CN109613772B - 显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的栅线、数据线和公共电极线；栅线与数据线绝缘交叉限定出多个像素区，显示基板还包括设置在多个像素区中的多个公共电极，栅线与公共电极线间隔排布且延伸方向平行；对于每条公共电极线：公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于其他导线段与目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除目标导线段之外的导线段，目标栅线为距离公共电极线最近的栅线，位于目标栅线两侧且与目标栅线相邻的公共电极均与公共电极线连接。本申请提高了显示基板的开口率。

Description

显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示装置广泛应用于显示领域。显示装置的主要显示部件为显示基板，显示基板的性能直接影响显示装置的性能。
目前，显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多条公共电极线，多条栅线平行，多条数据线平行，多条公共电极线与多条栅线平行且一一间隔排布，多条栅线与多条数据线绝缘交叉限定出多个像素区，该显示基板还包括一一对应设置在多个像素区中的多个公共电极，每个公共电极上靠近公共电极线与数据线的交叉位置的一角具有缺口，这样一来，每个公共电极和所述交叉位置之间的距离相对较大，在数据线发生断裂时，可以便于在公共电极线与数据线交叉位置将该数据线与公共电极线焊接，以对数据线进行修复。
但是，显示基板的开口率与公共电极的有效显示面积正相关，公共电极上的缺口导致公共电极的有效显示面积相对较小，因此显示基板的开口率较低。
发明内容
本申请提供一种显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置，可以在保证数据线修复的成功率同时，提高显示基板的开口率。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多条公共电极线；
所述多条栅线与所述多条数据线绝缘交叉限定出多个像素区，所述显示基板还包括一一对应设置在所述多个像素区中的多个公共电极，所述多条栅线与所述多条公共电极线的延伸方向平行，且所述多条栅线与所述多条公共电极线一一间隔排布，与每条所述公共电极线相邻的两条所述栅线中，其中一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离小于另一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离；
对于每条所述公共电极线：所述公共电极线上的每段目标导线段与目标栅线之间的距离小于所述公共电极线上的其他导线段与所述目标栅线之间的距离，所述公共电极线包括多段所述目标导线段，每段所述目标导线段为所述公共电极线与一条所述数据线交叉的导线段，所述其他导线段为所述公共电极线上除所述目标导线段之外的导线段，所述目标栅线为所述多条栅线中距离所述公共电极线最近的栅线，位于所述目标栅线两侧且与所述目标栅线相邻的公共电极均与所述公共电极线连接。
可选地，对于每条所述公共电极线：所述目标导线段向靠近所述目标栅线的方向弯曲。
可选地，所述目标导线段为弧形导线段。
可选地，所述多个公共电极沿数据线扫描方向排布为多行，对于每条所述公共电极线：所述公共电极线和目标公共电极连接，并通过跨越所述目标栅线的桥接线和与所述目标公共电极相邻且位于同一行的公共电极连接。
可选地，所述显示基板还包括：一一对应设置在所述多个像素区中的多个薄膜晶体管和多个像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极最近的栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述源极最近的数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述薄膜晶体管位于同一像素区中的像素电极连接。
第二方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成多个公共电极，所述多个公共电极阵列排布为多列；
在形成有所述公共电极的衬底基板上形成多条栅线和多条公共电极线，所述多条栅线与所述多条公共电极线的延伸方向平行，且所述多条栅线与所述多条公共电极线一一间隔排布，与每条所述公共电极线相邻的两条所述栅线中，其中一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离小于另一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离，每相邻的两条所述栅线之间具有一列所述公共电极，对于每条所述公共电极线：所述公共电极线上的每段目标导线段与目标栅线之间的距离小于所述公共电极线上的其他导线段与所述目标栅线之间的距离，所述公共电极线包括多段所述目标导线段，每段所述目标导线段为所述公共电极线与一条所述数据线交叉的导线段，所述其他导线段为所述公共电极线上除所述目标导线段之外的导线段，所述目标栅线为所述多条栅线中距离所述公共电极线最近的栅线，位于所述目标栅线两侧且与所述目标栅线相邻的公共电极均与所述公共电极线连接；
在形成有所述栅线和所述公共电极线的衬底基板上形成多条数据线，所述多条栅线与所述多条数据线绝缘交叉限定出多个像素区，所述多个公共电极一一对应位于所述多个像素区中。
可选地，对于每条所述公共电极线：所述目标导线段向靠近所述目标栅线的方向弯曲。
可选地，所述目标导线段为弧形导线段。
可选地，所述多个公共电极还阵列排布为多行，对于每条所述公共电极线：所述公共电极线和目标公共电极连接，并通过跨越所述目标栅线的桥接线和与所述目标公共电极相邻且位于同一行的公共电极连接。
可选地，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成多个薄膜晶体管和多个像素电极，所述多个薄膜晶体管和所述多个像素电极一一对应位于所述多个像素区中，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极最近的栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述源极最近的数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述薄膜晶体管位于同一像素区中的像素电极连接。
第三方面，提供一种显示基板的修复方法，用于第一方面或第一方面的任一可选方式所述的显示基板，所述方法包括：
在第一数据线断裂时，根据所述第一数据线的断裂点确定第一修复点和第二修复点，所述第一修复点为第一公共电极线的第一目标导线段与所述第一数据线的交点，所述第二修复点为第二公共电极线的第一目标导线段与所述第一数据线的交点，所述第一公共电极线与所述第二公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布，所述断裂点位于所述第一公共电极线与所述第二公共电极线之间；
