CN111697010B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 92
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多条栅极走线、与多条所述栅极走线异层的多条源漏极走线和多条公共电极走线;在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置,以避免因所述公共电极走线与所述栅极走线同层且平行设置时,所述公共电极走线易出现异常的问题,提高产品良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
为改善中大尺寸显示产品因横纵距离较大,导致显示装置在显示时易出现显示不均的问题,在制备栅极走线的同时制备公共电极走线(Vcom GE Line)。在俯视视角下,公共电极走线(Vcom GE Line)位于栅极走线下方且呈横向设置,公共电极走线(Vcom GE Line)通过层间介电层上的通孔与纵向的公共电极走线(Vcom SD Line)相连,之后与公共电极BITO(Back side Indium tin oxide,彩色滤光片背镀氧化铟锡)连通,使整面的BITO均能及时接收到公共电极走线(Vcom SD Line)传输的信号。但此方法在实际生产制程中会受湿蚀刻等向蚀刻特性的影响,使得相距较近的横向栅极走线与横向的公共电极走线(Vcom GELine)之间出现蚀刻液残留,影响走线的尺寸精度,严重的还会出现断线问题,影响产品的良率。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,可以避免因公共电极走线与栅极走线同层且平行设置时,公共电极走线易出现异常的问题,提高产品良率。
本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多条栅极走线、与多条所述栅极走线异层的多条源漏极走线和多条公共电极走线;
在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置。
在一些实施例中,所述源漏极走线包括数据线,在所述显示区所述公共电极走线与所述数据线同层且平行设置。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
平坦层,位于所述源漏极走线远离所述基板的一侧,所述平坦层包括第一过孔;
公共电极,位于所述平坦层远离所述源漏极走线的一侧,所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共电极走线电性连接。
在一些实施例中,所述显示面板还包括位于所述非显示区且与所述公共电极和多条所述公共电极走线电性连接的电极信号线。
在一些实施例中,所述电极信号线与所述源漏极走线同层;在俯视视角下,所述电极信号线呈矩形。
在一些实施例中,所述电极信号线与所述公共电极走线直接电性连接,所述电极信号线与所述公共电极通过所述第一过孔电性连接。
在一些实施例中,在所述源漏极走线与所述电极信号线交叉的区域,所述源漏极走线换线为所述栅极走线。
本申请还提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:
S10:提供一基板,在所述基板表面形成第一金属层,并对所述第一金属层进行图案化得到多条栅极走线;
S20:在所述第一金属层表面形成层间介电层及第二金属层,并对所述第二金属层进行图案化,形成源漏极走线及公共电极走线;
其中,在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置。
在一些实施例中,在所述第二金属层的图案化制程中采用干刻蚀工艺形成所述源漏极走线及所述公共电极走线。
本申请还提供一种显示装置,包括所述的显示面板。
本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多条栅极走线、与多条所述栅极走线异层的多条源漏极走线和多条公共电极走线;在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置,以避免因所述公共电极走线与所述栅极走线同层且平行设置时,所述公共电极走线易出现异常的问题,提高产品良率。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1A~图1B为本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图;
图2A为本申请的实施例提供的显示面板制备方法的制备流程图;
图2B~图2E为图2A所示显示面板制备方法的制备过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的,请参阅图1A~图1B,其为本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图;所述显示面板包括显示区100a和非显示区100b,所述显示面板包括:基板101以及位于所述基板101上的多条栅极走线201、与多条所述栅极走线201异层的多条源漏极走线202和多条公共电极走线203;
在俯视视角下,所述栅极走线201与所述源漏极走线202交叉设置,至少一所述公共电极走线203与至少一所述源漏极走线202平行且相邻设置,以避免所述公共电极走线203与所述栅极走线201同层且平行设置时,所述公共电极走线203易出现异常的问题,提高产品的良率。其中,图1A中的100c为所述显示区100a和所述非显示区100b的交界处。
具体的,所述公共电极走线203可与所述源漏极走线202同层,以减少制程工序。进一步的,所述源漏极走线202包括数据线2021,在所述显示区100a所述公共电极走线203与所述数据线2021同层且平行设置,以减少制程工序,并降低所述公共电极走线203上的阻抗,减小信号在传输过程中的损失,改善所述显示面板的显示效果。
请继续参阅图1B,所述显示面板还包括:
平坦层102,位于所述源漏极走线202远离所述基板101的一侧,所述平坦层102包括第一过孔1021;
公共电极103,位于所述平坦层102远离所述源漏极走线202的一侧,所述公共电极103通过所述第一过孔1021与所述公共电极走线203电性连接,以实现所述公共电极103与所述公共电极走线203之间的信号传输。
进一步的,所述公共电极103为彩色滤光片背镀氧化铟锡形式。
请继续参阅图1A,所述显示面板还包括位于所述非显示区100b且与所述公共电极103和多条所述公共电极走线203电性连接的电极信号线204。
具体的,所述电极信号线204与所述源漏极走线202同层;在俯视视角下,所述电极信号线204呈矩形。
进一步的,所述电极信号线204与所述公共电极走线203直接电性连接,所述电极信号线204与所述公共电极103通过所述第一过孔1021电性连接。
由于所述电极信号线204和所述公共电极走线203与所述源漏极走线202同层,所以可以避免当所述公共电极走线203与所述栅极走线201同层时,需在层间介电层107及所述平坦层102上开孔,才能实现所述电极信号线204、所述公共电极走线203与所述公共电极103之间的电性连接的情形;因此,可以降低所述公共电极走线203上的阻抗,从而减小信号在传输过程中的损失,可以使所述公共电极103传递信号更均匀,有利于改善所述显示面板的显示效果。
进一步的,由于所述电极信号线204和所述公共电极走线203与所述源漏极走线202同层,所述公共电极走线203上的阻抗减小时,所述源漏极走线202上的阻抗也得以降低;具体的,所述源漏极走线202上的阻抗降为所述栅极走线201上的阻抗的0.15~0.3倍;更进一步的,所述源漏极走线202上的阻抗降为所述栅极走线201上的阻抗的0.2倍。
此外,为实现显示面板的正常显示,在所述非显示区100b会设置多条信号传输线,多条所述信号传输信中至少有部分信号传输线与所述源漏极走线202同层。因此,在所述电极信号线204为闭合形状时,为避免所述电极信号线204与所述源漏极走线202同层的所述信号传输线之间发生干涉,在所述源漏极走线202与所述电极信号线204交叉的区域,所述源漏极走线202换线为所述栅极走线201。其中,多条信号传输线包括从所述显示区100a向所述非显示区100b延伸且与所述电极信号线204同层的信号线。
进一步的,所述电极信号线204与所述源漏极走线202同层,所述源漏极走线202包括数据线2021;多条所述信号传输线包括所述数据线2021,所述数据线2021在与所述电极信号线204交叉的区域,如图1A中的A处,形成所述数据线2021的所述源漏极走线202换线为所述栅极走线201;即此时所述数据线2021在所述显示区100a由所述源漏极走线202形成,在所述非显示区100b与所述电极信号线204交叉的区域,所述数据线2021由所述栅极走线201形成,以避免所述电极信号线204对所述数据线2021造成影响。
请继续参阅图1B,所述显示面板还包括:
位于所述基板101靠近所述栅极走线201一侧的有源层104;
位于所述有源层104远离所述基板101一侧的绝缘层105;
与所述栅极走线201同层且对应所述有源层104设置的栅极106;
位于所述栅极106和所述栅极走线201远离所述基板101一侧的层间介电层107;以及,
与所述源漏极走线202同层且与所述有源层104电性连接的源极108和漏极109。
进一步的,所述显示面板还包括位于所述公共电极103远离所述平坦层102一侧的保护层111和像素电极110,所述像素电极110通过第二过孔1022与所述源极108或所述漏极109的其中之一电性连接。
可以理解的,所述公共电极走线203与所述栅极走线201异层设置时,所述公共电极走线203除可与所述源漏极走线202同层设置,也可与所述源漏极走线202异层设置。所述公共电极走线203与所述栅极走线201、所述源漏极走线202异层设置时,所述公共电极走线203的设置位置可根据实际需求进行确定,在此不再对其进行赘述。
此外,所述显示面板还包括遮光层等未示出部分,在此对其不再进行赘述。与之相似的,所述显示面板还可包括位于所述层间介电层107与所述栅极走线201之间的第一绝缘层和电容基板层等未示出部分。
请参阅图2A,其为本申请的实施例提供的显示面板制备方法的制备流程图;如图2B~图2E,其为图2A所示的显示面板制备方法的制备过程示意图;本申请还提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:
S10:提供一基板101,在所述基板101表面形成第一金属层201a,并对所述第一金属层200a进行图案化得到多条栅极走线201,如图2B~图2C所示;
S20:在所述第一金属层201a表面形成层间介电层107及第二金属层202a,并对所述第二金属层202a进行图案化,形成源漏极走线202及公共电极走线203,如图2D~图2E所示;
其中,在俯视视角下,所述栅极走线201与所述源漏极走线202交叉设置,至少一所述公共电极走线203与至少一所述源漏极走线202平行且相邻设置。
进一步的,在所述第二金属层202a的图案化制程中采用干刻蚀工艺形成所述源漏极走线202及所述公共电极走线203。更进一步的,所述干刻蚀工艺包括气相刻蚀。
由于在所述第二金属层202a的图案化制程中采用干刻蚀工艺形成所述源漏极走线202及所述公共电极走线203,避免了采用湿蚀刻工艺时蚀刻液残留的问题,提高了产品的良率。
请继续参阅图2B~图2E,在所述步骤S10中,还包括在所述基板101上形成有源层104及绝缘层105;所述第一金属层201a图案化制程后,在对应所述有源层104的所述绝缘层105上形成栅极106;即所述栅极走线201与所述栅极106同层。
所述第二金属层202a图案化制程后,在与所述有源层104两端对应的所述层间介电层107上形成有源极108和漏极109;即所述源漏极走线202与所述源极108和所述漏极109同层。所述源极108和所述漏极109通过所述层间介电层107及所述绝缘层105上的过孔与所述有源层104电性连接。
在所述步骤S20后,还包括在所述第二金属层202a表面形成平坦层102及公共电极103,所述平坦层102包括第一过孔1021,所述公共电极103通过所述第一过孔1021与所述公共电极走线203电性连接。
进一步的,在所述公共电极103表面还制备有保护层111和像素电极110。所述像素电极110通过第二过孔1022与所述源极108或所述漏极109的其中之一电性连接。其中,所述第二过孔1022贯穿所述平坦层102及所述保护层111。
所述显示面板还包括与所述源漏极走线202同层的电极信号线;所述电极信号线位于所述显示面板的非显示区;在俯视视角下,所述电极信号线呈矩形。
进一步的,所述电极信号线与所述公共电极走线203直接电性连接,所述电极信号线与所述公共电极103通过所述第一过孔1021电性连接。
本申请还提供一种显示装置,包括所述的显示面板。
本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括显示区100a和非显示区100b,所述显示面板包括:基板101以及位于所述基板101上的多条栅极走线201、与多条所述栅极走线201异层的多条源漏极走线202和多条公共电极走线203;在俯视视角下,所述栅极走线201与所述源漏极走线202交叉设置,至少一所述公共电极走线203与至少一所述源漏极走线202平行且相邻设置,以避免因所述公共电极走线203与所述栅极走线201同层且平行设置时,所述公共电极走线203易出现异常的问题,提高产品良率。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多条栅极走线、与多条所述栅极走线异层的多条源漏极走线和多条公共电极走线;
在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置;
所述显示面板还包括:
平坦层,位于所述公共电极走线远离所述基板的一侧,所述平坦层包括第一过孔;
公共电极,位于所述平坦层远离所述公共电极走线的一侧,所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共电极走线电性连接;以及,
像素电极,位于所述公共电极远离所述平坦层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述源漏极走线包括数据线,在所述显示区所述公共电极走线与所述数据线同层且平行设置。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述非显示区且与所述公共电极和多条所述公共电极走线电性连接的电极信号线。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述电极信号线与所述源漏极走线同层;在俯视视角下,所述电极信号线呈矩形。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述电极信号线与所述公共电极走线直接电性连接,所述电极信号线与所述公共电极通过所述第一过孔电性连接。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,在所述源漏极走线与所述电极信号线交叉的区域,所述源漏极走线换线为所述栅极走线。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10:提供一基板,在所述基板表面形成第一金属层,并对所述第一金属层进行图案化得到多条栅极走线;
S20:在所述第一金属层表面形成层间介电层及第二金属层,并对所述第二金属层进行图案化,形成源漏极走线及公共电极走线;以及,在所述第二金属层上制备平坦层及公共电极,在所述公共电极上制备像素电极;
其中,在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置;所述平坦层包括第一过孔,所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共电极走线电性连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述第二金属层的图案化制程中采用干刻蚀工艺形成所述源漏极走线及所述公共电极走线。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~6任一所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010682510.7A CN111697010B (zh) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010682510.7A CN111697010B (zh) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111697010A CN111697010A (zh) | 2020-09-22 |
CN111697010B true CN111697010B (zh) | 2022-11-08 |
Family
ID=72485703
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010682510.7A Active CN111697010B (zh) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111697010B (zh) |
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Publication number | Publication date |
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CN111697010A (zh) | 2020-09-22 |
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