CN111665670B - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

阵列基板和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN111665670B
CN111665670B CN202010603249.7A CN202010603249A CN111665670B CN 111665670 B CN111665670 B CN 111665670B CN 202010603249 A CN202010603249 A CN 202010603249A CN 111665670 B CN111665670 B CN 111665670B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
common
via hole
array substrate
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010603249.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111665670A (zh
Inventor
张占东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202010603249.7A priority Critical patent/CN111665670B/zh
Publication of CN111665670A publication Critical patent/CN111665670A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111665670B publication Critical patent/CN111665670B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板,该阵列基板通过采用金属层形成第一公共走线,而无需采用栅极层形成公共走线,从而在湿蚀刻栅极层时,蚀刻液不会残留,扫描线和公共走线均不会被残留的蚀刻液蚀刻,从而解决了现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
现有中大尺寸的液晶显示面板中,为了解决显示区中间与边缘区域显示不均的问题,会在栅极层设置公共走线,然后将公共走线与公共电极层连接,但在对栅极层进行湿蚀刻时,由于湿蚀刻是等向性蚀刻,使得光刻胶会在栅极图案上突出,从而导致蚀刻液残留在扫描线和公共走线之间,蚀刻液持续对扫描线和公共走线进行蚀刻,导致扫描线和公共走线出现线宽较小甚至扫描线出现断裂的问题,使得显示异常甚至无法显示。
所以,现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板,用以解决现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,该阵列基板包括:
衬底;
金属层,设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线;
缓冲层,设置于所述金属层上;
有源层,设置于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设置于所述有源层上;
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置于所述栅极层上;
源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线;
平坦化层,设置于所述源漏极层上;
公共电极层,设置于所述平坦化层上;
其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接。
在一些实施例中,所述金属层包括遮光层,所述遮光层图案化形成有遮光图案和第一公共走线。
在一些实施例中,所述源漏极层图案化形成有数据线,所述第二过孔的间距等于相邻数据线的间距的三分之一。
在一些实施例中,所述第一过孔与显示区的边缘的距离小于所述遮光图案与显示区的边缘的距离。
在一些实施例中,所述第一公共走线包括多条纵向排列的公共走线,所述栅极层刻蚀形成有多条纵向排列的扫描线,相邻公共走线的间距等于相邻的扫描线的间距。
在一些实施例中,所述第一公共走线包括多条纵向排列的公共走线,所述栅极层刻蚀形成有多条纵向排列的扫描线,相邻公共走线的间距等于依次排列的三条扫描线的间距。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括像素电极层,所述像素电极层图案化形成有像素电极,所述第一公共走线与所述遮光图案之间的间距大于所述像素电极的宽度。
在一些实施例中,所述第三过孔在所述衬底上的投影,位于所述第二过孔在所述衬底上的投影内。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括遮光层和绝缘层,所述遮光层设置于所述衬底上,所述绝缘层设置于所述遮光层上,所述金属层设置于所述绝缘层上。
同时,本申请实施例提供一种液晶显示面板,该液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板、以及设置于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板包括:
衬底;
金属层,设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线;
缓冲层,设置于所述金属层上;
有源层,设置于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设置于所述有源层上;
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置于所述栅极层上;
源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线;
平坦化层,设置于所述源漏极层上;
公共电极层,设置于所述平坦化层上;
其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接。
有益效果:本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板,该阵列基板包括衬底、金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、平坦化层和公共电极层,所述金属层设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线,所述缓冲层设置于所述金属层上,所述有源层设置于所述缓冲层上,所述栅极绝缘层设置于所述有源层上,所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上,所述层间绝缘层设置于所述栅极层上,所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线,所述平坦化层设置于所述源漏极层上,所述公共电极层设置于平坦化层上,其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,所述第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接;通过采用金属层形成第一公共走线,而无需采用栅极层形成公共走线,从而在湿蚀刻栅极层时,蚀刻液不会残留,扫描线和公共走线均不会被残留的蚀刻液蚀刻,从而解决了现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有阵列基板的第一示意图。
图2为图1中阵列基板的A1-A2截面图。
图3为现有阵列基板的第二示意图。
图4为非等向性蚀刻和等向性蚀刻的示意图。
图5为栅极层进行等向性蚀刻的示意图。
图6为本申请实施例提供的阵列基板的示意图。
图7为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图。
图8为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的各个步骤对应的阵列基板的示意图。
图9为本申请实施例提供的显示面板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
现有中大尺寸的液晶显示面板中,由于横向和纵向的宽度较大,导致在信号输入时,会出现显示区中间与边缘区域的电压不同,在显示时出现显示不均的问题,因此,如图1所示,现有液晶显示面板会在扫描线1063侧设置一条栅极层公共走线1062,通过对层间绝缘层、平坦化层开孔,源漏极层过渡的方式将栅极层106的栅极层公共走线1062与公共电极层连接,从而使得位于显示区中间和边缘区域的显示效果一致,如图1所示,设置于栅极层106的栅极层公共走线1062会穿过第一过孔121到达源漏极层108,源漏极层108形成有源漏极层公共走线1081和数据线1082,栅极层公共走线1062与源漏极层公共走线1081连接,然后源漏极层公共走线1081会通过第二过孔122与公共电极层连接,在栅极公共走线1062上的第三过孔123穿过层间绝缘层和平坦化层,并通过源漏极层公共走线1081过渡,从而与公共电极层连接,使得显示面板中间区域与边缘区域的显示效果一致,具体的,如图2所示,第三过孔123通过对层间绝缘层和平坦化层穿孔,使得栅极层公共走线1062与公共电极层110连接,图3示出了液晶显示面板的膜层结构,液晶显示面板包括衬底101、遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅极绝缘层105、栅极层106、层间绝缘层107、源漏极层108、平坦化层109、公共电极层110、钝化层111、像素电极层112,栅极层106刻蚀形成有栅极1061、栅极层公共走线1062,源漏极层108刻蚀形成有源漏极和源漏极层公共走线1081,但在对栅极层进行刻蚀时,会采用等向性刻蚀,如图4所示,图4中的(a)是对膜层进行非等向性刻蚀时膜层的示意图,图4中的(b)是对膜层进行等向性刻蚀时膜层的示意图,在衬底21上设有被刻蚀膜层22、在被刻蚀膜层22上设有光刻胶23,从图4中的(b)可以看出,在对被刻蚀膜层22进行等向性刻蚀时,膜层与光刻胶之间存在倒角,具体在对栅极层进行刻蚀时,如图5所示,由于栅极层106刻蚀形成有扫描线1063和栅极层公共走线1062,对栅极层进行等向性刻蚀时,蚀刻液24会残留在扫描线1063和栅极层公共走线1062之间,导致在后续过程中蚀刻液持续蚀刻扫描线和栅极层公共走线,出现扫描线和栅极层公共走线线宽较小甚至断裂的问题,即现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
如图6所示,本申请实施例提供一种阵列基板,该阵列基板包括:
衬底301;
金属层302,设置于所述衬底301上,所述金属层302图案化形成有第一公共走线3022;
缓冲层303,设置于所述金属层302上;
有源层304,设置于所述缓冲层303上;
栅极绝缘层305,设置于所述有源层304上;
栅极层306,设置于所述栅极绝缘层305上;
层间绝缘层307,设置于所述栅极层306上;
源漏极层308,设置于所述层间绝缘层307上,所述源漏极层308图案化形成有源漏极和第二公共走线3081;
平坦化层309,设置于所述源漏极层308上;
公共电极层310,设置于所述平坦化层309上;
其中,所述阵列基板还包括第一过孔321、第二过孔322和第三过孔323,所述第一过孔321和所述第二过孔322穿过所述缓冲层303、栅极绝缘层305和层间绝缘层307,所述第三过孔323穿过所述平坦化层309,第二公共走线3081通过所述第一过孔321与所述第一公共走线3022连接,所述第一公共走线3022通过所述第二过孔322与所述第二公共走线3081连接,所述第二公共走线3081通过所述第三过孔323与所述公共电极层310连接。
本申请实施例提供一种阵列基板,该阵列基板包括衬底、金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、平坦化层和公共电极层,所述金属层设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线,所述缓冲层设置于所述金属层上,所述有源层设置于所述缓冲层上,所述栅极绝缘层设置于所述有源层上,所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上,所述层间绝缘层设置于所述栅极层上,所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线,所述平坦化层设置于所述源漏极层上,所述公共电极层设置于平坦化层上,其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,所述第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接;通过采用金属层形成第一公共走线,而无需采用栅极层形成公共走线,从而在湿蚀刻栅极层时,蚀刻液不会残留,扫描线和公共走线均不会被残留的蚀刻液蚀刻,从而解决了现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
在一种实施例中,如图6所示,所述金属层包括遮光层302,所述遮光层302图案化形成有遮光图案3021和第一公共走线3022,通过采用遮光层形成第一公共走线,从而无需采用栅极层形成第一公共走线,使得在对栅极层进行刻蚀时,蚀刻液不会残留在第一公共走线和扫描线之间,从而可以避免第一公共走线和栅极层的扫描线出现线宽较小甚至断裂的问题,从而避免在显示时,出现显示不良,且在采用遮光层形成第一公共走线时,不会增加显示面板的厚度,且遮光层的走线相对较少,第一公共走线设置在遮光层可以相对密集,且不会影响到薄膜晶体管的正常工作。
在一种实施例中,所述源漏极层图案化形成有数据线,所述第二过孔的间距等于相邻数据线的间距的三分之一,在将第一公共走线与公共电极层连接,从而保证第一公共走线能够将公共电极层的各个区域的电压保持一致时,考虑到显示面板的尺寸较大,可以将第二过孔的间距设置较密,从而保证显示面板的各个区域的公共电极层的电压一致,从而在显示时,使得显示面板的各个区域的显示效果一致,例如,在相邻的数据线之间,可以设置两个等间距的第二过孔,从而使得第一公共走线通过第二过孔连接到第二公共走线上,然后通过第三过孔连接到公共电极层,从而使得相邻数据线的间距的三分之一上即设有公共走线,从而使得在对公共电极层输入电压时,由于相邻的公共走线的间距较小,使得输入的电压不会被各个走线的阻抗消耗,使得公共电极层的各处的电压一致,避免公共电极层出现压降。
在一种实施例中,所述源漏极层图案化形成有数据线,所述第二过孔的间距大于相邻数据线之间的间距,即考虑到相邻的数据线的间距,不会导致公共电极层出现较大的压降,可以在大于相邻数据线之间的间距的距离上设置第二过孔,从而使得第二过孔的设置不会过于密集,使得穿过第二过孔的第二公共走线不会过于密集,从而在源漏极层的走线设置上能够保证各个走线的间距相对较大,从而避免源漏极层的走线之间出现间距过小,导致短路或者信号串扰的问题。
在一种实施例中,所述第一过孔与显示区的边缘的距离小于所述遮光图案与显示区的边缘的距离,在设置第一过孔时,考虑到电压信号会从第二公共走线上输入,因此可以使得第一过孔设置位置靠近显示区的边缘,从而在第二公共走线的设置时,第二公共走线与信号输入端的距离较近,便于电压信号的输入,同时避免走线过长,会导致压降较大,且在将第一过孔设置边缘时,可以避免穿过第一过孔的第二公共走线过于靠近源漏极和数据线,从而避免第二公共走线与源漏极和数据线之间出现信号的串扰,或者第二公共走线与源漏极之间出现短路问题。
在一种实施例中,所述第一公共走线包括多条纵向排列的公共走线,所述栅极层刻蚀形成有多条纵向排列的扫描线,相邻公共走线的间距等于相邻的扫描线的间距,在设置第一公共走线时,对于第一公共走线的间距,可以根据扫描线的设置密度来设置,从而使得每一条扫描线对应区域均设有一条第一公共走线,从而使得第一公共走线在每一条扫描线对应的区域,向公共电极层供电,则在对应每一条扫描线的区域,公共电极层的电压一致,从而使得在显示面板的驱动电路中,各个区域的公共电极层的电压一致,避免出现压降。
在一种实施例中,所述第一公共走线包括多条纵向排列的公共走线,所述栅极层刻蚀形成有多条纵向排列的扫描线,相邻公共走线的间距等于依次排列的三条扫描线的间距;在遮光层设置第一公共走线,从而避免栅极层出现扫描线线宽较小甚至断裂的同时,考虑到公共电极层在相邻的扫描线之间的压降较小,因此,可以间隔一条扫描线设置第一公共走线,从而使得第一公共走线的设置密度相对较小,从而在设置第二公共走线时,第二公共走线的设置密度也可以较小,从而避免第二公共走线与数据线和源漏极发生信号串扰,同时,在源漏极层的走线的设置密度较小时,能增加走线之间的间距,从而避免走线出现短路,且可以相应增加走线的宽度,降低走线的压降和断裂的可能性。
在一种实施例中,如图6所示,所述阵列基板还包括钝化层311和像素电极层312,所述像素电极层图案化形成有像素电极,所述第一公共走线与所述遮光图案之间的间距大于所述像素电极的宽度,为了避免第一公共走线对薄膜晶体管产生影响,在设置第一公共走线时,可以使得第一公共走线与薄膜晶体管之间的间距较大,在遮光图案在衬底上的投影宽度大于有源层在衬底上的投影宽度的同时,可以进一步使得第一公共走线与遮光图案之间的间距大于像素电极的宽度,从而保证第一公共走线与薄膜晶体管之间的间距较大,避免第一公共走线上的信号对薄膜晶体管的信号产生影响,同时,避免第一公共走线、第二公共走线和公共电极层与薄膜晶体管中的各走线发生接触,从而避免阵列基板中出现信号串扰或者走线断裂的问题。
在一种实施例中,所述第三过孔在所述衬底上的投影,位于所述第二过孔在所述衬底上的投影内,在设置第三过孔时,可以将第三过孔设置在第二过孔对应的区域,直接将第一公共走线与第二公共走线连接,然后直接与公共电极层连接。
在一种实施例中,所述第三过孔在所述衬底上的投影,与所述第三过孔在所述衬底上的投影不重合,在设置第二过孔和第三过孔时,可以将第二过孔与第三过孔设置在不同的垂直线上,使得第二公共走线能够向侧面延伸,从而使得第二公共走线和公共电极层的连接能够相对稳定。
在一种实施例中,所述遮光层的材料包括铬、钼中的一种,在选择遮光层的材料时,选择具有良好导电性能的材料,从而使得在采用遮光层图案化形成第一公共走线时,第一公共走线的导电性较好,且在选择遮光层的材料时,遮光层的材料可以为反射率较低的材料,从而避免遮光层对光线进行反射,影响显示,因此可以选择铬和钼作为遮光层的材料。
在一种实施例中,所述阵列基板还包括遮光层和绝缘层,所述遮光层设置于所述衬底上,所述绝缘层设置于所述遮光层上,所述金属层设置于所述绝缘层上,在采用金属层形成第一公共走线时,可以在阵列基板中增加一层金属层,从而不影响现有阵列基板中的各个膜层的设置。
如图7所示,本申请实施例提供一种阵列基板制备方法,该阵列基板制备方法包括:
S1,提供衬底;
S2,在所述衬底上形成金属层,并图案化所述金属层形成有第一公共走线;其结构如图8中的(a)所示;
S3,在所述金属层上形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层;其结构如图8中的(b)所示;
S4,在所述栅极层上形成层间绝缘层,并蚀刻所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层和所述缓冲层形成第一过孔和第二过孔;其结构如图8中的(c)所示;
S5,在所述层间绝缘层上形成源漏极层,并刻蚀所述源漏极层形成源漏极和第二公共走线;所述第一公共走线和所述第二公共走线通过所述第一过孔和第二过孔连接;其结构如图8中的(d)所示;
S6,在所述源漏极层上形成平坦化层,并刻蚀所述平坦化层形成第三过孔;
S7,在所述平坦化层上形成公共电极层;所述公共电极层通过第三过孔与第二公共走线连接。
需要说明的是,图8中的右侧的图为图8中左侧的图的截面图,截面处为图8中的虚线41,例如图8中的(a)的右侧图为左侧图的虚线41处的截面图;同时,在图8中未示出缓冲层、层间绝缘层等膜层。
如图9所示,本申请实施例提供一种液晶显示面板,该液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板54、以及设置于所述阵列基板和彩膜基板54之间的液晶层52,所述阵列基板包括:
衬底301;
金属层302,设置于所述衬底301上,所述金属层302图案化形成有第一公共走线3022;
缓冲层303,设置于所述金属层302上;
有源层304,设置于所述缓冲层303上;
栅极绝缘层305,设置于所述有源层304上;
栅极层306,设置于所述栅极绝缘层305上;
层间绝缘层307,设置于所述栅极层306上;
源漏极层308,设置于所述层间绝缘层307上,所述源漏极层308图案化形成有源漏极和第二公共走线3081;
平坦化层309,设置于所述源漏极层308上;
公共电极层310,设置于所述平坦化层309上;
其中,所述阵列基板还包括第一过孔321、第二过孔322和第三过孔323,所述第一过孔321和所述第二过孔322穿过所述缓冲层303、栅极绝缘层305和层间绝缘层307,所述第三过孔323穿过所述平坦化层309,第二公共走线3081通过所述第一过孔321与所述第一公共走线3022连接,所述第一公共走线3022通过所述第二过孔322与所述第二公共走线3081连接,所述第二公共走线3081通过所述第三过孔323与所述公共电极层310连接。
本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板包括阵列基板、彩膜基板、以及设置于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板包括衬底、金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、平坦化层和公共电极层,所述金属层设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线,所述缓冲层设置于所述金属层上,所述有源层设置于所述缓冲层上,所述栅极绝缘层设置于所述有源层上,所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上,所述层间绝缘层设置于所述栅极层上,所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线,所述平坦化层设置于所述源漏极层上,所述公共电极层设置于平坦化层上,其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,所述第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接;通过采用金属层形成第一公共走线,而无需采用栅极层形成公共走线,从而在湿蚀刻栅极层时,蚀刻液不会残留,扫描线和公共走线均不会被残留的蚀刻液蚀刻,从而解决了现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
在一种实施例中,如图9所示,所述液晶显示面板还包括第一配向层51和第二配向层53。
根据以上实施例可知:
本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板,该阵列基板包括衬底、金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、平坦化层和公共电极层,所述金属层设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线,所述缓冲层设置于所述金属层上,所述有源层设置于所述缓冲层上,所述栅极绝缘层设置于所述有源层上,所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上,所述层间绝缘层设置于所述栅极层上,所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线,所述平坦化层设置于所述源漏极层上,所述公共电极层设置于平坦化层上,其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,所述第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接;通过采用金属层形成第一公共走线,而无需采用栅极层形成公共走线,从而在湿蚀刻栅极层时,蚀刻液不会残留,扫描线和公共走线均不会被残留的蚀刻液蚀刻,从而解决了现有液晶显示面板中由于栅极层存在公共走线,导致对栅极层进行湿蚀刻时,出现扫描线和公共走线宽度较小甚至断裂的技术问题。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种电子装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
金属层,设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线;
缓冲层,设置于所述金属层上;
有源层,设置于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设置于所述有源层上;
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置于所述栅极层上;
源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线;
平坦化层,设置于所述源漏极层上;
公共电极层,设置于所述平坦化层上;
其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属层包括遮光层,所述遮光层图案化形成有遮光图案和第一公共走线。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述源漏极层图案化形成有数据线,所述第二过孔的间距等于相邻数据线的间距的三分之一。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔与显示区的边缘的距离小于所述遮光图案与显示区的边缘的距离。
5.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共走线包括多条纵向排列的公共走线,所述栅极层刻蚀形成有多条纵向排列的扫描线,相邻公共走线的间距等于相邻的扫描线的间距。
6.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共走线包括多条纵向排列的公共走线,所述栅极层刻蚀形成有多条纵向排列的扫描线,相邻公共走线的间距等于依次排列的三条扫描线的间距。
7.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括像素电极层,所述像素电极层图案化形成有像素电极,所述第一公共走线与所述遮光图案之间的间距大于所述像素电极的宽度。
8.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第三过孔在所述衬底上的投影,位于所述第二过孔在所述衬底上的投影内。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括遮光层和绝缘层,所述遮光层设置于所述衬底上,所述绝缘层设置于所述遮光层上,所述金属层设置于所述绝缘层上。
10.一种液晶显示面板,其特征在于,包括阵列基板、彩膜基板、以及设置于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板包括:
衬底;
金属层,设置于所述衬底上,所述金属层图案化形成有第一公共走线;
缓冲层,设置于所述金属层上;
有源层,设置于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设置于所述有源层上;
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置于所述栅极层上;
源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,所述源漏极层图案化形成有源漏极和第二公共走线;
平坦化层,设置于所述源漏极层上;
公共电极层,设置于所述平坦化层上;
其中,所述阵列基板还包括第一过孔、第二过孔和第三过孔,所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层,所述第三过孔穿过所述平坦化层,第二公共走线通过所述第一过孔与所述第一公共走线连接,所述第一公共走线通过所述第二过孔与所述第二公共走线连接,所述第二公共走线通过所述第三过孔与所述公共电极层连接。
CN202010603249.7A 2020-06-29 2020-06-29 阵列基板和显示面板 Active CN111665670B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010603249.7A CN111665670B (zh) 2020-06-29 2020-06-29 阵列基板和显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010603249.7A CN111665670B (zh) 2020-06-29 2020-06-29 阵列基板和显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111665670A CN111665670A (zh) 2020-09-15
CN111665670B true CN111665670B (zh) 2022-05-31

Family

ID=72390276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010603249.7A Active CN111665670B (zh) 2020-06-29 2020-06-29 阵列基板和显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111665670B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113805393A (zh) * 2021-08-25 2021-12-17 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及电子终端
CN114137766B (zh) * 2021-12-03 2023-06-27 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板的制备方法
CN114188389B (zh) * 2021-12-09 2024-02-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板及其制作方法、oled显示面板
CN114690490A (zh) * 2022-03-18 2022-07-01 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其显示面板
CN116413962B (zh) * 2023-06-09 2023-10-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002049049A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Hitachi Ltd 液晶表示装置
CN101666948A (zh) * 2008-09-03 2010-03-10 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构、制造方法和断线修复方法
CN103226272A (zh) * 2013-04-16 2013-07-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104777692A (zh) * 2015-05-08 2015-07-15 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、触控显示面板
CN105161505A (zh) * 2015-09-28 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN106483726A (zh) * 2016-12-21 2017-03-08 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和液晶显示面板
CN107179640A (zh) * 2017-05-27 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的维修方法、显示面板和显示装置
CN111128025A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002049049A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Hitachi Ltd 液晶表示装置
CN101666948A (zh) * 2008-09-03 2010-03-10 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构、制造方法和断线修复方法
CN103226272A (zh) * 2013-04-16 2013-07-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104777692A (zh) * 2015-05-08 2015-07-15 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、触控显示面板
CN105161505A (zh) * 2015-09-28 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN106483726A (zh) * 2016-12-21 2017-03-08 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和液晶显示面板
CN107179640A (zh) * 2017-05-27 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的维修方法、显示面板和显示装置
CN111128025A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111665670A (zh) 2020-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111665670B (zh) 阵列基板和显示面板
US7417694B2 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
CN106444182B (zh) 一种阵列基板和显示面板
US20090190082A1 (en) Display substrate, method of manufacturing the same and display panel having the display substrate
CN105974690B (zh) 一种掩模板、阵列基板、显示面板及显示装置
US8101445B2 (en) Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
CN104102057B (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
US9515096B2 (en) Thin film transistor array panel
US20090026462A1 (en) Wiring substrate and method of manufacturing same, and display device
CN112068368B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN111897167B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
WO2020224168A1 (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
US20200264718A1 (en) Embedded touch display panel and display device
CN113703235A (zh) 阵列基板、阵列基板的制作工艺及显示面板
KR101061915B1 (ko) 배선 단자를 구비한 전자 장치
TW200408297A (en) Photo-electronic device and semiconductor device
KR101182302B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR100649915B1 (ko) 작은 레벨차를 가지는 lcd 장치
CN111308804A (zh) 显示面板
CN111785735A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN111697010B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
KR101869093B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN111463220B (zh) 阵列基板及显示装置
CN218995843U (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN114578624B (zh) 阵列基板及显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant