KR101579487B1 - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101579487B1
KR101579487B1 KR1020080105793A KR20080105793A KR101579487B1 KR 101579487 B1 KR101579487 B1 KR 101579487B1 KR 1020080105793 A KR1020080105793 A KR 1020080105793A KR 20080105793 A KR20080105793 A KR 20080105793A KR 101579487 B1 KR101579487 B1 KR 101579487B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filter
light
insulating film
light shielding
color filter
Prior art date
Application number
KR1020080105793A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100046780A (ko
Inventor
정진구
최준호
이성수
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020080105793A priority Critical patent/KR101579487B1/ko
Priority to US12/414,167 priority patent/US8809873B2/en
Publication of KR20100046780A publication Critical patent/KR20100046780A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101579487B1 publication Critical patent/KR101579487B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/87—Light-trapping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118—Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
    • H01L27/11807—CMOS gate arrays
    • H01L2027/11868—Macro-architecture
    • H01L2027/11874—Layout specification, i.e. inner core region
    • H01L2027/11879—Data lines (buses)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

표시 장치를 제공한다. 상기 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있고, 서로 분리되어 있는 복수의 차광부를 포함하는 차광 부재, 상기 차광 부재 위에 형성되어 있는 게이트선, 데이터선 및 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 복수의 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 그리고 상기 복수의 차광부를 서로 분리하는 분리 영역 중 일부를 덮고 있는 차광 필터를 포함한다.
차광 필터, 차광 부재, 명암비

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube; CRT)이 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)로 대체되고 있다.
그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 많은 문제점이 있다.
최근 이러한 문제점을 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED)가 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 이들 두 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 상기 발광층에서 결합하여 여기자(exiton)를 형성하고, 상기 여기자가 에너지를 방출하면서 발광하는 원리이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형으로 별도의 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라 보다 얇은 구조로 제작이 가능하다. 또한, 액정 표시 장치에 비하여 응답 속도, 시야각 및 명암비(contrast ratio)등에서 우수하며 공정이 단순하다는 이점도 있다.
그러나, 유기 발광 표시 장치(OLED)는 일반적으로 발광 방향에 관계없이 알루미늄(Al) 또는 실버(Ag) 등의 고반사 메탈(metal)을 양극 또는 음극으로 형성하여 불투명, 고반사 전극을 갖는다. 따라서, 외부광이 노출된 상태에서 상기 메탈이 거울과 같은 역할을 하므로 대비비(contrast ratio)가 감소된다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 장치의 명암비(contrast ratio)를 향상하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있고, 서로 분리되어 있는 복수의 차광부를 포함하는 차광 부재, 상기 차광 부재 위에 형성되어 있는 게이트선, 데이터선 및 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 복수의 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 그리고 상기 복수의 차광부를 서로 분리하는 분리 영역 중 일부를 덮고 있는 차광 필터를 포함한다.
상기 분리 영역은 상기 반도체층과 대응하는 제1 부분, 상기 색필터와 대응하는 제2 부분 및 상기 차광부 및 상기 차광부와 인접하는 상기 차광부 사이의 공 간과 대응하는 제3 부분을 포함한다.
상기 차광 필터는 상기 제1 부분을 덮고 있다.
상기 차광 필터는 상기 제3 부분을 덮고 있다.
상기 색필터는 상기 제2 부분을 덮고 있다.
상기 반도체층은 다결정 규소로 형성되어 있다.
상기 색필터는 적색, 녹색, 청색 색필터를 포함하고, 상기 차광 필터는 상기 적색, 녹색, 청색 색필터 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 차광 필터는 상기 적색, 녹색, 청색 색필터 중 적어도 두 개의 서로 다른 색필터가 중첩하여 이루어진다.
상기 차광 필터는 상기 청색 색필터를 포함한다.
상기 적색 색필터, 상기 녹색 색필터 및 상기 청색 색필터 각각은 서로 다른 크기를 갖도록 형성되어 있다.
상기 복수의 색필터는 각각의 화소마다 분리되어 있다.
상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광층과 상기 유기 발광층 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함한다.
상기 유기 발광층은 백색 발광층으로 형성된다.
상기 복수의 색필터는 적색, 녹색, 청색 색필터를 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 적색 색필터, 상기 녹색 색필터 및 상기 청색 색필터와 각각 대응하는 적색, 녹색, 청색 발광층을 포함한다.
상기 화소 전극 위에 형성되어 있고, 상기 화소 전극 가장자리를 둘러싸서 발광 영역을 정의하는 격벽을 더 포함한다.
상기 공통 전극은 반사성 금속을 포함한다.
상기 차광 부재는 상기 데이터선 또는 상기 게이트선과 일부 중첩한다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트선에 연결되어 있는 제1 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되어 있는 제1 소스 전극 그리고 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터와 상기 제1 드레인 전극에 연결되어 있는 제2 게이트 전극, 전원 전압에 연결되어 있는 제2 소스 전극 그리고 상기 화소 전극에 연결되어 있는 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터를 포함한다. 하는 표시 장치.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있고, 서로 분리되어 있는 복수의 차광부를 포함하는 차광 부재, 상기 차광 부재를 덮는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 반도체층을 덮고 있는 제2 절연막, 상기 제2 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체층과 대응하는 위치에 배치되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮고 있는 제3 절연막, 상기 제3 절연막 위에 형성되어 있고, 상기 제3 절연막 및 제2 절연막을 관통하는 접촉 구멍을 통하여 상기 반도체층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 제3 절연막 위에 형성되어 있는 색필터, 상기 제3 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 복수의 차광부를 서로 분리하는 분리 영역을 일부 덮고 있는 차광 필터, 상기 색필터 및 차광 필터를 덮고 있는 제4 절연막, 상기 제4 절연막 위에 형성되어 있으며, 적어도 상기 제4 절연막을 관통하는 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함한다.
상기 분리 영역은 상기 반도체층과 대응하는 제1 부분, 상기 색필터와 대응하는 제2 부분 및 상기 차광부 및 상기 차광부와 인접하는 상기 차광부 사이의 공간과 대응하는 제3 부분을 포함한다.
상기 제4 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극의 가장자리를 둘러싸서 발광 영역을 정의하는 격벽, 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층, 상기 발광층 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함한다.
상기 차광 필터는 상기 제1 부분 및 제3 부분을 덮고 있다.
상기 색필터는 적색, 녹색, 청색 색필터를 포함하고, 상기 차광 필터는 상기 적색, 녹색, 청색 색필터 중 적어도 하나를 포함한다.
이와 같이 본 발명에 따르면, 차광 부재를 복수의 부분으로 분리하여 형성함으로써 배선과의 사이에서 형성되는 기생 용량을 줄일 수 있고, 발광 영역이 아닌 부분 가운데 차광 부재가 형성되지 않은 부분에 추가적으로 빛을 차단하는 색필터를 형성하여 대비비(Contrast Ratio)를 향상시킬 수 있다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서 차광 부재를 나타내기 위한 평면도이다. 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서 차광 필터를 나타내기 위한 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기로 한다.
도 1에서, 서로 인접하는 데이터선(171), 전원 공급선(172) 및 게이트선(121)은 화소 영역을 정의하며, 상기 정의되는 화소 영역에 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 유기 전계 발광 소자 및 저장 커패시터를 구비한다.
보다 상세하게, 스위칭 박막 트랜지스터에서 소스 전극(173a)은 데이터선(171)에 연결되어 있고, 게이트 전극(124a)은 게이트선(121)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트선(121)을 통해 전달되는 게이트 신호에 응답하여 데이터선(171)을 통해 전달되는 데이터 신호를 단속한다.
구동 박막 트랜지스터에서는 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175b)이 접촉구(181)을 통해 유기 전계 발광 소자의 일 전극, 다시 말해, 화소 전극(191)에 연결되고, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극(173b)은 전원 공급선(172)에 연결된다. 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극(124b)은 콘택홀(185a, 185b) 및 연결 부재(85)를 통해 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175a)에 연결되어 있으므로 입력되는 데이터 신호의 전압 변화에 응답하여 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극(173b)과 드레인 전극(175b)의 전류 흐름을 제어하여 유기 전계 발광 소자의 발광량을 제어한다.
즉, 유기 전계 발광 소자는 일단이 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175b)에 연결되어 있어서, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극(124b)과 소스 전극(173b) 사이의 전압 차이에 의한 전류의 양에 대응하는 광을 발광한다.
유지 용량은 게이트 전극(124b)과 함께 패터닝되어 형성되는 유지 전극선(131)이 전원 공급선(172)과 축전기를 형성하여 구동 전압을 축적한다.
각각의 화소 영역에 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)를 포함하는 색필터(230)가 형성될 수 있다. 각각의 색필터(R, G, B)는 데이터선(171)과 전원 공급선(172) 위에서 중첩될 수 있다. 예를 들어, 색필터(R, G, B)는 게이트선(121), 데이터선(171), 전원 공급선(172)의 일부와 중첩하도록 형성할 수 있다. 색필터(R, G, B)는 순서에 관계없이 형성될 수 있다.
여기서, 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)는 수명과 효율에 차이가 발생할 수 있으므로 각각이 차지하는 면적을 다르게 하여 형성할 수 있다. 도 1에 나타난 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)의 폭(a, b, c)의 관계에서, 청색 색필터(B)의 폭(c)이 가장 넓도록 형성할 수 있다. 그 다음으로, 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G) 순으로 형성할 수 있다.
도 2에서, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 특징인 차광 부재(BM)의 구조를 나타내기 위해 본 발명의 실시예에 따른 구성 요소를 일부 생략하였다. 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에서 차광 부재의 구조를 상세히 설명하기로 한다.
능동형 유기 발광 표시 장치(Active Matrix Organic Light Emitting Device: AMOLED)와 같은 평판 표시 소자는 스위칭 소자와 상기 스위칭 소자에 전원을 인가하기 위한 여러 배선들로 이루어지는데, 배선용 금속 물질에 의해 외부광이 반사되어 대비비가 크게 저하될 수 있다.
이를 방지하기 위하여 차광 부재를 화소 영역에 해당하는 개구부를 제외하고 모든 부분에 형성하면 대비비 향상을 효과적으로 실현할 수 있다. 그러나, AMOLED 패널 중 특히 배면 발광(Bottom Emission) 방식을 사용하는 경우에는 차광 부재 패턴을 화소 영역에 해당하는 개구부 이외의 전 영역에 형성하면 다음과 같은 문제가 있다. 차광 부재를 전체 패널에 한 개의 패턴으로 형성하면 크롬(Chrome) 등의 금속으로 이루어지는 차광 부재와 금속 배선 사이에 매우 큰 기생 커패시터가 형성되어 배선을 통해 전송되는 신호가 지연됨으로써 구동상 문제가 발생한다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에서는 도 2에 나타난 바와 같이 차광 부재(BM)를 기판(110) 위에 여러 개의 조각으로 나누어 형성한다. 구체적으로, 차광 부재(BM)는 서로 분리되어 있는 복수의 차광부(S)로 이루어져 있다. 차광부(S)는 게이트선(121) 또는 데이터선(171)과 나란한 방향으로 뻗어 있는 분리 영역(P1, P2, P3)을 사이에 두고 서로 이격되어 있다.
차광 부재(BM)는 박막 트랜지스터에 포함되는 반도체층(151)과 중첩하는 위치에서 기판(110)을 노출시키는 제1 영역(P1)을 갖는다. 또한, 차광 부재(BM)는 화소 전극(191)과 중첩하는 위치에서 기판(110)을 노출시키는 제2 영역(P2)을 갖는다. 추가적으로, 차광 부재(BM)는 제1 영역(P1) 및 제2 영역(P2)을 제외한 차광부(S) 사이의 공간인 제3 영역(P3)을 갖는다. 다시 말해, 상기 분리 영역은 제1 영역(P1), 제2 영역(P2), 제3 영역(P3)을 포함한다.
AMOLED는 전류량을 제어하여 밝기를 조절하는 구동 특성상 박막 트랜지스터의 성능이 액정 표시 장치에 비하여 우수할 필요가 있다. 따라서 반도체층(151)을 다결정 규소로 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 반도체층(151)을 다결정 규소로 형성하기 위해 레이저를 이용하여 반도체층(151)을 결정화 하는 경우에 반도체층(151) 하부에 차광 부재(BM)가 있으면 결정의 균일한 성장이 저해될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 차광 부재(BM)를 반도체층(151)과 중첩하는 위치에 해당하는 제1 영역(P1)에 형성하지 않는다.
따라서, 도 2에서 차광 부재(151)는 반도체층(151)과 중첩하는 영역인 제1 영역(P1), 화소 전극(191)과 중첩하는 영역인 제2 영역(P2), 및 복수의 차광부(S) 사이의 영역인 제3 영역(P3)에서 기판(110)을 노출시킨다.
여기서, 화소 전극(191)과 중첩하는 영역에는 색필터(R, G, B)가 형성된다. 하지만, 반도체층(151)과 중첩하는 영역인 제1 영역(P1) 및 복수의 차광부(S) 사이의 분리 영역인 제3 영역(P3)은 외부광에 오픈(Open)되는 영역이다. 따라서, 상기 분리 영역을 통해 거울과 같은 역할을 하는 캐소드 전극 등이 직접 보이게 되므로 외부광에 대한 반사가 일어난다. 이에 따라, 대비비가 떨어질 수 있다.
상기 문제를 극복하기 위해 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 비발광 영역에 복수의 차광부(S)를 서로 분리하는 분리 영역을 덮고 있는 차광 필터(220)를 형성하는데, 이에 대하여 도 3을 참조하여 자세히 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에서는 외부광에 대한 반사를 방지하기 위해, 복수의 차광부(S) 사이의 분리 영역과 차광 부재(BM)를 형성하지 않은 반도체층(151)이 배치되어 있는 부분을 덮도록 차광 필터(220)가 형성되어 있다.
차광 필터(220)는 복수의 차광부(S) 사이의 분리 영역 및 반도체층(151) 위를 완전히 덮을 수 있고, 화소 전극(191)과도 부분적으로 중첩할 수 있다. 차광 필터(220)는 복수의 색필터(R, G, B) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 때, 차광 필터(220)는 복수의 색필터(R, G, B) 중 적어도 두 개의 서로 다른 색필터가 중첩하여 형성될 수 있다.
차광 필터(220)를 한 층으로 형성하는 경우에는 휘도에 미치는 영향이 가장 적은 청색만을 통과시키는 청색 색필터(B)로 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 차광 필터(220)는 복수의 색필터(R, G, B)와 이격되도록 형성될 수 있고, 비발광 영역 전면을 덮을 수 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 보다 자세히 설명하기로 한다.
도 4는 도 1의 절단선 Ⅳ-Ⅳ'을 따라 자른 단면도이다. 도 5는 도 1의 절단 선 Ⅴ-Ⅴ'을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 서로 분리되어 있는 복수의 차광부(S)를 갖는 차광 부재(BM)가 기판(110) 위에 형성되어 있다. 차광 부재(BM)는 외부광의 반사를 방지하기 위하여 불투명하고 광반사율이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 차광 부재(BM)은 광반사율이 상대적으로 낮은 크롬(Chrome), 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 물질을 사용하거나 크롬 옥사이드, 몰리브덴 옥사이드 등과 같은 불투명한 물질을 사용하여 형성한다. 또한, 상기 크롬 등의 금속 물질과 크롬 옥사이드 등의 불투명 물질의 혼합층을 사용할 수도 있다.
기판(110) 위에 차광 부재(BM)를 덮는 하부 층간 절연막(120)이 형성되어 있다. 하부 층간 절연막(120) 위에 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층(151)이 형성되어 있다. 반도체층(151)은 수소화 비정질 규소로 형성할 수 있으나, AMOLED에서는 전류 구동 특성상 다결정 규소로 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 반도체층(151)은 섬형으로 이루어질 수 있다.
하부 층간 절연막(120) 위에 반도체층(151)을 덮도록 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에서 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121)이 형성되어 있다. 게이트선(121)의 한쪽 끝부분은 게이트 구동부(미도시)로부터 전달되는 신호를 받기 위해 사용되며 게이트선(121)의 폭보다 넓은 폭을 가질 수 있다.
그리고, 화소의 유지 용량을 증가시키기 위해서 유지 전극선(131)이 게이트선(121)과 동일한 층에 형성되어 있다. 유지 전극선(131)은 전원 공급선(172)과 중첩하여 유지 축전기를 형성한다.
게이트선(121)은 사진 식각 공정으로 형성될 수 있다. 그리고, 게이트선(121) 또는 유지 전극선(131)의 일부분 또는 분지형으로 연결된 부분은 박막 트랜지스터의 게이트 전극(124)으로 사용될 수 있다. 게이트 전극(124a, 124b)은 반도체층(151)과 대응되도록 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)을 덮도록 상부 층간 절연막(160)이 형성되어 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에서는 반도체층(151)과 대응되도록 형성되는 게이트 전극(124a, 124b)이 반도체층(151) 상부에 형성되는 탑 게이트 구조를 설명하였으나, 반도체층(151)을 다결정 규소가 아닌 비정질 실리콘을 사용하여 형성할 수 있고, 이 경우에는 게이트 전극이 반도체층 하부에 형성되는 바텀 게이트 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기에서 설명한 구동 소자 및 스위칭 소자 다시 말해, 구동 박막 트랜지스터 및 스위칭 박막 트랜지스터에 포함되는 복수의 반도체층 중 어느 하나는 다결정 규소로 형성하고 다른 하나는 비정질 규소로 형성할 수도 있다.
상부 층간 절연막(160) 위에 금속층을 스퍼터링 등의 방법으로 증착한 다음에 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 소스 전극(173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b)을 가지는 데이터선(171)과 전원 공급선(172)을 형성할 수 있다.
게이트선(121) 및 데이터선(171)은 차광 부재(BM)와 일부 중첩하도록 형성할 수 있다.
소스 전극(173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b)은 콘택홀(183a, 183b, 187a, 187b)을 통해 반도체층(151)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결되어 있다. 여기서, 게이트선(121)과 교차하여 화소 영역을 정의하고, 데이터 신호를 전달하는 데이터선(171)과 전원 전압을 전달하는 전원 공급선(172)은 각각 데이터 신호와 전원 전압을 전달한다.
데이터선(171)의 한 쪽 끝부분은 데이터 구동부(미도시)로부터 전달되는 신호를 전달받기 위해서 데이터선(171)의 폭보다 넓게 형성될 수 있다. 또한, 데이터선(171)과 전원 공급선(172)은 일반적으로 같은 층에 형성된다. 그러나 전원 공급선(172)이 데이터선(171)과 다른 층에 형성되어 연결될 수도 있다.
상부 층간 절연막(160) 위에 데이터선(171)과 전원 공급선(172)에 의해 구획되는 화소 열을 따라 데이터선(171) 및 전원 공급선(172)에 나란한 방향으로 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)가 길게 뻗어 있다. 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)는 화소 열에 교번하여 형성될 수 있다. 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)를 포함하는 색필터(230)는 데이터선(171) 및 전원 공급선(172)과 일부 중첩되도록 형성할 수 있다.
색필터(R, G, B) 위에 오버 코트막(250)이 형성되어 있다. 오버 코트막(250)은 색필터(R, G, B)를 덮어 평탄한 표면을 형성하는 역할을 한다.
적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B) 위에 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)는 화소 전극(191)과 대응하도록 발광 영역에 위치하고, 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필 터(B) 중 적어도 하나를 포함하는 차광 필터(220)가 상부 층간 절연막(160) 위에 형성되어 있다. 차광 필터(220)는 색필터(R, G, B)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B) 중 적어도 두 개의 서로 다른 색필터가 중첩하여 이루어질 수 있다. 여기서, 차광 필터(220)는 색필터(R, G, B)를 형성하면서 함께 형성할 수 있다. 또한, 차광 필터(220)는 색필터(R, G, B)와 동일한 층에 위치할 수 있다.
차광 필터(220)는 비발광 영역에 형성되고, 차광 부재(BM)를 이루는 복수의 차광부(S) 사이의 분리 영역을 덮도록 형성한다. 또한, 차광 필터(220)는 반도체층(151)을 덮고 있다. 따라서, 비발광 영역에서 차광 부재(BM)가 형성되어 있지 않은 부분에 차광 필터(220)를 형성함으로써, 차광 필터(220)가 차광 부재(BM)의 역할을 대신함으로써 외부광 반사를 제거할 수 있다.
차광 필터(220)는 청색 색필터(B)와 함께 형성되어 청색 파장의 광을 통과시키는 청색 색필터 물질로 이루어질 수 있다. 청색이 휘도에 미치는 영향이 가장 적으므로 외부광에 의한 반사를 줄이는 효과가 크다.
적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B) 위에 형성되어 있는 화소 전극(191)은 투명하면서 도전성을 갖는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성할 수 있다. 또한, 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막을 증착하고 이를 사진 식각 공정으로 패터닝함으로써, 색필터(R, G, B) 및 오버 코트막(250)에 걸쳐 형성되어 있는 접촉구(181)를 통해 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175)과 연결되어 있다. 화소 전극(191)은 박막 트랜지스터로 부터 구동 신호를 인가받아 유기 전계 발광 소자의 양극 또는 음극으로 제공된다.
화소 전극(191)이 형성되어 있는 기판(110) 위에 화소 전극(191)의 표면 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 격벽(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 아크릴계 유기막으로 형성할 수 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리를 둘러싸서 발광 영역을 정의한다.
도 1을 다시 참조할 때, 상기 투명 도전막이 패터닝되어 화소 전극(191)을 형성함과 동시에 연결 부재(85)가 형성될 수 있다. 연결 부재(85)는 구동 박막 트랜지스터의 전극과 스위칭 박막 트랜지스터의 전극을 연결하여 전기적 신호를 전달한다.
화소 전극(191) 위에 유기 발광층(370)이 형성되어 있다. 유기 발광층(370)은 우수한 효율을 얻을 수 있도록 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하도록 형성할 수 있다. 유기 발광층(370)은 백색 발광층으로 형성되어 색필터 방식으로 풀 컬러(Full Color)를 구현할 수 있다. 또한, 유기 발광층(370)은 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G), 청색 색필터(B)와 각각 대응하도록 적색, 녹색, 청색 발광층으로 형성되어 독립 발광 방식으로 색재현성이 우수한 표시 장치를 구현할 수 있다.
유기 발광층(370) 전면에 유기 발광 소자의 음극 또는 양극으로 제공되는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 외부 습기 등으로부터 상기 발광층(370)을 보호하는 기능도 함께 수행한다. 공통 전극(270)은 광을 반사시키는 반사 전극으로 형성할 수 있다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서 색필터의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 6을 참조하면, 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G) 및 청색 색필터(B)는 각각의 화소마다 분리하여 형성되어 있다. 이 때, 도 6에서 나타낸 바와 달리, 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G) 및 청색 색필터(B) 각각은 열 방향을 따라 동일한 색필터로 형성할 수도 있다. 또한, 도면으로 나타내지는 않았지만, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에서 적색 색필터(R), 녹색 색필터(G) 및 청색 색필터(B) 각각은 스트라이프 형태로 형성할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서 차광 부재를 나타내기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서 차광 필터를 나타내기 위한 평면도이다.
도 4는 도 1의 절단선 Ⅳ-Ⅳ'을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 1의 절단선 Ⅴ-Ⅴ'을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 색필터의 형태를 나타내는 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 기판 121 게이트선
124 게이트 전극 131 유지 전극선
151 반도체층 220 차광 필터
173 소스 전극 175 드레인 전극
172 전원 공급선 361 격벽

Claims (22)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있고, 서로 분리되어 있는 복수의 차광부를 포함하는 차광 부재,
    상기 차광 부재 위에 위치하는 절연막,
    상기 절연막 위에 위치하는 게이트선 및 데이터선,
    상기 기판 위에 위치하고, 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터,
    상기 기판 위에 위치하는 복수의 색필터,
    상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 그리고
    상기 복수의 차광부를 서로 분리하는 분리 영역 중 일부를 덮고 있는 차광 필터를 포함하고,
    상기 분리 영역은 상기 반도체층에 대응하는 제1 부분, 상기 색필터에 대응하는 제2 부분 및 상기 차광부 사이의 공간에 대응하는 제3 부분을 포함하는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 차광 필터는 상기 제1 부분을 덮고 있는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 차광 필터는 상기 제3 부분을 덮고 있는 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 색필터는 상기 제2 부분을 덮고 있는 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 반도체층은 다결정 규소로 형성되어 있는 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 색필터는 적색, 녹색, 청색 색필터를 포함하고, 상기 차광 필터는 상기 적색, 녹색, 청색 색필터 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 차광 필터는 상기 적색, 녹색, 청색 색필터 중 적어도 두 개의 서로 다른 색필터가 중첩하여 이루어진 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 차광 필터는 상기 청색 색필터를 포함하는 표시 장치.
  10. 제7항에서,
    상기 적색 색필터, 상기 녹색 색필터 및 상기 청색 색필터 각각은 서로 다른 크기를 갖도록 형성되어 있는 표시 장치.
  11. 제7항에서,
    상기 복수의 색필터는 각각의 화소마다 분리되어 있는 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광층과 상기 유기 발광층 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 유기 발광층은 백색 발광층으로 형성되는 표시 장치.
  14. 제12항에서,
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있고, 상기 화소 전극 가장자리를 둘러싸서 발광 영역을 정의하는 격벽을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제12항에서,
    상기 공통 전극은 반사성 금속을 포함하는 표시 장치.
  16. 제1항에서,
    상기 차광 부재는 상기 데이터선 또는 상기 게이트선과 일부 중첩하는 표시 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 박막 트랜지스터는
    상기 게이트선에 연결되어 있는 제1 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되어 있는 제1 소스 전극 그리고 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터와
    상기 제1 드레인 전극에 연결되어 있는 제2 게이트 전극, 전원 전압에 연결되어 있는 제2 소스 전극 그리고 상기 화소 전극에 연결되어 있는 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터
    를 포함하는 표시 장치.
  18. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있고, 서로 분리되어 있는 복수의 차광부를 포함하는 차광 부재,
    상기 차광 부재를 덮는 제1 절연막,
    상기 제1 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,
    상기 반도체층을 덮고 있는 제2 절연막,
    상기 제2 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체층과 대응하는 위치에 배치되어 있는 게이트 전극,
    상기 게이트 전극을 덮고 있는 제3 절연막,
    상기 제3 절연막 위에 형성되어 있고, 상기 제3 절연막 및 제2 절연막을 관통하는 접촉 구멍을 통하여 상기 반도체층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극,
    상기 제3 절연막 위에 형성되어 있는 색필터,
    상기 제3 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 복수의 차광부를 서로 분리하는 분리 영역을 일부 덮고 있는 차광 필터,
    상기 색필터 및 차광 필터를 덮고 있는 제4 절연막,
    상기 제4 절연막 위에 형성되어 있으며, 적어도 상기 제4 절연막을 관통하는 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극
    을 포함하는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 분리 영역은 상기 반도체층과 대응하는 제1 부분, 상기 색필터와 대응하는 제2 부분 및 상기 차광부 및 상기 차광부와 인접하는 상기 차광부 사이의 공간과 대응하는 제3 부분을 포함하는 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 차광 필터는 상기 제1 부분 및 제3 부분을 덮고 있는 표시 장치.
  21. 제18항에서,
    상기 제4 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극의 가장자리를 둘러싸서 발광 영역을 정의하는 격벽,
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층,
    상기 발광층 위에 형성되어 있는 공통 전극
    을 더 포함하는 표시 장치.
  22. 제18항에서,
    상기 색필터는 적색, 녹색, 청색 색필터를 포함하고, 상기 차광 필터는 상기 적색, 녹색, 청색 색필터 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
KR1020080105793A 2008-10-28 2008-10-28 표시 장치 KR101579487B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080105793A KR101579487B1 (ko) 2008-10-28 2008-10-28 표시 장치
US12/414,167 US8809873B2 (en) 2008-10-28 2009-03-30 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080105793A KR101579487B1 (ko) 2008-10-28 2008-10-28 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100046780A KR20100046780A (ko) 2010-05-07
KR101579487B1 true KR101579487B1 (ko) 2015-12-23

Family

ID=42116617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080105793A KR101579487B1 (ko) 2008-10-28 2008-10-28 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8809873B2 (ko)
KR (1) KR101579487B1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101707433B1 (ko) 2009-09-04 2017-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR20120035039A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103000661B (zh) * 2012-12-12 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
JP2015055816A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
US9583548B2 (en) * 2013-12-27 2017-02-28 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device comprising light-shielding patterns and method for manufacturing the same
KR102395211B1 (ko) * 2013-12-27 2022-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
CN103996696A (zh) * 2014-05-09 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
KR102369095B1 (ko) * 2014-10-07 2022-03-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2017003849A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102047513B1 (ko) * 2016-04-29 2019-11-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102598970B1 (ko) * 2016-07-29 2023-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR20180062071A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20180073065A (ko) * 2016-12-22 2018-07-02 엘지디스플레이 주식회사 컬러 필터를 포함하는 디스플레이 장치
CN107170762B (zh) * 2017-06-16 2019-04-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN111128878B (zh) * 2019-12-25 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 薄膜晶体管的图案制作方法、薄膜晶体管以及光罩

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3153620C2 (ko) * 1980-04-01 1992-01-23 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp
JP2974520B2 (ja) * 1991-10-25 1999-11-10 キヤノン株式会社 電極基板及び液晶素子
JP2543286B2 (ja) * 1992-04-22 1996-10-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3296719B2 (ja) * 1995-07-14 2002-07-02 キヤノン株式会社 カラー液晶表示素子及び該カラー液晶表示素子の製造方法
US5943108A (en) * 1996-07-12 1999-08-24 Canon Kabushiki Kaisha Matrix type liquid crystal display with substrate having blue filter for masking at least 75% of total planar area of auxiliary electrodes
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
AU2003236752A1 (en) * 2002-06-11 2003-12-22 Hofstra, Peter, G. Oled display with contrast enhancing interference members
KR100920355B1 (ko) * 2003-03-28 2009-10-07 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 다이오드 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
JP4754772B2 (ja) * 2003-05-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器
KR101067052B1 (ko) 2004-05-31 2011-09-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101098343B1 (ko) 2004-06-03 2011-12-26 삼성전자주식회사 전계발광표시장치, 색필터 패널 및 이의 제조 방법
KR20060038148A (ko) 2004-10-29 2006-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US7309956B2 (en) * 2005-01-14 2007-12-18 Eastman Kodak Company Top-emitting OLED device with improved-off axis viewing performance
KR20060104707A (ko) 2005-03-31 2006-10-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2007027042A (ja) 2005-07-21 2007-02-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR20070025529A (ko) 2005-09-02 2007-03-08 삼성전자주식회사 색필터 표시판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR100722116B1 (ko) 2005-11-07 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 양면발광형 유기 발광표시장치
JP4513777B2 (ja) * 2005-11-14 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR100810631B1 (ko) 2005-11-17 2008-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR100742372B1 (ko) 2005-11-29 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
KR100712184B1 (ko) 2006-02-23 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR20070087395A (ko) * 2006-02-23 2007-08-28 삼성전자주식회사 표시판
KR100770267B1 (ko) 2006-05-04 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자
KR101293562B1 (ko) * 2006-06-21 2013-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080030175A (ko) 2006-09-29 2008-04-04 삼성전자주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR101277221B1 (ko) 2006-12-22 2013-06-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 제조방법
KR100861577B1 (ko) 2007-01-22 2008-10-09 윤홍태 화학약품 버티칼압송펌프

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100046780A (ko) 2010-05-07
US20100102320A1 (en) 2010-04-29
US8809873B2 (en) 2014-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101579487B1 (ko) 표시 장치
US10236309B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US10651258B2 (en) Organic light emitting display device with improved aperture ratio
US7164230B2 (en) Dual panel-type organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
US11411062B2 (en) Display device having light transmissive regions
EP3121862B1 (en) Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode display device including the same
KR101731821B1 (ko) 유기발광소자 및 그 제조방법
KR101972306B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100565674B1 (ko) 양방향 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR20050101373A (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR20210000383A (ko) 전계 발광 표시 장치
JP3952618B2 (ja) 表示装置
CN113097249A (zh) 电致发光显示器件
US20220393134A1 (en) Display device including an adhesive bonded polarization plate
JP2023070156A (ja) 表示装置
KR20160060835A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
CN116113269A (zh) 显示装置及设置其的方法
KR20050069313A (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자
KR20170015601A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102218944B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20070072170A (ko) 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
US20240138232A1 (en) Light Emitting Display Device
US20230207734A1 (en) Light Emitting Display Device
KR101288591B1 (ko) 액정표시패널 및 그 제조 방법
CN117939946A (en) Light-emitting display device

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 4