JP2023070156A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】側面鏡形状のアノードを利用して有機発光素子の光効率を増加させ、消費電力を改善できる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、複数のサブ画素を含む基板；前記基板上に配置され、ベース部及び突出部を含むオーバーコーティング層；前記ベース部及び前記突出部を覆うように配置される第１電極；前記第１電極の一部上に配置されるバンク；前記第１電極及び前記バンク上に配置される有機層；及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記突出部の側面と前記バンクの側面との間の距離は、前記複数のサブ画素ごとに異なるように構成される。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置に関し、より詳細には、輝度視野角及び色視野角を改善できる表示装置に関する。

現在、本格的な情報化時代に入るに伴い、電気的情報信号を視覚的に表示する表示装置分野が急速に発展しており、様々な表示装置に対して、薄型化、軽量化及び低消費電力化等の性能を開発させるための研究が続いている。

このような多様な表示装置のうち、発光表示装置は、自己発光型表示装置であって、液晶表示装置とは異なり別途の光源が不要であり、軽量薄型に製造が可能である。また、発光表示装置は、低電圧駆動により消費電力の側面で有利であるだけではなく、色相具現、応答速度、視野角（ｖｉｅｗｉｎｇ ａｎｇｌｅ）、明暗対比比（Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｒａｔｉｏ；ＣＲ）にも優れており、多様な分野で活用が期待されている。

本発明が解決しようとする課題は、側面鏡形状のアノードを利用して有機発光素子の光効率を増加させ、消費電力を改善できる表示装置を提供することである。

本発明が解決しようとする他の課題は、オーバーコーティング層の側面とバンクの側面との間の距離をサブ画素ごとに異なるように設定することで輝度視野角と色視野角を改善できる表示装置を提供することである。

本発明の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。

本発明の実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む基板；前記基板上に配置され、ベース部及び突出部を含むオーバーコーティング層；前記ベース部及び前記突出部を覆うように配置される第１電極；前記第１電極の一部上に配置されるバンク；前記第１電極及び前記バンク上に配置される有機層；及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記突出部の側面と前記バンクの側面との間の距離は、前記複数のサブ画素ごとに異なるように構成される。

本発明の実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む基板；前記基板上に配置され、ベース部及び突出部を含むオーバーコーティング層；前記ベース部及び前記突出部を覆うように配置される第１電極；前記第１電極の一部上に配置されるバンク；前記第１電極及び前記バンク上に配置される有機層；及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記複数のサブ画素ごとに異なるように構成される。

本発明の実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む基板；前記基板上に配置され、凹部を有するオーバーコーティング層；前記凹部を覆うように配置される第１電極；開口領域を通して前記第１電極の一部を露出させるバンク；前記第１電極上に配置される有機層；及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記複数のサブ画素のうち少なくとも二つのサブ画素は、前記凹部の幅から前記開口領域の幅を差し引いた値が互いに異なるように構成される。

その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。

本発明は、側面鏡形状のアノードを利用して表示装置の光抽出効率を向上させることができる。
本発明は、サブ画素ごとにオーバーコーティング層の突出部の側面と対応するバンクの幅を調節することで輝度視野角と色視野角を向上させることができる。

本発明に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本発明内に含まれている。

本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ’に沿った表示装置の断面図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ’に沿った表示装置の断面図である。 図３の概略的な平面図である。 視野角による輝度変化を示すグラフである。 本発明の他の実施例に係る表示装置の断面図である。 視野角による輝度変化を示すグラフである。 視野角によるカラーシフトを示すグラフである。

本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形状に具現され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇により定義されるだけである。

本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、面積、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に制限されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。

素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。

また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。

図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。

本発明の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。

以下においては、図面を参照して、本発明について説明する。

図１は、本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’に沿った表示装置の断面図である。

図１及び図２を参照すると、表示装置１００は、基板１１０、トランジスタ１２０、オーバーコーティング層１３０、第１発光素子１４０ａ及びバンク１５０を含む。表示装置１００は、トップエミッション（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の表示装置に具現され得るが、これに制限されない。

基板１１０は、表示装置１００の様々な構成要素を支持し、保護するための基板である。基板１１０は、ガラスまたはフレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有するプラスチック物質からなり得る。基板１１０がプラスチック物質からなる場合、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）からなり得る。しかし、これに制限されるものではない。

基板１１０は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含む。

表示領域ＡＡは、表示装置１００で映像が表示される領域であって、表示領域ＡＡにおいては、表示素子及び表示素子を駆動するための多様な駆動素子が配置され得る。例えば、表示素子は、第１電極１４１ａ、有機層１４２ａ及び第２電極１４３ａを含む第１発光素子１４０ａを含むことができる。また、表示素子を駆動するためのトランジスタ１２０、キャパシタ、配線等のような多様な駆動素子が表示領域ＡＡに配置され得る。

表示領域ＡＡには、複数のサブ画素ＳＰが含まれ得る。サブ画素ＳＰは、画面を構成する最小単位であり、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、表示素子及び駆動回路を含むことができる。複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、互いに異なる波長の光を発光し得る。例えば、複数のサブ画素ＳＰは、赤色光を発光する第１サブ画素ＳＰ１、緑色光を発光する第２サブ画素ＳＰ２及び青色光を発光する第３サブ画素ＳＰ３を含むことができる。第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３は、表示領域ＡＡ内で順次に配列され得るが、これに制限されるものではない。また、図１においては、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３がそれぞれ同じ面積を有するように示されたが、これに制限されるものではない。即ち、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３は、互いに異なる面積を有するように構成されてもよい。また、図１においては、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３が正方形の形態を有するものと示されたが、これに制限されるものではない。即ち、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３は、円形、多角形等の形態を有するように構成されてもよい。

サブ画素ＳＰの駆動回路は、表示素子の駆動を制御するための回路である。例えば、駆動回路は、トランジスタ１２０及びキャパシタのような駆動素子を含んで構成され得るが、これに制限されるものではない。

非表示領域ＮＡは、映像が表示されない領域であって、表示領域ＡＡに配置された複数のサブ画素ＳＰを駆動するための多様な構成要素が配置され得る。例えば、複数のサブ画素ＳＰの駆動のための信号を供給する駆動ＩＣ、フレキシブルフィルム等が配置されてもよい。

非表示領域ＮＡは、図１に示されたように、表示領域ＡＡを囲む領域であってよい。しかし、これに制限されない。例えば、非表示領域ＮＡは、表示領域ＡＡから延びる領域であってもよい。

以下においては、図２を参照して、表示領域ＡＡに配置された複数のサブ画素ＳＰのうち第１サブ画素ＳＰ１についてより詳細に説明する。

基板１１０上には、バッファ層１１１が配置される。バッファ層１１１は、バッファ層１１１上に形成される層と基板１１０間の接着力を向上させ、基板１１０から流出されるアルカリ成分等を遮断する役割等を果たすことができる。バッファ層１１１は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層、あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層に構成され得るが、これに制限されるものではない。バッファ層１１１は、必須な構成要素ではなく、基板１１０の種類及び物質、トランジスタ１２０の構造及びタイプ等に基づいて省略されてもよい。

トランジスタ１２０は、バッファ層１１１上に配置される。トランジスタ１２０は、表示領域ＡＡの第１発光素子１４０ａを駆動するための駆動素子として使用され得る。トランジスタ１２０は、アクティブ層１２１、ゲート電極１２２、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４を含む。図２に示されたトランジスタ１２０は、駆動トランジスタであり、ゲート電極１２２がアクティブ層１２１上に配置されるトップゲート（ｔｏｐ ｇａｔｅ）構造の薄膜トランジスタである。ただし、これに制限されず、トランジスタ１２０は、ボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）構造のトランジスタに具現されてもよい。

アクティブ層１２１は、バッファ層１１１上に配置される。アクティブ層１２１は、トランジスタ１２０の駆動時、チャネルが形成される領域である。アクティブ層１２１は、酸化物（ｏｘｉｄｅ）半導体で形成されてもよく、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ、ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、または有機物（ｏｒｇａｎｉｃ）半導体等で形成され得る。

アクティブ層１２１上には、ゲート絶縁層１１２が配置される。ゲート絶縁層１１２は、アクティブ層１２１とゲート電極１２２を電気的に絶縁させるための層であり、絶縁物質からなり得る。例えば、ゲート絶縁層１１２は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層、あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層に構成され得るが、これに制限されるものではない。

ゲート絶縁層１１２には、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４それぞれがアクティブ層１２１のソース領域及びドレイン領域それぞれにコンタクトするためのコンタクトホールが形成される。ゲート絶縁層１１２は、図２に示されたように、基板１１０の前面にわたって形成されてもよく、ゲート電極１２２と同じ幅を有するようにパターニングされてもよいが、これに限定されるものではない。

ゲート電極１２２は、ゲート絶縁層１１２上に配置される。ゲート電極１２２は、アクティブ層１２１のチャネル領域と重畳するようにゲート絶縁層１１２上に配置される。ゲート電極１２２は、多様な金属物質、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）のいずれか一つであるか二以上の合金、またはこれらの多重層であってよいが、これに制限されるものではない。

ゲート電極１２２上には、層間絶縁層１１３が配置される。層間絶縁層１１３は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層、あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層に構成され得るが、これに制限されるものではない。層間絶縁層１１３には、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４それぞれがアクティブ層１２１のソース領域及びドレイン領域それぞれにコンタクトするためのコンタクトホールが形成される。

ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、層間絶縁層１１３上に配置される。ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、同じ層で離隔されて配置される。ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、ゲート絶縁層１１２及び層間絶縁層１１３のコンタクトホールを通してアクティブ層１２１と電気的に連結される。ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、多様な金属物質、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）のいずれか一つであるか二以上の合金、またはこれらの多重層であってよいが、これに制限されるものではない。

図２においては、表示装置１００に含まれる多様なトランジスタ１２０のうち駆動トランジスタだけを示したが、スイッチングトランジスタ等のような他のトランジスタも配置されてもよい。

ソース電極１２３及びドレイン電極１２４上には、パッシベーション層１１４が配置される。パッシベーション層１１４は、トランジスタ１２０をカバーすることでトランジスタ１２０と他の構成要素を電気的に絶縁及び保護することができる。パッシベーション層１１４には、トランジスタ１２０のドレイン電極１２４を露出させるためのコンタクトホールが形成される。図２においては、パッシベーション層１１４にドレイン電極１２４を露出させるためのコンタクトホールが形成されるものと示されたが、これに限定されるものではない。例えば、パッシベーション層１１４には、ソース電極１２３を露出させるためのコンタクトホールが形成されてもよい。パッシベーション層１１４は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層、あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層に構成され得るが、これに制限されるものではない。

オーバーコーティング層１３０は、パッシベーション層１１４上に配置される。オーバーコーティング層１３０は、トランジスタ１２０を保護し、トランジスタ１２０の上部を平坦化するための絶縁層である。オーバーコーティング層１３０には、トランジスタ１２０のドレイン電極１２４を露出させるためのコンタクトホールが形成される。図２においては、オーバーコーティング層１３０にドレイン電極１２４を露出させるためのコンタクトホールが形成されるものと示されたが、これに限定されるものではない。例えば、オーバーコーティング層１３０には、ソース電極１２３を露出させるためのコンタクトホールが形成されてもよい。オーバーコーティング層１３０は、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレン系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、ベンゾシクロブテン及びフォトレジストのうち一つで形成され得るが、これに制限されない。

オーバーコーティング層１３０は、ベース部１３１と複数の突出部１３２を含む。ベース部１３１と複数の突出部１３２は、図２に示されたように、一体になされ得る。例えば、ベース部１３１と複数の突出部１３２は、同じ物質からなると同時に同じ工程、例えば、マスク工程を通して形成され得るが、これに制限されるものではない。

ベース部１３１は、パッシベーション層１１４上に配置される。ベース部１３１の上面は、基板１１０と平行な面を有する。そこで、ベース部１３１は、下部に配置された構成要素によって発生し得る段差を平坦化することができる。

複数の突出部１３２は、ベース部１３１上に配置される。複数の突出部１３２は、ベース部１３１と一体に形成されてベース部１３１から突出した形状を有する。複数の突出部１３２は、下面より上面がさらに小さな形状を有し得るが、これに制限されるものではない。

複数の突出部１３２それぞれは、上面及び側面を含む。突出部１３２の上面は、突出部１３２で最上部に位置する面であり、ベース部１３１または基板１１０と実質的に平行な面であってよい。突出部１３２の側面は、突出部１３２の上面とベース部１３１を連結する第１傾斜面ＳＬＯ１であってよい。第１傾斜面ＳＬＯ１は、上面でベース部１３１に向かって傾斜した形状を有し得る。

一方、オーバーコーティング層１３０中、複数の突出部１３２によってベース部１３１の上面が露出された領域は、開口領域と定義され得る。また、オーバーコーティング層１３０の開口領域は、凹部とも定義され得る。即ち、オーバーコーティング層１３０の開口領域は、ベース部１３１の上面と突出部１３２の第１傾斜面ＳＬＯ１で構成され、凹な形状を有し得る。

第１発光素子１４０ａは、オーバーコーティング層１３０上に配置される。第１発光素子１４０ａは、トランジスタ１２０のドレイン電極１２４と電気的に連結された第１電極１４１ａ、第１電極１４１ａ上に配置された有機層１４２ａ及び有機層１４２ａ上に形成された第２電極１４３ａを含む。ここで、第１発光素子１４０ａは、赤色光を発光する赤色発光素子であってよい。
第１電極１４１ａは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれと対応するようにオーバーコーティング層１３０の凹部に配置される。第１電極１４１ａは、ベース部１３１及び複数の突出部１３２を覆うように配置される。具体的に、第１電極１４１ａは、突出部１３２が配置されていないベース部１３１の上面及び複数の突出部１３２の側面に配置され得る。即ち、第１電極１４１ａは、ベース部１３１及び突出部１３２の形状に沿って配置される。そこで、第１電極１４１ａは、第１傾斜面ＳＬＯ１と対応する第２傾斜面ＳＬＯ２を含むように構成され得る。また、第１電極１４１ａは、複数の突出部１３２の上面中の一部の領域にも形成され得る。

第１電極１４１ａは、第１発光素子１４０ａのアノードであってよい。第１電極１４１ａは、第２オーバーコーティング層１３０に形成されたコンタクトホールを通してトランジスタ１２０のドレイン電極１２４と電気的に連結され得る。しかし、トランジスタ１２０の種類、駆動回路の設計方式等によって、第１電極１４１ａは、トランジスタ１２０のソース電極１２３と電気的に連結されるように構成されてもよい。

図２においては、第１電極１４１ａが単一層と示されたが、第１電極１４１ａは、多重層に構成され得る。例えば、第１電極１４１ａは、有機層１４２ａで発光された光を第２電極１４３ａ側に反射させるための反射層及び有機層１４２ａに正孔を供給するための透明導電層を含むことができる。

反射層は、オーバーコーティング層１３０上に配置され、第１発光素子１４０ａで発光された光を上部に反射させることができる。第１発光素子１４０ａの有機層１４２ａで生成された光は、上部にのみ発光されず、側部にも発光され得る。側部に発光された光は、表示装置１００の内部に向かうようになり、全反射によって表示装置１００の内部に閉じ込められ得、さらに表示装置１００の内部の方向に進行して消滅することもあり得る。そこで、反射層は、有機層１４２ａの下部で第１傾斜面ＳＬＯ１を覆うように配置され、有機層１４２ａの側部に進行する光の進行方向を正面方向に変えることができる。

反射層は、金属物質からなり得、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム－銀合金（Ｍｇ：Ａｇ）等のような金属物質からなってもよいが、これに制限されるものではない。

透明導電層は、反射層上に配置される。透明導電層は、有機層１４２ａに正孔を供給するために仕事関数の高い導電性物質からなり得る。例えば、透明導電層は、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＺＯ）、亜鉛酸化物（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）及びスズ酸化物（Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＴＯ）系列の透明導電性酸化物からなり得るが、これに制限されるものではない。

バンク１５０は、オーバーコーティング層１３０及び第１電極１４１ａ上に配置される。バンク１５０は、上面及び側面を含む。バンク１５０の上面は、バンク１５０で最上部に位置する面であり、基板１１０と実質的に平行な面であってよい。バンク１５０の側面は、バンク１５０の上面と第１電極１４１ａを連結する第３傾斜面ＳＬＯ３であってよい。第３傾斜面ＳＬＯ３は、第１傾斜面ＳＬＯ１及び第２傾斜面ＳＬＯ２と対応し得る。第３傾斜面ＳＬＯ３は、上面で第１電極１４１ａに向かって傾斜した形状を有し得る。

バンク１５０は、第１電極１４１ａの一部をカバーして開口領域と非開口領域を定義できる。開口領域は、複数のサブ画素ＳＰそれぞれで有機層１４２ａによって実質的に光が生成される第１発光領域ＥＡ１を意味し得る。第１発光領域ＥＡ１には、バンク１５０が配置されず、第１電極１４１ａ上に有機層１４２ａが直に位置して光が生成され得る。非開口領域は、バンク１５０が配置される光が生成されない領域を意味し得る。ただし、非開口領域は、光が生成されることはないが、光が正面に抽出されるように光を反射させる第２発光領域ＥＡ２を含むことができる。第２発光領域ＥＡ２は、光反射領域であって、第１傾斜面ＳＬＯ１及び第２傾斜面ＳＬＯ２と対応する領域に該当し得る。第２発光領域ＥＡ２では、突出部１３２の第１傾斜面ＳＬＯ２に沿って配置された第１電極１４１ａにより第１発光素子１４０ａから側部に発光された光が正面に抽出され得る。また、非開口領域は、第１発光領域ＥＡ１と第２発光領域ＥＡ２との間の第１非発光領域ＮＥＡ１及び隣接するサブ画素ＳＰの第２発光領域ＥＡ２の間の第２非発光領域ＮＥＡ２をさらに含むことができる。

一方、第１発光領域ＥＡ１、第１非発光領域ＮＥＡ１、第２発光領域ＥＡ２及び第２非発光領域ＮＥＡ２によって、第１電極１４１ａは、第１領域、第２領域及び第３領域に区分され得る。例えば、第１電極１４１ａの第１領域は、ベース部１３１上に配置された平坦な領域であってよい。第１領域は、第１発光領域ＥＡ１及び第１非発光領域ＮＥＡ１と対応して発光に寄与できる。第１電極１４１ａの第２領域は、第１傾斜面ＳＬＯ１と対応し、第２傾斜面ＳＬＯ２を含む領域であってよい。第２領域は、第２発光領域ＥＡ２と対応して光反射に寄与できる。第１電極１４１ａは、第２領域の第２傾斜面ＳＬＯ２によって側面鏡形状を有することで、表示装置１００の光抽出効率を向上させることができる。第１電極１４１ａの第３領域は、突出部１３２の上面に配置された平坦な領域であってよい。第３領域は、第２非発光領域ＮＥＡ２と対応し得る。第１電極１４１ａの第１領域、第２領域及び第３領域は、同じ工程により一つの構成に蒸着され得る。

バンク１５０は、有機物からなり得る。例えば、バンク１５０は、ポリイミド、アクリルまたはベンゾシクロブテン系樹脂等のような有機物からなってもよいが、これに限定されるものではない。即ち、バンク１５０は、無機物からなってもよい。

有機層１４２ａは、第１電極１４１ａ及びバンク１５０上に配置される。例えば、有機層１４２ａは、第１発光領域ＥＡ１では第１電極１４１ａ上に配置され、非開口領域ではバンク１５０上に配置される。具体的に、有機層１４２ａは、非開口領域でバンク１５０の第３傾斜面ＳＬＯ３及びバンク１５０の上面の一部上に配置され得る。有機層１４２ａは、第１電極１４１ａ及びバンク１５０の形状に沿って配置され得る。有機層１４２ａは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれと対応するようにパターニングされ得る。有機層１４２ａは、特定色相の光を発光できる。図２の第１サブ画素ＳＰ１は、赤色サブ画素であるので、第１サブ画素ＳＰ１に配置された第１発光素子１４０ａは、赤色発光素子であり、有機層１４２ａは、赤色光を発光する赤色発光層を含むことができる。また、有機層１４２ａは、正孔輸送層、正孔注入層、正孔阻止層、電子注入層、電子阻止層、電子輸送層等のような多様な層をさらに含んでもよい。

第２電極１４３ａは、有機層１４２ａ及びバンク１５０上に配置される。第２電極１４３ａは、有機層１４２ａの形状に沿って配置され得る。第２電極１４３ａは、複数のサブ画素ＳＰ全体と対応する共通の単一層に形成され得る。第２電極１４３ａは、有機層１４２ａに電子を供給するので、仕事関数の低い導電性物質からなり得る。第２電極１４３ａは、第１発光素子１４０ａのカソードであってよい。第２電極１４３ａは、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）等のような透明導電性物質またはＭｇＡｇのような金属合金やイッテルビウム（Ｙｂ）合金等で形成され得、金属ドーピング層がさらに含まれてもよく、これに制限されない。

一方、図面に示されてはいないが、第１発光素子１４０ａ上には、水分に脆弱な第１発光素子１４０ａを水分に露出されないように保護するための封止部が形成され得る。封止部は、外部から表示装置１００の内部に浸透する酸素と水分を遮断することができる。封止部は、無機層と有機層が交互に積層された構造を有し得るが、これに制限されない。

図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ’に沿った表示装置の断面図である。図４は、図３の概略的な平面図である。図４においては、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの突出部１３２による開口領域及びバンク１５０による開口領域だけが簡略に示された。図４においては、それぞれの開口領域が六角形の形態を有するものと示されたが、本発明は、これに制限されるものではない。

図３を参照すると、複数のサブ画素ＳＰは、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３を含む。第１サブ画素ＳＰ１は、赤色サブ画素で構成され、第２サブ画素ＳＰ２は、緑色サブ画素で構成され、第３サブ画素ＳＰ３は、青色サブ画素で構成される。それぞれのサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、互いに異なる色の光を発光することを除いては、図２に示された第１サブ画素ＳＰと同じ構造を有するので、重複した説明は省略する。

第１サブ画素ＳＰ１は、赤色発光素子である第１発光素子１４０ａを含む。第１発光素子１４０ａは、第１電極１４１ａ、有機層１４２ａ及び第２電極１４３ａを含むことができる。ここで、有機層１４２ａは、赤色光を発光する赤色発光層を含むことができる。

第２サブ画素ＳＰ２は、緑色発光素子である第２発光素子１４０ｂを含む。第２発光素子１４０ｂは、第１電極１４１ｂ、有機層１４２ｂ及び第２電極１４３ｂを含むことができる。ここで、有機層１４２ｂは、緑色光を発光する緑色発光層を含むことができる。

第３サブ画素ＳＰ３は、青色発光素子である第３発光素子１４０ｃを含む。第３発光素子１４０ｃは、第１電極１４１ｃ、有機層１４２ｃ及び第２電極１４３ｃを含むことができる。ここで、有機層１４２ｃは、青色光を発光する青色発光層を含むことができる。

本発明の一実施例に係る表示装置１００は、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光素子１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃが側面鏡形状のアノードを含むように構成される。即ち、側面鏡形状の第１電極１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃによって表示装置の内部に閉じ込められる光が外部に抽出されることで光抽出効率が改善され、消費電力が向上し得る。

第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３それぞれで突出部１３２の側面とバンク１５０の側面との間の距離は異なるように構成され得る。具体的に、第１傾斜面ＳＬＯ１と第３傾斜面ＳＬＯ２との間の距離は、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３ごとに異なるように構成され得る。例えば、第１サブ画素ＳＰ１で第１傾斜面ＳＬＯ１と第３傾斜面ＳＬＯ２は、第１距離ｄ１を有するように離隔され得る。第２サブ画素ＳＰ２で第１傾斜面ＳＬＯ１と第３傾斜面ＳＬＯ２は、第２距離ｄ２を有するように離隔され得る。第３サブ画素ＳＰ３で第１傾斜面ＳＬＯ１と第３傾斜面ＳＬＯ２は、第３距離ｄ３を有するように離隔され得る。

ここで、それぞれの距離ｄ１、ｄ２、ｄ３は、基板１１０の上面と平行な方向である第１方向での距離であってよい。また、それぞれの距離ｄ１、ｄ２、ｄ３は、突出部１３２の側面と対応する第１電極１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃの幅とバンク１５０の幅の和を意味し得る。即ち、それぞれの距離ｄ１、ｄ２、ｄ３は、突出部１３２の側面に配置される第１電極１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃの傾斜した領域の幅と第１電極１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃの傾斜した領域をカバーするバンク１５０の傾斜した領域の幅を足した値であってよい。第１電極１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃは、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３で類似した厚さ及び幅を有するので、バンク１５０の傾斜した領域の幅は、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３ごとに互いに異なるように構成され得る。ここで、第１電極１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃの幅及びバンク１５０の幅もまた第１方向での幅であってよい。

第１距離ｄ１は、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３より大きく構成され得る。また、第２距離ｄ２は、第３距離ｄ３より大きく構成され得る。即ち、第１距離ｄ１、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３のうち第１距離ｄ１が最も大きく、第３距離ｄ３が最も小さい。また、バンク１５０の傾斜した領域の幅は、第１サブ画素ＳＰ１で最も大きく、第３サブ画素ＳＰ３で最も小さい。このとき、第１距離ｄ１は、２．５μｍ以上であってよい。また、第２距離ｄ２は、１．５μｍ～２．５μｍであってよい。また、第３距離ｄ３は、１μｍ～２μｍであってよい。

第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３ごとに距離ｄ１、ｄ２、ｄ３が異なるように設計することで、それぞれのサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の輝度視野角と色視野角を向上させることができる。ここで、輝度視野角は、視野角が変化することによる輝度偏差を意味し、色視野角は、視野角が変化することによる色変化を意味する。そこで、輝度視野角が向上する場合、視野角が変わっても輝度偏差が最小化され、側面視認性が向上し得る。特に、サブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３ごとに距離ｄ１、ｄ２、ｄ３が異なるように設計することで、視野角によってカラーシフト（ｃｏｌｏｒ ｓｈｉｆｔ）が発生することを最小化し、色視野角を向上させることができる。

一方、図３及び図４を参照すると、第１サブ画素ＳＰ１でバンク１５０による開口領域の幅ＢＷａ、第２サブ画素ＳＰ２でバンク１５０による開口領域の幅ＢＷｂ及び第３サブ画素ＳＰ３でバンク１５０による開口領域の幅ＢＷｃは、いずれも同一に構成され得る。ここで、バンク１５０による開口領域は、それぞれのサブ画素ＳＰ１の第１発光領域ＥＡ１に対応し得る。即ち、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷａ、ＢＷｂ、ＢＷｃは、いずれも同一であってよい。このような場合、オーバーコーティング層１３０の凹部の幅ＯＷａ、ＯＷｂ、ＯＷｃは、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３ごとに異なるようになされ得る。即ち、第１サブ画素ＳＰ１の凹部の幅ＯＷａは、第２サブ画素ＳＰ２の凹部の幅ＯＷｂより大きく、第２サブ画素ＳＰ２の凹部の幅ＯＷｂは、第３サブ画素ＳＰ３の凹部の幅ＯＷｃより大きい。

ただし、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の凹部の幅ＯＷａ、ＯＷｂ、ＯＷｃがいずれも同一であり、第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷａ、ＢＷｂ、ＢＷｃが複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３ごとに異なるようになされてもよい。このような場合、第１サブ画素ＳＰ１の第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷａは、第２サブ画素ＳＰ２の第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷｂより小さく、第２サブ画素ＳＰ２の第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷｂは、第３サブ画素ＳＰ３の第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷｃより小さい。

第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷａ、ＢＷｂ、ＢＷｃを凹部の幅ＯＷａ、ＯＷｂ、ＯＷｃで除した値が大きいほど第１発光領域ＥＡ１と第２発光領域ＥＡ２との間の距離が近くなり、第１非発光領域ＮＥＡ１の幅が小さくなる。また、凹部の幅ＯＷａ、ＯＷｂ、ＯＷｃから第１発光領域ＥＡ１の幅ＢＷａ、ＢＷｂ、ＢＷｃを差し引いた値が小さいほど第１発光領域ＥＡ１と第２発光領域ＥＡ２との間の距離が近くなり、第１非発光領域ＮＥＡ１の幅が小さくなる。

図５は、視野角による輝度変化を示すグラフである。具体的に、図５（ａ）は、赤色サブ画素での視野角による輝度変化を示したものであり、図５（ｂ）は、緑色サブ画素での視野角による輝度変化を示したものであり、図５（ｃ）は、青色サブ画素での視野角による輝度変化を示したものである。ここで、赤色サブ画素の発光素子の最大波長は、６２４ｎｍであり、半値幅は、２６ｎｍに構成された。緑色サブ画素の発光素子の最大波長は、５３２ｎｍであり、半値幅は、２５ｎｍに構成された。青色サブ画素の発光素子の最大波長は、４６４ｎｍであり、半値幅は、１６ｎｍに構成された。

比較例１は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素がいずれも側面鏡形状のアノードを含まない場合である。即ち、比較例１のサブ画素は、オーバーコーティング層が突出部を含まずにベース部だけで構成され、アノードは、傾斜した領域を含まずに平坦な領域だけで構成される。１μｍ、１．５μｍ、２μｍ及び３μｍは、側面鏡形状のアノードを含むサブ画素で突出部の側面である第１傾斜面とバンクの側面である第３傾斜面との間の距離である。以下においては、説明の便宜のために、第１傾斜面と第３傾斜面との間の距離を略して「距離」と記載する。

図５を参照すると、側面鏡形状のアノードを含む場合、側面鏡形状のアノードを含まない場合に比してサブ画素のいずれでも輝度視野角が改善される。ただし、サブ画素ごとに輝度視野角特性に最も優れる距離は異なる。例えば、赤色サブ画素では、距離が１μｍである時に輝度視野角特性に最も優れ、緑色サブ画素では、距離が２μｍである時に輝度視野角特性に最も優れ、青色サブ画素では、距離が２μｍである時に輝度視野角特性に最も優れる。また、視野角による輝度値は、サブ画素及び距離ごとに異なる。例えば、視野角３０゜を基準に、距離が１μｍである赤色サブ画素の輝度値と距離が２μｍである緑色サブ画素の輝度値と距離が２μｍである青色サブ画素の輝度値は全て異なる。仮に、いずれか一つのサブ画素の輝度値が他のサブ画素の輝度値より相対的に高いか低く構成される場合、カラーシフトが発生して視野角によって色が変化する問題が発生し得る。例えば、赤色サブ画素の輝度値が相対的に高くなる場合、赤色サブ画素そのものの個別的な輝度視野角は向上し得るが、複数のサブ画素が共に発光する場合、カラーシフトが発生して全体的な色視野角は低下し得る。

本発明の一実施例に係る表示装置１００は、第１サブ画素ＳＰ１での第１距離ｄ１が第２サブ画素ＳＰ２での第２距離ｄ２及び第３サブ画素ＳＰ３での第３距離ｄ３より大きく構成され得る。また、第２サブ画素ＳＰ２での第２距離ｄ２は、第３サブ画素ＳＰ３での第３距離ｄ３より大きく構成され得る。従って、表示装置１００の輝度視野角を改善させると同時にカラーシフトの発生を最小化することができる。具体的に、第１距離ｄ１、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３のうち第１距離ｄ１が最も大きく、第３距離ｄ３が最も小さい場合、サブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの視野角による輝度値が類似し得る。そこで、視野角によって色が変わることが最小化され、色視野角が改善され得る。従って、輝度視野角と色視野角をいずれも改善することで、表示装置１００の表示品質を向上させることができる。

図６は、本発明の他の実施例に係る表示装置の断面図である。図６の表示装置６００は、図１乃至図４の表示装置１００と比較して突出部１３２の側面とバンク６５０の側面との間の距離を除いては実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。

図６を参照すると、表示装置６００は、赤色光を発光する第１発光素子１４０ａを含む第１サブ画素ＳＰ１、緑色光を発光する第２発光素子１４０ｂを含む第２サブ画素ＳＰ２、及び青色光を発光する第３発光素子１４０ｃを含む第３サブ画素ＳＰ３を含む。

第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３それぞれでオーバーコーティング層１３０の側面とバンク６５０の側面との間の距離は異なるように構成され得る。具体的に、突出部１３２の側面とバンク６５０の側面との間の距離は、複数のサブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３ごとに異なるように構成され得る。例えば、第１サブ画素ＳＰ１で突出部１３２の側面とバンク６５０の側面は、第１距離ｄ１を有するように離隔され得る。第２サブ画素ＳＰ２で突出部１３２の側面とバンク６５０の側面は、第２距離ｄ２を有するように離隔され得る。第３サブ画素ＳＰ３で突出部１３２の側面とバンク６５０の側面は、第３距離ｄ３を有するように離隔され得る。

第１距離ｄ１は、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３より大きく構成され得る。また、第２距離ｄ２は、第３距離ｄ３と同一に構成され得る。即ち、第１距離ｄ１、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３のうち第１距離ｄ１が最も大きく、第２距離ｄ２と第３距離ｄ３は同一に構成され得る。そこで、バンク６５０の傾斜した領域の幅は、第１サブ画素ＳＰ１で最も大きく、第２サブ画素ＳＰ２と第３サブ画素ＳＰ３では同一である。このとき、第１距離ｄ１は、２．５μｍ以上であってよい。また、第２距離ｄ２は、１．５μｍ～２．５μｍであってよい。また、第３距離ｄ３は、１μｍ～２μｍであってよい。

本発明の他の実施例に係る表示装置６００は、第１距離ｄ１、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３を適切に調節することで輝度視野角と色視野角を同時に向上させることができる。具体的に、側面鏡形状の第１電極１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃを通して光抽出効率を向上させ、視野角による輝度偏差を改善できる。また、第１距離ｄ１、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３のうち第１距離ｄ１が最も大きく、第２距離ｄ２と第３距離ｄ３が同一である場合、サブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの視野角による輝度値が類似し得る。そこで、視野角によって色が変わることが最小化され、色視野角が改善され得る。従って、輝度視野角と色視野角をいずれも改善することで、表示装置６００の表示品質を向上させることができる。

図７は、視野角による輝度変化を示すグラフである。図７の比較例１は、図５の比較例１と同一である。図７の実施例１は、赤色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離が３μｍに構成され、緑色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離が２μｍに構成され、青色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離が１．５μｍに構成される。それぞれのサブ画素の発光素子の最大波長と半値幅は、図５において設定されたものと同一に設定された。

表１は、比較例１及び実施例１の視野角による輝度とカラーシフトの程度を示したものである。ここで、カラーシフトは、ＪＮＤ値として表現されており、ＪＮＤは、色の変化を示す数値である。具体的に、ＪＮＤ値が増加するほどユーザが色の変化をさらに明らかに認知できる。

図７及び表１を参照すると、視野角３０゜、４５゜、６０゜それぞれで比較例１に対比して実施例１の輝度が向上することが分かる。具体的に、視野角３０゜、４５゜、６０゜それぞれで実施例１の輝度は、比較例１の輝度に対比して略５．３％、１７．３％、３８．１％増加した値を有する。従って、実施例１は、正面での輝度と側面での輝度との間の偏差が改善され得る。即ち、実施例１は、輝度視野角が改善されて側面視認性が向上し得る。また、表１を参照すると、視野角３０゜、４５゜、６０゜それぞれで比較例１に対比して実施例１のＪＮＤ値が減少することを確認することができる。特に、実施例１は、視野角４５゜、６０゜でＪＮＤ値が相当減少する。従って、実施例１は、正面で視認される色と側面で視認される色との間の変化が改善され得る。即ち、実施例１は、色視野角が改善されて表示品質が向上し得る。

図８は、視野角によるカラーシフトを示すグラフである。具体的に、図８（ａ）は、比較例２の視野角によるカラーシフトを示したものであり、図８（ｂ）は、比較例３の視野角によるカラーシフトを示したものであり、図８（ｃ）は、実施例１の視野角によるカラーシフトを示したものであり、図８（ｄ）は、実施例２の視野角によるカラーシフトを示したものである。図８は、色座標を示すものであって、図面上に表現されてはいないが、左側上部は緑色、右側上部は黄色、右側下部は赤色、左側下部は青色を意味する。スペック（ｓｐｅｃ）線は、最適な条件を示すものであって、スペック線から外れるほど色変化が激しいと判断できる。例えば、スペック線から７０％が越える場合、ユーザが色の変化をより明らかに認知可能であって不良と判断できる。

比較例２は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離がいずれも同一に１．５μｍに構成された。比較例３は、赤色サブ画素と緑色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離が同一に１μｍに構成され、青色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離は３μｍに構成された。実施例１は、図７の実施例１と同一である。実施例２は、赤色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離が３μｍに構成され、緑色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離が２μｍに構成され、青色サブ画素の突出部の側面とバンクの側面との間の距離が２μｍに構成された。それぞれのサブ画素の発光素子の最大波長と半値幅は、図５において設定されたものと同一に設定された。

図８を参照すると、比較例２と比較例３の場合、視野角３０゜、４５゜、６０゜のいずれでもスペック線を外れるようにカラーシフトが発生した。即ち、比較例２のように、突出部の側面とバンクの側面との間の距離が赤色、緑色及び青色サブ画素でいずれも同一に構成される場合、ユーザが明らかに認知する程度にカラーシフトが発生することが分かる。また、比較例３のように、赤色、緑色及び青色サブ画素のうち青色サブ画素で突出部の側面とバンクの側面との間の距離が最も大きい場合、ユーザが明らかに認知する程度にカラーシフトが発生することが分かる。実施例１と実施例２の場合、比較例２と比較例３に比してカラーシフトが最小化される。特に、カラーシフトの程度がスペック線をほとんど外れないようになされるので、ユーザは、視野角による色変化をほとんど認知できないか、微細に感じることができる。従って、赤色、緑色及び青色サブ画素のうち赤色サブ画素での第１距離を最も大きくし、青色サブ画素での第３距離を最も小さくする場合、視野角によるカラーシフトが最小化され、色視野角が改善され得る。または、赤色、緑色及び青色サブ画素のうち赤色サブ画素での第１距離を最も大きくし、緑色及び青色サブ画素での第２距離と第３距離を同一にする場合、視野角によるカラーシフトが最小化され、色視野角が改善され得る。

本発明の実施態様は、下記のように記載することもできる。

本発明の態様によれば、表示装置は、複数のサブ画素を含む基板；前記基板上に配置され、ベース部及び突出部を含むオーバーコーティング層；前記ベース部及び前記突出部を覆うように配置される第１電極；前記第１電極の一部上に配置されるバンク；前記第１電極及び前記バンク上に配置される有機層；及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記突出部の側面と前記バンクの側面との間の距離は、前記複数のサブ画素ごとに異なるように構成される。

本発明の他の特徴によれば、前記複数のサブ画素は、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、前記第１サブ画素の前記突出部の側面と前記バンクの側面は、第１距離を有するように離隔され、前記第２サブ画素の前記突出部の側面と前記バンクの側面は、第２距離を有するように離隔され、前記第３サブ画素の前記突出部の側面と前記バンクの側面は、第３距離を有するように離隔され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第１距離は、前記第２距離及び前記第３距離より大きくてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第２距離は、前記第３距離より大きくてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第２距離は、前記第３距離と同一であってよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第１距離は、２．５μｍ以上であってよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第２距離は、１．５μｍ～２．５μｍであってよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第３距離は、１μｍ～２μｍであってよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第１サブ画素は赤色サブ画素であり、前記第２サブ画素は緑色サブ画素であり、前記第３サブ画素は青色サブ画素であってよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記距離は、前記基板の上面と平行な方向の距離であってよい。

本発明の他の態様によれば、表示装置は、複数のサブ画素を含む基板；前記基板上に配置され、ベース部及び突出部を含むオーバーコーティング層；前記ベース部及び前記突出部を覆うように配置される第１電極；前記第１電極の一部上に配置されるバンク；前記第１電極及び前記バンク上に配置される有機層；及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記複数のサブ画素ごとに異なるように構成される。

本発明の他の特徴によれば、前記複数のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記赤色サブ画素で最も大きくてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記複数のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記青色サブ画素で最も小さくてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記複数のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記緑色サブ画素及び前記青色サブ画素で互いに同一であってよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記バンクの幅は、前記基板の上面と平行な方向の距離であってよい。

本発明のまた他の態様によれば、表示装置は、複数のサブ画素を含む基板；前記基板上に配置され、凹部を有するオーバーコーティング層；前記凹部を覆うように配置される第１電極；開口領域を通して前記第１電極の一部を露出させるバンク；前記第１電極上に配置される有機層；及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記複数のサブ画素のうち少なくとも二つのサブ画素は、前記凹部の幅から前記開口領域の幅を差し引いた値が互いに異なるように構成される。

本発明の他の特徴によれば、前記凹部は、傾斜面を含み、前記複数のサブ画素それぞれは、前記開口領域と対応する第１発光領域及び前記傾斜面と対応する第２発光領域を含むことができる。

本発明のまた他の特徴によれば、前記複数のサブ画素のうち少なくとも二つのサブ画素は、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間の距離が異なるように構成され得る。

本発明のまた他の態様によれば、表示装置は、基板上のオーバーコーティング層；及び、前記オーバーコーティング層上に配置され、第１電極、前記第１電極上の有機層及び前記有機層上の第２電極を含む複数の発光素子を含み、前記第１電極は、第１部分、前記第１部分の第１側面で前記第１部分に対して傾斜した第２部分及び前記第１部分の第２側面で前記第１部分に対して傾斜した第３部分を含み、前記有機層は、第１パート、前記第１パートの第１側面で前記第１パートに対して傾斜した第２パート及び前記第１パートの第２側面で前記第１パートに対して傾斜した第３パートを含み、前記複数の発光素子どうしで互いに異なる距離だけ、前記有機層の第１パートは前記第１電極の第１部分より小さな幅を有し、前記第２電極は、第１領域、前記第１領域の第１側面で前記第１領域に対して傾斜した第２領域及び前記第１領域の第２側面で前記第１領域に対して傾斜した第３領域を含む。

本発明の他の特徴によれば、前記複数の発光素子は、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を含み、前記第１発光素子の前記距離は、前記第２発光素子と前記第３発光素子の前記距離より大きくてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第２発光素子の前記距離は、前記第３発光素子の前記距離と同一であるか大きくてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第１発光素子は赤色を発光し、前記第２発光素子は緑色を発光し、前記第３発光素子は青色を発光し得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記複数の発光素子それぞれは、前記第１電極の前記第２部分と前記有機層の前記第２、３パートとの間に配置されるバンクをさらに含み、前記バンクの少なくとも一部は、前記第１電極の前記第１部分に対して傾斜し得る。

以上、添付の図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (23)

1. 複数のサブ画素を含む基板、
   前記基板上に配置され、ベース部及び突出部を含むオーバーコーティング層、
   前記ベース部及び前記突出部を覆うように配置される第１電極、
   前記第１電極の一部上に配置されるバンク、
   前記第１電極及び前記バンク上に配置される有機層、及び
   前記有機層上に配置される第２電極を含み、
   前記突出部の側面と前記バンクの側面との間の距離は、前記複数のサブ画素ごとに異なるように構成される、表示装置。
2. 前記複数のサブ画素は、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、
   前記第１サブ画素の前記突出部の側面と前記バンクの側面は、第１距離を有するように離隔され、
   前記第２サブ画素の前記突出部の側面と前記バンクの側面は、第２距離を有するように離隔され、
   前記第３サブ画素の前記突出部の側面と前記バンクの側面は、第３距離を有するように離隔される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１距離は、前記第２距離及び前記第３距離より大きい、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２距離は、前記第３距離より大きい、請求項２に記載の表示装置。
5. 前記第２距離は、前記第３距離と同一である、請求項２に記載の表示装置。
6. 前記第１距離は、２．５μｍ以上である、請求項２に記載の表示装置。
7. 前記第２距離は、１．５μｍ～２．５μｍである、請求項２に記載の表示装置。
8. 前記第３距離は、１μｍ～２μｍである、請求項２に記載の表示装置。
9. 前記第１サブ画素は赤色サブ画素であり、前記第２サブ画素は緑色サブ画素であり、前記第３サブ画素は青色サブ画素である、請求項２に記載の表示装置。
10. 前記距離は、前記基板の上面と平行な方向の距離である、請求項１に記載の表示装置。
11. 複数のサブ画素を含む基板、
    前記基板上に配置され、ベース部及び突出部を含むオーバーコーティング層、
    前記ベース部及び前記突出部を覆うように配置される第１電極、
    前記第１電極の一部上に配置されるバンク、
    前記第１電極及び前記バンク上に配置される有機層、及び
    前記有機層上に配置される第２電極を含み、
    前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記複数のサブ画素ごとに異なるように構成される、表示装置。
12. 前記複数のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、
    前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記赤色サブ画素で最も大きい、請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記複数のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、
    前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記青色サブ画素で最も小さい、請求項１１に記載の表示装置。
14. 前記複数のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、
    前記突出部の側面と対応する前記バンクの幅は、前記緑色サブ画素及び前記青色サブ画素で互いに同一である、請求項１１に記載の表示装置。
15. 前記バンクの幅は、前記基板の上面と平行な方向の距離である、請求項１１に記載の表示装置。
16. 複数のサブ画素を含む基板、
    前記基板上に配置され、凹部を有するオーバーコーティング層、
    前記凹部を覆うように配置される第１電極、
    開口領域を通して前記第１電極の一部を露出させるバンク、
    前記第１電極上に配置される有機層、及び
    前記有機層上に配置される第２電極を含み、
    前記複数のサブ画素のうち少なくとも二つのサブ画素は、前記凹部の幅から前記開口領域の幅を差し引いた値が互いに異なるように構成される、表示装置。
17. 前記凹部は、傾斜面を含み、
    前記複数のサブ画素それぞれは、前記開口領域と対応する第１発光領域及び前記傾斜面と対応する第２発光領域を含む、請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記複数のサブ画素のうち少なくとも二つのサブ画素は、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間の距離が異なるように構成される、請求項１７に記載の表示装置。
19. 基板上のオーバーコーティング層、及び
    前記オーバーコーティング層上に配置され、第１電極、前記第１電極上の有機層及び前記有機層上の第２電極を含む複数の発光素子を含み、
    前記第１電極は、第１部分、前記第１部分の第１側面で前記第１部分に対して傾斜した第２部分及び前記第１部分の第２側面で前記第１部分に対して傾斜した第３部分を含み、
    前記有機層は、第１パート、前記第１パートの第１側面で前記第１パートに対して傾斜した第２パート及び前記第１パートの第２側面で前記第１パートに対して傾斜した第３パートを含み、
    前記複数の発光素子どうしで互いに異なる距離だけ、前記有機層の第１パートは前記第１電極の第１部分より小さな幅を有し、
    前記第２電極は、第１領域、前記第１領域の第１側面で前記第１領域に対して傾斜した第２領域及び前記第１領域の第２側面で前記第１領域に対して傾斜した第３領域を含む、表示装置。
20. 前記複数の発光素子は、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を含み、
    前記第１発光素子の前記距離は、前記第２発光素子と前記第３発光素子の前記距離より大きい、請求項１９に記載の表示装置。
21. 前記第２発光素子の前記距離は、前記第３発光素子の前記距離と同一であるか大きい、請求項２０に記載の表示装置。
22. 前記第１発光素子は赤色を発光し、前記第２発光素子は緑色を発光し、前記第３発光素子は青色を発光する、請求項２０に記載の表示装置。
23. 前記複数の発光素子それぞれは、前記第１電極の前記第２部分と前記有機層の前記第２、３パートとの間に配置されるバンクをさらに含み、前記バンクの少なくとも一部は、前記第１電極の前記第１部分に対して傾斜した、請求項１９に記載の表示装置。

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