CN109254431A - 阵列基板和阵列基板的断线修复方法 - Google Patents

阵列基板和阵列基板的断线修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109254431A
CN109254431A CN201811340259.5A CN201811340259A CN109254431A CN 109254431 A CN109254431 A CN 109254431A CN 201811340259 A CN201811340259 A CN 201811340259A CN 109254431 A CN109254431 A CN 109254431A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
signal line
line
array substrate
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811340259.5A
Other languages
English (en)
Inventor
龚洋贞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd filed Critical Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd
Priority to CN201811340259.5A priority Critical patent/CN109254431A/zh
Publication of CN109254431A publication Critical patent/CN109254431A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/255—Splicing of light guides, e.g. by fusion or bonding
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供一种阵列基板和阵列基板的断线修复方法，该阵列基板包括：信号线层和导电层，信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；信号线层上设置有多个信号线；导电层包括像素区域和修复线区域，修复线区域在导电层的设置位置与多个信号线在信号线层的设置位置相同，像素区域与修复线区域隔离设置。本发明提供的阵列基板的修复线设置在导电层上，避免了现有技术中在BM区域预留修复线区域使得边框宽度变宽的问题，能够进行窄边框的设计。

Description

阵列基板和阵列基板的断线修复方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板和阵列基板的断线修复方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示(thin film transistor-liquid crystal display，TFT-LCD)在制造过程中，为提高产品的良率和品质，且降低成本提高收益，对各类不良进行修复是必不可少的。成盒后的面板内的线路修复的局限性非常大，往往许多不良不可修复，造成良率损失。目前在TFT-LCD生产维修工艺中，最常见的维修方法有激光切割法(Laser CutRepair)、激光熔接法(Laser Welding Repair)和金属沉积法(CVD Repair)三种。激光切割法是对面板的线路间的膜残留不良进行切割处理，或者对需要切断的线路进行切割；激光熔接法是对线路重叠区域进行加工后让两条线路连接在一起；金属沉积法是针对线路断开Open类不良进行金属沉积后连接修复。在TFT-LCD制造工艺中，面板内的线路的修复成功率将直接影响产品的良品率。
现有技术中，针对TFT-LCD面板内的Open类不良主要采用重新设计修复线RepairLine的方式进行断线修复。具体的实施方式为：在面板的每个区域预留两根修复线，当一区域内的数据线(Gate线)、扫描线(Source线)断开时，采用激光熔接的方法将断线和修复线连接，达到断线修复的目的。
但这种断线修复的方法需要设计修复线预留的位置，一般将修复线设置在面板显示区域的区域，即BM区域；这样直接影响面板周围的边框宽度，修复线的设计使得面板的边框宽，限制了窄边框的设计，使得产品的竞争力差。
发明内容
本发明提供一种阵列基板和阵列基板的断线修复方法，阵列基板的修复线设置在导电层上，避免了现有技术中在BM区域预留修复线区域使得边框宽度变宽的问题，能够进行窄边框的设计。
本发明的第一方面提供一种阵列基板，其特征在于，包括：信号线层和导电层，所述信号线层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；
所述信号线层上设置有多个信号线；
所述导电层包括像素区域和修复线区域，所述修复线区域在所述导电层的设置位置与所述多个信号线在所述信号线层的设置位置相同，所述像素区域与所述修复线区域隔离设置。
