KR20170110696A - 액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법 - Google Patents

액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170110696A
KR20170110696A KR1020177024793A KR20177024793A KR20170110696A KR 20170110696 A KR20170110696 A KR 20170110696A KR 1020177024793 A KR1020177024793 A KR 1020177024793A KR 20177024793 A KR20177024793 A KR 20177024793A KR 20170110696 A KR20170110696 A KR 20170110696A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film transistor
electrode
data line
line
Prior art date
Application number
KR1020177024793A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101989724B1 (ko
Inventor
주이 왕
Original Assignee
센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20170110696A publication Critical patent/KR20170110696A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101989724B1 publication Critical patent/KR101989724B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133357—Planarisation layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136268—Switch defects
    • G02F2001/136263—
    • G02F2001/13629—
    • G02F2001/136295—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
    • G02F2201/508—Pseudo repairing, e.g. a defective part is brought into a condition in which it does not disturb the functioning of the device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법과 다크 스폿 작업 방법에 있어서, 액정 디스플레이를 포함하고, 하부 기판에 하부 공통 전극(13), 스캔 라인(11), 데이터 라인(12), 픽셀 전극(15) 및 박막 전기 트랜지스터(14)가 더 설치되어 있으며, 박막 전기 트랜지스터(14)의 게이트는 스캔 라인(11)과 연결되고, 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극은 데이터 라인(12)과 연결되며, 박막 전기 트랜지스터(14)의 드레인 전극은 픽셀 전극(15)과 연결된다. 여기서, 하부 공통 전극(13)에 연신부(131)가 설치되어 있고, 데이터 라인(12) 및 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극의 연결 라인(132)은 연신부(131)와 이격되게 오버랩되며, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 데이터 라인(12)과 소스 전극의 연결 라인(132)을 차단하고, 연신부(131)와 소스 전극의 연결 라인(132)을 도통한다.

Description

액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법
본 발명은 디스플레이 기술분야에 관한 것으로서, 특히는 액정 디스플레이 장치 및 그 액정 디스플레이에 관한 것이며, 액정 디스플레이 제조 방법과 상기 액정 디스플레이의 다크 스폿 작업 방법에 관한 것이기도 하다.
도 1a는 VA형 액정 디스플레이 패널 픽셀 구조 횡단면도이고, 픽셀은 통상적으로 스캔 라인((Gate)1), 데이터 라인((Data)2), 공통 전극(Com), TFT(4), 픽셀 전극(5) 등 부분으로 이루어진다. 여기서 TFT(Thin Film Transistor, 박막 트랜지스터)는, 픽셀 구동에서 스위치의 역할을 하는 바, 데이터 라인(Data) 신호를 픽셀 전극(5)에 기입하도록 하기 위해 필요할 경우 켜고 기타 시간에는 오프 상태를 유지한다. 실제 생산에서 금속 잔류, 이물질 등 요소로 인해 TFT의 단락을 초래하기에, 스위치 기능을 상실할 수 있어 픽셀이 휘점으로 디스플레이되고, 이때 통상적으로 픽셀에 대해 다스 스폿 처리를 진행한다.
도 1a 내지 도 1c에 도시된 바와 같이, 우선 TFT를 데이터 라인 및 픽셀 전극과 단절시키고(도면 중의×는 단절을 표시함), 다음 레이저(Laser)를 사용하여 A방향을 따라 픽셀 전극과 하부 기판 공통 전극(Acom)의 교차 위치를 조사하며, 고열하에 양자를 함께 용융시켜 도통을 실현하고(도면에서 기호 6은 레이저 도통을 표시함), 이로써 픽셀은 다크 스폿으로 디스플레이된다. 그러나 COA(Color Filter On Array, 컬러 필터 어레이) 또는 Organic 플랫층(유기 플랫층) 등 공정을 사용할 경우, 픽셀 전극과 하부 기판 공통 전극 사이에 한층의 매우 두꺼운 절연 매체가 증가되는데, 일반적인 다크 스폿 방법을 사용한다면, 별도의 두꺼운 절연층을 극복하기 위해 레이저 출력을 증가시켜야 하므로 보수 난이도가 증가하게 된다. 그리고 레이저 출력이 증가되어 온도는 높아지고, 컬러 레지스트와 픽셀 전극은 더욱 높은 온도하에서 폭발되어 뒤집어질 수 있어, 픽셀 전극의 형태가 변화되어 액정 얼라인먼트에 이상이 발생하는 동시에 흩어진 파편들은 플레그멘탈 휘점 문제가 용이하게 발생하여 다스 스폿이 실패하게 된다.
