KR101004508B1 - 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 수평 전계에 의해 액정을 구동하는 횡전계방식(IPS:In Plane Switching Mode) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 횡전계방식 액정 표시 장치에서 리프트 오프(lift-off) 방법을 이용하여 마스크 수를 저감하고, 상기 리프트 오프시 발생되는 단차부를 화소 영역의 최외곽 전극에 형성시킴으로써 개구율을 증가시키고 단차부에 의한 빛샘을 방지한다.
또한, 본 발명은 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판에서 리프트 오프(lift-off)공정을 이용하여 제조함으로써 마스크를 저감하여 제조 비용을 절감하여 제조수율을 향상시킨다.
또한, 본 발명은 리프트 공정을 원활히 하기 위하여 형성하는 단차 구조를 화소 영역의 최외곽 공통 전극 또는 데이터 배선 상에 형성시킴으로써 개구율을 증가시키고 단차에 의한 액정 배열의 왜곡에 의한 빛샘 현상을 방지하여 제품 불량을 방지하고 제품의 신뢰성을 향상시키는 장점이 있다.
리프트 오프, 횡전계방식, 단차, 최외곽

Description

횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법{An array substrate for In-Plane-Switching mode LCD and the fabrication method thereof}
도 1은 일반적인 횡전계방식 액정 표시 장치의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 보여주는 개략적인 평면도.
도 3은 도 2에서 A-A'로 자른 단면도.
도 4는 도 2에서 B-B'로 자른 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 공정을 순서대로 보여주는 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예로서, SOC(Storage On Common) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도를 보여주는 도면.
도 7은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, SOG(Storage On Gate) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도를 보여주는 도면.
도 9는 도 8에서 C-C'로 자른 단면도.
도 10는 도 8에서 D-D'로 자른 단면도.
도 11은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, SOC(Storage On Common) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도.
도 12은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, SOG(Storage On Gate) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
210, 510 : 기판
212, 312, 412, 512, 612, 712 : 게이트 배선
214, 314, 414, 514, 614, 714 : 게이트 전극
216, 316, 416, 516, 616, 716 : 공통 배선
217, 317, 417, 517, 617, 717 : 공통 전극
218, 518 : 게이트 절연막
220, 520 : 액티브층
221, 521 : 오믹 콘택층
224, 324, 424, 524, 624, 724 : 데이터 배선
226, 326, 426, 526, 626, 726 : 소스 전극
228, 328, 428, 528, 628, 728 : 드레인 전극
230, 330, 430, 530, 630, 730 : 화소 전극
270 : 보호층
291, 391, 491, 591, 691, 791 : 단차구조
292, 392, 492, 592, 692, 792 : 스토리지 연결 금속
293, 393, 493, 593, 693, 793 : 드레인 연결 금속
295, 395, 495, 595, 695, 795 : 스토리지 전극
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 수평 전계에 의해 액정을 구동하는 횡전계방식(IPS:In Plane Switching Mode) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 정보를 화면에 나타내는 디스플레이 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(혹은 CRT:Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 있었다.
그리고, 오늘날에는 전자산업의 발달과 함께 TV 브라운관 등에 제한적으로 사용되었던 디스플레이 장치가 개인용 컴퓨터, 노트북, 무선 단말기, 자동차 계기판, 전광판 등에 까지 확대 사용되고, 정보통신 기술의 발달과 함께 대용량의 화상정보를 전송할 수 있게 됨에 따라 이를 처리하여 구현할 수 있는 차세대 디스플레이 장치의 중요성이 커지고 있다.
이와 같은 차세대 디스플레이 장치는 경박단소, 고휘도, 대화면, 저소비전력및 저가격화를 실현할 수 있어야 하는데, 그 중 하나로 최근에 액정 표시 장치가 주목을 받고 있다.
상기 액정 표시 장치(LCD:Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 응답 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
현재 주로 사용되고 있는 액정 표시 장치 중 하나로 트위스트 네마틱(TN : twisted nematic) 방식의 액정 표시 장치를 들 수 있다. 상기 트위스트 네마틱 방식은 두 기판에 각각 전극을 설치하고 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 다음 전극에 전압을 가하여 액정 방향자를 구동하는 방식이다.
