CN106773427A - 数据线维修方法和阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种数据线维修方法和阵列基板，属于显示技术领域。所述方法包括：确定阵列基板中数据线的断开处的位置；通过阵列基板的公共电极线将第一子数据线和第二子数据线连接，第一子数据线和公共电极线的第一连接点连接，第二子数据线和公共电极线的第二连接点连接；断开子公共电极线与除子公共电极线外的其它公共电极线间的连接，子公共电极线为第一连接点和第二连接点之间的公共电极线。本发明通过遍布阵列基板的公共电极来将断开的数据线连接，并将用于连接数据线的公共电极线与其他公共电极线断开，解决了相关技术中通过CVD形成连接线可能会降低阵列基板的开口率的问题。达到了能够在不影响阵列基板的开口率的情况下修复数据线的效果。

Description

数据线维修方法和阵列基板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种数据线维修方法和阵列基板。

背景技术

显示面板通常包括彩膜基板、阵列基板以及设置在这两个基板之间的液晶层。阵列基板上设置有薄膜晶体管(英文：Thin-film transistor；简称；TFT)阵列，该薄膜晶体管阵列包括阵列排布的TFT，其中每个TFT包括源极、漏极和栅极，每一列TFT的栅极可以与一根数据线连接，每一行TFT的栅极可以与一根栅线连接。在阵列基板中某条数据线存在断开处时，该阵列基板难以正常工作。

相关技术中在维修数据线时，首先会确定数据线的断开处的位置，然后通过化学气相沉积(英文：Chemical Vapor Deposition；简称：CVD)的方式在阵列基板上形成一条金属走线，并通过该金属走线将数据线的断开处的两端连接在一起。如图1所示，数据线d在11处存在断开处11，可以形成金属走线m将断开处11的两端连接。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：用于连接数据线的断开处的金属走线可能会经过阵列基板的显示区域，降低阵列基板的开口率。

发明内容

为了解决现有技术中用于连接数据线的断开处的金属走线可能会经过阵列基板的显示区域，降低阵列基板的开口率的问题，本发明实施例提供了一种数据线维修方法和阵列基板。所述技术方案如下：

根据本发明的第一方面，提供了一种数据线维修方法，所述方法包括：

确定阵列基板中数据线的断开处的位置，所述数据线包括被所述断开处分割成的第一子数据线和第二子数据线；

通过所述阵列基板的公共电极线将所述第一子数据线和所述第二子数据线连接，所述第一子数据线和所述公共电极线的第一连接点连接，所述第二子数据线和所述公共电极线的第二连接点连接；

断开子公共电极线与除所述子公共电极线外的其它公共电极线间的连接，所述子公共电极线为所述第一连接点和所述第二连接点之间的公共电极线。

可选的，所述公共电极线在所述阵列基板的衬底基板上的正投影与所述第一子数据线在所述衬底基板上的正投影存在至少一个第一重叠区域，所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影与所述第二子数据线在所述衬底基板上的正投影存在至少一个第二重叠区域，

所述通过所述阵列基板的公共电极线将所述第一子数据线和所述第二子数据线连接，包括：

将位于第一目标重叠区域中的公共电极线和所述第一子数据线连接，所述第一目标重叠区域是所述至少一个第一重叠区域中的重叠区域；

将位于第二目标重叠区域中的公共电极线和所述第二子数据线连接，所述第二目标重叠区域是所述至少一个第二重叠区域中的重叠区域。

可选的，所述将位于第一目标重叠区域中的公共电极线和所述第一子数据线连接，包括：

通过激光熔接技术将位于所述第一目标重叠区域中的公共电极线和所述第一子数据线连接；

所述将位于第二重叠区域中的公共电极线和所述第二子数据线连接，包括：

通过激光熔接技术将位于所述第二重叠区域中的公共电极线和所述第二子数据线连接。

可选的，所述第一目标重叠区域和所述第二目标重叠区域位于所述阵列基板中的第一子像素区域，所述第一子像素区域为所述断开处所在的子像素区域。

可选的，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，所述第一目标重叠区域位于所述阵列基板中的第一子像素区域，所述第二目标重叠区域位于与所述第一子像素区域在同一列的子像素区域，

所述阵列基板中每一列子像素区域中，每两个相邻的子像素区域的交界处设置有上层连接线，每个所述上层连接线与所述阵列基板上的像素电极同层设置，

所述方法还包括：

所述在所述第一子像素区域至所述第二子像素区域中每两个相邻的子像素区域的交界处，通过所述上层连接线将所述每两个相邻的子像素区域中的公共电极线连接。

可选的，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，

所述公共电极线包括平行于所述数据线的两条电极线和所述两条电极线间的连接线，所述两条电极线在所述衬底基板的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影的两侧，在所述阵列基板上的任一子像素区域中，所述两条电极线间的连接线有两条，两条所述连接线分别位于所述任一子像素区域相对的两个边界处。

可选的，所述第一目标重叠区域为所述至少一个第一重叠区域中距离所述断开处的第一端最近的重叠区域，所述第一端为所述断开处的两端中位于所述第一子数据线上的一端；

和/或，

所述第二目标重叠区域为所述至少一个第二重叠区域中距离所述断开处的第二端最近的重叠区域，所述第二端为所述断开处的两端中除所述第一端外的另一端。

根据本发明的第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

衬底基板；

所述衬底基板上设置有数据线和公共电极线，所述数据线包括被断开处分割成的第一子数据线和第二子数据线；

所述阵列基板的公共电极线与所述第一子数据线和所述第二子数据线均建立有连接，所述第一子数据线和所述公共电极线的第一连接点连接，所述第二子数据线和所述公共电极线的第二连接点连接；

子公共电极线与除所述子公共电极线外的其它公共电极线间设置有断开处，所述子公共电极线为所述第一连接点和所述第二连接点之间的公共电极线。

可选的，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，

所述第一目标重叠区域位于所述阵列基板中的第一子像素区域，所述第二目标重叠区域位于与所述第一子像素区域在同一列的子像素区域，

所述阵列基板中每一列子像素区域中，每两个相邻的子像素区域的交界处设置有上层连接线，每个所述上层连接线与所述阵列基板上的像素电极同层设置。

可选的，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，

所述公共电极线包括平行于所述数据线的两条电极线和所述两条电极线间的连接线，所述两条电极线在所述阵列基板的衬底基板的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影的两侧，在所述阵列基板上的任一子像素区域中，所述两条电极线间的连接线有两条，两条所述连接线分别位于所述任一子像素区域相对的两个边界处。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过遍布阵列基板的公共电极来将断开的数据线连接，并将用于连接数据线的公共电极线与其他公共电极线断开，解决了相关技术中通过CVD形成连接线可能会降低阵列基板的开口率的问题。达到了能够在不影响阵列基板的开口率的情况下修复数据线的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中一种维修后的阵列基板的结构示意图；

图2是本发明实施例示出的一种数据线维修方法的流程图；

图3-1是本发明实施例提供的另一种数据线修复方法的流程图；

图3-2是图3-1所示实施例中一种阵列基板的结构示意图；

图3-3是图3-1所示实施例中一种阵列基板的结构示意图；

图3-4是图3-1所示实施例中一种阵列基板的结构示意图。

通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图2是本发明实施例示出的一种数据线维修方法的流程图，本实施例以该数据线维修方法应用于维修数据线中来举例说明。该数据线维修方法可以包括如下几个步骤：

步骤201、确定阵列基板中数据线的断开处的位置，数据线包括被断开处分割成的第一子数据线和第二子数据线。

步骤202、通过阵列基板的公共电极线将第一子数据线和第二子数据线连接，第一子数据线和公共电极线的第一连接点连接，第二子数据线和公共电极线的第二连接点连接。

步骤203、断开子公共电极线与除子公共电极线外的其它公共电极线间的连接，子公共电极线为第一连接点和第二连接点之间的公共电极线。

综上所述，本发明实施例提供的数据线维修方法，通过遍布阵列基板的公共电极来将断开的数据线连接，并将用于连接数据线的公共电极线与其他公共电极线断开，解决了相关技术中通过CVD形成连接线可能会降低阵列基板的开口率的问题。达到了能够在不影响阵列基板的开口率的情况下修复数据线的效果。

