CN104637834A - 数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法 - Google Patents

数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104637834A
CN104637834A CN201510094570.6A CN201510094570A CN104637834A CN 104637834 A CN104637834 A CN 104637834A CN 201510094570 A CN201510094570 A CN 201510094570A CN 104637834 A CN104637834 A CN 104637834A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
electrodes
brightness
common pattern
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510094570.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104637834B (zh
Inventor
张博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510094570.6A priority Critical patent/CN104637834B/zh
Publication of CN104637834A publication Critical patent/CN104637834A/zh
Priority to US15/128,168 priority patent/US20170098399A1/en
Priority to PCT/CN2016/073849 priority patent/WO2016138816A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104637834B publication Critical patent/CN104637834B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G01R31/58Testing of lines, cables or conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Abstract

本发明提供了一种数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法,所述数据线合格性测试方法包括:根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定所述被测数据线不符合要求。本发明提供的数据线测试方法,可以在不设置金属测试线的情况下完成对数据线的合格性测试,能够从根本上避免因设置金属测试线导致的封装失效的问题。

Description

数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法。
背景技术
在阵列基板的制作过程中,需要测试所形成的数据线的线阻是否合格。现有技术中的一种测试方法是,在制作阵列基板时,同时制作金属测试线,该金属测试线从数据驱动电路处引出经由面板中封框胶区域之外的边缘区域延伸到数据驱动电路的对端,通过测量在数据驱动电路对端的金属测试线末端的电压确定金属测试线的压降,进而可以模拟得到数据线的压降,判断数据线的线阻是否合格。由于环形公共电极图形设置在封框胶区域的下方,需要在公共电极图形远离数据驱动电路的弯角处设置开口,以使位于边缘区域的金属测试线能够在数据驱动电路对端处引入到像素区域。如图1所示为,为现有技术中的阵列基板制作方法所制作的阵列基板在形成封框胶之前在其中一个面板处的结构示意图,包括像素区域A-A、环绕在像素区域之外的环形公共电极图形1、形成在所述公共电极图形1之外的金属测试线2,所述公共电极图形1一个弯角处设置有开口,金属测试线2经过开口引入到像素区域A-A。
在对图1中的阵列基板使用封框胶进行时,需要对封框胶进行激光照射固化。在开口处,由于金属测试线反射率高于开口位置内的其他区域,且金属测试线的冷却速率不同于封框胶,导致金属测试线处的封框胶与不存在金属测试线处的封框胶的固化速度和冷却速度均不同,使得开口位置的封框胶产生裂纹,导致封装失效。另一方面,在完成封装之后,需要将阵列基板切割得到各个独立的面板。在进行切割时,位于公共电极图形1右侧的金属测试线2切割掉,这样会使得切割线下方的金属测试线暴露出来。在进行后续的信赖性测试时,暴露出来的金属测试线会发生电化学腐蚀,最终导致位于其上方的封框胶腐蚀,这样也会导致封装失效。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种新的测试方法,可以在不设置金属测试线的情况下完成对数据线的合格性测试,能够从根本上避免因设置金属测试线导致的封装失效的问题。
本发明提供了一种数据线合格性测试方法,包括:
根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;
获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定被测数据线不符合要求。
进一步的,所述第一预设数据电压与所述第二预设数据电压的大小相等。
进一步的,包括利用上述任一项所述的数据线合格性测试方法进行数据线合格性测试的步骤。
进一步的,在进行数据线合格性测试之前,所述方法还包括:
