JPH0611728A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 輝度が高く表示品位の良好な液晶表示装置を
提供する。 【構成】 遮光膜２３の上層部分を陽極酸化して絶縁膜
２５とすることにより、絶縁膜２５およびそのスルーホ
ール１７、２１などをフォトリソグラフィ工程を用いず
に寸法精度よく形成できるので、製造工程を簡易化する
ことができ、かつ画素部分の開口率を向上することがで
きる。また陽極酸化法により形成された絶縁膜はピンホ
ールが極めて少ないので、この絶縁膜２５の上層に形成
される画素電極２７とこの絶縁膜の下層の遮光膜２３と
の電気的接触の危険性を低減させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は遮光膜を有する液晶表示
装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の表示の高品位化、高速駆
動化には、各表示画素ごとにスイッチングトランジスタ
を設けたアクティブマトリックス型液晶表示装置が好適
なものとして広く知られている。スイッチングトランジ
スタには非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと略称）、また
は多結晶シリコン（以下ｐｏｌｙ−Ｓｉと略称）による
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いるのが一般的であ
る。

【０００３】ａ−ＳｉによるＴＦＴは、安価なガラス基
板上に大面積にわたって形成が可能な特長を有すること
から、壁掛けテレビやＯＡ用ディスプレイなどの大型画
面の液晶表示装置に好適である。

【０００４】一方ｐｏｌｙ−ＳｉによるＴＦＴは、キャ
リアの移動度が数10乃至 200ｃｍ²／Ｖｓと比較的大き
いので、ＴＦＴサイズが小さくても液晶表示素子の画素
を駆動するスイッチング素子としては十分な機能を有
し、周辺駆動回路も同一基板上に一体で形成できるため
装置全体を小型化することができるので、プロジェクシ
ョンテレビやビデオカメラのビューファインダといった
小型で高精細であることが要求される液晶表示装置に好
適である。

【０００５】図３（ａ）はｐｏｌｙ−ＳｉによるＴＦＴ
を用いた従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板側の表示画素
部分を示す平面図、図３（ｂ）はそのＡ−Ｂ断面図であ
る。ＴＦＴ３０１は、第１のｐｏｌｙ−Ｓｉによる活性
層３０３と、ゲート絶縁膜３０５、低抵抗の第２のｐｏ
ｌｙ−Ｓｉによるゲート３０７からなる。ゲート３０７
両側の部分はＴＦＴ３０１のソース３０９・ドレイン３
１１であり、ｎ型ドーパントであるＰ（燐）が打ち込ま
れて低抵抗となっている。上記ドレイン３１１は層間絶
縁膜３１３を挟んでＡｌからなる信号線３１５に接続さ
れており、上記ゲート３０７は第２のｐｏｌｙ−Ｓｉに
よるゲート線３１７と一体である。上記ソース３０９
は、層間絶縁膜３１３を挟んで、ＩＴＯからなる画素電
極３１６と接続されている。さらに上記ソース３０９は
蓄積容量３１９に接続されている。蓄積容量３１９は、
ＭＯＳ容量であり、その下地部分３２１は第１のｐｏｌ
ｙ−ＳｉからなりＴＦＴ３０１の活性層３０３と一体で
あり、ゲート絶縁膜３０５と同時に形成される絶縁膜３
２３を挟んで、上部には第２のｐｏｌｙ−Ｓｉによる蓄
積容量線３２５がある。

【０００６】図４は、上述の表示画素が形成されたＴＦ
Ｔアレイ基板４０１と対向基板４０３を示す一部省略斜
視図である。対向基板４０３には、マトリックス配置さ
れたいわゆるブラックマトリックス（あるいはブラック
マスク）と呼ばれる遮光膜４０５とＩＴＯのような透明
電極からなる対向電極（図示省略）が形成されている。
通常、ブラックマトリックスとしての遮光膜４０５
は、ＴＦＴアレイ基板４０１に形成されているゲート線
３１７、信号線３１５、ＴＦＴ３０１を覆い隠し、画素
電極３１６の部分のみ開口を設けるような形状に配設さ
れている。ＴＦＴ３０１は活性層がａ−Ｓｉであるかｐ
ｏｌｙ−Ｓｉであるかを問わず、光が照射されるとＯＦ
Ｆ電流が増大して誤動作することがあるので、このよう
なＴＦＴの誤動作の原因となる入射光を遮るために遮光
膜が必要である。このような構成の従来の液晶表示装置
においては、ＴＦＴアレイ基板４０１と対向基板４０３
とを組立てる際に高精度の位置合わせが必要である。す
なわち、ＴＦＴアレイ基板４０１と対向基板４０３とを
組み合わせて配置する際の位置ずれにより、例えば画素
電極３１６と信号線３１５との間の間隙部分が遮光膜４
０５の開口部分にはみ出すと、前記間隙では液晶が駆動
されないため、例えばＴＮ型液晶を用いたノーマリホワ
イトモードの液晶表示素子の場合では、その部分に光が
常時通過し表示画素のコントラスト比が低くなるためで
ある。

【０００７】そこでこのようなＴＦＴアレイ基板と対向
基板との位置合わせずれに起因する遮光膜４０５の位置
ずれを吸収するために、ブラックマトリックスの開口寸
法にそのずれの寸法程度のマージンを取り面積を小さく
すればよい。しかしながら、このような方法では画素電
極３１６の画素表示にあたる部分の開口率が小さくな
り、画面の輝度が低下するという問題がある。一方、位
置合わせ精度自体を向上させることも考えられるが、実
際にはＴＦＴアレイ基板４０１と対向基板４０３との位
置合わせ精度は画面サイズにもよるものの、例えば対角
5インチ前後のサイズのもので通常± 2μｍ程度、10イ
ンチ級のサイズでは± 3μｍ程度でまでが可能な範囲で
あり、位置合わせ精度をこれ以上にするのは極めて困難
である。したがって従来の技術においては、遮光膜の画
素電極とのオーバラップ部分は数μｍ程度、すなわち上
記の合わせ精度程度は取るように設計されている。

【０００８】さらに、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とで
はその製造プロセスの熱履歴が異なる。ｐｏｌｙ−Ｓｉ
を用いたＴＦＴアレイ基板では最高1000℃程度、ａ−Ｓ
ｉを用いたＴＦＴアレイ基板では最高 350℃程度にまで
加熱する工程があるのに対し、対向基板では最高 200℃
程度までの加熱工程である。したがって、ＴＦＴアレイ
基板側と対向基板側で熱による膨脹および伸縮の度合い
が異なり、両基板上のパターンにピッチずれが生じると
いう問題がある。これを吸収するためには遮光膜の開口
部分の寸法にマージンをさらに大きく取らねばならない
が、そのようにすると遮光膜の開口面積はさらに小さく
なり、画面の輝度がさらに低下するという問題がある。

【０００９】上記の問題を解決するためには、遮光膜を
ＴＦＴアレイ基板側に作り込むことが効果的である。Ｔ
ＦＴアレイ基板の製造プロセスにおいて使用される露光
マスクの合せ精度は容易に 1μｍ以下にできるため、対
向基板とＴＦＴアレイ基板との位置合わせずれを吸収す
るためのマージンを取らずともよくなり、開口率が改善
されるからである。

【００１０】図５（ａ）は、遮光膜を作り込んだＴＦＴ
アレイ基板の表示画素部分を示す平面図、図５（ｂ）は
そのＡ−Ｂ断面図である。なお、図５（ａ）において斜
線の部分は、遮光膜によって覆われた部分を示してい
る。