图3-1是本发明实施例提供的另一种数据线修复方法的流程图，本实施例以该数据线维修方法应用于维修数据线中来举例说明。该数据线维修方法可以包括如下几个步骤：

步骤301、确定阵列基板中数据线的断开处的位置，数据线包括被断开处分割成的第一子数据线和第二子数据线。

在使用本发明实施例提供的数据线修复方法时，首先可以通过阵列测试(英文：Array Test)设备确定阵列基板中数据线的断开处的位置。

需要说明的是，数据线中的可以存在多个断开处，本发明实施例以修复其中一个断开处为例进行说明，在数据线中还存在其他断开处时，可以参考本发明实施例提供的方法进行修复，在此不再赘述。

在确定了断开处之后，就可以根据断开处的情况进行修复，而本发明实施例可以应用于如图3-2所示的阵列基板中，其中，公共电极线c在阵列基板的衬底基板上的正投影与第一子数据线d1在衬底基板11上的正投影存在至少一个第一重叠区域，公共电极线c在衬底基板11上的正投影与第二子数据线d2在衬底基板11上的正投影存在至少一个第二重叠区域，在图3-2中，公共电极线c与两个子数据线的交汇处即为重叠区域。第一子数据线d1和第二子数据线d2为被断开处01分割成的两部分，TFT为薄膜晶体管，g为栅线。每一列子像素区域中，每两个相邻的子像素区域的交界处设置有上层连接线s，上层连接线s可以与像素电极(图3-3未示出)设置在同一层，且由氧化铟锡(Indium tin oxide；简称ITO)构成，在每一行子像素区域中，每隔预定个数的子像素区域中的上层连接线s可以分别于相邻的两个子像素区域中的公共电极线连接，在图3-3中，上层连接线s1分别与子像素区域p1中的公共电极线和子像素区域p2中的公共电极线连接，上层连接线s1可以用于使各处公共电极线的电压保持一致。除了上层连接线s1之外，上层连接线s中还可以包括上层连接线s2，上层连接线s2可以与子像素区域p3中的公共电极线连接，而不与子像素区域p4中的公共电极线连接，上层连接线s2可以用于在之后对数据线修复时，连接公共电极线。

阵列基板11上的子像素区域(可以将数据线和栅线划分成的每个矩形区域作为子像素区域，每条数据线两侧的公共电极线可以认为是该数据线左侧的子像素区域中的公共电极线)成行列排布，公共电极线c包括平行于数据线的两条电极线和两条电极线间的连接线，两条电极线在阵列基板的衬底基板11的正投影位于数据线在衬底基板上的正投影的两侧，在阵列基板上的任一子像素区域中，两条电极线间的连接线有两条，两条连接线分别位于任一子像素区域相对的两个边界处(在图3-2中子像素区域中的两条连接线分别位于子像素区域的上下两个边界处)，需要说明的是，子像素区域的边界可能存在某些结构(如TFT)，连接线在设置在子像素区域的边界处时可以避开这些结构，以避免对阵列基板造成影响。

图3-2中的断开处01仅仅是示例性的，数据线的断开处可以位于数据线的各个位置，示例性的，如断开处02所示。

步骤302、将位于第一目标重叠区域中的公共电极线和第一子数据线连接，第一目标重叠区域是至少一个第一重叠区域中的重叠区域。

断开处有两端，可以将位于第一目标重叠区域中的公共电极线和第一子数据线连接，第一目标重叠区域是至少一个第一重叠区域中的重叠区域。在每个第一重叠区域中，第一子数据线和公共电极线的距离较近，可以较为容易的将第一子数据线和公共电极线连接。

可选的，通过激光熔接(英文Laser Welding)技术将位于第一重叠区域中的公共电极线和第一子数据线连接。

步骤303、将位于第二目标重叠区域中的公共电极线和第二子数据线连接，第二目标重叠区域是至少一个第二重叠区域中的重叠区域。在两个目标重叠区域位于同一个子像素区域时，执行步骤305，在两个目标重叠区域不位于同一个子像素区域时，执行步骤304。

在每个第二重叠区域中，第二子数据线和公共电极线的距离较近，可以较为容易的将第二子数据线和公共电极线连接。

可选的，通过激光熔接技术将位于第二重叠区域中的公共电极线和第二子数据线连接。

而根据断开处的情况，第一目标重叠区域和第二目标重叠区域的位置也会不同，在一种情况下，第一目标重叠区域和第二目标重叠区域位于阵列基板中的第一子像素区域，第一子像素区域为断开处所在的子像素区域。此种情况下，断开处可以如图3-3所示，断开处03位于第一子像素区域p1中的两条连接线(x1和x2)之间，此时可以在第一目标重叠区域u1处将第一子数据线d1和公共电极线c连接，在第二目标重叠区域u2处将第二子数据线d2和公共电极线c连接，此时第一子数据线d1和第二子数据线d2就通过公共电极线c连接在了一起。此时可以执行步骤305。

此外，还有一种情况为：第一目标重叠区域位于阵列基板中的第一子像素区域，第二目标重叠区域位于与第一子像素区域在同一列的子像素区域，这种情况可以如图3-4所示，对于断开处01，第一目标重叠区域u1位于子像素区域p1，第二目标重叠区域u2位于子像素区域p2。在这种情况下，本步骤结束时，第一子数据线和第二子数据线可能还未通过公共电极线连接，在第一子数据线和第二子数据线未通过公共电极线连接时，可以执行步骤304。

需要说明的是，第一重叠区域有至少一个，第二重叠区域也有至少一个，可以从至少一个第一重叠区域中选出第一目标重叠区域和第二目标重叠区域，二选择的方式可以为：

第一目标重叠区域为至少一个第一重叠区域中距离断开处的第一端最近的重叠区域，第一端为断开处的两端中位于第一子数据线上的一端。

和/或，第二目标重叠区域为至少一个第二重叠区域中距离断开处的第二端最近的重叠区域，第二端为断开处的两端中除第一端外的另一端。

以上述选择的方式可以将断开处对于阵列基板的影响降低在一个较小的范围内。

步骤304、在第一子像素区域至第二子像素区域中每两个相邻的子像素区域的交界处，通过上层连接线将每两个相邻的子像素区域中的公共电极线连接。

在第一子数据线和第二子数据线未通过公共电极线连接时，可以在第一子像素区域至第二子像素区域中每两个相邻的子像素区域的交界处，通过上层连接线将每两个相邻的子像素区域中的公共电极线连接，这样第一子数据线和第二子数据线就能够通过公共电极线连接。示例性的，如图3-4所示，第一目标重叠区域u1位于子像素区域p1，而第二目标重叠区域u2位于子像素区域p2，此时可以通过上层连接线s1将子像素区域p2中的公共电极线和子像素区域p1中的公共电极线连接。或者第一目标重叠区域为u3、第二目标重叠区域为u4，则可以通过上层连接线s2将子像素区域p2中的公共电极线和子像素区域p1中的公共电极线连接。

在通过上层连接线将每两个相邻的子像素区域中的公共电极线连接时，可以使用激光熔接技术，在上层连接线处打孔，使下层的公共电极线露出，而融化的上层连接线会与公共电极线的露出部分接触，使上层连接线与公共电极线连接。

步骤305、断开子公共电极线与除子公共电极线外的其它公共电极线间的连接，子公共电极线为第一连接点和第二连接点之间的公共电极线。

在通过公共电极线将第一子数据线和第二子数据线连接之后，为了避免公共电极线中的电流影响数据线，可以断开子公共电极线与除子公共电极线外的其它公共电极线间的连接，子公共电极线为第一连接点和第二连接点之间的公共电极线。可以认为第一连接点位于第一目标重叠区域中，第二连接点位于第二目标重叠区域中。

根据第一目标重叠区域和第二目标重叠区域的位置，可以选择不同的位置断开子公共电极线与除子公共电极线外的其它公共电极线间的连接。

示例性的，在图3-3示出的阵列基板中，可以断开g1和g2处的公共电极，并断开g3处的上层连接线(在该处上层连接线不与下方子像素区域的公共电极连接时，可以不断开g3处的上层连接线)，在上层连接线由ITO制成时，可以通过氧化铟锡移除(英文：ITOremove)技术断开上层连接线。

而在图3-4所示的阵列基板中，对于断开处01，可以断开g4、g5、g6和g7处的公共电极线，而对于断开处03，可以断开g8和g9处的公共电极线，并断开g10处的上层连接线(在该处上层连接线不与下方子像素区域的公共电极连接时，可以不断开g10处的上层连接线)。

本步骤在断开公共电极线时，可以采用激光切割(英文：laser cutting)技术。

本发明实施例提供的维修方法所应用的阵列基板中，可以包括图3-3和图3-4中所示的断开处01、02和03中至少一种断开处。

图3-3和图3-4中标记的含义可以参考图3-2，在此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的数据线维修方法，通过遍布阵列基板的公共电极来将断开的数据线连接，并将用于连接数据线的公共电极线与其他公共电极线断开，解决了相关技术中通过CVD形成连接线可能会降低阵列基板的开口率的问题。达到了能够在不影响阵列基板的开口率的情况下修复数据线的效果。

本发明实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板的结构示意图可以如图3-3所示，该阵列基板包括：

衬底基板11。

衬底基板11上设置有数据线d和公共电极线c，数据线d包括被断开处分割成的第一子数据线d1和第二子数据线d2。

阵列基板的公共电极线c与第一子数据线d1和第二子数据d2线均建立有连接，第一子数据线d1和公共电极线c的第一连接点(可以认为第一连接点位于第一目标重叠区域中，第二连接点位于第二目标重叠区域中)连接，第二子数据线d2和公共电极线c的第二连接点连接。

子公共电极线与除子公共电极线外的其它公共电极线间设置有断开处(g1、g2和g3)，子公共电极线为第一连接点和第二连接点之间的公共电极线。

可选的，如图3-4所示，其为本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图，其中，阵列基板上的子像素区域成行列排布，第一目标重叠区域u1位于阵列基板中的第一子像素区域p1，第二目标重叠区域u2位于与第一子像素区域在同一列的子像素区域p2中，

阵列基板中每一列子像素区域中，每两个相邻的子像素区域的交界处设置有上层连接线s，每个上层连接线s与阵列基板上的像素电极同层设置。

可选的，阵列基板上的子像素区域成行列排布，公共电极线c包括平行于数据线的两条电极线(c1和c2)和两条电极线间的连接线(x2和x2)，两条电极线在阵列基板的衬底基板的正投影位于数据线d在衬底基板11上的正投影的两侧，在阵列基板上的任一子像素区域中，两条电极线间的连接线有两条，两条连接线分别位于任一子像素区域相对的两个边界处。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过遍布阵列基板的公共电极来将断开的数据线连接，并将用于连接数据线的公共电极线与其他公共电极线断开，解决了相关技术中通过CVD形成连接线可能会降低阵列基板的开口率的问题。达到了能够在不影响阵列基板的开口率的情况下修复数据线的效果。

本发明中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本发明中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。同理，“A、B和C的至少一种”表示可以存在七种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在C和B，同时存在A、B和C这七种情况。同理，“A、B、C和D的至少一种”表示可以存在十五种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，单独存在D，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在A和D，同时存在C和B，同时存在D和B，同时存在C和D，同时存在A、B和C，同时存在A、B和D，同时存在A、C和D，同时存在B、C和D，同时存在A、B、C和D，这十五种情况。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种数据线维修方法，其特征在于，所述方法包括：

确定阵列基板中数据线的断开处的位置，所述数据线包括被所述断开处分割成的第一子数据线和第二子数据线；

通过所述阵列基板的公共电极线将所述第一子数据线和所述第二子数据线连接，所述第一子数据线和所述公共电极线的第一连接点连接，所述第二子数据线和所述公共电极线的第二连接点连接；

断开子公共电极线与除所述子公共电极线外的其它公共电极线间的连接，所述子公共电极线为所述第一连接点和所述第二连接点之间的公共电极线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公共电极线在所述阵列基板的衬底基板上的正投影与所述第一子数据线在所述衬底基板上的正投影存在至少一个第一重叠区域，所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影与所述第二子数据线在所述衬底基板上的正投影存在至少一个第二重叠区域，

所述通过所述阵列基板的公共电极线将所述第一子数据线和所述第二子数据线连接，包括：

将位于第一目标重叠区域中的公共电极线和所述第一子数据线连接，所述第一目标重叠区域是所述至少一个第一重叠区域中的重叠区域；

将位于第二目标重叠区域中的公共电极线和所述第二子数据线连接，所述第二目标重叠区域是所述至少一个第二重叠区域中的重叠区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将位于第一目标重叠区域中的公共电极线和所述第一子数据线连接，包括：

通过激光熔接技术将位于所述第一目标重叠区域中的公共电极线和所述第一子数据线连接；

所述将位于第二目标重叠区域中的公共电极线和所述第二子数据线连接，包括：

通过激光熔接技术将位于所述第二目标重叠区域中的公共电极线和所述第二子数据线连接。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一目标重叠区域和所述第二目标重叠区域位于所述阵列基板中的第一子像素区域，所述第一子像素区域为所述断开处所在的子像素区域。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，所述第一目标重叠区域位于所述阵列基板中的第一子像素区域，所述第二目标重叠区域位于与所述第一子像素区域在同一列的子像素区域，

所述阵列基板中每一列子像素区域中，每两个相邻的子像素区域的交界处设置有上层连接线，每个所述上层连接线与所述阵列基板上的像素电极同层设置，

所述方法还包括：

所述在所述第一子像素区域至所述第二子像素区域中每两个相邻的子像素区域的交界处，通过所述上层连接线将所述每两个相邻的子像素区域中的公共电极线连接。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，

所述公共电极线包括平行于所述数据线的两条电极线和所述两条电极线间的连接线，所述两条电极线在所述衬底基板的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影的两侧，在所述阵列基板上的任一子像素区域中，所述两条电极线间的连接线有两条，两条所述连接线分别位于所述任一子像素区域相对的两个边界处。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第一目标重叠区域为所述至少一个第一重叠区域中距离所述断开处的第一端最近的重叠区域，所述第一端为所述断开处的两端中位于所述第一子数据线上的一端；

和/或，

所述第二目标重叠区域为所述至少一个第二重叠区域中距离所述断开处的第二端最近的重叠区域，所述第二端为所述断开处的两端中除所述第一端外的另一端。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

所述衬底基板上设置有数据线和公共电极线，所述数据线包括被断开处分割成的第一子数据线和第二子数据线；

所述阵列基板的公共电极线与所述第一子数据线和所述第二子数据线均建立有连接，所述第一子数据线和所述公共电极线的第一连接点连接，所述第二子数据线和所述公共电极线的第二连接点连接；

子公共电极线与除所述子公共电极线外的其它公共电极线间设置有断开处，所述子公共电极线为所述第一连接点和所述第二连接点之间的公共电极线。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，

所述第一目标重叠区域位于所述阵列基板中的第一子像素区域，所述第二目标重叠区域位于与所述第一子像素区域在同一列的子像素区域，

所述阵列基板中每一列子像素区域中，每两个相邻的子像素区域的交界处设置有上层连接线，每个所述上层连接线与所述阵列基板上的像素电极同层设置。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上的子像素区域成行列排布，

所述公共电极线包括平行于所述数据线的两条电极线和所述两条电极线间的连接线，所述两条电极线在所述阵列基板的衬底基板的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影的两侧，在所述阵列基板上的任一子像素区域中，所述两条电极线间的连接线有两条，两条所述连接线分别位于所述任一子像素区域相对的两个边界处。