形成环绕像素区域的环形公共电极图形;所述环形公共电极图形在远离数据驱动电路的一侧的各个弯角处封闭,且形成所述环形公共电极图形时不在所述环形公共电极图形的外围形成金属线。
进一步的,所述形成环绕像素区域的环形公共电极图形包括:在形成所述阵列基板的数据线图形时,同层形成所述环形公共电极图形。
进一步的,所述在形成所述阵列基板的数据线图形时,同层形成所述环形公共电极图形包括:
沉积金属电极层;
对所述金属电极层进行一次图案化工艺形成数据线图形和环形公共电极图形。
进一步的,所述对所述金属电极层进行一次图案化工艺形成数据线图形和环形公共电极图形还包括:
在同一次图案化工艺中,刻蚀掉所述环形公共电极图形外围的金属电极层。
本发明还提供了一种数据线合格性测试装置,包括:
点亮模块,用于根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;
获取模块,用于获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
判断模块,用于判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定被测数据线不符合要求。
进一步的,所述第一预设电压与所述第二预设数据电压的大小相等。
本发明还提供了一种阵列基板,所述阵列基板由如上述任一项所述的阵列基板制作方法制作。
本发明提供的数据线合格性测试方法,可以不借助于金属测试线完成对数据线的合格性测试,能够从根本上避免因设置金属测试线导致的封装失效的问题。
附图说明
图1为现有技术中的一种阵列基板的结构示意图;
图2为本发明提供的一种数据线合格性测试方法的流程示意图;
图3为利用本发明提供的制作方法所制作的阵列基板的示意图;
图4为本发明提供的一种数据线合格性测试装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明一实施例提供了一种数据线合格性测试方法,如图2所示,该方法可以包括如下流程:
步骤S1,根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;
步骤S2,获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
步骤S3,判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定被测数据线不符合要求。
本发明实施例中,分别使用第一预设数据电压和第二数据电压对应点亮连接距离数据驱动电路最近和最远且连接同一被测数据线的两个像素,如果这样两个像素的亮度差大于预设值,则说明数据线的线阻过大,不符合要求。通过本发明提供的方法,可以不借助于金属测试线完成对数据线的合格性测试,能够从根本上避免因设置金属测试线导致的封装失效的问题。
另外,在上述的步骤S3中,如果判断两个像素的亮度差小于预设值,则说明数据线的线阻基本能够满足显示面板均匀发光,此时判定被测数据线符合要求。
在具体实施时,上述的步骤S1中的第一预设数据电压和第二预设数据电压可以根据需要设置,相应的,所述预设的亮度差应于所选择的第一预设数据电压和第二数据电压相对应。作为一种可选的方式,可以将第一预设电压和第二预设电压均设置为一个较大的数据电压,这样能够使第一像素和第二像素显示较大的亮度,以便于检测和判断。
在具体实施时,可以设置第一预设电压和第二预设电压的值相等。这样能够降低设置预设亮度差的复杂度。
不难理解的是,这里的第一像素可以包括多个子像素、相应的第二像素也可以包括相同数目的多个子像素。在上述的步骤S2中,可以使用光敏检测装置采集第一像素的亮度和第二像素的亮度。
另一方面,本发明另一实施例还提供了一种阵列基板制作方法,该方法包括上述实施例所述的数据线合格性测试方法的步骤。
具体的,在进行数据线合格性测试之前,所述方法还包括:
形成环绕像素区域的环形公共电极图形;所述环形公共电极图形在远离数据驱动电路的一侧的各个弯角处封闭,且形成所述环形公共电极图形时不在所述环形公共电极图形的外围形成金属线。
采用本发明的阵列基板制作方法所制作的阵列基板在形成封框胶之前的结构可以如图3所示,在远离数据驱动电路的一侧的一个弯角处包括:
像素区域A-A、环绕在像素区域之外的环形公共电极图形1。在该阵列基板上,公共电极图形1的外侧没有形成金属测试线,且公共电极图形1在远离数据驱动电路的一侧的弯角处也均没有形成开口。这样一方面降低了制作工艺的复杂度。另一方面,能够彻底避免在信赖性测试中由于金属测试线导致的封装失效。
这里的环形公共电极图形可以采用金属制作,可以用于接入公共高电压VGH、或者公共低电压VSS。
在具体实施时,上述的形成环绕像素区域的环形公共电极图形可以具体包括:在形成所述阵列基板的数据线图形时,同层形成所述环形公共电极图形。这样能够降低所形成的阵列基板的厚度,利于产品的轻薄化。进一步的,这里的同层形成所述环形公共电极图形可以具体包括:沉积金属电极层;对所述金属电极层进行一次图案化工艺形成数据线图形和环形公共电极图形。通过这种方式,能够减少所使用的图案化工艺的次数,降低工艺复杂度。
具体实施时,可以通过溅射工艺沉积一层金属材料作为金属电极层,之后在金属电极层之上涂覆光刻胶,并使用掩膜板对光刻胶进行曝光显影,该掩膜板在对应于数据线图形和环形公共电极图形的位置不透明或者不完全透明。这样,就使得数据线图形和环形公共电极图形区域对应的光刻胶不会被刻蚀,之后利用光刻胶作为保护层对金属电极层进行刻蚀,形成数据线图形和环形公共电极图形。在具体实施时,还可以在形成数据线图形和环形公共电极图形对所述金属电极层的图案化工艺中,刻蚀掉环形公共电极图形外围的金属电极层,从而形成不包括金属测试线的阵列基板。
基于相同的构思,本发明还提供了一种数据线合格性测试装置,可以用于实施上述实施例中的数据线合格性测试方法,如图4所示,该发装置可以具体包括如下结构:
点亮模块401,用于根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线。
获取模块402,用于获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
判断模块403用于判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定所述被测数据线不符合要求采用本发明提供的数据线合格性测试装置,可以不借助于金属测试线完成对数据线的合格性测试,能够从根本上避免因设置金属测试线导致的封装失效的问题。
进一步的,所述第一预设电压与所述第二预设数据电压的大小相等。
本发明还提供了一种阵列基板,所述阵列基板由如上述任一项所述的阵列基板制作方法制作。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但是,本发明的保护范围不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替代,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种数据线合格性测试方法,其特征在于,包括:
根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;
获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定所述被测数据线不符合要求。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预设数据电压与所述第二预设数据电压的大小相等。
3.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括按照如权利要求1或2所述的数据线合格性测试方法进行数据线合格性测试的步骤。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,在进行数据线合格性测试之前,所述方法还包括:
形成环绕像素区域的环形公共电极图形;所述环形公共电极图形在远离数据驱动电路的一侧的各个弯角处封闭,且形成所述环形公共电极图形时不在所述环形公共电极图形的外围形成金属线。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述形成环绕像素区域的环形公共电极图形包括:在形成所述阵列基板的数据线图形时,同层形成所述环形公共电极图形。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述在形成所述阵列基板的数据线图形时,同层形成所述环形公共电极图形包括:
沉积金属电极层;
对所述金属电极层进行一次图案化工艺形成数据线图形和环形公共电极图形。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述对所述金属电极层进行一次图案化工艺形成数据线图形和环形公共电极图形还包括:
在同一次图案化工艺中,刻蚀掉所述环形公共电极图形外围的金属电极层。
8.一种数据线合格性测试装置,其特征在于,包括:
点亮模块,用于根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;
获取模块,用于获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
判断模块,用于判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定被测数据线不符合要求。
9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述第一预设电压与所述第二预设数据电压的大小相等。
10.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板由如权利要求3-7任一项所述的阵列基板制作方法制作。
CN201510094570.6A 2015-03-03 2015-03-03 数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法 Active CN104637834B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510094570.6A CN104637834B (zh) 2015-03-03 2015-03-03 数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法
US15/128,168 US20170098399A1 (en) 2015-03-03 2016-02-16 Array substrate and fabricating method thereof, and method and device for testing eligibility of data line
PCT/CN2016/073849 WO2016138816A1 (zh) 2015-03-03 2016-02-16 阵列基板及其制作方法以及相应的数据线合格性测试方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510094570.6A CN104637834B (zh) 2015-03-03 2015-03-03 数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104637834A true CN104637834A (zh) 2015-05-20
CN104637834B CN104637834B (zh) 2017-04-19

Family

ID=53216423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510094570.6A Active CN104637834B (zh) 2015-03-03 2015-03-03 数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170098399A1 (zh)
CN (1) CN104637834B (zh)
WO (1) WO2016138816A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016138816A1 (zh) * 2015-03-03 2016-09-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法以及相应的数据线合格性测试方法和装置
CN106205443A (zh) * 2016-09-22 2016-12-07 合肥京东方光电科技有限公司 检测电路及其工作方法、驱动电路

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040179005A1 (en) * 2003-02-19 2004-09-16 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus
US7006062B2 (en) * 2002-03-19 2006-02-28 Au Optronics Corporation Driving circuit of display
CN1988744A (zh) * 2005-12-22 2007-06-27 Lg电子株式会社 包含具有相同电阻值的扫描线的有机电致发光器件
CN101666948A (zh) * 2008-09-03 2010-03-10 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构、制造方法和断线修复方法
CN103929639A (zh) * 2014-04-30 2014-07-16 信利光电股份有限公司 显示模组显示画面条纹现象检测方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927608B1 (ko) * 2003-10-09 2009-11-23 삼성에스디아이 주식회사 영상표시장치에 있어서 휘도제어방법 및 장치
JP2011164189A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
CN201984264U (zh) * 2010-10-29 2011-09-21 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及已修复的阵列基板
CN104637834B (zh) * 2015-03-03 2017-04-19 京东方科技集团股份有限公司 数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7006062B2 (en) * 2002-03-19 2006-02-28 Au Optronics Corporation Driving circuit of display
US20040179005A1 (en) * 2003-02-19 2004-09-16 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus
CN1988744A (zh) * 2005-12-22 2007-06-27 Lg电子株式会社 包含具有相同电阻值的扫描线的有机电致发光器件
CN101666948A (zh) * 2008-09-03 2010-03-10 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构、制造方法和断线修复方法
CN103929639A (zh) * 2014-04-30 2014-07-16 信利光电股份有限公司 显示模组显示画面条纹现象检测方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016138816A1 (zh) * 2015-03-03 2016-09-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法以及相应的数据线合格性测试方法和装置
CN106205443A (zh) * 2016-09-22 2016-12-07 合肥京东方光电科技有限公司 检测电路及其工作方法、驱动电路

Also Published As

Publication number Publication date
US20170098399A1 (en) 2017-04-06
WO2016138816A1 (zh) 2016-09-09
CN104637834B (zh) 2017-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102692740B (zh) 一种液晶显示装置及其阵列基板、制造方法
CN104749817B (zh) 一种显示面板及显示装置
WO2020124897A1 (zh) 显示面板及其制作方法
CN111158177B (zh) 检测结构、显示面板、检测装置及检测系统
CN102708771B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105589244A (zh) 液晶显示装置、液晶显示面板及其制作方法
CN105739166A (zh) 液晶显示模组及液晶显示装置
CN106019672A (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法
CN104637834A (zh) 数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法
US20160282642A1 (en) Display panel and detection method thereof
CN202976707U (zh) 小间距全彩色led集成三合一显示模组
CN104297979B (zh) 显示面板母板、显示面板及其制作方法以及显示装置
CN103941454B (zh) 一种液晶显示面板、其制造方法及液晶显示装置
CN104375320A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN106647011A (zh) 显示基板的制作方法、显示基板、显示面板和显示装置
CN109445177A (zh) 一种显示面板及其制造方法、修复方法
CN105759472A (zh) 面板检测单元、阵列基板及液晶显示装置
CN103698912A (zh) 一种定位缺陷亚像素位置的方法
CN106773178B (zh) 一种探针部件及其制作方法、以及探针块和检测装置
CN103633101B (zh) 一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN204216046U (zh) 走线结构、有机发光显示面板和有机发光显示器
CN107123655B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、检测方法和显示装置
US20060146274A1 (en) Liquid crystal display, manufacturing method thereof, and method for testing liquid crystal display
CN109003566B (zh) 一种显示面板的检测装置及其检测方法
CN207096655U (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板、液晶显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant