；前述圖素電極之延伸部，其係形成於此第2 絕緣膜上；而該延伸部係通過形成於前述第2絕緣膜上 之通孔’形成於前述導電層者。 一種液晶顯示裝置， 其係於隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之 液晶側之面上’具備：複數之閘極信號線，其係並列設 置者；及複數之汲極信號線，其係與該等各閘極信號線 交差並列設置者； 於由該等閘極信號線與汲極信號線所圍住之各圖素區 域上’具備.薄膜電晶體’其係由來自一方側之閘極信 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4规格(210X 297公釐) ABCD 1312901 號線之掃描信號所驅動者；圖素電極，其係經由此薄膜 電晶體被供給來自一方側之汲極信號線之影像信號；及 電容元件’其係形成於此圖素電極與他方侧之閘極信號 線之間； ° ; 其特徵在於： 前述電容元件係包含：第1絕緣膜，其係於前述他方 侧之閘極信號線上，由前述薄膜電晶體之閘極絕緣膜延 伸形成者；導電層，其係形成於此絕緣膜上；第2絕緣 膜’其係由此導電層上被覆前述薄膜電晶體之保護膜延 伸形成者；及前述圖素電極之延伸部，其係形成於此第 2絕緣膜上；而該延伸部係通過形成於前述第2絕緣膜上 之通孔’形成於前述導電層者；並且 前述導電層係於閘極信號線之寬方向延伸，跨過該閑 極就線而形成。 5·如申請專利範圍第4項記載之液晶顯示裝置，其中前述 第2絕緣膜係由無機材料層與有機材料層依序層積構成。 6·如申請專利範圍第3至5項中任一項記載之液晶顯示裝置 ，其中 具備支柱狀之間隔件，其係形成於前述各基板中之他 方之基板之液晶側之面上，於前述電容元件之形成區域 内相對向者；此間隔件係避開前述通孔之形成區域而形 成者。 一種液晶顯示裝置， 其係在隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之 7. 1312901 έ88 C8 ________D8 六、申請專利範園 液晶側之面之各圖素區域上，具備薄膜電晶體； 其特徵在於： 此薄膜電晶體具有：閘極絕緣膜，其係形成於閘極電 極上，半導體.層，其係形成於此絕緣膜上，與前述閘極 電極間隔配置之其他圖素區域侧有圓弧部之大致成半圓 形之圖案者·’汲極電極，其係於此半導體層上沿該半導 體層之圓弧部成圓弧形狀者；及源極電極，其係位於此 圓弧形汲極電極之中心點位置之圓形形狀者，具有延伸 郤以與其直徑大致相等的寬幅向該圖素區域側延伸；而 前述半導體層係至少於該源極電極被拉出的邊，以比 該源極電極之寬幅大的寬幅區間成周期性凹凸形狀。 8. —種液晶顯示裝置， 其係於隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之 液晶側之面上，具備：複數之閘極信號線，其係2列設 置者，及複數之汲極信號線，其係與該等各閘極信號線 交差並列設置者； 於由該等閘極信號線與汲極信號線所圍住之各圖素區 域上’具備：薄膜電晶體，其係由來自一方侧之閘極信 號線之掃描信號所驅動者·’圖素電極，其係經由此薄膜 電晶體被供給來自-方側之汲極信號線之影像信號；及 電容元件，其係形成於此圖素電極與他方側之閘極信號 線之間， 其特徵在於： 前述薄膜電晶體具有：閑極絕緣膜，其係形成於前述 -4-
1312901 A8 B8 I----- C8 ----- D8 穴、申請專-----— 膜方側之閘極信號線上；半導體層，其係形成於此絕緣 膜上，與前述一方側之閘極信號線間隔配置之其他圖素 區域側有圓弧部之大致成半圓形之圖案者；汲極電極， 其係於此半導體層上沿該半導體層之圓弧部成圓孤形狀 者，及源極電極，其係位於此圓弧形汲極電極之中心點 位置之圓形形狀者，具有延伸部，以與其直徑相等的寬 幅向該圖素區域側延伸； 月'J述電容7G件於前述他方侧之閘極信號線上，係至少 包含：第1絕緣膜，其係於由前述薄膜冑晶體之間極絕 ，膜延伸形成者；第2絕緣膜，其係由被覆前述薄膜電 晶體之保護膜延伸形成者；及前述圖素電極之延伸部， 其係形成於此第2絕緣膜上； 構成剛述電容元件之一部分之該他方側之閘極信號線 ，係具備突出部，其係與以此閘極信號線為間隔之其他 圖素區域之圖素電極之一部分相重疊者；並且 八 具備支柱狀之間隔件。 9·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中 前述閘極電極’係具備突出部，其係於其薄膜電晶體 之源極電極被拉出之侧之邊上，與該源極電極相重疊， 向該源極電極之延伸方向延伸者。 且 10. —種液晶顯示裝置， 其係於隔著液晶對向配置之各基板中之一方之基板之 液晶側之面上’具備：複數之閘極信號線，其係並列設 置者；及複數之沒極信號線，其係與該等各閑極信號線 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1312901請專利範圍 A8 B8 C8 D8
交差並列設置者； 於由該等間極信號線與汲極信號線所圍住之各圖素區 域上，具備：薄膜電晶體，其係由來自一方側之閘極信 號線之掃描信號所驅動者；圖素電極，其係經由此薄膜 電晶體被供給來自一方側之汲極信號線之影像信號；及 電容元件，其係形成於此圖素電極與他方側之閘極信號 線之間； ^ 其特徵在於： 前述薄膜電晶體具有：閘極絕緣膜，其係形成於前述 一方側之閘極信號線上；半導體層，其係形成於此絕緣 膜上，與前述一方側之閘極信號線間隔配置之其他圖素 區域側有圓弧部之大致成半圓形之圖案者；汲極電極， 其係於此半導體層上沿該半導體層之圓弧部成圓弧形狀 者；及源極電極，其係位於此圓弧形汲極電極之中心點 位置之圓形形狀者，具有延伸部，以與其直徑大致相等 的寬幅向該圖素區域側延伸； 前述電容元件於前述他方側之閘極信號線上，係至少 包含：第1絕緣膜，其係於由前述薄膜電晶體之閘極絕 緣膜延伸形成者；第2絕緣膜，其係由被覆前述薄膜電 晶體之保護膜延伸形成者；及前述圖素電極之延伸部， 其係形成於此第2絕緣臈上； 前述第2絕緣膜，係僅由有機材料層構成，或由無機 材料層及有機材料層依序層積構成； 構成刖述電容元件之一部分之該他方側之閘極信號線 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X297公 裝 玎
(S ) 1312901 六、奮專利範圍 ，係具備突出部，1传血 + 31線為間隔之其他 圖素&域之圖素電極之一部分相重疊者；並且 具備支柱狀之間隔件。 11 如申請專利範圍第7至1〇項中任一 只τ仕項。己載之液晶顯示裝 置，其中 具備支柱狀之間隔件’其係形成於前述各基板中之他 方之基板之液晶側之面上，於前述電容元件之形成區域 内相對向者，此間隔件係避開前述通孔之形成區域而形 成者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐)
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