CN106019672A - 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法 - Google Patents

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：在基板上分别制作薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路；将所述阵列测试电路分别与所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路连接，并通过所述阵列测试电路对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试；以及完成测试后，切除所述阵列测试电路及其所在的基板区。本发明的制备方法中，在切割形成薄膜晶体管阵列基板之前，就对制备出的薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试，有效避免因将不良的薄膜晶体管阵列基板制成液晶显示器而造成的资源浪费，同时，在对薄膜晶体管阵列基板测试完后，将阵列测试电路切除掉，使得液晶显示器的边框可以做的更窄。

Description

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，其主要包括薄膜晶体管阵列基板、彩膜阵列基板以及置于两者之间的液晶，其中，薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路。目前在制作薄膜晶体管阵列基板时，会在基板上同时制作阵列测试电路，并将薄膜晶体管阵列基板和阵列测试电路一起进行切割、成盒等操作形成液晶显示器，阵列测试电路用于对薄膜晶体管阵列基板进行测试，若测试出薄膜晶体管阵列基板不正常，则制作出的液晶显示器将不能进行后续的操作，这就造成了资源浪费。同时，由于阵列测试电路设置在液晶显示器内，且一般阵列测试电路占用的空间较大，从而使得液晶显示器的边框较宽，无法满足市场的需求。
故，有必要提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，以解决现有的液晶显示器中因阵列测试电路而引起的边框较宽的技术问题。
本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括：
在基板上分别制作薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路；
将所述阵列测试电路分别与所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路连接，并通过所述阵列测试电路对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试；以及
完成测试后，切除所述阵列测试电路及其所在的基板区。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，在基板上制作阵列测试电路，包括：在基板上制作阵列测试衬垫组和多路选择器组，其中，所述阵列测试衬垫组包括多个数据阵列测试衬垫、多个控制阵列测试衬垫和多个输出阵列测试衬垫，所述多路选择器组包括多个多路选择器。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述将所述阵列测试电路分别与所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路连接，包括：将所述数据阵列测试衬垫通过所述多路选择器与所述薄膜晶体管阵列中的多条数据线相连；所述控制阵列测试衬垫与所述阵列基板行驱动电路中第一级阵列基板行驱动电路相连；所述输出阵列测试衬垫与所述阵列基板行驱动电路中最后一级阵列基板行驱动电路相连。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述通过所述阵列测试电路对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试，包括：
将所述阵列测试衬垫组与用于测试的外部测试设备中的多个金手指接触；
所述外部测试设备通过所述控制阵列测试衬垫向所述阵列基板行驱动电路输入控制信号，使所述阵列基板行驱动电路对扫描线进行充电，并且通过所述数据阵列测试衬垫向一条数据线输出高电平信号；
所述外部测试设备判断所述输出阵列测试衬垫是否输出高电平，若是，则判断所述阵列基板行驱动电路为正常；以及
所述外部测试设备判断所述金手指向所述数据阵列测试衬垫输出的电荷量是否与预设值相同，若是，则向下一条数据线输出高电平信号。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，在所述外部测试设备判断所述输出阵列测试衬垫是否输出高电平之后，还包括：若否，则发出第一提示信息，并停止对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路的测试。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，在所述外部测试设备判断所述金手指向所述数据阵列测试衬垫输出的电荷量是否与预设值相同之后，还包括：若否，则发出第二提示信息，并停止对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路的测试。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述在基板上制作阵列测试电路，包括：将所述阵列测试电路制作在所述薄膜晶体管阵列的一侧。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述将所述阵列测试电路制作在所述薄膜晶体管阵列的一侧，包括：将与处于同一列且相邻的两个薄膜晶体管阵列相对应的两个阵列测试电路制作在所述两个薄膜晶体管阵列之间。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述将所述数据阵列测试衬垫通过所述多路选择器与所述薄膜晶体管阵列中的多条数据线相连，包括：每个所述数据阵列测试衬垫通过一个所述多路选择器与24条数据线相连。
在本发明实施例所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述切除所述阵列测试电路及其所在的基板区之后，还包括：对所述薄膜晶体管阵列基板上残留的用于与阵列测试电路连接的连接线进行绝缘处理。
相较于现有的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，通过在基板上制作薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路，并通过阵列测试电路对薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试，若薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路均合格，则将切除阵列测试电路及与其相对应的基板，从而形成薄膜晶体管阵列基板。采用本发明的方法中，在切割形成薄膜晶体管阵列基板之前，就对制备出的薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试，若两者中任意一个不合格，则该薄膜晶体管阵列基板将不进行后续的切割等操作，这样避免将不合格的薄膜晶体管阵列基板制作成液晶显示器后，由于液晶显示器无法使用而带来的资源浪费；若两者均合格，则将阵列测试电路切除掉，使得该方法制备出的薄膜晶体管阵列基板在后续制备成液晶显示器后，由于液晶显示器内无阵列测试电路，大大省略了阵列测试电路的空间，从而使得液晶显示器的边框更窄，更能满足客户对窄边框液晶显示器的需求。
附图说明
图1为本发明薄膜晶体管阵列基板的制作方法流程图；
图2为本发明制作方法中阵列测试电路与薄膜晶体管阵列的位置关系示意图；
图3为本发明制作方法中阵列测试电路与薄膜晶体管阵列的另一种位置关系示意图；
图4为根据本发明制作方法获得的薄膜晶体管阵列基板结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1，图1为本发明薄膜晶体管阵列基板的制作方法流程图。在本发明的制作方法中，可以在大张基板上同时制作多个薄膜晶体管阵列，然后在进行切割处理形成多个薄膜晶体管阵列基板，当然，也可以在一张基板上仅制作一个薄膜晶体管阵列，经过切割或者不需要进行切割即可以形成一个薄膜晶体管阵列基板，可以理解的是，无论一张基板上制作多少薄膜晶体管阵列，其采用的步骤均相同，在本优选实施例中，为了提高制作薄膜晶体管阵列的效率，将采用一张基板上同时制作多个薄膜晶体管阵列的方式。
在本优选实施例中，薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：
步骤S101：在基板上分别制作薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路；
步骤S102：将所述阵列测试电路分别与所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路连接，并通过所述阵列测试电路对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试；
步骤S103：完成测试后，切除所述阵列测试电路及其所在的基板区。
下面将结合图1至图4来详细地说明本优选实施例中的薄膜晶体管阵列基板的制作方法。
请参见图2，图2为本发明制作方法中阵列测试电路与薄膜晶体管阵列的位置关系示意图。在步骤S101中，在一大张基板10上制作多个薄膜晶体管阵列基板20和多个阵列测试电路30，其中薄膜晶体管阵列基板20包括薄膜晶体管阵列和置于薄膜晶体管阵列一侧或者两侧的阵列基板行驱动电路，需要说明的是，图2中阵列测试电路30的位置仅仅是其中的一种，只要阵列测试电路30制作在与其相对应的薄膜晶体管阵列的一侧即可。
如图3所示，图3为本发明制作方法中阵列测试电路与薄膜晶体管阵列的另一种位置关系示意图，在图3中所示的位置关系中，与处于同一列且相邻的两个薄膜晶体管阵列相对应的两个阵列测试电路30制作在两个薄膜晶体管阵列之间，阵列测试电路30的位置不局限于上述两种，在此不做具体限制。
在基板10上制作阵列测试电路30具体包括：在基板10的相应位置处制作多个相互独立且绝缘的第一金属区，在每个第一金属区上再制作一层第二金属区，在每个第二金属区上制作一层氧化铟锡层，由每个第一金属区、第二金属区和氧化铟锡层组成一个阵列测试衬垫，从而在基板10上制作出由多个阵列测试衬垫组成的阵列测试衬垫组，其中，阵列测试衬垫组包括多个用于传输数据信号的数据阵列测试衬垫、多个用于传输控制信号的控制阵列测试衬垫和多个用于输出信号的输出阵列测试衬垫。需要说明的是，阵列测试衬垫可以与薄膜晶体管阵列一起制作，也可以单独分开制作，在此不做具体限制。
在基板10上制作阵列测试电路30的同时，制作多路选择器组，其中多路选择器组包括多个多路选择器，每个多路选择器由多个薄膜晶体管组成，在本优选实施例中，每个多路选择器有一个输入接口和二十四个输出接口，且二十四个输出接口相互独立，即当某一个输出接口被选择与输入接口接通时，其他输出接口将与输入接口断开连接。需要说明的是，多路选择器的具体结构在此不做具体限制，只要其可以实现本优选实施例中的多路选择器的功能即可。
在步骤S102中，将制备好的阵列测试电路30分别与薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路连接的具体方法为：将每个数据阵列测试衬垫通过多路选择器与薄膜晶体管阵列中的多条数据线相连，具体地，在本优选实施例中，每个数据阵列测试衬垫通过一个多路选择器与二十四条数据线相连；控制阵列测试衬垫与阵列基板行驱动电路中第一级阵列基板行驱动电路相连；输出阵列测试衬垫与阵列基板行驱动电路中最后一级阵列基板行驱动电路相连，具体地，与最后一级阵列基板行驱动电路中的栅极信号点相连。
在本优选实施例中，需要制作完薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路之后，再将三者进行连接，当然，在其他实施例中，也可以在制作薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路的过程中，对三者进行相应的连接，在此不做具体限制。
在对薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路进行相应连接之后，采用用于测试的外部测试设备对制作好的薄膜晶体管阵列基板进行测试。外部测试设备中设有多个金手指，金手指用于与阵列测试衬垫组接触，在多个金手指中用于输出控制信号的金手指与控制阵列测试衬垫接触，使得阵列基板行驱动电路对扫描线进行充电；在多个金手指中用于接收输出信号的金手指与输出阵列测试衬垫接触，用于通过输出阵列测试衬垫测试最后一级阵列基板行驱动电路是否有高电平信号输出；在多个金手指中用于输出数据信号的金手指与数据阵列测试衬垫接触，用于通过数据阵列测试衬垫向相应的数据线输入高电平信号。
在整个测试过程中，外部测试设备通过控制阵列测试衬垫向第一级阵列基板行驱动电路输入控制信号，使得第一级阵列基板行驱动电路向第一条扫描线充电，第二级阵列基板行驱动电路在第一级阵列基板行驱动电路完成对扫描线的充电后，将对第二条扫描线充电，以此类推，直至最后一级阵列基板行驱动电路向最后一条扫描线充电，若整个阵列基板行驱动电路没有坏损或者缺陷，则最后一级阵列基板行驱动电路中的栅极信号点将会输出高电平信号，即最后一级阵列基板行驱动电路将会有高电平信号通过输出阵列测试衬垫输出至相应的金手指中。
因此，当外部测试设备判断输出阵列测试衬垫有高电平信号输出时，则说明阵列基板行驱动电路为正常，其不存在缺陷；当外部测试设备判断输出阵列测试衬垫没有高电平信号输出时，则发出第一提示信息，提示工程师该薄膜晶体管阵列基板20不合格，同时停止对薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路的测试。
在阵列基板行驱动电路对扫描线进行逐行充电的过程中，外部测试设备通过某一个数据阵列测试衬垫向与其相连的某一条数据线传输数据信息，即高电平信号，从而完成与该条数据线相对应的一列薄膜晶体管的测试。在此需要说明的是，在阵列基板行驱动电路对扫描线进行逐行充电的整个过程中，只有一条数据线有高电平信号。
例如，在本优选实施例中，一个数据阵列测试衬垫通过一个多路选择器与24条数据线相连，由于多路选择器的24个输出接口相互独立，因此，在同一时间内，即在阵列基板行驱动电路完成对所有扫描线进行充电的时间内，仅有一条数据线与数据阵列测试衬垫相连通，而与该数据阵列测试衬垫相对应的其他23条数据线将没有数据信号。当完成对一条数据线所对应的一列薄膜晶体管的测试后，外部测试设备将对另外一条数据线进行测试，依次类推。
在对某一条数据线所对应的一列薄膜晶体管测试的过程中，外部测试设备测试金手指向该数据阵列测试衬垫输出电荷量是否与预设值相同，若是，则说明该条数据线所对应的一列薄膜晶体管合格，此时，外部测试设备向下一条数据线输出高电平信号，继续测试其他列薄膜晶体管；若否，则说明该条数据线所对应的一列薄膜晶体管不合格，此时将发出第二提示信息，提示该薄膜晶体管阵列基板20不合格，同时停止对薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路的测试。
在本优选实施例中，第一提示信息和第二提示信息可以相同，例如均为提示该薄膜晶体管阵列基板20不合格，提示方式包括声音提示或者文字提示等等，当然第一提示信息和第二提示信息也可以不相同，例如，第一提示信息为阵列基板行驱动电路不合格等文字提示，第二提示信息为薄膜晶体管阵列不合格等文字提示，在此不做具体限制。
在步骤S103中，当外部测试设备测试完后，若该薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路均合格，则将阵列测试电路30和其所在的基板区切除，同时切除其他多余的基板，从而获得合格的薄膜晶体管阵列基板20。
请参见图2和图3，沿着水平和竖直的虚线进行切割后，将获得多个如图4所示的薄膜晶体管阵列基板20，在薄膜晶体管阵列基板20中将不会出现阵列测试电路30。当薄膜晶体管阵列基板20经过后续制作过程形成液晶显示器时，由于阵列测试电路30已经切除，这样可以使得液晶显示器的边框做的更窄，相比于传统的液晶显示器而言，其节省了阵列测试电路30的空间。
在切除阵列测试电路30后，为了防止静电干扰，需要对薄膜晶体管阵列基板20上残留的用于与阵列测试电路30连接的连接线进行绝缘处理，绝缘处理方式不做具体限制，只要可以防止切断的连接线产生静电干扰即可。
本优选实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，通过在基板上制作薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路，并通过阵列测试电路对薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试，若薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路均合格，则将切除阵列测试电路及与其相对应的基板，从而形成薄膜晶体管阵列基板。采用本优选实施例中的制备方法，在切割形成薄膜晶体管阵列基板之前，就对制备出的薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试，若两者中任意一个不合格，则该薄膜晶体管阵列基板将不进行后续的切割等操作，这样避免将不合格的薄膜晶体管阵列基板制作成液晶显示器后，由于液晶显示器无法使用而带来的资源浪费；同时，若两者均合格，则将阵列测试电路切除掉，使得该方法制备出的薄膜晶体管阵列基板在后续制备成液晶显示器后，由于液晶显示器内无阵列测试电路，大大省略了阵列测试电路的空间，从而使得液晶显示器的边框更窄，更能满足客户对窄边框液晶显示器的需求。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上分别制作薄膜晶体管阵列、阵列基板行驱动电路和阵列测试电路；
将所述阵列测试电路分别与所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路连接，并通过所述阵列测试电路对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试；以及
完成测试后，切除所述阵列测试电路及其所在的基板区。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上制作阵列测试电路，包括：在基板上制作阵列测试衬垫组和多路选择器组，其中，所述阵列测试衬垫组包括多个数据阵列测试衬垫、多个控制阵列测试衬垫和多个输出阵列测试衬垫，所述多路选择器组包括多个多路选择器。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述将所述阵列测试电路分别与所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路连接，包括：
将所述数据阵列测试衬垫通过所述多路选择器与所述薄膜晶体管阵列中的多条数据线相连；
将所述控制阵列测试衬垫与所述阵列基板行驱动电路中第一级阵列基板行驱动电路相连；
将所述输出阵列测试衬垫与所述阵列基板行驱动电路中最后一级阵列基板行驱动电路相连。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过所述阵列测试电路对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路进行测试，包括：
将所述阵列测试衬垫组与用于测试的外部测试设备中的多个金手指接触；
所述外部测试设备通过所述控制阵列测试衬垫向所述阵列基板行驱动电路输入控制信号，使所述阵列基板行驱动电路对扫描线进行充电，并且通过所述数据阵列测试衬垫向一条数据线输出高电平信号；
所述外部测试设备判断所述输出阵列测试衬垫是否输出高电平，若是，则判断所述阵列基板行驱动电路为正常；以及
所述外部测试设备判断所述金手指向所述数据阵列测试衬垫输出的电荷量是否与预设值相同，若是，则向下一条数据线输出高电平信号。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述外部测试设备判断所述输出阵列测试衬垫是否输出高电平之后，还包括：若否，则发出第一提示信息，并停止对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路的测试。
6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述外部测试设备判断所述金手指向所述数据阵列测试衬垫输出的电荷量是否与预设值相同之后，还包括：若否，则发出第二提示信息，并停止对所述薄膜晶体管阵列和阵列基板行驱动电路的测试。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在基板上制作阵列测试电路，包括：将所述阵列测试电路制作在所述薄膜晶体管阵列的一侧。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述将所述阵列测试电路制作在所述薄膜晶体管阵列的一侧，包括：将与处于同一列且相邻的两个薄膜晶体管阵列相对应的两个阵列测试电路制作在所述两个薄膜晶体管阵列之间。
9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述将所述数据阵列测试衬垫通过所述多路选择器与所述薄膜晶体管阵列中的多条数据线相连，包括：每个所述数据阵列测试衬垫通过一个所述多路选择器与24条数据线相连。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述切除所述阵列测试电路及其所在的基板区之后，还包括：对所述薄膜晶体管阵列基板上残留的用于与阵列测试电路连接的连接线进行绝缘处理。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108122804A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
CN108983461A (zh) * 2018-08-22 2018-12-11 惠科股份有限公司 阵列基板及液晶模组
CN109872669A (zh) * 2019-04-19 2019-06-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示母板、阵列基板的制备方法及测试方法
WO2019242243A1 (zh) * 2018-06-22 2019-12-26 惠科股份有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2020103537A1 (zh) * 2018-11-22 2020-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003228298A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示パネル部材、画像表示パネル、画像表示パネルの製造方法、画像表示装置
CN1996445A (zh) * 2007-01-11 2007-07-11 友达光电股份有限公司 液晶显示器面板的测试方法
CN101021628A (zh) * 2007-02-16 2007-08-22 友达光电股份有限公司 液晶显示面板的测试系统及方法及阵列基板
KR20080062264A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판
CN101567160A (zh) * 2009-05-31 2009-10-28 上海广电光电子有限公司 Gip型液晶显示面板及其检测方法
CN101639508A (zh) * 2009-04-30 2010-02-03 华映光电股份有限公司 一种检测电路及显示器
CN102621721A (zh) * 2012-04-10 2012-08-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板、液晶模组及厘清其画面不良的原因的方法
CN102692740A (zh) * 2012-06-05 2012-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示装置及其阵列基板、制造方法
CN102707475A (zh) * 2012-05-30 2012-10-03 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板的制造方法及其修复线结构
CN102768421A (zh) * 2012-07-24 2012-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
CN102955306A (zh) * 2011-08-30 2013-03-06 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置及其测试方法
CN103456746A (zh) * 2013-09-10 2013-12-18 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103995369A (zh) * 2014-04-18 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其测试方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003228298A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示パネル部材、画像表示パネル、画像表示パネルの製造方法、画像表示装置
KR20080062264A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판
CN1996445A (zh) * 2007-01-11 2007-07-11 友达光电股份有限公司 液晶显示器面板的测试方法
CN101021628A (zh) * 2007-02-16 2007-08-22 友达光电股份有限公司 液晶显示面板的测试系统及方法及阵列基板
CN101639508A (zh) * 2009-04-30 2010-02-03 华映光电股份有限公司 一种检测电路及显示器
CN101567160A (zh) * 2009-05-31 2009-10-28 上海广电光电子有限公司 Gip型液晶显示面板及其检测方法
CN102955306A (zh) * 2011-08-30 2013-03-06 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置及其测试方法
CN102621721A (zh) * 2012-04-10 2012-08-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板、液晶模组及厘清其画面不良的原因的方法
CN102707475A (zh) * 2012-05-30 2012-10-03 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板的制造方法及其修复线结构
CN102692740A (zh) * 2012-06-05 2012-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示装置及其阵列基板、制造方法
CN102768421A (zh) * 2012-07-24 2012-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
CN103456746A (zh) * 2013-09-10 2013-12-18 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103995369A (zh) * 2014-04-18 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其测试方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108122804A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
WO2019114079A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
WO2019242243A1 (zh) * 2018-06-22 2019-12-26 惠科股份有限公司 一种显示面板及显示装置
US11217129B2 (en) 2018-06-22 2022-01-04 HKC Corporation Limited Display panel facilitating detection of a shift register without needing to pry up the display panel and display device
CN108983461A (zh) * 2018-08-22 2018-12-11 惠科股份有限公司 阵列基板及液晶模组
CN108983461B (zh) * 2018-08-22 2021-04-27 惠科股份有限公司 阵列基板及液晶模组
WO2020103537A1 (zh) * 2018-11-22 2020-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US11151913B2 (en) 2018-11-22 2021-10-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
CN109872669A (zh) * 2019-04-19 2019-06-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示母板、阵列基板的制备方法及测试方法

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