본 발명이 주요하게 해결하고자 하는 기술적 과제는 액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법을 제공하여, 다크 스폿 작업 시, 컬러 레지스트과 ITO층이 용이하게 폭발되어 뒤집어지고, 플레그멘탈 휘점이 용이하게 발생하는 등 문제를 해결하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서 사용하는 기술적 해결수단은, 액정 디스플레이 장치를 제공하는 것인 바, 액정 디스플레이를 포함하고, 액정 디스플레이는 상부 기판, 하부 기판 및 액정층을 포함하며, 상부 기판에 상부 공통 전극이 설치되어 있고; 상부 기판에 상부 공통 전극이 설치되어 있으며; 하부 기판은 상부 기판과 마주하여 설치되고, 하부 공통 전극이 설치되어 있으며, 하부 기판은 COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 형성되고; 액정층은 상부 기판과 하부 기판 사이에 설치되며; 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 더 설치되어 있고, 박막 전기 트랜지스터의 게이트는 스캔 라인과 연결되며, 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극은 데이터 라인과 연결되고, 박막 전기 트랜지스터의 드레인 전극은 픽셀 전극과 연결되며, 픽셀 전극은 데이터 라인과 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 일측에 설치되고, 연신부는 데이터 라인과 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 타측에 설치되며; 여기서, 하부 공통 전극에 연신부가 설치되어 있고, 데이터 라인 및 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인은 연신부와 이격되게 오버랩되며, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 데이터 라인과 소스 전극의 연결 라인을 차단하고, 연신부와 소스 전극의 연결 라인은 도통된다.
여기서, 연신부는 절연되고 연결 라인의 상방 또는 하방에 이격되게 오버랩된다.
여기서, 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층이 더 설치되어 있다.
여기서, 하부 기판은 COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 형성된다.
여기서, 픽셀 전극과 절연층 사이에 컬러 레지스트층 또는 플랫층이 설치되어 있다.
여기서, 픽셀 전극과 상부 공통 전극은 저장 커패시터를 형성한다.
여기서, 픽셀 전극과 하부 공통 전극은 액정 커패시터를 형성한다.
여기서, 액정 디스플레이 장치는 상기의 액정 디스플레이를 포함한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서 사용하는 기술적 해결수단은, 액정 디스플레이를 제공하는 바, 상부 기판, 하부 기판 및 액정층을 포함하고, 상부 기판에 상부 공통 전극이 설치되어 있으며; 하부 기판은 상부 기판과 마주하여 설치되고, 하부 공통 전극이 설치되어 있으며, 액정층은 상부 기판과 하부 기판 사이에 설치되며; 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 더 설치되어 있고, 박막 전기 트랜지스터의 게이트는 스캔 라인과 연결되며, 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극은 데이터 라인과 연결되고, 박막 전기 트랜지스터의 드레인 전극은 픽셀 전극과 연결되며; 여기서, 하부 공통 전극에 연신부가 설치되어 있고, 데이터 라인 및 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인은 연신부와 이격되게 오버랩되며, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 데이터 라인과 소스 전극의 연결 라인을 차단하고, 연신부와 소스 전극의 연결 라인을 도통시킨다.
여기서, 연신부는 절연되고 연결 라인의 상방 또는 하방에 이격되게 오버랩된다.
여기서, 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층이 더 설치되어 있다.
여기서, 하부 기판은 COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 형성된다.
여기서, 픽셀 전극과 절연층 사이에 컬러 레지스트층 또는 플랫층이 설치되어 있다.
여기서, 픽셀 전극과 상부 공통 전극은 저장 커패시터를 형성한다.
여기서, 픽셀 전극과 하부 공통 전극은 액정 커패시터를 형성한다.
