KR20210158438A - 표시 장치 및 이의 수리 방법 - Google Patents

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KR20210158438A
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disposed
pattern
line
transistor
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전수홍
이성영
이용희
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 스캔선, 스캔선에 평행한 스토리지선, 스캔선 및 스토리지선에 교차하는 데이터선, 스캔선 및 데이터선에 연결되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 제1 트랜지스터 상에 배치되고 데이터선에 평행한 제1 줄기부, 제1 트랜지스터에 연결되는 제1 접촉부 및 제1 접촉부와 제1 줄기부를 연결하는 제1 가지부를 포함하는 제1 화소 전극, 제2 트랜지스터 상에 배치되고 평면상 스캔선을 사이에 두고 제1 화소 전극으로부터 이격되며 데이터선에 평행한 제2 줄기부, 제2 트랜지스터에 연결되는 제2 접촉부 및 제2 접촉부와 제2 줄기부를 연결하는 제2 가지부를 포함하는 제2 화소 전극, 그리고 기판과 제2 화소 전극 사이에 배치되고 제2 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 수리 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF REPAIRING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 수리 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발전과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 따라, 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치들이 사용되고 있다.
상기 표시 장치 중 상기 액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나이다. 상기 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극들이 각각 형성되는 두 개의 표시판들과 그 사이에 삽입되는 액정층을 포함할 수 있다. 상기 전기장 생성 전극들에 전압을 인가하여 상기 액정층에 전기장을 생성하고, 이를 통해 상기 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하며, 입사광의 편광을 제어함으로써 상기 액정 표시 장치는 영상을 표시할 수 있다.
상기 액정 표시 장치를 제조하는 과정에서 불량 화소가 발생할 수 있고, 상기 불량 화소는 블랙 화면에서 발광할 수 있다. 이에 따라, 상기 불량 화소의 화소 전극을 전기적으로 플로팅(floating) 상태로 만들어 상기 불량 화소가 시인되지 않도록 할 수 있다. 다만, 상기 화소 전극을 절단하는 과정에서 배향층이 손상될 수 있고, 손상된 상기 배향층을 통해 빛샘이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 손상된 배향층에 의한 빛샘을 방지하는 표시 장치 및 표시 장치의 수리 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 스캔선, 상기 스캔선에 평행한 스토리지선, 상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 교차하는 데이터선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선에 연결되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되고 상기 데이터선에 평행한 제1 줄기부, 상기 제1 트랜지스터에 연결되는 제1 접촉부 및 상기 제1 접촉부와 상기 제1 줄기부를 연결하는 제1 가지부를 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제2 트랜지스터 상에 배치되고 평면상 상기 스캔선을 사이에 두고 상기 제1 화소 전극으로부터 이격되며 상기 데이터선에 평행한 제2 줄기부, 상기 제2 트랜지스터에 연결되는 제2 접촉부 및 상기 제2 접촉부와 상기 제2 줄기부를 연결하는 제2 가지부를 포함하는 제2 화소 전극, 그리고 상기 기판과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치되고 상기 제2 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 패턴은 상기 스토리지선으로부터 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 패턴은 평면상 상기 제2 줄기부를 기준으로 대칭일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 제1 화소 전극 사이에 배치되고 상기 제1 가지부에 중첩하는 제2 패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 스토리지선은 상기 데이터선에 평행하게 연장되고 상기 제1 줄기부를 사이에 두고 서로 이격하는 제1 연장부 및 제2 연장부를 포함하고, 상기 제2 패턴은 상기 제1 연장부로부터 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 연장부로부터 연장되고 평면상 상기 제1 줄기부를 기준으로 상기 제2 패턴에 대칭적으로 배치되는 제3 패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 연결되는 제3 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 배향층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 배향층 상에 배치되는 공통 전극 및 상기 배향층과 상기 공통 전극 사이에 배치되는 액정층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 스캔선, 상기 스캔선에 평행한 스토리지선, 상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 교차하는 데이터선, 상기 스캔선에 연결되는 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되는 소스 전극 및 상기 소스 전극으로부터 이격되는 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터 상에 배치되고 상기 데이터선에 평행한 줄기부, 상기 드레인 전극에 연결되는 접촉부 및 상기 접촉부와 상기 줄기부를 연결하는 가지부를 포함하는 화소 전극, 그리고 상기 기판과 상기 화소 전극 사이에 배치되고 상기 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 패턴은 상기 스토리지선으로부터 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 패턴은 평면상 상기 줄기부를 기준으로 대칭일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 스토리지선은 상기 데이터선에 평행하게 연장되고 상기 줄기부를 사이에 두고 서로 이격하는 제1 연장부 및 제2 연장부를 포함하고, 상기 제1 패턴은 상기 제1 연장부로부터 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 연장부로부터 연장되고 평면상 상기 줄기부를 기준으로 상기 제1 패턴에 대칭적으로 배치되는 제2 패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 화소 전극 상에 배치되는 배향층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 기판, 상기 기판 상에 배치되는 스캔선, 상기 스캔선에 평행한 스토리지선, 상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 교차하는 데이터선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선에 연결되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되고 상기 데이터선에 평행한 제1 줄기부, 상기 제1 트랜지스터에 연결되는 제1 접촉부 및 상기 제1 접촉부와 상기 제1 줄기부를 연결하는 제1 가지부를 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제2 트랜지스터 상에 배치되고 평면상 상기 스캔선을 사이에 두고 상기 제1 화소 전극으로부터 이격되며 상기 데이터선에 평행한 제2 줄기부, 상기 제2 트랜지스터에 연결되는 제2 접촉부 및 상기 제2 접촉부와 상기 제2 줄기부를 연결하는 제2 가지부를 포함하는 제2 화소 전극, 및 상기 기판과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치되고 상기 제2 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함하는 표시 장치의 수리 방법은 상기 제2 가지부를 절단하여 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 트랜지스터의 연결을 차단하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 레이저를 이용하여 상기 제2 가지부를 절단할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 제1 화소 전극 사이에 배치되고 상기 제1 가지부에 중첩하는 제2 패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 수리 방법은 상기 제1 가지부를 절단하여 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 트랜지스터의 연결을 차단하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 레이저를 이용하여 상기 제1 가지부를 절단할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치가 기판과 화소 전극 사이에 배치되고 화소 전극의 줄기부와 접촉부를 연결하는 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함함에 따라, 제1 패턴이 배향층의 손상부를 통해 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 패널을 나타내는 블록도이다.
도 3은 도 2의 표시 패널의 화소를 나타내는 등가 회로도이다.
도 4는 도 2의 표시 패널의 화소를 나타내는 배치도이다.
도 5는 도 4의 화소에 포함되는 게이트 패턴을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 4의 화소에 포함되는 데이터 패턴을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 4의 화소에 포함되는 투명 도전 패턴을 나타내는 도면이다.
도 8은 도 4의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 수리 방법을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(100) 및 백라이트 유닛(BLU)을 포함할 수 있다. 표시 패널(1000)은 제1 표시판(200), 제2 표시판(300), 및 제1 표시판(200)과 제2 표시판(300) 사이에 배치되는 액정층(400)을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널(100)로 광(LT)을 제공할 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)이 제공하는 광(LT)은 백색 광 또는 특정 색의 광일 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)은 광(LT)을 생성하기 위한 발광 다이오드(LED)를 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)이 제공하는 광(LT)은 표시 패널(100)의 하부 면에 입사될 수 있다. 높은 광효율을 가지기 위하여 백라이트 유닛(BLU)은 프리즘 시트, 확산 시트, 반사 시트, 휘도 향상 필름 등의 다양한 광학 시트들을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 패널(100)을 나타내는 블록도이다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(100)은 표시부(110), 스캔 구동부(scan driver, 120), 데이터 구동부(data driver, 130), 및 타이밍 제어부(timing controller, 140)를 포함할 수 있다.
표시부(110)는 영상을 표시할 수 있다. 표시부(110)에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 화소들(PX)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 행렬 형태로 배열될 수 있다.
화소들(PX) 각각은 스캔선들(SL) 중 하나 및 데이터선들(DL) 중 하나에 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 스캔선들(SL)은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 또한, 데이터선들(DL)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 방향(DR1)은 행 방향이고, 제2 방향(DR2)은 열 방향일 수 있다.
스캔 구동부(120)는 타이밍 제어부(140)로부터 제공받은 제1 제어 신호(CONT1)에 기초하여 스캔 신호(SS)를 생성할 수 있다. 스캔 구동부(120)는 스캔 신호(SS)를 스캔선들(SL)을 통해 표시부(110)에 배치되는 화소들(PX)에 제공할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 스캔 구동부(120)는 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 스캔 구동부(120)는 집적 회로일 수도 있다.
데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(140)로부터 제2 제어 신호(CONT2) 및 영상 데이터(DATA)를 제공받을 수 있다. 데이터 구동부(130)는 제2 제어 신호(CONT2) 및 영상 데이터(DATA)에 기초하여 데이터 신호(DS)를 생성할 수 있다. 데이터 구동부(130)는 데이터 신호(DS)를 데이터선들(DL)을 통해 표시부(110)에 배치되는 화소들(PX)에 제공할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 데이터 구동부(130)는 시프트 레지스터(shift register), 래치(latch), 디지털-아날로그 변환부(digital-analog converter) 등을 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(140)는 외부로부터 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CS)를 제공받을 수 있다. 타이밍 제어부(140)는 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CS)를 표시부(110)의 동작 조건에 적합하도록 처리하여 영상 데이터(DATA), 제1 제어 신호(CONT1), 및 제2 제어 신호(CONT2)를 생성할 수 있다.
영상 신호(RGB)는 표시부(110)에 제공되는 계조 데이터를 포함할 수 있다. 또한, 제어 신호(CS)는 수평 동기 신호, 수직 동기 신호, 메인 클럭 신호 등을 포함할 수 있다. 상기 수평 동기 신호는 표시부(110)의 하나의 화소행을 표시하는데 걸리는 시간을 나타낼 수 있다. 상기 수직 동기 신호는 하나의 프레임(frame)의 영상을 표시하는데 걸리는 시간을 나타낼 수 있다. 상기 메인 클럭 신호는 타이밍 제어부(140)가 스캔 구동부(120) 및 데이터 구동부(130)에 동기화되어 신호들의 생성을 위한 기준이 되는 신호일 수 있다.
도 3은 도 2의 표시 패널(100)의 화소(PX)를 나타내는 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 화소(PX)는 스캔선(SL), 데이터선(DL), 및 스토리지선(RL)에 연결될 수 있다. 화소(PX)는 스캔선(SL), 데이터선(DL), 및 스토리지선(RL)으로부터 각각 스캔 신호(SS), 데이터 신호(DS), 및 스토리지 전압(Vst)을 제공받을 수 있다.
화소(PX)는 제1 트랜지스터(TR1), 제2 트랜지스터(TR2), 제3 트랜지스터(TR3), 제1 액정 커패시터(Clc1), 제2 액정 커패시터(Clc2), 제1 스토리지 커패시터(Cst1), 및 제2 스토리지 커패시터(Cst2)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1)는 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극, 및 제1 드레인 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극은 스캔선(SL)에 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극은 데이터선(DL)에 연결되고, 상기 제1 드레인 전극은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 스캔선(SL)으로부터 제공받은 스캔 신호(SS)에 기초하여 스위칭 동작을 수행하고, 데이터선(DL)으로부터 제공받은 데이터 신호(DS)를 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다.
제2 트랜지스터(TR2)는 제2 게이트 전극, 제2 소스 전극, 및 제2 드레인 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 게이트 전극은 스캔선(SL)에 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극은 데이터선(DL)에 연결되고, 상기 제2 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(TR2)는 스캔선(SL)으로부터 제공받은 스캔 신호(SS)에 기초하여 스위칭 동작을 수행하고, 데이터선(DL)으로부터 제공받은 데이터 신호(DS)를 제2 노드(N2)에 제공할 수 있다.
제3 트랜지스터(TR3)는 제3 게이트 전극, 제3 소스 전극, 및 제3 드레인 전극을 포함할 수 있다. 상기 제3 게이트 전극은 스캔선(SL)에 연결될 수 있다. 상기 제3 소스 전극은 스토리지선(RL)에 연결되고, 상기 제3 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(TR3)는 스캔선(SL)으로부터 제공받은 스캔 신호(SS)에 기초하여 스위칭 동작을 수행하고, 스토리지선(RL)으로부터 제공받은 스토리지 전압(Vst)을 제2 노드(N2)에 제공할 수 있다.
제1 액정 커패시터(Clc1)는 제1 노드(N1)와 공통 전압(Vcom)이 제공되는 공통 전극(도 8의 CE) 사이에 형성될 수 있다. 제2 액정 커패시터(Clc2)는 제2 노드(N2)와 공통 전압(Vcom)이 제공되는 공통 전극(CE) 사이에 형성될 수 있다.
제1 스토리지 커패시터(Cst1)는 제1 노드(N1)와 스토리지 전압(Vst)이 제공되는 스토리지선(RL) 사이에 형성될 수 있다. 제2 스토리지 커패시터(Cst2)는 제2 노드(N2)와 스토리지 전압(Vst)이 제공되는 스토리지선(RL) 사이에 형성될 수 있다.
스캔선(SL)에 게이트-온 전압이 인가되면, 제1 트랜지스터(TR1), 제2 트랜지스터(TR2), 및 제3 트랜지스터(TR3)가 턴-온될 수 있다. 이에 따라, 데이터선(DL)에 인가된 데이터 신호(DS)는 턴-온된 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)를 통해 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)에 각각 인가될 수 있다. 이 경우, 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)에 인가된 데이터 신호(DS)는 서로 같고, 제1 액정 커패시터(Clc1) 및 제2 액정 커패시터(Clc2)는 공통 전극(CE)에 인가되는 공통 전압(Vcom)과 데이터 신호(DS)의 차이에 대응하는 전압으로 충전될 수 있다. 이와 동시에, 턴-온된 제3 트랜지스터(TR3)를 통해 스토리지선(RL)으로부터 인가된 스토리지 전압(Vst)에 의해 제2 노드(N2)의 전압이 높아지거나 낮아지면서 제2 액정 커패시터(Clc2)에 충전된 전압과 제1 액정 커패시터(Clc1)에 충전된 전압이 서로 달라지게 된다.
제1 액정 커패시터(Clc1)의 상기 전압과 제2 액정 커패시터(Clc2)의 상기 전압이 서로 다르기 때문에, 제1 액정 커패시터(Clc1)가 형성되는 제1 부화소(SPX1)의 액정 분자들이 기울어진 각도와 제2 액정 커패시터(Clc2)가 형성되는 제2 부화소(SPX2)의 액정 분자들이 기울어진 각도가 서로 다르게 되고, 이에 따라, 제1 부화소(SPX1)의 휘도와 제2 부화소(SPX2)의 휘도가 서로 달라질 수 있다. 따라서, 제1 액정 커패시터(Clc1)의 상기 전압과 제2 액정 커패시터(Clc2)의 상기 전압을 적절하게 조절하면 측면에서 바라보는 영상이 정면에서 바라보는 영상에 최대한 가깝게 되도록 할 수 있으며, 이에 따라, 측면 시인성이 향상될 수 있다.
도 4는 도 2의 표시 패널(100)의 화소(PX)를 나타내는 배치도이다. 도 5는 도 4의 화소(PX)에 포함되는 게이트 패턴을 나타내는 도면이다. 도 6은 도 4의 화소(PX)에 포함되는 데이터 패턴을 나타내는 도면이다. 도 7은 도 4의 화소(PX)에 포함되는 투명 도전 패턴을 나타내는 도면이다. 도 8은 도 4의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 2, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 표시 패널(100)은 제1 표시판(200), 제2 표시판(300), 및 액정층(400)을 포함할 수 있다.
제1 표시판(200)과 제2 표시판(300)은 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 액정층(400)은 제1 표시판(200)과 제2 표시판(300) 사이에 개재될 수 있다. 액정층(400)은 복수의 액정 분자들(410)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 표시판(200)과 제2 표시판(300)은 실링 부재를 통해 합착될 수 있다.
제1 표시판(200)은 제1 기판(210), 게이트 패턴(GP), 게이트 절연층(220), 데이터 패턴(DP), 제1 패시베이션층(250), 컬러 필터(CF), 유기 절연층(260), 제2 패시베이션층(270), 투명 도전 패턴(TP), 및 제1 배향층(280)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 기판(210)은 투명 절연 기판일 수 있다. 상기 투명 절연 기판은 유리, 석영, 투광성 플라스틱 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 기판(210)은 플렉서블(flexible) 기판이거나 복수의 필름들이 적층된 구조일 수도 있다.
게이트 패턴(GP)은 제1 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 게이트 패턴(GP)은 스캔선(SL) 및 스토리지선(RL)을 포함할 수 있다.
스캔선(SL)은 대체적으로 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 스캔선(SL)은 제1 게이트 전극(GE1), 제2 게이트 전극(GE2), 및 제3 게이트 전극(GE3)을 포함할 수 있다.
스토리지선(RL)은 스캔선(SL)에 실질적으로 평행할 수 있다. 스토리지선(RL)은 스캔선(SL)과 같은 층에 배치될 수 있다. 스토리지선(RL)은 제1 화소 전극(PE1) 및 제2 화소 전극(PE2) 각각의 측부의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 스토리지선(RL)은 제1 화소 전극(PE1) 및 제2 화소 전극(PE2)의 우측부를 둘러싸는 제1 연장부(EP1) 및 제1 화소 전극(PE1) 및 제2 화소 전극(PE2)의 좌측부를 둘러싸는 제2 연장부(EP2)를 포함할 수 있다. 제1 연장부(EP1)와 제2 연장부(EP2)는 후술하는 제1 화소 전극(PE1)의 제1 줄기부(PE1a) 및 제2 화소 전극(PE2)의 제2 줄기부(PE2a)를 사이에 두고 서로 이격할 수 있다.
스토리지선(RL)은 제1 화소 전극(PE1) 및 제2 화소 전극(PE2) 각각의 적어도 일부에 중첩하도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 스토리지선(RL)은 제1 화소 전극(PE1) 및 제2 화소 전극(PE2) 각각의 적어도 일부에 중첩하는 제3 연장부(EP3)를 포함할 수 있다. 중첩하는 제3 연장부(EP3)와 제1 화소 전극(PE1)은 제1 스토리지 커패시터(Cst1)를 형성하고, 중첩하는 제3 연장부(EP3)와 제2 화소 전극(PE2)은 제2 스토리지 커패시터(Cst2)를 형성할 수 있다.
게이트 패턴(GP)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰디브데넘(Mo), 크로뮴(Cr), 타이타늄(Ti), 및 텅스텐(W) 중에서 선택되는 단일 막, 이들 중에서 두 개로 선택되는 이중 막, 또는 이들 중에서 세 개로 선택되는 삼중 막으로 형성될 수 있다. 게이트 패턴(GP)에 포함되는 스캔선(SL) 및 스토리지선(RL)은 서로 동일한 마스크 공정을 통해 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
게이트 절연층(220)은 게이트 패턴(GP) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 게이트 절연층(220)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등으로 형성될 수 있다. 게이트 절연층(220)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중 막 구조를 가질 수도 있다.
데이터 패턴(DP)은 게이트 절연층(220) 상에 배치될 수 있다. 데이터 패턴(DP)은 데이터선(DL), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 제3 소스 전극(SE3), 제3 드레인 전극(DE3), 및 반도체층(230)을 포함할 수 있다. 반도체층(230) 중 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1) 사이에는 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 채널 영역(CH1)이 형성되고, 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2) 사이에는 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 채널 영역(CH2)이 형성되며, 제3 소스 전극(SE3)과 제3 드레인 전극(DE3) 사이에는 제3 트랜지스터(TR3)의 제3 채널 영역(CH3)이 형성될 수 있다.
반도체층(230)은 게이트 절연층(220) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 반도체층(230)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 반도체층(230)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있다. 반도체층(230)이 상기 산화물 반도체로 형성되는 경우에, 반도체층(230)은 IGZO, ZnO, ZnO2, CdO, SrO, SrO2, CaO, CaO2, MgO, MgO2, InO, In2O2, GaO, Ga2O, Ga2O3, SnO, SnO2, GeO, GeO2, PbO, Pb2O3, Pb3O4, TiO, TiO2, Ti2O3, 및 Ti3O5을 포함하는 산화물 반도체 중에서 선택되는 적어도 하나로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 데이터 패턴(DP)은 저항성 접촉층(240)을 더 포함할 수 있다. 저항성 접촉층(240)은 반도체층(230) 상에 배치될 수 있다. 저항성 접촉층(240)은 인(phosphorus)과 같은 n형 불순물이 고농도로 도핑되는 n+ 수소화 비정질 실리콘 등의 물질로 형성되거나 실리사이드(silicide)로 형성될 수 있다. 다만, 반도체층(230)이 산화물 반도체로 형성되는 경우에는, 저항성 접촉층(240)이 생략될 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 데이터 패턴(DP)이 저항성 접촉층(240)을 포함하는 것으로 설명한다.
데이터선(DL), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 제3 소스 전극(SE3), 및 제3 드레인 전극(DE3)은 게이트 절연층(220) 및 저항성 접촉층(240) 상에 배치될 수 있다. 데이터선(DL)은 대체적으로 제2 방향(DR2)으로 연장되며 스캔선(SL) 및 스토리지선(RL)에 교차할 수 있다.
제1 소스 전극(SE1)은 데이터선(DL)으로부터 돌출되어 적어도 일부가 제1 게이트 전극(GE1)에 중첩할 수 있다. 제1 드레인 전극(DE1)은 적어도 일부가 제1 게이트 전극(GE1)에 중첩하고, 제1 소스 전극(SE1)으로부터 이격될 수 있다.
도 4 및 도 6에는 제1 소스 전극(SE1)이 'U'의 평면 형상을 가지고, 제1 드레인 전극(DE1)이 제1 소스 전극(SE1)에 의해 둘러싸인 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 및 제1 채널 영역(CH1)은 제1 트랜지스터(TR1)를 형성할 수 있다.
제2 소스 전극(SE2)은 데이터선(DL)으로부터 돌출되어 적어도 일부가 제2 게이트 전극(GE2)에 중첩할 수 있다. 제2 드레인 전극(DE2)은 적어도 일부가 제2 게이트 전극(GE2)에 중첩하고, 제2 소스 전극(SE2)으로부터 이격될 수 있다. 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 및 제2 채널 영역(CH2)은 제2 트랜지스터(TR2)를 형성할 수 있다.
제3 소스 전극(SE3)은 연결 패턴(CP)에 의해 스토리지선(RL)에 전기적으로 연결되고, 적어도 일부가 제3 게이트 전극(GE3)에 중첩할 수 있다. 제3 드레인 전극(DE3)은 적어도 일부가 제3 게이트 전극(GE3)에 중첩하고, 제3 소스 전극(SE3)으로부터 이격될 수 있다. 제3 게이트 전극(GE3), 제3 소스 전극(SE3), 제3 드레인 전극(DE3), 및 제3 채널 영역(CH3)은 제3 트랜지스터(TR3)를 형성할 수 있다.
데이터 패턴(DP)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰디브데넘(Mo), 크로뮴(Cr), 타이타늄(Ti), 및 텅스텐(W) 중에서 선택되는 단일 막, 이들 중에서 두 개로 선택되는 이중 막, 또는 이들 중에서 세 개로 선택되는 삼중 막으로 형성될 수 있다. 데이터 패턴(DP)에 포함되는 데이터선(DL), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 제3 소스 전극(SE3), 제3 드레인 전극(DE3), 반도체층(230), 및 저항성 접촉층(240)은 서로 동일한 마스크 공정을 통해 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
제1 패시베이션층(250)은 데이터 패턴(DP) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 패시베이션층(250)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등의 무기 절연물로 형성될 수 있다. 제1 패시베이션층(250)은 유기 절연층(260)의 안료가 반도체층(230)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
컬러 필터(CF)는 제1 패시베이션층(250) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터(CF)를 통과한 광은 적색(red), 녹색(green), 청색(blue) 등과 같은 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 다만, 컬러 필터(CF)를 통과한 광의 표시 색이 상기 기본색으로 한정되는 것은 아니고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 노란색(yellow), 및 백색(white) 중 어느 하나를 표시할 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 컬러 필터(CF)는 제1 방향(DR1)으로 인접하는 화소마다 서로 다른 색을 표시하는 물질로 형성될 수 있고, 제2 방향(DR2)으로 인접하는 화소마다 같은 색을 표시하는 물질로 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 다른 실시예에 있어서, 컬러 필터(CF)는 방향에 관계 없이 인접하는 화소마다 서로 다른 색을 표시하는 물질로 형성될 수도 있다. 도 8에는 컬러 필터(CF)가 제1 표시판(200)에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 이와 다르게 컬러 필터(CF)는 제2 표시판(300)에 배치될 수도 있다.
유기 절연층(260)은 제1 패시베이션층(250) 및 컬러 필터(CF) 상에 배치될 수 있다. 유기 절연층(260)은 평탄화 특성이 우수하고, 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질을 포함할 수 있다. 유기 절연층(260)은 생략될 수도 있다.
제2 패시베이션층(270)은 유기 절연층(260) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 패시베이션층(270)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등의 무기 절연물로 형성될 수 있다. 제2 패시베이션층(270)은 생략될 수도 있다.
제1 패시베이션층(250), 컬러 필터(CF), 유기 절연층(260), 및 제2 패시베이션층(270)에는 제1 컨택홀(CNT1), 제2 컨택홀(CNT2), 및 제3 컨택홀(CNT3)이 형성될 수 있다. 제1 컨택홀(CNT1)은 제1 드레인 전극(DE1)의 적어도 일부에 중첩할 수 있다. 제2 컨택홀(CNT2)은 제2 드레인 전극(DE2)의 적어도 일부에 중첩할 수 있다. 제3 컨택홀(CNT3)은 스토리지선(RL)의 제3 연장부(EP3)의 적어도 일부 및 제3 소스 전극(SE3)의 적어도 일부에 중첩할 수 있다.
투명 도전 패턴(TP)은 제2 패시베이션층(270) 상에 배치될 수 있다. 투명 도전 패턴(TP)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 투명 도전 물질은 다결정, 단결정, 또는 비정질의 ITO(indium tin oxide)를 포함할 수 있다.
투명 도전 패턴(TP)은 제1 화소 전극(PE1), 제2 화소 전극(PE2), 및 연결 패턴(CP)을 포함할 수 있다. 제1 화소 전극(PE1), 제2 화소 전극(PE2), 및 연결 패턴(CP)은 서로 동일한 층에 배치되고, 물리적 및 전기적으로 서로 절연될 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 노출되는 제1 드레인 전극(DE1)에 직접 접촉할 수 있다. 또한, 제1 화소 전극(PE1)은 공통 전극(CE)에 중첩할 수 있다. 이에 따라, 서로 중첩하는 제1 화소 전극(PE1)과 공통 전극(CE)은 제1 액정 커패시터(Clc1)를 형성할 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 데이터선(DL)과 실질적으로 평행하게 제2 방향(DR2)으로 연장되는 제1 줄기부(PE1a), 제1 드레인 전극(DE1)에 연결되는 제1 접촉부(PE1b), 및 제1 접촉부(PE1b)와 제1 줄기부(PE1a)를 연결하는 제1 가지부(PE1c)를 포함할 수 있다.
제1 접촉부(PE1b)는 제1 컨택홀(CNT1)에 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다. 따라서, 제1 화소 전극(PE1)의 제1 접촉부(PE1b)는 제1 컨택홀(CNT1)에 의해 노출되는 제1 드레인 전극(DE1)에 직접 연결될 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)의 제1 줄기부(PE1a), 제1 접촉부(PE1b), 및 제1 가지부(PE1c)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 줄기부(PE1a), 제1 접촉부(PE1b), 및 제1 가지부(PE1c)는 같은 전위를 가질 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 노출되는 제2 드레인 전극(DE2)에 직접 접촉할 수 있다. 또한, 제2 화소 전극(PE2)은 공통 전극(CE)에 중첩할 수 있다. 이에 따라, 서로 중첩하는 제2 화소 전극(PE2)과 공통 전극(CE)은 제2 액정 커패시터(Clc2)를 형성할 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 평면상 스캔선(SL)을 사이에 두고 제1 화소 전극(PE1)으로부터 이격될 수 있다. 다시 말해, 스캔선(SL)은 평면상 제1 화소 전극(PE1)과 제2 화소 전극(PE2) 사이에 위치할 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 데이터선(DL)과 실질적으로 평행하게 제2 방향(DR2)으로 연장되는 제2 줄기부(PE2a), 제2 드레인 전극(DE2)에 연결되는 제2 접촉부(PE2b), 및 제2 접촉부(PE2b)와 제2 줄기부(PE2a)를 연결하는 제2 가지부(PE2c)를 포함할 수 있다.
제2 접촉부(PE2b)는 제2 컨택홀(CNT2)에 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다. 따라서, 제2 화소 전극(PE2)의 제2 접촉부(PE2b)는 제2 컨택홀(CNT2)에 의해 노출되는 제2 드레인 전극(DE2)에 직접 연결될 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)의 제2 줄기부(PE2a), 제2 접촉부(PE2b), 및 제2 가지부(PE2c)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2 줄기부(PE2a), 제2 접촉부(PE2b), 및 제2 가지부(PE2c)는 같은 전위를 가질 수 있다.
연결 패턴(CP)은 제3 컨택홀(CNT3)을 통해 노출되는 스토리지선(RL)의 제3 연장부(EP3) 및 제3 소스 전극(SE3)에 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라, 제3 소스 전극(SE3)은 연결 패턴(CP)을 통해 스토리지선(RL)의 제3 연장부(EP3)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 배향층(280)은 투명 도전 패턴(TP) 상에 배치될 수 있다. 제1 배향층(280)은 액정층(400) 내의 액정 분자들(410)의 초기 배향을 유도할 수 있다.
제1 표시판(200)은 제1 패턴(PT1), 제2 패턴(PT2), 및 제3 패턴(PT3)을 포함할 수 있다.
제1 패턴(PT1)은 제1 기판(210)과 제2 화소 전극(PE2) 사이에 배치되고, 제2 화소 전극(PE2)의 제2 가지부(PE2c)에 중첩할 수 있다. 제1 패턴(PT1)은 화소(PX)를 수리하기 위하여 제2 화소 전극(PE2)의 제2 가지부(PE2c)를 절단하는 과정에서 제1 배향층(280)이 손상되더라도 제1 배향층(280)을 통해 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 패턴(PT1)은 스토리지선(RL)으로부터 연장될 수 있다. 예를 들면, 제1 패턴(PT1)은 스토리지선(RL)으로부터 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 패턴(PT1)은 평면상 제2 화소 전극(PE2)의 제2 줄기부(PE2a)를 기준으로 대칭일 수 있다. 다시 말해, 평면상 제2 줄기부(PE2a)의 우측에 위치하는 제1 패턴(PT1)의 제1 부분과 평면상 제2 줄기부(PE2a)의 좌측에 위치하는 제1 패턴(PT1)의 제2 부분은 제2 줄기부(PE2a)를 기준으로 대칭일 수 있다. 이 경우, 제1 패턴(PT1)의 상기 제1 부분의 길이, 폭, 형상, 또는 면적은 각각 제1 패턴(PT1)의 상기 제2 부분의 길이, 폭, 형상, 또는 면적과 실질적으로 같을 수 있다.
제2 패턴(PT2)은 제1 기판(210)과 제1 화소 전극(PE1) 사이에 배치되고, 제1 화소 전극(PE1)의 제1 가지부(PE1c)에 중첩할 수 있다. 제2 패턴(PT2)은 화소(PX)를 수리하기 위하여 제1 화소 전극(PE1)의 제1 가지부(PE1c)를 절단하는 과정에서 제1 배향층(280)이 손상되더라도 제1 배향층(280)을 통해 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 패턴(PT2)은 스토리지선(RL)의 제1 연장부(EP1)로부터 연장될 수 있다. 예를 들면, 제2 패턴(PT2)은 스토리지선(RL)의 제1 연장부(EP1)로부터 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다.
제3 패턴(PT3)은 제1 기판(210)과 제1 화소 전극(PE1) 사이에 배치되고, 스토리지선(RL)의 제2 연장부(EP2)로부터 연장될 수 있다. 예를 들면, 제3 패턴(PT3)은 스토리지선(RL)의 제2 연장부(EP2)로부터 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 패턴(PT2)과 제3 패턴(PT3)은 평면상 제1 화소 전극(PE1)의 제1 줄기부(PE1a)를 기준으로 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 패턴(PT2)의 길이, 폭, 형상, 또는 면적은 각각 제3 패턴(PT3)의 길이, 폭, 형상, 또는 면적과 실질적으로 같을 수 있고, 평면상 제1 줄기부(PE1a)로부터 제2 패턴(PT2)까지의 거리는 평면상 제1 줄기부(PE1a)로부터 제3 패턴(PT3)까지의 거리와 실질적으로 같을 수 있다.
제2 표시판(300)은 제2 기판(310), 블랙 매트릭스(BM), 평탄화층(320), 공통 전극(CE), 및 제2 배향층(330)을 포함할 수 있다.
제2 기판(310)은 제1 기판(210)에 대향하도록 배치될 수 있다. 제2 기판(310)은 투명 절연 기판일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 기판(310)은 제1 기판(210)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 제2 기판(310) 상에 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 비활성 영역에서 제1 방향(DR1)을 따라 배치될 수 있다. 상기 비활성 영역은 제2 방향(DR2)으로 인접하는 화소들 사이의 경계로서 제1 화소 전극(PE1) 및 제2 화소 전극(PE2)이 배치되지 않는 영역일 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 스캔선(SL)에 중첩하도록 배치될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 상기 비활성 영역에 광이 투과되는 것을 차단할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 블랙 매트릭스(BM)는 감광성 조성물, 유기물, 금속성 물질 등으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 감광성 조성물은 바인더 수지, 중합성 모노머, 중합성 올리고머, 안료, 분산제 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속성 물질은 크로뮴(Cr) 등을 포함할 수 있다.
제1 방향(DR1)으로 인접하는 화소들 사이에는 제2 방향(DR2)으로 연장되는 블랙 매트릭스(BM)가 배치되지 않을 수 있다. 제1 방향(DR1)으로 인접하는 상기 화소들 사이의 간격을 조절하여 블랙 매트릭스(BM) 없이도 제1 방향(DR1)으로 인접하는 상기 화소들 사이로 광이 통과되지 않도록 액정 배향을 조정할 수 있다.
평탄화층(320)은 블랙 매트릭스(BM) 상에 배치될 수 있다. 평탄화층(320)은 공통 전극(CE)에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 평탄화층(320)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있다.
공통 전극(CE)은 평탄화층(320) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)의 적어도 일부는 제1 화소 전극(PE1)에 중첩하고, 공통 전극(CE)의 적어도 다른 일부는 제2 화소 전극(PE2)에 중첩할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 공통 전극(CE)은 ITO, IZO 등의 투명 도전 물질이나 알루미늄(Al), 은(Ag), 크로뮴(Cr), 이들의 합금 등의 반사성 금속으로 형성될 수 있다.
공통 전극(CE) 상에는 제2 배향층(330)이 배치될 수 있다. 제2 배향층(330)은 액정층(400) 내의 액정 분자들(410)의 초기 배향을 유도할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 배향층(330)은 제1 배향층(280)과 실질적으로 같은 물질로 형성될 수 있다.
액정층(400)은 복수의 액정 분자들(410)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 액정 분자들(410)은 음의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 수직 배향될 수 있다. 액정 분자들(410)은 상기 초기 배향 상태에서 소정의 선 경사(pretilt) 각도를 가질 수도 있다. 액정 분자들(410)의 초기 배향은 제1 배향층(280) 및 제2 배향층(330)에 의해 유도될 수 있다. 제1 표시판(200)과 제2 표시판(300) 사이에 전계가 형성되면, 액정 분자들(410)은 특정 방향으로 기울어지거나 회전함으로써 액정층(400)을 투과하는 광의 편광 상태를 변화시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법을 나타내는 도면이다.
어느 화소에 불량이 발생한 경우에 불량이 발생한 화소를 수리함으로써, 불량이 발생한 상기 화소가 블랙 상태를 유지할 수 있다. 구체적으로, 불량이 발생한 상기 화소의 화소 전극에 인가되는 데이터 신호를 차단하여 불량이 발생한 상기 화소가 시인되지 않을 수 있다.
도 4, 도 8, 및 도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법에 있어서, 제1 절단선(CL1)을 따라 제2 화소 전극(PE2)의 제2 가지부(PE2c)를 절단하여 제2 화소 전극(PE2)과 제2 트랜지스터(TR2)의 연결을 차단할 수 있다. 제2 가지부(PE2c)를 절단함에 따라 제2 화소 전극(PE2)의 제2 줄기부(PE2a)와 제2 접촉부(PE2b)가 단절되고, 제2 화소 전극(PE2)에 데이터 신호가 인가되지 않음으로써 제2 화소 전극(PE2)이 전기적으로 플로팅(floating) 상태가 될 수 있다. 이에 따라, 제2 화소 전극(PE2)과 공통 전극(CE) 사이의 액정 분자들(410)이 초기 배열 상태를 유지하여, 불량 화소가 시인되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 가지부(PE2c)는 레이저를 이용하여 절단될 수 있다. 상기 레이저를 이용하여 제2 가지부(PE2c)를 절단하는 경우에 제2 화소 전극(PE2) 상에 배치되는 제1 배향층(280)이 손상되어 제1 배향층(280)의 손상부를 통해 빛샘이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치가 제2 가지부(PE2c)에 중첩하는 제1 패턴(PT1)을 포함함에 따라, 제1 패턴(PT1)이 백라이트 유닛(도 1의 BLU)으로부터 제1 배향층(280) 입사되는 광을 차단할 수 있고, 이에 따라, 제1 배향층(280)의 손상부를 통해 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법에 있어서, 제2 절단선(CL2)을 따라 제1 화소 전극(PE1)의 제1 가지부(PE1c)를 절단하여 제1 화소 전극(PE1)과 제1 트랜지스터(TR1)의 연결을 차단할 수 있다. 제1 가지부(PE1c)를 절단함에 따라 제1 화소 전극(PE1)의 제1 줄기부(PE1a)와 제1 접촉부(PE1b)가 단절되고, 제1 화소 전극(PE1)에 데이터 신호가 인가되지 않음으로써 제1 화소 전극(PE1)이 전기적으로 플로팅(floating) 상태가 될 수 있다. 이에 따라, 제1 화소 전극(PE1)과 공통 전극(CE) 사이의 액정 분자들(410)이 초기 배열 상태를 유지하여, 불량 화소가 시인되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 가지부(PE1c)는 레이저를 이용하여 절단될 수 있다. 상기 레이저를 이용하여 제1 가지부(PE1c)를 절단하는 경우에 제1 화소 전극(PE1) 상에 배치되는 제1 배향층(280)이 손상되어 제1 배향층(280)의 손상부를 통해 빛샘이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치가 제1 가지부(PE1c)에 중첩하는 제2 패턴(PT2)을 포함함에 따라, 제2 패턴(PT2)이 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제1 배향층(280)에 입사되는 광을 차단할 수 있고, 이에 따라, 제1 배향층(280)의 손상부를 통해 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 수리 방법에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
210: 기판 280: 배향층
400: 액정층 CE: 공통 전극
DL: 데이터선 PE1: 제1 화소 전극
PE1a: 제1 줄기부 PE1b: 제1 접촉부
PE1c: 제1 가지부 PE2: 제2 화소 전극
PE2a: 제2 줄기부 PE2b: 제2 접촉부
PE2c: 제2 가지부 PT1: 제1 패턴
PT2: 제2 패턴 PT3: 제3 패턴
RL: 스토리지선 SL: 스캔선
TR1: 제1 트랜지스터 TR2: 제2 트랜지스터
TR3: 제3 트랜지스터

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 스캔선;
    상기 스캔선에 평행한 스토리지선;
    상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 교차하는 데이터선;
    상기 스캔선 및 상기 데이터선에 연결되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 데이터선에 평행한 제1 줄기부, 상기 제1 트랜지스터에 연결되는 제1 접촉부, 및 상기 제1 접촉부와 상기 제1 줄기부를 연결하는 제1 가지부를 포함하는 제1 화소 전극;
    상기 제2 트랜지스터 상에 배치되고, 평면상 상기 스캔선을 사이에 두고 상기 제1 화소 전극으로부터 이격되며, 상기 데이터선에 평행한 제2 줄기부, 상기 제2 트랜지스터에 연결되는 제2 접촉부, 및 상기 제2 접촉부와 상기 제2 줄기부를 연결하는 제2 가지부를 포함하는 제2 화소 전극; 및
    상기 기판과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 패턴은 상기 스토리지선으로부터 연장되는, 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 패턴은 평면상 상기 제2 줄기부를 기준으로 대칭인, 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 화소 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 가지부에 중첩하는 제2 패턴을 더 포함하는, 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 스토리지선은 상기 데이터선에 평행하게 연장되고 상기 제1 줄기부를 사이에 두고 서로 이격하는 제1 연장부 및 제2 연장부를 포함하고,
    상기 제2 패턴은 상기 제1 연장부로부터 연장되는, 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 연장부로부터 연장되고, 평면상 상기 제1 줄기부를 기준으로 상기 제2 패턴에 대칭적으로 배치되는 제3 패턴을 더 포함하는, 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 연결되는 제3 트랜지스터를 더 포함하는, 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극 및 상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 배향층을 더 포함하는, 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 배향층 상에 배치되는 공통 전극; 및
    상기 배향층과 상기 공통 전극 사이에 배치되는 액정층을 더 포함하는, 표시 장치.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 스캔선;
    상기 스캔선에 평행한 스토리지선;
    상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 교차하는 데이터선;
    상기 스캔선에 연결되는 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되는 소스 전극, 및 상기 소스 전극으로부터 이격되는 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;
    상기 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 데이터선에 평행한 줄기부, 상기 드레인 전극에 연결되는 접촉부, 및 상기 접촉부와 상기 줄기부를 연결하는 가지부를 포함하는 화소 전극; 및
    상기 기판과 상기 화소 전극 사이에 배치되고, 상기 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함하는, 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 패턴은 상기 스토리지선으로부터 연장되는, 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 패턴은 평면상 상기 줄기부를 기준으로 대칭인, 표시 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 스토리지선은 상기 데이터선에 평행하게 연장되고 상기 줄기부를 사이에 두고 서로 이격하는 제1 연장부 및 제2 연장부를 포함하고,
    상기 제1 패턴은 상기 제1 연장부로부터 연장되는, 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 연장부로부터 연장되고, 평면상 상기 줄기부를 기준으로 상기 제1 패턴에 대칭적으로 배치되는 제2 패턴을 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 화소 전극 상에 배치되는 배향층을 더 포함하는, 표시 장치.
  16. 기판, 상기 기판 상에 배치되는 스캔선, 상기 스캔선에 평행한 스토리지선, 상기 스캔선 및 상기 스토리지선에 교차하는 데이터선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선에 연결되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되고 상기 데이터선에 평행한 제1 줄기부, 상기 제1 트랜지스터에 연결되는 제1 접촉부 및 상기 제1 접촉부와 상기 제1 줄기부를 연결하는 제1 가지부를 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제2 트랜지스터 상에 배치되고 평면상 상기 스캔선을 사이에 두고 상기 제1 화소 전극으로부터 이격되며 상기 데이터선에 평행한 제2 줄기부, 상기 제2 트랜지스터에 연결되는 제2 접촉부 및 상기 제2 접촉부와 상기 제2 줄기부를 연결하는 제2 가지부를 포함하는 제2 화소 전극, 및 상기 기판과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치되고 상기 제2 가지부에 중첩하는 제1 패턴을 포함하는 표시 장치의 수리 방법에 있어서,
    상기 제2 가지부를 절단하여 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 트랜지스터의 연결을 차단하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 수리 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    레이저를 이용하여 상기 제2 가지부를 절단하는, 표시 장치의 수리 방법.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 제1 화소 전극 사이에 배치되고 상기 제1 가지부에 중첩하는 제2 패턴을 더 포함하는, 표시 장치의 수리 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 가지부를 절단하여 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 트랜지스터의 연결을 차단하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치의 수리 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    레이저를 이용하여 상기 제1 가지부를 절단하는, 표시 장치의 수리 방법.
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