CN108873529A - 一种阵列基板及其修复方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板及其修复方法、显示面板，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板完成对盒并进行性能测试后修复难度大致使产品的良率低的问题。本发明的阵列基板上设置了与相邻像素单元组的像素单元的公共电极连接的修复结构，当栅线和/或数据线具有断点时，可以利用修复结构进行修复，使修复结构的部分位置处通过公共电极传递栅线和/或数据线中的信号。

Description

一种阵列基板及其修复方法、显示面板

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其修复方法、显示面板。

背景技术

制备液晶显示面板通常包括制备阵列基板、制备彩膜基板、将阵列基板与彩膜基板对盒成液晶显示面板的步骤。具体的，制备阵列基板可以在下衬底基板上沉积金属薄膜、半导体薄膜，然后通过构图工艺形成所需的金属图案(例如，栅线、数据线、公共电极线)、半导体图案(有源层)；制备彩膜基板也是通过与制备阵列基板相似的方法，在上衬底基板上形成R、G、B等像素块。

其中，对盒后的液晶显示面板需要进行显示性能的测试，成盒后的液晶显示面板的检测一般是在CT点灯机上完成，并根据不良种类将液晶显示面板收集维修，以提高产品的良率。由于液晶显示面板对盒以后，不能在阵列基板上再添加修复线，所以只能利用阵列基板本身的线路结构修复断线，增加了修复难度。

发明内容

本发明针对现有的阵列基板完成对盒并进行性能测试后修复难度大致使产品的良率低的问题，提供一种阵列基板及其修复方法、显示面板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

一种阵列基板，包括衬底，设于所述衬底上的沿第一方向设置的多根栅线，沿第二方向设置的多根数据线以及多根公共电极线，所述公共电极线与数据线交替设置；

所述多根栅线与多根公共电极线、多根数据线交叉限定出多个像素单元，每两个相邻的且位于一根公共电极线两侧的像素单元为一个像素单元组，同组中的两个像素单元的公共电极均连接二者间的公共电极线；其中，

至少部分在第一方向上相邻像素单元组之间设有修复结构，修复结构与其两侧的像素单元的公共电极连接，用于在栅线和/或数据线具有断点时进行修复，使部分位置处通过公共电极传递栅线和/或数据线中的信号。

可选的是，所述修复结构与栅线同层设置。

可选的是，所述修复结构包括均与数据线平行的第一修复线和第二修复线，所述第一修复线和第二修复线分别设于相邻像素单元组之间的数据线的两侧，所述第一修复线和第二修复线的至少部分位置通过中线连接，所述中线与该数据线具有交叠处且相互绝缘。

可选的是，每一像素单元组包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元包括第一薄膜晶体管，所述第二像素单元包括第二薄膜晶体管，同一像素单元组的所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极与同一数据线连接；

所述第一薄膜晶体管的漏极与第一像素单元的像素电极连接；所述第二薄膜晶体管的漏极通过导线与第二像素单元的像素电极连接，所述第二薄膜晶体管和导线不被公共电极覆盖。

可选的是，所述导线包括与公共电极同层的连接电极，和/或与数据线同层的金属连接线。

本发明还提供一种上述的阵列基板的修复方法，所述阵列基板至少部分所述栅线和/或数据线具有断点，所述方法包括切割与该具有断点的栅线和/或数据线相邻的修复结构，切割该修复结构两侧的像素单元的公共电极，以使该具有断点的栅线和/或数据线通过该修复结构的部分位置和所述公共电极的部分位置传递栅线和/或数据线中的信号的步骤。

可选的是，至少一根数据线具有第一断点，所述第一断点位于相邻的两个修复结构的中线之间，所述修复方法包括以下步骤：

将第一断点两侧相邻的两个修复结构的第二修复线均与中线切断；

以所述两个修复结构的第一修复线在与中线相交且背离第一断点的一侧为起点，切割第一修复线及其所在像素单元的公共电极至该像素单元的公共电极线；

将第一断点两侧相邻的两个修复结构的中线均与数据线电连接，

将所述两个修复结构的第一修复线通过各自所在像素单元的被切割的公共电极，以及各自所在像素单元之间的公共电极线电连接。

可选的是，至少一根与所述第二像素单元连接的栅线具有第二断点，所述第二断点在两个第二像素单元之间，所述修复方法包括以下步骤：

将所述第二断点两侧的公共电极线在具有第二断点的栅线两侧的像素单元之间切断为两个公共电极线段；

将所述公共电极线段的一端与该栅线的交叉处分别通过焊点电连接；

以所述公共电极线段的另一端为起点，切割该起点所在像素单元的公共电极至该像素单元的第一修复线与中线相交且背离第一断点的一侧；

将所述两个焊点之间通过两个公共电极线段、以及所述被切割的公共电极电连接。

可选的是，至少部分所述第二像素单元被检测为亮点，所述修复方法包括：

将被检测为亮点的第二像素单元的导线在与该第二像素单元相邻的公共电极线的两侧切断。

可选的是，至少部分与所述第二像素单元连接的栅线具有第三断点，所述第三断点在两个第一像素单元之间；所述修复方法包括以下步骤：

将该第二像素单元的第二薄膜晶体管的源极与数据线切断；

将该第二像素单元的导线与像素电极切断；

将与第三断点相邻的公共电极线在该栅线背离导线的一侧以及在导线背离栅线的一侧均切断后形成连接段；

将第三断点两侧的栅线通过第二薄膜晶体管的漏极、导线、公共电极线的连接段电连接。

本发明还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。

附图说明

图1为本发明的实施例1的阵列基板的结构示意图；

图2为本发明的实施例2的阵列基板的结构示意图；

图3为本发明的实施例2的阵列基板的修复结构的示意图；

图4为本发明的实施例3的阵列基板的一种修复方法示意图；

图5为本发明的实施例3的阵列基板的另一种修复方法示意图；

图6为本发明的实施例3的阵列基板的又一种修复方法示意图；

图7为本发明的实施例3的阵列基板的再一种修复方法示意图；

其中，附图标记为：1、栅线；2、数据线；3、公共电极线；4、像素单元；41、第一像素单元；42、第二像素单元；43、第一薄膜晶体管；44、第二薄膜晶体管；5、修复结构；51、第一修复线；52、第二修复线；53、中线；6、公共电极；71、连接电极；72、金属连接线；81、第一断点；82、第二断点；83、第三断点。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

本实施例提供一种阵列基板，如图1所示，包括衬底(图中未示出)，设于所述衬底上的沿第一方向设置的多根栅线1，沿第二方向设置的多根数据线2以及多根公共电极线3，所述公共电极线3与数据线2交替设置；所述多根栅线1与多根公共电极线3、多根数据线2的交叉限定出多个像素单元4，每两个相邻的且位于一根公共电极线3两侧的像素单元4为一个像素单元组，同组中的两个像素单元4的公共电极6均连接二者间的公共电极线3；其中，至少部分在第一方向上相邻的像素单元组之间设有修复结构5，修复结构5与其两侧的像素单元的公共电极6连接，用于在栅线1和/或数据线2具有断点时进行修复，使部分位置处通过公共电极6传递栅线1和/或数据线2中的信号。

本实施例的阵列基板上设置了与相邻像素单元组的像素单元的公共电极6连接的修复结构5，当栅线1和/或数据线2具有断点时，可以利用修复结构5进行修复，使修复结构5的部分位置处通过公共电极6传递栅线1和/或数据线2中的信号。

实施例2：

本实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括衬底(图中未示出)，设于所述衬底上的沿第一方向设置的多根栅线1，沿第二方向设置的多根数据线2以及多根公共电极线3，所述公共电极线3与数据线2交替设置；所述多根栅线1与多根公共电极线3、多根数据线2交叉限定出多个像素单元，每两个相邻的且位于一根公共电极线3两侧的像素单元为一个像素单元组，同组中的两个像素单元的公共电极6均连接二者间的公共电极线3；其中，至少部分在第一方向上相邻像素单元组之间设有与栅线1同层设置的修复结构5，修复结构5与其两侧的像素单元的公共电极6连接，用于在栅线1和/或数据线2具有断点时进行修复，使修复结构5部分位置处通过公共电极6传递栅线1和/或数据线2中的信号。

本实施例中公共电极线3与栅线1设置在不同层，公共电极线3与数据线2设置在同一层且相互平行，修复结构5与栅线1同层，公共电极6通过过孔与公共电极线3连接，本实施例的阵列基板可以是双栅设计，其适用于为ADS显示模式，其像素电极和公共电极6均位于阵列基板。

作为本实施例中的一种可选实施方案，所述修复结构5包括均与数据线2平行的第一修复线51和第二修复线52，所述第一修复线51和第二修复线52分别设于相邻像素单元组之间的数据线2的两侧，所述第一修复线51和第二修复线52的至少部分位置通过中线53连接，所述中线53与该数据线2具有交叠处且相互绝缘。

也就是说，如图3所示，修复结构5呈“H”型，第一修复线51与其左侧的像素单元的公共电极6连接，第二修复线52与其右侧的像素单元的公共电极6连接。其中，利用修复结构5进行修复的方法在后续实施例3中进行具体描述。

可选的是，每一像素单元组包括第一像素单元41和第二像素单元42，所述第一像素单元41包括第一薄膜晶体管43，所述第二像素单元42包括第二薄膜晶体管44，同一像素单元组的所述第一薄膜晶体管43的源极和所述第二薄膜晶体管44的源极与同一数据线2连接；所述第一薄膜晶体管43的漏极与第一像素单元41的像素电极连接；所述第二薄膜晶体管44的漏极通过导线与第二像素单元42的像素电极连接，所述第二薄膜晶体管44和导线不被公共电极6覆盖。

其中，同一像素单元组的两个像素单元可以共用同一个公共电极6，同一像素单元组的两个像素单元的薄膜晶体管源极都与同一数据线2相连的特殊结构，可以提供一种高效亮点修复。具体的，若第二像素单元42为亮点，可以将与该第二像素单元42连接的第二薄膜晶体管44断开，由于本实施例的阵列基板为常黑模式，所以该第二像素单元42断开后即成为暗点。导线较细且远离数据线2和像素显示区，切割时产生溅射物少，对像素单元的影响小，修复成功率高。此外，第二薄膜晶体管44和导线不被公共电极6覆盖，这样后续修复过程中，可以方便的对导线进行切割或焊接，便于修复操作。

在一个实施例中，所述导线包括与公共电极6同层的连接电极71，和/或与数据线2同层的金属连接线72。

也就是说，导线可以是与公共电极6同层，也可以与数据线2同层，具体的，公共电极6可以是由ITO构成，数据线2可以是由金属构成，只需在形成该层后图案化时，在相应位置保留即可。优选的是，如图2所示，第二薄膜晶体管44的漏极依次通过连接电极71、金属连接线72与第二像素单元42的像素电极连接，这样设计的好处是，连接电极71的面积较大，可以用于与支撑液晶盒的隔垫物对应。

在本实施例公开附图中，显示了附图所示各结构层的大小、厚度等仅为示意。在工艺实现中，各结构层在衬底上的投影面积可以相同，也可以不同，可以通过刻蚀工艺实现所需的各结构层投影面积；同时，附图所示结构也不限定各结构层的几何形状，例如可以是附图所示的矩形，还可以是梯形，或其它刻蚀所形成的形状，同样可通过刻蚀实现。

实施例3：

本实施例提供一种上述的阵列基板的修复方法，所述阵列基板至少部分所述栅线1和/或数据线2具有断点，所述方法包括切割与该具有断点的栅线1和/或数据线2相邻的修复结构5，切割该修复结构5两侧的像素单元的公共电极6，以使该具有断点的栅线1和/或数据线2通过该修复结构5的部分位置和所述公共电极6的部分位置传递栅线1和/或数据线2中的信号的步骤。

本实施例方法利用阵列基板上设置的与相邻像素单元组的像素单元的公共电极6连接的修复结构5进行断点修复，当栅线1和/或数据线2具有断点时，可以切割修复结构5及其所在像素单元的公共电极6，使修复结构5的部分位置处通过公共电极6传递栅线1和/或数据线2中的信号。

在一个实施例中，如图4所示，至少一根数据线2具有第一断点81，所述第一断点81位于相邻的两个修复结构5的中线53之间，所述修复方法包括以下步骤：

S01、将第一断点81两侧相邻的两个修复结构5的第二修复线52均与中线53切断；也就是说，在第一断点81的上方、数据线2的右侧切割第二修复线52，使“H”型的中线53断开与右侧第二修复线52的连接；并对在第一断点81的下方的像素单元，该数据线2的右侧的第二修复线52执行相同的操作。

S02、以所述两个修复结构5的第一修复线51在与中线53相交且背离第一断点81的一侧为起点，切割第一修复线51及其所在像素单元的公共电极6至该像素单元的公共电极线3；也就是说，在第一断点81的左侧像素单元内，从“H”型结构的“-”型位置上方开始，切割公共电极6和公共电极线3至该像素单元的底部；并对在该像素单元下方的像素单元执行相同的操作。

S03、将第一断点81两侧相邻的两个修复结构5的中线53均与数据线2电连接。

S04、将所述两个修复结构5的第一修复线51通过各自所在像素单元的被切割的公共电极6，以及各自所在像素单元之间的公共电极线3电连接。

本实施例修复数据线2的第一断点81后，会造成被切割的两个像素单元两个暗点，修复后的数据信号运行路线如图4的粗黑线所示。

在另一个实施例中，如图5所示，至少一根与所述第二像素单元42连接的栅线1具有第二断点82，所述第二断点82在两个第二像素单元42之间，所述修复方法包括以下步骤：

S11、将所述第二断点82两侧的公共电极线3在具有第二断点82的栅线1两侧的像素单元之间切断为两个公共电极线段；也就是说，在栅线1与金属连接线72之间的位置，切割第二断点82的左侧的公共电极线3，右侧的公共电极线3的相同位置执行相同的操作；

S12、将所述公共电极线段的一端与该栅线1的交叉处分别通过焊点电连接；

S13、以所述公共电极线段的另一端为起点，切割该起点所在像素单元的公共电极6至该像素单元的第一修复线51与中线53相交且背离第一断点81的一侧；也就是说，在第二断点82下方的像素单元内，从像素单元的公共电极6的顶部位置开始，切割公共电极线3和公共电极6至修复结构5的“H”型结构的“-”型位置下方；并在该像素单元右侧的像素单元内的相同位置切割公共电极6和公共电极线3；

S14、将所述两个焊点之间通过两个公共电极线段、以及所述被切割的公共电极6电连接。

本实施例修复数据线2的第二断点82后，会造成被切割的两个像素单元两个暗点，修复后的数据信号运行路线如图5的粗黑线所示。

在又一个实施例中，如图6所示，至少部分与所述第二像素单元42连接的栅线1具有第三断点83，所述第三断点83在两个第一像素单元41之间；所述修复方法包括以下步骤：

S21、将该第二像素单元42的第二薄膜晶体管44的源极与数据线2切断，

S22、将该第二像素单元42的导线与像素电极切断，

S23、将与第三断点83相邻的公共电极线3在该栅线1背离导线的一侧以及在导线背离栅线1的一侧均切断后形成连接段，

S24、将第三断点83两侧的栅线1通过第二薄膜晶体管44的漏极、导线、公共电极线3的连接段电连接。

本实施例的栅线1的电压依次通过第二薄膜晶体管44的漏极、金属连接线72、被切割而孤立的局部公共电极线3，导通回第三断点83右侧的栅线1上。第三断点83修复后会造成第二像素单元42一个暗点，修复后的扫描信号运行路线如图6的粗黑线所示。

在再一个实施例中，如图7所示，至少部分所述第二像素单元42被检测为亮点，所述修复方法包括：

将被检测为亮点的第二像素单元42的导线在与该第二像素单元42相邻的公共电极线3的两侧切断。

由于本实施例的阵列基板为常黑模式，所以该第二像素单元42断开后即成为暗点。导线较细且远离数据线2和像素显示区，切割时产生溅射物少，对像素单元的影响小，修复成功率高。此外，第二薄膜晶体管44和导线不被公共电极6覆盖，这样后续修复过程中，可以方便的对导线进行切割或焊接，便于修复操作。

实施例4：

本实施例提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。

本实施例的显示面板在进行显示性能的测试后，若出现显示不良，例如栅线或数据线断线，或者出现亮点，可以利用阵列基板的修复结构进行修复，修复方法简单，便于操作，进行上述修复后，可以大大提高显示面板的良率。

实施例5：

本实施例提供了一种显示装置，其包括上述任意一种显示面板。所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，设于所述衬底上的沿第一方向设置的多根栅线，沿第二方向设置的多根数据线以及多根公共电极线，所述公共电极线与数据线交替设置；

所述多根栅线与多根公共电极线、多根数据线交叉限定出多个像素单元，每两个相邻的且位于一根公共电极线两侧的像素单元为一个像素单元组，同组中的两个像素单元的公共电极均连接二者间的公共电极线；其中，

至少部分在第一方向上相邻像素单元组之间设有修复结构，修复结构与其两侧的像素单元的公共电极连接，用于在栅线和/或数据线具有断点时进行修复，使部分位置处通过公共电极传递栅线和/或数据线中的信号。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复结构与栅线同层设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复结构包括均与数据线平行的第一修复线和第二修复线，所述第一修复线和第二修复线分别设于相邻像素单元组之间的数据线的两侧，所述第一修复线和第二修复线的至少部分位置通过中线连接，所述中线与该数据线具有交叠处且相互绝缘。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一像素单元组包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元包括第一薄膜晶体管，所述第二像素单元包括第二薄膜晶体管，同一像素单元组的所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极与同一数据线连接；

所述第一薄膜晶体管的漏极与第一像素单元的像素电极连接；所述第二薄膜晶体管的漏极通过导线与第二像素单元的像素电极连接，所述第二薄膜晶体管和导线不被公共电极覆盖。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述导线包括与公共电极同层的连接电极，和/或与数据线同层的金属连接线。

6.一种阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-5任一项所述的阵列基板，至少部分所述栅线和/或数据线具有断点，所述方法包括切割与该具有断点的栅线和/或数据线相邻的修复结构，切割该修复结构两侧的像素单元的公共电极，以使该具有断点的栅线和/或数据线通过该修复结构的部分位置和所述公共电极的部分位置传递栅线和/或数据线中的信号的步骤。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求3所述的阵列基板，至少一根数据线具有第一断点，所述第一断点位于相邻的两个修复结构的中线之间，所述修复方法包括以下步骤：

将第一断点两侧相邻的两个修复结构的第二修复线均与中线切断；

以所述两个修复结构的第一修复线在与中线相交且背离第一断点的一侧为起点，切割第一修复线及其所在像素单元的公共电极至该像素单元的公共电极线；

将第一断点两侧相邻的两个修复结构的中线均与数据线电连接，

将所述两个修复结构的第一修复线通过各自所在像素单元的被切割的公共电极，以及各自所在像素单元之间的公共电极线电连接。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求3所述的阵列基板，至少一根与所述第二像素单元连接的栅线具有第二断点，所述第二断点在两个第二像素单元之间，所述修复方法包括以下步骤：

将所述第二断点两侧的公共电极线在具有第二断点的栅线两侧的像素单元之间切断为两个公共电极线段；

将所述公共电极线段的一端与该栅线的交叉处分别通过焊点电连接；

以所述公共电极线段的另一端为起点，切割该起点所在像素单元的公共电极至该像素单元的第一修复线与中线相交且背离第一断点的一侧；

将所述两个焊点之间通过两个公共电极线段、以及所述被切割的公共电极电连接。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求4所述的阵列基板，至少部分所述第二像素单元被检测为亮点，所述修复方法包括：

将被检测为亮点的第二像素单元的导线在与该第二像素单元相邻的公共电极线的两侧切断。

10.根据权利要求6所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求4所述的阵列基板，至少部分与所述第二像素单元连接的栅线具有第三断点，所述第三断点在两个第一像素单元之间；所述修复方法包括以下步骤：

将该第二像素单元的第二薄膜晶体管的源极与数据线切断；

将该第二像素单元的导线与像素电极切断；

将与第三断点相邻的公共电极线在该栅线背离导线的一侧以及在导线背离栅线的一侧均切断后形成连接段；

将第三断点两侧的栅线通过第二薄膜晶体管的漏极、导线、公共电极线的连接段电连接。

11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。