JP3558934B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。より詳細には、互いに画素領域の大きさが異なる主表示エリアと副表示エリアを具備するアクティブマトリクス型液晶表示装置の対向電極構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置としては、図6に示すものが知られている。図6は薄膜トランジスタ( Thin Film Transistor: 以下、TFTと略記する)アレイ基板140の平面図である。
従来のアクティブマトリクス装置のTFTアレイ基板140には、画素を構成する画素領城132がマトリクス状に配列された表示エリア130、この表示エリア130の走査線101から外付けのゲートドライバICに接続するための走査線の引き出し配線134と走査線端子136、表示エリア130の信号線119から外付けのソースドライバICに接続するための信号線の引き出し配線135と信号線端子137がそれぞれ形成されている。
【0003】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に対して新たな機能を付加できるとの観点から、図1に示すように、表示エリア30(以後、主表示エリアと言う)のほかに、例えば文字情報を表示させることを目的とした他の表示エリア31(以後、副表示エリアと言う)を設ける必要性が唱えられている。
この場合、主表示エリア30には精細度の高い表示が要求されるために画素領域32を小さくするが、副表示エリア31ではその表示目的から、必ずしも画素領域33の大きさを主表示エリアのそれと一致させる必要はない。むしろ、例えば文字は大きく表示させて見やすくしたいとの要求から、副表示エリア31の画素領域33の大きさは、主表示エリア30の画素領域32の大きさに比べて大きく設計する。
また、従来の副表示エリアを有する液晶表示装置では、対向電極は図7に示すように対向基板41の全面に共通した1個の対向電極13が形成されていた。
【0004】
ー方、アクティブマトリクス型液晶表示装置では、対向配置された一対の基板の間に液晶層を狭持してこれを表示媒体として用いており、液晶層の焼き付きを防止するために液晶層には直流電圧が重畳しない交流電圧を印加し、これを表示電圧として用いる。この交流電圧は、信号線から画素領域を主として成す画素電極へ、走査線からのゲート電圧でオン状態となったTFTを介して印加される。この画素電極と液晶層を介して対向する対向電極には、ー定の直流電圧を印加する。これにより、液晶層に電界を与えてその屈折率を変化させることにより、液晶層は表示媒体として使用可能となる。
【0005】
ところが、液晶の誘電率が電界強度に応じて変化すること、TFTのゲート電極とドレイン電極との間に寄生容量を有すること、および走査線と画素電極との間に寄生容量を有することなどに起因して、TFTをオフ状態にすベくゲート電圧を変化させたときに、画素電極の電位Vpに動的な電圧降下が生ずる。
図5は液晶表示装置の駆動電圧を示す概略図である。図5(a)はTFTのゲート電極に印加する電圧Vgを、図5(b)はTFTのソース電極に印加する電圧Vsを、図5(c)はTFTのドレイン電極、すなわち、画素電極の電圧Vp を示している。図5(c)のVscはソース電極に印加する交流電圧の中心電圧を、図5(c)のVcom は対向電極に印加される電圧をそれぞれ示している。対向電極と画素電極にそれぞれ電圧Vcom とVp を印加することにより、液晶層に実効的な電位が与えられ表示媒体として作動するようになる。図5の横軸には時間をとり、Vg、Vs、Vp のタイミングを示している。図5(a)に示す電圧の高電位がTFTをオン状態にする期間、低電位がTFTをオフ状態にする期間をそれぞれ示している。
【0006】
TFTをオフ状態にすべくゲート電圧Vgを変化させたときに、図5(c)に示すように画素電極の電位Vpに動的な電圧降下△Vpが生ずる。これは、TFTをオフ状態にすべくゲート電圧Vgを変化させたときに、一対の基板間の液晶層による容量、走査線とその上のゲート絶縁膜及び容量電極とからなる蓄積容量および上記寄生容量との間で電荷の分配が生じて、画素電極の電位Vp に電圧降下△Vpが生ずるものである。
【0007】
画素電極11の電位の電圧降下△Vpは次式(1)で示される。
ここで、
△Vp : 画素電極の電位の電圧降下
Vgh : ゲート電圧のハイ電位
Cgdon : TFTオン時の寄生容量
Cgp : 走査線と画素電極の間の寄生容量
Vgl : ゲート電圧ロウ電位
Cgdoff : TFTオフ時の寄生容量
Vs : 信号電圧の電位
Cs : 蓄積容量
Clc : 液晶層の容量
(1)式で示されるように、画素電極の電位の電圧降下△Vp を発生させる因子としては、液晶層の容量Clc、薄膜トランジスタの寄生容量Cgd、蓄積容量Cs 等を含んでいる。
【0008】
前記電圧降下△Vpを発生させる一方の要因である液晶の誘電率が電界強度に応じて変化することは、液晶の物性に関わるもので避けられないものである。また、他方の要因である、TFTのゲート電極とドレイン電極との間の寄生容量及び走査線と画素電極との間の寄生容量の2つの寄生容量のうち、TFTのゲート電極とドレイン電極の間に寄生容量を有することは、前記電極間に形成したゲート絶縁膜が容量を形成してしまうことから、現在のアクティブマトリクス型液晶表示装置では構造的に避けられないものである。
【0009】
このように画素電極の電位Vp に電圧降下△Vp が生じると、画素電極の電位Vp の正と負の電圧振幅に差が生じてしまう。電圧の極性によらず同じ電圧が印加されれば、液晶は同じ透過率特性を有するので、例えば電圧を印加しない状態で透過率の高いノーマリホワイト型のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、電圧振幅が大きい極性では透過率がより低く、電圧振幅が小さい極性では透過率がより高くなる。このため、透過率に応じた明暗の繰り返しが生じ、これがフリッカとして視認されてしまうことになる。
また、正と負の極性に対して電圧の振幅が非対称であると、いずれかの画素電極に交流電圧に重畳して直流的な電圧が常に印加されることになり、表示が残存するいわゆる焼き付き現象が発生する。
そこで従来は、液晶を駆動する交流電圧の正と負の電圧振幅が等しくなるように対向電極の電位を適正に調整すること、および、蓄積容量を液晶層による容量に対して並列に形成することにより、前記フリッカや焼き付きの解消をはかっていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、主表示エリアのほかに画素領域の大きさの異なる副表示エリアを設ける場合、前記液晶容量や前記寄生容量の値が画素領域の大きさに応じて異なるので、主表示エリアと副表示エリアとで、それぞれの画素電極の電圧降下△Vpに差が生じてくる。その結果、主表示エリアと副表示エリアで対向電極に印加する最適な電位が異なるにもかかわらず、従来例のように共通の対向電極を用いた場合には、どちらかの対向電極には適正電圧が印加されなくなるので、主表示エリアもしくは副表示エリアのいずれか一方にフリッカが生ずるといった問題があった。また、主表示エリアもしくは副表示エリアのいずれか一方に焼き付き現象が生ずるといった問題もあった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、画素領域の大きさが異なる主表示エリアと副表示エリアとを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、主表示エリアと副表示エリアとで対向電極を分割することにより、それぞれの対向電極に最適な電圧を印加することを可能とし、フリッカや焼き付の発生を防止する手段を採用したものである。
すなわち、図5(c)において、主表示エリアと副表示エリアとで異なる電圧降下△Vpが発生する場合に、それぞれの対向電極に適正な対向電極電圧Vcom を印加して、それぞれの表示エリアで正と負の極性による電圧振幅が等しくなるようにしたものである。
【0012】
本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置装置は、対向配置された一対の基板の間に液晶層が狭持され、前記一方の基板の表面には複数の走査線および複数の信号線がマトリクス状に交差して形成され、複数の走査線と信号線とが形成する交差部の近傍に、前記走査線に接続するゲート電極を有する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続する画素電極と、前記走査線と蓄積容量を形成する容量電極とがそれぞれ形成されている。前記走査線と信号線で囲まれた画素領域の大きさは互いに異なっており、主表示エリアと副表示エリアとを構成している。一方、前記他方の対向基板の液晶層側表面には対向電極が形成されておリ、主表示エリアに対向する対向電極と副表示エリアに対向する対向電極とが、分割して構成してある。
さらに、主表示エリアと副表示エリアとの画素領域の大きさが異なる場合に、すれぞれに対向する対向電極に画素領域の大きさに応じて異なった電圧を印加するように、電圧印加手段も分割して設けたものである。
かかる液晶表示装置とすることにより、主表示エリアと副表示エリアの対向電極に、それぞれの画素電極の大きさに応じた最適な電位を印加するようにした。
【0013】
たとえば、主表示エリアは画像等を表示するためのもので高精度が要求され、副表示エリアは文字等を表示するためのもので精度はあまり問題にならない場合、主表示エリアの画素領域の大きさを副表示エリアの画素領域の大きさよりも小さく構成し、各対向電極に印加する電圧は、主表示エリアに対向する対向電極に印加する電圧の方を低くする。
すなわち式(1)において、副表示エリアの方が画素領域の大きさが大きく、液晶層の容量Clcが大きくなり、電圧降下△Vpは小さくなる。したがって図5(c)において正と負の極性による電圧振幅を等しくするには、対向電極に印加する電圧は副表示エリアに対向する電極に印加する電圧の方を高くすればよい。これにより各対向電極に画素領域の大きさに見合った最適な電圧を印加することができるので、フリッカや焼き付きを防止することが可能となる。
各対向電極に異なった電圧を印加するには、電圧印加手段もそれぞれに分割して持つようにして行なう。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に従って説明する。
図1に、本発明の一実施の形態に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置におけるTFTアレイ基板40の平面図を示す。
本発明においては、TFTアレイ基板40には主表示エリア30と副表示エリア31にそれぞれ多数の画素領域32及び33がマトリクス状に配列されている。ここで画素領域とは走査線1と信号線19で囲まれた領域であり、主表示エリア30と副表示エリア31にある画素領域とではその大きさを異にしている。
より具体的には、主表示エリア30の画素領域32の大きさは横幅40μm×縦長120μm、副表示エリア31の画素領域33の大きさは横幅40μm×縦長400μmである。
本実施の形態では、主表示エリア30の画素領域32の大きさに比ベて大きい画素領域33から成る副表示エリア31が、走査線方向で画素領域の幅が一致するように主表示エリア30の上部に形成されている。
【0015】
また、これらの画素領域を走査する走査線1と、信号を供給する信号線19とは格子状に形成されている。信号線19は画素領域の大きさが異なる主表示エリア30と副表示エリア31で途切れることなく連続して配線されている。
そしてTFTアレイ基板40に対向する対向基板41には、図4に示すように主表示エリア30と副表示エリア31のそれぞれに対向する対向電極13aと13bが配置され、それぞれ異なった電圧を印加するようにしてある。
【0016】
主表示エリア30および副表示エリア31の周辺には、各表示エリア30、31の走査線1から外付けのゲートドライバICに接続するために、走査線の端子36まで引き出された走査線の引出し配線34と、各表示エリア30、31の信号線19から外部のソースドライバICに接続するために、信号線の端子37まで引き出された信号線の引出し配線35とがそれぞれ形成されている。なお、本実施の形態とは異なる場合として、同一TFTアレイ基板上に駆動回路が内蔵されている場合があるが、この場合には、走査線の引出し配線と前記信号線の引出し配線がこの駆動回路の出力に引き出されていても構わない。
【0017】
次に、図2に本実施の形態の液晶表示装置の副表示エリア31の一画素領域33を取り出して拡大した平面図を示す。また、図3に図2中のTFT21、コンタクトホール18a及び容量電極9を貫くA−A’線に沿った断面図を示す。なお、主表示エリア30の画素領域32もその大きさが異なるのみで、構造は副表示エリア31の画素領域33と同様である。
図2に示すとおり、この副表示エリア31の画素領域33は走査線1と信号線19とに囲まれており、紙面の左下にTFT21が、又紙面上方に蓄積容量22が形成されている。紙面中央部には画素電極11が配置されている。
【0018】
立体的に見ると図3に示すように、このTFTアレイ基板40を用いた液晶表示装置は、液晶層20を介してTFTアレイ基板40と対向して配置された対向基板41がある。対向基板41には、遮光用のブラックマトリクス15、カラーフィルタ14、及び画素電極11と同様なインジウムとスズの酸化物( Indium Tin Oxide :以下、ITOと略記する)からなる透明な対向電極13を設けてある。液晶と接する面には配向膜12が形成されている。従って、画素電極11と対向電極13との間に電圧を印加すると、液晶層20に電界が印加され、液晶分子の配向制御ができるようになっている。また、この構造は画素電極11と対向電極13をそれぞれ電極に持ち、その間に誘電体である液晶層20を有することから、容量と見なすことができる(以下、これを液晶容量と呼ぶ)。
【0019】
TFTは、図2及び図3に示すように、走査線1から引き出して設けられたゲート電極2を設け、その上にチッ化珪素からなるゲート絶縁膜3を設け、その上にアモルファスシリコンからなる半導体膜4を設け、更にその上にはアモルファシリコンにリンを添加したn+型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト膜5を設け、その上に導電体からなるドレイン電極7とソース電極8とを設けて形成されている。このうちソース電極8は信号線19から引き出して設けられている。そして更にドレイン電極7とソース電極8の上には、これらを覆うようにチッ化珪素からなるパッシベーション膜10を設け、ドレイン電極7上のパッシベーション膜10にはコンタクトホール18aが形成されている。そしてドレイン電極7とITOからなる透明な画素電極11とがコンタクトホール18aを介して接続されている。
【0020】
蓄積容量22は、走査線1を一方の電極とし、その上のゲート絶縁膜3を誘電体として形成し、更にその上に他方の電極となる容量電極9を形成してある。容量電極9はドレイン電極7やソース電極8と同一の導電体により形成してある。容量電極9の上にはTFT21と同様、パッシベーション膜10が形成され、このパッシベーション膜10にはコンタクトホール18bを形成して、ITOからなる画素電極11を容量電極9の上に引き出して設けて、容量電極9と画素電極11とをコンタクトホール18bを介して接続してある。なお、蓄積容量22は先に述べた液晶容量と並列接続の関係にあり、ともにTFT21の負荷容量となる。
【0021】
本実施の形態では、それぞれ横幅40μm×縦長l20μmの大きさの画素領域を有する主表示エリア30と、横幅40μm×縦長400μmの大きさの画素領域を有する副表示エリア31の2つが同一のTFTアレイ基板40上に形成されいる。これらに対向する対向電極13a及び13bは、図4に示すように一つの対向基板41上に各表示エリア毎に分割して配置してある。
対向電極13a、13bも画素電極11と同一のITO膜で形成する。
各対向電極13の大きさ(面積)は、主表示エリア30と副表示エリア31の面積にほぼ等しく構成する。
【0022】
この分割した各対向電極に最適な電圧を印加するには、電圧印加手段として直流電圧を発生するためのDC/DCコンバーター(図示省略)を2系列に分けて準備する。各DC/DCコンバーターにつきそれぞれの対向電極に最適な電圧に変換して、それぞれの対向電極に印加すればよい。
【0023】
本実施の形態では、主表示エリア30の画素領域32の大きさが副表示エリア31の画素領域33の大きさよりも小さいので、主表示エリア30の対向電極13aに印加する電圧は、副表示エリア31の対向電極13bに印加する電圧よりも低くする。例えば本実施の形態では、主表示エリア30の対向電極13aに印加する電圧は3.7V、副表示エリア31の対向電極13bに印加する電圧は4.0Vとする。
【0024】
以上説明したとおり、本発明では画素領域の大きさの異なる二つの表示エリアにある二つの対向電極に異なる電圧を印加してある。つまり図5(c)において表示エリアの画素領域の大きさに応じてVcom の値を変化させ、その結果正と負の極性による電圧振幅の差を解消させるようにした。
【0025】
【発明の効果】
本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置は、対向電極を分割することにより、それぞれの画素領域の大きさに応じて最適な電圧を印加することが可能となり、その結果フリッカや焼き付きを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に使用するTFTアレイ基板の平面図である。
【図2】図1に示したTFTアレイ基板の副表示エリアの一画素領域近傍を拡大して示す平面図である。
【図3】図2のA−A’線に沿った断面図である。
【図4】本発明の対向電極を示す平面図である。
【図5】液晶表示装置の駆動電圧を説明する図である。
【図6】従来のTFTアレイ基板を示す平面図である。
【図7】従来の対向電極を示す平面図である。
【符号の説明】
1・・・・・走査線、2・・・・・ゲート電極、3・・・・・ゲート絶縁膜、4・・・・・半導体膜、5・・・・・オーミックコンタクト膜、7・・・・・ドレイン電極、8・・・・ソース電極、9・・・・・容量電極、10・・・・・パッシベーション膜、11・・・・・画素電極、12・・・・・配向膜、13・・・・・対向電極、13a・・・・・主表示エリアの対向電極、13b・・・・・副表示エリアの対向電極、14・・・・・カラーフィルタ、15・・・・ブラックマトリクス、16、17・・・・・透明基板、18a,18b・・・・コンタクトホール、19・・・・信号線、20・・・・・液晶層、21・・・・・TFT、22・・・・・蓄積容量、30・・・・・主表示エリア、31・・・・・副表示エリア、32・・・・・主表示エリアの画素領域、33・・・・副表示エリアの画素領域、34・・・・・走査線側引出し線、35・・・・・信号線側引出し線、36・・・・・走査線側端子、37・・・・・信号線側端子、40・・・・TFTアレイ基板、41・・・・・対向基板、101・・・・・走査線、119・・・・・信号線、 130・・・・・表示エリア、132・・・・・画素領域、134・・・・走査線側引出し線、135・・・・・信号線側引出し線、136・・・・・走査線側端子、137・・・・信号線側端子、140・・・・・TFTアレイ基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。より詳細には、互いに画素領域の大きさが異なる主表示エリアと副表示エリアを具備するアクティブマトリクス型液晶表示装置の対向電極構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置としては、図6に示すものが知られている。図6は薄膜トランジスタ( Thin Film Transistor: 以下、TFTと略記する)アレイ基板140の平面図である。
従来のアクティブマトリクス装置のTFTアレイ基板140には、画素を構成する画素領城132がマトリクス状に配列された表示エリア130、この表示エリア130の走査線101から外付けのゲートドライバICに接続するための走査線の引き出し配線134と走査線端子136、表示エリア130の信号線119から外付けのソースドライバICに接続するための信号線の引き出し配線135と信号線端子137がそれぞれ形成されている。
【0003】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に対して新たな機能を付加できるとの観点から、図1に示すように、表示エリア30(以後、主表示エリアと言う)のほかに、例えば文字情報を表示させることを目的とした他の表示エリア31(以後、副表示エリアと言う)を設ける必要性が唱えられている。
この場合、主表示エリア30には精細度の高い表示が要求されるために画素領域32を小さくするが、副表示エリア31ではその表示目的から、必ずしも画素領域33の大きさを主表示エリアのそれと一致させる必要はない。むしろ、例えば文字は大きく表示させて見やすくしたいとの要求から、副表示エリア31の画素領域33の大きさは、主表示エリア30の画素領域32の大きさに比べて大きく設計する。
また、従来の副表示エリアを有する液晶表示装置では、対向電極は図7に示すように対向基板41の全面に共通した1個の対向電極13が形成されていた。
【0004】
ー方、アクティブマトリクス型液晶表示装置では、対向配置された一対の基板の間に液晶層を狭持してこれを表示媒体として用いており、液晶層の焼き付きを防止するために液晶層には直流電圧が重畳しない交流電圧を印加し、これを表示電圧として用いる。この交流電圧は、信号線から画素領域を主として成す画素電極へ、走査線からのゲート電圧でオン状態となったTFTを介して印加される。この画素電極と液晶層を介して対向する対向電極には、ー定の直流電圧を印加する。これにより、液晶層に電界を与えてその屈折率を変化させることにより、液晶層は表示媒体として使用可能となる。
【0005】
ところが、液晶の誘電率が電界強度に応じて変化すること、TFTのゲート電極とドレイン電極との間に寄生容量を有すること、および走査線と画素電極との間に寄生容量を有することなどに起因して、TFTをオフ状態にすベくゲート電圧を変化させたときに、画素電極の電位Vpに動的な電圧降下が生ずる。
図5は液晶表示装置の駆動電圧を示す概略図である。図5(a)はTFTのゲート電極に印加する電圧Vgを、図5(b)はTFTのソース電極に印加する電圧Vsを、図5(c)はTFTのドレイン電極、すなわち、画素電極の電圧Vp を示している。図5(c)のVscはソース電極に印加する交流電圧の中心電圧を、図5(c)のVcom は対向電極に印加される電圧をそれぞれ示している。対向電極と画素電極にそれぞれ電圧Vcom とVp を印加することにより、液晶層に実効的な電位が与えられ表示媒体として作動するようになる。図5の横軸には時間をとり、Vg、Vs、Vp のタイミングを示している。図5(a)に示す電圧の高電位がTFTをオン状態にする期間、低電位がTFTをオフ状態にする期間をそれぞれ示している。
【0006】
TFTをオフ状態にすべくゲート電圧Vgを変化させたときに、図5(c)に示すように画素電極の電位Vpに動的な電圧降下△Vpが生ずる。これは、TFTをオフ状態にすべくゲート電圧Vgを変化させたときに、一対の基板間の液晶層による容量、走査線とその上のゲート絶縁膜及び容量電極とからなる蓄積容量および上記寄生容量との間で電荷の分配が生じて、画素電極の電位Vp に電圧降下△Vpが生ずるものである。
【0007】
画素電極11の電位の電圧降下△Vpは次式(1)で示される。
ここで、
△Vp : 画素電極の電位の電圧降下
Vgh : ゲート電圧のハイ電位
Cgdon : TFTオン時の寄生容量
Cgp : 走査線と画素電極の間の寄生容量
Vgl : ゲート電圧ロウ電位
Cgdoff : TFTオフ時の寄生容量
Vs : 信号電圧の電位
Cs : 蓄積容量
Clc : 液晶層の容量
(1)式で示されるように、画素電極の電位の電圧降下△Vp を発生させる因子としては、液晶層の容量Clc、薄膜トランジスタの寄生容量Cgd、蓄積容量Cs 等を含んでいる。
【0008】
前記電圧降下△Vpを発生させる一方の要因である液晶の誘電率が電界強度に応じて変化することは、液晶の物性に関わるもので避けられないものである。また、他方の要因である、TFTのゲート電極とドレイン電極との間の寄生容量及び走査線と画素電極との間の寄生容量の2つの寄生容量のうち、TFTのゲート電極とドレイン電極の間に寄生容量を有することは、前記電極間に形成したゲート絶縁膜が容量を形成してしまうことから、現在のアクティブマトリクス型液晶表示装置では構造的に避けられないものである。
【0009】
このように画素電極の電位Vp に電圧降下△Vp が生じると、画素電極の電位Vp の正と負の電圧振幅に差が生じてしまう。電圧の極性によらず同じ電圧が印加されれば、液晶は同じ透過率特性を有するので、例えば電圧を印加しない状態で透過率の高いノーマリホワイト型のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、電圧振幅が大きい極性では透過率がより低く、電圧振幅が小さい極性では透過率がより高くなる。このため、透過率に応じた明暗の繰り返しが生じ、これがフリッカとして視認されてしまうことになる。
また、正と負の極性に対して電圧の振幅が非対称であると、いずれかの画素電極に交流電圧に重畳して直流的な電圧が常に印加されることになり、表示が残存するいわゆる焼き付き現象が発生する。
そこで従来は、液晶を駆動する交流電圧の正と負の電圧振幅が等しくなるように対向電極の電位を適正に調整すること、および、蓄積容量を液晶層による容量に対して並列に形成することにより、前記フリッカや焼き付きの解消をはかっていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、主表示エリアのほかに画素領域の大きさの異なる副表示エリアを設ける場合、前記液晶容量や前記寄生容量の値が画素領域の大きさに応じて異なるので、主表示エリアと副表示エリアとで、それぞれの画素電極の電圧降下△Vpに差が生じてくる。その結果、主表示エリアと副表示エリアで対向電極に印加する最適な電位が異なるにもかかわらず、従来例のように共通の対向電極を用いた場合には、どちらかの対向電極には適正電圧が印加されなくなるので、主表示エリアもしくは副表示エリアのいずれか一方にフリッカが生ずるといった問題があった。また、主表示エリアもしくは副表示エリアのいずれか一方に焼き付き現象が生ずるといった問題もあった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、画素領域の大きさが異なる主表示エリアと副表示エリアとを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、主表示エリアと副表示エリアとで対向電極を分割することにより、それぞれの対向電極に最適な電圧を印加することを可能とし、フリッカや焼き付の発生を防止する手段を採用したものである。
すなわち、図5(c)において、主表示エリアと副表示エリアとで異なる電圧降下△Vpが発生する場合に、それぞれの対向電極に適正な対向電極電圧Vcom を印加して、それぞれの表示エリアで正と負の極性による電圧振幅が等しくなるようにしたものである。
【0012】
本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置装置は、対向配置された一対の基板の間に液晶層が狭持され、前記一方の基板の表面には複数の走査線および複数の信号線がマトリクス状に交差して形成され、複数の走査線と信号線とが形成する交差部の近傍に、前記走査線に接続するゲート電極を有する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続する画素電極と、前記走査線と蓄積容量を形成する容量電極とがそれぞれ形成されている。前記走査線と信号線で囲まれた画素領域の大きさは互いに異なっており、主表示エリアと副表示エリアとを構成している。一方、前記他方の対向基板の液晶層側表面には対向電極が形成されておリ、主表示エリアに対向する対向電極と副表示エリアに対向する対向電極とが、分割して構成してある。
さらに、主表示エリアと副表示エリアとの画素領域の大きさが異なる場合に、すれぞれに対向する対向電極に画素領域の大きさに応じて異なった電圧を印加するように、電圧印加手段も分割して設けたものである。
かかる液晶表示装置とすることにより、主表示エリアと副表示エリアの対向電極に、それぞれの画素電極の大きさに応じた最適な電位を印加するようにした。
【0013】
たとえば、主表示エリアは画像等を表示するためのもので高精度が要求され、副表示エリアは文字等を表示するためのもので精度はあまり問題にならない場合、主表示エリアの画素領域の大きさを副表示エリアの画素領域の大きさよりも小さく構成し、各対向電極に印加する電圧は、主表示エリアに対向する対向電極に印加する電圧の方を低くする。
すなわち式(1)において、副表示エリアの方が画素領域の大きさが大きく、液晶層の容量Clcが大きくなり、電圧降下△Vpは小さくなる。したがって図5(c)において正と負の極性による電圧振幅を等しくするには、対向電極に印加する電圧は副表示エリアに対向する電極に印加する電圧の方を高くすればよい。これにより各対向電極に画素領域の大きさに見合った最適な電圧を印加することができるので、フリッカや焼き付きを防止することが可能となる。
各対向電極に異なった電圧を印加するには、電圧印加手段もそれぞれに分割して持つようにして行なう。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に従って説明する。
図1に、本発明の一実施の形態に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置におけるTFTアレイ基板40の平面図を示す。
本発明においては、TFTアレイ基板40には主表示エリア30と副表示エリア31にそれぞれ多数の画素領域32及び33がマトリクス状に配列されている。ここで画素領域とは走査線1と信号線19で囲まれた領域であり、主表示エリア30と副表示エリア31にある画素領域とではその大きさを異にしている。
より具体的には、主表示エリア30の画素領域32の大きさは横幅40μm×縦長120μm、副表示エリア31の画素領域33の大きさは横幅40μm×縦長400μmである。
本実施の形態では、主表示エリア30の画素領域32の大きさに比ベて大きい画素領域33から成る副表示エリア31が、走査線方向で画素領域の幅が一致するように主表示エリア30の上部に形成されている。
【0015】
また、これらの画素領域を走査する走査線1と、信号を供給する信号線19とは格子状に形成されている。信号線19は画素領域の大きさが異なる主表示エリア30と副表示エリア31で途切れることなく連続して配線されている。
そしてTFTアレイ基板40に対向する対向基板41には、図4に示すように主表示エリア30と副表示エリア31のそれぞれに対向する対向電極13aと13bが配置され、それぞれ異なった電圧を印加するようにしてある。
【0016】
主表示エリア30および副表示エリア31の周辺には、各表示エリア30、31の走査線1から外付けのゲートドライバICに接続するために、走査線の端子36まで引き出された走査線の引出し配線34と、各表示エリア30、31の信号線19から外部のソースドライバICに接続するために、信号線の端子37まで引き出された信号線の引出し配線35とがそれぞれ形成されている。なお、本実施の形態とは異なる場合として、同一TFTアレイ基板上に駆動回路が内蔵されている場合があるが、この場合には、走査線の引出し配線と前記信号線の引出し配線がこの駆動回路の出力に引き出されていても構わない。
【0017】
次に、図2に本実施の形態の液晶表示装置の副表示エリア31の一画素領域33を取り出して拡大した平面図を示す。また、図3に図2中のTFT21、コンタクトホール18a及び容量電極9を貫くA−A’線に沿った断面図を示す。なお、主表示エリア30の画素領域32もその大きさが異なるのみで、構造は副表示エリア31の画素領域33と同様である。
図2に示すとおり、この副表示エリア31の画素領域33は走査線1と信号線19とに囲まれており、紙面の左下にTFT21が、又紙面上方に蓄積容量22が形成されている。紙面中央部には画素電極11が配置されている。
【0018】
立体的に見ると図3に示すように、このTFTアレイ基板40を用いた液晶表示装置は、液晶層20を介してTFTアレイ基板40と対向して配置された対向基板41がある。対向基板41には、遮光用のブラックマトリクス15、カラーフィルタ14、及び画素電極11と同様なインジウムとスズの酸化物( Indium Tin Oxide :以下、ITOと略記する)からなる透明な対向電極13を設けてある。液晶と接する面には配向膜12が形成されている。従って、画素電極11と対向電極13との間に電圧を印加すると、液晶層20に電界が印加され、液晶分子の配向制御ができるようになっている。また、この構造は画素電極11と対向電極13をそれぞれ電極に持ち、その間に誘電体である液晶層20を有することから、容量と見なすことができる(以下、これを液晶容量と呼ぶ)。
【0019】
TFTは、図2及び図3に示すように、走査線1から引き出して設けられたゲート電極2を設け、その上にチッ化珪素からなるゲート絶縁膜3を設け、その上にアモルファスシリコンからなる半導体膜4を設け、更にその上にはアモルファシリコンにリンを添加したn+型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト膜5を設け、その上に導電体からなるドレイン電極7とソース電極8とを設けて形成されている。このうちソース電極8は信号線19から引き出して設けられている。そして更にドレイン電極7とソース電極8の上には、これらを覆うようにチッ化珪素からなるパッシベーション膜10を設け、ドレイン電極7上のパッシベーション膜10にはコンタクトホール18aが形成されている。そしてドレイン電極7とITOからなる透明な画素電極11とがコンタクトホール18aを介して接続されている。
【0020】
蓄積容量22は、走査線1を一方の電極とし、その上のゲート絶縁膜3を誘電体として形成し、更にその上に他方の電極となる容量電極9を形成してある。容量電極9はドレイン電極7やソース電極8と同一の導電体により形成してある。容量電極9の上にはTFT21と同様、パッシベーション膜10が形成され、このパッシベーション膜10にはコンタクトホール18bを形成して、ITOからなる画素電極11を容量電極9の上に引き出して設けて、容量電極9と画素電極11とをコンタクトホール18bを介して接続してある。なお、蓄積容量22は先に述べた液晶容量と並列接続の関係にあり、ともにTFT21の負荷容量となる。
【0021】
本実施の形態では、それぞれ横幅40μm×縦長l20μmの大きさの画素領域を有する主表示エリア30と、横幅40μm×縦長400μmの大きさの画素領域を有する副表示エリア31の2つが同一のTFTアレイ基板40上に形成されいる。これらに対向する対向電極13a及び13bは、図4に示すように一つの対向基板41上に各表示エリア毎に分割して配置してある。
対向電極13a、13bも画素電極11と同一のITO膜で形成する。
各対向電極13の大きさ(面積)は、主表示エリア30と副表示エリア31の面積にほぼ等しく構成する。
【0022】
この分割した各対向電極に最適な電圧を印加するには、電圧印加手段として直流電圧を発生するためのDC/DCコンバーター(図示省略)を2系列に分けて準備する。各DC/DCコンバーターにつきそれぞれの対向電極に最適な電圧に変換して、それぞれの対向電極に印加すればよい。
【0023】
本実施の形態では、主表示エリア30の画素領域32の大きさが副表示エリア31の画素領域33の大きさよりも小さいので、主表示エリア30の対向電極13aに印加する電圧は、副表示エリア31の対向電極13bに印加する電圧よりも低くする。例えば本実施の形態では、主表示エリア30の対向電極13aに印加する電圧は3.7V、副表示エリア31の対向電極13bに印加する電圧は4.0Vとする。
【0024】
以上説明したとおり、本発明では画素領域の大きさの異なる二つの表示エリアにある二つの対向電極に異なる電圧を印加してある。つまり図5(c)において表示エリアの画素領域の大きさに応じてVcom の値を変化させ、その結果正と負の極性による電圧振幅の差を解消させるようにした。
【0025】
【発明の効果】
本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置は、対向電極を分割することにより、それぞれの画素領域の大きさに応じて最適な電圧を印加することが可能となり、その結果フリッカや焼き付きを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に使用するTFTアレイ基板の平面図である。
【図2】図1に示したTFTアレイ基板の副表示エリアの一画素領域近傍を拡大して示す平面図である。
【図3】図2のA−A’線に沿った断面図である。
【図4】本発明の対向電極を示す平面図である。
【図5】液晶表示装置の駆動電圧を説明する図である。
【図6】従来のTFTアレイ基板を示す平面図である。
【図7】従来の対向電極を示す平面図である。
【符号の説明】
1・・・・・走査線、2・・・・・ゲート電極、3・・・・・ゲート絶縁膜、4・・・・・半導体膜、5・・・・・オーミックコンタクト膜、7・・・・・ドレイン電極、8・・・・ソース電極、9・・・・・容量電極、10・・・・・パッシベーション膜、11・・・・・画素電極、12・・・・・配向膜、13・・・・・対向電極、13a・・・・・主表示エリアの対向電極、13b・・・・・副表示エリアの対向電極、14・・・・・カラーフィルタ、15・・・・ブラックマトリクス、16、17・・・・・透明基板、18a,18b・・・・コンタクトホール、19・・・・信号線、20・・・・・液晶層、21・・・・・TFT、22・・・・・蓄積容量、30・・・・・主表示エリア、31・・・・・副表示エリア、32・・・・・主表示エリアの画素領域、33・・・・副表示エリアの画素領域、34・・・・・走査線側引出し線、35・・・・・信号線側引出し線、36・・・・・走査線側端子、37・・・・・信号線側端子、40・・・・TFTアレイ基板、41・・・・・対向基板、101・・・・・走査線、119・・・・・信号線、 130・・・・・表示エリア、132・・・・・画素領域、134・・・・走査線側引出し線、135・・・・・信号線側引出し線、136・・・・・走査線側端子、137・・・・信号線側端子、140・・・・・TFTアレイ基板
Claims (4)
- 対向配置された一対の基板の間に液晶層が狭持され、前記一方の基板の表面には複数の走査線および複数の信号線がマトリクス状に交差して形成され、複数の走査線と信号線とが形成する交差部の近傍に、前記走査線に接続するゲート電極を有する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続する画素電極と蓄積容量とがそれぞれ形成されており、走査線と信号線で囲まれた画素領域の大きさが互い異なる主表示エリアと副表示エリアとを具備し、前記他方の対向基板の液晶層側表面には対向電極が形成されており、前記主表示エリアに対向する対向電極と前記副表示エリアに対向する対向電極とが分割して構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記主表示エリアの画素領域の大きさが、前記副表示エリアの画素領域の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記主表示エリアに対向する対向電極と前記副表示エリアに対向する対向電極とに、異なる電圧を印加するような電圧印加手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
- 前記主表示エリアの画素領域の大きさが、前記副表示エリアの画素領域の大きさよりも小さく、かつ前記主表示エリアに対向する対向電極に印加する電圧が、前記副表示エリアに対向する対向電極に印加する電圧よりも低くなるような電圧印加手段を備えたことを特徴とする請求項3に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
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