KR100921450B1 - 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents
액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100921450B1 KR100921450B1 KR1020030017030A KR20030017030A KR100921450B1 KR 100921450 B1 KR100921450 B1 KR 100921450B1 KR 1020030017030 A KR1020030017030 A KR 1020030017030A KR 20030017030 A KR20030017030 A KR 20030017030A KR 100921450 B1 KR100921450 B1 KR 100921450B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- pixel
- gate
- liquid crystal
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 83
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 AlNd) Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
- E02B—HYDRAULIC ENGINEERING
- E02B5/00—Artificial water canals, e.g. irrigation canals
- E02B5/08—Details, e.g. gates, screens
- E02B5/085—Arresting devices for waterborne materials, e.g. gratings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
- E02B—HYDRAULIC ENGINEERING
- E02B15/00—Cleaning or keeping clear the surface of open water; Apparatus therefor
- E02B15/04—Devices for cleaning or keeping clear the surface of open water from oil or like floating materials by separating or removing these materials
- E02B15/10—Devices for removing the material from the surface
- E02B15/104—Conveyors; Paddle wheels; Endless belts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Abstract
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 광시야각 구현을 위한 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
어레이기판에 구성되는 단일 화소를 다수의 도메인(domain)으로 구성하기 위해, 단일 화소영역에 구성되는 화소 전극을 다수개로 패턴하여 이를 상/하/좌/우 방향으로 평행하게 이격되도록 구성한다.
이러한 구성에서, 드레인 전극에서 연장된 수직 연결부를 좌우방향으로 이격된 패턴의 이격영역 하부에 절연막을 사이에 두고 구성하여, 좌/우방향으로 평행하게 이격된 패턴과 동시에 접촉하도록 구성한다. 이와 같은 구성은 상/하/좌/우 방향으로 분리된 패턴을 전기적으로 모두 연결하는 구조이다.
전술한 바와 같은 본 발명의 구성은 상기 연장부와 분리된 패턴 사이의 신호 간섭에 의한 전계 왜곡없이 멀티 도메인(multi domain)을 구현할 수 있기 때문에, 고화질 및 광시야각을 구현할 수 있는 액정표시장치를 제작할 수 있다.
Description
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이고,
도 2a와 도 2b는 전압이 오프 / 온 상태일 때의 액정의 동작을 설명하기 위한 단면도이고,
도 3은 종래에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대하여 도시한 확대 평면도이고,
도 4는 도 3의 A-A`를 따라 절단한 단면도이고,
도 5와 도 6은 전압이 온 상태일 때 전계 분포 특성을 도시한 단면도와, 전계 분포에 의한 액정의 배향특성을 도시한 평면도이고,
도 7은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이고,
도 8a와 도 8b는 도 7의 화소 전극을 형성하는 하나의 투명전극패턴을 기준으로 전압의 오프/온 상태에 따른 전계의 분포와 이에 따른 액정의 배향특성을 도시한 도면이고,
도 9a 내지 도 9d와 도 10a 내지 도 10d는 각각 도 7의 F-F`와 G-G`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 11은 본 발명에 따른 액정표시장치의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 배선
104 : 게이트 전극 105 : 스토리지 제 1 전극
108 : 반도체층 110 : 반도체층의 연장부
112 : 소스 전극 114 : 드레인 전극
116 : 데이터 배선 118 : 연결부
120 : 스토리지 제 2 전극 124 : 제 1 콘택홀
125 : 제 2 콘택홀 126 : 금속전극 패턴
210 : 돌기
본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로 특히, 광 시야각을 구현하는 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 편광된 빛이 임의로 변조되어 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
일반적으로, 액정표시장치를 구성하는 기본적인 부품인 액정 패널의 구조를 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 액정 표시장치용 액정표시패널의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 일반적인 액정표시패널(11)은 블랙매트릭스(6)와 서브컬러필터(적,녹,청)(8)를 포함한 컬러필터(7)와 컬러필터의 하부에 투명한 공통 전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)과 화소영역 상에 형성된 화소 전극(17)과 스위칭 소자(T)를 포함한 어레이배선이 형성된 하부기판(22)으로 구성되며, 상기 상부 기판(5)과 하부 기판(22) 사이에는 액정(TN 액정, 14)이 충진되어 있다.
상기 하부 기판(22)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터 를 교차하여 지나가는 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)이 형성된다.
상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이다. 상기 화소영역(P)상에 형성된 화소 전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 사용한다.
전술한 바와 같이 구성되는 액정표시장치는 상기 화소 전극(17)상에 위치한 액정층(14)이 상기 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 배열되고, 상기 액정층의 배열정도에 따라 액정층(14)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상을 표현할 수 있다.
상술한 액정표시패널은 상부 컬러필터 기판(5)에 공통 전극(18)이 형성된 구조이다. 즉, 상기 공통 전극(18)과 화소 전극(17)이 상/하로 형성된 구조의 액정표시장치는 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상부기판에 구성된 공통 전극이 접지역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정셀의 파괴를 방지할 수 있다.
도 2a와 도 2b는 상기 TN(twisted nematic) 액정패널의 전압인가시 액정(14)의 동작을 도시한 도면으로, 도 2a는 전압 무인가시의 TN 액정패널의 액정의 배열을 도시한 도면이다. 이 때, 상기 액정(14)은 유전율 이방성이 양(+)이고, 배향방향에서 부터 평면적으로 보아 상, 하 액정이 90o로 꼬인 수평적 배열상태를 갖는다.
도 2b는 상/하 기판에 전압을 인가했을 때의 액정분자의 배열상태를 도시한 도면으로, 상기 상/하 기판(5,22)에 전압을 인가하면, 상기 90o로 꼬인 액정분자(14)는 전기장의 방향으로 재배열하게 되어 액정분자의 극값은 대체로 90°가 된다.
따라서 시야각에 따른 C/R(contrast ratio)과 휘도의 변화가 심하게 되어 광시야각을 구현할 수 없게 되는 문제점이 있다.
이러한 광시야각 문제점을 해결하기 위한 방법이 다양하게 연구되고 있으며, 그 한 예로 한 화소를 멀티도메인으로 구성하여 광시야각을 구현하고자 하는 방법이 미국특허 "5608556"에 제시된 바 있다.
상기 특허내용은 한 화소에 배향방향이 서로 다른 다수의 영역(멀티 도메인)을 형성하여 광시야각을 구현하기 위한 액정표시장치를 제안하고 있으며, 이에 대해 이하 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 종래에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 종래에 따른 액정표시장치는 기판(50)상에 제 1 방향으로 게이트 배선(52)이 형성되고, 상기 게이트 배선(52)과 수직하게 교차하는 제 2 방향으로 데이터 배선(68)이 형성된다.
화소 전극(표시 전극 :display electrode)(62)은 게이트 배선(52)과 데이터 배선(68)으로 둘러싸인 영역에 위치하고, 박막트랜지스터(T)는 상기 두 배선(52,68)의 교차지점마다 형성된다.
상기 박막트랜지스터(T)의 게이트 전극은 게이트 배선(52)의 일부를 사용하고, 소스 전극(64)은 상기 데이터 배선(68)에서 게이트 전극으로 사용되는 게이트 배선(52)의 상부로 연장하여 구성하고, 이와 이격된 드레인 전극(66)은 화소 전극(62)과 연결된다.
상기 게이트 전극(52)(게이트 배선의 일부)과 소스 및 드레인 전극(64,66)의 사이에는 액티브층(56)이 구성된다.
화소 전극(62)의 주변으로는 배향제어 전극(orientation control electrode)(70)이 구성되고, 상기 화소영역(P)마다 형성된 배향제어 전극(70)은 가로방향으로 모두 연결되어 구성된다.
상기 화소 전극(62)이 형성된 영역에 대응하여, "X"형상의 배향제어창(orientation control window)(86)이 구성된다.
전술한 바와 같은 평면도의 단면구성을 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4는 도 3의 A-A`를 따라 절단한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 스퍼터링방법으로 금속을 증착하고 사진식각을 통해 패턴된 게이트 배선(52)이 기판(50) 상에 형성된다.
상기 게이트 배선(52)이 형성된 기판(50)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연막(54)을 형성한다. 게이트 배선(52) 상부의 게이트 절연막(54)상에 비정질 실리콘(a-Si)층(56), 에치 스토퍼(etch stopper)층(58), 불순물 비정질 실리콘층(n+a-Si:H)(60)이 섬형상으로 형성된다. 상기 비정질 실리콘층(56)은 박막트랜지스터(T)의 채널층이 되고 상기 불순물 비정질 실리콘층(60)은 콘택층이 된다.
상기 게이트 배선(52)이 존재하지 않는 게이트 절연막(54)영역에 ITO와 같은 투명 도전 금속이 증착되고 패턴되어 화소 전극(62)이 형성된다.
제일 상위층은 소스 전극(64)과 드레인 전극(66)과 데이터 배선(도 3의 68)이 형성된다.
상기 소스 및 드레인 전극(64,66)이 형성된 기판(50)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 같은 물질로 형성된 층간 절연막(69)이 위치한다. 다음으로, 배향제어 전극(70)이 결과적으로는 화소 전극(62)의 주변으로 형성된다. 상기 배향제어 전극(70)은 이웃한 화소마다 서로 가로방향으로 연결되도록 형성된다.
다음으로 표면 배향 처리제로서, 수직배향을 위해 기판의 전면에 폴리이미드(polyimide)와 같은 물질을 도포하여 제 1 배향막(72)을 형성한다.
이때, 액정방향자의 초기 배향은 기판(50)의 일반적인 방향에 의해 규정되며, 배향막의 러빙처리는 요구되지 않는다.(수직배열모드 액정일 경우.)
전술한 하부 기판(50)에 대응한 상부기판(80)에는 비표시부(박막트랜지스터의 상부)에서 빛이 통과되지 않도록 차폐막(82)이 형성된다.
상기 차폐막(82)이 형성된 기판(50)의 전면에는 ITO를 증착하여, 공통 전극(84)을 형성한다. 박막트랜지스터 영역(T)을 제외한 화소(P)에 대응하는 각 공통 전극(84)을 식각하여 "X"형상(평면적인 형상)의 배향제어창(86)을 형성한다.
상기 배향제어창(86)을 포함하는 공통 전극(84)이 형성된 기판(80)의 전면에 제 2 배향막(88)이 형성된다. 상기 공통 전극(84)은 도시하지는 않았지만 은 도트(silver paste dot)를 통해 하부 기판(50)의 주변에 형성된 터미널 배선과 연결되며, 상기 하부기판(50)에 구성된 배향제어 전극(70)은 기판(50)의 둘레에서 상기 터미널배선(미도시)을 통해 상기 공통 전극(84)과 동일한 신호를 인가 받도록 구성된다.
도 5는 도 3의 B-B`를 따라 절단하여 전계 분포에 따른 액정의 배향을 도시한 단면도이고, 도 6은 전계 분포에 따른 액정의 배향을 도시한 평면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 배향제어 전극(70)은 화소 전극(62)의 양측에 위치하는 동시에, 액정층(90)을 사이에 두고 공통 전극(84)과 마주보고 구성된다.
상기 배향제어 전극(70)과 공통 전극(84)사이의 실제적인(효과적인) 전위차는 화소 전극(62)과 공통 전극(84)사이의 실제적인 전위차 보다 작다.
따라서, 표시영역(V)내에서, 전계의 분포(92)는 표시영역(V)의 안쪽으로부터 표시영역의 외측으로 경사진 방향으로 화소 전극(62)에서 공통 전극(84)으로 발생한다.
결과적으로, 전계로 인한 액정방향자의 배향백터의 각과 전계방향으로 인한 방위각이 결정된다.
도 6에 도시한 바와 같이, 공통 전극(미도시)내의 배향 제어창(86)에는 전극이 존재하지 않는다. 따라서 배향제어창(86)주변에서는 전계가 발생하지 않거나 약하게 발생하기 때문에, 상기 배향제어창(86)에 대응하여 위치한 액정(90)의 방향 자는 초기배향상태(수직배향상태)로 고정된다.
따라서, 액정방향자의 배향백터 방향은 배향제어 전극(70)의 효과에 의해 표시영역의 4 영역이 대칭이된다. 그리고, 배향벡터내에서 서로 다른 영역 사이의 경계는 배향제어창(86)에 의해 고정된다. 액정의 연속특성(continuum property) 때문에, 배향벡터는 모든 화소에서 대칭적으로 그리고, 각각의 영역에서 일정하게 제한될 수 있다.
표시영역은 상기 배향제어창(86)에 의해 분리된 네 영역으로 나누어지며, 상하 영역(U,D)에서 투과되어 평균된 빛과, 좌우 영역(L,R)에서 혼합된 빛은 정면에서 인식할 수 있는 상태에 근접한 빛이 투과된 것으로 인식된다.
따라서, 수직과 수평 방향에서의 시야각 특성은 넓은 시야각 범위에서 표시할 수 있도록 개선된다.
결과적으로 전술한 구성은 공통 전극에 배향제어창을 형성함으로써, 멀티도메인을 구현할 수 있었다.
그러나, 전술한 바와 같은 구성은 상기 배향제어창을 구성하기 위한 별도의 공정과, 상기 화소 전극의 주변에 배향제어 전극을 형성하는 공정 등이 필요하다.
따라서, 공정시간과 공정 비용 등을 감안하면 제품의 수율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 멀티 도메 인을 정의하여 광시야각을 구현하는 구성에 있어서, 단일 화소에 상.하.좌.우 방향으로 이격된 소정 형상의 투명전극 패턴으로 구성된 화소 전극을 구성한다.
상기 좌우로 이격된 투명전극 패턴의 이격영역 하부에 유전율이 낮은 절연막을 사이에 두고 위치하는 동시에, 상기 양측의 투명전극 패턴과 동시에 접촉하는 연결부를 형성한다.
이때, 연결부는 드레인 전극과 접촉하여, 상기 화소영역에 구성된 다수의 투명전극 패턴에 직접 신호를 인가하는 기능을 한다.
전술한 바와 같은 구성은, 상기 화소영역에 멀티 도메인이 발생하도록 유도하며, 상기 연결부와 화소 전극 패턴 사이에 신호 간섭에 의한 전계의 왜곡이 발생하지 않는 장점이 있다.
따라서, 복잡한 공정을 진행하지 않고도 고화질의 광시야각 특성을 가진 액정표시장치를 제작할 수 있는 장점이 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 드레인 전극에서 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부와; 상기 화소영역에 상/하/좌/우로 소정간격 이격하여 구성되고, 좌/우로 이격된 구성은 상기 연결부의 좌/우에서 각각 접촉하는 다수의 투명전극패턴으로 구성된 화소 전극을 포함한다.
상기 투명전극패턴과 접촉하는 수단으로 상기 수직 연결부의 양측에서 각각 연장된 돌출패턴을 더욱 구성한다.
상기 게이트 배선에서 화소영역으로 연장된 스토리지 제 1 전극과, 상기 연결부에서 상기 스토리지 제 1 전극의 상부로 연장되고 상기 화소 전극과 연결되는 스토리지 제 2 전극을 더 포함한다.
상기 투명 전극 패턴은 원 형상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판 상에 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극과 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되고 상기 게이트 배선과는 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 드레인 전극에서 상기 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부를 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 수직 연결부가 형성된 기판의 전면에, 상기 수직연결부에 대응하여 이를 노출하는 다수의 콘택홀을 포함하는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막이 형성된 화소영역의 상부에, 상기 노출된 수직 연결부와 각각 접촉하고 상/하/좌/우로 이격된 다수의 투명전극 패턴으로 구성된 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 반도체층은 순수 비정질 실리콘으로 형성된 액티브층과, 불순물 비정질 실리콘으로 형성된 오믹 콘택층이 적층되어 형성된 것이다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치는 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성된 다수의 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과; 상기 두 배선들의 교차지점마다 구성되고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 드레인 전극에서 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부와; 상기 화소영역에 구성되며, 상/하/좌/우 방향으로 소정간격 이격되어 구성되고, 좌/우 방향으로 이격된 구성은 상기 연결부와 각각 접하는 다수의 투명전극패턴으로 이루어진 화소 전극과; 상기 제 2 기판 상에 형성된 돌기와; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함한다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치 제조방법은 제 1 기판 상에 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 위치하는 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되고 상기 게이트 배선과는 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 드레인 전극에서 상기 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부를 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 수직 연결부가 형성된 기판의 전면에, 상기 수직연결부에 대응하여 위치하여 이를 노출하는 다수의 콘택홀이 구성된 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막이 형성된 화소영역의 상부에, 상기 노출된 수직 연결부와 각각 접촉하고 상/하/좌/우로 이격된 다수의 투명전극 패턴으로 구성된 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 상에 돌기를 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명은 단일 화소에 다수개의 투명 전극패턴을 상/하/좌/우 방향으로 이격하여 구성하고, 좌/우 방향으로 이격된 전극패턴의 이격 영역 하부에 상기 이격된 패턴과 동시에 접촉하는 별도의 연결전극(이하, "연결부"라 칭함)을 구성하고, 전극패턴의 중심에 대응하는 상부기판에는 돌기(rib)를 형성하는 것을 특징으로 한다.
도 7은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(102)을 구성하고, 이와는 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(116)을 구성한다.
이때, 상기 게이트 배선(102)은 화소영역(P)으로 소정면적 연장되어 보조 용량부를 형성하기 위한 스토리지 제 1 전극(105)을 포함한다.
상기 두 배선(102,116)의 교차지점에는 상기 게이트 배선(102)에서 돌출된 게이트 전극(104)과, 게이트 전극의 상부에 구성된 반도체층(108)과, 반도체층의 상부에 위치하고 상기 데이터 배선(116)에서 게이트 전극(104)의 일측 상부로 돌출된 소스 전극(112)과, 이와는 소정간격 이격되고 상기 게이트 전극(104)의 타측에 걸쳐 위치하는 드레인 전극(114)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다.
상기 반도체층(108)은 액티브층과 오믹 콘택층이 평면적으로 겹쳐 구성된 것이며, 상기 데이터 배선(116)의 하부로 연장된 연장부(110)를 포함한다.
이때, 연장부(110)는 상기 데이터 배선(116)의 접촉특성을 개선하는 기능을 한다.
상기 화소영역(P)에는 상기 드레인 전극(114)과 접촉하는 화소 전극(128)을 구성하고, 화소(화소의 액정캐패시터)와 병렬로 연결된 보조 용량부(Cst)를 게이트 배선(102)의 상부에 구성한다.
전술한 구성에서, 상기 드레인 전극(114)에서 상기 화소영역(P)으로 수직하게 연장하여 수직 연결부(118)를 구성하고 동시에, 상기 수직 연결부(118)에서 상기 스토리지 제 1 전극(105)의 상부로 소정면적으로 연장된 스토리지 제 2 전극(120)을 구성한다.
전술한 바와 같은 구성에서 특징적인 것은, 상기 화소 전극(128)은 상/하/좌/우 방향으로 소정간격 평행하게 이격된 다수의 투명전극패턴(126)으로 구성하고, 상기 드레인 전극(114)에서 연장된 수직 연결부(118)는 상기 좌우로 이격된 투명전극패턴(126)의 이격영역 하부에 구성되는 동시에 이격된 투명전극패턴(126)과 동시에 접촉하도록 구성하는 것이다.
따라서, 화소 영역(P)에 위치하는 다수의 투명전극패턴(126)은 상기 수직 연결부(118)를 통해 전기적으로 모두 연결된 상태가 될 수 있다.
전술한 구성에서, 상기 수직 연결부(118)는 상기 투명전극 패턴(126)의 하부 에 절연막을 사이에 두고 위치하며 이때, 절연막으로 벤조사이클로부텐(BCB)과 같은 유전율이 낮은 물질을 사용하게 되면, 상기 투명전극패턴(126)사이에 금속배선이 지나가면서 발생할 수 있는 신호 간섭을 최소화 할 수 있다.
따라서, 전계 왜곡 불안정성은 최소화 될 수 있으며 텍스쳐(texture)의 불안정성은 최소화 될 수 있다.
상기 각 투명전극패턴(126)의 가운데 영역에 대응하는 상부기판(미도시)에는 돌기(210)를 형성하며, 이는 전계 방향을 왜곡하여 액정이 점대칭으로 배열하도록 하는 역할을 한다.
상기 돌기(210)는 원형, 사각형상 등 다양한 형상으로 형성할 수 있다.
이하, 도 8a와 도 8b는 하나의 투명전극패턴(126)에서 전압의 오프.온 상태(off,on state)에 따른 액정의 배향특성을 설명하기 위한 평면도와, 이를 각각 C-C`와 E-E`를 따라 절단한 단면도이다.
먼저, 도 8a는 전압을 인가하지 않았을 경우이며, 도시한 바와 같이 초기 배향특성이 수직방향인 VA 모드 액정은 전압이 인가되지 않으면 상부 기판(200)과 하부 기판(100)사이에 수직하게 배열한다.
반면, 도 8b와 같이 전압이 인가되었을 경우에는, 하부 기판(100)에 구성된 화소 전극(126)과 상부 기판(200)에 구성된 공통 전극(208)사이에 전계(400)분포가 발생하게 되고, 전계의 방향은 돌기(210)를 중심으로 전극패턴(126)의 안쪽에서 바깥방향으로 경사지게 분포한다.
즉, 돌기(210)를 중심으로 한 전계분포는 대칭적으로 구성되며 이로 인한 액 정배향 방향 또한 돌기(210)를 중심으로 대칭적으로 경사지게 배향한다.
반면, 상기 돌기(210)에 대응하는 부분은 전계가 분포하지 않거나 약하게 분포하기 때문에 액정은 초기 배향상태를 그대로 유지하게 된다.
전술한 바와 같이, 전극 패턴 하나에 대한 균일한 액정층의 대칭분포는 한 화소에 대응하는 전극 패턴마다 이루어지므로 하나의 화소에 다수의 도메인이 형성된 것과 같고 이로 인해 광시야각을 구현할 수 있다.
도 9a 내지 도 9d와 도 10a 내지 도 10d를 참조하여, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.
먼저, 도 9a 내지 도 9d와 도 10a 내지 도 10d는 각각 도 7의 F-F`와 G-G`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 9a와 도 10a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)을 형성한다.
동시에, 상기 게이트 배선(102)에서 연장된 연장부(105)를 형성하는데, 연장부는 보조 용량부의 스토리지 제 1 전극으로 사용한다.
상기 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(주로, AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W)중 선택된 하나를 사용한 단일막 또는 두 가지 금속을 적층한 이중막으로 형성한다.
보통 상기 게이트 전극(104)과 게이트 배선(102)등을 이중막으로 형성하는 경우는 알루미늄(Al)을 사용하였을 경우이다. 즉, 제 1 층을 알루미늄 층으로 하고 제 2 층을 몰리브덴(Mo)또는 크롬(Cr)을 사용하여 형성한다.
상기 게이트 배선(102)등을 이중 금속층으로 형성하는 이유는, 상기 알루미늄(Al)이 저항은 작으나 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 힐락(hillock)에 의한 배선 결함문제를 야기하기 때문에 내식성이 강한 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)을 적층하는 것이다.
연속하여, 상기 게이트 전극(104)과 게이트 배선(102)이 형성된 기판(100)의 전면에 게이트 절연막(106)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(106)은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 형성한다.
도 9b와 10b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(104) 상부의 게이트 절연막(106)상에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)층과 불순물 비정질 실리콘(n+a-Si:H)층을 적층한 후 패터닝하여, 섬형상의 액티브채널층(108a)과 오믹 콘택층(108b)으로 구성된 반도체층(108)을 형성한다. 도면부호 110은 상기 반도체층(108)의 연장부이다.
상기 반도체층(108)이 형성된 기판(100)의 전면에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 구리(Cu)등의 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(108b)상에 소정 간격 이격된 소스 전극(112)과 드레인 전극(114)을 형성한다.
동시에, 상기 소스 전극(112)과 연결되고 상기 게이트 배선(102)과는 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(116)을 형성한다.
전술한 공정에서, 상기 드레인 전극(114)에서 화소영역(P)으로 수직하게 연장된 연결부(118)와, 연결부(118)에서 상기 스토리지 제 1 전극(105)의 상부로 연장된 스토리지 제 1 전극(120)을 형성한다.
전술한 구성에서, 상기 드레인 전극(114)의 연결부는 좌, 우측으로 각각 돌출부(K)를 가지는데, 돌출부(K)는 도 7에 도시한 바와 같이 평면적으로 상.하로 이격하여 구성된다.
이때, 돌출부(K)는 이후 공정에서 형성된 금속전극 패턴과 접촉하는 부분이다.
도 9c와 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)과 데이터 배선(116)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹과, 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene : BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(Resin)를 포함하는 유기절연물질그룹 중 선택된 하나를 증착하여 보호막(122)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(122)을 패터닝하여, 상기 드레인 전극(114)의 연결부에 구성된 다수의 돌출부(K)를 각각 노출하는 제 1 콘택홀(124)을 형성하고 동시에, 상기 게이트 배선(102) 상부의 스토리지 제 2 전극(120)의 일부를 노출하는 제 2 콘택홀(125)을 형성한다.
도 9d와 도 10d에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(122)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 화소영역(P)에 평면적으로 상/하/좌/우로 이격된 다수의 금속전극 패턴(126)을 형성한다.
상기 좌/우 방향으로 이격된 금속전극 패턴(126)의 이격 영역(J)하부로 상기 드레인 전극(114)에서 화소영역(P)으로 수직하게 연장된 연결부(118)가 지나가게 되며, 상기 연결부(118) 양측의 금속전극 패턴(126)은 각각 연결부(118)의 좌/우로 노출된 돌출부(K)와 접촉하도록 한다.
동시에, 상기 게이트 배선(102)에 근접한 투명전극의 패턴(126)은 상기 스토리지 제 2 전극(120)의 상부로 연장되어 이 노출된 부분과 접촉하도록 구성한다.
전술한 구성으로, 상기 스토리지 제 1 전극(105)과 스토리지 제 2 전극(120)은 유전체인 게이트 절연막(106)을 사이에 두고 구성되어 보조 용량부(Cst)를 형성하게 된다.
전술한 바와 같은 공정을 통해, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
이하, 도 11에 도시한 바와 같이, 전술한 바와 같이 제작된 하부 기판(100)과 컬러필터와 공통 전극이 형성된 상부기판(200)을 합착하게 된다.
상기 합착된 두 기판(100,200) 사이에는 액정층(300)을 형성함으로써 액정패널의 제작이 완성될 수 있다.
상기 액정층은 유전율 이방성이 음인 액정층을 형성한다. 또한, 상기 액정층에는 카이랄 도펀트(chiral dopant)를 첨가할 수 도 있다.
다른 방법으로, 상기 두 기판 중 액정(300)을 하나의 기판 상에 적하한 후 두 기판(200.100)을 합착하여 액정층을 형성할 수 있다.
이때, 상부 기판(200)은 상기 하부 기판(100)에 형성한 박막트랜지스터(T)와 어레이배선에 대응한 부분에 빛을 차폐하는 블랙매트릭스(202)를 형성하고, 상기 화소영역(P)에 대응한 부분에는 적, 녹, 청색의 서브컬러필터(204a,204b)를 형성한다.
연속하여, 상기 블랙매트릭스(202)와 서브 컬러필터(204a,204b)가 형성된 기판(200)의 전면에 평탄화막(206)과 투명한 공통 전극(208)을 형성한다.
이때, 경우에 따라서 상기 평탄화막(206)은 형성하지 않을 수도 있다.
공통 전극(208)은 상기 화소 전극(128)과 동일한 투명한 도전성 금속으로 형성한다.
다음으로, 상기 공통 전극(208)상부에 상기 전극패턴(126)의 중앙에 대응하는 영역마다 돌기(210)를 형성한다.
상기 돌기(210)는 일반적으로 절연성 수지를 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 돌기(210)는 BCB(Benzocyclobutene)나 아크릴과 같은 유기물질로 형성할 수 있다. 상기 돌기(210)와 상기 화소전극(128)상에는 배향막을 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 광시야각을 구현하는 액정표시장치를 제작할 수 있다.
본 발명에 따른 액정표시장치는 한 화소에 다수의 멀티 도메인을 형성하는 것이 가능하고, 각 도메인의 경계에서 전계의 왜곡이 발생하지 않기 때문에 액정의 텍스쳐가 안정되어 고화질의 광시야각 구현이 가능한 액정표시장치를 제작할 수 있는 효과가 있다.
Claims (15)
- 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과;상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와;상기 드레인 전극에서 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부와;상기 화소영역에 상/하/좌/우로 소정간격 이격하여 구성되고, 좌/우로 이격된 구성은 상기 연결부의 좌/우에서 각각 접촉하는 다수의 투명전극패턴으로 구성된 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명전극패턴과 접촉하는 수단으로 상기 수직 연결부의 양측에서 각각 연장된 돌출패턴이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 배선에서 화소영역으로 연장된 스토리지 제 1 전극과, 상기 연 결부에서 상기 스토리지 제 1 전극의 상부로 연장되고 상기 화소 전극과 연결되는 스토리지 제 2 전극을 더 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명 전극 패턴은 원 형상인 액정표시장치용 어레이기판.
- 기판 상에 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극과 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되고 상기 게이트 배선과는 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 드레인 전극에서 상기 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부를 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 수직 연결부가 형성된 기판의 전면에, 상기 수직연결부에 대응하여 이를 노출하는 다수의 콘택홀을 포함하는 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막이 형성된 화소영역의 상부에, 상기 노출된 수직 연결부와 각각 접촉하고 상/하/좌/우로 이격된 다수의 투명전극 패턴으로 구성된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 수직 연결부의 양측에 상기 투명 전극 패턴과 접촉하는 수단으로 돌출부를 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 게이트 배선에서 화소로 연장된 스토리지 제 1 전극과, 상기 수직 연결부에서 상기 스토리지 제 1 전극의 상부로 연장되고, 상기 화소 전극과 연결되는 스토리지 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 반도체층은 순수 비정질 실리콘으로 형성된 액티브층과, 불순물 비정질 실리콘으로 형성된 오믹 콘택층이 적층되어 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제 조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 데이터 배선의 하부로 연장된 연장부를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 기판과 제 2 기판과;상기 제 1 기판 상에 형성된 다수의 게이트 배선과;상기 게이트 배선과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과;상기 두 배선들의 교차지점마다 구성되고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와;상기 드레인 전극에서 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부와;상기 화소영역에 구성되며, 상/하/좌/우 방향으로 소정간격 이격되어 구성되고, 좌/우 방향으로 이격된 구성은 상기 연결부와 각각 접하는 다수의 투명전극패턴으로 이루어진 화소 전극과 ;상기 제 2 기판 상에 형성된 돌기와;상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 액정표시장치.
- 제 10 에 있어서,상기 투명 전극 패턴과 접촉하는 수단으로 상기 연결부의 양측에서 각각 연장된 돌출패턴이 더욱 구성된 액정표시장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 게이트 배선을 제 1 전극으로 하고, 상기 연결부에서 상기 제 1 전극의 상부로 연장되고 상기 화소 전극과 연결되는 연장부를 제 2 전극으로 하는 보조용량부가 더욱 구성된 액정표시장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 2 기판 상에 형성된 블랙매트릭스와, 상기 블랙매트릭스 상에 형성된 컬러필터와, 상기 컬러필터 상에 형성된 공통 전극을 더욱 포함하는 액정표시장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 돌기는 상기 투명전극 패턴의 중심에 대응하는 상기 공통 전극의 하부에 구성된 액정표시장치.
- 제 1 기판 상에 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 위치하는 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되고 상기 게이트 배선과는 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 드레인 전극에서 상기 화소영역으로 수직하게 연장된 수직 연결부를 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 수직 연결부가 형성된 기판의 전면에, 상기 수직연결부에 대응하여 이를 노출하는 다수의 콘택홀이 구성된 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막이 형성된 화소영역의 상부에, 상기 노출된 수직 연결부와 각각 접촉하고 상/하/좌/우로 이격된 다수의 투명전극 패턴으로 구성된 화소전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판 상에 돌기를 형성하는 단계와;상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030017030A KR100921450B1 (ko) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030017030A KR100921450B1 (ko) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040082487A KR20040082487A (ko) | 2004-09-30 |
| KR100921450B1 true KR100921450B1 (ko) | 2009-10-13 |
Family
ID=37366264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030017030A KR100921450B1 (ko) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100921450B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9671656B2 (en) | 2015-01-08 | 2017-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US10031389B2 (en) | 2015-01-08 | 2018-07-24 | Samsung Display Co. Ltd. | Liquid crystal display |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070087395A (ko) | 2006-02-23 | 2007-08-28 | 삼성전자주식회사 | 표시판 |
| KR20090060756A (ko) | 2007-12-10 | 2009-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020047024A (ko) * | 2000-12-15 | 2002-06-21 | 가네꼬 히사시 | 액정표시장치 |
-
2003
- 2003-03-19 KR KR1020030017030A patent/KR100921450B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020047024A (ko) * | 2000-12-15 | 2002-06-21 | 가네꼬 히사시 | 액정표시장치 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9671656B2 (en) | 2015-01-08 | 2017-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US10031389B2 (en) | 2015-01-08 | 2018-07-24 | Samsung Display Co. Ltd. | Liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040082487A (ko) | 2004-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100587217B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법 | |
| US8077265B2 (en) | Liquid crystal display panel | |
| US20040156005A1 (en) | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| US20080180623A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| US7492428B2 (en) | Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof | |
| KR101237791B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR20030048489A (ko) | 횡전계형 액정표시장치 | |
| US7460192B2 (en) | Liquid crystal display, thin film diode panel, and manufacturing method of the same | |
| US20060250560A1 (en) | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display | |
| KR101191442B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR20040018883A (ko) | 횡전계방식 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| KR100921450B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR101154243B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 | |
| KR100844003B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100672215B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20110066724A (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR100872493B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR101004508B1 (ko) | 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR20050097175A (ko) | 횡전계형 액정표시장치 | |
| KR101189144B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR20070063967A (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 | |
| KR100904525B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR101041613B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치 | |
| KR20050054544A (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR20040060010A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120928 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130930 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140918 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180917 Year of fee payment: 10 |