JP2020166001A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示の不具合の発生を抑制する。【解決手段】本開示の表示装置は、第1の方向に配列された第1、第2の画素電極を含む第1の画素行と、第1の方向に配列された第3、第4の画素電極を含み、第2の方向において第1の画素行と隣り合う第2の画素行と、第1の方向に配列された第5、第6の画素電極を含み、第2の方向において第2の画素行と隣り合う第3の画素行と、第1、第2の画素電極間、第3、第4の画素電極間、及び第5、第6の画素電極間において、第2の方向に延伸する第1、第2のソース線と、第1、第2の画素行間において、第1の方向に延伸する第1のゲート線と、第2、第3の画素行間において、第1の方向に延伸する第2のゲート線と、第2の画素行の端部で、第1、第2のゲート線間を接続する第1の端部接続配線と、第2の画素行を横切り、第1、第2のゲート線間を接続する1以上の第1の交差接続配線と、を含む。【選択図】図2
Description
本発明は、表示装置に関する。
下記特許文献1に記載の液晶表示装置は、第1の方向に延伸する複数のゲート線と、第1の方向に交差する第2の方向に延伸する複数のソース線と、を備えている。隣り合う2本のゲート線と、隣り合う2本のソース線と、により囲まれた領域に画素電極が配置されており、複数の画素電極が第1の方向、及び第2の方向に配列されている。各画素電極は、ゲート線、及びソース線と電気的に接続されている。
特許文献1に開示された構成では、暗線が発生することが課題となっていた。即ち、上記従来の構成においては、ゲート線の一部に断線が生じた場合、当該ゲート線に接続された複数の画素電極にはゲート信号が供給されず、暗線が発生してしまい、表示に不具合が生じていた。
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示の不具合の発生を抑制することにある。
本開示に係る表示装置は、第1の方向に配列された第1の画素電極、第2の画素電極を含む第1の画素行と、前記第1の方向に配列された第3の画素電極、第4の画素電極を含み、前記第1の方向に交差する第2の方向において前記第1の画素行と隣り合う第2の画素行と、前記第1の方向に配列された第5の画素電極、第6の画素電極を含み、前記第2の方向において前記第2の画素行と隣り合う第3の画素行と、前記第1の画素電極と前記第2の画素電極の間、前記第3の画素電極と前記第4の画素電極の間、及び前記第5の画素電極と前記第6の画素電極の間において、前記第2の方向に延伸する第1のソース線、第2のソース線と、前記第1の画素行と前記第2の画素行との間において、前記第1の方向に延伸する第1のゲート線と、前記第2の画素行と前記第3の画素行との間において、前記第1の方向に延伸する第2のゲート線と、前記第2の画素行の端部で、前記第1のゲート線と前記第2のゲート線とを接続する第1の端部接続配線と、前記第2の画素行を横切り、前記第1のゲート線と前記第2のゲート線とを接続する1以上の第1の交差接続配線と、を含む。
本開示に係る表示装置の構成によれば、表示の不具合の発生を抑制することができる。
本開示の第1の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。以下では、表示装置100として液晶表示装置を例に挙げて説明するが、本発明に係る表示装置は、液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機EL(エレクトロルミネセンス)表示装置等であってもよい。
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の概略構成を示す平面図である。表示装置100は、主に、表示パネル200と、表示パネル200の背面側に配置されるバックライト(図示せず)とを含んで構成されている。表示パネル200は、領域で大別すると、画像を表示する表示領域300と、表示領域300の外側周囲に位置する額縁領域400とを含む。
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の概略構成を示す平面図である。表示装置100は、主に、表示パネル200と、表示パネル200の背面側に配置されるバックライト(図示せず)とを含んで構成されている。表示パネル200は、領域で大別すると、画像を表示する表示領域300と、表示領域300の外側周囲に位置する額縁領域400とを含む。
