KR100872493B1 - 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 광시야각 구현을 위한 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법에 관한 것이다.
어레이기판에 구성되는 단일 화소를 다수의 도메인(domain)으로 구성하기 위해, 단일 화소영역에 구성되는 화소전극을 다수개로 패턴하여 형성하고, 상기 다수개의 패턴은 대각선 방향으로 근접한 패턴 사이에 연결부를 형성한다.
이와 같이 하면, 수직방향으로 이웃한 화소전극 사이와 수평방향으로 이웃한 화소전극 사이에 연결부가 존재하지 않기 때문에, 이부분에 연결부가 존재함으로써 발생하는 전계 왜곡 불안정 특성을 최소화 할 수 있다.
따라서, 고화질 및 광시야각을 구현할 수 있는 액정표시장치를 제작할 수 있다.

Description

액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{A substrate for LCD and methode for fabricating the same}
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이고,
도 2a와 도 2b는 전압이 오프 / 온 상태일 때의 액정의 동작을 설명하기 위한 단면도이고,
도 3은 종래에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대하여 도시한 확대 평면도이고,
도 4는 도 3의 A-A`를 따라 절단한 단면도이고,
도 5와 도 6은 전압이 온 상태일 때 전계 분포 특성을 도시한 단면도와, 전계 분포에 의한 액정의 배향특성을 도시한 평면도이고,
도 7은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이고,
도 8a와 도 8b는 도 7의 화소전극을 형성하는 하나의 금속패턴을 기준으로 전압의 오프/온 상태에 따른 전계의 분포와 이에 따른 액정의 배향특성을 도시한 도면이고,
도 9a 내지 도 9d는 도 7의 F-F`를 따라 절단하여 본 발명의 공정 순서에 따 라 도시한 공정 단면도이고,
도 10은 본 발명에 따른 액정표시패널의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 배선
104 : 게이트 전극 108 : 액티브층
109 : 액티브층의 연장부 112 : 소스 전극
114 : 드레인 전극 116 : 데이터 배선
126 : 전극 패턴 127 : 연결부
128 : 화소 전극
본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로 특히, 광 시야각을 구현하는 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 편광된 빛이 임의로 변조되어 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
일반적으로, 액정표시장치를 구성하는 기본적인 부품인 액정 패널의 구조를 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 액정 표시장치용 액정표시패널의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 일반적인 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(6)와 서브컬러필터(적,녹,청)(8)를 포함한 컬러필터(7)와 컬러필터 상에 투명한 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)과 화소영역 상에 형성된 화소전극(17)과 스위칭소자(T)를 포함한 어레이배선이 형성된 하부기판(22)으로 구성되며, 상기 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(TN 액정, 14)이 충진되어 있다.
상기 하부기판(22)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 형성된다.
상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이다. 상기 화소영역(P)상에 형성되는 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 사용한다.
전술한 바와 같이 구성되는 액정표시장치는 상기 화소전극(17)상에 위치한 액정층(14)이 상기 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 배열되고, 상기 액정층의 배열정도에 따라 상기 액정층(14)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상을 표현할 수 있다.
상술한 액정표시장치는 상부 컬러필터 기판(5)에 공통 전극(18)이 형성된 구조이다. 즉, 상기 공통 전극(18)이 화소 전극(17)과 수직으로 형성된 구조의 액정표시장치는 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상부기판에 구성된 공통전극이 접지역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정셀의 파괴를 방지할 수 있다.
도 2a와 도 2b는 상기 TN(twisted nematic) 액정패널의 전압인가시 액정(14)의 동작을 도시한 도면으로, 도 2a는 전압 무인가시의 TN 액정패널의 액정의 배열을 도시한 도면이다. 이 때, 상기 액정(14)은 유전율 이방성이 양(+)이고, 배향방향에서 부터 평면적으로 보아 상, 하 액정이 90o로 꼬인 수평적 배열상태를 갖는다.
도 2b는 상/하 기판에 전압을 인가했을 때의 액정분자의 배열상태를 도시한 도면으로, 상기 상/하 기판(5,22)에 전압을 인가하면, 상기 90o로 꼬인 액정분자(14)는 전기장의 방향으로 재배열하게 되어 액정분자의 극값은 대체로 90 °가 된다.
따라서 시야각에 따른 C/R(contrast ratio)과 휘도의 변화가 심하게 되어 광시야각을 구현할 수 없게 되는 문제점이 있다.
이러한 광시야각 문제점을 해결하기 위한 방법이 다양하게 연구되고 있으며, 그 한 예로 한 화소를 멀티도메인으로 구성하여 광시야각을 구현하고자 하는 방법이 미국특허 "5608556"에 제시된 바 있다.
상기 미국특허는 한 화소에 배향방향이 서로 다른 다수의 영역(멀티 도메인)을 형성하여 광시야각을 구현하기 위한 액정표시장치를 제안하고 있으며, 이하 도면을 참조하여 설명한다.
이하, 도 3은 종래에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 종래에 따른 액정표시장치는 기판(50)상에 제 1 방향으로 게이트 배선(52)이 형성되고, 상기 게이트 배선(52)과 수직하게 교차하는 제 2 방향으로 데이터 배선(68)이 형성된다.
화소전극(표시 전극 :display electrode)(62)은 게이트 배선(52)과 데이터 배선(68)으로 둘러싸인 영역에 위치하고, 박막트랜지스터(T)는 상기 두 배선(52,68)의 교차지점마다 형성된다.
상기 박막트랜지스터(T)의 게이트 전극은 게이트 배선(52)의 일부를 사용하고, 소스 전극(64)은 상기 데이터 배선(68)에서 게이트 전극으로 사용되는 게이트 배선(52)의 상부로 연장하여 구성하고, 이와 이격된 드레인 전극(66)은 화소 전극(62)과 연결된다.
상기 게이트 전극(56)과 소스 및 드레인 전극(64,66)의 사이에는 액티브층(56)이 구성된다.
화소 전극(62)의 주변으로는 배향제어전극(orientation control electrode)(70)이 구성되고, 상기 화소영역(P)마다 형성된 배향제어전극(70)은 수평방향으로 모두 연결되어 구성된다.
상기 화소전극(62)이 형성된 영역에 대응하여, "X"형상의 배향제어창(orientation control window)(86)이 구성된다.
전술한 바와 같은 평면도의 단면구성을 도 4를 참조하여 알아본다.
도 4는 도 3의 A-A`를 따라 절단한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 스퍼터링으로 금속을 증착하고 포토식각을 통해 패턴된 게이트 배선(52)이 기판(50) 상에 형성된다.
상기 게이트 배선(52)이 형성된 기판(50)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연막(54)을 형성한다. 게이트 배선(52)의 일부 상부의 게이트 절연막(54)상에 비정질 실리콘(a-Si)층(56), 에치 스토퍼(etch stopper)층(58), 불순물 비정질 실리콘층(60)이 섬형상으로 형성된다. 상기 비정질 실리콘층(56)은 박막트랜지스터(T)의 채널층이 되고 상기 불순물 비정질 실리콘은 콘택층이 된다.
상기 게이트 배선(52)이 존재하지 않는 게이트 절연막(54)영역에 ITO와 같은 투명도전금속을 증착하고 패턴하여 화소전극(62)이 형성된다.
제일 상위층은 소스 전극(64)과 드레인 전극(66)과 데이터 배선(도 3의 68)이 형성된다.
상기 소스 및 드레인 전극(64,66)이 형성된 기판(50)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 같은 물질로 층간 절연막(68)이 형성된다. 다음으로, 배향제어 전극(70)이 결과적으로는 화소전극(62)의 주변으로 형성된다. 상기 배향제어 전극(70)은 이웃한 화소마다 서로 가로방향으로 연결되도록 형성된다.
다음으로 표면 배향 처리제로서, 수직배향을 위해 기판의 전면에 폴리이미드(polyimide)와 같은 물질을 도포하여 제 1 배향막(72)이 형성된다.
이때, 액정방향자의 초기 배향은 기판(50)의 일반적인 방향에 의해 규정되며, 배향막의 러빙처리는 요구되지 않는다.(수직배열모드 액정일 경우.)
전술한 하부 기판(50)에 대응한 상부기판(80)에는 비표시부(박막트랜지스터의 상부)에서 빛이 통과되지 않도록 차폐막(82)이 형성된다.
상기 차폐막(82)이 형성된 기판(50)의 전면에는 ITO를 증착하여, 공통전극(84)을 형성한다. 박막트랜지스터 영역(T)을 제외한 화소(P)에 대응하는 각 공통전극(84)을 식각하여 "X"형상의 배향제어창(86)을 형성한다.
상기 배향제어 창(86)을 포함하는 공통전극(84)이 형성된 기판(80)의 전면에 제 2 배향막(88)이 형성된다. 상기 공통전극(84)은 도시하지는 않았지만 은도트(silver paste dot)를 통해 하부 기판(50)의 주변에 형성된 터미널 배선과 연결되며, 상기 하부기판(50)에 구성된 배향제어전극(70)은 기판(50)의 둘레에서 상기 터미널배선(미도시)을 통해 상기 공통전극(84)과 동일한 신호를 인가 받도록 구성된다.
도 5는 도 3의 B-B`를 따라 절단하여 전계 분포에 따른 액정의 배향을 도시한 단면도이고, 도 6은 전계 분포에 따른 액정의 배향을 도시한 평면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 배향제어전극(70)이 화소전극(62)의 양측에 위치하며, 액정층(90)을 사이에 두고 공통전극(84)과 마주 구성된다.
상기 배향제어전극(70)과 공통전극(84)사이의 실제적인(효과적인) 전위차는 화소전극(62)과 공통전극(84)사이의 실제적인 전위차 보다 작다.
따라서, 표시영역(V)내에서, 전계의 분포(92)는 표시영역(V)의 안쪽으로부터 표시영역의 외측으로 경사진 방향으로 화소전극(62)에서 공통전극(84)으로 발생한다.
결과적으로, 전계로 인한 액정방향자의 방향백터의 각과 전계방향으로 인한 방위각을 결정한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 공통전극(미도시)내의 배향 제어창(86)은 전극이 존재하지 않는다. 따라서 배향 제어창(86)주변에서는 전계가 발생하지 않거나 약하게 발생하기 때문에, 상기 배향 제어창(86)에 대응하여 위치한 액정(90)의 방향자는 초기배향상태(수직배향상태)로 고정된다.
따라서, 액정방향자에 의해, 배향백터 방향은 배향향제어전극(70)의 효과에 의해 표시영역의 4 영역이 대칭이된다. 그리고, 배향벡터내에서 서로 다른 영역 사이의 경계는 배향제어창(86)에 의해 고정된다. 액정의 연속특성(continuum property) 때문에, 배향벡터는 모든 화소에서 대칭적으로 그리고, 각각의 영역에서 일정하게 제한될 수 있다.
표시부는 상기 배향제어창(86)에 의해 분리된 네 영역으로 나누어지며, 상하 영역(U,D)에서 투과된 빛의 평균과, 좌우 영역(L,R)에서 혼합된 빛이 정면에서 인식할 수 있는 상태에 근접한 빛이 투과된 것으로 인식된다.
따라서, 수직과 수평 방향에서의 시야각 특성은 넓은 시야각 범위에서 표시할 수 있도록 개선된다.
결과적으로 전술한 구성은 공통전극에 배향제어창을 형성함으로써, 멀티도메인을 구현할 수 있었다.
그러나, 전술한 바와 같은 구성은 상기 배향제어창을 구성하기 위한 별도의 공정과, 상기 화소전극의 주변에 배향제어 전극을 형성하는 공정 등이 필요하다.
따라서, 공정시간과 공정 비용 등을 감안하면 제품의 수율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 멀티 도메인을 정의하여 광시야각을 구현하는 구성에 있어서, 단일 화소에 구성되는 화소전극을 다수개로 패턴하여 형성하고, 상기 다수개의 화소전극은 대각선 방향으로 근접한 전극과 대각선으로 연결되도록 연결부를 형성한다.
이와 같이 하면, 수직방향으로 이웃한 화소전극 사이와 수평방향으로 이웃한 화소전극 사이에 연결부가 존재하지 않기 때문에, 이 부분에 연결부가 존재함으로써 발생하는 전계왜곡 불안정 특성을 최소화한 고화질의 광시야각 특성을 가진 액정표시장치를 제작할 수 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은, 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성된 다수의 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과; 상기 두 배선들의 교차지점마다 구성된 박막트랜지스터와; 상기 화소영역에 구성되며, 가로 방향과 세로 방향으로 이격하며 형성된 다수의 원 형상의 투명 전극 패턴과, 대각선 방향으로 인접한 상기 원 형상의 투명 전극 패턴을 연결시키는 연결부를 포함하여 구성된 화소전극과; 상기 제 2 기판 상에 형성된 돌기와; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층를 포함한다.
상기 연결부는 “X"자 형태를 이루는 것이 특징이다.
상기 돌기는 절연막 수지를 원 또는 사각 형상으로 패턴하여 형성한다.
상기 액정층은 유전율 이방성이 음인 것을 사용하며, 카이랄 도펀트를 포함할 수 있다.
상기 제 2 기판 상에 형성된 블랙매트릭스와, 상기 블랙매트릭스 상에 형성된 컬러필터와, 상기 컬러필터 상에 형성된 공통전극을 더욱 포함하며, 상기 돌기는 공통전극 상에 형성한다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은, 제 1 기판상에 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 두 배선들의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 화소영역에 가로 방향과 세로 방향으로 소정간격 이격되도록 다수의 원 형상의 투명 금속전극패턴과, 대각선 방향으로 인접한 상기 원 형상의 투명 금속전극패턴을 서로 연결하는 연결부를 포함하는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 상에 돌기를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명은 다수개의 전극패턴으로 구성되고 각각은 대각선으로 근접한 전극과 연결된 화소전극을 형성하고, 상기 전극 패턴의 중심에 돌기(rib)를 형성하는 것을 특징으로 한다.
도 7은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(102)을 구성하고, 이와는 수직하게 교차하여 화소(P)를 정의하는 데이터 배선(116)을 구성 한다.
상기 두 배선(102,116)의 교차지점에는 상기 게이트 배선(102)에서 돌출된 게이트 전극(104)과, 상기 데이터 배선(116)에서 게이트 전극(104)의 일측 상부로 돌출된 소스 전극(112)과 이와는 소정간격 이격되고 상기 게이트 전극(104)의 타측에 걸쳐 드레인 전극(114)을 구성한다.
상기 게이트 전극(104)과 소스 및 드레인 전극(112,114)사이에는 액티브 채널층을 구성하며, 상기 액티브 채널층(108)에서 연장된 연장부(109)를 데이터 배선(116)의 하부로 연장하여 형성한다. 상기 연장부(109)에 의해 데이터 배선(116)의 증착 특성이 개선될 수 있다.
상기 화소(P)에는 상기 드레인 전극(114)과 접촉하는 화소전극(128)을 구성한다.
상기 화소(화소의 액정캐패시터)와 병렬로 보조 용량부(Cst)를 구성하며, 보조 용량부(Cst)의 스토리지 제 1 전극으로는 상기 게이트 배선에서 화소로 소정면적 연장된 연장부(105)를 사용하고, 스토리지 제 2 전극으로는 상기 연장부(105)상부에 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)과 동일층에 동일물질로 구성되며 상기 화소전극과 접촉하는 금속패턴(118)을 사용한다.
전술한 구성에서, 상기 화소전극(128)은 다수의 전극 패턴(126)을 서로 이격하여 구성하고, 상기 전극 패턴(126)은 연결부(127)를 통해 연결한다.
이때, 상기 연결부(127)는 다수의 전극 패턴(126)중 대각선 방향으로 근접한 전극 패턴 사이에 위치하며, 가로 방향 또는 세로 방향으로 이격된 전극 패턴사이에 연결부(127)가 존재하지 않는다.
따라서, 상기 연결부(127)는 4개의 전극패턴을 기준으로 "X"형상으로 구성한다.
결과적으로, 한 화소(P)에 구성된 다수의 전극패턴(126)은 모두 연결되어 하나의 화소전극(128)을 이루게 된다.
만약, 상기 전극 패턴(126)이 대각선으로 연결되지 않고, 상.하 또는 좌.우 방향으로 연결되었다면, 상.하 방향과 좌.우 방향의 전극패턴(126) 주변에서 상기 연결부(127)에 의해 화소의 가장자리와 돌기사이에서 전계 왜곡이 발생하여 액정 배향이 불안정하게 될 것이다.
따라서, 전술한 바와 같이 연결부(127)를 전극패턴의 모서리에 둔다면 이러한 전계 왜곡 불안정성은 최소화 될 수 있으며 텍스쳐의 불안정성을 개선할 수 있다.
도시하지는 않았지만 상기 각 전극패턴(126)의 가운데 영역에 대응하는 상부기판(미도시)에는 돌기(210)를 형성하며, 이는 전계 방향을 왜곡하여 액정이 점대칭으로 배열하도록 하는 역할을 한다.
상기 돌기(210)은 원형, 사각형상 등 다양한 형상으로 형성할 수 있다.
이하, 도 8a와 도 8b는 하나의 전극 패턴(126)에서 전압의 오프.온 상태(off,on state)에 따른 액정의 배향특성을 설명하기 위한 평면도와, 이를 각각 C-C`와 E-E`를 따라 절단한 단면도이다.
먼저, 도 8a는 전압을 인가하지 않았을 경우이며, 도시한 바와 같이 초기 배향특성이 수직방향인 VA 모드 액정은 전압이 인가되지 않으면 상부 기판(200)과 하부 기판(100)사이에 수직하게 배열한다.
반면, 도 8b와 같이 전압이 인가되었을 경우에는, 하부 기판(100)에 구성된 화소전극(126)과 상부 기판(200)에 구성된 공통 전극(208)사이에 전계(400)분포가 발생하게 되고, 전계의 방향은 돌기(210)를 중심으로 전극패턴(126)의 안쪽에서 바깥방향으로 경사지게 분포한다.
즉, 돌기(210)를 중심으로 전계분포는 대칭적으로 구성되며 이로 인한 액정배향 방향 또한 돌기(210)를 중심으로 대칭적으로 경사지게 배향한다.
반면, 상기 돌기(210)에 대응하는 부분은 전계가 분포하지 않거나 약하게 분포하기 때문에 액정은 초기 배열상태를 그대로 유지하게 된다.
전술한 바와 같이, 전극 패턴 하나에 대한 균일한 액정층의 대칭분포는 한 화소에 대응하는 전극 패턴마다 이루어지므로 하나의 화소에 다수의 도메인이 형성된 것과 같으므로 광시야각을 구현할 수 있다.
도 9a 내지 도 9d를 참조하여, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.
먼저, 도 9a 내지 도 9d는 도 7의 F-F`을 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 9a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 게이트 배선(102)과 게이트전극(104)을 형성한다.
동시에, 상기 게이트 배선(102)에서 연장된 연장부(105)를 형성하는데, 연장부는 보조 용량부의 스토리지 제 1 전극으로 사용한다.
이때, 상기 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(주로, AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W)중 선택된 하나를 사용한 단일막 또는 두 가지 금속을 적층한 이중막으로 형성한다.
보통 상기 게이트 전극(104)과 게이트 배선(102)등을 이중막으로 형성하는 경우는 알루미늄(Al)을 사용하였을 경우이다. 즉, 제 1 층을 알루미늄 층으로 하고 제 2 층을 몰리브덴(Mo)또는 크롬(Cr)을 사용하여 형성한다.
상기 게이트 배선(102)등을 이중 금속층으로 형성하는 이유는, 상기 알루미늄(Al)이 저항은 작으나 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 힐락(hillock)에 의한 배선 결함문제를 야기하기 때문에 내식성이 강한 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)을 적층하는 것이다.
연속하여, 상기 게이트 전극(104)과 게이트 배선(102)이 형성된 기판(100)의 전면에 게이트 절연막(106)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(106)은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 형성한다.
도 9b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(104) 상부의 게이트 절연막(106)상에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)층과 불순물 비정질 실리콘(n+a-Si:H)층을 적층한 후 패터닝하여, 섬형상의 액티브채널층(108)과 오믹 콘택층(110)을 형 성한다.
상기 오믹 콘택층(110)이 형성된 기판(100)의 전면에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 구리(Cu)등의 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(110)상에 소정 간격 이격된 소스 전극(112)과 드레인 전극(114)을 형성한다.
동시에, 상기 소스전극(112)과 연결되고 상기 게이트 배선(102)과는 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(116)을 형성한다.
동시에, 상기 게이트 배선의 연장부(105)상에 섬 형상의 금속패턴(118)을 형성한다. 금속 패턴(118)은 보조 용량부의 스토리지 제 2 전극으로 사용한다.
도 9c에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)과 데이터 배선(116)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹과, 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene : BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(Resin)를 포함하는 유기절연물질그룹 중 선택된 하나를 증착하여 보호막(120)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(120)을 패터닝하여, 상기 드레인 전극(114)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(122)과 상기 금속패턴(118)의 일부를 노출하는 스토리지 콘택홀(124)을 형성한다.
도 9d에 도시한 바와 같이, 상기 보호막이 형성된 기판의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속을 증착하 고 패터닝하여, 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극(128)을 형성한다.
이때, 상기 화소전극은 원형상의 다수의 전극 패턴(126)으로 형성되고, 각 전극 패턴은 대각선 방향으로 근접하여 전극패턴과 서로 연결부(미도시)를 통해 연결되어 하나로 형성되며, 연결부는 "X"형상으로 형성한다.
전술한 바와 같은 공정을 통해, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
이하, 도 10에 도시한 바와 같이, 전술한 바와 같이 제작된 하부 기판(100)과 컬러필터와 공통전극이 형성된 상부기판(200)을 합착하게 된다.
상기 합착된 두 기판(100,200) 사이에는 수직배열하는 액정층(300)을 주입함으로서 액정패널의 제작이 완성될 수 있다.
상기 액정층은 유전율 이방성이 음인 액정층을 형성한다.
다른 방법으로, 상기 액정층(300)을 하나의 기판 상에 적하한 후, 상기 상.하부기판(200.100)을 합착할 수 있다. 또한, 상기 액정층에는 카이랄 도펀트를 첨가할 수 도 있다.
이때, 상부 기판(200)은 상기 하부 기판(100)에 형성한 박막트랜지스터(T)와 어레이배선에 대응한 부분에 빛을 차폐하는 블랙매트릭스(202)를 형성하고, 상기 화소영역(P)에 대응한 부분에는 적, 녹, 청색의 서브컬러필터(204a,204b)를 형성한다.
연속하여, 상기 블랙매트릭스(202)와 서브 컬러필터(204a,204b)가 형성된 기판(200)의 전면에 평탄화막(206)과 투명한 공통전극(208)을 형성한다.
이때, 경우에 따라서 상기 평탄화막(206)은 형성하지 않을 수도 있다.
공통전극(208)은 상기 화소전극(128)과 동일한 투명한 도전성 금속으로 형성한다.
다음으로, 상기 공통전극 상부에 상기 투명전극패턴(126)의 중앙에 대응하는 영역마다 돌기(210)를 형성한다.
상기 돌기(210)는 일반적으로 절연성 수지를 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 돌기(210)은 BCB(Benzocyclobutene)이나 아크릴과 유기물질로 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 광시야각을 구현하는 액정표시장치를 제작할 수 있다.
본 발명에 따른 액정표시장치는 한 화소에 다수의 멀티 도메인을 형성하는 것이 가능하고, 각 도메인의 경계에서 전계의 왜곡이 발생하지 않기 때문에 고화질의 광시야각 구현이 가능하고 텍스쳐가 안정한 액정표시장치를 제작할 수 있는 효과가 있다.

Claims (15)

  1. 제 1 기판과 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판 상에 형성된 다수의 게이트 배선과;
    상기 게이트 배선과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과;
    상기 두 배선들의 교차지점마다 구성된 박막트랜지스터와;
    상기 화소영역에 구성되며, 가로 방향과 세로 방향으로 이격하며 형성된 다수의 원 형상의 투명 전극 패턴과, 대각선 방향으로 인접한 상기 원 형상의 투명 전극 패턴을 연결시키는 연결부를 포함하여 구성된 화소전극과;
    상기 제 2 기판 상에 형성된 돌기와;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층
    을 포함하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 연결부는 “X"자 형태를 이루는 것이 특징인 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성 금속중 선택된 하나로 구성된 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기는 패턴된 절연수지막인 액정표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 액정층은 유전율 이방성이 음인 액정표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 액정층은 카이랄 도펀트를 포함하는 액정표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 상에 형성된 블랙매트릭스와, 상기 블랙매트릭스 상에 형성된 컬러필터와, 상기 컬러필터 상에 형성된 공통전극을 더욱 포함하는 액정표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 돌기는 상기 공통전극 상에 형성된 액정표시장치.
  9. 제 1 기판상에 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 두 배선들의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 화소영역에 가로 방향과 세로 방향으로 소정간격 이격되도록 다수의 원 형상의 투명 금속전극패턴과, 대각선 방향으로 인접한 상기 원 형상의 투명 금속전극패턴을 서로 연결하는 연결부를 포함하는 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 상에 돌기를 형성하는 단계와;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 연결부는 “X" 형태를 이루는 것이 특징인 액정표시장치 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 화소전극과 공통 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성 금속중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 돌기는 절연수지로 형성된 액정표시장치 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 액정층은 유전율 이방성이 음인 액정표시장치 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 액정층은 카이랄 도펀트를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스 상에 컬러필터를 형성하는 단계와;
    상기 컬러필터 상에 공통전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000025569A (ko) * 1998-10-13 2000-05-06 윤종용 광시야각 액정 표시 장치
KR20020015009A (ko) * 2000-08-11 2002-02-27 마찌다 가쯔히꼬 액정 디스플레이 장치
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KR20020033586A (ko) * 2000-10-31 2002-05-07 마찌다 가쯔히꼬 액정 표시 장치
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Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000025569A (ko) * 1998-10-13 2000-05-06 윤종용 광시야각 액정 표시 장치
KR20020015009A (ko) * 2000-08-11 2002-02-27 마찌다 가쯔히꼬 액정 디스플레이 장치
JP2002122886A (ja) * 2000-08-11 2002-04-26 Sharp Corp 液晶表示装置およびその欠陥修正方法
KR20020033586A (ko) * 2000-10-31 2002-05-07 마찌다 가쯔히꼬 액정 표시 장치
JP2002202511A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Sharp Corp 液晶表示装置
KR20020047024A (ko) * 2000-12-15 2002-06-21 가네꼬 히사시 액정표시장치

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