可选的，所述信号线层包括第一信号线层和第二信号线层，所述第一信号线层和所述第二信号线层在竖直方向上相邻设置；所述第一信号线层包括多个第一信号线，所述第二信号线层包括多个第二信号线；所述修复线区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述导电层的设置位置与所述多个第一信号线在所述第一信号线层的设置位置相同，所述第二区域在所述导电层的设置位置与所述多个第二信号线在所述第二信号线层的设置位置相同。
可选的，所述第一信号线层包括第一金属层和第一绝缘层，所述第一金属层和所述第一绝缘层在竖直方向上相邻设置，所述第一绝缘层与所述第二信号线层在竖直方向上相邻设置；
所述第一金属层的第一方向上设置有多个第一信号线。
可选的，所述第二信号线层包括第二金属层和第二绝缘层，所述第二金属层分别与所述第二绝缘层、所述第一绝缘层在竖直方向上相邻设置；
所述第二金属层的第二方向上设置有多个第二信号线。
可选的，所述第一方向与所述第二方向垂直。
可选的，所述第一信号线为栅极信号线，所述第二信号线为源极信号线。
可选的，所述第一绝缘层与所述导电层在竖直方向上相邻设置。可选的，所述导电层为铟锡氧化物导电层。
本发明的第二方面提供一种阵列基板的断线修复方法，包括：
获取面板中的阵列基板的断线信号线的断线位置，所述阵列基板包括：信号线层和导电层；信号线层中设置有多个信号线，所述信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；所述导电层包括像素区域和修复线区域，所述修复线区域在所述导电层的设置位置与所述多个信号线在所述信号线层的设置位置相同，所述像素区域与所述修复线区域隔离设置；
在所述断线位置的两侧的所述断线信号线上分别选取一个熔接点；
在所述熔接点对所述断线信号线进行熔接，使得所述熔接点处的断线信号线与所述修复线区域连接。
可选的，所述信号线层包括金属层和绝缘层，所述金属层中设置有多个所述信号线，所述绝缘层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；
在所述熔接点对所述断线信号线进行熔接，使得所述熔接点处的断线信号线与所述修复线区域连接，包括：
控制激光熔接器在熔接点对所述断线信号线进行熔接，控制所述激光熔接器的激光强度大于所述绝缘层的穿透强度，使得熔接点处的断线信号线穿透所述绝缘层，与所述修复线区域连接。
本发明的第三方面提供一种阵列基板的断线修复装置，包括：
断线位置获取模块，用于获取面板中阵列基板的断线信号线的断线位置，所述阵列基板包括：信号线层和导电层；信号线层中设置有多个信号线，所述信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；所述导电层包括像素区域和修复线区域，所述修复线区域在所述导电层的设置位置与所述多个信号线在所述信号线层的设置位置相同，所述像素区域与所述修复线区域隔离设置；
熔接点选取模块，用于在所述断线位置的两侧的所述断线信号线上分别选取一个熔接点；
控制模块，用于在所述熔接点对所述断线信号线进行熔接，使得所述熔接点处的断线信号线与所述修复线区域连接。
可选的，所述信号线层包括金属层和绝缘层，所述金属层中设置有多个所述信号线，所述绝缘层与所述导电层在竖直方向上相邻设置。
可选的，控制模块，具体用于控制激光熔接器在熔接点对所述断线信号线进行熔接，控制所述激光熔接器的激光强度大于所述绝缘层的穿透强度，使得熔接点处的断线信号线穿透所述绝缘层，与所述修复线区域连接。
本发明的第四方面提供一种阵列基板的断线修复装置，包括：至少一个处理器和存储器；
所述存储器存储计算机执行指令；
所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述阵列基板的断线修复装置执行上述的阵列基板的断线修复方法。
本发明的第五方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机执行指令，当所述计算机执行指令被处理器执行时，实现上述的阵列基板的断线修复方法。
本发明提供一种阵列基板和阵列基板的断线修复方法，该阵列基板包括：信号线层和导电层，信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；信号线层上设置有多个信号线；导电层包括像素区域和修复线区域，修复线区域在导电层的设置位置与多个信号线在信号线层的设置位置相同，像素区域与修复线区域隔离设置。本发明提供的阵列基板的修复线设置在导电层上，避免了现有技术中在BM区域预留修复线区域使得边框宽度变宽的问题，能够进行窄边框的设计。
附图说明
图1为现有技术中的断线修复的示意图；
图2为本发明提供的阵列基板的剖面示意图一；
图3为本发明提供的阵列基板的信号线层的信号线的布局示意图；
图4为本发明提供的阵列基板的导电层的区域的布局示意图；
图5为本发明提供的阵列基板的第一金属层的第一信号线的布局示意图；
图6为本发明提供的阵列基板的第二金属层的第二信号线的布局示意图；
图7为本发明提供的阵列基板的剖面示意图二；
图8为本发明提供的阵列基板的剖面示意图三；
图9为阵列基板的断线示意图；
图10为本发明提供的阵列基板的断线修复示意图；
图11为本发明提供的阵列基板的断线修复方法的流程示意图一；
图12为本发明提供的阵列基板的断线修复方法的流程示意图二；
图13为本发明提供的阵列基板的断线修复装置的结构示意图一；
