WO2020103292A1 - 液晶显示装置 - Google Patents

液晶显示装置

Info

Publication number
WO2020103292A1
WO2020103292A1 PCT/CN2018/124791 CN2018124791W WO2020103292A1 WO 2020103292 A1 WO2020103292 A1 WO 2020103292A1 CN 2018124791 W CN2018124791 W CN 2018124791W WO 2020103292 A1 WO2020103292 A1 WO 2020103292A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
terminal area
signal line
test signal
liquid crystal
crystal display
Prior art date
Application number
PCT/CN2018/124791
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
聂晓辉
Original Assignee
武汉华星光电技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 武汉华星光电技术有限公司 filed Critical 武汉华星光电技术有限公司
Priority to US16/335,256 priority Critical patent/US11187947B2/en
Publication of WO2020103292A1 publication Critical patent/WO2020103292A1/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

一种液晶显示装置，包括TFT阵列基板、异方性导电胶膜、芯片、柔性电路板、彩膜基板、偏光片和保护层；所述TFT阵列基板包括输出端子区、输入端子区、第一测试信号线和第二测试信号线，所述第二测试信号线与所述第一测试信号线在阵列外布线区相接；所述第一测试信号线的材质为钛铝合金，所述第二测试信号线的材质为多晶硅。

Description

液晶显示装置 技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示装置。
 背景技术
目前COG（玻璃衬底芯片，Chip on Glass）技术是实现中小尺寸显示面板更轻、更薄、更小的关键技术之一，意指通过ACF（Anisotropic Conductive Film，各向异性导电薄膜）将驱动芯片直接绑定在液晶显示器上。驱动芯片发展越来越向更小尺寸、更小厚度发展，由此对COG技术要求越来越高。现有的COG中的驱动芯片以裸片的形式通过ACF压接在TFT阵列基板端子区，端子区设置芯片输入引脚和芯片输出引脚，芯片的引脚与端子区引脚点对点压接连通。为满足中小尺寸TFT阵列基板高集成度、窄边框的设计要求，端子区测试电路设计通常会将测试信号线放置于芯片输出引脚之间。实际生产中，由于测试信号线制程工艺不佳，模组COG绑定工艺精度不良等原因，导致在使用ACF绑定芯片过程中，玻璃上的引脚与相邻的测试信号线发生短路，造成显示异常。
综上所述，现有的液晶显示装置，由于测试信号线制程工艺不佳，模组COG绑定工艺精度不良等原因，在使用各向异性导电薄膜绑定芯片过程中时，会使玻璃上的引脚与相邻的测试信号线发生短路，进一步造成液晶显示器显示异常。
 技术问题
现有的液晶显示装置，由于测试信号线制程工艺不佳，模组COG绑定工艺精度不良等原因，在使用各向异性导电薄膜绑定芯片过程中时，会使玻璃上的引脚与相邻的测试信号线发生短路，进一步造成液晶显示器显示异常。
 技术解决方案
本申请提供一种液晶显示装置，能够提高模组COG工艺可靠性，以解决现有的液晶显示装置，由于测试信号线制程工艺不佳，模组COG绑定工艺精度不良等原因，在使用各向异性导电薄膜绑定芯片过程中时，会使玻璃上的引脚与相邻的测试信号线发生短路，进一步造成液晶显示器显示异常的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种液晶显示装置，包括：TFT阵列基板、设于所述TFT阵列基板上的异方性导电胶膜、通过所述异方性导电胶膜与所述TFT阵列基板绑定的芯片、柔性电路板、彩膜基板、偏光片以及保护层；
所述TFT阵列基板位于所述柔性电路板端子区与所述芯片端子区之间的区域为阵列外布线区，所述TFT阵列基板还具有于所述芯片端子区远离所述柔性电路板端子区一侧依次排列的扇出区、模组测试区、多路复用区、虚拟像素区及有效显示区；所述TFT阵列基板具有柔性电路板端子区及设于所述柔性电路板端子区远离所述TFT阵列基板边缘一侧且与所述柔性电路板端子区间隔的芯片端子区；所述芯片端子区包括输出端子区及设于所述输出端子区与所述柔性电路板端子区之间的输入端子区；
其中，在所述输出端子区以及所述输入端子区之间设置有测试电路，所述测试电路包括第一测试信号线以及第二测试信号线，所述第一测试信号线的一端位于所述输入端子区，所述第二测试信号线的一端位于所述输出端子区，所述第二测试信号线的另一端与所述第一测试信号线的另一端在靠近所述输出端子区的位置相连接；所述第一测试信号线的材质为钛铝合金，所述第二测试信号线的材质为多晶硅。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述有效显示区包括遮光层、栅极信号传输线以及数据信号传输线；其中，所述遮光层的材质为多晶硅，所述栅极信号线的材质为金属钼，所述数据信号线的材质为钛铝合金。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述输出端子区包括自下而上层叠设置的缓冲层、栅绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、钝化层以及像素电极；其中，所述层间绝缘层设置有第一通孔，所述缓冲层设置有第二通孔。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述第二测试信号线穿过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第一测试信号线相连接。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述缓冲层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述栅绝缘层的材质为二氧化硅，所述栅极金属层的材质为钼，所述层间绝缘层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述钝化层的材质为氮化硅。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述钝化层设置有第三通孔，所述第三通孔为上底小下底大的梯形结构。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述第一测试信号线通过所述第三通孔与位于所述输出端子区的所述数据信号传输线相连接。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述芯片具有分别与所述输出端子区及所述输入端子区对应的输出引脚及输入引脚；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子区绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子区绑定。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述输出端子区内设有多个间隔设置的输出端子，所述输入端子区内设有多个间隔设置的输入端子；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子绑定。
本申请还提供另一种液晶显示装置，包括：TFT阵列基板、设于所述TFT阵列基板上的异方性导电胶膜、通过所述异方性导电胶膜与所述TFT阵列基板绑定的芯片、柔性电路板、彩膜基板、偏光片以及保护层；所述TFT阵列基板具有柔性电路板端子区及设于所述柔性电路板端子区远离所述TFT阵列基板边缘一侧且与所述柔性电路板端子区间隔的芯片端子区；所述芯片端子区包括输出端子区及设于所述输出端子区与所述柔性电路板端子区之间的输入端子区；
其中，在所述输出端子区以及所述输入端子区之间设置有测试电路，所述测试电路包括第一测试信号线以及第二测试信号线，所述第一测试信号线的一端位于所述输入端子区，所述第二测试信号线的一端位于所述输出端子区，所述第二测试信号线的另一端与所述第一测试信号线的另一端在靠近所述输出端子区的位置相连接；所述第一测试信号线的材质为钛铝合金，所述第二测试信号线的材质为多晶硅。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述输出端子区包括自下而上层叠设置的缓冲层、栅绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、钝化层以及像素电极；其中，所述层间绝缘层设置有第一通孔，所述缓冲层设置有第二通孔。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述第二测试信号线穿过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第一测试信号线相连接。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述缓冲层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述栅绝缘层的材质为二氧化硅，所述栅极金属层的材质为钼，所述层间绝缘层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述钝化层的材质为氮化硅。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述钝化层设置有第三通孔，所述第三通孔为上底小下底大的梯形结构。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述第一测试信号线通过所述第三通孔与位于所述输出端子区的所述数据信号传输线相连接。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述芯片具有分别与所述输出端子区及所述输入端子区对应的输出引脚及输入引脚；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子区绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子区绑定。
在本申请实施例所提供的液晶显示装置中，所述输出端子区内设有多个间隔设置的输出端子，所述输入端子区内设有多个间隔设置的输入端子；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子绑定。
 有益效果
本申请的有益效果为：本申请所提供的液晶显示装置，将测试电路伸向显示区的钛铝材质测试信号线在到达芯片输出区之前通过换线变成多晶硅材质测试信号线，避免了因COG精度较差导致的画面显示异常问题，进一步提高了模组制程的可靠性。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请的液晶显示装置的结构示意图。
图2为本申请的液晶显示装置的TFT阵列基板的俯视图。
图3为图2中A处的放大示意图。
图4为图3中B处的放大示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请针对现有的液晶显示装置，由于测试信号线制程工艺不佳，模组COG绑定工艺精度不良等原因，在使用各向异性导电薄膜绑定芯片过程中时，会使玻璃上的引脚与相邻的测试信号线发生短路，进一步造成液晶显示器显示异常的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，为本申请的液晶显示装置的结构示意图。其中，所述液晶显示装置包括：TFT阵列基板10、设于所述TFT阵列基板10上的异方性导电胶膜20、通过所述异方性导电胶膜20与所述TFT阵列基板10绑定的芯片30、柔性电路板40、彩膜基板50、偏光片60以及保护层70。
具体地，所述液晶显示装置在将所述TFT阵列基板10与彩膜基板50对组，并在所述彩膜基板50远离所述TFT阵列基板10的一侧依次设置偏光片60及保护层70后，将所述TFT阵列基板10与芯片30及柔性电路板40进行绑定，在将所述TFT阵列基板10与所述芯片30及所述柔性电路板40进行绑定时，先在所述TFT阵列基板10上设置异方性导电胶膜20，并将所述芯片30与所述TFT阵列基板10通过所述异方性导电胶膜20进行绑定，而后在所述TFT基板10上设置另一所述异方性导电胶膜20，并将所述柔性电路板40与所述TFT阵列基板10通过所述异方性导电胶膜20进行绑定。
具体地，所述异方性导电胶膜20是同时具有接着、导电、绝缘三大特性的半透明高分子接续材料，可以提供细间距，高可靠性冷互联。所述异方性导电胶膜20的特点在于纵向（Z方向）受力方向电气导通，而在横向平面（X、Y方向）具有明显的高阻抗特性。所述异方性导电胶膜20的主要成分为掺有许多导电粒子，膜厚在数十微米左右的黏合剂，作为保护作用还加了一层底膜。导电粒子为表面镀镍镀金的塑料粉末，中心为塑胶球，在外镀镍金。所述异方性导电胶膜20要发生作用必须经过热压，即通过温度、时间、压力三个要素使得所述异方性导电胶膜20胶固化，导电粒子爆破达到导通效果。
如图2所示，为本申请的液晶显示装置的TFT阵列基板的俯视图。其中，所述TFT阵列基板10具有柔性电路板端子区11及设于所述柔性电路板端子区11远离所述TFT阵列基板10边缘一侧且与所述柔性电路板端子区11间隔的芯片端子区12；所述芯片端子区12包括输出端子区121及设于所述输出端子区121与所述柔性电路板端子区11之间的输入端子区122；
具体地，所述TFT阵列基板10位于所述柔性电路板端子区11与所述芯片端子区12之间的区域为阵列外布线区13，所述TFT阵列基板10还具有于所述芯片端子区12远离所述柔性电路板端子区11一侧依次排列的扇出区14、模组测试区15、多路复用区16、虚拟像素区17及有效显示区18。
具体地，所述有效显示区18包括遮光层、栅极信号传输线以及数据信号传输线；其中，所述遮光层的材质为多晶硅，所述栅极信号线的材质为金属钼，所述数据信号线的材质为钛铝合金。
如图3所示，为图2中A处的放大示意图。其中，所述输出端子区121内设有多个间隔设置的输出端子1211，所述输入端子区122内设有多个间隔设置的输入端子1221。
具体地，所述芯片30具有分别与所述输出端子区121及所述输入端子区122对应的输出引脚及输入引脚；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜20与所述输出端子区121绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜20与所述输入端子区122绑定。
具体地，所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜20与所述输出端子1211绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜20与所述输入端子1221绑定。
具体地，在所述输出端子区121以及所述输入端子区122之间设置有测试电路123，所述测试电路123包括第一测试信号线1231以及第二测试信号线1232，所述第一测试信号线1231的一端位于所述输入端子区122，所述第二测试信号线1232的一端位于所述输出端子区121，所述第二测试信号线1232的另一端与所述第一测试信号线1231的另一端在靠近所述输出端子区121的位置相连接；所述第一测试信号线1231的材质为钛铝合金，所述第二测试信号线1232的材质为多晶硅。
如图4所示，为图3中B处的放大示意图。其中，所述芯片输出区121的膜层结构与所述测试电路123之间的位置关系如下所示：所述输出端子区121包括自下而上层叠设置的缓冲层1212、栅绝缘层1213、栅极金属层1214、层间绝缘层1215、钝化层1216以及像素电极1217；其中，所述层间绝缘层1215设置有第一通孔12151，所述缓冲层1212设置有第二通孔12121。
具体地，所述第二测试信号线1232穿过所述第一通孔12151以及所述第二通孔12121与所述第一测试信号线1231相连接。
具体地，所述缓冲层1212的材质为氮化硅或二氧化硅，所述栅绝缘层1213的材质为二氧化硅，所述栅极金属层1214的材质为钼，所述层间绝缘层1215的材质为氮化硅或二氧化硅，所述钝化层1216的材质为氮化硅。
具体地，所述钝化层1216设置有第三通孔12161，所述第三通孔12161为上底小下底大的梯形结构；所述第一测试信号线1231通过所述第三通孔12161与位于所述输出端子区121的所述数据信号传输线相连接。
现有技术下所述第一测试信号线1231呈上底小下底大的梯形结构，所述钝化层1216可对其良好覆盖以实现层间绝缘；所述芯片30的所述输入引脚以及所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜20与所述像素电极1217和所述输出端子区121的所述数据信号传输线实现电连接，与所述第一测试信号线1231绝缘。在实际生产中，由于所述第一测试信号线1231制程工艺不佳，所述钝化层1216覆盖性、绝缘性不佳，COG工艺精度较差等原因导致所述第一测试信号线1231上方的所述钝化层1216膜层非故意破裂，所述第一测试信号线1231的钛铝合金裸露，通过所述异方性导电胶膜20与所述芯片30短路，造成向所述有效显示区18输入的驱动信号异常，引起显示不良。
本申请引入了所述第一测试信号线1231换线所述第二测试信号线1232设计，由所述测试电路123伸向所述有效显示区18的材质为钛铝合金的所述第一测试信号线1231在到达所述输出端子区121之前通过在所述第一通孔12151以及所述第二通孔12121与所述第二测试信号线1232相连接，使用多晶硅材质做为测试信号线，即可避免因制程工艺不佳、COG精度较差导致的画面显示异常问题，提高了模组制程可靠性。
本申请的有益效果为：本申请所提供的液晶显示装置，将测试电路伸向显示区的钛铝材质测试信号线在到达芯片输出区之前通过换线变成多晶硅材质测试信号线，避免了因COG精度较差导致的画面显示异常问题，进一步提高了模组制程的可靠性。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (17)

  1. 一种液晶显示装置，其中，包括：TFT阵列基板、设于所述TFT阵列基板上的异方性导电胶膜、通过所述异方性导电胶膜与所述TFT阵列基板绑定的芯片、柔性电路板、彩膜基板、偏光片以及保护层；
    所述TFT阵列基板位于所述柔性电路板端子区与所述芯片端子区之间的区域为阵列外布线区，所述TFT阵列基板还具有于所述芯片端子区远离所述柔性电路板端子区一侧依次排列的扇出区、模组测试区、多路复用区、虚拟像素区及有效显示区；所述TFT阵列基板具有柔性电路板端子区及设于所述柔性电路板端子区远离所述TFT阵列基板边缘一侧且与所述柔性电路板端子区间隔的芯片端子区；所述芯片端子区包括输出端子区及设于所述输出端子区与所述柔性电路板端子区之间的输入端子区；
    其中，在所述输出端子区以及所述输入端子区之间设置有测试电路，所述测试电路包括第一测试信号线以及第二测试信号线，所述第一测试信号线的一端位于所述输入端子区，所述第二测试信号线的一端位于所述输出端子区，所述第二测试信号线的另一端与所述第一测试信号线的另一端在靠近所述输出端子区的位置相连接；所述第一测试信号线的材质为钛铝合金，所述第二测试信号线的材质为多晶硅。
  2. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述有效显示区包括遮光层、栅极信号传输线以及数据信号传输线；其中，所述遮光层的材质为多晶硅，所述栅极信号线的材质为金属钼，所述数据信号线的材质为钛铝合金。
  3. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述输出端子区包括自下而上层叠设置的缓冲层、栅绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、钝化层以及像素电极；其中，所述层间绝缘层设置有第一通孔，所述缓冲层设置有第二通孔。
  4. 根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第二测试信号线穿过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第一测试信号线相连接。
  5. 根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述缓冲层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述栅绝缘层的材质为二氧化硅，所述栅极金属层的材质为钼，所述层间绝缘层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述钝化层的材质为氮化硅。
  6. 根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述钝化层设置有第三通孔，所述第三通孔为上底小下底大的梯形结构。
  7. 根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，所述第一测试信号线通过所述第三通孔与位于所述输出端子区的所述数据信号传输线相连接。
  8. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述芯片具有分别与所述输出端子区及所述输入端子区对应的输出引脚及输入引脚；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子区绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子区绑定。
  9. 根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，所述输出端子区内设有多个间隔设置的输出端子，所述输入端子区内设有多个间隔设置的输入端子；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子绑定。
  10. 一种液晶显示装置，其中，包括：TFT阵列基板、设于所述TFT阵列基板上的异方性导电胶膜、通过所述异方性导电胶膜与所述TFT阵列基板绑定的芯片、柔性电路板、彩膜基板、偏光片以及保护层；
    所述TFT阵列基板具有柔性电路板端子区及设于所述柔性电路板端子区远离所述TFT阵列基板边缘一侧且与所述柔性电路板端子区间隔的芯片端子区；所述芯片端子区包括输出端子区及设于所述输出端子区与所述柔性电路板端子区之间的输入端子区；
    其中，在所述输出端子区以及所述输入端子区之间设置有测试电路，所述测试电路包括第一测试信号线以及第二测试信号线，所述第一测试信号线的一端位于所述输入端子区，所述第二测试信号线的一端位于所述输出端子区，所述第二测试信号线的另一端与所述第一测试信号线的另一端在靠近所述输出端子区的位置相连接；所述第一测试信号线的材质为钛铝合金，所述第二测试信号线的材质为多晶硅。
  11. 根据权利要求10所述的液晶显示装置，其中，所述输出端子区包括自下而上层叠设置的缓冲层、栅绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、钝化层以及像素电极；其中，所述层间绝缘层设置有第一通孔，所述缓冲层设置有第二通孔。
  12. 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，所述第二测试信号线穿过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第一测试信号线相连接。
  13. 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，所述缓冲层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述栅绝缘层的材质为二氧化硅，所述栅极金属层的材质为钼，所述层间绝缘层的材质为氮化硅或二氧化硅，所述钝化层的材质为氮化硅。
  14. 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，所述钝化层设置有第三通孔，所述第三通孔为上底小下底大的梯形结构。
  15. 根据权利要求14所述的液晶显示装置，其中，所述第一测试信号线通过所述第三通孔与位于所述输出端子区的所述数据信号传输线相连接。
  16. 根据权利要求10所述的液晶显示装置，其中，所述芯片具有分别与所述输出端子区及所述输入端子区对应的输出引脚及输入引脚；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子区绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子区绑定。
  17. 根据权利要求16所述的液晶显示装置，其中，所述输出端子区内设有多个间隔设置的输出端子，所述输入端子区内设有多个间隔设置的输入端子；所述输出引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输出端子绑定，所述输入引脚通过所述异方性导电胶膜与所述输入端子绑定。
PCT/CN2018/124791 2018-11-22 2018-12-28 液晶显示装置 WO2020103292A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/335,256 US11187947B2 (en) 2018-11-22 2018-12-28 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811401964.1A CN109407434B (zh) 2018-11-22 2018-11-22 液晶显示装置
CN201811401964.1 2018-11-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020103292A1 true WO2020103292A1 (zh) 2020-05-28

Family

ID=65474638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2018/124791 WO2020103292A1 (zh) 2018-11-22 2018-12-28 液晶显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11187947B2 (zh)
CN (1) CN109407434B (zh)
WO (1) WO2020103292A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111752054A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 北京小米移动软件有限公司 显示模组、终端及制备方法
CN110488541A (zh) * 2019-08-20 2019-11-22 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN111650793B (zh) * 2020-06-28 2023-08-01 上海中航光电子有限公司 显示面板及其阵列基板
CN112909062B (zh) * 2021-02-03 2024-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组的制备方法
CN113206140B (zh) * 2021-05-17 2022-06-17 长沙惠科光电有限公司 显示面板、显示模组及显示装置
CN113611211A (zh) * 2021-07-28 2021-11-05 武汉华星光电技术有限公司 显示模组及其制作方法
CN114171664A (zh) * 2021-12-07 2022-03-11 Tcl华星光电技术有限公司 发光二极体显示器的制作方法
CN115346886A (zh) * 2022-08-16 2022-11-15 江苏纳沛斯半导体有限公司 一种半导体cog封装测试及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050003249A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구동회로 일체형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
CN103872018A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mos晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构
CN106783929A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示设备
CN108122804A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
CN108227268A (zh) * 2018-01-31 2018-06-29 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示装置的制作方法及液晶显示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6433841B1 (en) 1997-12-19 2002-08-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same
TW556013B (en) * 1998-01-30 2003-10-01 Seiko Epson Corp Electro-optical apparatus, method of producing the same and electronic apparatus
US6985128B1 (en) * 2000-07-31 2006-01-10 Sony Corporation Liquid crystal display panel and production method of the same, and liquid crystal display apparatus
CN1175493C (zh) * 2001-07-24 2004-11-10 旺宏电子股份有限公司 具有金属硅化物隔离的存储阵列
KR100831280B1 (ko) * 2001-12-26 2008-05-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP4881030B2 (ja) * 2006-02-18 2012-02-22 セイコーインスツル株式会社 表示装置
US8674971B2 (en) 2007-05-08 2014-03-18 Japan Display West Inc. Display device and electronic apparatus including display device
JP5246748B2 (ja) * 2007-05-08 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置およびこれを備える電子機器
KR101040859B1 (ko) 2009-09-02 2011-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
TW201123963A (en) * 2009-12-22 2011-07-01 Hitachi High Tech Corp Lighting inspection apparatus and method and defect inspection and correction device and method for organic EL display substrate, correction apparatus and method for organic EL display panel, and manufacturing system and method for organic EL display
CN103296056B (zh) * 2012-12-30 2015-10-07 上海天马微电子有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
KR102075060B1 (ko) 2013-03-14 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 리페어를 위한 배선 구조 및 그를 구비하는 평판표시장치
US8969199B1 (en) * 2013-10-15 2015-03-03 Globalfoundries Inc. Methods of forming a circuit that includes a cross-coupling gate contact structure wherein the circuit is to be manufactured using a triple patterning process
CN104916242B (zh) * 2014-03-14 2018-11-13 群创光电股份有限公司 显示装置及其测试垫
ES2753388T3 (es) 2014-05-07 2020-04-08 Visa Int Service Ass Interfaz de datos mejorada para comunicaciones sin contacto
CN104465674B (zh) * 2014-12-31 2018-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅(ltps)产品结构及制造方法
CN204807669U (zh) * 2015-07-10 2015-11-25 北大方正集团有限公司 多层测试模块及半导体器件母件
CN106054474B (zh) * 2016-05-27 2019-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示面板线路监测方法
JP2018128499A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
CN108573997B (zh) * 2017-03-14 2023-12-01 三星显示有限公司 显示装置
CN107065363A (zh) * 2017-06-12 2017-08-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法
CN107065364A (zh) * 2017-06-15 2017-08-18 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置、大板及测试方法
KR102503732B1 (ko) * 2017-11-30 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10964284B2 (en) * 2018-09-05 2021-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic component board and display panel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050003249A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구동회로 일체형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
CN103872018A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mos晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构
CN106783929A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示设备
CN108122804A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
CN108227268A (zh) * 2018-01-31 2018-06-29 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示装置的制作方法及液晶显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109407434A (zh) 2019-03-01
US11187947B2 (en) 2021-11-30
CN109407434B (zh) 2020-11-24
US20210325707A1 (en) 2021-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020103292A1 (zh) 液晶显示装置
CN110568671B (zh) 一种液晶显示面板及其制备方法
US7403256B2 (en) Flat panel display and drive chip thereof
WO2021000457A1 (zh) 显示面板及其制作方法
US8008584B2 (en) Panel circuit structure
CN109307961B (zh) 显示面板电路结构
US10971465B2 (en) Driving chip, display substrate, display device and method for manufacturing display device
WO2021031093A1 (zh) 具有窄下边框的显示面板及电子设备
CN113066363A (zh) 显示面板及其制作方法
WO2014173144A1 (zh) 覆晶薄膜柔性电路板及显示装置
CN113193017B (zh) 显示面板和显示装置
WO2023231682A1 (zh) 阵列基板、显示装置
JP4408192B2 (ja) 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
WO2021022692A1 (zh) 显示面板及液晶显示器
WO2021103352A1 (zh) 一种显示装置
WO2021072865A1 (zh) 一种显示面板
WO2020006946A1 (zh) 显示面板扇出走线结构及其制作方法
US11101230B2 (en) Array substrate and chip bonding method
JP2013201352A (ja) 接続体の製造方法、接続方法
WO2023142698A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
JP2008203484A (ja) 電気光学装置、フレキシブル回路基板の実装構造体及び電子機器
CN112946962A (zh) 显示面板及其制作方法
JP2893070B2 (ja) 液晶電気光学装置
CN101685205B (zh) 芯片、芯片-玻璃接合的封装结构及液晶面板
TWI392948B (zh) 主動元件陣列基板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18940760

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18940760

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1