JP5243060B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本技術は、液晶表示装置に関し、特に、一方の基板に２つの電極を有し、一方の電極にスリットが設けられる液晶表示装置に関する。

従来、一方の基板に２つの電極を有し、２つの電極のうち一方の電極にスリットが設けられ、２つの電極の間に基板に対して略水平方向の電界が発生し、この電界により液晶を駆動するＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）方式やＦＦＳ（フリンジ・フィールド・スイッチング）方式などの横電界方式の液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、対向電極（共通電極）の上方に複数の画素（副画素）に対応する画素電極が配置されており、画素電極の表面には複数のスリットが形成されている。このスリットは、ゲートバスラインを中心にして、上下対称形状に形成されている。また、スリットは、ゲートバスラインに対して所定の角度傾斜させた状態で形成されている。そして、画素電極には、スリットの延びる方向に対して直交する方向に略横方向（略水平方向）の電界が発生し、この電界によって液晶が駆動される。

特開２００３−２１８４５号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、画素電極に電圧を印加した際に、画素の中心部ではスリットの延びる方向に対して直交する方向に電気力線が発生する一方、スリットの端部が位置する画素の両端部では、発生する電気力線がスリットの延びる方向に対して直交する方向ではないという不都合がある。この結果、画素の端部が位置する画素の両端部において液晶の配向不良（ドメイン）が発生し、画素の両端部における透過率が低下するという問題点がある。

この技術は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この技術の１つの目的は、副画素の両端部分において液晶の配向不良（ドメイン）が発生することに起因する、副画素の両端部分における透過率の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することである。

課題を解決するための手段および発明の効果

この技術の一の局面による液晶表示装置は、複数の副画素を含む第１画素と、複数の副画素に対応するようにそれぞれ配置される複数の画素電極と、画素電極に接続される薄膜トランジスタと、画素電極の表面上に絶縁膜を介して形成された複数のスリットを含む第１共通電極とを備え、第１共通電極は、複数の副画素で共有されたスリットを有している。

この技術の一の局面による液晶表示装置では、上記のように、スリットを含む第１共通電極を備え、第１共通電極のスリットを、複数の副画素間で共有されるように形成することによって、副画素毎にスリットが形成される場合と異なり、副画素の境界部分（副画素の端部）において発生する配向不良を抑制することができる。これにより、副画素間の境界部分における透過率が低下するのを抑制することができる。

上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１共通電極のスリットは、平面的に複数の副画素の配列方向と平行な境界に対して、平行な境界で分けられた第１領域と第２領域とに配置されたスリットの傾斜角度が対称となるように形成されている。このように構成すれば、液晶に電圧が印加された際に、第１領域と第２領域との液晶分子の配向方向が対称となるので、液晶の配向方向の異なる領域同士で補完することができ、視角が変わった時に発生する色のシフトや輝度の低下を抑制することができる。

上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１共通電極は、スリットにより分割されるとともに、スリット間に位置する複数の電極部を含み、複数の電極部は、少なくとも一方の端部において、スリットを横切るように形成される接続部により接続されている。このように構成すれば、第１共通電極の外周部分を電気的に導通させることができるので、電気抵抗の増加を抑制することができる。

上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１共通電極は、複数のスリットにより分割されるとともに、スリット間に位置する複数の電極部を含み、複数の電極部は、複数のスリットはそれぞれ横切るように形成される接続部を有し、複数のスリットのうちの１つのスリットの接続部と他のスリットの接続部とは副画素の配列方向にずれて配置されている。このように構成すれば、スリットを横切るように形成される接続部を任意の場所とすることにより、第１共通電極の抵抗値を低く抑えることができる。さらに、配向不良の発生により透過率が低くなる接続部を調整することにより、各副画素の透過率を調整することができ、画素の色を適正に調整することができる。

上記複数の電極部を含む液晶表示装置において、好ましくは、接続部を有する端部に配置される副画素の平面積は、端部以外に配置される副画素の平面積よりも大きい。このように構成すれば、配向不良により透過率が低下する接続部を有する端部に配置される副画素の平面積を接続部を有しない他の副画素の平面積よりも大きくすることによって、端部の副画素を透過する光量と他の副画素を透過する光量とのバランスをとることができ、画素の色バランスを揃えることができる。

上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１画素に隣接するとともに、複数の副画素を含む第２画素と、第２画素の副画素に形成されている第２共通電極とをさらに備え、第１共通電極および第２共通電極は、一体に形成されている。このように構成すれば、第１画素および第２画素の共通電極を１つの共通電極とすることができ、共通電極を接続する配線を接続する必要がなくなり、画素の開口率の低下を防ぐことができ、透過率を高くすることができる。

この場合において、好ましくは、第１画素と第２画素とは、複数の副画素の配列方向と略直交する方向に配列され、第１共通電極と第２共通電極との連結部分近傍において、第１共通電極のスリットと第２共通電極のスリットとが略平行になるように配置されている。このように構成すれば、連結部分の近傍における、第１画素のスリットと第２画素のスリットとを接近して配置することができ、連結部分近傍に発生する配向不良の領域の面積を小さくすることができるので、画素の開口率をより高くすることができ、透過率を高くすることができる。

上記第１画素と第２画素とが、複数の副画素の配列方向と略直交する方向に配列されている液晶表示装置において、好ましくは、第１共通電極と第２共通電極との連結部分において、第１共通電極のスリットと第２共通電極のスリットとが連結されている。このように構成すれば、第１共通電極と第２共通電極との連結部分の近傍もスリットに直交する電界を発生させることができるので、第１共通電極と第２共通電極との境界部分に位置する画素の端部において液晶の配向不良が発生するのを抑制することができる。

上記複数の副画素の配列方向と平行な線に対して、第１領域と第２領域とに配置されたスリットの傾斜角度が対称となる液晶表示装置において、好ましくは、配線部は、平面的に見て第１領域と第２領域との境界に沿って配置されるように構成されている。このように構成すれば、配線部により、第１共通電極の電気抵抗をより低くすることができる。なお、第１領域と第２領域とのスリットが平行でないので、スリットが平行な場合と異なり、配向不良の発生する領域の面積を小さく抑えることは難しく、この部分に配線を配置することにより、画素の開口率があまり下がらないので、画素の透過率が低下するのを抑制することができる。

上記複数の副画素の配列方向と平行な線に対して、第１領域と第２領域とに配置された前記スリットの傾斜角度が対称となる液晶表示装置において、好ましくは、薄膜トランジスタを介して画素電極に接続される信号線と、薄膜トランジスタに接続されるゲート線とをさらに備え、配線部は信号線またはゲート線の少なくとも一方に平面的に重なるように配置されている。このように構成すれば、信号線またはゲート線の少なくとも一方に平面的に重なるように配線部が配置されていることによって、配線部が遮光性の材料であるゲート線または信号線に重ならない場合に比べて、第１画素の透過率が低下するのを抑制することができる。

以下、本技術の実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１実施形態）
図１は、本技術の第１実施形態による液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。図２〜図５は、本技術の第１実施形態による液晶表示装置の詳細な構成を説明するための図である。まず、図１〜図５を参照して、本技術の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。

第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、表示部１と、駆動ＩＣ２と、Ｖドライバ３と、Ｈドライバ４と、バックライト５と、ＣＯＭ６とを備えている。表示部１には、複数の画素１ａがマトリックス状に配置されている。なお、画素１ａは、本技術の「第１画素」の一例である。また、画素１ａは、図２に示すように、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の色に対応する複数（３つ）の副画素（サブピクセル）１ｂにより、１画素（ピクセル）として構成されている。なお、図２は、図面の簡略化のために１画素分の画素１ａを図示している。

また、図１に示すように、駆動ＩＣ２は、液晶表示装置１００全体を駆動するための機能を有する。Ｖドライバ３およびＨドライバ４には、それぞれ、複数のゲート線３ａおよび信号線４ａが接続されているとともに、ゲート線３ａおよび信号線４ａは互いに直交するように配置されている。また、Ｖドライバ３は、ゲート線３ａの駆動回路としての機能を有する。また、Ｈドライバ４は、信号線４ａを介して、後述する画素電極１ｄに映像信号を順次供給する機能を有する。また、バックライト５は、画素１ａの透過領域の光源を構成する。ＣＯＭ６は、画素１ａに配置された後述する共通電極１ｅの電位を制御する機能を有する。なお、共通電極１ｅは、本技術の「第１共通電極」の一例である。

また、図２に示すように、画素１ａは、３つの副画素１ｂを含んでいる。また、３つの副画素１ｂに対応するように、各々の３つの副画素１ｂ毎に、それぞれ、画素電極１ｄがそれぞれ配置されている。

また、図３に示すように、副画素１ｂには、矢印Ｚ方向側にバックライト５が配置されている。また、バックライト５に対向するように基板７が形成されている。この基板７のバックライト５と対向する側の表面には、偏光板８が形成されている。この偏光板８は、バックライト５の光を直線偏光するために形成されている。また、基板７の反対側の表面には、バッファ膜９が形成されている。このバッファ膜９は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる。

また、バッファ膜９の表面上の画素選択用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０が形成される領域には、能動層１１が形成されている。この能動層１１は、ポリシリコンなどからなる。また、バッファ膜９の表面上には、能動層１１を覆うように絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２の能動層１１に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１２は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１２の表面上には、ゲート電極として機能するゲート線３ａが形成されている。このゲート線３ａは、クロムやモリブデンを含む金属などからなる。また、絶縁膜１２およびゲート線３ａの表面上には、層間絶縁膜１４が形成されている。

また、層間絶縁膜１４には、能動層１１のソース領域１１ａを露出するためのコンタクトホール１５ａおよびドレイン領域１１ｂを露出するためのコンタクトホール１５ｂが形成されている。また、コンタクトホール１５ａを介してソース領域１１ａに接続するとともに、層間絶縁膜１４の表面上に延びるように信号線４ａが形成されている。この信号線４ａは、アルミニウムやアルミニウム合金を含む金属などからなる。また、コンタクトホール１５ｂを介してドレイン領域１１ｂに接続するとともに、層間絶縁膜１４の表面上に延びるようにドレイン電極１１ｃが形成されている。このドレイン電極１１ｃは、アルミニウムやアルミニウム合金を含む金属などからなる。また、ドレイン電極１１ｃおよび層間絶縁膜１４の表面上には、絶縁膜からなるパッシベーション膜１６が形成されている。また、薄膜トランジスタ１０は、ソース領域１１ａおよびドレイン領域１１ｂを含む能動層１１と、ドレイン電極１１ｃと、ゲート電極（ゲート線）３ａとから構成されている。この薄膜トランジスタ１０は、画素電極１ｄに接続されている。

また、パッシベーション膜１６の表面上には、絶縁膜からなる平坦化膜１７が形成されている。また、パッシベーション膜１６および平坦化膜１７には、コンタクトホール１８が形成されている。このコンタクトホール１８は、ドレイン電極１１ｃを露出させるために形成されている。また、平坦化膜１７の表面上には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からからなる画素電極１ｄが形成されている。この画素電極１ｄは、コンタクトホール１８を介してドレイン電極１１ｃと接続されている。この画素電極１ｄは、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。

また、画素電極１ｄの表面上には、シリコン窒化膜などからなる絶縁膜１９が形成されている。また、絶縁膜１９の表面上には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる共通電極１ｅが形成されている。

また、図２、図４および図５に示すように、共通電極１ｅは、３つの副画素１ｂで共有されるように形成されたスリット１ｆを有している。このスリット１ｆは、平面的に見て矩形状を有している。また、第１実施形態では、共通電極１ｅは、スリット１ｆにより分割されるとともに、スリット１ｆ間に位置する複数の電極部１ｇを含んでいる。この複数の電極部１ｇは、共通電極１ｅの少なくとも一方の端部において、スリット１ｆを横切るように形成される接続部１１１ｆにより接続されている。また、共通電極１ｅは、図３に示すように、断面的に見て、平板形状を有している。また、図２および図４に示すように、共通電極１ｅの表面には、共通電極１ｅの短手方向の中心線（長手方向に延びる中心線）（３００−３００線）に対して対称になるようにスリット１ｆが形成されている。また、第１実施形態では、スリット１ｆは、平面的に見てラビング軸（３００−３００線）に対して所定の角度傾斜した状態で形成されている。また、第１実施形態では、スリット１ｆは、平面的に複数の副画素１ｂの配列方向と平行な境界に対して、平行な境界で分けられた第１領域（矢印Ｙ１方向）と第２領域（矢印Ｙ２方向）とに配置されたスリット１ｆの傾斜角度が対称となるように形成されている。また、共通電極１ｅの短手方向の中心線（３００−３００線）近傍のスリットは、Ｖ字形状を有している。また、第１実施形態では、共通電極１ｅのスリット１ｆが形成されていない接続部１１１ｆは、導通するように枠状に連結されるように形成されている。また、共通電極１ｅのスリット１ｆが形成されていない部分は、電極部１ｇとなっている。また、スリット１ｆは、３つの副画素１ｂ間で共有されるように形成されている。

また、図３に示すように、共通電極１ｅの表面上には液晶２０が配置されている。また、液晶２０の表面上には、ガラス基板などからなる対向基板２１が配置されている。また、対向基板２１の液晶２０側の表面上には、カラーフィルタ２２が形成されている。基板２１の液晶２０とは反対側の表面上には、偏光板２３が形成されている。

また、液晶表示装置１００は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式である。すなわち、図３に示すように、基板７に画素電極１ｄおよび共通電極１ｅが配置されるとともに、基板７の表面と平行に配向された液晶２０の分子は、基板７の表面にほぼ平行な電界が印加された際に、基板２０とほぼ平行な面内（水平面内）で回転するように構成されている。なお、上記のように、画素電極１ｄおよび共通電極１ｅを一方の基板７に配置することにより、液晶２０に対して基板７の表面にほぼ平行な方向に電界を印加するような構成を横方向電界モードという。

第１実施形態では、上記のように、共通電極１ｅのスリット１ｆを、複数の副画素１ｂ間で共有するように形成することによって、副画素１ｂ毎にスリット１ｆを形成する場合と異なり、副画素１ｂの境界部分（副画素の端部）において発生する配向不良を抑制することができる。これにより、副画素１ｂ間の境界部分における透過率が低下するのを抑制することができる。

また、第１実施形態では、上記のように、共通電極１ｅのスリット１ｆを、平面的に複数の副画素１ｂの配列方向と平行な境界に対して、平行な境界で分けられた第１領域（矢印Ｙ１方向側）と第２領域（矢印Ｙ２方向側）とに配置されたスリット１ｆの傾斜角度を対称となるように形成することによって、液晶２０に電圧が印加された際に、第１領域（矢印Ｙ１方向側）と第２領域（矢印Ｙ２方向側）との液晶分子の配向方向が対称となるので、液晶２０の配向方向の異なる領域同士で補完することができ、視角が変わった時に発生する色のシフトや輝度の低下を抑制することができる。

また、第１実施形態では、上記のように、複数の電極部１ｇを、少なくとも共通電極１ｅの一方の端部において、スリット１ｆを横切るように形成される接続部１１１ｆにより接続することによって、共通電極１ｅの外周部分を電気的に導通させることができるので、電気抵抗の増加を抑制することができる。

（第２実施形態）
図６および図７は、本技術の第２実施形態による液晶表示装置の構成を説明するための平面図である。図６および図７を参照して、この第２実施形態では、上記した第１実施形態とは異なり、共通電極３０の電極部３０ａが接続部３０ｂにより接続されている場合について説明する。なお、共通電極３０は、本技術の「第１共通電極」の一例である。

この第２実施形態による液晶表示装置１００ａの構成では、上記した第１実施形態と同様に、共通電極３０の表面には、共通電極３０の短手方向の中心線（３００ａ−３００ａ線）を中心軸にして、対称になるようにスリット３０ｃが形成されている。また、スリット３０ｃは、共通電極３０の短手方向の中心線（３００ａ−３００ａ線）近傍のスリット３０ｃは、Ｖ字形状を有している。

また、共通電極３０は、共通電極３０に形成されるスリット３０ｃと、スリット３０ｃとスリット３０ｃとの間の電極部３０ｂと、複数の電極部３０ａ間に形成され、スリット３０ｃを横切る方向（矢印Ｙ方向側）に形成される接続部３０ｂとにより構成されている。また、接続部３０ｂは、図７に示すように、信号線４ａ上に沿うように形成されている。また、共通電極３０のスリット３０ｃは、２つの副画素３１ａ間に跨るように形成されているとともに、画素３１に隣接する画素間でも共有することが可能なように構成されている。また、第２実施形態では、複数のスリット３０ｃのうちの１つのスリット３０ｃの接続部３０ｂと他のスリット３０ｃの接続部３０ｂとは、副画素３１ａの配向方向（矢印Ｘ方向側）にずれて配置されている。なお、画素３１は、本技術の「第１画素」の一例である。

なお、液晶表示装置１００ａのその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

第２実施形態では、上記のように、複数のスリット３０ｃのうちの１つのスリット３０ｃの接続部３０ｂと他のスリット３０ｃの接続部３０ｂとを副画素３１ａの配列方向（矢印Ｘ方向側）にずれて配置することによって、スリット３０ｃを横切るように形成される接続部３０ｂを任意の場所とすることにより、共通電極３０の抵抗値を低く抑えることができる。さらに、配向不良の発生により透過率が低くなる接続部３０ｂを調整することにより、各副画素３１ａの透過率を調整することができ、画素３１の色を適正に調整することができる。

（第３実施形態）
図８は、本技術の第３実施形態による液晶表示装置の構成を説明するための平面図である。図８を参照して、この第３実施形態では、上記した第１実施形態とは異なり、画素４１に含まれる副画素４１ａ、４１ｂおよび４１ｃの面積の大きさを異ならせる場合について説明する。なお、画素４１は、本技術の「第１画素」の一例である。

この第３実施形態による液晶表示装置１００ｂの構成では、上記した第１実施形態と同様に、共通電極４０の表面には、共通電極４０の短手方向の中心線（３００ｂ−３００ｂ線）に対して対称になるようにスリット４０ａが形成されている。なお、共通電極４０は、本技術の「第１共通電極」の一例である。また、共通電極４０の短手方向の中心線（３００ｂ−３００ｂ線）近傍のスリット４０ａは、Ｖ字形状を有している。また、スリット４０ａは、画素４１に含まれる複数の副画素４１ａ、４１ｂおよび４１ｃのうち、端部に配置される副画素４１ａおよび４１ｃと中央部に配置される副画素４１ｂとの境界領域を跨いで延びるように形成されている。

また、この第３実施形態では、上記した第１実施形態とは異なり、画素４１に含まれる副画素４１ａの矢印Ｘ方向の長さＬ１は、副画素４１ｂの矢印Ｘ方向の長さＬ２よりも大きい長さを有している。また、副画素４１ａの矢印Ｘ方向の長さＬ１は、副画素４１ｃの矢印Ｘ方向の長さＬ３と同じ大きさを有している。なお、副画素４１ａ、４１ｂおよび４１ｃの矢印Ｙ方向の長さＬ４は、それぞれ等しい。すなわち、第３実施形態では、接続部１１１ｆを有する画素４１の端部に配置される副画素４１ａおよび４１ｃの平面積を画素４１の中央部に配置される副画素４１ｂの平面積よりも大きくなるように構成されている。

なお、液晶表示装置１００ｂのその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

第３実施形態では、上記のように、端部の副画素４１ａおよび４１ｃの平面積を、中央部の副画素４１ｂの平面積よりも大きくすることによって、配向不良により透過率が低下する端部の副画素４１ａおよび４１ｃの平面積を中央部の副画素４１ｂの平面積よりも大きくすることができるので、端部の副画素４１ａおよび４１ｃを透過する光量と中央部の副画素４１ｂを透過する光量とのバランスをとることができる。これにより、画素４１の色バランスを揃えることができる。

（第４実施形態）
図９は、本技術の第４実施形態による液晶表示装置の構成を説明するための平面図である。図９を参照して、この第４実施形態では、上記した第１実施形態とは異なり、共通電極５０を画素５１および５２の２画素分の領域に配置する場合について説明する。なお、画素５１は、本技術の「第１画素」の一例であり、画素５２は、本技術の「第２画素」の一例である。

この第４実施形態による液晶表示装置１００ｃの構成では、上記した第１実施形態と同様に、共通電極５０ａおよび５０ｂの表面には、それぞれ、共通電極５０ａおよび５０ｂの短手方向のそれぞれの中心線（３００ｃ−３００ｃ線および３００ｄ−３００ｄ線）を中心軸に対して対称になるように、スリット５０ｃおよび５０ｄが形成されている。なお、共通電極５０ａは、本技術の「第１共通電極」の一例であり、共通電極５０ｂは、本技術の「第２共通電極」の一例である。また、スリット５０ｃおよび５０ｄは、共通電極５０ａおよび５０ｂの短手方向のそれぞれの中心線（３００ｃ−３００ｃ線および３００ｄ−３００ｄ線）近傍のスリットは、Ｖ字形状を有している。

また、第４実施形態では、画素５２は、画素５１に隣接している。この画素５２は、副画素５２ａと、副画素５２ａ上に形成されている共通電極５０ｂとを備えている。また、画素５１に配置される共通電極５０ａと、画素５２に配置される共通電極５０ｂとは、１つの共通電極５０により一体に形成されている。

なお、液晶表示装置１００ｃのその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

第４実施形態では、上記のように、共通電極５０ａおよび５０ｂを一体に形成することによって、画素５１および５２の共通電極を１つの共通電極５０とすることができ、共通電極５０ａおよび５０ｂを接続する配線を接続する必要がなくなり、画素５１および５２の開口率の低下を防ぐことができ、透過率を高くすることができる。

（第５実施形態）
図１０は、本技術の第５実施形態による液晶表示装置の構成を説明するための平面図である。図１０を参照して、この第５実施形態では、上記した第４実施形態とは異なり、一体的に形成された共通電極６０ａと共通電極６０ｂとの境界部分近傍において、共通電極６０ａのスリット６１ａと、共通電極６０ｂのスリット６１ｂとが略平行に形成されている場合について説明する。なお、共通電極６０ａは、本技術の「第１共通電極」の一例であり、共通電極６０ｂは、本技術の「第２共通電極」の一例である。

この第５実施形態による液晶表示装置１００ｄの構成では、上記した第１実施形態と同様に、共通電極６０ａおよび６０ｂの表面には、共通電極６０ａおよび６０ｂの短手方向のそれぞれの中心線（３００ｅ−３００ｅ線および３００ｆ−３００ｆ線）に対して対称になるように、それぞれスリット６１ａおよび６１ｂが形成されている。また、共通電極６１ａおよび６１ｂの短手方向のそれぞれ中心線（３００ｅ−３００ｅ線および３００ｆ−３００ｆ線）近傍のスリットは、Ｖ字形状を有している。

また、第５実施形態では、画素５１と画素５２とは、複数の副画素５１ａおよび５２ａの配列方向（矢印Ｘ方向側）と略直交する方向（矢印Ｙ方向側）に配列されている。また、第５実施形態では、共通電極６０ａおよび６０ｂは、共通電極６０ａおよび６０ｂの連結部分の境界近傍において、共通電極６０ａのスリット６１ａと共通電極６０ｂのスリット６１ｂとが略平行になるように配置されている。また、第５実施形態では、共通電極６０ａおよび６０ｂは、共通電極６０ａおよび６０ｂの連結部分の境界近傍において、共通電極６０ａのスリット６１ａと共通電極６０ｂのスリット６１ｂとが連結されるように構成されている。また、共通電極６０ａおよび６０ｂの境界部分には、ゲート線６２が配置されている。また、共通電極６０ａおよび６０ｂのスリット６１ａ（６１ｂ）は、共通電極６０ａおよび６０ｂの境界部分を跨いで延びるように傾斜して形成されている。

なお、液晶表示装置１００ｄのその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

第５実施形態では、上記のように、画素５１および５２は、複数の副画素５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５２ａ、５２ｂおよび５２ｃの配列方向（矢印Ｘ方向側）と略直交する方向に配列され、共通電極６０ａおよび６０ｂの連結部分近傍において、共通電極６０ａのスリット６１ａと共通電極６０ｂのスリット６１ｂとを略平行になるように配置することによって、連結部分の近傍における、画素５１のスリット６１ａと画素５２のスリット６１ｂとを接近して配置することができ、連結部分近傍に発生する配向不良の領域の面積を小さくすることができるので、画素５１および５２の開口率をより高くすることができ、透過率を高くすることができる。

また、第５実施形態では、上記のように、共通電極６０ａと共通電極６０ｂとの連結部分において、共通電極６０ａのスリット６１ａと共通電極６０ｂのスリット６１ｂとを連結することによって、共通電極６０ａと共通電極６０ｂとの連結部分の近傍もスリットに直交する電界を発生させることができるので、共通電極６０ａと共通電極６０ｂとの境界部分に位置する画素５１および５２の端部において液晶２０の配向不良が発生するのを抑制することができる。

（第６実施形態）
図１１および図１２は、本技術の第６実施形態による液晶表示装置の構成を説明するための平面図である。図１１および図１２を参照して、この第６実施形態では、上記した第１実施形態とは異なり、配線部を設ける場合について説明する。

この第６実施形態による液晶表示装置１００ｅの構成では、上記した第１実施形態と同様に、共通電極７０の表面には、共通電極７０の短手方向の中心線（３００ｇ−３００ｇ線）に対して対称になるように、スリット７０ａが形成されている。なお、共通電極７０は、本技術の「第１共通電極」の一例である。また、スリット７０ａは、矩形状を有し、共通電極７０の短手方向の中心線（３００ｇ−３００ｇ線）近傍のスリット７０ａは、Ｖ字形状を有している。

ここで、この第６実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、画素７３の副画素７３ａには、配線部７１ａが設けられている。なお、画素７３は、本技術の「第１画素」の一例である。また、図１２に示すように、対向基板２１とカラーフィルタ２２との間には、ゲート線３ａおよび信号線４ａに対応するようにブラックマトリクス８４が形成されている。また、第６実施形態では、図１１に示すように、配線部７１ａは、平面的に見て画素７３の第１領域（矢印Ｙ１方向側）と第２領域（矢印Ｙ２方向側）との境界に沿って配置されている。具体的には、共通電極７０の中心線（３００ｇ−３００ｇ線）に沿って配置されるように構成されている。また、配線部７１ａの下部には、ＣＯＭ配線７２が形成されている。また、ＣＯＭ配線７２の表面上には電極部７４が形成されている。また、配線部７１ａの一方端は、電極部７４を介して、ＣＯＭ配線７２に接続可能なように構成されている。配線部７１ａの他方端は、共通電極７０に接続可能なように構成されている。

なお、液晶表示装置１００ｅのその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

第６実施形態では、上記のように、配線部７１ａを、平面的に見て第１領域（矢印Ｙ１方向側）と第２領域（矢印Ｙ２方向側）との境界に沿って配置することによって、配線部７１ａにより、共通電極７０の電気抵抗をより低くすることができる。なお、第１領域（矢印Ｙ１方向側）と第２領域（矢印Ｙ２方向側）とのスリット７０ａが平行でないので、スリット７０ａが平行な場合と異なり、配向不良の発生する領域の面積を小さく抑えることは難しく、この部分に配線を配置することにより、画素７３の開口率があまり下がらないので、画素７３の透過率が低下するのを抑制することができる。

（第７実施形態）
図１３は、本技術の第７実施形態による液晶表示装置の構成を説明するための平面図である。図１２および図１３を参照して、この第７実施形態では、上記した第６実施形態とは異なり、抵抗を下げるための配線部を遮光領域に設ける場合について説明する。

この第７実施形態による液晶表示装置１００ｆの構成では、上記した第１実施形態と同様に、共通電極８０の表面には、共通電極８０の短手方向の中心線（３００ｈ−３００ｈ線）に対して対称になるように、それぞれスリット８０ａが形成されている。なお、共通電極８０は、本技術の「第１共通電極」の一例である。また、スリット８０ａは、矩形状を有し、共通電極８０の短手方向の中心線（３００ｈ−３００ｈ線）近傍のスリット８０ａは、Ｖ字形状を有している。

また、この第７実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、ゲート線３ａおよび信号線４ａは、ゲート線３ａおよび信号線４ａ上に形成されているブラックマトリクス８４（図１２参照）によって形成される遮光領域８５に配置されている。また、画素８３の副画素８３ａには、配線部８１ａが設けられている。なお、画素８３は、本技術の「第１画素」の一例である。この配線部８１ａは、遮光領域８５に配置された信号線４ａに平面的に重なるように配置されている。また、第７実施形態では、配線部８１ａを遮光領域８５に配置された信号線４ａに平面的に重なるように配置したが、配線部８１ａを遮光領域８５に配置されたゲート線３ａに平面的に重なるように配置してもよい。

なお、液晶表示装置１００ｆのその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

第７実施形態では、上記のように、配線部８１ａを信号線４ａまたはゲート線８２の少なくとも一方に平面的に重なるように配置することによって、配線部８１ａが遮光性の材料であるゲート線８２または信号線４ａと重ならない場合に比べて、画素８３の透過率が低下するのを抑制することができる。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本技術の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記第１〜第７実施形態では、本技術の一例として、３つの副画素（サブピクセル）により１画素（１ピクセル）を構成する例を示したが、本技術はこれに限らず、２つの副画素または４つの副画素などの３つの副画素以外で１画素を構成することも可能である。

また、上記第１〜第７実施形態では、本技術の一例として、１画素を矩形状に分割して１副画素を構成する例を示したが、本技術はこれに限らず、上下左右に分割するなどの矩形状以外の形状に分割しても適用可能である。

本技術の第１実施形態による液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。 本技術の第１実施形態による液晶表示装置の詳細を説明するための平面図である。 図２の２００−２００線に沿った断面図である。 本技術の第１実施形態による共通電極の平面図である。 本技術の第１実施形態による３つの副画素を含む画素の平面図である。 本技術の第２実施形態による共通電極の平面図である。 本技術の第２実施形態による３つの副画素を含む画素の平面図である。 本技術の第３実施形態による３つの副画素を含む画素の平面図である。 本技術の第４実施形態による３つの副画素を含む画素の平面図である。 本技術の第５実施形態による３つの副画素を含む画素の平面図である。 本技術の第６実施形態による３つの副画素を含む画素の平面図である。 図１１の２００ａ−２００ａ線に沿った断面図である。 本技術の第７実施形態による３つの副画素を含む画素の平面図である。

１ａ、３１、４１、５１、７３、８３ 画素（第１画素）
１ｂ、３１ａ、４１ａ〜４１ｃ、５１ａ、５２ａ、７３ａ、８３ａ 副画素
１ｄ 画素電極
１ｅ、３０、４０、５０ａ、６０ａ、７０、８０ 共通電極（第１共通電極）
１ｆ、３０ｃ、５０ｃ、５０ｄ、６１ａ、６１ｂ、７０ａ、８０ａ スリット
１ｇ、３０ａ 電極部
３ａ、６２、８２ ゲート線
４ａ 信号線
１０ 薄膜トランジスタ
１９ 絶縁膜
３０ｂ、１１１ｆ 接続部
５０ｂ、６０ｂ 共通電極（第２共通電極）
５２ 画素（第２画素）
７１ａ、８１ａ 配線部
８５ 遮光領域
１００、１００ａ〜１００ｆ 液晶表示装置

Claims (6)

1. 複数の副画素を含む第１画素と、
   前記複数の副画素に対応するようにそれぞれ配置される複数の画素電極と、
   前記画素電極に接続される薄膜トランジスタと、
   前記画素電極の表面上に絶縁膜を介して形成されるとともに、前記複数の副画素で共有されるように形成された複数の略矩形のスリットを有する第１共通電極と、
   を備え、
   前記第１共通電極のスリットは、平面的に前記複数の副画素の配列方向と平行な境界に対して、前記平行な境界で分けられた第１領域と第２領域とに配置された前記スリットの傾斜角度が対称となるように形成され、
   前記境界に位置する前記第１領域に配置されたスリットと前記第２領域に配置されたスリットとがＶ字形状に接続されるとともに、当該Ｖ字形状に接続されたスリットによって囲まれる領域に、前記第１領域に配置されたスリットと同じ傾斜角度の辺と前記第２領域に配置されたスリットと同じ傾斜角度の辺とが前記境界に対して対称に配置される三角形状のスリットが形成され、
   前記第１共通電極は、前記複数の略矩形のスリットにより分割されるとともに、前記複数の副画素の配列方向と略直交する方向に並んだスリット間に位置する複数の電極部を含み、
   前記複数の電極部は、前記複数の略矩形のスリットをそれぞれ横切るように形成され、前記第１画素内にある接続部により接続され、
   前記複数の略矩形のスリットのうちの１つのスリットの接続部と、前記複数の副画素の配列方向と略直交する方向に並んだ他のスリットの接続部とは、前記第１画素内において前記副画素の配列方向にずれて配置されている、液晶表示装置。
   
2. 前記第１画素に隣接するとともに、前記複数の副画素を含む第２画素と、
   前記第２画素の副画素に形成されている第２共通電極と、
   をさらに備え、
   前記第１共通電極および前記第２共通電極は、一体に形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１画素と前記第２画素とは、前記複数の副画素の配列方向と略直交する方向に配列され、前記第１共通電極と前記第２共通電極との連結部分近傍において、前記第１共通電極のスリットと前記第２共通電極のスリットとが略平行になるように配置されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１共通電極と前記第２共通電極との連結部分において、前記第１共通電極のスリットと前記第２共通電極のスリットとが連結されている、請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１共通電極に接続される配線部をさらに備え、
   前記配線部は、平面的に見て前記第１領域と前記第２領域との境界に沿って配置されるように構成されている、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記薄膜トランジスタを介して前記画素電極に接続される信号線と、
   前記薄膜トランジスタに接続されるゲート線と、
   をさらに備え、
   前記配線部は、前記信号線または前記ゲート線の少なくとも一方に平面的に重なるように配置されている、請求項５に記載の液晶表示装置。
   

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