根据所述第一修复点和第二修复点确定多个切割点，所述多个切割点包括两段所述第一目标导线段上的第一切割点，两段第二目标导线段上的第二切割点、所述第一公共电极线与第一公共电极的连接线上的第三切割点，以及第三公共电极线与第二公共电极的连接线上的第四切割点，所述两段第二目标导线段为第二数据线与所述第一公共电极线交叉的目标导线段以及所述第二数据线与所述第二公共电极线交叉的目标导线段，所述第二数据线为所述第一数据线的上一条数据线，所述第一公共电极、第三公共电极和所述第二公共电极相邻且沿栅线扫描方向依次排布在同一行中，所述第三公共电极位于第一栅线、第二栅线、所述第一数据线和所述第二数据线围成的像素区中，所述第一栅线为所述第一公共电极线对应的目标栅线，所述第二栅线为所述第二公共电极线对应的目标栅线，所述第二公共电极线与所述第三公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布；
从所述第一修复点将所述第一数据线与所述第一公共电极线连接，并从所述第二修复点将所述第一数据线与所述第二公共电极线连接；
从每个所述切割点对相应的公共导线进行切割，所述公共导线包括所述第一目标导线段、所述第二目标导线段和所述连接线；
其中，所述第一数据线上传输至所述断裂点的信号能够从所述第一修复点传输至所述第一公共电极线，依次通过所述第一公共电极线、所述第三公共电极和所述第二公共电极线传输至所述第二修复点，并从所述第二修复点传输回所述第一数据线。
可选地，所述第一切割点位于所述两段第一目标导线段上且位于所述第一数据线的下方，所述第二切割点位于所述两段第二目标导线段上且位于所述第二数据线的下方，所述第三切割点位于所述第一公共电极线与所述第一公共电极的桥接线上，所述第四切割点位于所述第三公共电极线与所述第二公共电极的桥接线上。
可选地，所述从所述第一修复点将所述第一数据线与所述第一公共电极线连接，包括：通过激光焊接工艺，从所述第一修复点将所述第一数据线与所述第一公共电极线焊接；
所述从所述第二修复点将所述第一数据线与所述第二公共电极线连接，包括：通过激光焊接工艺，从所述第二修复点将所述第一数据线与所述第二公共电极线焊接。
可选地，所述从每个所述切割点对相应的公共导线进行切割，包括：通过激光切割工艺，从每个所述切割点对相应的公共导线进行切割。
第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面或第一方面的任一可选方式所述的显示基板。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请提供的显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置，在显示基板中，公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与该目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除该目标导线段之外的导线段，因此该显示基板在不改变公共电极的面积的前提下，使公共电极与目标导电线之间的距离较大，从而公共电极和公共电极线与数据线的交叉位置之间的距离相对较大，便于焊接工作的实施，对数据线修复的成功率较高且显示基板的开口率较高。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例所涉及的一种显示基板的正视结构示意图；
图2是本申请实施例所涉及的另一种显示基板的正视结构示意图；
图3是本申请实施例提供的一种显示基板的正视结构示意图；
图4是图3所示的显示基板的区域Q的放大图；
图5是本申请实施例提供的一种显示基板的剖视结构示意图；
图6是本申请实施例提供的另一种显示基板的正视结构示意图；
图7是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图；
图8是本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图；
图9是本申请实施例提供的一种显示基板的修复方法的方法流程图；
图10是本申请实施例提供的一种断裂点、修复点和切割点在显示基板上的分布位置示意图；
图11是本申请实施例提供的一种修复后显示基板的正视结构示意图；
图12是本申请实施例提供的一种修复后数据线上信号的传输路径示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参考图1，其示出了本申请实施例所涉及的一种显示基板1的正视结构示意图，参见图1，显示基板1包括衬底基板10以及设置在衬底基板上的多条栅线11、多条数据线12和多条公共电极线13，多条栅线11平行，多条数据线12平行，多条公共电极线13与多条栅线11平行且公共电极线13与栅线11一一间隔排布，多条栅线11与多条数据线12绝缘交叉限定出多个像素区(图1中未标出)，每个像素区由相邻的两条栅线11和相邻的两条数据线12围成，如图1所示，该显示基板1还包括一一对应设置在多个像素区中的多个公共电极14、多个薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)15和多个像素电极(图1中未示出)。由于公共电极线13与栅线11平行且栅线11与数据线12绝缘交叉，因此公共电极线13与数据线12也交叉。在任一数据线12断裂时，可以在该数据线12与公共电极线13的交叉位置将该数据线12与该公共电极线13焊接，以使该数据线12上的信号能够通过该公共电极线13绕过断裂点传输，从而达到对该数据线12进行修复的效果。但是，在如图1所示的显示基板1中，每个公共电极14和公共电极线13与数据线12的交叉位置之间的距离较小，该距离通常为3.5um(微米)，导致焊接作业空间不足，焊接工作难以实施，因此对数据线修复的成功率较低。
请参考图2，其示出了本申请实施例所涉及的另一种显示基板2的正视结构示意图，与图1所示的显示基板1类似，该显示基板2包括衬底基板20以及设置在衬底基板上的多条栅线21、多条数据线22、多条公共电极线23以及一一对应设置在多个像素区中的多个公共电极24、多个TFT25和多个像素电极(图2中未示出)，每个公共电极24上靠近公共电极线23与数据线22的交叉位置的一角具有缺口K，这样一来，每个公共电极24和所述交叉位置之间的距离相对较大，该距离通常为7.0um，在数据线12断裂时，可以便于焊接工作的实施。但是，显示基板的开口率与公共电极的有效显示面积(例如公共电极与像素电极的正对面积)正相关，在如图2的显示基板2中，公共电极24上的缺口K会导致公共电极24的有效显示面积相对较小，因此显示基板2的开口率较低。
本申请实施例提供了一种显示基板及其制造方法、修复方法、显示装置，在显示基板中，公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与该目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除该目标导线段之外的导线段，这样一来，在不改变公共电极的面积的前提下，可以使公共电极与目标导电线之间的距离较大，从而公共电极和公共电极线与数据线的交叉位置之间的距离相对较大，便于焊接工作的实施，对数据线修复的成功率较高且显示基板的开口率较高。本申请的详细方案请参考下述实施例。
图3是本申请实施例提供的一种显示基板3的正视结构示意图，图4是图3所示的显示基板3的区域Q的放大图，图5是本申请实施例提供的一种显示基板3的剖视结构示意图，参见图3至图5，显示基板3包括：衬底基板30以及设置在衬底基板30上的多条栅线31、多条数据线32和多条公共电极线33；多条栅线31与多条数据线32绝缘交叉限定出多个像素区(图3至图5中均未标出)，每个像素区由相邻的两条栅线31和相邻的两条数据线32围成，该显示基板3还包括一一对应设置在多个像素区中的多个公共电极34，多条栅线31与多条公共电极线33的延伸方向平行，且多条栅线31与多条公共电极线33一一间隔排布，与每条公共电极线33相邻的两条栅线31中，其中一条栅线31与该公共电极线33之间的距离小于另一条栅线31与该公共电极线33之间的距离。
如图3和图4所示，对于每条公共电极线33：该公共电极线33上的每段目标导线段331与目标栅线之间的距离(图3和图4中均未标出)小于该公共电极线33上的其他导线段(图3和图4中均未标出)与目标栅线之间的距离(图3和图4中均未标出)，该公共电极线33包括多段目标导线段331，每段目标导线段331为该公共电极线33与一条数据线32交叉的导线段，该其他导线段为该公共电极线33上除目标导线段331之外的导线段，目标栅线为多条栅线31中距离该公共电极线33最近的栅线，位于目标栅线两侧且与目标栅线相邻的公共电极34均与该公共电极线33连接。示例地，如图6所示，与公共电极线33a相邻的两条栅线中，栅线31a与该公共电极线33a之间的距离小于栅线31b与该公共电极线33a之间的距离，因此对于该公共电极线33a，目标栅线为栅线31a，公共电极线33a上的每段目标导线段331a与栅线31a之间的距离(图6中均未标出)小于该公共电极线33a上的其他导线段(图6中均未标出)与栅线31a之间的距离(图6中均未标出)，位于栅线31a两侧且与栅线31a相邻的公共电极34均与该公共电极线33a连接。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板，在该显示基板中，公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与该目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除该目标导线段之外的导线段，因此该显示基板在不改变公共电极的面积的前提下，使公共电极与目标导电线之间的距离较大，从而公共电极和公共电极线与数据线的交叉位置之间的距离相对较大，便于焊接工作的实施，对数据线修复的成功率较高且显示基板的开口率较高。
可选地，如图3、图4和图6所示，对于每条公共电极线33：目标导线段331向靠近目标栅线的方向弯曲；进一步地，目标导线段331可以为弧形导线段。
可选地，如图3所示，多个公共电极34沿栅线扫描方向x排布为多列，且沿数据线扫描方向y排布为多行，列方向与栅线扫描方向x垂直，行方向与数据线扫描方向y垂直，对于每条公共电极线33：该公共电极线33和目标公共电极连接，并通过跨越目标栅线的桥接线(图3中未标出)和与目标公共电极相邻且位于同一行的公共电极连接。其中，每条公共电极线33部分处于像素区中，每条公共电极线33处于像素区中的部分和目标公共电极连接，并通过跨越目标栅线的桥接线和与目标公共电极相邻且位于同一行的公共电极34连接，该目标公共电极为与公共电极线33处于同一像素区的公共电极。
进一步地，请继续参考图3至图5，该显示基板3还包括：一一对应设置在多个像素区中的多个TFT35和多个像素电极36，每个TFT35包括沿远离衬底基板30的方向依次设置的栅极351、栅绝缘层352、有源层353、层间介质层354和源漏极层，源漏极层包括源极355和漏极356，源极355和漏极356不接触，且源极355和漏极356分别有源层353接触，每个TFT35的栅极351与该栅极351最近的栅线31连接，源极355与该源极355最近的数据线32连接，漏极356与该TFT35位于同一像素区中的像素电极36连接。可选地，如图5所示，栅线31、公共电极线33以及栅极351同层设置，该显示基板3还包括设置在公共电极34与栅线31之间的第一绝缘层37，以及，设置在源漏极层与像素电极36之间的钝化层38。在本申请实施例中，异层设置的结构可以通过过孔连接，例如，公共电极线33与公共电极34异层设置，公共电极线33可以通过第一绝缘层37上的过孔与公共电极34连接(图5中未示出)，再例如，源漏极层与有源层353异层设置，源极355和漏极356分别通过层间介质层354上的过孔与有源层353连接，又例如，像素电极36与漏极356异层设置，像素电极36通过钝化层38上的过孔与漏极356连接，本申请实施例在此不再一一列举。
可选地，在本申请实施例中，显示基板3可以为高级超维场转换(英文：AdvancedSuper Dimension Switch；简称：ADS)型显示基板，如图5所示，像素电极36可以为狭缝电极(也即是像素电极36上设置有狭缝)，狭缝的存在可以便于在公共电极34与像素电极36之间形成电压。
需要说明的是，在本申请实施例中，衬底基板30可以是透明基板，例如其可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的硬质基板，或者，衬底基板30为采用聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)等柔性材料制成的柔性基板；栅线31、公共电极线33和栅极351可以通过同一次构图工艺制作，且栅线31、公共电极线33和栅极351这三者的材料可以相同，例如栅线31、公共电极线33和栅极351这三者的材料均可以为金属Mo(中文：钼)、金属Cu(中文：铜)、金属Al(中文：铝)、金属Ti(中文：钛)及其合金材料；数据线32、源极355、漏极356以及连接公共电极34与公共电极线33的桥接线可以通过同一次构图工艺制作，且数据线32、源极355、漏极356以及桥接线这四者的材料可以相同，例如数据线32、源极355、漏极356以及桥接线这四者的材料均可以为金属Mo、金属Cu、金属Al、金属Ti及其合金材料；公共电极34和像素电极36均可以为透明电极，且公共电极34和像素电极36的材料可以相同或不同，例如，公共电极34和像素电极36的材料均可以为氧化铟锡(英文：Indium tin oxide；简称：ITO)、氧化铟锌(英文：Indium zinc oxide；简称：IZO)或掺铝氧化锌(英文：aluminum-doped zinc oxide；简称：ZnO:Al)等金属氧化物；有源层353可以为半导体有源层或氧化物有源层，例如，有源层353为采用非晶硅或多晶硅等半导体材料制成的半导体有源层，或者，有源层353为采用铟镓锌氧化物(英文：indium galliumzinc oxide；简称：IGZO)或铟锡锌氧化物(英文：indium tin zinc oxide；简称：ITZO)等半导体氧化物制成的氧化物有源层；栅绝缘层352、层间介质层354、第一绝缘层37和钝化层38均可以是采用SiOx(中文：氧化硅)、SiNx(中文：氮化硅)、Al2O3(中文：氧化铝)或SiOxNx(中文：氮氧化硅)等无机材料制成的绝缘层，且栅绝缘层352、层间介质层354、第一绝缘层37和钝化层38这四者的材料可以相同也可以不同，本申请实施例不对各个膜层的制作工艺以及材料进行限定。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板，在该显示基板中，公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与该目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除该目标导线段之外的导线段，因此该显示基板在不改变公共电极的面积的前提下，使公共电极与目标导电线之间的距离较大，从而公共电极和公共电极线与数据线的交叉位置之间的距离相对较大，便于焊接工作的实施，对数据线修复的成功率较高且显示基板的开口率较高。本申请实施例提供的显示基板可以在满足产品光电性能的同时，提高数据线修复的成功率，提升产品良率。
下述为本申请实施例提供的显示基板的制造方法的实施例，本申请实施例中显示基板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图7，其示出了本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图，参见图7，该方法可以包括如下步骤：
步骤701、在衬底基板上形成多个公共电极，多个公共电极阵列排布为多列。
步骤702、在形成有公共电极的衬底基板上形成多条栅线和多条公共电极线，多条栅线与多条公共电极线的延伸方向平行，且多条栅线与多条公共电极线一一间隔排布，与每条公共电极线相邻的两条栅线中，其中一条栅线与公共电极线之间的距离小于另一条栅线与公共电极线之间的距离，每相邻的两条栅线之间具有一列公共电极，对于每条公共电极线：公共电极线上的每段目标导线段与目标栅线之间的距离小于公共电极线上的其他导线段与目标栅线之间的距离，公共电极线包括多段目标导线段，每段目标导线段为公共电极线与一条数据线交叉的导线段，其他导线段为公共电极线上除目标导线段之外的导线段，目标栅线为多条栅线中距离公共电极线最近的栅线，位于目标栅线两侧且与目标栅线相邻的公共电极均与公共电极线连接。
步骤703、在形成有栅线和公共电极线的衬底基板上形成多条数据线，多条栅线与多条数据线绝缘交叉限定出多个像素区，多个公共电极一一对应位于多个像素区中。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板的制造方法，在显示基板中，公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与该目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除该目标导线段之外的导线段，因此该显示基板在不改变公共电极的面积的前提下，使公共电极与目标导电线之间的距离较大，从而公共电极和公共电极线与数据线的交叉位置之间的距离相对较大，便于焊接工作的实施，对数据线修复的成功率较高且显示基板的开口率较高。
可选地，对于每条公共电极线：目标导线段向靠近目标栅线的方向弯曲。
可选地，目标导线段为弧形导线段。
可选地，多个公共电极还阵列排布为多行，对于每条公共电极线：公共电极线和目标公共电极连接，并通过跨越目标栅线的桥接线和与目标公共电极相邻且位于同一行的公共电极连接。
可选地，该方法还包括：在衬底基板上形成多个TFT和多个像素电极，多个TFT和多个像素电极一一对应位于多个像素区中，TFT的栅极与栅极最近的栅线连接，TFT的源极与源极最近的数据线连接，TFT的漏极与TFT位于同一像素区中的像素电极连接。
可选地，步骤701之后，该方法还包括：在形成有公共电极的衬底基板上形成第一绝缘层；相应地，步骤702包括：在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成多条栅线和多条公共电极线。
可选地，在步骤703之前，该方法还包括：在形成有栅线和公共电极线的衬底基板上形成层间介质层；相应地，步骤703包括：在形成有层间介质层的衬底基板上形成多条数据线。
可选地，在步骤703之后，该方法还包括：在形成有数据线的衬底基板上形成钝化层；相应地，在衬底基板上形成多个像素电极包括：在形成有钝化层的衬底基板上形成多个像素电极。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。
请参考图8，其示出了本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图，该显示基板的制造方法可以用于制造上述实施例提供的显示基板3，参见图8，该方法可以包括如下步骤：
步骤801、在衬底基板上形成多个公共电极，多个公共电极阵列排布为多列。
如图3所示，多个公共电极34在衬底基板30上阵列排布为多行和多列，列方向可以为方向y，行方向可以为方向x，行方向x与列方向y垂直。在本申请实施例中，公共电极34的材料可以为透明导电材料，该透明导电材料可以为ITO、IZO、ZnO:Al等金属氧化物。以公共电极34的材料为ITO为例，示例地，在衬底基板30上形成多个公共电极34可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition；简称：PECVD)等工艺在衬底基板30上沉积一层ITO得到ITO材质层，通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到多个公共电极34。
步骤802、在形成有公共电极的衬底基板上形成第一绝缘层。
其中，第一绝缘层的材料可以为透明绝缘材料，该透明绝缘材料可以为SiOx、SiNx、Al2O3或SiOxNx等无机材料。以第一绝缘层的材料为SiOx为例，示例地，如图5所示，在形成有公共电极34的衬底基板30上形成第一绝缘层37可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有公共电极34的衬底基板30上沉积一层SiOx得到SiOx材质层，通过一次构图工艺对SiOx材质层进行处理得到第一绝缘层37。
步骤803、在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成多个栅极、多条栅线和多条公共电极线，多条栅线与多条公共电极线的延伸方向平行，且多条栅线与多条公共电极线一一间隔排布，每相邻的两条栅线之间具有一列公共电极，每条公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与目标栅线之间的距离，目标栅线为多条栅线中距离该公共电极线最近的栅线，位于目标栅线两侧且与目标栅线相邻的公共电极均与公共电极线连接。
如图3所示，多条栅线31与多条公共电极线33的延伸方向(又可以称为长度方向)平行，且多条栅线31与多条公共电极线33一一间隔排布，每相邻的两条栅线31之间具有一列公共电极34，与每条公共电极线33相邻的两条栅线31中，其中一条栅线31与该公共电极线33之间的距离小于另一条栅线31与该公共电极线33之间的距离，每条公共电极线33包括多段目标导线段331，每条公共电极线33上的目标导线段331与目标栅线之间的距离小于该公共电极线33上的其他导线段与目标栅线之间的距离，目标栅线为多条栅线31中距离该公共电极线33最近的栅线，位于目标栅线两侧且与目标栅线相邻的公共电极34均与公共电极线33连接。其中，每条公共电极线33上的其他导线段为该公共电极线33上除多段目标导线段331之外的导线段，公共电极线33可以通过桥接线与公共电极34连接。示例地，如图6所示，与公共电极线33a相邻的两条栅线中，栅线31a与公共电极线33a之间的距离小于栅线31b与公共电极线33a之间的距离，公共电极线33a包括多段目标导线段331a，因此对于公共电极线33a，目标栅线为栅线31a，公共电极线33a上的目标导线段331a与栅线31a之间的距离小于该公共电极线33a上的其他导线段与栅线31a之间的距离，位于栅线31a两侧且与栅线31a相邻的公共电极34均与公共电极线33a连接。
在本申请实施例中，如图3至图6所示，栅线31、公共电极线33和栅极351可以通过同一次构图工艺制作，且栅线31、公共电极线33和栅极351这三者的材料可以相同，例如栅线31、公共电极线33和栅极351这三者的材料均可以为金属Mo、金属Cu、金属Al、金属Ti及其合金材料。以栅线31、公共电极线33和栅极351通过同一次构图工艺制作，且栅线31、公共电极线33和栅极351这三者的材料均为金属Mo为例，示例地，如图5所示，在形成有第一绝缘层37的衬底基板30上形成多个栅极351、多条栅线31和多条公共电极线33可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有第一绝缘层37的衬底基板30上沉积一层金属Mo得到金属Mo材质层，通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理得到多个栅极351、多条栅线31和多条公共电极线33，每个栅极351与其最近的栅线31连接。
需要说明的是，本申请实施例是以栅线31、公共电极线33和栅极351通过同一次构图工艺制作为例进行说明的，实际应用中，可以通过三次构图工艺制作栅线31、公共电极线33和栅极351，本申请实施例对此不做限定。
步骤804、在形成有栅极、栅线和公共电极线的衬底基板上形成栅绝缘层。
其中，栅绝缘层的材料可以为透明绝缘材料，该透明绝缘材料可以为SiOx、SiNx、Al2O3或SiOxNx等无机材料。形成栅绝缘层的过程可以参考步骤802中形成第一绝缘层37的过程，本申请实施例在此不再赘述。
步骤805、在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成与多个有源层，多个有源层与多个栅极一一对应。
其中，有源层的材料可以为非晶硅或多晶硅等半导体材料，或者，有源层的材料为IGZO或ITZO等半导体氧化物。以有源层的材料为IGZO为例，示例地，如图5所示，在形成有栅绝缘层352的衬底基板30上形成与多个有源层353可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有栅绝缘层352的衬底基板30上沉积一层IGZO得到IGZO材质层，通过一次构图工艺对IGZO材质层进行处理得到多个有源层353，多个有源层353与多个栅极351一一对应。
步骤806、在形成有有源层的衬底基板上形成层间介质层。
其中，层间介质层的材料可以为透明绝缘材料，该透明绝缘材料可以为SiOx、SiNx、Al2O3或SiOxNx等无机材料。形成层间介质层的过程可以参考步骤802中形成第一绝缘层37的过程，本申请实施例在此不再赘述。
步骤807、在形成有层间介质层的衬底基板上形成多条数据线以及与多个有源层一一对应的多个源漏极层，多条数据线和多条栅线绝缘交叉限定出多个像素区，多个公共电极、多个有源层和多个源漏极层一一对应位于多个像素区中，每条数据线在多条公共电极线的目标导线段处与该多条公共电极线交叉。
如图3所示，多条数据线32平行，多条数据线32与多条栅线31交叉限定出多个像素区，结合图3和图5，多个公共电极34、多个有源层353和多个源漏极层一一对应位于多个像素区中，每条数据线32在多条公共电极线33的目标导线段331处与该多条公共电极线33交叉，换句话来讲，每条公共电极线33的目标导线段331为该公共电极线33与数据线32交叉的导线段。
如图5所示，源漏极层包括源极355和漏极356，在本申请实施例中，数据线32、源极355和漏极356这三者的材料可以相同，数据线32、源极355和漏极356可以通过同一次构图工艺制作，例如，数据线32、源极355和漏极356这三者的材料均可以为金属Mo、金属Cu、金属Al、金属Ti及其合金材料。以数据线32、源极355和漏极356通过同一次构图工艺制作，且数据线32、源极355和漏极356这三者的材料均为金属Cu为例，示例地，如图5所示，在形成有层间介质层354的衬底基板30上形成多条数据线32以及与多个有源层353一一对应的多个源漏极层可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有层间介质层354的衬底基板30上沉积一层金属Cu得到金属Cu材质层，通过一次构图工艺对金属Cu材质层进行处理得到多条数据线32以及与多个有源层353一一对应的多个源漏极层，每个源漏极层的源极355与漏极356不接触，且每个源漏极层的源极355和漏极356分别通过层间介质层354的过孔与相应的有源层353接触，每个源极355与其最近的数据线32连接。
需要说明的是，实际应用中，公共电极线可以通过桥接线与公共电极连接，该桥接线可以与数据线通过同一次构图工艺制作，因此在执行该步骤807的过程中，也可以形成桥接线，当然，桥接线也可以与数据线通过不同的构图工艺制作。当桥接线与数据线通过同一次构图工艺制作时，容易理解，在执行上述步骤803之后，公共电极线可以未与公共电极连接，而在执行该步骤807之后，公共电极线通过桥接线与公共电极连接，本申请实施例对此不做限定。此外，本申请实施例是以数据线32、源极355和漏极356通过同一次构图工艺制作为例进行说明的，实际应用中，可以通过至少两次构图工艺形成数据线32、源极355和漏极356，本申请实施例对此不做限定。
步骤808、在形成有源漏极层和数据线的衬底基板上形成钝化层。
其中，钝化层的材料可以为透明绝缘材料，该透明绝缘材料可以为SiOx、SiNx、Al2O3或SiOxNx等无机材料。形成钝化层的过程可以参考步骤802中形成第一绝缘层37的过程，本申请实施例在此不再赘述。
步骤809、在形成有钝化层的衬底基板上形成与多个源漏极层一一对应的多个像素电极，多个公共电极、多个有源层、多个源漏极层和多个像素电极一一对应位于多个像素区中。
其中，像素电极的材料可以为透明导电材料，该透明导电材料可以为ITO、IZO、ZnO:Al等金属氧化物。以像素电极的材料为ITO为例，示例地，如图5所示，在形成有钝化层38的衬底基板30上形成与多个源漏极层一一对应的多个像素电极36可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有钝化层38的衬底基板30上沉积一层ITO得到ITO材质层，通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到多个像素电极36，多个像素电极36与多个源漏极层一一对应，多个公共电极34、多个有源层353、多个源漏极层和多个像素电极36一一对应位于多个像素区中。其中，位于同一像素区中的栅极351、栅绝缘层352、有源层353、层间介质层354和源漏极层构成一个TFT。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示基板的制造方法中，所涉及的一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，通过一次构图工艺对材质层(例如ITO材质层)进行处理包括：在材质层(例如ITO材质层)上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材质层(例如ITO材质层)上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区的光刻胶得到相应的结构(例如公共电极34)。这里是以光刻胶为正性光刻胶为例进行说明的，当光刻胶为负性光刻胶时，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述，本申请实施例在此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板的制造方法，在显示基板中，公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与该目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除该目标导线段之外的导线段，因此该显示基板在不改变公共电极的面积的前提下，使公共电极与目标导电线之间的距离较大，从而公共电极和公共电极线与数据线的交叉位置之间的距离相对较大，便于焊接工作的实施，对数据线修复的成功率较高且显示基板的开口率较高。本申请实施例提供的方法制造的显示基板可以在满足产品光电性能的同时，提高数据线修复的成功率，提升产品良率。
下述为本申请实施例提供的显示基板的修复方法的实施例，本申请实施例中显示基板的修复方法和原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图9，其示出了本申请实施例提供的一种显示基板的修复方法的方法流程图，该显示基板的修复方法可以用于对显示基板中数据线的断裂进行修复，本申请实施例以对图3所示的显示基板3上的数据线的断裂进行修复为例，参见图9，该方法可以包括如下步骤：
步骤901、在第一数据线断裂时，根据第一数据线的断裂点确定第一修复点和第二修复点，第一修复点为第一公共电极线的第一目标导线段与第一数据线的交点，第二修复点为第二公共电极线的第一目标导线段与第一数据线的交点，第一公共电极线与第二公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布，断裂点位于第一公共电极线与第二公共电极线之间。
其中，第一数据线可以为显示基板上的任一数据线，在第一数据线断裂时，可以根据第一数据线的断裂点，将第一公共电极线的第一目标导线段与第一数据线的交点确定为第一修复点，将第二公共电极线的第一目标导线段与第一数据线的交点确定为第二修复点，第一公共电极线与第二公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布，断裂点位于第一公共电极线与第二公共电极线之间。
示例地，请参考图10，其示出了本申请实施例提供的一种断裂点、修复点和切割点在显示基板上的分布位置示意图，参见图10，第一数据线32c发生断裂，断裂点为点G，第一公共电极线33c和第二公共电极线33d相邻且沿栅线扫描方向x依次排布，第一数据线32c的断裂点G位于第一公共电极线33c与第二公共电极线33d之间，因此可以将第一公共电极线33c的第一目标导线段(图10中未标出)与第一数据线32c的交点S1确定为第一修复点，将第二公共电极线33d的第一目标导线段(图10中未标出)与第一数据线32c的交点S2确定为第二修复点。
步骤902、根据第一修复点和第二修复点确定多个切割点，多个切割点包括两段第一目标导线段上的第一切割点，两段第二目标导线段上的第二切割点、第一公共电极线与第一公共电极的连接线上的第三切割点，以及第三公共电极线与第二公共电极的连接线上的第四切割点，两段第二目标导线段为第二数据线与第一公共电极线交叉的目标导线段以及第二数据线与第二公共电极线交叉的目标导线段，第二数据线为第一数据线的上一条数据线，第一公共电极、第三公共电极和第二公共电极相邻且沿栅线扫描方向依次排布在同一行中，第三公共电极位于第一栅线、第二栅线、第一数据线和第二数据线围成的像素区中，第一栅线为第一公共电极线对应的目标栅线，第二栅线为第二公共电极线对应的目标栅线，第二公共电极线与第三公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布。
确定第一修复点和第二修复点后，可以根据第一修复点和第二修复点确定多个切割点，多个切割点包括第一切割点、第二切割点、第三切割点和第四切割点，第一切割点位于两段第一目标导线段上且位于第一数据线的下方，第二切割点位于两段第二目标导线段上且位于第二数据线的下方，第三切割点位于第一公共电极线与第一公共电极的桥接线上，第四切割点位于第三公共电极线与第二公共电极的桥接线上，两段第二目标导线段为第二数据线与第一公共电极线交叉的目标导线段以及第二数据线与第二公共电极线交叉的目标导线段，第二数据线为第一数据线的上一条数据线，第一公共电极、第三公共电极和第二公共电极相邻且沿栅线扫描方向依次排布在同一行中，第三公共电极位于第一栅线、第二栅线、第一数据线和第二数据线围成的像素区中，第一栅线为第一公共电极线对应的目标栅线，第二栅线为第二公共电极线对应的目标栅线，第二公共电极线与第三公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布。其中，切割点位于数据线的下方指的是切割点沿数据线扫描方向位于数据线的下方，例如，第一切割点位于两段第一目标导线段上且位于第一数据线的下方指的是：第一切割点位于两段第一目标导线段上，且沿数据线扫描方向位于第一数据线的下方，第二切割点位于两段第二目标导线段上且位于第二数据线的下方指的是：第二切割点位于两段第二目标导线段上，且沿数据线扫描方向位于第二数据线的下方。第一数据线的上一条数据线指的是沿数据线扫描方向位于第一数据线之前且与第一数据线相邻的一条数据线。