图14为本发明提供的阵列基板的断线修复装置的结构示意图二。
附图标记说明：
10-阵列基板；
11-信号线层；
111-第一信号线层；
1111-第一金属层；
1112-第一绝缘层；
112-第二信号线层；
1121-第二金属层；
1122-第二绝缘层；
12-导电层；
121-像素区域；
122-修复线区域；
1221-第一区域；
1222-第二区域。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)面板是利用薄膜晶体管(TFT)控制液晶分子的取向从而控制透光的强弱来显示图像的。一块完整的TFT-LCD面板通常包括背光模组、偏光片、TFT阵列基板、CF(彩膜)基板、夹在上下基板之间的液晶分子层以及驱动电路。TFT阵列基板10上的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极扫描线与两条数据线交叉所形成的矩形或者其它形状区域，其内设置有薄膜晶体管以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。
为提高产品的良率和品质，且降低成本提高收益，对各类不良进行修复是必不可少的。图1为现有技术中的断线修复的示意图，现有技术中，针对TFT-LCD面板内的Open类不良主要采用重新设计修复线Repair Line的方式，具体的实施方式为：在面板的每个区域预留两根修复线，当一区域内的数据线(Gate线)、扫描线(Source线)断开时，采用激光熔接的方法将断线和修复线连接，达到断线修复的目的。
如图1所示的是阵列基板的一个区域，为了便于说明，图中仅画出了纵向的数据线1和数据线2。在阵列基板的BM区域预留了修复线，当数据线发生断线时，将该修复线与短线处进行熔接，使得数据线能够导通。如数据线1的虚线部分发生断线，将数据线1与修复线进行熔接连接，达到导通数据线1的目的。
但这种断线修复的方法需要在BM区域设计修复线预留的位置，其中，BM区域为阵列基板显示区域之外的边框区域，这样直接影响面板周围的边框宽度，限制了窄边框的设计，使得产品的竞争力差。
下述实施例正是为了解决上述问题，进而提供了一种阵列基板，以及，阵列基板的断线修复方法，使得该阵列基板不影响面板周围的边框宽度，能够进行窄边框的设计，进而提高产品的竞争力。
下面结合图2-图4对本发明提供的阵列基板的结构进行说明，图2为本发明提供的阵列基板的剖面示意图一，图3为本发明提供的阵列基板的信号线层的信号线的布局示意图，图4为本发明提供的阵列基板的导电层的区域的布局示意图；如图2-图4所示，本实施例提供的阵列基板10包括：信号线层11和导电层12。
其中，如图2所示，信号线层11与导电层12在竖直方向上相邻设置。
本实施例中的信号线层11上设置有多个信号线。一种可行的实现方式为：该信号线层11上设置有多个信号线均为Gate线，Gate线与Gate线之间平行设置；又一种可行的实现方式为：该信号线层11上设置有多个信号线均为Source线，Source线与Source线之间平行设置；另一种可行的实现方式为：该信号线层11包括两层，其中一层设置的多个信号线均为Source线，Source线与Source线之间平行设置，另一层设置的多个信号线均为Gate线，Gate线与Gate线之间平行设置。其中，在空间方向上，每个Source线和每个Gate线垂直设置。
示例性的，如图3所示，信号线层11的一层上设置有Gate线1、Gate线2和Gate线3，分别简写为G1、G2和G3，另一层上设置有Source线1和Source线2，分别简写为S1和S2。图3中示出的为信号线层的俯视图，其中，以实线表示Gate线，以虚线表示Source线。值得注意的是，图3中所示的信号线的排列方式仅为一种示例，可以想到的是也可采用其他排列方式进行信号线的设置，本实施例中不做具体限制。
如图4所示，本实施例中的导电层12包括像素区域121和修复线区域122。其中，修复线区域122在导电层12的设置位置与多个信号线在信号线层11的设置位置相同，像素区域121与修复线区域122隔离设置。其中，导电层12中的像素区域121可采用现有技术中的制备方式进行制备，即在信号线层11的竖直方向上相邻设置一导电层12，采用刻蚀等方法将非像素块区域进行刻蚀；即除了像素区域121的其他位置均为不导电区域。
本实施例中，未在导电层12的与多个信号线在信号线层11的设置位置相同的位置上进行刻蚀，因此制备了修复线区域122，在修复线区域122以及像素区域121之外的区域进行刻蚀，使得像素区域121与修复线区域122隔离设置。即像素区域121和修复线区域122均可导电，且两个区域之间不相互导通。
示例性的，图4中设置的修复线区域122的位置与图3中设置Gate线和Source线的位置相同，其中，每相邻两个Gate线和每相邻两个Source线交叉获取的区域内部为像素区域121，像素区域121与修复线区域122是隔离设置的，二者之间不导通。
本实施例中，由于修复线区域122的位置与信号线的位置相同，在信号线发生断线时，采用激光熔接的方式将断线两侧的信号线与修复线区域122进行熔接连接，使得信号线中的信号通过修复线区域122进行传输，进而能够达到断线修复的目的；进一步的，本实施例中的阵列基板10在BM区预留修复线，只是在原有的制备方式中保留了修复线区域122的金属层，简化了加工工艺，且使得边框变窄。
本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：信号线层和导电层，信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；信号线层上设置有多个信号线；导电层包括像素区域和修复线区域，修复线区域在导电层的设置位置与多个信号线在信号线层的设置位置相同，像素区域与修复线区域隔离设置。本实施例提供的阵列基板的修复线设置在导电层上，避免了现有技术中在BM区域预留修复线区域使得边框宽度变宽的问题，能够进行窄边框的设计。
下面结合图5-图8对本发明提供的阵列基板中的信号线层进行详细说明，图5为本发明提供的阵列基板的第一金属层的第一信号线的布局示意图，图6为本发明提供的阵列基板的第二金属层的第二信号线的布局示意图，图7为本发明提供的阵列基板的剖面示意图二，图8为本发明提供的阵列基板的剖面示意图三；如图5-图8所示，本实施例中的信号线层11包括第一信号线层111和第二信号线层112。
其中，第一信号线层111和第二信号线层112在竖直方向上相邻设置。
具体的，第一信号线层111包括多个第一信号线，第二信号线层112包括多个第二信号线。
相应的，修复线区域122包括第一区域1221和第二区域1222，第一区域1221在导电层12的设置位置与多个第一信号线在第一信号线层111的设置位置相同，第二区域1222在导电层12的设置位置与多个第二信号线在第二信号线层112的设置位置相同。
可选的，本实施例中的第一信号线层111可以与导电层12在竖直方向上相邻设置，或者，第二信号线层112与导电层12在竖直方向上相邻设置。
进一步的，本实施例中的第一信号线层111包括第一金属层1111和第一绝缘层1112，第一金属层1111和第一绝缘层1112在竖直方向上相邻设置，第一绝缘层1112可以与第二信号线层112在竖直方向上相邻设置。
其中，第一金属层1111的第一方向上设置有多个第一信号线。示例性的，如图5所示，第一金属层1111的纵向方向上设置有多个第一信号线，本实施例中的第一信号线为Gate线，图5中的第一金属层1111的纵向方向上设置有3个Gate线。
进一步的，本实施例中的第二信号线层112包括第二金属层1121和第二绝缘层1122，第二金属层1121分别与第二绝缘层1122、第一绝缘层1112在竖直方向上相邻设置。
其中，第二金属层1121的第二方向上设置有多个第二信号线。示例性的，如图6所示，第二金属层1121的横向方向上设置有多个第二信号线，本实施例中的第二信号线为Source线，图6中的第二金属层1121的横向方向上设置有2个Source线。
本实施例中的第一方向和第二方向垂直设置，进而使得修复线之间的区域为矩形区域，能够使得像素区域121成为规则的区域。可以想到的是，由于第一方向和第二方向可以为垂直设置，因此修复线区域122中的第一区域1221与第二区域1222相互垂直。
进一步的，本实施例中的第一绝缘层1112可以与导电层12在竖直方向上相邻设置。
如图7所示，图7示出的是第一绝缘层1112与导电层12在竖直方向上相邻设置的阵列基板10的剖面示意图；如图8所示，图8示出的是第二绝缘层1122与导电层12在竖直方向上相邻设置的阵列基板10的剖面示意图。本实施例中对于与导电层12相邻设置的是第一信号线层111中的第一绝缘层1112，还是第二信号线层112中的第二绝缘层1122不做限制。
可选的，本实施例中的导电层12可以为铟锡氧化物导电层12。
下面结合图9-图10对本发明提供的阵列基板的短信修复过程进行说明。图9为阵列基板的断线示意图，图10为本发明提供的阵列基板的断线修复示意图；示例性的，图9-图10中示出的是第一信号线层111中的第一绝缘层1112与导电层12在竖直方向上相邻设置的阵列基板10；其中，如图9所示，第一金属层1111中设置的是Gate线，Gate线在中间部分产生断线，使得Gate线中传输的信号中断。
本实施例中，如图10所示，由于在导电层12上与Gate线相同的位置处设置有修复线区域122，因此，在Gate线断线处的两侧分别选择一个熔接点，通过激光熔接的方式将熔接点处的Gate线与导电层12中修复线区域122连接，进而使得Gate线中传输的信号通过修复线区域122进行传输；本实施例中的熔接指的是：控制激光的能量，使得激光穿透对应的绝缘层，进而使得熔接点处的Gate线熔融，并与熔接点对应的导电层上的修复线区域连接。具体的，本实施例中可以采用激光熔接器对熔接点处的Gate线进行熔接，控制激光熔接器的激光能量，使得激光能量对应的穿透强度大于绝缘层的强度，本实施例中的激光能量对应的穿透强度大于第一绝缘层1112的强度，并使得Gate线熔融，穿过第一绝缘层1112，与导电层12中修复线区域122连接。
本实施例中，信号线层包括第一信号线层和第二信号线层，第一信号线层包括第一金属层和第一绝缘层，第一金属层的第一方向上设置有多个第一信号线；第二信号线层包括第二金属层和第二绝缘层，第二金属层的第二方向上设置有多个第二信号线；修复线区域包括第一区域和第二区域，第一区域在导电层的设置位置与多个第一信号线在第一信号线层的设置位置相同，第二区域在导电层的设置位置与多个第二信号线在第二信号线层的设置位置相同。本实施例中可以通过激光熔接的方式在断线处将信号线与导电层的修复线区域，达到信号线导通的目的，在断线修复的基础上，还不影响BM边框的宽度，能够进行窄边框的设计。
下述实施例中提供一种阵列基板的断线修复方法，下面结合图11对本发明提供的阵列基板的断线修复方法进行说明，图11为本发明提供的阵列基板的断线修复方法的流程示意图一，如图11所示，本实施例提供的阵列基板的断线修复方法可以包括：
S1101，获取面板中阵列基板的断线信号线的断线位置。
本实施例中的断线修复方法应用于上述实施例提供的阵列基板中，其中，阵列基板包括：阵列基板包括：信号线层和导电层。信号线层中设置有多个信号线，信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；导电层包括像素区域和修复线区域，修复线区域在导电层的设置位置与多个信号线在信号线层的设置位置相同，像素区域与修复线区域隔离设置。
在信号线层中的信号线发生断线时，该断线信号线中的信号不能正常进行传输，表现在阵列基板上可以是该信号线对应的像素块的亮度值为0。本实施例中可以采用现有技术中获取断线位置的方式获取断线信号线的断线位置。
S1102，在断线位置的两侧的断线信号线上分别选取一个熔接点。
如图10所示，Gate线中间部分发生断线，本实施例中在断线位置的两侧的断线信号线上分别选取一个熔接点，如图其中的熔接点A和熔接点B。
本实施例中可以预先设置一预设距离，在断线位置处的两侧，且分别距离断线位置处预设距离处的位置确定为熔接点的位置。本实施例中对预设距离的值不做限制，只要能够保证断线信号线能够顺利与导电层的修复线区域顺利熔接即可。
S1103，在熔接点对断线信号线进行熔接，使得熔接点处的断线信号线与修复线区域连接。
本实施例中，由于在导电层上与断线信号线相同的位置处设置有修复线区域，因此，在断线信号线的熔接点A和熔接点B处，通过激光熔接的方式将熔接点处的断线信号线进行熔接，使得熔接点处的断线信号线与修复线区域连接，进而使得断线信号线中传输的信号通过修复线区域进行传输。
本实施例中提供的阵列基板的断线修复方法，在能够实现断线修复的基础上，还避免了现有技术中在BM区域预留修复线区域使得边框宽度变宽的问题，能够进行窄边框的设计。
下面结合图12对本发明提供的阵列基板的断线修复方法进行说明，图12为本发明提供的阵列基板的断线修复方法的流程示意图二，如图12所示，本实施例提供的阵列基板的断线修复方法可以包括：
S1201，获取面板中阵列基板的断线信号线的断线位置。
S1202，在断线位置的两侧的断线信号线上分别选取一个熔接点。
S1203，控制激光熔接器在熔接点对断线信号线进行熔接，控制激光熔接器的激光强度大于绝缘层的穿透强度，使得熔接点处的断线信号线穿透绝缘层，与修复线区域连接。
本实施例中，信号线层包括第一信号线层和第二信号线层，第一信号线层包括第一金属层和第一绝缘层，第一金属层的第一方向上设置有多个第一信号线；第二信号线层包括第二金属层和第二绝缘层，第二金属层的第二方向上设置有多个第二信号线；修复线区域包括第一区域和第二区域，第一区域在导电层的设置位置与多个第一信号线在第一信号线层的设置位置相同，第二区域在导电层的设置位置与多个第二信号线在第二信号线层的设置位置相同。
其中，如图10所示，由于在导电层上与断线信号线相同的位置处设置有修复线区域，因此，在断线信号线处的两侧分别选择一个熔接点，通过激光熔接的方式将熔接点处的断线信号线与导电层中修复线区域连接，进而使得断线信号线中传输的信号通过修复线区域进行传输。具体的，本实施例中通过控制激光熔接器在熔接点对断线信号线进行熔接，具体的，控制激光强度大于绝缘层的穿透强度，使得熔接点处的断线信号线穿透绝缘层，与导电层的修复线区域连接。
本实施例中，S1201-S1202的具体实施方式可参照上述实施例中的S1101-S1102中的相关描述，在此不做赘述。
本实施例中提供的阵列基板的断线修复方法，在能够实现断线修复的基础上，还避免了现有技术中在BM区域预留修复线区域使得边框宽度变宽的问题，能够进行窄边框的设计。
图13为本发明提供的阵列基板的断线修复装置的结构示意图一，如图13所示，该阵列基板10的断线修复装置1300包括：断线位置获取模块1301、熔接点选取模块1302和控制模块1303。
阵列基板包括：信号线层和导电层；信号线层中设置有多个信号线，信号线层与导电层在竖直方向上相邻设置；导电层包括像素区域和修复线区域，修复线区域在导电层的设置位置与多个信号线在信号线层的设置位置相同，像素区域与修复线区域隔离设置。
断线位置获取模块1301，用于获取面板中阵列基板的断线信号线的断线位置。
熔接点选取模块1302，用于在断线位置的两侧的断线信号线上分别选取一个熔接点。
控制模块1303，用于在熔接点对断线信号线进行熔接，使得熔接点处的断线信号线与修复线区域连接。
可选的，信号线层包括金属层和绝缘层，金属层中设置有多个信号线，绝缘层与导电层在竖直方向上相邻设置。
可选的，控制模块1303，具体用于控制激光熔接器在熔接点对断线信号线进行熔接，控制激光熔接器的激光强度大于绝缘层的穿透强度，使得熔接点处的断线信号线穿透绝缘层，与修复线区域连接。
本实施例提供的阵列基板的断线修复装置与上述阵列基板的断线修复方法实现的原理和技术效果类似，在此不作赘述。
图14为本发明提供的阵列基板的断线修复装置的结构示意图二，如图14所示，该阵列基板的断线修复装置1400包括：存储器1401和至少一个处理器1402。
存储器1401，用于存储程序指令。
处理器1402，用于在程序指令被执行时实现本实施例中的基板的断线修复方法，具体实现原理可参见上述实施例，本实施例此处不再赘述。
该基板的断线修复装置1400还可以包括及输入/输出接口1403。
输入/输出接口1403可以包括独立的输出接口和输入接口，也可以为集成输入和输出的集成接口。其中，输出接口用于输出数据，输入接口用于获取输入的数据，上述输出的数据为上述方法实施例中输出的统称，输入的数据为上述方法实施例中输入的统称。
本发明还提供一种可读存储介质，可读存储介质中存储有执行指令，当基板的断线修复装置的至少一个处理器执行该执行指令时，当计算机执行指令被处理器执行时，实现上述实施例中的基板的断线修复方法。
本发明还提供一种程序产品，该程序产品包括执行指令，该执行指令存储在可读存储介质中。基板的断线修复装置的至少一个处理器可以从可读存储介质读取该执行指令，至少一个处理器执行该执行指令使得基板的断线修复装置实施上述的各种实施方式提供的基板的断线修复方法。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(英文：processor)执行本发明各个实施例所述方法的部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(英文：Read-Only Memory，简称：ROM)、随机存取存储器(英文：Random Access Memory，简称：RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在上述网络设备或者终端设备的实施例中，应理解，处理器可以是中央处理单元(英文：Central Processing Unit，简称：CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(英文：Digital Signal Processor，简称：DSP)、专用集成电路(英文：ApplicationSpecific Integrated Circuit，简称：ASIC)等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：信号线层和导电层，所述信号线层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；
所述信号线层上设置有多个信号线；
所述导电层包括像素区域和修复线区域，所述修复线区域在所述导电层的设置位置与所述多个信号线在所述信号线层的设置位置相同，所述像素区域与所述修复线区域隔离设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线层包括第一信号线层和第二信号线层，所述第一信号线层和所述第二信号线层在竖直方向上相邻设置；所述第一信号线层包括多个第一信号线，所述第二信号线层包括多个第二信号线；
所述修复线区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述导电层的设置位置与所述多个第一信号线在所述第一信号线层的设置位置相同，所述第二区域在所述导电层的设置位置与所述多个第二信号线在所述第二信号线层的设置位置相同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线层包括第一金属层和第一绝缘层，所述第一金属层和所述第一绝缘层在竖直方向上相邻设置，所述第一绝缘层与所述第二信号线层在竖直方向上相邻设置；
所述第一金属层的第一方向上设置有多个第一信号线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号线层包括第二金属层和第二绝缘层，所述第二金属层分别与所述第二绝缘层、所述第一绝缘层在竖直方向上相邻设置；
所述第二金属层的第二方向上设置有多个第二信号线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一方向与所述第二方向垂直。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为栅极信号线，所述第二信号线为源极信号线。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层与所述导电层在竖直方向上相邻设置。
8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为铟锡氧化物导电层。
9.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，包括：
获取面板中的阵列基板的断线信号线的断线位置，所述阵列基板包括：信号线层和导电层；所述信号线层中设置有多个信号线，所述信号线层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；所述导电层包括像素区域和修复线区域，所述修复线区域在所述导电层的设置位置与所述多个信号线在所述信号线层的设置位置相同，所述像素区域与所述修复线区域隔离设置；
在所述断线位置的两侧的所述断线信号线上分别选取一个熔接点；