여기서, 픽셀 전극은 데이터 라인과 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 일측에 설치되고, 연신부는 데이터 라인과 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 타측에 설치되며.
여기서, 액정 디스플레이 장치는 상기의 액정 디스플레이를 포함한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서 사용하는 다른 일 기술적 해결수단은, 액정 디스플레이의 제조 방법을 제공하는 것인 바, 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 하부 공통 전극을 형성하는 단계에서, 여기서 하부 공통 전극은 연신부를 구비하는 형성 단계; 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 데이터 라인을 형성하는 단계; 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 스캔 라인을 형성하는 단계에서, 여기서, 스캔 라인과 데이터 라인은 절연 교차하여 어레이 사각형을 형성하는 형성 단계; 사각형의 일각에 박막 전기 트랜지스터를 형성하는 단계에서, 여기서, 박막 전기 트랜지스터의 게이트는 스캔 라인과 연결되며, 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극은 데이터 라인과 연결되고, 박막 전기 트랜지스터의 드레인 전극은 픽셀 전극과 연결되며, 데이터 라인 및 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인은 연신부와 이격되게 오버랩되며; 데이터 라인과 스캔 라인이 절연 교차하는 일측에 픽셀 전극을 형성하는 형성 단계를 포함한다.
여기서, 데이터 라인과 스캔 라인이 절연 교차된 일측에 픽셀 전극을 형성하는 단계 이전에, 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층을 설치하는 단계를 더 포함한다.
여기서, 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층을 설치하는 단계 이후에, COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 픽셀 전극과 절연층 사이에 각각 컬러 레지스트층 또는 플랫층이 형성되어 있는 단계를 더 포함한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서 사용하는 다른 일 기술적 해결수단은, 액정 디스플레이 다크 스폿 작업 방법을 제공하는 것인 바, 상기 액정 디스플레이에 대해 다크 스폿 작업을 진행하고, 데이터 라인과 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인을 차단하는 단계; 연신부와 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극을 도통하는 단계를 포함한다.
본 발명의 유익한 효과는 하기와 같다. 선행기술에 구별되게, 본 발명의 액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법은 하부 공통 전극에 연신부가 설치되어 있고, 데이터 라인 및 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인은 연신부와 이격되게 오버랩되며, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 데이터 라인과 소스 전극의 연결 라인을 차단하도록 하고, 레이저로 연신부와 소스 전극의 연결 라인을 도통하여, 픽셀 전극의 전압과 하부 공통 전극의 전압이 동일하고 또한 상부 공통 전극의 전압과 동일하도록 함으로써, 대응되는 액정 분자의 편향 광 전달이 발생하지 않고 다크 스폿 작업을 완성하며, 작동이 간편하고, 다크 스폿 작업 난이도가 낮으며, 다크 스폿 작업에 의해 초래되는 플레그멘탈 휘점 문제를 방지하여, 제품 수리율 및 산출율을 향상시킨다.
본 발명의 실시예 중의 기술적 해결수단을 더욱 분명하게 설명하기 위해, 이하 실시예에 대한 서술에서 사용해야 할 도면을 간단하게 소개하며, 자명한 것은, 이하 서술되는 도면은 단지 본 발명의 일부 실시예로서, 본 기술분야의 통상의 기술자에게 있어서, 진보성 창출에 힘쓰지 않는 전제하에서, 이러한 도면에 따라 기타 도면을 획득할 수 있는 바, 여기서:
도 1a은 VA형 액정 디스플레이 패널 픽셀 구조 횡단면도이다.
도 1b는 VA형 액정 디스플레이 패널의 부분적인 등가 회로도이다.
도 1c는 VA형 액정 디스플레이 패널의 부분적인 구조 정면도이다.
도 2는 본 발명의 액정 디스플레이 픽셀 구조의 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 액정 디스플레이의 픽셀 구조의 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 액정 디스플레이의 정면도이다.
도 5는 본 발명의 액정 디스플레이의 제조 방법의 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 액정 디스플레이 다크 스폿 작업 방법 흐름도이다.
이하, 도면과 실시예를 결부하여 본 발명을 상세하게 설명하도록 한다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 도 2는 본 발명의 액정 디스플레이 픽셀 구조의 횡단면도이고, 도 3은 본 발명의 액정 디스플레이의 픽셀 구조의 등가 회로도이며, 도 4는 본 발명의 액정 디스플레이의 정면도이다.
본 발명의 액정 디스플레이는 상부 기판(미도시), 하부 기판 및 액정층(미도시)을 포함하고, 상부 기판에 상부 공통 전극이 설치되어 있으며(미도시), 하부 기판은 상부 기판과 마주하여 설치되고, 하부 공통 전극(13)이 설치되어 있으며, 액정층은 상부 기판과 하부 기판 사이에 설치된다.
본 발명의 하부 기판에 스캔 라인(11), 데이터 라인(12), 픽셀 전극(15) 및 박막 전기 트랜지스터(14)가 더 설치되어 있고, 박막 전기 트랜지스터(14)의 게이트는 스캔 라인(11)과 연결되며, 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극은 데이터 라인(12)과 연결되고, 박막 전기 트랜지스터(14)의 드레인 전극은 픽셀 전극(15)과 연결된다. 여기서, 하부 공통 전극(13)에 연신부(131)가 설치되어 있고, 데이터 라인(12) 및 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극의 연결 라인은 연신부(131)와 이격되게 오버랩되며, 연신부(131)는 절연되고 연결 라인(132)의 상방 또는 하방에 이격되게 오버랩되며, 구체적으로, 연신부(131)는 하부 공통 전극(13)으로부터 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극을 향해 연신되고, 그 말단은 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극에 근접하며, 데이터 라인(12)과 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극의 연결 라인(132)의 상방 또는 하방에 설치되고, 연결 라인(132)과 연신부(131) 사이에 서로 절연된다. 픽셀 전극(15)과 상부 공통 전극은 저장 커패시터(Cst)를 형성하고, 픽셀 전극(15)과 하부 공통 전극(13)은 액정 커패시터(Clc)를 형성하며, 픽셀 전극(15)은 데이터 라인(12)과 스캔 라인(11)이 절연 교차된 곳(111)의 일측에 설치되고, 연신부(131)는 데이터 라인(12)과 스캔 라인(11)이 절연 교차된 곳(111)의 타측에 설치되며, 구체적으로, 절연 교차된 곳(111)은 연신부(131)와 픽셀 전극(15)이 이격 설치되도록 하고, 연신부(131)와 연결 라인(132)이 이격되게 오버랩된 곳은 픽셀 전극(15)과 중첩되지 않으며 이격 설치되어, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 레이저가 픽셀 전극(15)에 대한 영향을 감소시킨다.
기타 실시예에 있어서, 하부 기판에 순차적으로 적층되는 절연층(18) 및 컬러 레지스트층(19)이 더 설치되어 있고, 스캔 라인(11), 데이터 라인(12), 픽셀 전극(15) 및 박막 전기 트랜지스터(14)는 절연층(18)에 설치되어 각 부분이 서로 절연되고, 컬러 레지스트층(19)을 픽셀 전극(15)과 절연층(18) 사이에 설치되도록 하며, 실시예에 있어서, 픽셀 전극(15)과 절연층(18) 사이에 컬러 레지스트층(19)을 설치하지 않고, 플랫층을 설치할 수 있으며, 컬러 레지스트층(19)은 COA 공정을 사용하여 하부 기판에 형성될 수 있고, 플랫층은 Organic 플랫층 공정을 사용하여 하부 기판에 형성될 수 있다.
도 2 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 데이터 라인(12)과 소스 전극의 연결 라인(132)을 차단하고(도면에서 × 표기는 다크 스폿 작업을 진행할 경우 단절되는 것을 표시함), 연신부(131)와 소스 전극의 연결 라인(132)을 도통하며(도면에서 기호 16은 레이저를 사용하여 두 개의 서로 절연된 라인을 도통하는 것을 표시함), 픽셀 전극(15)의 전압과 하부 공통 전극(13)의 전압이 동일하도록 하고 또한 상부 공통 전극의 전압과 동일하도록 하며, 대응되는 액정 분자의 편향 광 전달이 발생하지 않고 다크 스폿 작업을 완성한다.
본 발명은 액정 디스플레이 장치를 더 제공하는 것인 바, 이는 상기의 액정 디스플레이를 포함한다.
도 5를 참조하면, 도 5는 본 발명의 액정 디스플레이의 제조 방법의 흐름도이고, 본 발명의 액정 디스플레이의 제조 방법은 하기의 단계를 포함한다.
S10: 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 하부 공통 전극(13)을 형성한다.
여기서, 하부 공통 전극(13)은 연신부(131)를 구비한다.
S20: 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 데이터 라인(12)을 형성한다.
S30: 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 스캔 라인(11)을 형성한다.
여기서, 스캔 라인(11)과 데이터 라인(12)은 절연 교차하여 어레이 사각형을 형성한다.
S40: 사각형의 일각에 박막 전기 트랜지스터(14)를 형성한다.
여기서, 박막 전기 트랜지스터(14)의 게이트는 스캔 라인(11)과 연결되며, 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극은 데이터 라인(12)과 연결되고, 박막 전기 트랜지스터(14)의 드레인 전극은 픽셀 전극(15)과 연결되며, 데이터 라인(12) 및 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극의 연결 라인(132)은 연신부(131)와 이격되게 오버랩되며, 즉, 연결 라인(132)과 연신부(131) 사이는 중첩되고 절연되며, 구체적으로는, 연신부(131)는 하부 공통 전극(13)으로부터 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극을 향해 연신되고, 그 말단은 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극에 근접하며, 데이터 라인(12)과 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극의 연결 라인(132)의 상방 또는 하방에 설치된다.
S50: 하부 기판에 스캔 라인(11), 데이터 라인(12), 픽셀 전극(15) 및 박막 전기 트랜지스터(14)가 서로 절연되도록 하는 절연층(18)을 형성한다.
S60: COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 픽셀 전극(15)과 절연층(18) 사이에 각각 컬러 레지스트층(19) 또는 플랫층이 형성되어 있다.
구체적으로는, COA 공정을 사용하여 픽셀 전극(15)과 절연층(18) 사이에 컬러 레지스트층(19)이 형성되어 있도록 하고, Organic 플랫층 공정을 사용하여 픽셀 전극(15)과 절연층(18) 사이에 플랫층이 형성되어 있도록 한다.
S70: 데이터 라인(12)과 스캔 라인(11)이 절연 교차되는 일측에 픽셀 전극(15)을 형성한다.
여기서, 픽셀 전극(15)은 데이터 라인(12)과 스캔 라인(11)이 절연 교차된 곳(111)의 일측에 설치되고, 연신부(131)는 데이터 라인(12)과 스캔 라인(11)이 절연 교차된 곳(111)의 타측에 설치되며, 구체적으로는, 연신부(131)와 연결 라인(132)이 이격되게 오버랩되는 곳은 픽셀 전극(15)과 중첩되지 않고 이격 설치되어, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 레이저가 픽셀 전극(15)에 대한 영향을 감소한다.
도 6을 참조하면, 도 6은 본 발명의 액정 디스플레이 다크 스폿 작업 방법 흐름도이고, 상기 방법은 상기 액정 디스플레이에 대해 다크 스폿 작업을 진행하고, 구체적인 단계는 하기와 같다.
S110: 데이터 라인(12)과 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극의 연결 라인(132)을 차단한다.
S120: 연신부(131)와 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극을 도통한다.
레이저 등 기술을 사용하여 연신부(131)와 연결 라인(132)이 중첩된 곳을 조사하여, 연신부(131)와 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극을 도통할 수 있다.
본 발명의 액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법에 있어서, 하부 공통 전극(13)에 연신부(131)가 설치되어 있고, 데이터 라인(12) 및 박막 전기 트랜지스터(14)의 소스 전극의 연결 라인(132)은 연신부(131)와 이격되게 오버랩되어, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 데이터 라인(12)과 소스 전극의 연결 라인(132)이 차단되도록 하고, 레이저로 연신부(131)와 소스 전극의 연결 라인(132)을 도통하여, 픽셀 전극(15)의 전압과 하부 공통 전극(13)의 전압을 동일하도록 하고 또한 상부 공통 전극의 전압과 동일하도록 하며, 대응되는 액정 분자의 편향 광 전달이 발생하지 않고 다크 스폿 작업을 완성하며, 작동이 간편하고, 다크 스폿 작업 난이도가 낮으며, 다크 스폿 작업에 의해 초래되는 플레그멘탈 휘점 문제를 방지하여, 제품 수리율 및 산출율을 향상시킨다.
상기의 서술은 단지 본 발명의 실시예로서, 본 발명의 특허범위를 한정하기 위한 것이 아니며, 본 발명의 명세서 및 도면을 이용하여 진행한 모든 동등한 구조 또는 동등한 과정 변화, 또는 직접적이거나 간접적으로 기타 관련 기술분야에서의 응용은 마찬가지로 전부 본 발명의 특허보호범위 내에 속해야 한다.

Claims (19)

  1. 액정 디스플레이를 포함하고,
    상기 액정 디스플레이는,
    상부 공통 전극이 설치되어 있는 상부 기판;
    상기 상부 기판과 마주하여 설치되고, 하부 공통 전극이 설치되어 있는 하부 기판;
    상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 설치되는 액정층을 포함하되;
    상기 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 더 설치되어 있고, 상기 박막 전기 트랜지스터의 게이트는 스캔 라인과 연결되며, 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극은 데이터 라인과 연결되고, 상기 박막 전기 트랜지스터의 드레인 전극은 픽셀 전극과 연결되며, 상기 픽셀 전극은 상기 데이터 라인과 상기 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 일측에 설치되고, 상기 연신부는 상기 데이터 라인과 상기 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 타측에 설치되며;
    상기 하부 공통 전극에 연신부가 설치되어 있고, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인은 상기 연신부와 이격되게 오버랩되며, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 상기 데이터 라인과 상기 소스 전극의 연결 라인을 차단하고, 상기 연신부와 상기 소스 전극의 연결 라인은 도통되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 연신부는 절연되고 상기 연결 라인의 상방 또는 하방에 이격되게 오버랩되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 기판에 상기 스캔 라인, 상기 데이터 라인, 상기 픽셀 전극 및 상기 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층이 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 하부 기판은 COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 픽셀 전극과 상기 절연층 사이에 컬러 레지스트층 또는 플랫층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 픽셀 전극과 상기 상부 공통 전극은 저장 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 픽셀 전극과 상기 하부 공통 전극은 액정 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
  8. 상부 공통 전극이 설치되어 있는 상부 기판;
    상기 상부 기판과 마주하여 설치되고, 하부 공통 전극이 설치되어 있는 하부 기판;
    상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 설치되는 액정층을 포함하되;
    상기 하부 기판에 스캔 라인, 데이터 라인, 픽셀 전극 및 박막 전기 트랜지스터가 더 설치되어 있고, 상기 박막 전기 트랜지스터의 게이트는 스캔 라인과 연결되며, 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극은 데이터 라인과 연결되고, 상기 박막 전기 트랜지스터의 드레인 전극은 픽셀 전극과 연결되며; 상기 하부 공통 전극에 연신부가 설치되어 있고, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인은 상기 연신부와 이격되게 오버랩되며, 다크 스폿 작업을 진행할 경우, 상기 데이터 라인과 상기 소스 전극의 연결 라인을 차단하고, 상기 연신부와 상기 소스 전극의 연결 라인은 도통되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 연신부는 절연되고 상기 연결 라인의 상방 또는 하방에 이격되게 오버랩되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 하부 기판에 상기 스캔 라인, 상기 데이터 라인, 상기 픽셀 전극 및 상기 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층이 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 하부 기판은 COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 픽셀 전극과 상기 절연층 사이에 컬러 레지스트층 또는 플랫층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 픽셀 전극과 상기 상부 공통 전극은 저장 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 픽셀 전극과 상기 하부 공통 전극은 액정 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  15. 제 8항에 있어서,
    상기 픽셀 전극은 상기 데이터 라인과 상기 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 일측에 설치되고, 상기 연신부는 상기 데이터 라인과 상기 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 타측에 설치되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  16. 상기 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 하부 공통 전극을 형성하는 단계에서, 상기 하부 공통 전극은 연신부를 구비하는 형성 단계;
    상기 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 데이터 라인을 형성하는 단계;
    상기 하부 기판에 다수의 평행 이격되는 스캔 라인을 형성하는 단계에서, 다수의 상기 스캔 라인과 다수의 상기 데이터 라인은 절연 교차하여 어레이 사각형을 형성하는 형성 단계;
    상기 사각형의 일각에 박막 전기 트랜지스터를 형성하는 단계에서, 상기 박막 전기 트랜지스터의 게이트는 스캔 라인과 연결되며, 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극은 데이터 라인과 연결되고, 상기 박막 전기 트랜지스터의 드레인 전극은 픽셀 전극과 연결되며, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인은 상기 연신부와 이격되게 오버랩되는 형성 단계;
    상기 데이터 라인과 상기 스캔 라인이 절연 교차된 곳의 일측에 픽셀 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이의 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 상기 스캔 라인이 절연 교차된 일측에 픽셀 전극을 형성하는 상기 단계 이전에, 상기 하부 기판에 상기 스캔 라인, 상기 데이터 라인, 상기 픽셀 전극 및 상기 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층을 설치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이의 제조 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 하부 기판에 상기 스캔 라인, 상기 데이터 라인, 상기 픽셀 전극 및 상기 박막 전기 트랜지스터가 서로 절연되도록 하는 절연층을 설치하는 단계 이후에, COA 공정 또는 Organic 플랫층 공정을 사용하여 상기 픽셀 전극과 상기 절연층 사이에 각각 컬러 레지스트층 또는 플랫층이 형성되어 있는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이의 제조 방법.
  19. 제 15항에 따른 상기 액정 디스플레이에 대해 다크 스폿 작업을 진행하고,
    데이터 라인과 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극의 연결 라인을 차단하는 단계;
    상기 연신부와 상기 박막 전기 트랜지스터의 소스 전극을 도통하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 다크 스폿 작업 방법.
KR1020177024793A 2015-03-25 2015-04-02 액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법 KR101989724B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510133677.7 2015-03-25
CN201510133677.7A CN104730790B (zh) 2015-03-25 2015-03-25 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法
PCT/CN2015/075764 WO2016149957A1 (zh) 2015-03-25 2015-04-02 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170110696A true KR20170110696A (ko) 2017-10-11
KR101989724B1 KR101989724B1 (ko) 2019-06-14

Family

ID=53454834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177024793A KR101989724B1 (ko) 2015-03-25 2015-04-02 액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9785026B2 (ko)
JP (1) JP6472067B2 (ko)
KR (1) KR101989724B1 (ko)
CN (1) CN104730790B (ko)
GB (1) GB2546452B8 (ko)
RU (1) RU2664677C1 (ko)
WO (1) WO2016149957A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105425433B (zh) * 2015-11-10 2018-10-30 深圳市华星光电技术有限公司 具有亮点缺陷的像素的修复方法、阵列基板及液晶面板
CN107329296B (zh) * 2017-08-25 2020-05-29 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板暗点化修补方法及阵列基板结构
CN108646476B (zh) * 2018-03-22 2020-12-25 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶面板的断线修复方法
CN110376810A (zh) * 2019-06-10 2019-10-25 惠科股份有限公司 显示面板、显示面板亮点修复方法和显示装置
CN110262146A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板的十字线修复方法及显示面板
CN110265410B (zh) * 2019-06-21 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置
CN110609425B (zh) * 2019-09-29 2022-08-12 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板、面板、修补方法及显示面板
US20230067287A1 (en) 2020-02-07 2023-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image processing system
CN114333695A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 武汉天马微电子有限公司 显示面板、修复方法及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440711B1 (ko) * 1997-02-27 2004-10-06 삼성전자주식회사 액정표시장치의하이픽셀을수리하는방법
KR20050001709A (ko) * 2003-06-26 2005-01-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시장치의 수리 방법
KR20070068195A (ko) * 2005-12-26 2007-06-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그의 리페어 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002303881A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Toshiba Corp 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法
KR100743101B1 (ko) * 2001-05-07 2007-07-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법과 이를 이용한 화소리페어방법
JP2004342457A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Sanyo Electric Co Ltd 表示パネルの製造方法および表示パネル
KR100674241B1 (ko) * 2004-10-19 2007-01-25 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
TWI284758B (en) * 2004-11-11 2007-08-01 Au Optronics Corp Pixel structure having storage capacitor and thin film transistor array and repairing method thereof
KR101128332B1 (ko) * 2005-06-17 2012-03-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
JP2007052286A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 半導体素子、液晶表示装置およびそれらの修復方法
JP4921749B2 (ja) * 2005-09-13 2012-04-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置
