CN108122804A - Tft阵列基板全接触式测试线路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT阵列基板全接触式测试线路，将测试芯片(5)设于面板切割界线(7)之外，允许测试芯片(5)上的各测试端子(51)的尺寸以及相邻测试端子(51)之间的距离加大，能够提高测试设备接触测试端子(51)的成功率；测试芯片(5)在面板切割时被切割掉，且连接测试端子(51)与驱动芯片(3)上驱动端子(31)的走线(35)由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)制作而成，能够防止面板切割后发生线路腐蚀与静电放电的风险；由于测试芯片(5)在面板切割时被切割掉，测试端子(51)上无需覆盖绝缘的有机层，从而允许在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后及在TFT阵列基板全部制作完成的情况下都可以进行测试。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板检测技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板全接触式测试线路。
背景技术
有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Display，OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。
OLED显示面板按照驱动类型可分为无源矩阵型(Passive Matrix，PM)OLED和有源矩阵型(Active Matrix，AM)OLED两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。AMOLED显示面板包括TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板上设有呈阵列式排布的像素(Pixel)。
在AMOLED显示面板的TFT阵列基板的制作过程中，会对其进行全接触式测试(FullContact Test)(所谓全接触式测试即对每个像素都进行测试)，通过测试设备向TFT阵列基板输入像素驱动信号、GOA驱动信号等一系列的驱动信号，以输出显示区扫描信号(Gate)和发光信号(EM)。
由于进行全接触式测试时会对每个像素进行回路电流测试，故而TFT阵列基板内的每条数据线(Data Line)都需要信号给入。请参阅图1，现有的TFT阵列基板全接触式测试线路包括多条数据线100、设于所述多条数据线100的扇出区(Fan out)101之外的测试芯片300及设于所述测试芯片300远离所述扇出区101一侧的驱动芯片(COF)500，并且所述测试芯片300与驱动芯片500均位于AMOLED显示面板的切割界线700之内；所述测试芯片300包括多个测试端子301，一测试端子301对应电性连接一数据线100；所述驱动芯片500包括多个驱动端子501，一驱动端子501通过一金属走线350电性连接一对应的测试端子301。结合图1与图3，所述测试端子301、驱动端子501及金属走线350均采用与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属M制作。随着AMOLED显示面板解析度的增加，所述数据线100的数量增多，所述测试芯片300内测试端子301的数量相应增多，这样会引发一些设计和工艺方面的风险，例如：
A、所述测试芯片300内测试端子301的数量众多，排布较密集，测试设备接触所述测试端子301的成功率降低；
B、所述测试芯片300位于所述驱动芯片500到数据线100的扇出区101之间，TFT阵列基板全接触式测试完成后，后续会进行OLED制程，封装的边界将不会到达此区域，造成所述测试芯片300内的测试端子301裸露，加大了由于杂质颗粒(Particle)掉落在各测试端子301上造成测试端子301之间短路的风险以及由于水氧进入测试端子301或金属走线350造成腐蚀的风险；
C、随着所述测试芯片300内测试端子301的数量增多，全部测试端子301所占的金属面积较大，金属的导电性良好，有静电放电(Electro-Static Discharge，ESD)的风险。
此外，如图3所示，TFT阵列基板制作完成后，所述测试芯片300内的测试端子301被绝缘的有机层900覆盖以防止杂质颗粒掉落或水氧进入，故而该现有的TFT阵列基板全接触式测试线路只允许在图2所示的情况下即制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后进行测试，而不能在图3所示的情况下即TFT阵列基板全部制作完成后再进行测试。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板全接触式测试线路，能够提高测试设备接触测试端子的成功率，防止面板切割后发生线路腐蚀与静电放电的风险，并允许在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后及在TFT阵列基板全部制作完成的情况下都可以进行测试。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT阵列基板全接触式测试线路，包括多条数据线、设于所述多条数据线的扇出区之外的驱动芯片及设于所述驱动芯片远离所述扇出区一侧的测试芯片，并且所述驱动芯片位于面板切割界线之内，而所述测试芯片位于面板切割界线之外；
所述驱动芯片包括多个驱动端子，一驱动端子对应电性连接一数据线；所述测试芯片包括多个测试端子，一测试端子至少通过一走线电性连接一驱动端子。
所述驱动端子与测试端子均由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体及与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属制作而成，所述走线由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体制作而成。
所述与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体为掺杂了磷离子或硼离子的多晶硅。
所述与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
完成TFT阵列基板全接触式测试后，所述测试芯片在面板切割时被切割掉。
可选的，所述测试端子的数量与所述驱动端子的数量相等，一测试端子通过一走线对应电性连接一驱动端子。
可选的，所述驱动端子的数量是所述测试端子的数量的m倍，m为大于1的正整数，一测试端子通过相邻的m条走线与多路复用器对应电性连接相邻的m个驱动端子。
优选的，所述驱动端子的数量是所述测试端子的数量的两倍，一测试端子通过相邻的两条走线与多路复用器对应电性连接相邻的两个驱动端子；
所述多路复用器包括间隔设置的第一开关薄膜晶体管与第二开关薄膜晶体管；所述第一开关薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，所述第二开关薄膜晶体管的栅极接入第二控制信号；设n为正整数，第n个测试端子与第2n-1条测试走线分别电线连接第n个第一开关薄膜晶体管的源极与漏极，第2n-1条测试走线电性连接第2n-1个驱动端子；第n个测试端子与第2n条测试走线分别电线连接第n个第二开关薄膜晶体管的源极与漏极，第2n条测试走线电性连接第2n个驱动端子。
本发明的有益效果：本发明提供的一种TFT阵列基板全接触式测试线路，将测试芯片设于面板切割界线之外，面板切割界线之外的可利用空间较大，允许所述测试芯片上的各测试端子的尺寸以及相邻测试端子之间的距离加大，从而能够提高测试设备接触所述测试端子的成功率；所述测试芯片在面板切割时被切割掉，不会残留在TFT阵列基板上，且连接所述测试端子与驱动芯片上驱动端子的走线由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体制作而成，半导体化学特性较不活泼，隔水氧能力较强，从而能够防止面板切割后发生线路腐蚀与静电放电的风险；由于测试芯片在面板切割时被切割掉，所述测试端子不必像现有技术那样需要在其上覆盖绝缘的有机层，从而允许在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后及在TFT阵列基板全部制作完成的情况下都可以进行测试。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的TFT阵列基板全接触式测试线路的结构示意图；
图2为在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后对应于图1中A-A处的膜层结构剖面示意图；
图3为TFT阵列基板全部制作完成后对应于图1中A-A处的膜层结构剖面示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板全接触式测试线路的第一实施例的结构示意图；
图5为TFT阵列基板全部制作完成后对应于图4中B-B处的膜层结构剖面示意图；
图6为本发明的TFT阵列基板全接触式测试线路的第二实施例的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
发明提供一种TFT阵列基板全接触式测试线路。请同时参阅图4与图5，本发明的TFT阵列基板全接触式测试线路包括多条数据线1、设于所述多条数据线1的扇出区(Fanout)11之外的驱动芯片3及设于所述驱动芯片3远离所述扇出区11一侧的测试芯片5。与现有技术将测试芯片与驱动芯片均设在面板切割界线之内不同，本发明的TFT阵列基板全接触式测试线路将所述驱动芯片3设于面板切割界线7之内，而将所述测试芯片5设于面板切割界线7之外(面板不限于AMOLED显示面板、液晶显示面板等；为使面板达到特定的尺寸及形状要求，会沿所述面板切割界线7对面板进行切割)，完成TFT阵列基板全接触式测试后，所述测试芯片5在面板切割时便被切割掉。
所述驱动芯片3包括多个驱动端子31，一驱动端子31对应电性连接一数据线1。所述测试芯片5包括多个测试端子51。在该第一实施例中，所述测试端子51的数量与所述驱动端子31的数量相等，所述测试端子51与驱动端子31是一对一的关系，一测试端子51通过一走线35对应电性连接一驱动端子31。
值得注意的是，如图5所示，在本发明的TFT阵列基板全接触式测试线路中，所述驱动端子31与测试端子51均由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体S及与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属M制作而成，所述金属M设于所述半导体S上与所述半导体S接触；所述走线35由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体S制作而成，该走线35的两端分别与所述半导体S对应于所述驱动端子31的区域及所述半导体S对应于所述测试端子51的区域连贯。
具体地，所述与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体S为掺杂了磷(P)离子或硼(B)离子的多晶硅(P-Si)；所述与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属M为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或几种的层叠组合。
由于将所述测试芯片5设于面板切割界线7之外，面板切割界线7之外的可利用空间较大，允许所述测试芯片5上的各测试端子51的尺寸以及相邻测试端子51之间的距离加大，从而能够提高测试设备接触所述测试端子51的成功率。设n为正整数，测试设备接触全部测试端子51成功后，第n个测试端子51经由对应的第n个驱动端子31对第n条数据线1上的像素进行回路电流测试。
由于所述测试芯片5在面板切割时被切割掉，不会残留在TFT阵列基板上，且连接所述测试端子51与驱动芯片3上驱动端子31的走线35由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体S制作而成，半导体S的化学特性较不活泼，隔水氧能力较强，从而能够防止面板切割后发生线路腐蚀与静电放电的风险。
由于所述测试芯片5在面板切割时被切割掉，所述测试端子51不必像现有技术那样为了防止杂质颗粒掉落或水氧进入而在其上覆盖绝缘的有机层9，从而允许在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后及在TFT阵列基板全部制作完成的情况下都可以进行测试。
图6所示为本发明的TFT阵列基板全接触式测试线路的第二实施例，其与第一实施例的不同之处在于：所述测试端子51的数量是所述驱动端子31的数量的两倍，所述测试端子51与驱动端子31是一对二的关系，一测试端子51通过相邻的两条走线35与多路复用器6对应电性连接相邻的两个驱动端子31。
具体地，所述多路复用器6包括间隔设置的第一开关薄膜晶体管T1与第二开关薄膜晶体管T2；所述第一开关薄膜晶体管T1的栅极接入第一控制信号MS1，所述第二开关薄膜晶体管T2的栅极接入第二控制信号MS2；设n为正整数，第n个测试端子51与第2n-1条测试走线35分别电线连接第n个第一开关薄膜晶体管T1的源极与漏极，第2n-1条测试走线35电性连接第2n-1个驱动端子31；第n个测试端子51与第2n条测试走线35分别电线连接第n个第二开关薄膜晶体管T2的源极与漏极，第2n条测试走线35电性连接第2n个驱动端子31。
测试设备接触全部测试端子51成功后，若所述第一控制信号MS1控制第一开关薄膜晶体管T1打开，则第n个测试端子51通过第n个第一开关薄膜晶体管T1及第2n-1条测试走线35连通第2n-1个驱动端子31，从而对第2n-1条数据线1上的像素进行回路电流测试；若所述第二控制信号MS2控制第二开关薄膜晶体管T2打开，则第n个测试端子51通过第n个第二开关薄膜晶体管T2及第2n条测试走线35连通第2n个驱动端子31，从而对第2n条数据线1上的像素进行回路电流测试。
该第二实施例仅是以所述驱动端子31的数量是所述测试端子51的数量的两倍、所述测试端子51与驱动端子31是一对二的关系为例，也可以设置所述驱动端子31的数量是所述测试端子51的数量的三倍、四倍等，只需适应性的调整所述多路复用器6中开关薄膜晶体管及控制信号的数量即可。
除上述不同之处外，其余均与第一实施例相同，此处不再进行重复性描述。
综上所述，本发明的TFT阵列基板全接触式测试线路，将测试芯片设于面板切割界线之外，面板切割界线之外的可利用空间较大，允许所述测试芯片上的各测试端子的尺寸以及相邻测试端子之间的距离加大，从而能够提高测试设备接触所述测试端子的成功率；所述测试芯片在面板切割时被切割掉，不会残留在TFT阵列基板上，且连接所述测试端子与驱动芯片上驱动端子的走线由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体制作而成，半导体化学特性较不活泼，隔水氧能力较强，从而能够防止面板切割后发生线路腐蚀与静电放电的风险；由于测试芯片在面板切割时被切割掉，所述测试端子不必像现有技术那样需要在其上覆盖绝缘的有机层，从而允许在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后及在TFT阵列基板全部制作完成的情况下都可以进行测试。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，包括多条数据线(1)、设于所述多条数据线(1)的扇出区(11)之外的驱动芯片(3)及设于所述驱动芯片(3)远离所述扇出区(11)一侧的测试芯片(5)，并且所述驱动芯片(3)位于面板切割界线(7)之内，而所述测试芯片(5)位于面板切割界线(7)之外；
所述驱动芯片(3)包括多个驱动端子(31)，一驱动端子(31)对应电性连接一数据线(1)；所述测试芯片(5)包括多个测试端子(51)，一测试端子(51)至少通过一走线(35)电性连接一驱动端子(31)。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述驱动端子(31)与测试端子(51)均由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)及与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属(M)制作而成，所述走线(35)由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)制作而成。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)为掺杂了磷离子或硼离子的多晶硅。
4.如权利要求2所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属(M)为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，完成TFT阵列基板全接触式测试后，所述测试芯片(5)在面板切割时被切割掉。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述测试端子(51)的数量与所述驱动端子(31)的数量相等，一测试端子(51)通过一走线(35)对应电性连接一驱动端子(31)。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述驱动端子(31)的数量是所述测试端子(51)的数量的m倍，m为大于1的正整数，一测试端子(51)通过相邻的m条走线(35)与多路复用器(6)对应电性连接相邻的m个驱动端子(31)。
8.如权利要求7所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述驱动端子(31)的数量是所述测试端子(51)的数量的两倍，一测试端子(51)通过相邻的两条走线(35)与多路复用器(6)对应电性连接相邻的两个驱动端子(31)；
所述多路复用器(6)包括间隔设置的第一开关薄膜晶体管(T1)与第二开关薄膜晶体管(T2)；所述第一开关薄膜晶体管(T1)的栅极接入第一控制信号(MS1)，所述第二开关薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二控制信号(MS2)；设n为正整数，第n个测试端子(51)与第2n-1条测试走线(35)分别电线连接第n个第一开关薄膜晶体管(T1)的源极与漏极，第2n-1条测试走线(35)电性连接第2n-1个驱动端子(31)；第n个测试端子(51)与第2n条测试走线(35)分别电线连接第n个第二开关薄膜晶体管(T2)的源极与漏极，第2n条测试走线(35)电性连接第2n个驱动端子(31)。
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