【００１１】ＴＦＴ５０１は、基板５００上に配設され
た第１のｐｏｌｙ−Ｓｉによる活性層５０３と、ゲート
絶縁膜５０５、低抵抗の第２のｐｏｌｙ−Ｓｉによるゲ
ート５０７からなる。ゲート５０７両側の部分はＴＦＴ
５０１のソース５０９・ドレイン５１１であり、ｎ型ド
ーパントであるＰ（燐）が打ち込まれて低抵抗となって
いる。上記ドレイン５１１は第１の層間絶縁膜５１３を
挟んでＡｌからなる信号線５１５に接続されており、上
記ゲート５０７は第２のｐｏｌｙ−Ｓｉによるゲート線
５１７と一体である。以上の積層構造の上には第２の層
間絶縁膜５１９が形成されており、さらに、第２の層間
絶縁膜５１９の上に遮光膜５２１が形成・パタニングさ
れている。さらに、遮光膜５２１の上には第３の層間絶
縁膜５２３が形成されており、さらにその上にＩＴＯか
らなる画素電極５２５が形成・パタニングされている。
この画素電極５２５は、前記の第１の層間絶縁膜５１
３、第２の層間絶縁膜５１９、第３の層間絶縁膜５２３
を通してＴＦＴ５０１のソース５０９に接続されてい
る。遮光膜５２１はある一定電位を持つように電圧が印
加される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような構成のＴＦＴアレイ基板では、画素電極５２５と
下層にあるＴＦＴ５０１のソース５０９とを接続する
際、これらの層間を接続するためのスルーホール５２７
を設けることによる層間の電気的短絡を避けるために、
その中間層にあたる遮光膜５２１に開口を設けておく必
要がある。これは比較的導電性の高い画素電極５２５と
遮光膜５２１とが電気的に接触することを防ぐためであ
る。遮光膜５２１は、そのスルーホールを避けるための
開口を設けねばならないが、その開口の面積は、製造の
際の位置ずれを考慮しその位置ずれを吸収できるクリア
ランスを取って大きめに設定しなければならない。具体
的には、スルーホール５２７、遮光膜５２１、画素電極
５２５など各層のフォトリソグラフィ工程におけるエッ
チングなどによる位置ずれを考慮しなければならない。
例えば画素電極５２５と下層にあるＴＦＴ５０１のソー
ス５０９が配設された第１のｐｏｌｙ−Ｓｉ層を接続す
るために第１の層間絶縁膜５１３および第２の層間絶縁
膜５１９に穿設するスルーホール５２７の大きさを 5μ
ｍ角とすると、遮光膜５２１の開口はマスク擦れ、エッ
チング精度を考慮すると10μｍ角以上としなければなら
ない。

【００１３】その結果、上記の開口から光が漏れてしま
い、遮光膜としての機能が十分ではなくなるという問題
がある。また、前記の開口の面積だけ補助容量の面積が
小さくなるので、形成可能な補助容量の値が小さくな
り、画像の品位が低下するという問題がある。

【００１４】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたもので、その目的は、液晶表示装置の製造時
に生じる位置ずれを吸収するための寸法マージンを取る
ことによる遮光膜の開口率の低下の問題や、表示にとっ
て不要な開口の面積を大きく取らねばならないことによ
る光の漏れの問題を解消して、輝度が高く表示品位の良
好な液晶表示装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上に複数の走査配線および複数の信号配線と、
該走査配線および信号配線に接続されるスイッチング素
子と、該スイッチング素子に接続される画素電極と、前
記画素電極を避けて配設され前記スイッチング素子に入
射する光を遮る遮光膜とを有するスイッチング素子アレ
イ基板と、前記スイッチング素子アレイ基板に対向して
間隙を有して配置される対向電極が配設された対向基板
と、前記スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板と
の間に封入される液晶組成物とを有する液晶表示装置に
おいて、前記遮光膜が金属材料からなり、前記遮光膜の
上層を酸化してなる絶縁膜を具備することを特徴として
いる。 また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、基
板上に複数のゲート配線と複数の信号配線と該走査配線
および信号配線に接続するスイッチング素子と、該スイ
ッチング素子に接続する画素電極とを配設し、少なくと
も前記ゲート配線または前記信号配線または前記スイッ
チング素子に入射する光を遮るように遮光膜を配設し、
前記遮光膜上に絶縁膜を配設してスイッチング素子アレ
イ基板を形成し、これを対向電極と組み合わせてその間
隙に液晶組成物を封入して挟持させ、液晶表示装置を製
造するにあたり、金属材料を成膜して前記遮光膜を形成
し、前記遮光膜の上層を陽極酸化により酸化して絶縁膜
を形成することを特徴としている。 なお、遮光膜の材
質としては、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗなどの高融点金属や
Ａｌなどが好適である。

【００１６】

【作用】遮光膜を陽極酸化して絶縁膜とすることによ
り、製造工程を簡易化することができ、かつ画素部分の
開口率を向上することができる。

【００１７】また、陽極酸化法により形成された絶縁膜
はピンホールが極めて少ないので、この絶縁膜の上層に
形成される画素電極およびこの絶縁膜の下層の遮光膜と
の電気的接触の危険性を低減させることができる。

【００１８】また、スルーホール用の遮光膜の開口を広
げることなくＴＦＴアレイ基板が製造できるため、前記
の開口により補助容量が小さくなるという問題や、表示
画素電極の開口率が小さくなることによる画面の輝度の
低下などの問題を解消することができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の液晶表示装置の実施例を、図
面に基づいて詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明に係る第１の実施例の液晶
表示装置における、表示画素部分を示す断面図である。
説明の簡略化のために、特にＴＦＴアレイ基板を中心に
説明する。

【００２０】この第１の実施例の液晶表示装置の表示画
素部分は、次のように構成されている。石英基板上１
に、第１のｐｏｌｙ−Ｓｉによる活性層３と、ゲート絶
縁膜５と、低抵抗の第２のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜からなるゲ
ート７と、ゲート７下の活性層３の左右にそれぞれ配設
されたソース９およびドレイン１１とからその主要部が
構成されるＴＦＴ素子１２が形成されている。その上を
覆うように、ＳｉＯ₂ からなる第１の層間絶縁膜１３が
形成され、上記ドレイン１１部分に第１の層間絶縁膜１
３の外部から電気的接続を取るためのスルーホール１５
が穿設されている。Ａｌからなる信号線１７が前記のス
ルーホール１５でドレイン１１に接続されている。第２
の層間絶縁膜１９が第１の層間絶縁膜１３および信号線
１７を覆うように形成され、活性層３のソース９側の端
部に達するスルーホール２１がゲート絶縁膜５、第１の
層間絶縁膜１３、第２の層間絶縁膜１９を貫通して形成
されている。さらにＴａ膜からなる遮光膜２３が、画素
部分を避け、かつＴＦＴ素子１２などを遮光するような
形状の、いわゆるブラックマトリックスとして、第２の
層間絶縁膜１９上に形成されている。そして遮光膜２３
の外向面（主面側）には、その遮光膜２３の表面自体を
酸化してなる第３の層間絶縁膜２５が形成されている。

【００２１】そしてＩＴＯからなる画素電極２７がその
第３の層間絶縁膜２５の上層として形成されている。こ
の画素電極２７は前記のスルーホール２１で活性層３に
接続されソース９に接続されている。

【００２２】次に、本実施例の液晶表示装置の製造方法
を、画素部分を中心に説明する。

【００２３】石英基板上１に、第１のｐｏｌｙ−Ｓｉに
よる活性層３と、ゲート絶縁膜５と、低抵抗の第２のｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜からなるゲート７と、ゲート７下の活性
層３の左右にそれぞれ配設されたソース９およびドレイ
ン１１とからその主要部が構成されるＴＦＴ素子１２を
形成する。

【００２４】第１のｐｏｌｙ−Ｓｉおよび第２のｐｏｌ
ｙ−Ｓｉは減圧ＣＶＤ法により形成し、ゲート絶縁膜５
は熱酸化法により形成する。

【００２５】ゲート７は第２のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッ
チングして形成する。つまりゲート線（図示省略）と同
一の膜で一体形成する。ゲート７下の活性層３の左右両
側の部分はＴＦＴ素子１２のソース９およびドレイン１
１であり、ｎ型ドーパントであるＰ（燐）をイオン注入
法により打込んで低抵抗領域としている。

【００２６】次に減圧ＣＶＤ法により、ＳｉＯ₂ からな
る第１の層間絶縁膜１３を形成し、上記ドレイン１１部
分に第１の層間絶縁膜１３の外部から電気的接続を取る
ためのスルーホール１５を穿設する。引続きＡｌ膜をス
パッタにより成膜した後、エッチングして所望の形状に
パターンニングし信号線１７を形成する。この信号線１
７は前記のスルーホール１５でドレイン１１に接続され
る。

【００２７】次に常圧ＣＶＤ法により第２の絶縁膜１９
を形成し、活性層３のソース９側の端部にまで達するス
ルーホール２１を形成する。

【００２８】引き続き、遮光膜２３としてＴａ膜をスパ
ッタ法により成膜後エッチングによりパタニングして所
定の形状のブラックマトリックスに形成する。

【００２９】続いて上記Ｔａ膜からなる所定の形状の遮
光膜２３を陽極としてこれに電圧を印加し、遮光膜２３
の外向面（主面側）を陽極酸化して第３の層間絶縁膜２
５を形成する。本実施例においては、遮光膜２３は画素
に対応する部分に開口を有してひとつながりの形状のた
め、その一端に陽極酸化用電源を接続して、クエン酸溶
液中で陽極酸化を行なった。その陽極酸化の印加電圧は
100Ｖ、時間は60分で、このとき形成された酸化膜の厚
さは1700オングストロームであった。遮光膜２３のスル
ーホール用の開口は陽極酸化がＴａ膜内にも広がるた
め、1000オングストローム程度拡がった。

【００３０】引き続きＩＴＯをスパッタ法により形成、
パターニングして画素電極２７を形成する。このとき、
画素電極２７は前記のスルーホール２１で活性層３に接
続しソース９に接続される。

【００３１】本実施例においては、第１の絶縁膜１３、
第２の絶縁膜１９に開けたスルーホールの大きさを 5μ
ｍ角とし、遮光膜２３のスルーホール用の開口は前記 5
μｍ角に対し周辺を 1μｍずつ広げ 7μｍ角とした。こ
の場合、画素電極２７は遮光膜２３と電気的に接触する
ことなく、ＴＦＴ素子１２のソース９との接触を取るこ
とができた。なお、遮光膜２３のスルーホール用の開口
は、前述したように陽極酸化がＴａ膜内にも広がるため
1000オングストローム程度広がるものの、表示画素の開
口率や補助容量の値にはほとんど影響はなく、精度良く
絶縁膜と遮光膜とを形成することができる。

【００３２】（実施例２）上記の第１の実施例において
は、ゲート配線・信号配線・スイッチングトランジスタ
の一群と、遮光膜と、画素電極とが、この順にそれぞれ
絶縁体を挟んで積層形成されているアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の場合について述べたが、本発明を
実施するには上記の構成に限らない。

【００３３】図２は、第２の実施例に係るアクティブマ
トリックス型の液晶表示装置の画素部分の構成を示す断
面図である。

【００３４】この第２の実施例の液晶表示装置は、石英
基板２０１直上にＴａからなる遮光膜２０３が形成さ
れ、遮光膜２０３、ゲート配線（図示省略）および信号
配線２０５およびＴＦＴ素子２０７の一群、画素電極２
０６の順に、それらの層間にそれぞれ絶縁体２０９、２
２９を挟んで積層形成されているように構成された液晶
表示装置である。

【００３５】前記の遮光膜２０３の上層部にはＴａを陽
極酸化してなる2000オングストロームの膜厚の絶縁膜２
１３が形成されている。その上に常圧ＣＶＤ法により成
膜されたＳｉＯ₂ 膜２１５が形成されている。さらにそ
の上に第１のｐｏｌｙ−Ｓｉによる活性層２１７と、ゲ
ート絶縁膜２１９、低抵抗の第２のｐｏｌｉ−Ｓｉによ
るゲート２２１からなるＴＦＴ素子２０７が形成されて
いる。ゲート２２１下の活性層２１７の両横の部分はＴ
ＦＴ素子２０７のソース２２３、ドレイン２２５であ
り、ｎ型ドーパントであるＰ（燐）がイオン注入法によ
り打込まれて低抵抗となっている。さらにその上層に層
間絶縁膜２０９としてＳｉＯ₂ 膜が形成されており、上
記ドレイン２２５部分にＡｌからなる信号線２０５が形
成され、スルーホール２２７を通してドレイン２２５に
接続されている。その上層には第２の絶縁膜２２９が形
成されている。さらにＩＴＯからなる画素電極２０６が
形成されており、スルーホール２３１にてソース２２３
に接続されている。

【００３６】このような第２の実施例の液晶表示装置に
おいては、遮光膜２０３と他の導電体からなる層とがス
ルーホールの位置ずれ（パターンずれ）などによって電
気的に接触してしまうといった欠陥はさけることができ
るものの、遮光膜２０３と他の導電体とがピンホール欠
陥によって電気的に接触してしまうという場合がある。
しかし、本発明では、ピンホールの極めて少ない陽極酸
化膜を用いているので、そのようなピンホール欠陥など
の、膜の欠陥の発生を抑えることができる。

【００３７】なお、上記の実施例では、遮光膜としてＴ
ａを用いる場合について述べたが、これには限定しな
い。Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗなどの高融点金属、あるいはＡｌを
用いることも可能である。その際、陽極酸化工程に用い
る溶液も前述のクエン酸に限らず、それぞれの金属に適
した溶液を用いることはいうまでもない。遮光膜用の金
属材料としては、光透過率が小さいことから一般的には
Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどのいわゆる高融点材料が用い
られるが、これらの高融点材料は酸化性が強く、例えば
低圧ＣＶＤ法や常圧ＣＶＤ法によりＳｉＯ₂ 膜を金属膜
表面に堆積しようとしても、金属全体が急速に酸化して
しまい、可視光範囲で透明になってしまい、遮光膜とし
ての機能を果さなくなるというという問題がある。これ
らの高融点材料は、 400℃以上では10ｐｐｍの酸素があ
ると酸化されてしまう。したがってこれらの高融点材料
上に絶縁膜を形成しようとすると、低温下での成膜が可
能なプラズマＣＶＤ法によらねばならないが、プラズマ
ＣＶＤ法により得られる膜は、周知のようにパーティク
ルが多くピンホールも多いため、その膜品質が低いとい
う問題がある。しかしながら本発明によれば、陽極酸化
された遮光膜の上に減圧ＣＶＤ法や常圧ＣＶＤ法により
ＳｉＯ₂ 膜を形成することが可能であり、あるいはＳｉ
Ｏ₂ 膜を形成せずとも直接ＴＦＴ素子の活性層となるｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成することもできる。

【００３８】また、上記の第２の実施例に示すような構
成の液晶表示装置では、ＳｉＯ₂ 膜２１５は省略あるい
は代替が必ずしも不可能ではない。ＳｉＯ₂ 膜２１５
は、遮光膜２０３とＴＦＴ２０７との間のこのように 2
層構造として層間絶縁膜を厚くするために配設したもの
である。この意味では、絶縁膜２１３を層間絶縁膜とし
て膜厚が比較的厚めな膜とすれば 1層構造としてもよ
い。

【００３９】また、上記の実施例においては、遮光膜が
開口を有しながらもひとつながりの形状となっている場
合について説明したが、遮光膜のパターンはこれには限
定しない。例えば各画素ごとに分割された形状の遮光膜
にも本発明の技術を用いることができる。ただしこの場
合、各画素ごとに分割された一つ一つの遮光膜をなんら
かのブリッジパターンのようなもので接続し、その一端
に電圧を印加するなどの方策を加える必要があるもの
の、ほぼ上記の実施例と同様の方法で陽極酸化を行なう
ことができる。

【００４０】また、上記の第１および第２の実施例で
は、ｎチャンネルのｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴについて述べ
てきたが、ｐチャンネルのｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴを画素
のスイッチングトランジスタとして用いたときにも有効
である。さらに、ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴに限らず、スタ
ガ型のａ−ＳｉＴＦＴを画素のスイッチングトランジス
タとして用いることもできる。

【００４１】

【発明の効果】以上、詳細な説明に明らかなように、本
発明によれば、液晶表示装置の製造時に生じる位置ずれ
を吸収するための寸法マージンを取ることによる遮光膜
の開口率の低下の問題や、表示にとって不要な開口の面
積を大きく取らねばならないことによる光の漏れの問題
を解消して、輝度が高く表示品位の良好な液晶表示装置
を提供することができる。また、そのような液晶表示装
置の製造方法、特に遮光膜および絶縁膜の工程を簡易な
ものとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の表
示画素部分の構造を示す平面図。

【図２】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の表
示画素部分の構造を示す平面図。

【図３】従来の液晶表示装置の表示画素部分の構造を示
す図。

【図４】液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板およびと対向
基板を示す一部省略斜視図。

【図５】遮光膜がＴＦＴアレイ基板側に形成された従来
の液晶表示装置の表示画素部分を示す図。

【符号の説明】

１…石英基板、３…活性層、５…ゲート絶縁膜、７…ゲ
ート、９…ソース、１１…ドレイン、１２…ＴＦＴ素
子、１３…第１の層間絶縁膜、１５、２１…スルーホー
ル、１７…信号線、１９…第２の層間絶縁膜、２３…遮
光膜、２５…第３の層間絶縁膜、２７…画素電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に複数の走査配線および複数の信
   号配線と、該走査配線および信号配線に接続されるスイ
   ッチング素子と、該スイッチング素子に接続される画素
   電極と、前記画素電極を避けて配設され前記スイッチン
   グ素子に入射する光を遮る遮光膜とを有するスイッチン
   グ素子アレイ基板と、前記スイッチング素子アレイ基板
   に対向して間隙を有して配置される対向電極が配設され
   た対向基板と、前記スイッチング素子アレイ基板と前記
   対向基板との間に封入される液晶組成物とを有する液晶
   表示装置において、 前記遮光膜が金属材料からなり、前記遮光膜の上層を酸
   化してなる絶縁膜を具備することを特徴とする液晶表示
   装置。
2. 【請求項２】 基板上に複数のゲート配線と複数の信号
   配線と該ゲート配線および信号配線に接続するスイッチ
   ング素子と、該スイッチング素子に接続する画素電極と
   を配設し、前記画素電極を避け、かつ前記スイッチング
   素子に入射する光を遮るように遮光膜を配設し、前記遮
   光膜上に絶縁膜を配設してスイッチング素子アレイ基板
   を形成し、これを対向電極と組み合わせてその間隙に液
   晶組成物を封入して挟持させ、液晶表示装置を製造する
   にあたり、 金属材料を成膜して前記遮光膜を形成し、 前記遮光膜の上層を陽極酸化により酸化して絶縁膜を形
   成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。