CN101666948A - Tft-lcd像素结构、制造方法和断线修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种TFT－LCD像素结构、制造方法和断线修复方法。结构包括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极，栅线的下侧形成有第一公共电极线和栅线的上侧形成有第二公共电极线，像素单元的左侧形成有第一挡光条和像素单元的右侧形成有第二挡光条；第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条呈一体结构并在像素单元的周边形成环形结构；位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。本发明维修快捷高效，成功率高。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器，特别是一种TFT-LCD像素结构、制造方法和断线修复方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，现已占据了平面显示领域的主导地位。液晶显示器的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。液晶显示器的制备工艺主要包括制备阵列基板和彩膜基板的阵列工艺、将阵列基板和彩膜基板对盒并滴注液晶的成盒工艺以及后续的模组工艺，在上述制备工艺中，断线是一种常见的不良，而且相比像素点不良，断线不良发生的比率非常高，这当中包括栅线断线和数据线断线，栅线断线和数据线断线的发生会导致一整行或列的像素不能正常地工作，而影响画面的成像。因此如果出现栅线断线和数据线断线就需要进行相应的维修。现有技术一般采用化学气相沉积修复(CVD Repair)方法进行搭桥修复，即对出现断线的栅线和数据线进行架桥焊接，用专用设备将导电金属粉末铺设在断点两侧，进行连接。再将架桥当中和像素电极短接的部分用激光分离，从而实现整条线的维修。然而采用化学气相沉积修复的时间较长；如果断裂的面积大，则维修的成功率会降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD像素结构、一种TFT-LCD像素结构的制造方法以及一种断线修复方法，克服了采用化学气相沉积修复的时间较长，维修的成功率低等缺陷，具有维修快捷高效，成功率高等优点。
本发明提供了一种TFT-LCD像素结构，包括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极，所述栅线的下侧形成有第一公共电极线和所述栅线的上侧形成有第二公共电极线，所述像素单元的左侧形成有第一挡光条和所述像素单元的右侧形成有第二挡光条；所述第一公共电极线、所述第二公共电极线、所述第一挡光条和所述第二挡光条呈一体结构并在所述像素单元的周边形成环形结构；位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。
所述连接电极与所述像素电极同层设置，通过二个钝化层过孔使位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。
本发明还提供了一种TFT-LCD像素结构的制造方法，包括：
步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅线、栅电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条；
步骤2、在完成步骤1的基板上连续淀积栅绝缘薄膜、非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，通过构图工艺在所述栅电极上形成有源层图形；
步骤3、在完成步骤2的基板上淀积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成数据线、源电极和漏电极图形，在所述源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形；
步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺，在漏电极位置形成第一钝化层过孔，在第二公共电极线位置形成第二钝化层过孔，在第一公共电极线位置形成第三钝化层过孔；
步骤5、在完成步骤4的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极，所述像素电极通过第一钝化层过孔与漏电极连接，同时形成连接电极，所述连接电极通过第二钝化层过孔和第三钝化层过孔使位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。所述步骤1中形成的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条位于像素电极的四周边缘。
本发明还提供了一种上述TFT-LCD像素结构的断线修复方法，包括：
步骤100、确定栅线断点或数据线断点的位置；
步骤110、采用激光焊接的方法，将所述栅线断点或数据线断点两侧的栅线或数据线在与连接电极或一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线或数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。
所述步骤110具体包括：根据所述栅线断点的位置，采用激光焊接的方法，将出现断点的栅线在与所述栅线断点两侧相邻的连接电极的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。
所述步骤110具体包括：根据所述数据线断点的位置，采用激光焊接的方法，将出现断点的数据线在与所述数据线断点两侧相邻的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。
本发明提供了一种TFT-LCD像素结构、一种TFT-LCD像素结构的制造方法，通过设置一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条，并设置连接电极将上下相邻像素单元的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条连接在了一起，均匀了公共电极的电压，使画面的显示更加均匀；并采用一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条和连接电极对栅线断线以及数据线断线进行相应的焊接修复。本发明还提供了基于上述TFT-LCD像素结构的断线修复方法，不同于现有技术的化学气相沉积搭桥技术，利用连接电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条进行激光焊接和激光切割相结合的修复栅线断线或数据线断线的方案，通过连接电极和一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条建立通路，进行相应的焊接修复，之后将该通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分切断分离，使通路以外的的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条仍能保证正常使用的同时达到了维修断线的目的，并且该维修方案维修快捷高效，成功率高，克服了长距离焊接由于电阻过大或断裂导致的维修失败。
附图说明
图1为本发明TFT-LCD像素结构实施例的结构示意图；
图2为图1中A-A向剖视图；
图3为图1中B-B向剖视图；
图4为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法实施例的流程图；
图5为本发明断线修复方法实施例流程图；
图6为本发明断线修复方法第一实施例的示意图；
图7为本发明断线修复方法第二实施例的示意图；
图8为本发明断线修复方法第三实施例的示意图；
图9为本发明断线修复方法第四实施例的示意图。
附图标记说明：
1-栅线； 2-数据线； 3-像素电极；
41-第一公共电极线； 42-第二公共电极线； 5-栅电极；
6-源电极； 7-漏电极； 8-钝化层；
91-第一钝化层过孔； 92-第二钝化层过孔； 93-第三钝化层过孔；
11-连接电极； 111-第一连接电极； 112-第二连接电极；
12-栅线断点； 13-数据线断点； 14-切割点；
151-第一挡光条 152-第二挡光条。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明TFT-LCD像素结构实施例的结构示意图，图2为图1中A-A向剖视图，图3为图1中B-B向剖视图。如图1、图2和图3所示，本实施例TFT-LCD像素结构包括：栅线1、数据线2、像素电极3、公共电极线和薄膜晶体管(TFT)，相互交叉的栅线1和数据线2限定了数个像素单元，并在交叉处形成薄膜晶体管，像素电极3形成在像素单元内，并与公共电极线形成存储电容，为一种存储电容在公共电极线上(Cst On Common)的像素结构。本实施例薄膜晶体管结构与现有技术相同，至少包括形成在基板上的栅电极5以及位于栅电极5上方的源电极6和漏电极7，栅电极5与栅线1连接，源电极6与数据线2连接，漏电极7通过钝化层8上的第一钝化层过孔91与像素电极3连接。本实施例的TFT-LCD像素结构的不同之处在于，公共电极线为位于栅线1下侧的第一公共电极线41和位于上侧的第二公共电极线42，每个像素单元的左侧还形成有第一挡光条151和每个像素单元的左侧还形成有第二挡光条152，第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151、和第二挡光条152呈一体结构并在像素单元的周边形成环形结构，位于栅线1上侧的第二公共电极线42和位于栅线1下侧的第一公共电极线41通过连接电极11连接。其中连接电极11将上下像素单元的一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151、和第二挡光条152连接在一起，可以起到均衡电压的作用。本实施例上述技术方案中，连接电极11与像素电极3同层设置，通过二个钝化层过孔使位于栅线1上侧一个像素单元的第二公共电极线42和位于栅线1下侧另一个像素单元的第一公共电极线41连接，具体地，位于栅线1上侧一个像素单元的第二公共电极线4通过其上的第二钝化层过孔92，而位于栅线1下侧的另一个像素单元的第一公共电极线41通过其上的第三钝化层过孔93由连接电极11跨越栅线1相连接。需要说明的是，栅线1、数据线2、薄膜晶体管的源电极6和漏电极7、第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151和第二挡光条152为铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一构成的单层结构或任意组合构成的复合层结构；栅线1、第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151和第二挡光条152为在同一镀膜、掩模光刻和化学腐蚀工艺中完成制作的相同材料部分；像素电极3的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。
当液晶显示器制备工艺中出现栅线或数据线断线不良时，首先确定栅线断点或数据线断点的位置；然后采用激光焊接的方法，将所述栅线断点或数据线断点两侧的栅线或数据线在与连接电极或一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线或数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。这种维修方式将与出现断点的栅线或数据线相邻的一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的两端断开，替代断点部分与出现断点的栅线或数据线形成一个通路，从而将断线的栅线或数据线的两端连接起来，既修复了断点，又将用来充当通路的一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条与其主体部分分离，从而达到了维修的目的。虽然本实施例仅针对存储电容在公共电极线上(Cst On Common)的像素结构进行了说明，但实际使用中，本实施例上述技术方案对于存储电容在栅线上(CstOn Gate)的像素结构也同样适用。
本发明上述实施例提供了一种TFT-LCD像素结构，通过设置同一像素单元中一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条以及设置连接电极将上下相邻像素单元的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条连接在了一起，均匀了公共电极的电压，使画面的显示更加均匀；当栅线和数据线发生断线时，利用一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条和连接电极形成一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条与出现断点的栅线或数据线的通路进行的焊接修复，使维修快捷高效，成功率高，克服了长距离焊接因为电阻过大或断裂导致的维修失败。
图4为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法实施例的流程图，具体包括：
步骤1，在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅线、栅电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条；
步骤2，在完成步骤1的基板上连续淀积栅绝缘薄膜、非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，通过构图工艺在所述栅电极上形成有源层图形；
步骤3，在完成步骤2的基板上淀积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成数据线、源电极和漏电极图形，在所述源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形；
步骤4，在完成步骤3的基板上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺，在漏电极位置形成第一钝化层过孔，在第二公共电极线位置形成第二钝化层过孔，在第一公共电极线位置形成第三钝化层过孔；
步骤5，在完成步骤4的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极，所述像素电极通过第一钝化层过孔与漏电极连接，同时形成连接电极，所述连接电极通过第二钝化层过孔和第三钝化层过孔使位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。
上述实施例中，步骤1中形成的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条位于像素电极的周边。
本发明上述实施例仅仅是通过五次构图工艺对本发明技术方案的一种说明，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和剥离等工艺。在实际使用中，本发明技术方案对于四次甚至三次构图工艺也完全适用。
图5为本发明液晶显示器断线修复方法实施例的流程图，具体包括：
步骤100、确定栅线断点或数据线断点的位置；
步骤110、采用激光焊接的方法，将所述栅线断点或数据线断点两侧的栅线或数据线在与连接电极或一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线或数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。
下面通过具体实施例进一步说明本发明修复断线方法的技术方案。
图6为本发明断线修复方法第一实施例的示意图，本实施例中的像素结构与本发明TFT-LCD像素结构实施例相同。当成盒工艺前或成盒工艺后的检测工艺发现栅线断线不良时，首先进行栅线断点的位置定位，根据所述栅线断点的位置，采用激光焊接的方法，将出现断点的栅线在与所述栅线断点两侧相邻的连接电极的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。如图6所示，具体地，根据栅线断点12的位置，采用激光焊接方法，将出现断点的栅线1在与栅线断点12一侧相邻的第一连接电极111的交叠处熔接，形成熔接点a，并将出现断点的栅线1在与栅线断点12另一侧相邻的第二连接电极112的交叠处熔接，形成熔接点b，使位于栅线1上侧的一部分第二公共电极线42替代栅线1出现断点的部分形成一个通路，从而将断线的栅线1的两端连接起来，即形成了一条从熔接点a到第一连接电极111的第二钝化层过孔92，经过一部分第二公共电极线42，再经过第二连接电极112的第二钝化层过孔92到熔接点b，借助一部分第二公共电极线42而形成的通路；同时，采用激光切割方法，将上述一部分第二公共电极线42与其一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开，形成切割点14，并将第一连接电极111和第二连接电极112与位于栅线1下侧的第一公共电极线41断开，形成切割点14，既修复了断点，又将用来充当通路的一部分第二公共电极线42与一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开分离，此时，第一公共电极线41仍能保证正常使用，同时也达到了维修栅线断线的目的。
本发明断线修复方法不同于现有技术的化学气相沉积搭桥技术，提出了一种利用连接电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条进行激光焊接和激光切割相结合的修复栅线断线的方案，通过连接电极和一部分公共电极线建立通路，进行相应的焊接修复，之后将通路之外的部分切断分离，使通路以外的公共电极线仍能保证正常使用的同时达到了维修栅线断线的目的，并且该维修方案使维修快捷高效，成功率高，克服了长距离焊接由于电阻过大或断裂导致的维修失败。
图7为本发明断线修复方法第二实施例的示意图，本实施例中的像素结构与本发明TFT-LCD像素结构实施例相同。当成盒工艺前或成盒工艺后的检测工艺发现栅线断线不良时，首先进行栅线断点的位置定位，根据所述栅线断点的位置，采用激光焊接的方法，将出现断点的栅线在与所述栅线断点两侧相邻的连接电极的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。如图7所示，具体地，该处栅线断点12在栅线1与数据线2的交叠处，根据栅线断点12的位置，采用激光焊接方法，将出现断点的栅线1在与栅线断点12一侧相邻的第一连接电极111的交叠处熔接，形成熔接点a，并将出现断点的栅线1在与栅线断点12另一侧相邻的第二连接电极112的交叠处熔接，形成熔接点b，使位于栅线1上侧的一部分第二公共电极线42替代栅线1出现断点的部分形成一个通路，从而将断线的栅线1的两端连接起来，即形成了一条从熔接点a到第一连接电极111的第二钝化层过孔92，经过一部分第二公共电极线42，再经过第二连接电极112的第二钝化层过孔92到熔接点b，借助一部分第二公共电极线42而形成的通路；同时，采用激光切割方法，将上述的一部分第二公共电极线42与其一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开，形成切割点14，并将第一连接电极111和第二连接电极112与位于栅线1下侧的第一公共电极线41断开，形成切割点14，既修复了断点，又将用来充当通路的一部分第二公共电极线42与一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开分离，此时，第一公共电极线41仍能保证正常使用，同时也达到了维修栅线断线的目的。
本发明断线修复方法不同于现有技术的化学气相沉积搭桥技术，提出了一种利用连接电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条进行激光焊接和激光切割相结合的修复栅线断线的方案，通过连接电极和一部分公共电极线建立通路，进行相应的焊接修复，之后将通路之外的部分切断分离，使通路以外的公共电极线仍能保证正常使用的同时达到了维修栅线断线的目的，并且该维修方案使维修快捷高效，成功率高，克服了长距离焊接由于电阻过大或断裂导致的维修失败。
图8为本发明断线修复方法第三实施例的示意图，本实施例中的像素结构与本发明TFT-LCD像素结构实施例相同。当成盒工艺前或成盒工艺后的检测工艺发现数据线断线不良时，首先进行数据线断点的位置定位，根据所述数据线断点的位置，采用激光焊接的方法，将出现断点的数据线在与所述数据线断点两侧相邻的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。如图8所示，具体地，根据数据线断点13的位置，采用激光焊接方法，将出现断点的数据线2在与数据线断点13一侧的第一公共电极线41的交叠处熔接，形成熔接点a，并将出现断点的数据线2在与位于数据线断点13另一侧的第二公共电极线42熔接，形成熔接点b，使位于数据线2一侧的一部分一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条替代数据线2出现断点的部分形成一个通路，从而将断线的数据线2的两端连接起来，即形成了一条从熔点a到第二挡光条，到与断线的数据线2临近的像素电极11的第二钝化层过孔92，再到熔接点b，借助一部分一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条而形成的通路；同时，采用激光切割方法，将上述通路与其一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开，形成切割点14，将上述像素电极11与位于栅线1下侧的第二公共电极线42断开，形成切割点14。这样，既修复了断点，又将用来充当通路的一部分一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条与其主体部分断开分离，使通路以外的部分的一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条和第二挡光条仍能保证正常使用的同时达到了维修数据线断线的目的。
本发明断线修复方法不同于现有技术的化学气相沉积搭桥技术，提出了一种利用连接电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条进行激光焊接和激光切割相结合的修复数据线断线的方案，通过连接电极和一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条建立通路，进行相应的焊接修复，之后将该通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分切断分离，使通路以外的部分的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条仍能保证正常使用的同时达到了维修数据线断线的目的，并且该维修方案使维修快捷高效，成功率高，克服了长距离焊接由于电阻过大或断裂导致的维修失败。
图9为本发明断线修复方法第四实施例的示意图，本实施例中的像素结构与本发明TFT-LCD像素结构实施例相同。当成盒工艺前或成盒工艺后的检测工艺发现数据线断线不良时，首先进行数据线断点的位置定位，根据所述数据线断点的位置，将出现断点的数据线在与所述数据线断点两侧相邻的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。如图9所示，具体地，数据线断点13出现在栅线1与数据线2的交叠处，根据数据线断点13的位置，采用激光焊接方法，将出现断点的数据线2在与数据线断点13上侧像素行的第二公共电极线42的交叠处熔接，形成熔接点a，并将出现断点的数据线2在与位于数据线断点13下侧像素行的第一公共电极线41熔接，形成熔接点b，使一部分第二公共电极线42、连接电极11和一部分第一公共电极线41替代数据线2出现断点的部分形成一个通路，从而将断线的数据线2的两端连接起来，即形成了一条从熔点a到与断线的数据线2临近的像素电极11的第二钝化层过孔92到第三钝化层过孔93到熔接点b的通路；同时，采用激光切割方法，将上述一部分第一公共电极线41和一部分第二公共电极线42与一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151和第二挡光条152断开，形成切割点14。这样，既修复了断点，又将用来充当通路的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151和第二挡光条152与一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151和第二挡光条152的主体部分断开分离，使通路以外的部分的一体结构的第一公共电极线41、第二公共电极线42、第一挡光条151和第二挡光条152仍能保证正常使用的同时达到了维修数据线断线的目的。
本发明断线修复方法不同于现有技术的化学气相沉积搭桥技术，提出了一种利用连接电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条进行激光焊接和激光切割相结合的修复数据线断线的方案，通过连接电极和一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条建立通路，进行相应的焊接修复，之后将该通路通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分切断分离，使通路以外的部分的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条仍能保证正常使用的同时达到了维修数据线断线的目的，并且该维修方案使维修快捷高效，成功率高，克服了长距离焊接由于电阻过大或断裂导致的维修失败。
现有技术虽然也公开过通过熔接修复断线的技术方案，但只能实现对相对简单的像素亮点进行维修，针对比较复杂的栅线断线和数据线断线仍然存在断线修复效果差，修复成功率低的缺陷。而本发明通过连接电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条建立通路，进行相应的焊接修复，之后将该通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分切断分离，使通路以外的部分的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条仍能保证正常使用的同时达到了修复断线的目的，并且该维修方案使维修快捷高效，成功率高，克服了长距离焊接由于电阻过大或断裂导致的维修失败。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (7)
1、一种TFT-LCD像素结构，包括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述栅线的下侧形成有第一公共电极线和所述栅线的上侧形成有第二公共电极线，所述像素单元的左侧形成有第一挡光条和所述像素单元的右侧形成有第二挡光条；所述第一公共电极线、所述第二公共电极线、所述第一挡光条和所述第二挡光条呈一体结构并在所述像素单元的周边形成环形结构；位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。
2、根据权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述连接电极与所述像素电极同层设置，通过二个钝化层过孔使位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。
3、一种TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，包括：
步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅线、栅电极和一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条；
步骤2、在完成步骤1的基板上连续淀积栅绝缘薄膜、非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，通过构图工艺在所述栅电极上形成有源层图形；
步骤3、在完成步骤2的基板上淀积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成数据线、源电极和漏电极图形，在所述源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形；
步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺，在漏电极位置形成第一钝化层过孔，在第二公共电极线位置形成第二钝化层过孔，在第一公共电极线位置形成第三钝化层过孔；
步骤5、在完成步骤4的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极，所述像素电极通过第一钝化层过孔与漏电极连接，同时形成连接电极，所述连接电极通过第二钝化层过孔和第三钝化层过孔使位于栅线上侧的第二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。
4、根据权利要求3所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1中形成的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条位于像素电极的周边。
5、一种权利要求1或2所述的TFT-LCD像素结构的断线修复方法，其特征在于，包括：
步骤100、确定栅线断点或数据线断点的位置；
步骤110、采用激光焊接的方法，将所述栅线断点或数据线断点两侧的栅线或数据线在与连接电极或一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线或数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。
6、根据权利要求5所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤110具体包括：根据所述栅线断点的位置，采用激光焊接的方法，将出现断点的栅线在与所述栅线断点两侧相邻的连接电极的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代栅线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。
7、根据权利要求5所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤110具体包括：根据所述数据线断点的位置，采用激光焊接的方法，将出现断点的数据线在与所述数据线断点两侧相邻的一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的交叠处熔接，使一部分一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条替代数据线出现断点的部分形成一个通路，并采用激光切割方法，将所述通路与其一体结构的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条的主体部分断开。
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