JPH08179355A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
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- JPH08179355A JPH08179355A JP32548394A JP32548394A JPH08179355A JP H08179355 A JPH08179355 A JP H08179355A JP 32548394 A JP32548394 A JP 32548394A JP 32548394 A JP32548394 A JP 32548394A JP H08179355 A JPH08179355 A JP H08179355A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
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-
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光源等からの光が間隙Ｂの透明絶縁膜３に照
射されるのを遮断する。 【構成】 絶縁性を有するガラス基板１上に配線された
ゲートバスライン２と、ゲートバスライン２及びガラス
基板１上に形成された透明絶縁膜３と、透明絶縁膜３上
にゲートバスライン２と直交して配線されたソースバス
ライン４と、そのゲートバスライン２及びソースバスラ
イン４で囲まれる部分にソースバスラインと間隙Ｂを空
けて配置された絵素電極５と、ゲートバスライン２、ソ
ースバスライン４及び絵素電極５とに接続された薄膜ト
ランジスタ９とを備えてなるアクティブマトリクス基板
において、間隙Ｂのガラス基板１と透明絶縁膜３との層
間に遮光膜１０を配置してなるものである。
射されるのを遮断する。 【構成】 絶縁性を有するガラス基板１上に配線された
ゲートバスライン２と、ゲートバスライン２及びガラス
基板１上に形成された透明絶縁膜３と、透明絶縁膜３上
にゲートバスライン２と直交して配線されたソースバス
ライン４と、そのゲートバスライン２及びソースバスラ
イン４で囲まれる部分にソースバスラインと間隙Ｂを空
けて配置された絵素電極５と、ゲートバスライン２、ソ
ースバスライン４及び絵素電極５とに接続された薄膜ト
ランジスタ９とを備えてなるアクティブマトリクス基板
において、間隙Ｂのガラス基板１と透明絶縁膜３との層
間に遮光膜１０を配置してなるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示用の絵素電極にス
イッチング素子を介して駆動信号を印加し、該絵素電極
とその対向する電極との電圧差によって表示を行うアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の基板に関するもので
ある。
イッチング素子を介して駆動信号を印加し、該絵素電極
とその対向する電極との電圧差によって表示を行うアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の基板に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、個々の独立した絵素電極がマトリクス
状に配置され、該絵素電極の夫々にスイッチング素子が
設けられている。各スイッチング素子は走査線によって
選択され、信号線から電位が各絵素電極に書き込まれ
る。該絵素電極と対向電極との間の電圧差により、介在
する液晶の光学的変調が行われ、表示パターンとして視
認される。上記絵素電極を選択駆動するスイッチング素
子としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＭＩＭ（金
属・絶縁膜・金属）素子等が一般に知られている。
装置においては、個々の独立した絵素電極がマトリクス
状に配置され、該絵素電極の夫々にスイッチング素子が
設けられている。各スイッチング素子は走査線によって
選択され、信号線から電位が各絵素電極に書き込まれ
る。該絵素電極と対向電極との間の電圧差により、介在
する液晶の光学的変調が行われ、表示パターンとして視
認される。上記絵素電極を選択駆動するスイッチング素
子としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＭＩＭ（金
属・絶縁膜・金属）素子等が一般に知られている。
【０００３】このような表示装置を用いて表示を行う場
合、ある走査タイミングで絵素電極に印加された電圧
が、次の走査タイミングまで絵素電極に充分に保持され
る必要がある。そのため、スイッチング素子のＯＦＦ時
には絵素電極と走査線との間は大きな抵抗で隔たれてい
なければならない。
合、ある走査タイミングで絵素電極に印加された電圧
が、次の走査タイミングまで絵素電極に充分に保持され
る必要がある。そのため、スイッチング素子のＯＦＦ時
には絵素電極と走査線との間は大きな抵抗で隔たれてい
なければならない。
【０００４】液晶表示装置の場合、絵素電極の部分が透
明であることが必要となるため、走査線と信号線の間の
絶縁膜は透明絶縁膜が選ばれ、絵素電極と信号線との間
隙は透明絶縁膜により隔てられることになる。このた
め、上記間隙から漏れる光を遮断するために、たいてい
の場合アクティブマトリクス基板と対向する対向基板側
に絵素電極の部分だけをくりぬくように遮光膜が設けら
れている。一般にアクティブマトリクス基板と対向基板
との張り合わせは精度が良くないため、対向基板側の遮
光膜の幅を大きくとることによってそのずれの誤差を補
っており、このことが絵素の開口率の向上の妨げる１つ
の要因となっている。
明であることが必要となるため、走査線と信号線の間の
絶縁膜は透明絶縁膜が選ばれ、絵素電極と信号線との間
隙は透明絶縁膜により隔てられることになる。このた
め、上記間隙から漏れる光を遮断するために、たいてい
の場合アクティブマトリクス基板と対向する対向基板側
に絵素電極の部分だけをくりぬくように遮光膜が設けら
れている。一般にアクティブマトリクス基板と対向基板
との張り合わせは精度が良くないため、対向基板側の遮
光膜の幅を大きくとることによってそのずれの誤差を補
っており、このことが絵素の開口率の向上の妨げる１つ
の要因となっている。
【０００５】そこで、従来のアクティブマトリクス基板
の第１の従来例は図５及び図６に示すように構成するも
のであり、図５及び図６において、絶縁性を有するガラ
ス基板１１上に走査線であるゲートバスライン１２が配
線され、該ゲートバスライン１２及びガラス基板１１上
にシリコン窒化膜（ＳｉＮX）やシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）等のシリコン系の化合物の透明絶縁膜１３が形成
され、該透明絶縁膜１３上に信号線であるソースバスラ
イン１４がゲートバスライン１２と直交して配線され、
該両バスライン１２、１４で囲まれた領域に間隙Ｅを空
けて絵素電極１５が形成されている。
の第１の従来例は図５及び図６に示すように構成するも
のであり、図５及び図６において、絶縁性を有するガラ
ス基板１１上に走査線であるゲートバスライン１２が配
線され、該ゲートバスライン１２及びガラス基板１１上
にシリコン窒化膜（ＳｉＮX）やシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）等のシリコン系の化合物の透明絶縁膜１３が形成
され、該透明絶縁膜１３上に信号線であるソースバスラ
イン１４がゲートバスライン１２と直交して配線され、
該両バスライン１２、１４で囲まれた領域に間隙Ｅを空
けて絵素電極１５が形成されている。
【０００６】そして上記絵素電極１５には、スイッチン
グ素子としての薄膜トランジスタ１６を介してソースバ
スライン１４から送られる映像信号が供給され、上記絵
素電極１５を除く（但し、絵素電極１５を除く）ソース
バスライン１４及び間隙Ｅ上に遮光膜１７が配置されて
いる。
グ素子としての薄膜トランジスタ１６を介してソースバ
スライン１４から送られる映像信号が供給され、上記絵
素電極１５を除く（但し、絵素電極１５を除く）ソース
バスライン１４及び間隙Ｅ上に遮光膜１７が配置されて
いる。
【０００７】上記第１の従来例のように構成してなるア
クティブマトリクス基板は、ガラス基板１１側の光源
（図示せず）から照射される光が絵素電極１５以外の表
示上に漏れるのを遮光膜１７により遮断されるものであ
る。
クティブマトリクス基板は、ガラス基板１１側の光源
（図示せず）から照射される光が絵素電極１５以外の表
示上に漏れるのを遮光膜１７により遮断されるものであ
る。
【０００８】ところが、いずれの場合でも従来のアクテ
ィブマトリクス基板は、絵素電極１５以外の表示上に光
が照射されるのを遮断することが目的とされており、上
記ガラス基板側１１側の光源から間隙Ｅの透明絶縁膜１
３に照射される光を遮断することに関しては、スイッチ
ング素子の部分を除いて考慮されていない。一般にスイ
ッチング素子の部分においては、半導体層に光が照射さ
れると、光励起によりＯＦＦ時のリーク電流が増加し、
絵素電極１５の電圧が充分に保持されず、表示上不具合
が生じる。
ィブマトリクス基板は、絵素電極１５以外の表示上に光
が照射されるのを遮断することが目的とされており、上
記ガラス基板側１１側の光源から間隙Ｅの透明絶縁膜１
３に照射される光を遮断することに関しては、スイッチ
ング素子の部分を除いて考慮されていない。一般にスイ
ッチング素子の部分においては、半導体層に光が照射さ
れると、光励起によりＯＦＦ時のリーク電流が増加し、
絵素電極１５の電圧が充分に保持されず、表示上不具合
が生じる。
【０００９】そこで、アクティブマトリクス基板の第２
の従来例は図７及び図８に示すように構成するものであ
り、図７及び図８において、絶縁性を有するガラス基板
２１上に走査線であるゲートバスライン２２が配線さ
れ、該ゲートバスライン２２及びガラス基板２１上にシ
リコン窒化膜（ＳｉＮX）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）
等のシリコン系の化合物の透明絶縁膜２３が形成され、
該透明絶縁膜２３上に信号線であるソースバスライン２
４がゲートバスライン２２と直交して配線され、該両バ
スライン２２、２４で囲まれた領域に一定間隔を空けて
絵素電極２５が形成されている。
の従来例は図７及び図８に示すように構成するものであ
り、図７及び図８において、絶縁性を有するガラス基板
２１上に走査線であるゲートバスライン２２が配線さ
れ、該ゲートバスライン２２及びガラス基板２１上にシ
リコン窒化膜（ＳｉＮX）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）
等のシリコン系の化合物の透明絶縁膜２３が形成され、
該透明絶縁膜２３上に信号線であるソースバスライン２
４がゲートバスライン２２と直交して配線され、該両バ
スライン２２、２４で囲まれた領域に一定間隔を空けて
絵素電極２５が形成されている。
【００１０】そして上記絵素電極２５には、スイッチン
グ素子としての薄膜トランジスタ２６を介してソースバ
スライン２４から送られる映像信号が供給される。
グ素子としての薄膜トランジスタ２６を介してソースバ
スライン２４から送られる映像信号が供給される。
【００１１】上記薄膜トランジスタ２６は特に図８に示
すように、上記ガラス基板２１と透明絶縁膜２３との間
に半導体層２７が形成され、該半導体層２７の範囲内の
透明絶縁膜２３の所定箇所にソースコンタクト２８及び
ドレインコンタクト２９とが開口され、該両コンタクト
２８、２９の夫々にソース電極３０、ドレイン電極３１
が形成され、該ソース電極３０とドレイン電極３１との
間の透明絶縁膜１３であるゲート絶縁膜３２にゲート電
極３３が一定間隔を空けて形成されている。
すように、上記ガラス基板２１と透明絶縁膜２３との間
に半導体層２７が形成され、該半導体層２７の範囲内の
透明絶縁膜２３の所定箇所にソースコンタクト２８及び
ドレインコンタクト２９とが開口され、該両コンタクト
２８、２９の夫々にソース電極３０、ドレイン電極３１
が形成され、該ソース電極３０とドレイン電極３１との
間の透明絶縁膜１３であるゲート絶縁膜３２にゲート電
極３３が一定間隔を空けて形成されている。
【００１２】そして、半導体層２７より若干大きい遮光
膜３４がガラス基板２１と半導体層２７との間に形成さ
れている。
膜３４がガラス基板２１と半導体層２７との間に形成さ
れている。
【００１３】上記第２の従来例ように構成してなるアク
ティブマトリクス基板は、ガラス基板２１側の光源（図
示せず）から半導体層２７に照射される光が遮光膜３４
により遮断されるものである。
ティブマトリクス基板は、ガラス基板２１側の光源（図
示せず）から半導体層２７に照射される光が遮光膜３４
により遮断されるものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように構成してなるアクティブマトリクス基板は、透明
絶縁膜１３，２３の材質としてはシリコン窒化膜やシリ
コン酸化膜等のシリコン系の化合物が用いられる。こう
した透明絶縁膜１３，２３の場合、成膜条件の違いや異
元素による汚染により、該透明絶縁膜１３，２３中の結
晶構造が異なったり、該透明絶縁膜１３，２３の表面に
異常なエネルギーが発生し、そのことによって絶縁性が
悪化する。特にこのような欠陥がある場合、その部分に
光が照射されると透明絶縁膜１３，２３中で電子の光励
起が起こり、光の輝度に応じて絶縁性が低下し、絵素電
極１５，２５に電荷を充分に保持することができず、表
示上不具合が生じるという問題点があった。
ように構成してなるアクティブマトリクス基板は、透明
絶縁膜１３，２３の材質としてはシリコン窒化膜やシリ
コン酸化膜等のシリコン系の化合物が用いられる。こう
した透明絶縁膜１３，２３の場合、成膜条件の違いや異
元素による汚染により、該透明絶縁膜１３，２３中の結
晶構造が異なったり、該透明絶縁膜１３，２３の表面に
異常なエネルギーが発生し、そのことによって絶縁性が
悪化する。特にこのような欠陥がある場合、その部分に
光が照射されると透明絶縁膜１３，２３中で電子の光励
起が起こり、光の輝度に応じて絶縁性が低下し、絵素電
極１５，２５に電荷を充分に保持することができず、表
示上不具合が生じるという問題点があった。
【００１５】また、上記透明絶縁膜１３，２３に強い光
を照射し続けた場合、結晶構造が悪化して本来の性質が
損なわれることが知られている。該透明絶縁膜１３，２
３の場合、これは絶縁性の劣化となって表われるため、
コントラストの低下等の表示品位の悪化につながる。特
に液晶プロジェクション用途等においては、パネルは常
に非常に強い光がさらされるため、この光による透明絶
縁膜１３，２３の劣化は耐久性や信頼性の面で大きな問
題点となる。
を照射し続けた場合、結晶構造が悪化して本来の性質が
損なわれることが知られている。該透明絶縁膜１３，２
３の場合、これは絶縁性の劣化となって表われるため、
コントラストの低下等の表示品位の悪化につながる。特
に液晶プロジェクション用途等においては、パネルは常
に非常に強い光がさらされるため、この光による透明絶
縁膜１３，２３の劣化は耐久性や信頼性の面で大きな問
題点となる。
【００１６】本発明のアクティブマトリクス基板は上記
のような問題点を解決したもので、透明絶縁膜に欠陥が
あった場合でも、表示上の不具合を防止することがで
き、プロジェクション用途等のようにパネルが非常に強
い光にさらされる場合には、表示品位が悪化せず、透明
絶縁膜の劣化による耐久性や信頼性の問題を解消するこ
とができ、しかも、絵素の開口率の向上を図ることがで
きるアクティブマトリクス基板を提供することを目的と
するものである。
のような問題点を解決したもので、透明絶縁膜に欠陥が
あった場合でも、表示上の不具合を防止することがで
き、プロジェクション用途等のようにパネルが非常に強
い光にさらされる場合には、表示品位が悪化せず、透明
絶縁膜の劣化による耐久性や信頼性の問題を解消するこ
とができ、しかも、絵素の開口率の向上を図ることがで
きるアクティブマトリクス基板を提供することを目的と
するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁性を有す
る透明基板上に配線された走査線と、該走査線及び透明
基板上に堆積させた透明絶縁膜と、該透明絶縁膜上に走
査線と直交して配線された信号線と、該走査線及び信号
線で囲まれる部分に信号線と間隙を空けて配置された絵
素電極と、該走査線、信号線及び絵素電極とに接続され
たスイッチング素子とを備えてなるアクティブマトリク
ス基板において、上記間隙の透明基板と透明絶縁膜との
層間に遮光膜を配置してなるものである。
に本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁性を有す
る透明基板上に配線された走査線と、該走査線及び透明
基板上に堆積させた透明絶縁膜と、該透明絶縁膜上に走
査線と直交して配線された信号線と、該走査線及び信号
線で囲まれる部分に信号線と間隙を空けて配置された絵
素電極と、該走査線、信号線及び絵素電極とに接続され
たスイッチング素子とを備えてなるアクティブマトリク
ス基板において、上記間隙の透明基板と透明絶縁膜との
層間に遮光膜を配置してなるものである。
【００１８】また請求項２記載の発明は、上記請求項１
記載の構成において、上記遮光膜を走査線と同一金属種
で形成してなるものである。
記載の構成において、上記遮光膜を走査線と同一金属種
で形成してなるものである。
【００１９】さらに請求項３記載の発明は、上記請求項
１又は２記載の構成において、上記信号線を挟んで隣り
合う絵素電極間の上記透明基板と透明絶縁膜との層間に
上記遮光膜を配置してなるものである。
１又は２記載の構成において、上記信号線を挟んで隣り
合う絵素電極間の上記透明基板と透明絶縁膜との層間に
上記遮光膜を配置してなるものである。
【００２０】
【作用】本発明は上記構成にて、請求項１記載の発明
は、透明基板側の光源等から信号線と絵素電極との間隙
の透明絶縁膜に照射される光を遮光膜にて遮断すること
により、透明絶縁膜に何らか欠陥があった場合でも、上
記間隙の透明絶縁膜に光がさらされることがないので、
表示上の不具合を防止することができ、プロジェクショ
ン用途等のようにパネルが非常に強い光にさらされる場
合には、透明絶縁膜の絶縁性が劣化することがないの
で、表示品位が悪化せず、透明絶縁膜の劣化による耐久
性や信頼性の問題を解消することができる。
は、透明基板側の光源等から信号線と絵素電極との間隙
の透明絶縁膜に照射される光を遮光膜にて遮断すること
により、透明絶縁膜に何らか欠陥があった場合でも、上
記間隙の透明絶縁膜に光がさらされることがないので、
表示上の不具合を防止することができ、プロジェクショ
ン用途等のようにパネルが非常に強い光にさらされる場
合には、透明絶縁膜の絶縁性が劣化することがないの
で、表示品位が悪化せず、透明絶縁膜の劣化による耐久
性や信頼性の問題を解消することができる。
【００２１】しかも、上記間隙のガラス基板と透明絶縁
膜との層間に遮光膜を配置することにより、絵素電極以
外から表示上に漏れる光を遮断することができ、対向基
板側との張り合わせ誤差により遮光膜の幅を大きくとる
必要がないので、絵素の開口率の向上を図ることができ
る。
膜との層間に遮光膜を配置することにより、絵素電極以
外から表示上に漏れる光を遮断することができ、対向基
板側との張り合わせ誤差により遮光膜の幅を大きくとる
必要がないので、絵素の開口率の向上を図ることができ
る。
【００２２】また請求項２記載の発明は、上記請求項１
記載の構成において、遮光膜を走査線と同一金属種で形
成することにより、遮光膜と捜査線との形成を同一の工
程で行うことができるので、別の工程を追加する必要が
ない。
記載の構成において、遮光膜を走査線と同一金属種で形
成することにより、遮光膜と捜査線との形成を同一の工
程で行うことができるので、別の工程を追加する必要が
ない。
【００２３】さらに請求項３記載の発明は、上記請求項
１記載の構成において、信号線を挟んで隣り合う絵素電
極間の透明基板と透明絶縁膜との層間に遮光膜を配置す
ることにより、遮光膜のパターニングの位置決めが請求
項１よりも少なくなるので、遮光膜を簡単にパターニン
グすることができる。
１記載の構成において、信号線を挟んで隣り合う絵素電
極間の透明基板と透明絶縁膜との層間に遮光膜を配置す
ることにより、遮光膜のパターニングの位置決めが請求
項１よりも少なくなるので、遮光膜を簡単にパターニン
グすることができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明のアクティブマトリクス基板の
実施例を図１乃至図４と共に詳細に説明する。本発明の
アクティブマトリクス基板の第１の実施例は図１及び図
２に示すように構成するものであり、図１及び図２にお
いて、絶縁性を有するガラス基板１上に信号線であるゲ
ートバスライン２を配線し、該ゲートバスライン２及び
ガラス基板１上に透明絶縁膜３を形成し、該透明絶縁膜
３上にソースバスライン４をゲートバスライン２に直交
して配線している。
実施例を図１乃至図４と共に詳細に説明する。本発明の
アクティブマトリクス基板の第１の実施例は図１及び図
２に示すように構成するものであり、図１及び図２にお
いて、絶縁性を有するガラス基板１上に信号線であるゲ
ートバスライン２を配線し、該ゲートバスライン２及び
ガラス基板１上に透明絶縁膜３を形成し、該透明絶縁膜
３上にソースバスライン４をゲートバスライン２に直交
して配線している。
【００２５】そして、上記ゲートバスライン２とソース
バスライン４とに囲まれた領域（マトリクス内）に間隙
Ｂを空けて絵素電極５を形成し、上記ゲートバスライン
２とソースバスライン４との交差部に、ゲートバスライ
ン２の支線をゲート電極６とし、ソースバスライン４の
支線をソース電極７とし、上記絵素電極５にドレイン電
極を電気的に接続してスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）９を形成している。また、上記間隙
Ｂのガラス基板１と透明絶縁膜３との層間に遮光膜１０
を配置してなるものである。
バスライン４とに囲まれた領域（マトリクス内）に間隙
Ｂを空けて絵素電極５を形成し、上記ゲートバスライン
２とソースバスライン４との交差部に、ゲートバスライ
ン２の支線をゲート電極６とし、ソースバスライン４の
支線をソース電極７とし、上記絵素電極５にドレイン電
極を電気的に接続してスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）９を形成している。また、上記間隙
Ｂのガラス基板１と透明絶縁膜３との層間に遮光膜１０
を配置してなるものである。
【００２６】次に上記のように構成してなる本発明のア
クティブマトリクス基板の第１の実施例の製造手順につ
いて説明する。まず、絶縁性を有するガラス基板１、又
はガラス基板１上にベースコート膜としてタンタル酸化
膜（Ｔａ2Ｏ5）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の絶縁
膜を形成した基板を使用する。
クティブマトリクス基板の第１の実施例の製造手順につ
いて説明する。まず、絶縁性を有するガラス基板１、又
はガラス基板１上にベースコート膜としてタンタル酸化
膜（Ｔａ2Ｏ5）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の絶縁
膜を形成した基板を使用する。
【００２７】そして、上記ガラス基板１上にアルミニュ
ーム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）
等の単層膜又は多層膜をスパッタリング法を用いて堆積
させ、所定の形状にパターニングすることによりゲート
バスライン２及び遮光膜１０を形成する。該遮光膜１０
は短辺の幅が５〔μｍ〕、夫々の遮光膜１０の間隔は交
互に８〔μｍ〕、１００〔μｍ〕となるように、ゲート
バスライン２に対して垂直にゲートバスライン２間に挟
まれる位置に配置する。またその後、上記ゲートバスラ
イン２の表面に陽極酸化により酸化膜を形成してもよ
い。
ーム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）
等の単層膜又は多層膜をスパッタリング法を用いて堆積
させ、所定の形状にパターニングすることによりゲート
バスライン２及び遮光膜１０を形成する。該遮光膜１０
は短辺の幅が５〔μｍ〕、夫々の遮光膜１０の間隔は交
互に８〔μｍ〕、１００〔μｍ〕となるように、ゲート
バスライン２に対して垂直にゲートバスライン２間に挟
まれる位置に配置する。またその後、上記ゲートバスラ
イン２の表面に陽極酸化により酸化膜を形成してもよ
い。
【００２８】次に、透明絶縁膜３はプラズマＣＶＤを用
いてゲート絶縁膜となる窒化シリコン（ＳｉＮX）、薄
膜トランジスタ９のチャンネル層となるアモルファスシ
リコン、チャンネル保護膜となる窒化シリコン膜を連続
して堆積させる。そしてチャンネル保護膜をパターニン
グする。またこのとき、ゲート電極６を用いて自己整合
的により形成することも可能である。
いてゲート絶縁膜となる窒化シリコン（ＳｉＮX）、薄
膜トランジスタ９のチャンネル層となるアモルファスシ
リコン、チャンネル保護膜となる窒化シリコン膜を連続
して堆積させる。そしてチャンネル保護膜をパターニン
グする。またこのとき、ゲート電極６を用いて自己整合
的により形成することも可能である。
【００２９】さらに、表面全体にチャンネル層、ソース
電極７及びドレイン電極８とのコンタクト層となるｎ型
シリコン（ｎ+Ｓｉ）を堆積させ、アモルファスシリコ
ン層とのパターニングを同時に行い、チャンネル層とコ
ンタクト層を形成する。そして、表面全体にアルミニュ
ーム、タンタル等の金属単層膜又は多層膜をスパッタリ
ング法により堆積させ、夫々の遮光膜１０の８〔μｍ〕
の間隔上に両端が遮光膜８にかかるようにソースバスラ
イン４をパターニングする。上記第１の実施例ではタン
タルを使用し、線幅１０〔μｍ〕のソースバスライン４
を形成した。またこの後にソースバスライン４の表面を
陽極酸化をしても構わない。
電極７及びドレイン電極８とのコンタクト層となるｎ型
シリコン（ｎ+Ｓｉ）を堆積させ、アモルファスシリコ
ン層とのパターニングを同時に行い、チャンネル層とコ
ンタクト層を形成する。そして、表面全体にアルミニュ
ーム、タンタル等の金属単層膜又は多層膜をスパッタリ
ング法により堆積させ、夫々の遮光膜１０の８〔μｍ〕
の間隔上に両端が遮光膜８にかかるようにソースバスラ
イン４をパターニングする。上記第１の実施例ではタン
タルを使用し、線幅１０〔μｍ〕のソースバスライン４
を形成した。またこの後にソースバスライン４の表面を
陽極酸化をしても構わない。
【００３０】次に、絵素電極５及び補助容量となるＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ・Ｔｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）膜をスパッタ
リング法により堆積させ、夫々の遮光膜１０の１００
〔μｍ〕の間隔上に両端が遮光膜１０にかかるようにパ
ターニングする。また、表面全体に保護膜として窒化シ
リコン等の絶縁膜を堆積させることも可能である。
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ・Ｔｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）膜をスパッタ
リング法により堆積させ、夫々の遮光膜１０の１００
〔μｍ〕の間隔上に両端が遮光膜１０にかかるようにパ
ターニングする。また、表面全体に保護膜として窒化シ
リコン等の絶縁膜を堆積させることも可能である。
【００３１】上記第１の実施例のように構成してなるア
クティブマトリクス基板は、ガラス基板１側の光源等か
らの間隙Ｂの透明絶縁膜３に照射される光を遮光膜１０
にて遮断することにより、成膜条件の違いや異元素の汚
染による異常なエネルギー準位よって透明絶縁膜３に流
れるリーク電流を抑制することができ、また、透明絶縁
膜３に何らか欠陥があった場合でも、間隙Ｂの透明絶縁
膜３に光がさらされることがないので、表示上の不具合
を防止することができ、プロジェクション用途等のよう
にパネルが非常に強い光にさらされる場合には、透明絶
縁膜３の絶縁性が劣化することがないので、表示品位が
悪化せず、透明絶縁膜の劣化による耐久性や信頼性の問
題を解消することができる。
クティブマトリクス基板は、ガラス基板１側の光源等か
らの間隙Ｂの透明絶縁膜３に照射される光を遮光膜１０
にて遮断することにより、成膜条件の違いや異元素の汚
染による異常なエネルギー準位よって透明絶縁膜３に流
れるリーク電流を抑制することができ、また、透明絶縁
膜３に何らか欠陥があった場合でも、間隙Ｂの透明絶縁
膜３に光がさらされることがないので、表示上の不具合
を防止することができ、プロジェクション用途等のよう
にパネルが非常に強い光にさらされる場合には、透明絶
縁膜３の絶縁性が劣化することがないので、表示品位が
悪化せず、透明絶縁膜の劣化による耐久性や信頼性の問
題を解消することができる。
【００３２】しかも、間隙Ｂのガラス基板１と透明絶縁
膜３と層間に遮光膜１０を配置することにより、絵素電
極以外から表示上に漏れる光を遮断することができ、対
向基板側との張り合わせ誤差により遮光膜の幅を大きく
とる必要がないので、絵素の開口率の向上を図ることが
できる。
膜３と層間に遮光膜１０を配置することにより、絵素電
極以外から表示上に漏れる光を遮断することができ、対
向基板側との張り合わせ誤差により遮光膜の幅を大きく
とる必要がないので、絵素の開口率の向上を図ることが
できる。
【００３３】本発明のアクチィブマトリクス基板の第２
の実施例は図３及び図４に示すように構成するものであ
り、尚、上記第１の実施例と同一部分には第２の実施例
に同一符号を付し、その説明を省略する。
の実施例は図３及び図４に示すように構成するものであ
り、尚、上記第１の実施例と同一部分には第２の実施例
に同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】図３及び図４において、上記第１の実施例
と異なる構成は、遮光膜１０をソースバスライン４を隔
てた絵素電極５間に両端が絵素電極５にかかるように遮
光膜１０をガラス基板１と透明絶縁膜３との層間に配置
してなるものである。
と異なる構成は、遮光膜１０をソースバスライン４を隔
てた絵素電極５間に両端が絵素電極５にかかるように遮
光膜１０をガラス基板１と透明絶縁膜３との層間に配置
してなるものである。
【００３５】上記第２の実施例のように構成してなるア
クティブマトリクス基板は、上記第１の実施例の効果に
加えて、遮光膜１０のパターニングの位置決めが上記第
１の実施例よりも少なくなるので、遮光膜１０を簡単に
パターニングすることができる。
クティブマトリクス基板は、上記第１の実施例の効果に
加えて、遮光膜１０のパターニングの位置決めが上記第
１の実施例よりも少なくなるので、遮光膜１０を簡単に
パターニングすることができる。
【００３６】尚、上記第１の実施例ではゲートバスライ
ン２と遮光膜１０とは同一金属種の膜により同時に形成
したが、異なる膜により形成しても良く、上記実施例だ
けに限定されるものではない。
ン２と遮光膜１０とは同一金属種の膜により同時に形成
したが、異なる膜により形成しても良く、上記実施例だ
けに限定されるものではない。
【００３７】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス基板は上
記のような構成であるから、請求項１記載の発明は、透
明基板側の光源等から間隙の透明絶縁膜に照射される光
を遮光膜にて遮断することにより、透明絶縁膜に何らか
欠陥があった場合でも、間隙の透明絶縁膜に光がさらさ
れることがないので、表示上の不具合を防止することが
でき、プロジェクション用途等のようにパネルが非常に
強い光にさらされる場合には、透明絶縁膜の絶縁性が劣
化することがないので、表示品位が悪化せず、透明絶縁
膜の劣化による耐久性や信頼性の問題を解消することが
できる。
記のような構成であるから、請求項１記載の発明は、透
明基板側の光源等から間隙の透明絶縁膜に照射される光
を遮光膜にて遮断することにより、透明絶縁膜に何らか
欠陥があった場合でも、間隙の透明絶縁膜に光がさらさ
れることがないので、表示上の不具合を防止することが
でき、プロジェクション用途等のようにパネルが非常に
強い光にさらされる場合には、透明絶縁膜の絶縁性が劣
化することがないので、表示品位が悪化せず、透明絶縁
膜の劣化による耐久性や信頼性の問題を解消することが
できる。
【００３８】しかも、間隙のガラス基板と透明絶縁膜と
の層間に遮光膜を配置することにより、絵素電極以外か
ら表示上に漏れる光を遮断することができ、対向基板側
との張り合わせ誤差により遮光膜の幅を大きくとる必要
がないので、絵素の開口率の向上を図ることができる。
の層間に遮光膜を配置することにより、絵素電極以外か
ら表示上に漏れる光を遮断することができ、対向基板側
との張り合わせ誤差により遮光膜の幅を大きくとる必要
がないので、絵素の開口率の向上を図ることができる。
【００３９】また請求項２記載の発明は、上記請求項１
記載の効果に加えて、遮光膜を走査線と同一金属種で形
成することにより、遮光膜と走査線とを同一工程で形成
することができるので、別の工程を追加する必要がな
い。
記載の効果に加えて、遮光膜を走査線と同一金属種で形
成することにより、遮光膜と走査線とを同一工程で形成
することができるので、別の工程を追加する必要がな
い。
【００４０】さらに請求項３記載の発明は、上記請求項
１又は２記載の効果において、信号線を挟んで隣り合う
絵素電極間の透明基板と透明絶縁膜との層間に遮光膜を
配置することにより、遮光膜のパターニングの位置決め
が請求項１よりも少なくなるので、遮光膜を簡単にパタ
ーニングすることができる。
１又は２記載の効果において、信号線を挟んで隣り合う
絵素電極間の透明基板と透明絶縁膜との層間に遮光膜を
配置することにより、遮光膜のパターニングの位置決め
が請求項１よりも少なくなるので、遮光膜を簡単にパタ
ーニングすることができる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス基板の第１の実
施例を示す要部平面図である。
施例を示す要部平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明のアクティブマトリクス基板の第２の実
施例を示す要部平面図である。
施例を示す要部平面図である。
【図４】図３に示すＣ−Ｃ断面図である。
【図５】従来のアクティブマトリクス基板の第１の従来
例を示す要部平面図である。
例を示す要部平面図である。
【図６】図５に示すＤ−Ｄ断面図である。
【図７】従来のアクティブマトリクス基板の第２の従来
例を示す要部平面図である。
例を示す要部平面図である。
【図８】図７に示すＦ−Ｆ断面図である。
１ ガラス基板 ２ ゲートバスライン ３ 透明絶縁膜 ４ ソースバスライン ５ 絵素電極 ９ 薄膜トランジスタ １０ 遮光膜
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性を有する透明基板上に配線された
走査線と、該走査線及び透明基板上に形成された透明絶
縁膜と、該透明絶縁膜上に走査線と直交して配線された
信号線と、該走査線及び信号線で囲まれる部分に信号線
と間隙を空けて配置された絵素電極と、該走査線、信号
線及び絵素電極とに接続されたスイッチング素子とを備
えてなるアクティブマトリクス基板において、 上記間隙の透明基板と透明絶縁膜との層間に遮光膜を配
置してなることを特徴とするアクティブマトリクス基
板。 - 【請求項２】 上記遮光膜を走査線と同一金属種で形成
してなることを特徴とする請求項１記載のアクティブマ
トリクス基板。 - 【請求項３】 上記信号線を挟んで隣り合う絵素電極間
の透明基板と透明絶縁膜との層間に上記遮光膜を配置し
てなることを特徴とする請求項１又は２記載のアクティ
ブマトリクス基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32548394A JPH08179355A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | アクティブマトリクス基板 |
| US08/580,012 US5959706A (en) | 1994-12-27 | 1995-12-20 | Active matrix substrate |
| KR1019950059700A KR100221750B1 (ko) | 1994-12-27 | 1995-12-27 | 액티브 매트릭스 기판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32548394A JPH08179355A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | アクティブマトリクス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08179355A true JPH08179355A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18177385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32548394A Pending JPH08179355A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | アクティブマトリクス基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5959706A (ja) |
| JP (1) | JPH08179355A (ja) |
| KR (1) | KR100221750B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004212945A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| KR100640048B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2006-10-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6532053B2 (en) | 1996-12-18 | 2003-03-11 | Hitachi, Ltd. | Transverse electric field system liquid crystal display device suitable for improving aperture ratio |
| KR100477128B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 광차단막을갖는액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