示例地，请继续参考图10，第一公共电极线33c、第二公共电极线33d和第三公共电极线33e沿栅线扫描方向x依次排布，第二数据线32d为第一数据线32c的上一数据线，第一栅线31c为第一公共电极线33c对应的目标栅线(也即是距离第一公共电极线33c最近的栅线)，第二栅线31d为第二公共电极线33d对应的目标栅线(也即是距离第二公共电极线33d最近的栅线)，第三公共电极34e位于第一栅线31c、第二栅线31d、第一数据线32c和第二数据线32d围成的像素区中，第一公共电极34c、第三公共电极34e和第二公共电极34d沿栅线扫描方向x依次排布，多个切割点包括：两段第一目标导线段(第一公共电极线33c与第一数据线32c交叉的目标导线段，以及，第二公共电极线33d与第一数据线32c交叉的目标导线段，图10中未标出)上的第一切割点P1和P2，两段第二目标导线段(第一公共电极线33c与第二数据线32d交叉的目标导线段，以及，第二公共电极线33d与第二数据线32d交叉的目标导线段，图10中未标出)上的第二切割点P3和P4，第一公共电极线33c与第一公共电极34c的桥接线(图10中未标出)上的第三切割点P5，以及，第三公共电极线33e与第二公共电极34d的桥接线(图10中未标出)上的第四切割点P6，第一切割点P1和P2沿数据线扫描方向y位于第一数据线32c的下方，第二切割点P3和P4沿数据线扫描方向y位于第二数据线32d的下方。
步骤903、从第一修复点将第一数据线与第一公共电极线连接，并从第二修复点将第一数据线与第二公共电极线连接。
可选地，从第一修复点将第一数据线与第一公共电极线连接可以包括：通过激光焊接工艺，从第一修复点将第一数据线与第一公共电极线焊接；从第二修复点将第一数据线与第二公共电极线连接可以包括：通过激光焊接工艺，从第二修复点将第一数据线与第二公共电极线焊接。由于数据线与公共电极线异层设置，因此可以先在数据线与公共电极线之间的膜层上打孔，并通过数据线与公共电极线之间的膜层上的孔将数据线与公共电极线焊接。
示例地，如图10所示，可以从第一修复点S1所在位置，在第一数据线32c与第一公共电极线33c之间的膜层上打孔，然后通过激光焊接工艺，从第一数据线32c与第一公共电极线33c之间的膜层上的孔将第一数据线32c与第一公共电极线33c焊接；从第二修复点S2所在位置，在第一数据线32c与第二公共电极线33d之间的膜层上打孔，然后通过激光焊接工艺，从第一数据线32c与第二公共电极线33d之间的膜层上的孔将第一数据线32c与第二公共电极线33d焊接。
步骤904、从每个切割点对相应的公共导线进行切割，公共导线包括第一目标导线段、第二目标导线段和连接线。
可选地，从每个切割点对相应的公共导线进行切割可以包括：通过激光切割工艺，从每个切割点对相应的公共导线进行切割。其中，该公共导线指的是第一目标导线段、第二目标导线段以及连接公共电极线与公共电极的连接线(例如桥接线)，具体可以根据切割点所在位置而确定。
示例地，如图10所示，可以从切割点P1至P6中的每个切割点对相应的公共导线进行切割，例如，从第一切割点P1和P2分别对相应的第一目标导线段进行切割，从第二切割点P3和P4分别对相应的第二目标导线段进行切割，从第三切割点P5对第一公共电极线33c与第一公共电极34c的桥接线进行切割，从第四切割点P6对第三公共电极线33e与第二公共电极34d的桥接线进行切割。其中，对图10所示的显示基板修复后的示意图可以参考图11，结合图10和图11，第一修复点S1和第二修复点S2的数据线与公共电极线焊接，切割点P1至P6中的每个切割点的公共导线被切断。
在本申请实施例中，在执行上述步骤901至904之后，第一数据线的修复完成，对第一数据线修复之后，该显示基板在使用时，第一数据线上传输至断裂点的信号能够从第一修复点传输至第一公共电极线，依次通过第一公共电极线、第三公共电极和第二公共电极线传输至第二修复点，并从第二修复点传输回第一数据线。示例地，请参考图12，其示出了对图10所示的显示基板修复后第一数据线32c上的信号的传输路径示意图，其中，加粗箭头表示第一数据线32c上的信号的传输路径，参见图12并结合图10，第一数据线32c上传输至断裂点G的信号从第一修复点S1传输至第一公共电极线33c，依次通过第一公共电极线33c、第三公共电极34e和第二公共电极线33d传输至第二修复点S2，并从第二修复点S2传输回第一数据线32c，这样一来，数据线上的信号可以绕过断裂点传输回数据线，因此可以达到对数据线修复的效果。
需要说明的是，图10所示的修复点和切割点仅仅是示例性的，实际应用中，修复点和切割点还可以位于其他位置，只要保证数据线上的信号可以绕过断裂点传输回数据线即可。但是，由于修复之后，数据线上的信号实际上是通过公共电极线和公共电极绕过断裂点传输的，这样一来，数据线上的信号会对公共电极线和公共电极上的信号产生影响，进而影响显示基板的显示，因此若将修复点和切割点设置在其他位置，数据线上的信号对显示基板的显示影响较大，而若根据图10设置修复点和切割点，可以最大限度的控制数据线上的信号对显示基板的影响。示例地，如图10所示，第一数据线32c上的信号仅仅会影响第三公共电极34e和第三公共电极34d所在像素区的显示，而不会影响其他像素区的显示，因此第一数据线32c的修复对显示基板的影响较小。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板的修复方法，在显示基板中，公共电极线上的目标导线段与目标栅线之间的距离小于该公共电极线上的其他导线段与该目标栅线之间的距离，目标导线段为该公共电极线与数据线交叉的导线段，其他导线段为该公共电极线上除该目标导线段之外的导线段，因此该显示基板在不改变公共电极的面积的前提下，使公共电极与目标导电线之间的距离较大，从而公共电极和公共电极线与数据线的交叉位置之间的距离相对较大，便于焊接工作的实施，对数据线修复的成功率较高且显示基板的开口率较高。
本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的显示基板3，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多条公共电极线，其中，所述栅线和所述公共电极线同层设置；
所述多条栅线与所述多条数据线绝缘交叉限定出多个像素区，所述显示基板还包括一一对应设置在所述多个像素区中的多个公共电极，所述多条栅线与所述多条公共电极线的延伸方向平行，且所述多条栅线与所述多条公共电极线一一间隔排布，与每条所述公共电极线相邻的两条所述栅线中，其中一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离小于另一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离；
对于每条所述公共电极线：所述公共电极线上的每段目标导线段与目标栅线之间的距离小于所述公共电极线上的其他导线段与所述目标栅线之间的距离，所述公共电极线包括多段所述目标导线段，每段所述目标导线段为所述公共电极线与一条所述数据线交叉的导线段，每段所述目标导线段向靠近所述目标栅线的方向弯曲，且每段所述目标导线段中的部分导线段在所述衬底基板上正投影，与一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述其他导线段为所述公共电极线上除所述目标导线段之外的导线段，所述目标栅线为所述多条栅线中距离所述公共电极线最近的栅线，位于所述目标栅线两侧且与所述目标栅线相邻的公共电极均与所述公共电极线连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述目标导线段为弧形导线段。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个公共电极沿数据线扫描方向排布为多行，对于每条所述公共电极线：所述公共电极线和目标公共电极连接，并通过跨越所述目标栅线的桥接线和与所述目标公共电极相邻且位于同一行的公共电极连接。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：一一对应设置在所述多个像素区中的多个薄膜晶体管和多个像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极最近的栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述源极最近的数据线连接，与所述薄膜晶体管位于同一像素区中的像素电极，与所述薄膜晶体管的漏极连接。
5.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底基板上形成多个公共电极，所述多个公共电极阵列排布为多列；
在形成有所述公共电极的衬底基板上形成多条栅线和多条公共电极线，其中，所述栅线和所述公共电极线同层设置，所述多条栅线与所述多条公共电极线的延伸方向平行，且所述多条栅线与所述多条公共电极线一一间隔排布，与每条所述公共电极线相邻的两条所述栅线中，其中一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离小于另一条所述栅线与所述公共电极线之间的距离，每相邻的两条所述栅线之间具有一列所述公共电极；
在形成有所述栅线和所述公共电极线的衬底基板上形成多条数据线，所述多条栅线与所述多条数据线绝缘交叉限定出多个像素区，所述多个公共电极一一对应位于所述多个像素区中；
其中，对于每条所述公共电极线：所述公共电极线上的每段目标导线段与目标栅线之间的距离小于所述公共电极线上的其他导线段与所述目标栅线之间的距离，所述公共电极线包括多段所述目标导线段，每段所述目标导线段为所述公共电极线与一条所述数据线交叉的导线段，每段所述目标导线段向靠近所述目标栅线的方向弯曲，且每段所述目标导线段中的部分导线段在所述衬底基板上正投影，与一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述其他导线段为所述公共电极线上除所述目标导线段之外的导线段，所述目标栅线为所述多条栅线中距离所述公共电极线最近的栅线，位于所述目标栅线两侧且与所述目标栅线相邻的公共电极均与所述公共电极线连接。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述目标导线段为弧形导线段。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述多个公共电极还阵列排布为多行，对于每条所述公共电极线：所述公共电极线和目标公共电极连接，并通过跨越所述目标栅线的桥接线和与所述目标公共电极相邻且位于同一行的公共电极连接。
8.根据权利要求5至7任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述衬底基板上形成多个薄膜晶体管和多个像素电极，所述多个薄膜晶体管和所述多个像素电极一一对应位于所述多个像素区中，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极最近的栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述源极最近的数据线连接，与所述薄膜晶体管位于同一像素区中的像素电极，与所述薄膜晶体管的漏极连接。
9.一种显示基板的修复方法，其特征在于，用于权利要求1至4任一项所述的显示基板，所述修复方法包括：
在第一数据线断裂时，根据所述第一数据线的断裂点确定第一修复点和第二修复点，所述第一修复点为第一公共电极线的第一目标导线段与所述第一数据线的交点，所述第二修复点为第二公共电极线的第一目标导线段与所述第一数据线的交点，所述第一公共电极线与所述第二公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布，所述断裂点位于所述第一公共电极线与所述第二公共电极线之间；
根据所述第一修复点和所述第二修复点确定多个切割点，所述多个切割点包括两段所述第一目标导线段上的第一切割点，两段第二目标导线段上的第二切割点、所述第一公共电极线与第一公共电极的连接线上的第三切割点，以及第三公共电极线与第二公共电极的连接线上的第四切割点，所述两段第二目标导线段为第二数据线与所述第一公共电极线交叉的目标导线段以及所述第二数据线与所述第二公共电极线交叉的目标导线段，所述第二数据线为所述第一数据线的上一条数据线，所述第一公共电极、第三公共电极和所述第二公共电极相邻且沿栅线扫描方向依次排布在同一行中，所述第三公共电极位于第一栅线、第二栅线、所述第一数据线和所述第二数据线围成的像素区中，所述第一栅线为所述第一公共电极线对应的目标栅线，所述第二栅线为所述第二公共电极线对应的目标栅线，所述第二公共电极线与所述第三公共电极线相邻且沿栅线扫描方向依次排布；
从所述第一修复点将所述第一数据线与所述第一公共电极线连接，并从所述第二修复点将所述第一数据线与所述第二公共电极线连接；
从每个所述切割点对相应的公共导线进行切割，所述公共导线包括所述第一目标导线段、所述第二目标导线段和所述连接线；
其中，所述第一数据线上传输至所述断裂点的信号能够从所述第一修复点传输至所述第一公共电极线，依次通过所述第一公共电极线、所述第三公共电极和所述第二公共电极线传输至所述第二修复点，并从所述第二修复点传输回所述第一数据线。
10.根据权利要求9所述的修复方法，其特征在于，所述第一切割点位于所述两段第一目标导线段上且位于所述第一数据线的下方，所述第二切割点位于所述两段第二目标导线段上且位于所述第二数据线的下方，所述第三切割点位于所述第一公共电极线与所述第一公共电极的桥接线上，所述第四切割点位于所述第三公共电极线与所述第二公共电极的桥接线上。
11.根据权利要求9所述的修复方法，其特征在于，
所述从所述第一修复点将所述第一数据线与所述第一公共电极线连接，包括：通过激光焊接工艺，从所述第一修复点将所述第一数据线与所述第一公共电极线焊接；
所述从所述第二修复点将所述第一数据线与所述第二公共电极线连接，包括：通过激光焊接工艺，从所述第二修复点将所述第一数据线与所述第二公共电极线焊接。
12.根据权利要求9至11任一项所述的修复方法，其特征在于，所述从每个所述切割点对相应的公共导线进行切割，包括：通过激光切割工艺，从每个所述切割点对相应的公共导线进行切割。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至4任一项所述的显示基板。
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