額縁領域400の一辺には、複数のソース線にソース信号を供給するソースドライバ410が配置されており、額縁領域400の他の一辺には、複数のゲート線にゲート信号を供給するゲートドライバ420が配置されている。なお、本実施形態においてはソースドライバ410と、ゲートドライバ420とが、互いに交差する方向に延伸する二辺に配置される構成を例に挙げるが、ソースドライバ410が配置される一辺と、ゲートドライバ420が配置される一辺とが、互いに対向する構成としてもよい。また、ソースドライバ410と、ゲートドライバ420とが、共通する一辺に配置される構成としてもよい。
図2は、本実施形態における表示パネル200の画素領域の概略構成を示す回路図である。
図2に示すように、表示装置100は、複数のゲート線GL(GL1、GL2、GL3、GL4等)と、各ゲート線GLにゲート信号を供給するゲートドライバ420と、を含む。各ゲート線GLは、ゲートドライバ420に接続され、第1の方向に延伸する。より具体的には、複数のゲート線GLは、第1の方向に交差する第2の方向に略等間隔に配置され、複数の画素間を横切るよう、第1の方向に延伸する。
また、図2に示すように、表示装置100は、複数のソース線SL(SL1、SL2、SL3、SL4等)と、各ソース線SLにソース信号を供給するソースドライバ410と、を含む。各ソース線SLは、ソースドライバ410に接続され、複数の画素間を横切るよう、第2の方向に延伸する。より具体的には、各画素間において2本のソース線SLが第2の方向に延伸する構成となっている。
表示パネル200の表示領域300には、複数のゲート線GL及び複数のソース線SLによって区画された複数の画素領域がマトリクス状に配置されている。表示パネル200は、図2に示すように、複数の画素領域に形成された複数の画素電極PE(PE1、PE2、PE3、PE4、PE5、PE6、PE7、PE8、PE9、PE10等)と、該複数の画素電極PEに対応する共通電極CEと、各ゲート線GL及び各ソース線SLの交差部近傍に形成された複数の薄膜トランジスタTFTとを含んでいる。共通電極CEには、共通電位が供給されている。
図2に示すように、第1の方向に配列された複数の画素電極PEの群が画素行PR(PR1、PR2、PR3、PR4等)を構成している。本実施形態においては、第1の方向に配列された第1の画素電極PE1、及び第2の画素電極PE2を含む画素行を第1の画素行PR1とし、第1の方向に配列された第3の画素電極PE3、及び第4の画素電極PE4を含む画素行を第2の画素行PR2とし、第1の方向に配列された第5の画素電極PE5、及び第6の画素電極PE6を含む画素行を第3の画素行PR3とし、第1の方向に配列された第7の画素電極PE7、及び第8の画素電極PE8を含む画素行を第4の画素行PR4とし、第1の方向に配列された第9の画素電極PE9、及び第10の画素電極PE10を含む画素行を第5の画素行PR5とする。第1の画素行PR1、第2の画素行PR2、第3の画素行PR3、第4の画素行PR4、及び第5の画素行PR5は、第2の方向に順に配置されている。そのため、第2の画素行PR2は、第2の方向において第1の画素行PR1と隣り合い、第3の画素行PR3は、第2の方向において第2の画素行PR2と隣り合い、第4の画素行PR4は、第2の方向において第3の画素行PR3と隣り合い、第5の画素行PR5は、第2の方向において第4の画素行PR4と隣り合う。
また、図2に示すように、第2の方向に配列された複数の画素電極PEの群が画素列PC(PC1、PC2等)を構成している。本実施形態においては、第2の方向に配列された第1の画素電極PE1、第3の画素電極PE3、第5の画素電極PE5、第7の画素電極PE7、及び第9の画素電極PE9を含む画素列を第1の画素列PC1とし、第2の方向に配列された第2の画素電極PE2、第4の画素電極PE4、第6の画素電極PE6、第8の画素電極PE8、及び第10の画素電極PE10を含む画素列を第2の画素列PC2とする。第1の画素列PC1と第2の画素列PC2は第1の方向において隣り合っている。