在所述熔接点对所述断线信号线进行熔接，使得所述熔接点处的断线信号线与所述修复线区域连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述信号线层包括金属层和绝缘层，所述金属层中设置有多个所述信号线，所述绝缘层与所述导电层在竖直方向上相邻设置；
在所述熔接点对所述断线信号线进行熔接，使得所述熔接点处的断线信号线与所述修复线区域连接，包括：
控制激光熔接器在熔接点对所述断线信号线进行熔接，控制所述激光熔接器的激光强度大于所述绝缘层的穿透强度，使得熔接点处的断线信号线穿透所述绝缘层，与所述修复线区域连接。
CN201811340259.5A 2018-11-12 2018-11-12 阵列基板和阵列基板的断线修复方法 Pending CN109254431A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811340259.5A CN109254431A (zh) 2018-11-12 2018-11-12 阵列基板和阵列基板的断线修复方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811340259.5A CN109254431A (zh) 2018-11-12 2018-11-12 阵列基板和阵列基板的断线修复方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109254431A true CN109254431A (zh) 2019-01-22

Family

ID=65043677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811340259.5A Pending CN109254431A (zh) 2018-11-12 2018-11-12 阵列基板和阵列基板的断线修复方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109254431A (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1702530A (zh) * 2004-05-27 2005-11-30 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN101004492A (zh) * 2007-01-25 2007-07-25 友达光电股份有限公司 显示面板及数据线修补装置与方法
CN101114655A (zh) * 2007-08-07 2008-01-30 上海广电光电子有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法
CN103278987A (zh) * 2013-05-24 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置
CN103760700A (zh) * 2013-12-25 2014-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示阵列基板、源极驱动电路及断线修复方法
CN104505392A (zh) * 2014-12-29 2015-04-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、阵列基板的修复方法、显示装置
CN105044946A (zh) * 2015-09-09 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及修复方法
CN105116590A (zh) * 2015-09-28 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板修复方法
CN105425484A (zh) * 2015-11-19 2016-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法
CN106773427A (zh) * 2017-03-10 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 数据线维修方法和阵列基板
CN206711894U (zh) * 2017-02-28 2017-12-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN108594551A (zh) * 2018-04-28 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其数据线断路的修复方法和显示装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1702530A (zh) * 2004-05-27 2005-11-30 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN101004492A (zh) * 2007-01-25 2007-07-25 友达光电股份有限公司 显示面板及数据线修补装置与方法
CN101114655A (zh) * 2007-08-07 2008-01-30 上海广电光电子有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法
CN103278987A (zh) * 2013-05-24 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置
CN103760700A (zh) * 2013-12-25 2014-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示阵列基板、源极驱动电路及断线修复方法
CN104505392A (zh) * 2014-12-29 2015-04-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、阵列基板的修复方法、显示装置
CN105044946A (zh) * 2015-09-09 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及修复方法
CN105116590A (zh) * 2015-09-28 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板修复方法
CN105425484A (zh) * 2015-11-19 2016-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法
CN206711894U (zh) * 2017-02-28 2017-12-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN106773427A (zh) * 2017-03-10 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 数据线维修方法和阵列基板
CN108594551A (zh) * 2018-04-28 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其数据线断路的修复方法和显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103278987B (zh) 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置
US7084424B2 (en) Process and structure for repairing defect of liquid crystal display
JP4068518B2 (ja) 表示装置用基板及びその製造方法
CN102289117B (zh) 液晶显示器及其驱动方法
CN108287442B (zh) 阵列基板的修复方法和阵列基板
CN102023438B (zh) 液晶显示装置及制造方法、缺陷修复方法
CN102722058B (zh) 一种液晶阵列基板及其制造方法、修复方法
CN103885262A (zh) Tft-lcd阵列基板及其数据线断线的修复方法
CN102650784B (zh) 一种阵列基板、液晶显示器件及其修复方法
CN109164654A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN108646476A (zh) 一种液晶面板的断线修复方法
KR20110081675A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 리페어 방법
CN104777635A (zh) 液晶面板的像素缺陷修复方法及液晶面板
KR100779013B1 (ko) 액정표시장치의 게이트 라인 오픈 리페어 방법
JP2015014790A (ja) 液晶表示装置
CN102074503B (zh) 显示面板的阵列基板及其修补方法
CN101211929A (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN102629050A (zh) 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法
CN101430438A (zh) 液晶显示面板的像素结构及其修复方法
CN108957804A (zh) 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置
CN109254431A (zh) 阵列基板和阵列基板的断线修复方法
US6919936B2 (en) Active matrix liquid crystal panel and method for repairing defect therein
CN105446036A (zh) 一种液晶显示面板及其修复方法
CN106647081B (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN108139640A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination