RU2664677C1 - Жидкокристаллическое устройство отображения, жидкокристаллический дисплей и способ затемнения такого дисплея - Google Patents

Жидкокристаллическое устройство отображения, жидкокристаллический дисплей и способ затемнения такого дисплея Download PDF

Info

Publication number
RU2664677C1
RU2664677C1 RU2017134458A RU2017134458A RU2664677C1 RU 2664677 C1 RU2664677 C1 RU 2664677C1 RU 2017134458 A RU2017134458 A RU 2017134458A RU 2017134458 A RU2017134458 A RU 2017134458A RU 2664677 C1 RU2664677 C1 RU 2664677C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film transistor
electrode
data line
line
pixel electrode
Prior art date
Application number
RU2017134458A
Other languages
English (en)
Inventor
Цзуй Ван
Original Assignee
Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. filed Critical Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2664677C1 publication Critical patent/RU2664677C1/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133357—Planarisation layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136268—Switch defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
    • G02F2201/508—Pseudo repairing, e.g. a defective part is brought into a condition in which it does not disturb the functioning of the device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения и процессу затемнения. Жидкокристаллический дисплей содержит нижнюю подложку, снабженную нижним общим электродом, линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором. Электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования. Электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных. Электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом. Нижний общий электрод имеет удлинение. Линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора расположены на расстоянии друг от друга и частично совпадают с удлинением. При выполнении процесса затемнения линия соединения разъединяется с линией данных и соединяется с удлинением. Технический результат – устранение проблемы фрагментарных ярких точек, упрощение ремонта. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 8 ил.

Description

ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
1. Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к области технологии отображения, и в частности к жидкокристаллическому устройству отображения, жидкокристаллическому дисплею, способу изготовления жидкокристаллического дисплея и способу затемнения такого дисплея.
2. Описание предшествующего уровня техники
Фиг. 1а - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллической панели отображения VA-типа. Как показано на фиг. 1а, структура пикселя обычно содержит линию сканирования (Gate (Затвор)) 1, линию данных (Data (Данные)) 2, общий электрод (Com), тонкопленочный транзистор (TFT) 4 и пиксельный электрод 5. Причем, тонкопленочный транзистор 4 функционирует как переключатель при управлении пикселем. Когда тонкопленочный транзистор 4 включается, сигнал данных может быть записан в пиксельный электрод 5, а в другое время тонкопленочный транзистор 4 выключен. При фактическом производстве из-за металлических остатков или аномального объекта канал тонкопленочного транзистора 4 может быть коротким настолько, что он теряет функцию переключения, что приводит к яркой точке в пикселе. В это время требуется процесс затемнения для пикселя с яркой точкой.
Как показано на фиг. 1а - фиг. 1 с, во-первых, разъединение и прерывание («X», показанное на фиг. 1а - фиг. 1 с, представляет собой разъединение и прерывание) тонкопленочного транзистора 4 от линии данных и пиксельного электрода. Затем используется лазер вдоль направления «А», чтобы облучить частично совпадающее положение пиксельного электрода и общего электрода (Асоm) нижней подложки. При высокой температуре пиксельный электрод и общий электрод сплавляются для осуществления проводимости (на фиг. lb цифра «6» представляет собой использование лазера для достижения проводимости). Соответственно, пиксель будет отображаться как темная точка. Однако, при использовании такой технологии, как СОА (цветной фильтр на матрице) или органический плоский слой, между пиксельным электродом и общим электродом нижней подложки добавляется очень толстый изолирующий слой, если используется традиционный способ затемнения, мощность лазера должна быть добавлена для того, чтобы преодолеть дополнительный изолирующий слой, так что сложность ремонта увеличивается. Когда мощность лазера увеличивается, температура также увеличивается, цветной защитный слой и пиксельный электрод легко разбиваются и переворачиваются при более высокой температуре, так что внешний вид пиксельного электрода меняется, чтобы вызвать ненормальную ситуацию выравнивания молекул жидких кристаллов. В то же время фрагменты брызг легко генерируют проблему фрагментарных ярких точек так, что процесс затемнения не удается.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Основная технологическая проблема, решаемая настоящим изобретением, заключается в создании жидкокристаллического устройства отображения, жидкокристаллического дисплея, способа изготовления и процесса затемнения, чтобы решить проблемы легкого разбивания и переворачивания на цветном защитном слое и слое ITO при выполнении процесса затемнения и легкого генерирования фрагментарной яркой точки.
Для решения вышеуказанных проблем технологическое решение, принятое в соответствии с настоящим изобретением, представляет собой: жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее жидкокристаллический дисплей, причем жидкокристаллический дисплей содержит: верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом; нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; пиксельный электрод расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования; удлинение расположено с другой стороны от изоляции и пересечения линии данных и линии сканирования; и жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой; причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; при выполнении процесса затемнения разъединяют линию соединения и линию данных и соединяют удлинение с линией соединения.
Причем, удлинение изолировано, отстоит от и частично совпадает с линией соединения, и удлинение расположено выше или ниже линии соединения.
Причем, нижняя подложка также снабжена изолирующим слоем, который делает линию сканирования, линию данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор изолированными друг от друга.
Причем, нижняя подложка формируется с помощью технологии цветного фильтра на матрице (СОА) или технологии органического плоского слоя.
Причем, цветной защитный слой или плоский слой расположен между пиксельным электродом и изолирующим слоем.
Причем, накопительный конденсатор сформирован между пиксельным электродом и верхним общим электродом.
Причем, жидкокристаллический конденсатор сформирован между пиксельным электродом и нижним общим электродом.
Для решения вышеуказанных проблем технологическим решением, принятым в соответствии с настоящим изобретением, является: жидкокристаллический дисплей, содержащий: верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом; нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; и жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой; причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; при выполнении процесса затемнения разъединяют линию соединения и линию данных и соединяют удлинение с линией соединения.
Для решения вышеуказанных проблем технологическое решение, принятое в соответствии с настоящим изобретением, представляет собой: способ изготовления жидкокристаллического дисплея, включающий: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга нижних общих электродов на нижней подложке, причем каждый из общих электродов имеет удлинение; формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий данных на нижней подложке; формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий сканирования на нижней подложке, причем линии сканирования и линии данных изолированы и пересекаются для формирования нескольких прямоугольников в виде матрицы; и формирование тонкопленочного транзистора (TFT) на углу прямоугольника; причем электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; и формирование пиксельного электрода на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования.
Причем, перед этапом формирования пиксельного электрода на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования, дополнительно включается этап расположения изолирующего слоя на нижней подложке, чтобы сделать линию сканирования, линию данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор изолированными друг от друга.
Причем после этапа расположения изолирующего слоя на нижней подложке, чтобы линия сканирования, линия данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор были изолированы друг от друга, дополнительно включается этап использования технологии цветного фильтра на матрице (СОА) или технологии органического плоского слоя, чтобы соответственно сформировать цветной защитный слой или плоский слой между пиксельным электродом и изолирующим слоем.
Для решения вышеуказанных проблем технологическое решение, принятое в соответствии с настоящим изобретением, представляет собой: способ затемнения для жидкокристаллического дисплея, причем жидкокристаллический дисплей, содержащий: верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом; нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; и жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой; причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; причем пиксельный электрод расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования; удлинение расположено с другой стороны от изоляции и пересечения линии данных и линии сканирования; и, причем, способ включает: разъединение линии соединения и линии данных и соединение удлинения с электродом истока тонкопленочного транзистора.
Благоприятные эффекты настоящего изобретения заключаются в следующем: по сравнению с предшествующим уровнем техники нижний общий электрод имеет удлинение, и удлинение отстоит от и частично совпадает с линией соединения линии данных с электродом истока тонкопленочного транзистора. При выполнении процесса затемнения линия соединения линии данных с электродом истока тонкопленочного транзистора прерывается или разъединяется и удлинение соединяется с линией соединения лазером, так что напряжение пиксельного электрода и напряжение нижнего общего электрода равны и далее равны напряжению верхнего общего электрода. Соответственно, молекулы жидких кристаллов, соответствующие пиксельному электроду, не создают наклон для проведения света для того, чтобы закончить процесс затемнения. Настоящее изобретение может легко работать, уменьшать трудности процесса затемнения, избегать проблемы фрагментарных ярких точек из-за процесса затемнения и улучшать частоту ремонта продукта и объем выпуска.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Чтобы более четко проиллюстрировать техническое решение настоящего изобретения или предшествующего уровня техники, ниже будут приведены чертежи, используемые для описания вариантов осуществления или предшествующего уровня техники. Очевидно, что следующие чертежи являются только некоторыми вариантами осуществления настоящего изобретения. Обычный специалист в данной области техники может получить другие чертежи в соответствии с этими чертежами без творческих усилий.
Фиг. 1а - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллической панели отображения VA-типа в соответствии с предшествующим уровнем техники;
Фиг. lb - частичная эквивалентная принципиальная схема жидкокристаллической панели отображения VA-типа;
Фиг. 1с - основной вид частичной структуры жидкокристаллической панели отображения VA-типа;
Фиг. 2 - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг. 3 - эквивалентная принципиальная схема пиксельной структуры жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг. 4 - основной вид жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг. 5 - блок-схема способа изготовления жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением; и
Фиг. 6 - блок-схема процесса затемнения жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Следующее содержание объединяет чертежи и варианты осуществления для подробного описания настоящего изобретения.
Со ссылкой на фиг. 2 - фиг. 4, причем, фиг. 2 - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением; фиг. 3 - эквивалентная принципиальная схема пиксельной структуры жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением; фиг. 4 - основной вид жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением.
Жидкокристаллический дисплей содержит верхнюю подложку (не показана на чертежах), нижнюю подложку и жидкокристаллический слой (не показан на чертежах). Верхняя подложка снабжена верхним общим электродом (не показан на чертежах). Нижняя подложка расположена напротив верхней подложки и имеет нижний общий электрод 13. Жидкокристаллический слой расположен между верхней подложкой и нижней подложкой 13.
Нижняя подложка согласно настоящему изобретению дополнительно предусматривает линию сканирования 11, линию данных 12, пиксельный электрод 15 и тонкопленочный транзистор (TFT) 14. Электрод затвора тонкопленочного транзистора 14 соединен линией сканирования 11. Электрод истока тонкопленочного транзистора 14 соединен с линией данных 12. Электрод стока тонкопленочного транзистора 14 соединен с пиксельным электродом 15. Причем, нижний общий электрод 13 имеет удлинение 131. Линия соединения 132 линии данных 12 и электрод стока тонкопленочного транзистора 14 расположены на расстоянии друг от друга и частично совпадают с удлинением 131. Удлинение 131 изолировано, отстоит от и частично совпадает с линией соединения 132 в верхней части или нижней части линии соединения 132. В частности, удлинение 131 проходит от нижнего общего электрода 13 к электроду стока тонкопленочного транзистора 14, а конец удлинения 131 расположен рядом с электродом стока тонкопленочного транзистора 14. Кроме того, удлинение 131 расположено в верхней части или нижней части линии соединения 132 линии данных 12 и электрода стока тонкопленочного транзистора 14. Кроме того, линия соединения 132 и удлинение 131 изолированы.
Пиксельный электрод 15 и верхний общий электрод формируют накопительный конденсатор Cst. Пиксельный электрод 15 и нижний общий электрод 13 формируют жидкокристаллический конденсатор С1с. Пиксельный электрод 15 расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением 111 линии данных 12 и линии сканирования 11. Удлинение 131 расположено с другой стороны от изоляции и пересечения 111 линии данных 12 и линии сканирования 11. В частности, место расположения изоляции и пересечения 111 делает удлинение 131 и пиксельный электрод 15 расположенными на расстоянии друг от друга. Место расположения изоляции и пересечения удлинения 131 и линии соединения 132 не совпадает частично с и расположено на расстоянии от пиксельного электрода 15 таким образом, что при выполнении процесса затемнения воздействие лазера на пиксельный электрод 15 уменьшается.
В другом варианте осуществления нижняя подложка дополнительно предусматривает изолирующий слой 18 и цветной защитный слой 19, которые частично совпадают и расположены последовательно. Линия сканирования 11, линия данных 12, пиксельный электрод 15 и тонкопленочный транзистор 14 расположены на изолирующем слое 18, чтобы они были изолированными друг от друга. В другом варианте осуществления цветной защитный слой 19 может не предусматриваться между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18. Вместо этого может быть предусмотрен плоский слой. Цветной защитный слой 19 может быть сформирован на нижней подложке с помощью технологии СОА. Плоский слой может быть сформирован на нижней подложке с помощью технологии органического плоского слоя.
Как показано на фиг. 2 и фиг. 3, при выполнении процесса затемнения линия соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14 прерывается или разъединяется («X» на фиг. 2 и фиг. 3 означает, что часть прервана или разъединена при выполнении процесса затемнения), и удлинение 131 соединяется с линией соединения 132 (цифра «16» на фиг. 2 и фиг. 4 означает использование лазера для соединения двух линий, которые первоначально являются изолированными), так что напряжение пиксельного электрода 15 и напряжение нижнего общего электрода 13 равны и дополнительно равны напряжению верхнего общего электрода. Соответственно, молекулы жидких кристаллов, соответствующие пиксельному электроду 15, не создают наклон для проведения света для того, чтобы закончить процесс затемнения.
Настоящее изобретение также предусматривает жидкокристаллическое устройство отображения, и жидкокристаллическое устройство отображения содержит жидкокристаллический дисплей, описанный выше.
Со ссылкой на фиг. 5, фиг. 5 - блок-схема способа изготовления жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением. Способ изготовления жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением включает следующие этапы:
S10: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга нижних общих электродов 13 на нижней подложке;
Причем, каждый из общих электродов 13 имеет удлинение 131;
S20: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий данных 12 на нижней подложке;
S30: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий сканирования 11 на нижней подложке;
Причем, линии сканирования 11 и линии данных 12 изолированы и пересекаются для формирования нескольких прямоугольников в виде матрицы;
S40: формирование тонкопленочного транзистора (TFT) 14 на углу прямоугольника;
Причем, электрод затвора тонкопленочного транзистора 14 соединен с линией сканирования 11. Электрод истока тонкопленочного
транзистора 14 соединен с линией данных 12. Электрод стока тонкопленочного транзистора 14 соединен с пиксельным электродом 15. Линия соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14 отстоит от и частично совпадает с удлинением 131. То есть, линия соединения 132 и удлинение 131 частично совпадают и изолированы. В частности, удлинение 131 проходит от нижнего электрода 13 к электроду истока тонкопленочного транзистора 14. Конец удлинения 131 находится рядом с электродом истока тонкопленочного транзистора 14. Кроме того, удлинение 131 расположено выше или ниже линии соединения 132 электрода истока тонкопленочного транзистора 14.
S50: расположение изолирующего слоя 18 на нижней подложке, чтобы сделать линию сканирования 11, линию данных 12, пиксельный электрод 15 и тонкопленочный транзистор 14 изолированными друг от друга;
S60: использование способа СОА или способа органического плоского слоя, чтобы соответственно сформировать цветной защитный слой 19 или плоский слой между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18;
В частности, использование способа СОА для формирования цветного защитного слоя 19 между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18 и использование способа органического плоского слоя для формирования плоского слоя между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18;
S70: формирование пиксельного электрода 15 на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных 12 и линии сканирования 11;
Причем, пиксельный электрод 15 расположен с одной стороны с местом расположения 111 изоляции и пересечения линии данных 12 и линии сканирования 11. Удлинение 131 расположено с другой стороны от места расположения 111 изоляции и пересечения линии данных 12 и линии сканирования 11. В частности, расположенные на расстоянии и частично совпадающие место расположение удлинения 131 и линия соединения 132 не совпадают частично с и расположены на расстоянии от пиксельного электрода 15 таким образом, что при выполнении процесса затемнения воздействие лазера на пиксельный электрод 15 уменьшается.
Со ссылкой на фиг. 6, фиг. 6 - блок-схема способа затемнения жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением. Способ включает следующие этапы:
S110: разъединение линии соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14 от линии данных 12;
S120: соединение удлинения 131 с электродом истока тонкопленочного транзистора 14.
Причем, используется лазер для облучения места расположения частичного совпадения удлинения 131 и линии соединения 132, чтобы соединить удлинение 131 с электродом истока тонкопленочного транзистора 14.
В настоящем изобретении нижний общий электрод 13 имеет удлинение 131, и удлинение 131 отстоит от и частично совпадает с линией соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14. При выполнении процесса затемнения линия соединения 132 линии данных 12 и электрод истока тонкопленочного транзистора 14 прерывается или разъединяется, и соединяется удлинение 131 с линией соединения 132 с помощью лазера, так что напряжение пиксельного электрода 15 и напряжение нижнего общего электрода 13 равны и далее равны напряжению верхнего общего электрода. Соответственно, молекулы жидких кристаллов, соответствующие пиксельному электроду 15, не создают наклон для проведения света для того, чтобы закончить процесс затемнения. Настоящее изобретение может легко работать, уменьшать трудности процесса затемнения, избегать проблемы фрагментарных ярких точек из-за процесса затемнения и улучшать частоту ремонта продукта и объем выпуска.
Вышеупомянутые варианты осуществления настоящего изобретения не используются для ограничения формулы изобретения. Любое использование содержания спецификации или чертежей настоящего изобретения, которое производит эквивалентные структуры или эквивалентные процессы или прямо или косвенно используется в других связанных технических областях, по-прежнему охватывается формулой изобретения.

Claims (40)

1. Жидкокристаллическое устройство отображения, включающее жидкокристаллический дисплей, содержащий:
верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом;
нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; пиксельный электрод расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования; удлинение расположено с другой стороны от изоляции и пересечения линии данных и линии сканирования; и
жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой;
причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; при выполнении процесса затемнения разъединяют линию соединения и линию данных и соединяют удлинение с линией соединения.
2. Устройство по п. 1, в котором удлинение изолировано, отстоит от и частично совпадает с линией соединения, и удлинение расположено выше или ниже линии соединения.
3. Устройство по п. 1, в котором нижняя подложка также снабжена изолирующим слоем, который делает линию сканирования, линию данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор изолированными друг от друга.
4. Устройство по п. 3, в котором нижняя подложка формируется с помощью технологии цветного фильтра на матрице (СОА) или технологии органического плоского слоя.
5. Устройство по п. 3, в котором цветной защитный слой или плоский слой расположен между пиксельным электродом и изолирующим слоем.
6. Устройство по п. 1, в котором накопительный конденсатор сформирован между пиксельным электродом и верхним общим электродом.
7. Устройство по п. 1, в котором жидкокристаллический конденсатор сформирован между пиксельным электродом и нижним общим электродом.
8. Жидкокристаллический дисплей, содержащий:
верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом;
нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; и
жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой;
причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; при выполнении процесса затемнения разъединяют линию соединения и линию данных и соединяют удлинение с линией соединения.
9. Дисплей по п. 8, в котором удлинение изолировано, отстоит от и частично совпадает с линией соединения, и расположено выше или ниже линии соединения.
10. Дисплей по п. 8, в котором нижняя подложка также снабжена изолирующим слоем, который делает линию сканирования, линию данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор изолированными друг от друга.
11. Дисплей по п. 10, в котором нижняя подложка формируется с помощью технологии цветного фильтра на матрице (СОА) или технологии органического плоского слоя.
12. Дисплей по п. 10, в котором цветной защитный слой или плоский слой расположен между пиксельным электродом и изолирующим слоем.
13. Дисплей по п. 8, в котором накопительный конденсатор сформирован между пиксельным электродом и верхним общим электродом.
14. Дисплей по п. 8, в котором жидкокристаллический конденсатор сформирован между пиксельным электродом и нижним общим электродом.
15. Дисплей по п. 8, в котором пиксельный электрод расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования; удлинение расположено с другой стороны от изоляции и пересечения линии данных и линии сканирования.
16. Способ изготовления жидкокристаллического дисплея, в котором:
формируют множество параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга нижних общих электродов на нижней подложке, причем каждый из общих электродов имеет удлинение;
формируют множество параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий данных на нижней подложке;
формируют множество параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий сканирования на нижней подложке, причем линии сканирования и линии данных изолированы и пересекаются для формирования нескольких прямоугольников в виде матрицы; и
формируют тонкопленочный транзистор (TFT) на углу прямоугольника, причем электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; и
формируют пиксельный электрод на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования.
17. Способ по п. 16, в котором перед этапом формирования пиксельного электрода на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования, дополнительно включен этап, на котором располагают изолирующий слой на нижней подложке, чтобы сделать линию сканирования, линию данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор изолированными друг от друга.
18. Способ по п. 17, в котором после этапа расположения изолирующего слоя на нижней подложке, чтобы линия сканирования, линия данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор были изолированы друг от друга, дополнительно включен этап, на котором используют технологию цветного фильтра на матрице (СОА) или технологию органического плоского слоя, чтобы соответственно сформировать цветной защитный слой или плоский слой между пиксельным электродом и изолирующим слоем.
19. Способ затемнения для жидкокристаллического дисплея, в котором жидкокристаллический дисплей содержит:
верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом;
нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; и
жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой;
линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением;
пиксельный электрод расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования; удлинение расположено с другой стороны от изоляции и пересечения линии данных и линии сканирования; и
при этом, способ содержит этапы на которых:
разъединяют линию соединения и линию данных; и
соединяют удлинение с электродом истока тонкопленочного транзистора.
RU2017134458A 2015-03-25 2015-04-02 Жидкокристаллическое устройство отображения, жидкокристаллический дисплей и способ затемнения такого дисплея RU2664677C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510133677.7 2015-03-25
CN201510133677.7A CN104730790B (zh) 2015-03-25 2015-03-25 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法
PCT/CN2015/075764 WO2016149957A1 (zh) 2015-03-25 2015-04-02 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2664677C1 true RU2664677C1 (ru) 2018-08-21

Family

ID=53454834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017134458A RU2664677C1 (ru) 2015-03-25 2015-04-02 Жидкокристаллическое устройство отображения, жидкокристаллический дисплей и способ затемнения такого дисплея

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9785026B2 (ru)
JP (1) JP6472067B2 (ru)
KR (1) KR101989724B1 (ru)
CN (1) CN104730790B (ru)
GB (1) GB2546452B8 (ru)
RU (1) RU2664677C1 (ru)
WO (1) WO2016149957A1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105425433B (zh) * 2015-11-10 2018-10-30 深圳市华星光电技术有限公司 具有亮点缺陷的像素的修复方法、阵列基板及液晶面板
CN107329296B (zh) * 2017-08-25 2020-05-29 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板暗点化修补方法及阵列基板结构
CN108646476B (zh) * 2018-03-22 2020-12-25 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶面板的断线修复方法
CN110376810A (zh) * 2019-06-10 2019-10-25 惠科股份有限公司 显示面板、显示面板亮点修复方法和显示装置
CN110262146A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板的十字线修复方法及显示面板
CN110265410B (zh) * 2019-06-21 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置
CN110609425B (zh) * 2019-09-29 2022-08-12 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板、面板、修补方法及显示面板
CN115104144A (zh) 2020-02-07 2022-09-23 株式会社半导体能源研究所 图像处理系统
CN114333695A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 武汉天马微电子有限公司 显示面板、修复方法及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005018080A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置の修理方法
KR20100006460A (ko) * 2008-07-09 2010-01-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 불량셀 리페어방법
CN104201151A (zh) * 2014-08-26 2014-12-10 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其像素暗点化处理方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440711B1 (ko) * 1997-02-27 2004-10-06 삼성전자주식회사 액정표시장치의하이픽셀을수리하는방법
JP2002303881A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Toshiba Corp 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法
KR100743101B1 (ko) * 2001-05-07 2007-07-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법과 이를 이용한 화소리페어방법
JP2004342457A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Sanyo Electric Co Ltd 表示パネルの製造方法および表示パネル
KR100674241B1 (ko) * 2004-10-19 2007-01-25 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
TWI284758B (en) * 2004-11-11 2007-08-01 Au Optronics Corp Pixel structure having storage capacitor and thin film transistor array and repairing method thereof
KR101128332B1 (ko) * 2005-06-17 2012-03-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
JP2007052286A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 半導体素子、液晶表示装置およびそれらの修復方法
JP4921749B2 (ja) * 2005-09-13 2012-04-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置
TWI284762B (en) * 2005-10-03 2007-08-01 Au Optronics Corp A liquid crystal display panel
US20070139330A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp. Display units, display devices, and repair methods for convering a bright dot to a dark dot in same
KR101224456B1 (ko) * 2005-12-26 2013-01-22 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그의 리페어 방법
CN101346751A (zh) * 2005-12-26 2009-01-14 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置、电视接收机和有源矩阵基板的缺陷修正方法
JP5179337B2 (ja) * 2008-12-18 2013-04-10 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその点欠陥修正方法
KR101311693B1 (ko) * 2011-01-31 2013-09-26 샤프 가부시키가이샤 액정표시패널 및 그 제조방법, 그리고 어레이 기판 및 그 제조방법
CN102629605B (zh) 2011-05-06 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造、修复方法
CN102629043B (zh) 2011-05-27 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管像素结构及其修复方法
KR101302622B1 (ko) * 2012-02-22 2013-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 액정표시장치의 리페어 방법
KR102078807B1 (ko) * 2013-07-03 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI505004B (zh) * 2013-09-12 2015-10-21 Au Optronics Corp 畫素結構
CN204101858U (zh) * 2014-10-22 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR102352305B1 (ko) * 2015-04-03 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005018080A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置の修理方法
KR20100006460A (ko) * 2008-07-09 2010-01-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 불량셀 리페어방법
CN104201151A (zh) * 2014-08-26 2014-12-10 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其像素暗点化处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101989724B1 (ko) 2019-06-14
CN104730790B (zh) 2018-05-11
GB201706896D0 (en) 2017-06-14
US9785026B2 (en) 2017-10-10
GB2546452B (en) 2021-11-10
WO2016149957A1 (zh) 2016-09-29
JP6472067B2 (ja) 2019-02-20
GB2546452B8 (en) 2021-12-01
CN104730790A (zh) 2015-06-24
JP2018514801A (ja) 2018-06-07
KR20170110696A (ko) 2017-10-11
GB2546452A (en) 2017-07-19
US20170045790A1 (en) 2017-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2664677C1 (ru) Жидкокристаллическое устройство отображения, жидкокристаллический дисплей и способ затемнения такого дисплея
US6778233B2 (en) Method for darkening pixel
CN100432766C (zh) 液晶显示器的激光修补结构及其方法
US7417692B2 (en) Laser repair structure and method for TFT-LCD
US9478566B2 (en) Array substrate, LCD device and driving method
KR101634635B1 (ko) 표시 장치
KR102195180B1 (ko) 리던던시 트랜지스터 구조를 갖는 표시장치
US10197848B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, repairing method thereof, display panel and display device
KR101907079B1 (ko) 어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널
KR101777323B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
CN101681070B (zh) 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机、和有源矩阵基板的制造方法
CN104597647B (zh) 一种液晶显示面板及其制作方法
CN102929056A (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
US20210286217A1 (en) Array substrate and liquid crystal display
US10396100B2 (en) Array substrate, display panel and pixel patching method
CN105572989A (zh) Tft阵列基板、液晶显示面板及其修复方法
JP2006126772A (ja) 液晶ディスプレイ装置
US20190295482A1 (en) Liquid crystal display device
CN101241288B (zh) 有源矩阵基板及显示装置
JP2010181698A (ja) 表示装置及びその製造方法
KR100200359B1 (ko) 액정 표시 장치의 화소 결함 수리 방법
JPH03212620A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2004334061A (ja) 表示装置の表示回路、液晶表示装置、および表示装置の表示回路の制御方法
JPH04265943A (ja) アクティブマトリクス表示装置
CN203774328U (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板