第1のソース線SL1と第2のソース線SL2は、第1の画素列PC1と第2の画素列PC2の間において、第2の方向に延伸している。即ち、第1のソース線SL1と第2のソース線SL2は、第1の画素電極PE1と第2の画素電極PE2の間、第3の画素電極PE3と第4の画素電極PE4の間、第5の画素電極PE5と第6の画素電極PE6の間、第7の画素電極PE7と第8の画素電極PE8の間、及び第9の画素電極PE9と第10の画素電極PE10の間において、第2の方向に延伸している。第1のソース線SL1は、第2のソース線SL2よりも第1の画素列PC1に近い位置に配置され、第2のソース線SL2は、第1のソース線SL1よりも第2の画素列PC2に近い位置に配置されている。即ち、第1のソース線SL1は、第2のソース線SL2よりも第1の画素電極PE1に近い位置に配置され、第2のソース線SL2は、第1のソース線SL1よりも第2の画素電極PE2に近い位置に配置されている。
第3の画素電極PE3、及び第7の画素電極PE7は、薄膜トランジスタTFTを介して、第1のソース線SL1と電気的に接続され、第2の画素電極PE2、第6の画素電極PE6、及び第10の画素電極PE10は、薄膜トランジスタTFTを介して、第2のソース線SL2と電気的に接続されている。
第1の画素列PC1の左側には、第2の方向に延伸する第3のソース線SL3が配置されており、第3のソース線SL3は、第1のソース線SL1と共に第1の画素列PC1を挟むように配置されている。第1の画素電極PE1、第5の画素電極PE5、及び第9の画素電極PE9は、薄膜トランジスタTFTを介して、この第3のソース線SL3と電気的に接続されている。
第2の画素列PC2の右側には、第2の方向に延伸する第4のソース線SL4が配置されており、第4のソース線SL4は、第2のソース線SL2と共に第2の画素列PC2を挟むように配置されている。第4の画素電極PE4、及び第8の画素電極PE8は、薄膜トランジスタTFTを介して、この第4のソース線SL4と電気的に接続されている。
第1のゲート線GL1は、第1の画素行PR1と第2の画素行PR2との間、即ち第1の画素電極PE1と第3の画素電極PE3との間、及び第2の画素電極PE2と第4の画素電極PE4との間において、第1の方向に延伸している。第2のゲート線GL2は、第2の画素行PR2と第3の画素行PR3との間、即ち第3の画素電極PE3と第5の画素電極PE5との間、及び第4の画素電極PE4と第6の画素電極PE6との間において、1の方向に延伸している。第3のゲート線GL3は、第3の画素行PR3と第4の画素行PR4との間、即ち第5の画素電極PE5と第7の画素電極PE7との間、及び第6の画素電極PE6と第8の画素電極PE8との間において、第1の方向に延伸している。第4のゲート線GL4は、第4の画素行PR4と第5の画素行PR5との間、即ち第7の画素電極PE7と第9の画素電極PE9との間、及び第8の画素電極PE8と第10の画素電極PE10との間において、第1の方向に延伸している。
第1の画素電極PE1と第2の画素電極PE2は、薄膜トランジスタTFTを介して、第1のゲート線GL1と電気的に接続され、第3の画素電極PE3と第4の画素電極PE4は、薄膜トランジスタTFTを介して、第2のゲート線GL2と電気的に接続されている。第5の画素電極PE5と第6の画素電極PE6は、薄膜トランジスタTFTを介して、第3のゲート線GL3と電気的に接続され、第7の画素電極PE7と第8の画素電極PE8は、薄膜トランジスタTFTを介して、第4のゲート線GL4と電気的に接続されている。
第2の画素行PR2の端部において、第1のゲート線GL1と第2のゲート線GL2とは、第1の端部接続配線ECW1により接続されており、ゲートドライバ420から、共通のゲート信号が供給される。同様に、第4の画素行PR4の端部において、第3のゲート線GL3と第4のゲート線GL4とは、第2の端部接続配線ECW2により接続されており、ゲートドライバ420から、共通のゲート信号が供給される。
このような構成とすることにより、高精細、大画面の表示装置においても、各画素において所望の明るさを再現することが可能となる。通常、高精細の表示装置においては、1本当たりのゲート線GLにゲート信号を供給する書き込み時間が短くなってしまう。即ち、ゲート信号のパルス幅が小さくなってしまう。また、大画面の表示装置においては、ゲート抵抗・容量の増加に伴う遅延により、十分な書き込みができなくなる可能性がある。この課題に対し、上述のように2本のゲート線GLに共通のゲート信号を入力する構成とすることにより、上述した書き込み時間を2倍にすることができ、ゲート信号のパルス幅を2倍にすることができる。その結果として、高精細、大画面の表示装置においても、各画素において所望の明るさを再現することができる。
更に、本実施形態においては、上述したような構成において、表示装置100が、第2の画素行PR2を横切り、第1のゲート線GL1と第2のゲート線GL2とを接続する1以上の第1の交差接続配線CCW1を更に含む。このような構成とすることにより、暗線の発生を抑制することができる。例えば、第1のゲート線GL1か第2のゲート線GL2のいずれかに断線が発生した場合においても、第1のゲート線GL1と第2のゲート線GL2とを接続する1以上の第1の交差接続配線CCW1を含むことにより、この第1の交差接続配線CCW1を介してゲート信号を供給することができ、その結果として、暗線の発生を抑制することができ、表示の不具合の発生を抑制することができる。
同様に、本実施形態においては、表示装置100が、第4の画素行PR4を横切り、第3のゲート線GL3と第4のゲート線GL4とを接続する1以上の第2の交差接続配線CCW2を更に含む。このような構成とすることにより、例えば、第3のゲート線GL3か第4のゲート線GL4のいずれかに断線が発生した場合においても、第3のゲート線GL3と第4のゲート線GL4とを接続する1以上の第2の交差接続配線CCW2を介してゲート信号を供給することができ、その結果として、暗線の発生を抑制することができる。
図3は、本実施形態における画素電極と交差接続配線との配置関係を示す模式的な平面図である。図3に示すように、第1の画素電極PE1と第3の画素電極PE3との間には第1のゲート線GL1が第1の方向に延伸するよう配置されており、第1のゲート線GL1と第1の画素電極PE1とは、薄膜トランジスタTFTを介して電気的に接続されている。また、第3の画素電極PE3と第2のゲート線GL2とは、薄膜トランジスタTFTを介して電気的に接続されている。第3の画素電極PE3と第4の画素電極PE4との間には、第1のソース線SL1と第2のソース線SL2とが第2の方向に延伸するよう配置されている。そして、図3に示す例においては、第1の交差接続配線CCW1の少なくとも一部が、第1のソース線SL1と第2のソース線SL2との間と、平面視で重畳する構成となっている。
この図3に示す例においては、ブラックマトリクスBMを、第1の方向において隣り合う二つの画素電極PE間、及び第2の方向において隣り合う二つの画素電極PE間と平面視で重畳するように配置する。
図4は、図3に示すA−A’線における断面を示す模式的な断面図である。表示パネル200は、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板230と、表示面側に配置され、薄膜トランジスタ基板230に対向する対向基板240と、薄膜トランジスタ基板230及び対向基板240の間に挟持される液晶層250と、を含んでいる。
薄膜トランジスタ基板230は、ガラス基板231と、このガラス基板231の表示面側に形成されたゲート絶縁膜237を含む。ガラス基板231の表示面側には、第1の交差接続配線CCW1が形成されており、ゲート絶縁膜237が、第1の交差接続配線CCW1を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜237の表示面側には第1のソース線SL1、第2のソース線SL2が形成されており、第1の絶縁膜232が、第1のソース線SL1、第2のソース線SL2を覆うように形成されている。ここで、上述したように、第1の交差接続配線CCW1の少なくとも一部が、第1のソース線SL1と第2のソース線SL2との間と、平面視で重畳する構成となっている。
第1の絶縁膜232の表示面側には、第2の絶縁膜233が形成されており、第2の絶縁膜233の表示面側には、共通電極CEが形成されている。共通電極CEの表示面側には、共通電位を供給する共通電極配線CMTが接続されている。共通電極CE、及び共通電極配線CMTの表示面側には、第3の絶縁膜234が形成されており、第3の絶縁膜234の表示面側には、第3の画素電極PE3と第4の画素電極PE4が形成されている。第3の絶縁膜234、第3の画素電極PE3、及び第4の画素電極PE4の表示面側には、配向膜235が形成されている。ガラス基板231の背面側には偏光板236が形成されている。
対向基板240は、ガラス基板241上に形成されたブラックマトリクスBM、カラーフィルタCFを含む。更に、対向基板240は、ブラックマトリクスBM、カラーフィルタCFの背面側を覆うように設けられたオーバーコート膜242と、オーバーコート膜242の背面側に設けられた配向膜243とを含む。ガラス基板241の表示面側には、偏光板244が形成されている。
なお、上述の説明では、図2、3、4に示したように、第1の交差接続配線CCW1の少なくとも一部が、第1のソース線SL1と第2のソース線SL2との間と、平面視で重畳する例を示したが、本発明はそのような実施例に限定されない。
図5は、本実施形態の他の実施例における画素電極と交差接続配線との配置関係を示す模式的な平面図である。図5に示す例においては、画素電極PEを挟むように、2本のゲート線GLが第1の方向に延伸するよう配置されている。そして、2本のゲート線GLを接続する交差接続配線CCWが、画素電極PEと平面視で重畳するよう配置されている。
図5に示す例においては、画素電極PEが、第1の方向に対して第1の角度θ1の傾きで延伸する第1の領域AR1と、第1の方向に対して第1の角度θ1とは異なる第2の角度θ2の傾きで延伸する第2の領域AR2と、を有しており、第1の領域AR1と第2の領域AR2との境界で画素電極PEが屈曲する構成を有している。そして、交差接続配線CCWが、当該境界領域と平面視で重畳する構成としている。
この第1の領域AR1と第2の領域AR2とでは、電界をかけたときの液晶の回転の向きが逆転する。そのため、第1の領域AR1と第2の領域AR2の境界では、電界をかけても、液晶は回転せず、画素の開口率に寄与しない領域となっている。従って、この開口率に寄与しない境界領域に平面視で重畳するように交差接続配線CCWを配置しても、交差接続配線CCWの存在により開口率を下げることが無いため望ましい。
また、図4に示すように、薄膜トランジスタ基板230に垂直な方向において、交差接続配線CCW(CCW1)とソース線SL(SL1、SL2)との距離は、交差接続配線CCW(CCW1)と画素電極PE(PE3、PE4)との距離よりも近い。そのため、図5に示すように、薄膜トランジスタ基板230に平行な方向において、ソース線SLの配置位置と交差接続配線CCWの配置位置とを離す構成とすることによって、図3に示した構成よりも、ソース線SLと交差接続配線CCWとの間における寄生容量の発生を抑制することができる。
この図5に示す例においては、ブラックマトリクスBMを、第1の方向において隣り合う二つの画素電極PE間、及び第2の方向において隣り合う二つの画素電極PE間のみならず、画素電極PEにおける第1の領域AR1と第2の領域AR2との境界領域とも平面視で重畳するように配置している。
図6は、本実施形態における表示装置に含まれる画素電極PE、ゲート線GL、及び交差接続配線CCWの配置関係を示す模式図である。なお、図6においては、ソース線SLの表示を省略している。
図6に示すように、本実施形態における表示装置100は、第1の方向に互いに並走する複数の画素行PR(PRA、PRB、PRC、PRD、PRE、PRF、PRG)と、第1の方向に互いに並走し、複数の画素行PRの内、隣り合う二つの画素行PR間を延伸する複数のゲート線GL(GLA、GLB、GLC、GLD、GLE、GLF)と、を含む。各画素行PRは、第1の方向に配列された複数の画素電極PEを含む。そして、複数の画素行PRのいずれかを横切り、第2の方向において隣り合う二つのゲート線GL間を接続する複数の交差接続配線CCWを更に含む。
複数の画素行PRは、複数の交差接続配線CCWと平面視で重畳する画素行PRと、複数の交差接続配線CCWと平面視で重畳しない画素行PRと、を交互に含む。例えば、画素行PRA、PRC、PRE、PRGは、交差接続配線CCWと平面視で重畳しておらず、画素行PRB、PRD、PRFは、交差接続配線CCWと平面視で重畳している。画素行PRBを挟むように配置されたゲート線GLA、GLBには共通のゲート信号が伝達され、画素行PRDを挟むように配置されたゲート線GLC、GLDには共通のゲート信号が伝達され、画素行PRFを挟むように配置されたゲート線GLE、GLFには共通のゲート信号が伝達されている。
ここで、図6に示すように、複数のゲート線GLのそれぞれに接続される交差接続配線CCWの本数が等しい構成とすることが望ましい。例えば、図6に示す範囲においては、ゲート線GLA、GLBに接続される交差接続配線CCWの本数、ゲート線GLC、GLDに接続される交差接続配線CCWの本数、ゲート線GLE、GLFに接続される交差接続配線CCWの本数は、それぞれ2本としている。このような構成とすることにより、各画素行PRにおいて発生する寄生容量、及び各画素行PRにおける抵抗値をそろえることができ、表示パネル200内における表示ムラの発生を抑制することができる。
図2に示した例においては、第1のゲート線GL1、第2のゲート線GL2と接続される第1の交差接続配線CCW1の本数と、第3のゲート線GL3、第4のゲート線GL4と接続される第2の交差接続配線CCW2の本数とが同じ構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、第2の画素行PR2において発生する寄生容量と、第4の画素行PR4において発生する寄生容量と、をそろえることができ、また、第2の画素行PR2における抵抗値と、第4の画素行PR4において発生する抵抗値と、をそろえることができる。その結果として、表示パネル200内における表示ムラの発生を抑制することができる。
また、図6に示すように、本実施形態における表示装置100は、第2の方向に互いに並走する複数の画素列PC(PCA、PCB、PCC、PCD、PCE、PCF)を含む。各画素列PCは、第2の方向に配列された複数の画素電極PEを含む。
ここで、図6に示すように、隣り合う二つの画素列PC間に配置された交差接続配線CCWの本数が等しい構成とすることが望ましい。例えば、画素列PCAと画素列PCBとの間に配置された交差接続配線CCWの本数が、画素列PCBと画素列PCCとの間に配置された交差接続配線CCWの本数と等しい構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、各画素列PC間において発生する寄生容量をそろえることができ、表示パネル200内における表示ムラの発生を抑制することができる。
なお、図5に示したように、交差接続配線CCWが画素電極PEと平面視で重畳する構成においては、各画素列PCと平面視で重畳する交差接続配線CCWの本数が等しい構成とすることが望ましい。具体例としては、第1の画素列PC1と平面視で重畳する交差接続配線CCWの本数が、第2の画素列PC2と平面視で重畳する交差接続配線CCWの本数と等しい構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、各画素列PCにおいて発生する寄生容量をそろえることができ、表示パネル200内における表示ムラの発生を抑制することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
100 表示装置、200 表示パネル、300 表示領域、400 額縁領域、410 ソースドライバ、420 ゲートドライバ、230 薄膜トランジスタ基板、231 ガラス基板、232 第1の絶縁膜、233 第2の絶縁膜、234 第3の絶縁膜、235 配向膜、236 偏光板、237 ゲート絶縁膜、240 対向基板、241 ガラス基板、242 オーバーコート膜、243 配向膜、244 偏光板、250 液晶層、θ1 第1の角度、θ2 第2の角度、GL ゲート線、GL1 第1のゲート線、GL2 第2のゲート線、GL3 第3のゲート線、GL4 第4のゲート線、SL ソース線、SL1 第1のソース線、SL2 第2のソース線、SL3 第3のソース線、SL4 第4のソース線、PE 画素電極、PE1 第1の画素電極、PE2 第2の画素電極、PE3 第3の画素電極、PE4 第4の画素電極、PE5 第5の画素電極、PE6 第6の画素電極、PE7 第7の画素電極、PE8 第8の画素電極、PE9 第9の画素電極、PE10 第10の画素電極、PR 画素行、PR1 第1の画素行、PR2 第2の画素行、PR3 第3の画素行、PR4 第4の画素行、PR5 第5の画素行、PC 画素列、PC1 第1の画素列、PC2 第2の画素列、ECW1 第1の端部接続配線、ECW2 第2の端部接続配線、CCW 交差接続配線、CCW1 第1の交差接続配線、CCW2 第2の交差接続配線、AR1 第1の領域、AR2 第2の領域、TFT 薄膜トランジスタ、CMT 共通電極配線、CE 共通電極、BM ブラックマトリクス、CF カラーフィルタ。
Claims (11)
- 第1の方向に配列された第1の画素電極、第2の画素電極を含む第1の画素行と、
前記第1の方向に配列された第3の画素電極、第4の画素電極を含み、前記第1の方向に交差する第2の方向において前記第1の画素行と隣り合う第2の画素行と、
前記第1の方向に配列された第5の画素電極、第6の画素電極を含み、前記第2の方向において前記第2の画素行と隣り合う第3の画素行と、
前記第1の画素電極と前記第2の画素電極の間、前記第3の画素電極と前記第4の画素電極の間、及び前記第5の画素電極と前記第6の画素電極の間において、前記第2の方向に延伸する第1のソース線、第2のソース線と、
前記第1の画素行と前記第2の画素行との間において、前記第1の方向に延伸する第1のゲート線と、
前記第2の画素行と前記第3の画素行との間において、前記第1の方向に延伸する第2のゲート線と、
前記第2の画素行の端部で、前記第1のゲート線と前記第2のゲート線とを接続する第1の端部接続配線と、
前記第2の画素行を横切り、前記第1のゲート線と前記第2のゲート線とを接続する1以上の第1の交差接続配線と、を含む、
表示装置。 - 前記第1の交差接続配線の少なくとも一部は、前記第1のソース線と前記第2のソース線との間と、平面視で重畳する、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1の交差接続配線は、前記第3の画素電極と、平面視で重畳する、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第3の画素電極は、
前記第1の方向に対して第1の角度の傾きで延伸する第1の領域と、
前記第1の方向に対して前記第1の角度とは異なる第2の角度の傾きで延伸する第2の領域と、を有し、
前記第1の交差接続配線は、前記第1の領域と前記第2の領域との境界と、平面視で重畳する、
請求項3に記載の表示装置。 - 前記第1の方向に配列された第7の画素電極、第8の画素電極を含む第4の画素行と、
前記第1の方向に配列された第9の画素電極、第10の画素電極を含む第5の画素行と、
前記第3の画素行と前記第4の画素行との間において、前記第1の方向に延伸する第3のゲート線と、
前記第4の画素行と前記第5の画素行との間において、前記第1の方向に延伸する第4のゲート線と、
前記第4の画素行の端部で、前記第3のゲート線と前記第4のゲート線とを接続する第2の端部接続配線と、
前記第4の画素行を横切り、前記第3のゲート線と前記第4のゲート線とを接続する1以上の第2の交差接続配線と、を更に含み、
前記第1の交差接続配線の数と前記第2の交差接続配線の数が等しい、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1の画素行、前記第2の画素行、及び前記第3の画素行を含み、前記第1の方向に互いに並走する複数の画素行と、
前記第1のゲート線、前記第2のゲート線を含み、前記第1の方向に互いに並走し、前記複数の画素行の内、隣り合う二つの画素行間を延伸する複数のゲート線と、
前記第1の交差接続配線を含み、前記複数の画素行のいずれかを横切り、前記第2の方向において隣り合う二つのゲート線間を接続する複数の交差接続配線と、を更に含む、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記複数の画素行は、
前記複数の交差接続配線と平面視で重畳する画素行と、
前記複数の交差接続配線と平面視で重畳しない画素行と、を交互に含む、
請求項6に記載の表示装置。 - 前記複数のゲート線のそれぞれに接続される前記交差接続配線の数が等しい、
請求項6に記載の表示装置。 - 前記第2の方向に配列された前記第1の画素電極、前記第3の画素電極、及び前記第5の画素電極を含む第1の画素列と、
前記第2の方向に配列された前記第2の画素電極、前記第4の画素電極、及び前記第6の画素電極を含み、前記第1の方向において前記第1の画素列と隣り合う第2の画素列と、を更に含み、
前記第1の画素列と平面視で重畳する前記交差接続配線の数が、前記第2の画素列と平面視で重畳する前記交差接続配線の数と等しい、
請求項6に記載の表示装置。 - 前記第2の方向に配列された前記第1の画素電極、前記第3の画素電極、及び前記第5の画素電極を含む第1の画素列と、
前記第2の方向に配列された前記第2の画素電極、前記第4の画素電極、及び前記第6の画素電極を含み、前記第1の方向において前記第1の画素列と隣り合う第2の画素列と、
前記第2の方向に配列された複数の画素電極を含み、前記第1の方向において前記第2の画素列と隣り合う第3の画素列と、を更に含み、
前記第1の画素列と前記第2の画素列との間に配置された前記交差接続配線の数と、前記第2の画素列と前記第3の画素列との間に配置された前記交差接続配線の数とが等しい、
請求項6に記載の表示装置。 - 前記第1のソース線は、前記第2のソース線よりも前記第1の画素電極に近い位置に配置され、
前記第2のソース線は、前記第1のソース線よりも前記第2の画素電極に近い位置に配置された、
請求項1に記載の表示装置。
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