그러나, 상기 TN방식(twisted nematic mode) 액정 표시 장치는 시야각이 좁다는 큰 단점이 있다.
그래서, 최근에 상기 협소한 시야각 문제를 해결하기 위하여 여러 가지 새로운 방식을 채용한 액정 표시 장치에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있는데, 상기 방식으로 횡전계방식(IPS:in-plane switching mode) 또는 OCB방식(optically compensated birefrigence mode) 등이 있다.
이 가운데 상기 횡전계방식 액정 표시 장치는 액정 분자를 기판에 대해서 수평을 유지한 상태로 구동시키기 위하여 2개의 전극을 동일한 기판 상에 형성하고, 상기 2개의 전극 사이에 전압을 인가하여 기판에 대해서 수평방향으로 전계를 발생시킨다. 즉, 액정 분자의 장축이 기판에 대하여 일어서지 않게 된다.
이 때문에, 시각방향에 대한 액정의 복굴절율의 변화가 작아 종래의 TN방식 액정 표시 장치에 비해 시야각 특성이 월등하게 우수하다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래 기술에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치의 구조를 구체적으로 설명한다.
도 1은 일반적인 횡전계방식 액정 표시 장치의 단면도이다.
일반적인 횡전계방식 액정 표시 장치는 제 1 기판(118)과 제 2 기판(119)을 대향 합착하여 상기 두 기판 사이에 액정층(130)을 주입하여 형성하는데, 먼저, 상기 제 1 기판(118) 상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에서 분기되어 박막트랜지스터 위치에 게이트전극(109)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 전극(109)을 포함한 전면에 게이트 절연막(120)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 상부에 액티브층(115a)과 오믹콘택층(115b)을 이루는 반도체층(115)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 절연막(120) 상부에 상기 게이트 배선과 매트릭스 구조를 이루도록 데이터 배선(110)을 형성한다.
이 때, 상기 데이터배선(110) 형성시, 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극(116/117)을 동시에 형성한다.
그리고, 상기 게이트 배선에 평행하도록 공통배선과 공통전극(113)을 형성한다.
그리고, 상기와 같이 형성된 제 1 기판(118) 상의 전면에 보호막(128)을 형성시킨다.
이후, 상기 드레인 전극(117)과 전기적으로 연결되며 상기 데이터 배선(110)에 평행하도록 데이터전극(114)을 형성한다.
그리고, 상기와 같이 형성된 제 1 기판(118) 상의 전면에 제 1 배향막(129) 을 형성한다.
한편, 상기 제 2 기판(119) 상에는 빛의 누설을 방지하는 블랙 매트릭스(121)을 형성하고, 상기 블랙 매트릭스(121) 사이에 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 칼라필터 패턴으로 이루어진 칼라필터층(122)을 형성한다.
그리고, 상기 컬러필터층 상부에는 표면을 평탄화하고 컬러필터층(122)을 보호하는 오버코트층(123)을 형성한다.
다음으로, 상기 오버코트층(123) 상부에 제 2 배향막(126)을 형성한다.
이와 같은 액정 표시 장치의 하부 기판인 어레이 기판은 박막을 증착하고 마스크를 이용하여 사진 식각하는 공정을 여러 번 반복함으로써 형성되는데, 통상적으로 마스크 수는 5장 내지 6장이 사용되고 있으며, 마스크의 수가 어레이 기판을 제조하는 공정수를 나타낸다. 사진 식각 공정에는 세정과 감광막의 도포, 노광 및 현상, 식각 등 여러 공정을 수반하고 있다.
따라서, 사진 식각 공정을 한번만 단축해도 제조 시간이 상당히 많이 줄어들고, 제조 비용을 감소시킬 수 있으며 불량 발생율이 적어지므로, 마스크 수를 줄여 어레이 기판을 제조하는 것이 바람직하다.
본 발명은 횡전계방식 액정 표시 장치에서 리프트 오프(lift-off) 방법을 이용하여 마스크 수를 저감하고, 상기 리프트 오프시 발생되는 단차부를 화소 영역의 최외곽 전극에 형성시킴으로써 개구율을 증가시키고 단차부에 의한 빛샘을 방지하 는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판은, 다수의 화소 영역이 정의된 기판과; 상기 화소 영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선, 이와 소정 간격 이격하여 구성된 공통 배선과; 상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과, 이와 엇갈려 구성되는 다수의 화소 전극과; 상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와; 상기 화소 전극과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 스토리지 전극과; 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과; 상기 공통 전극과 스토리지 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속과; 상기 스토리지 전극과 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 노출시키는 슬릿 형태의 단차 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 스토리지 전극은 액티브층과 데이터 배선 금속의 이중으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상에 슬릿 형태의 단차 구조가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 게이트 배선과, 공통 배선 및 공통 전극과, 화소 전극은 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 다수의 화소 영역을 정의하는 기판 상에 게이트 배선, 공통 배선 및 공통 전극, 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 절연막을 증착하고 데이터 배선, 소스 전극 및 드레인 전극, 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 화소 전극의 일부와, 상기 스토리지 전극과 공통 전극의 일부와, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴 상에 도전성 금속을 증착하여 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과, 상기 스토리지 전극과 공통 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속을 형성하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴을 리프트 오프하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 스토리지 전극은 화소 전극과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 것을 특징으로 한다.
상기 공통 전극은 상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되며, 상기 화소 전극은 상기 공통 전극과 엇갈려 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계에 있어서, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상의 절연막이 슬릿 형태로 식각되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 다른 실시예로서, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판은, 다수의 화소 영역이 정의된 기판과; 상기 화소 영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선, 이와 소정 간격 이격하여 구성된 스토리지 배선과; 상기 스토리지 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과, 이와 엇갈려 구성되는 다수의 화소 전극과; 상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와; 상기 스토리지 배선과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 스토리지 전극과; 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과; 상기 화소 전극과 스토리지 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속과; 상기 스토리지 전극과 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 노출시키는 슬릿 형태의 단차 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 다수의 화소 영역을 정의하는 기판 상에 게이트 배선, 스토리지 배선 및 공통 전극, 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 절연막을 증착하고 데이터 배선, 소스 전극 및 드레인 전극, 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 화소 전극의 일부와, 상기 스토리지 전극과 공통 전극의 일부와, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴 상에 도전성 금속을 증착하여 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과, 상기 스토리지 전극과 화소 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속을 형성하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴을 리프트 오프하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계에 있어서, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상의 절연막이 슬릿 형태로 식각되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 또 다른 실시예로서, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치는, 다수의 화소 영역이 정의된 기판과; 상기 화소 영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선, 이와 소정 간격 이격하여 구성된 공통 배선과; 상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과, 이와 엇갈려 구성되는 다수의 화소 전극과; 상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점 에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와; 상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 스토리지 전극과; 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과; 상기 화소 전극과 스토리지 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속과; 상기 스토리지 전극과 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 노출시키는 슬릿 형태의 단차 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상에 슬릿 형태의 단차 구조가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 다수의 화소 영역을 정의하는 기판 상에 게이트 배선, 공통 배선 및 공통 전극, 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 절연막을 증착하고 데이터 배선, 소스 전극 및 드레인 전극, 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 화소 전극의 일부와, 상기 스토리지 전극과 공통 전극의 일부와, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴 상에 도전성 금속을 증착하여 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과, 상기 스토리지 전극과 화소 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속을 형성하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴을 리프트 오프하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계에 있어서, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상의 절연막이 슬릿 형태로 식각되는 것을 특징으로 한다.
상기 공통 전극은 상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되며, 상기 화소 전극은 상기 공통 전극과 엇갈려 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 스토리지 전극은 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 중첩되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대해서 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 보여주는 개략적인 평면도이고, 도 3은 도 2에서 A-A'로 자른 단면도이고, 도 4는 도 2에서 B-B'로 자른 단면도이다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판(210)은 소정 간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선(212)과 공통 배선(216)과, 상기 두 배선과 교차하며 특히 게이트 배선(212)과는 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(224)이 구성된다.
상기 게이트 배선(212)과 데이터 배선(224)의 교차지점에는, 상기 게이트 배선(212)과 연결된 게이트 전극(214)과, 상기 게이트 전극(214)의 상부에 구성된 액 티브층(220)과 소스 전극(226)및 드레인 전극(228)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 구성되며, 상기 소스 전극(226)은 상기 데이터 배선(224)과 연결된다.
여기서, 상기 액티브층(220)과 소스 및 드레인 전극(226, 228)은 회절 노광에 의해서 일괄 식각되어 형성된다.
상기 화소영역(P)에는 상기 드레인 전극(228)과 연결되는 화소전극(230)과, 상기 화소전극(230)과 평행하게 구성되는 공통전극(217)이 구성된다.
상기 화소전극(230)은 수평부(230a)와, 상기 수평부에서 연장된 수직부(230b, 230c)로 구성된다.
상기 공통전극(217)은 상기 화소영역(P)의 데이터 배선(224)에 근접하여 공통 배선에서 연장된 수직부(217a, 217b, 217c)와, 상기 수직부(217a, 217b, 217c)의 일측을 연결하여 상기 화소 영역의 일측에 있는 게이트 배선(212)에 근접하게 형성되어 있는 수평부(217d, 공통 배선(216)임)로 구성된다.
여기서, 상기 게이트 배선(212), 게이트 전극(214), 화소 전극(230), 공통 전극(217)은 한 공정으로 일괄 형성되며, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 화소 전극(230)의 수평부(230a) 상에 게이트 절연막(218)을 사이에 두고 중첩되어 스토리지 전극(295)이 형성되어 캐패시터(C)를 형성한다.
그리고, 상기 드레인 전극(228)과 화소 전극(230)을 전기적으로 연결해주기 위하여 본 발명에서는 리프트 오프(lift-off)를 사용하는데, 이때 리프트 오프를 원활히 하기 위하여 기판 상에 단차 구조(291)를 형성해야 한다.
상기 단차 구조(291)는 리프트 오프 공정시에 포토 레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼(stripper)가 포토 레지스트로 침투하기가 용이하도록 하기 위한 것이다.
따라서, 이와 같은 단차 구조(291)를, 도 4에 도시한 바와 같이, 스토리지 전극(295) 상과 화소 영역의 최외곽 공통 전극(217a, 217c)에 형성시킴으로써 개구율을 증가시키고 단차에 의한 액정 배열의 왜곡을 하부의 공통 전극(217a, 217c))이 차단시켜 빛샘 현상을 방지하도록 한다.
도 5는 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 공정을 순서대로 보여주는 단면도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(210)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 네오디뮴(AlNd)과 같은 알루미늄 합금, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패터닝하여, 게이트 전극(214)을 포함하는 게이트 배선(212)과, 상기 게이트 배선(212)과 소정간격 평행하게 이격된 공통 배선(216)과, 상기 공통 배선(216)에서 연장된 공통 전극(217)의 다수의 수직부(217a, 217b, 217c)가 구성된다.
그리고, 상기 공통 전극(217)의 다수의 수직부(217a, 217b, 217c)와 평행하게 화소 전극(230)의 수직부(230b, 230c)가 형성되어 있으며, 상기 수직부(230b, 230c)의 일측을 연결하는 수평부(230a)가 형성되어 있다.
이와 같이, 제 1 마스크를 이용한 포토 공정으로 게이트 전극(214)을 포함하는 게이트 배선(212), 화소 전극(230), 공통 전극(217)을 동시에 형성한다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 배선(212)과 스토리지배선(216) 등이 포함된 기판(210)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연막(218)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 절연막(218) 상부에 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H) 및 데이터 배선용 금속 물질을 순차적으로 증착한 후, 제 2 마스크인 회절 마스크를 이용한 회절 노광 공정으로 액티브층(220)과 오믹 콘택층(221) 및 소스 전극(226), 드레인 전극(228)과 스토리지 전극(295)을 형성한다.
상기 회절 마스크는 광이 그대로 통과시키는 부분과 격자로 이루어져 광의 회절 및 소멸 현상을 이용하여 광을 일부만 통과시키는 부분과 광을 완전히 차단시키는 부분으로 이루어져 있다.
따라서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제 2 마스크를 이용하여 회절 노광에 의해 액티브층(220), 소스 전극(226), 드레인 전극(228), 스토리지 전극(295)이 패터닝된다.
이어서, 도 5c에 도시한 바와 같이, 기판(210) 상에 보호층(270)을 형성하고, 제 3 마스크를 이용한 포토 공정으로 포토 레지스트(photo resist, 290) 패턴(275)을 형성한다.
다음으로, 도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(275)을 마스크로 하여 보호층(270)과 게이트 절연막(218)을 건식 식각(dry etching)한다.
그러면 상기 드레인 전극(228)의 끝단 일부와 상기 드레인 전극(228)과 연결될 화소 전극(230)의 일부가 노출되며, 상기 스토리지 전극(295)의 일부와 상기 스토리지 전극(295)과 연결될 공통 전극(217)의 일부가 노출되도록 한다.
특히, 화소 영역(P)의 최외곽 공통 전극(217a, 217c)에 슬릿(slit)이 형성되어 단차 구조(291)를 형성한다.
상기 단차 구조(291)는 리프트 오프 공정시에 포토 레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼(stripper)가 포토 레지스트로 침투하기가 용이하도록 하기 위한 것이다.
따라서, 이와 같은 단차 구조(291)를 스토리지 전극(295) 상과 화소 영역의 최외곽 공통 전극(217a, 217c)에 형성시킴으로써 개구율을 증가시키고 단차에 의한 액정 배열의 왜곡을 하부의 공통 전극(217a, 217c)이 차단시켜 빛샘 현상을 방지하도록 한다.
그리고, 상기 포토 레지스트 패턴(275) 상에 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착한다.
그러면 상기 포토 레지스트가 형성되어 있지 않은 드레인 전극(228)의 일부와 화소 전극(230)의 일부를 전기적으로 연결하는 드레인 연결 금속(293)이 형성된다.
또한, 상기 스토리지 전극(295) 상과 화소 영역의 최외곽 공통 전극(217a, 217c) 상에 형성한 슬릿에도 금속이 증착되고, 상기 스토리지 전극(295)과 공통 전극(217)을 연결하는 스토리지 연결 금속(292)에 의해 캐패시터(C)를 형성한다.
최종적으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 남아 있는 포토 레지스트 패턴(275)을 스트리퍼(stripper)를 침투시켜 제거하고 상기 포토 레지스트 패턴(275) 상에 증착되어 있는 금속도 리프트 오프(lift-off)에 의해서 포토 레지스트와 함께 제거된다.
이와 같이, 본 발명은 리프트 오프 공정을 이용하여 3마스크로 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제조할 수 있으며, 리프트 오프 공정을 원활히 하기 위하여 형성하는 단차 구조를 화소 영역의 최외곽부에 형성시킨다.
도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예로서, SOC(Storage On Common) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도를 보여주는 도면이다.
여기서, 앞서 언급한 도 2의 실시예와 동일한 부분에 대한 부호 설명은 생략하여 서술한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 스토리지 전극(395)이 공통 배선(316) 상에 형성되어 있으며 상기 스토리지 전극(317) 상에 슬릿(391)이 형성되어 있으며, 스토리지 연결 금속(392)에 의해서 화소 전극(330)과 연결된다.
그리고, 상기 드레인 전극(328)과 화소 전극(330)의 연결을 위하여 드레인 연결 금속(393)을 통해서 드레인 전극(328)과 화소 전극(330)이 연결된다.
이와 같은 스토리지 연결 금속(392) 및 드레인 연결 금속(393)은 마스크를 이용한 포토 공정을 이용하지 않고 리프트 오프 공정을 이용하여 형성하며, 리프트 오프 공정시 스트리퍼 용액이 포토 레지스트로 용이하게 침투시키기 위하여 단차 구조(슬릿)(391)를 화소 영역의 최외곽 공통 전극(317a, 317c) 상에 형성한다.
상기 단차 구조(391)를 화소 영역의 최외곽 공통 전극(317a, 317c) 상에 형성시키는 이유는 최외곽 공통 전극(317a, 317c)의 배선 폭이 비교적 넓어 단차에 의한 액정 배열의 왜곡에 의한 빛샘이 하부의 공통 전극(317a, 317c)이 가려줌으로써 빛샘 발생을 효과적으로 방지하고 개구율을 향상시키는 효과가 있기 때문이다.
도 7은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, SOG(Storage On Gate) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도이다.
여기서, 앞서 언급한 도 2의 실시예와 동일한 부분에 대한 부호 설명은 생략하여 서술한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 스토리지 전극(495)이 게이트 배선(412) 상에 형성되어 있으며 상기 스토리지 전극(495) 상에 슬릿 형태의 단차 구조(491)가 형성되어 있으며, 스토리지 연결 금속(492)에 의해서 화소 전극(430)과 연결된다.
그리고, 상기 드레인 전극(428)과 화소 전극(430)의 연결을 위하여 드레인 연결 금속(493)을 통해서 드레인 전극(428)과 화소 전극(430)이 연결된다.
이와 같은 스토리지 연결 금속(492) 및 드레인 연결 금속(493)은 마스크를 이용한 포토 공정을 이용하지 않고 리프트 오프 공정을 이용하여 형성하며, 리프트 오프 공정시 스트리퍼 용액이 포토 레지스트로 용이하게 침투시키기 위하여 단차 구조(슬릿)(491)를 화소 영역의 최외곽 공통 전극(417a, 417c) 상에 형성한다.
상기 단차 구조(491)를 화소 영역의 최외곽 공통 전극(417a, 417c) 상에 형성시키는 이유는 최외곽 공통 전극(417a, 417c)의 배선 폭이 비교적 넓어 단차에 의한 액정 배열의 왜곡에 의한 빛샘이 하부의 공통 전극(417a, 417c)이 가려줌으로 써 빛샘 발생을 효과적으로 방지하고 개구율을 향상시키는 효과가 있기 때문이다.
도 8은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도를 보여주는 도면이고, 도 9는 도 8에서 C-C'로 자른 단면도이고, 도 10는 도 8에서 D-D'로 자른 단면도이다.
도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판(510)은 소정 간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선(512)과 공통 배선(516)과, 상기 두 배선과 교차하며 특히 게이트 배선(512)과는 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(524)이 구성된다.
상기 게이트 배선(512)과 데이터 배선(524)의 교차지점에는, 상기 게이트 배선(512)과 연결된 게이트 전극(514)과, 상기 게이트 전극(514)의 상부에 구성된 액티브층(520)과 소스 전극(526)및 드레인 전극(528)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 구성되며, 상기 소스 전극(526)은 상기 데이터 배선(524)과 연결된다.
여기서, 상기 액티브층(520)과 소스 및 드레인 전극(526, 528)은 회절 노광에 의해서 일괄 식각되어 형성된다.
상기 화소영역(P)에는 상기 드레인 전극(528)과 연결되는 화소전극(530)과, 상기 화소전극(530)과 평행하게 구성되는 공통전극(517)이 구성된다.
상기 화소전극(530)은 수평부(530a)와, 상기 수평부(530a)에서 연장된 수직부(530b, 530c)로 구성된다.
상기 공통전극(517)은 상기 화소영역(P)의 데이터 배선(524)에 근접하여 공 통 배선에서 연장된 수직부(517a, 517b, 517c)와, 상기 수직부(517a, 517b, 517c)의 일측을 연결하여 상기 화소 영역의 일측에 있는 게이트 배선(512)에 근접하게 형성되어 있는 수평부(517d)로 구성된다.
여기서, 상기 게이트 배선(512), 게이트 전극(514), 화소 전극(530), 공통 전극(517)은 한 공정으로 일괄 형성되며, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 화소 전극(530)의 수평부(530a) 상에 게이트 절연막(518)을 사이에 두고 중첩되어 스토리지 전극(595)이 형성되어 캐패시터(C)를 형성한다.
그리고, 상기 드레인 전극(528)과 화소 전극(530)을 전기적으로 연결해주기 위하여 본 발명에서는 리프트 오프(lift-off)를 사용하는데, 이때 리프트 오프를 원활히 하기 위하여 기판 상에 단차 구조(591)를 형성해야 한다.
상기 단차 구조(591)는 리프트 오프 공정시에 포토 레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼(stripper)가 포토 레지스트로 침투하기가 용이하도록 하기 위한 것이다.
따라서, 이와 같은 단차 구조(591)를, 도 10에 도시한 바와 같이, 스토리지 전극(595) 상과 화소 영역의 최외곽 공통 전극(517a, 517c)에 형성시킴으로써 개구율을 증가시키고 단차에 의한 액정 배열의 왜곡을 하부의 공통 전극(517a, 517c))이 차단시켜 빛샘 현상을 방지하도록 한다.
도 11은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, SOC(Storage On Common) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도이다.
여기서, 앞서 언급한 도 8의 실시예와 동일한 부분에 대한 부호 설명은 생략 하여 서술한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 스토리지 전극(695)이 공통 전극(617) 상에 형성되어 있으며 상기 스토리지 전극(617) 상에 슬릿(691)이 형성되어 있으며, 스토리지 연결 금속(692)에 의해서 화소 전극(630)과 연결된다.
그리고, 상기 드레인 전극(628)과 화소 전극(630)의 연결을 위하여 드레인 연결 금속(693)을 통해서 드레인 전극(628)과 화소 전극(630)이 연결된다.
이와 같은 스토리지 연결 금속(692) 및 드레인 연결 금속(693)은 마스크를 이용한 포토 공정을 이용하지 않고 리프트 오프 공정을 이용하여 형성하며, 리프트 오프 공정시 스트리퍼 용액이 포토 레지스트로 용이하게 침투시키기 위하여 단차 구조(슬릿)(691)를 데이터 배선(624) 상에 형성한다.
상기 단차 구조(691)를 데이터 배선(617a, 617c) 상에 형성시키면 화소 영역 이외의 영역으로서 액정 배열의 왜곡에 의한 빛샘이 하부의 데이터 배선(617a, 617c)이 가려줌으로써 빛샘 발생을 효과적으로 방지하고 개구율을 향상시키는 효과가 있다.
도 12은 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, SOG(Storage On Gate) 구조의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도이다.
여기서, 앞서 언급한 도 8의 실시예와 동일한 부분에 대한 부호 설명은 생략하여 서술한다.
도 12에 도시된 바와 같이, 스토리지 전극(795)이 게이트 배선(712) 상에 형성되어 있으며 상기 스토리지 전극(795) 상에 슬릿 형태의 단차 구조(791)가 형성 되어 있으며, 스토리지 연결 금속(792)에 의해서 화소 전극(730)과 연결된다.
그리고, 상기 드레인 전극(728)과 화소 전극(730)의 연결을 위하여 드레인 연결 금속(793)을 통해서 드레인 전극(728)과 화소 전극(730)이 연결된다.
이와 같은 스토리지 연결 금속(792) 및 드레인 연결 금속(793)은 마스크를 이용한 포토 공정을 이용하지 않고 리프트 오프 공정을 이용하여 형성하며, 리프트 오프 공정시 스트리퍼 용액이 포토 레지스트로 용이하게 침투시키기 위하여 단차 구조(슬릿)(791)를 화소 영역의 데이터 배선(724) 상에 형성한다.
상기 단차 구조(791)를 화소 영역의 데이터 배선(724) 상에 형성시키면 비화소 영역으로서 단차에 의한 액정 배열의 왜곡에 의한 빛샘이 하부의 데이터 배선(724)이 가려줌으로써 빛샘 발생을 효과적으로 방지하고 개구율을 향상시키는 효과가 있다.
본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명은 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판에서 리프트 오프(lift-off)공정을 이용하여 제조함으로써 마스크를 저감하여 제조 비용을 절감하고 공정을 간소화하여 제조수율을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 리프트 공정을 원활히 하기 위하여 형성하는 단차 구조를 화소 영역의 최외곽 공통 전극 또는 데이터 배선 상에 형성시킴으로써 개구율을 증가시키고 단차에 의한 액정 배열의 왜곡에 의한 빛샘 현상을 방지하여 제품 불량을 방지하고 제품의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (29)

  1. 다수의 화소 영역이 정의된 기판과;
    상기 화소 영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선, 이와 이격하여 구성된 공통 배선과;
    상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과, 이와 엇갈려 구성되는 다수의 화소 전극과;
    상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와;
    상기 화소 전극과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 스토리지 전극과;
    상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과;
    상기 공통 전극과 스토리지 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속과;
    상기 스토리지 전극과 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 노출시키는 슬릿 형태의 단차 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스토리지 전극은 액티브층과 데이터 배선 금속의 이중으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상에 슬릿 형태의 단차 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 게이트 배선과, 공통 배선 및 공통 전극과, 화소 전극은 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  6. 다수의 화소 영역을 정의하는 기판 상에 게이트 배선, 공통 배선 및 공통 전극, 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판 전면에 절연막을 증착하고 데이터 배선, 소스 전극 및 드레인 전극, 스토리지 전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극과 화소 전극과, 상기 스토리지 전극과 공통 전극과, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 패턴 상에 도전성 금속을 증착하여 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과, 상기 스토리지 전극과 공통 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속을 형성하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 패턴을 리프트 오프하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 스토리지 전극은 화소 전극과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 공통 전극은 상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되며, 상기 화소 전극은 상기 공통 전극과 엇갈려 구성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선 에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  11. 제 6항에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상의 절연막이 슬릿 형태로 식각되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  12. 다수의 화소 영역이 정의된 기판과;
    상기 화소 영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선, 이와 이격하여 구성된 스토리지 배선과;
    상기 스토리지 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과, 이와 엇갈려 구성되는 다수의 화소 전극과;
    상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와;
    상기 스토리지 배선과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 스토리지 전극과;
    상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과;
    상기 화소 전극과 스토리지 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속과;
    상기 스토리지 전극과 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 노출시키는 슬릿 형태의 단차 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상에 슬릿 형태의 단차 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 게이트 배선과, 공통 배선 및 공통 전극과, 화소 전극은 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  16. 다수의 화소 영역을 정의하는 기판 상에 게이트 배선, 스토리지 배선 및 공통 전극, 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판 전면에 절연막을 증착하고 데이터 배선, 소스 전극 및 드레인 전극, 스토리지 전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극과 화소 전극과, 상기 스토리지 전극과 공통 전극과, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 패턴 상에 도전성 금속을 증착하여 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과, 상기 스토리지 전극과 화소 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속을 형성하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 패턴을 리프트 오프하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상의 절연막이 슬릿 형태로 식각되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  19. 제 16항에 있어서,
    상기 공통 전극은 상기 스토리지 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되며, 상기 화소 전극은 상기 공통 전극과 엇갈려 구성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  20. 제 16항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  21. 다수의 화소 영역이 정의된 기판과;
    상기 화소 영역의 일측에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선, 이와 이격하여 구성된 공통 배선과;
    상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과, 이와 엇갈려 구성되는 다수의 화소 전극과;
    상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와;
    상기 게이트 배선과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 스토리지 전극과;
    상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과;
    상기 화소 전극과 스토리지 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속과;
    상기 스토리지 전극과 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 노출시키는 슬릿 형태의 단차 구조를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극은 일괄 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  23. 제 21항에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상에 슬릿 형태의 단차 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  24. 제 21항에 있어서,
    상기 게이트 배선과, 공통 배선 및 공통 전극과, 화소 전극은 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  25. 다수의 화소 영역을 정의하는 기판 상에 게이트 배선, 공통 배선 및 공통 전극, 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판 전면에 절연막을 증착하고 데이터 배선, 소스 전극 및 드레인 전극, 스토리지 전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극과 화소 전극과, 상기 스토리지 전극과 공통 전극과, 상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 패턴 상에 도전성 금속을 증착하여 상기 드레인 전극과 화소 전극을 연결하는 드레인 연결 금속과, 상기 스토리지 전극과 화소 전극을 연결하는 스토리지 연결 금속을 형성하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 패턴을 리프트 오프하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극을 슬릿 형태로 노출시키도록 식각하는 단계에 있어서,
    상기 화소 영역의 최외곽 공통 전극 대신에 데이터 배선 상의 절연막이 슬릿 형태로 식각되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  27. 제 25항에 있어서,
    상기 공통 전극은 상기 공통 배선에서 연장되어 화소 영역에 형성되며, 상기 화소 전극은 상기 공통 전극과 엇갈려 구성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
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    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  29. 제 25항에 있어서,
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