TWI284762B (en) * 2005-10-03 2007-08-01 Au Optronics Corp A liquid crystal display panel
US20070139330A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp. Display units, display devices, and repair methods for convering a bright dot to a dark dot in same
US7583354B2 (en) * 2005-12-26 2009-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device, television receiver, and method for repairing defects of active matrix substrate
KR101473842B1 (ko) * 2008-07-09 2014-12-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 불량셀 리페어방법
JP5179337B2 (ja) * 2008-12-18 2013-04-10 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその点欠陥修正方法
CN103229095B (zh) * 2011-01-31 2015-11-25 夏普株式会社 液晶显示面板及其制造方法和阵列基板及其制造方法
CN102629605B (zh) 2011-05-06 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造、修复方法
CN102629043B (zh) 2011-05-27 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管像素结构及其修复方法
KR101302622B1 (ko) * 2012-02-22 2013-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 액정표시장치의 리페어 방법
KR102078807B1 (ko) * 2013-07-03 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI505004B (zh) * 2013-09-12 2015-10-21 Au Optronics Corp 畫素結構
CN104201151B (zh) * 2014-08-26 2017-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其像素暗点化处理方法
CN204101858U (zh) * 2014-10-22 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR102352305B1 (ko) * 2015-04-03 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440711B1 (ko) * 1997-02-27 2004-10-06 삼성전자주식회사 액정표시장치의하이픽셀을수리하는방법
KR20050001709A (ko) * 2003-06-26 2005-01-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시장치의 수리 방법
KR20070068195A (ko) * 2005-12-26 2007-06-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그의 리페어 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9785026B2 (en) 2017-10-10
JP2018514801A (ja) 2018-06-07
CN104730790A (zh) 2015-06-24
GB2546452B8 (en) 2021-12-01
CN104730790B (zh) 2018-05-11
GB201706896D0 (en) 2017-06-14
US20170045790A1 (en) 2017-02-16
JP6472067B2 (ja) 2019-02-20
GB2546452A (en) 2017-07-19
WO2016149957A1 (zh) 2016-09-29
KR101989724B1 (ko) 2019-06-14
RU2664677C1 (ru) 2018-08-21
GB2546452B (en) 2021-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101989724B1 (ko) 액정 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 및 그 제조 방법 및 다크 스폿 작업 방법
CN103278987B (zh) 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置
WO2018120754A1 (zh) Oled阵列基板、显示装置及其暗点修复方法
CN204595382U (zh) 阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板
KR102007833B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR102195180B1 (ko) 리던던시 트랜지스터 구조를 갖는 표시장치
KR101907079B1 (ko) 어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널
CN103439842A (zh) 像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板
CN104360556A (zh) 一种液晶显示面板及阵列基板
JP6378949B2 (ja) 液晶表示装置
US11538835B2 (en) Array substrate with dummy lead including disconnected conducting wires, method for manufacturing the same, display panel and display device
CN104319354A (zh) 一种管脚绑定结构及显示面板
US20160349585A1 (en) Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel
US9524989B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, and liquid crystal display screen
US7990486B2 (en) Liquid crystal display panel with line defect repairing mechanism and repairing method thereof
KR20170076867A (ko) 액정표시장치
WO2020192422A1 (zh) 显示面板、显示面板的修复方法以及显示装置
US10396100B2 (en) Array substrate, display panel and pixel patching method
WO2019056521A1 (zh) 阵列基板、显示面板及像素修补方法
KR102052741B1 (ko) 액정 디스플레이 장치
WO2016090732A1 (zh) 一种阵列基板及显示装置
JP2006126772A (ja) 液晶ディスプレイ装置
CN203774328U (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板
CN103197446A (zh) 一种液晶显示装置的测试电路及测试方法
CN202794787U (zh) 一种基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant