KR20060132164A - 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 - Google Patents

횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 고화질을 구현하는 AH-IPS(advanced horizontal in-plane switching)방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판은 공통 전극을 개별 패턴하여 공통 전극과 화소 전극 사이의 이격 공간을 최소로 하여 구성하고, 상기 공통 전극의 바로 상부에는 고분자 수지층(아크릴계 수지, acryl계 resin)을 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성은, ITO 재질의 공통전극 상에 바로 무기 절연막을 증착하는 구성과 비교하여 투과율을 개선할 수 있는 장점이 있다.

Description

횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법{An array substrate for IPS mode LCD and method of fabricating of the same}
도 1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 종래에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 구성을 개략적으로 도시한 평면도.
도 3은 종래에 따른 종래에 따른 FFS 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 일부를 확대한 평면도.
도 4a와 도 4b는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 AH-IPS(advanced horizontal in-plane switching)방식 액정표시장치용 어레이기판의 단일 화소를 확대한 평면도.
도 6a 내지 도 6d와 도 7a 내지 도 7d는 도 5의 Ⅵ-Ⅵ,Ⅶ-Ⅶ을 따라 절단하여 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 전극
104 : 게이트 배선 106 : 스토리지 배선
118 : 액티브층 122 : 소스 전극
124 : 드레인 전극 126 : 데이터 배선
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로 특히, 투과율이 개선된 AH-IPS(advanced horizontal in-plane switching)방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
상기 액정표시장치는 공통 전극이 형성된 컬러필터 기판(상부기판)과 화소 전극이 형성된 어레이 기판(하부기판)과, 상부 및 하부 기판 사이에 충진된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통 전극과 화소 전극이 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
그러나, 상-하로 걸리는 전기장에 의한 액정구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 가지고 있다. 따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 새로운 기술이 제안되고 있다. 하기 기술될 액정표시장치는 횡전계에 의한 액정 구동방법으로 시야각 특성이 우수한 장점을 갖고 있다.
이하, 도 1을 참조하여 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치에 관해 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치의 단면을 도시한 확대 단면도이다.
도시한 바와 같이, 종래에 따른 횡전계 방식 액정표시장치(B)는 컬러필터기판(B1)과 어레이기판(B2)이 대향하여 구성되며, 컬러필터기판 및 어레이기판 (B1,B2)사이에는 액정층(LC)이 개재되어 있다.
상기 어레이기판(B2)은 투명한 절연 기판(10)에 정의된 다수의 화소(P)마다 박막트랜지스터(T)와 공통 전극(30)과 화소 전극(32)이 구성된다.
상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(14)과, 게이트 전극(14) 상부에 절연막(16)을 사이에 두고 구성된 반도체층(18)과, 반도체층(18)의 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 및 드레인 전극(20,22)을 포함한다.
도시한 바와 같이, 상기 공통 전극(30)과 화소 전극(32)은 동일 기판 상에 서로 평행하게 이격하여 구성된다.
그런데 일반적으로, 상기 공통 전극(30)은 상기 게이트 전극(14)과 동일층 동일물질로 구성되고, 상기 화소 전극(32)은 상기 소스 및 드레인 전극(20,22)과 동일층 동일물질로 구성되나, 개구율을 높이기 위해 도시한 바와 같이, 상기 화소 전극(32)은 투명한 전극으로 형성될 수 있다.
도시하지는 않았지만, 상기 화소(P)의 일 측을 따라 연장된 게이트 배선(미도시)과, 이와는 수직한 방향으로 연장된 데이터 배선(미도시)이 구성된다.
상기 컬러필터 기판(B1)은 투명한 절연 기판(10) 상에 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)과 박막트랜지스터(T)에 대응하는 부분에 블랙매트릭스(42)가 구성되고, 상기 화소(P)에 대응하여 컬러필터(34a,34b)가 구성된다.
상기 액정층(LC)은 상기 공통 전극(30)과 화소 전극(32)의 수평전계(45)에 의해 동작된다.
이하, 도 2를 참조하여, 횡전계 방식 액정표시장치를 구성하는 어레이 기판의 구성을 설명한다.
도 2는 종래에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(10)상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(12)과, 게이트 배선(12)과는 수직하게 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(24)이 구성된다.
또한, 상기 게이트 배선(12)과는 평행하게 이격하여 화소 영역(P)을 가로지르는 공통 배선(15)이 구성된다.
상기 게이트 배선(12)과 데이터 배선(24)의 교차지점에는 상기 게이트 배선(12)과 연결된 게이트 전극(14)과, 게이트 전극(14) 상부의 반도체층(28)과, 반도체층(28) 상부의 소스 전극(20)과 드레인 전극(22)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기, 화소 영역(P)에는 상기 공통 배선(15)과 접촉하면서 화소 영역(P)으로 수직하게 연장된 공통 전극(30)이 구성되고, 상기 드레인 전극(22)과 접촉하면서 상기 공통 전극(30)과 평행하게 이격된 위치로 연장된 화소 전극(32)이 구성된다.
전술한 구성에서, 휘도를 확보하기 위해 상기 공통 전극(30)과 화소 전극(32)을 투명전극으로 형성하나, 설계상 상기 공통 전극(30)과 화소 전극(32)사이의 이격거리에 의해, 상기 공통 전극(30)과 화소 전극(32)의 양단 일부만이 휘도개선에 기여할 뿐, 대부분의 영역은 빛을 차단하는 결과가 된다.
따라서, 최소의 휘도 개선효과를 얻을 수 있을 뿐이다.
이러한 문제를 개선하고자 제안된 것이 FFS(Fringe Field Switching)기술이다.
상기 FFS 기술은 액정을 정밀하게 제어함으로써 색상변이(Color shift)가 없고 높은 명암비(Contrast Ratio)를 얻을 수 있는 것이 특징이어서, 일반적인 횡전계 기술과 비교하여 높은 화면품질을 구현할 수 있는 장점이 있다.
도 3은 종래에 따른 종래에 따른 FFS 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 일 부를 확대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, FFS 방식은 투명한 절연기판(40)상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(48)과, 상기 게이트 배선(48)과 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(60)이 구성된다.
상기 게이트 배선(48)과 데이터 배선(60)의 교차지점에는 상기 게이트 배선(48)과 접촉하는 게이트 전극(46)과, 게이트 전극(46) 상부의 반도체층(52)과, 반도체층(52)의 상부에 위치하고 상기 데이터 배선(60)과 접촉하는 소스 전극(56)과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극(58)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 공통 전극(42)이 구성되고, 상기 공통 전극(42)의 상부에는 다수개의 수직부가 이격된 형상으로 패턴된 화소 전극(66)이 구성된다.
전술한 구성은 상기 하부의 공통 전극(42)과 상부의 화소 전극(66)사이에 발생하는 전계에 의해 액정층(미도시)을 구동하게 되며, 공통 전극(42)과 화소 전극(66)사이가 매우 가까워지는 효과로 인해 상기 전계는 상기 화소 전극(66)의 중심에 위치하는 액정(미도시)마저도 정상 동작하도록 한다.(이것을 "프린지 필드 효과"라 한다.)
따라서, 종래의 횡전계 기술과는 달리 투과영역을 확장하는 효과로 인해 높은 휘도를 얻을 수 있는 장점 있다.
그런데, 전술한 구성에서 통상 상기 공통 전극은 투명한 ITO (Indium-Tin- Oxide)를 사용하며, 상기 공통전극의 상부에는 절연막으로 질화 실리콘(SiNX)를 사용하게 된다.
이와 같은 경우, 투과율이 상당히 저하되는 문제가 있다.
이하, 도 4a와 도 4b를 참조하여 설명한다.
도 4a와 도 4b는 각각 도 3의 Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 단면도이다.
도 4a와 도 4b에 도시한 바와 같이, 종래에 따른 FFS방식 액정표시장치용 어레이기판은 기판(40) 상에 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P)을 정의하고, 상기 스위칭 영역(S)에는 게이트 전극(46)과, 게이트 전극(46) 상부에 게이트 절연막(50)을 사이에 두고 적층된 액티브층(52)과 오믹 콘택층(54)과, 오믹 콘택층(54) 상부에는 소스 전극(56)과 드레인 전극(58)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 박막트랜지스터(T)와 절연막(44)을 사이에 두고 전면 공통전극(42)이 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 스위칭 영역(S)과는 보호막(62)을 사이에 두고 막대형상으로 이격된 화소 전극(66)이 구성된다.
전술한 구성은, 상기 하부의 공통전극(42)과 상부의 화소 전극(66)사이에 발생한 수평전계에 의해 액정(미도시)이 구동 될 수 있는 구성이다.
그런데, 앞서 잠깐 언급한 바와 같이, 상기 공통전극(42)은 통상 ITO로 형성하게 되고, 이러한 공통 전극(42) 상부에 형성한 절연막(44)은 무기 절연막을 증착 하여 형성하게 된다.
상기 무기 절연막(44)으로 특히, 질화 실리콘(SiNX)을 사용하게 된다.
이러한 경우, 상기 ITO층(공통전극)의 상부에 상기 질화 실리콘막을 성막하기 위해 사용한 실리사이드(SiHX4)가스와 상기 ITO의 표면이 반응하여, 상기 ITO층(공통전극)과 실리콘 질화막 사이에 산화 실리콘(SiO2)이 포함된 비정상적인 SiNX층 이 생겨나게 된다.
따라서, 표면 거칠기(rough)및 뿌연 특성(haze)이 증가하여, 투과율이 저하되는 문제가 있다.
또한, 전술한 구성은 좌.우 시야각에 있어서 광시야각을 구현할 수 있지만, 대면적으로 갈수록 측면 시야각 및 상.하 시야각에 있어서는 좀더 개선되어야 한다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 투과율이 개선되고 상.하 및 측면 시야각이 개선된 AH-IPS(advanced horizontal in-plane switching)방식 액정표시장치를 제작하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 FFS방식 액정표시장 치
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
도 5는 본 발명에 따른 AH-IPS(advanced horizontal in-plane switching)방식 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 다수의 게이트 배선(104)과, 상기 상.하로 이격된 게이트 배선(104) 사이에 위치한 스토리지 배선(106)을 구성 한다.
상기 게이트 배선(104)과 스토리지 배선(106)과 교차하고, 상기 게이트 배선(104)과는 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(126)을 구성한다.
상기 게이트 배선(104)과 데이터 배선(126)의 교차지점에는 게이트 전극(102)과 반도체층(118)과 소스 전극(122)과 드레인 전극(124)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성 한다.
상기 화소 영역(P)의 전면에는 상기 게이트 배선(104)과 데이터 배선(126)과 이격된 공간을 두고 투명한 공통전극(114)을 구성하고, 상기 공통 전극(114)의 상부에는 절연막(미도시)을 사이에 두고 다수의 막대 형상의 투명한 화소 전극(132)을 구성한다.
이때, 막대형상으로 화소 전극(132)은 가로방향으로 구성하며, 화소 영역(P) 을 중심으로 소정간격 기울기를 가지고 상.하 대칭되도록 설계 한다.
또한, 전술한 구성에서, 상기 화소 영역(P)의 중심에서 연장된 화소전극(132)의 연장부(134)와 그 하부에 위치한 공통전극(114)의 일부는 중심에 절연막을 사이에 두고 스토리지 캐패시터(Cst)를 구성한다.
전술한 구성에서 특징적인 것은, 상기 투명한 공통전극(114)과 상부의 질화 실리콘막(미도시)과의 사이에 투과율이 높은 고분자 수지층(미도시)을 형성하는 것이다.
이에 대해, 이하 공정을 설명하면서 상세히 설명한다.
도 6a 내지 도 6d와 도 7a 내지 도 7d는 각각 도 5의 Ⅵ-Ⅵ,Ⅶ-Ⅶ을 따라 절단하여 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 6a와 도 7a에 도시한 바와 같이, 상기 기판(100)상에 스위칭 영역(S)을 포함하는 다수의 화소 영역(P)을 정의한다.
상기 스위칭 영역 및 화소 영역(S,P)이 정의된 기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 몰리텅스텐(MoW)등을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 스위칭 영역(S)에 게이트 전극(102)을 형성하고, 상기 게이트 전극(102)과 연결되어 화소 영역(P)의 일 측을 지나는 게이트 배선(도 5의 104)을 형성하고, 이와 평행하게 이격되고 상기 화소 영역(P)의 중심을 지나가는 스토리지 배선(106)을 형성한다.
상기 게이트 전극(102)과 게이트 배선(도 4의 104)과 스토리지 배선(106)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 포함하는 투명한 산화금속을 증착하여 투명 전극층(108)을 형성한다.
다음으로, 상기 투명 전극층(108)의 상부에 투과율이 높은 포토레지스트(photo-resist)를 도포하여 감광층(110)을 형성한다.
상기 감광층(110)은 상기 화소 영역(P)에만 공통 전극(미도시)을 형성하기 위한 것이다. 따라서, 이를 노광하고 현상하는 공정을 진행하여 상기 화소 영역(P)에만 남기는 작업을 진행한다.
도 6b와 도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 화소영역(P)에만 남겨진 감광패턴(112)을 식각방지막으로 하여, 감광패턴(112)의 주변으로 노출된 투명 전극층을 식각하여 도시한 바와 같이 화소 영역(P)에 대응하여 전면 패턴된 투명한 공통전극(114)을 형성한다.
상기 투명 공통 전극(114)을 형성하는 공정이 완료되면 게이트 전극(102)과 게이트 배선(도 5의 104)과 스토리지 배선(106)이 외부로 노출되는 형상이 된다.
따라서, 도 6c와 도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 감광패턴(112)과 공통전극(114)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연막(116)을 형성한다.
도 6d와 도 7d에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(116)이 형성된 기판(100)의 전면에 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ 또는 p+)을 순차 증착하고 패턴하여, 상기 게이트 전극(102)에 대응하는 게이트 절연막 (116)의 상부에 액티브층(118)과 오믹 콘택층(120)을 형성 한다.
다음으로, 상기 액티브층(118)과 오믹 콘택층(120)이 형성된 기판(100)의 전면에 앞서 언급한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나 이상의 금속을 증착하고 패턴하여, 오믹 콘택층(120)의 상부에서 서로 이격된 소스 전극(122)과 드레인 전극(124)과, 상기 소스 전극(122)과 접촉하고 상기 게이트 배선(도 5의 104)과 교차하는 데이터 배선(126)을 형성 한다.
도 6e와 도 7e에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(122,124)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나 이상의 물질을 증착하여 보호막(128)을 형성하고 이를 패턴하여, 상기 드레인 전극(124)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(130)을 형성 한다.
도 6f와 도 7f에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(128)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(124)과 접촉하고, 상기 화소 영역(P)의 가로 방향으로 위치하고 서로 이격된 다수의 막대 형상의 화소 전극(132)을 형성한다.
이때, 상기 막대 형상의 화소 전극(132)은 화소영역(P)을 중심으로 상.하로 대칭되는 기울기를 가지도록 형성한다.
상기 스토리지 배선(106)에 대응하는 상부로 연장된 화소 전극(132)의 연장 부(134)는 상기 스토리지 배선(106)이 접촉하는 투명 공통 전극(134)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다.
전술한 공정을 통해 본 발명에 따른 AH-IPS방식 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있으며, 상기 투명재질의 공통전극 상부에 질화 실리콘막으로 절연막(116)을 형성하기 전 상기 공통 전극을 패턴하기 위한 투명한 감광패턴(112)을 남겨둠으로써 이전 보다 투과율이 개선될 수 있는 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 AH-IPS방식 액정표시장치용 어레이기판은 투명 공통전극의 상부에 투명한 아크릴계 수지를 형성함으로써, 공통 전극의 상부에 질화 실리콘막을 바로 형성하는 구조와 비교하여 투과율이 개선될 수 있는 효과가 있다.
또한, 막대형상의 화소 전극을 가로방향으로 구성하면서 상.하로 대칭되는 기울기를 가지도록 형성하기 때문에 색반전 현상이 보상되어 광시야각 효과가 있다.
따라서, 대면적 패널에 적용 가능하기 때문에 제품의 경쟁력을 향상할 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 기판과;
    상기 기판의 일면에 일 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선과;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와;
    상기 화소 영역에 전면 위치한 투명 공통 전극과;
    상기 공통 전극의 상부에 이와 평면적으로 순차 겹쳐 구성된 고분자 수지층과 질화 실리콘(SiNX)막과;
    상기 화소 영역에 대응하는 질화 실리콘(SiNX)막의 상부에 구성되고, 수평 배열한 다수의 막대 형상으로 구성된 화소 전극
    을 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과 액티브층과 오믹 콘택층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 수지층은 감광성 아크릴(acryl)계 수지(resin)층인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 막대 형상의 화소 전극은 소정의 기울기를 가지고, 상기 화소 영역의 상.하로 대칭되는 형상으로 구성한 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 평행하게 이격되어, 상기 화소 영역의 중심에 구성된 스토리지 배선을 더욱 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스토리지 배선의 상부로 연장되어 상기 스토리지 배선과 접촉하는 공통전극과 스토리지 캐패시터를 형성하는 상기 화소 전극의 연장부를 더욱 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  7. 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판의 일면에 일 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 화소 영역에 전면 위치한 투명한 공통 전극을 형성하는 단계와;
    상기 공통 전극의 상부에 이와 평면적으로 순차 겹쳐진 고분자 수지층과 질화 실리콘(SiNX)막을 형성하는 단계와;
    상기 화소 영역에 대응하는 질화 실리콘(SiNX)막의 상부에 수평 배열한 다수의 막대 형상으로 구성된 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과 액티브층과 오믹 콘택층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 고분자 수지층은 감광성 아크릴(acryl)계 수지(resin)층인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 막대 형상의 화소 전극은 소정의 기울기를 가지고, 상기 화소 영역의 상.하로 대칭되는 형상으로 형성하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 평행하게 이격되어, 상기 화소 영역의 중심에 구성된 스토리지 배선을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 스토리지 배선의 상부로 연장되어 상기 스토리지 배선과 접촉한 상기 공통 전극과 스토리지 캐패시터를 형성하는 상기 화소 전극의 연장부를 더욱 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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