| JP4130490B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6449026B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-09-10 | Hyundai Display Technology Inc. | Fringe field switching liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| JP2003066488A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100391157B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2003-07-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| TW544942B (en) * | 2002-09-30 | 2003-08-01 | Hannstar Display Corp | Thin film transistor array substrate |
| JP4784382B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-10-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR20080007813A (ko) | 2006-07-18 | 2008-01-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| KR101490478B1 (ko) * | 2008-07-10 | 2015-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| JP4756178B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2011-08-24 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 表示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3210437B2 (ja) * | 1991-09-24 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| JP2760462B2 (ja) * | 1992-05-13 | 1998-05-28 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| JPH06123894A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Fujitsu Ltd | 液晶パネル |
| DE69433614T2 (de) * | 1993-07-13 | 2005-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix |
| JPH07230104A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型表示素子及びその製造方法 |
| JPH07311392A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-11-28 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5691782A (en) * | 1994-07-08 | 1997-11-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid-crystal display with inter-line short-circuit preventive function and process for producing same |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32548394A patent/JPH08179355A/ja active Pending
-
1995
- 1995-12-20 US US08/580,012 patent/US5959706A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-27 KR KR1019950059700A patent/KR100221750B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100640048B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2006-10-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2004212945A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960024548A (ko) | 1996-07-20 |
| KR100221750B1 (ko) | 1999-09-15 |
| US5959706A (en) | 1999-09-28 |
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