CN114171664A - 发光二极体显示器的制作方法 - Google Patents

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CN114171664A CN202111483655.5A CN202111483655A CN114171664A CN 114171664 A CN114171664 A CN 114171664A CN 202111483655 A CN202111483655 A CN 202111483655A CN 114171664 A CN114171664 A CN 114171664A
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Abstract

本揭示公开一种发光二极体显示器的制作方法，其包括：提供基板，其中所述基板包括显示区及设置在所述显示区一侧的接合区；设置接合垫片于所述基板的接合区上；设置第一导电胶膜于所述接合垫片上，使所述第一导电胶膜的第一侧边靠近所述接合垫远离所述显示区的侧边，并使所述第一导电胶膜的第二侧边靠近所述显示区并远离所述接合垫片靠近所述显示区的侧边；以激光去除所述第一导电胶膜从第二侧边至所述接合垫片的部分；设置柔性电路板的第一端于所述第一导电胶膜上；通过加热加压使所述第一导电胶膜软化并延展成第二导电胶膜；以及通过冷却固化所述第二导电胶膜，以使所述柔性电路板的第一端固定在所述接合垫片上。

Description

发光二极体显示器的制作方法
技术领域
本揭示涉及显示器技术领域，特别是涉及一种发光二极体显示器的制作方法。
背景技术
微型发光二极体(Micro LED)显示器及次毫米发光二极体(Mini LED)显示器，与目前的液晶显示器(LCD)及有机发光二极体(OLED)显示器相比，具有反应快、高色域、每英寸像素数(PPI)高及低能耗等优点，从而成为了显示技术未来发展的重点。
多个Micro LED显示器及多个Mini LED显示器各别皆能拚接成大尺寸的显示屏，并且方便拆装而易于维修。请参阅图1，在现有的量产方案中，通过采用长度小于或等于0.3mm的接合垫(bonding pad)91，来减少每个显示器90(Micro LED显示器或Mini LED显示器)的边框宽度，进而减少两相邻显示器90之间的拼接缝隙P。
在所述显示器90上进行膜片上驱动芯片(Chip On Film，COF)封装时，会先将异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)92贴附在所述接合垫91上，再将柔性电路板93放置在所述异方性导电胶膜92上，然后通过加热加压的方式使所述异方性导电胶膜92软化，最后再通过冷却将所述异方性导电胶膜92固化。然而，在现有技术中，异方性导电胶膜所能达到的最小长度/宽度为0.5mm，因此当接合垫91采用长度小于或等于0.3mm的接合垫时，而所述异方性导电胶膜92采用具有最小长度0.5mm的异方性导电胶膜时，在加热加压的过程中，所述异方性导电胶92会软化并溢出至所述基板95的外围。在所述导电胶92固化后，所述导电胶92溢出所述基板95边缘的溢出部分的宽度S约为0.2～0.3mm，使得所述显示器90的边框宽度变宽；再者，所述溢出部分还会使所述柔性电路板93向下弯折时角度变大，进而使所述显示器90的边框宽度进一步变更宽；最终使得两相邻显示器90之间的拼接缝隙P大幅增加，而不利于超窄拼接缝隙的实现。
发明内容
为了解决上述技术问题，本揭示提供一种发光二极体显示器的制作方法，其包括：提供基板，其中所述基板包括显示区及设置在所述显示区一侧的接合区；设置接合垫片于所述基板的接合区上；设置第一导电胶膜于所述接合垫片上，使所述第一导电胶膜的第一侧边靠近所述接合垫远离所述显示区的侧边，并使所述第一导电胶膜的第二侧边靠近所述显示区并远离所述接合垫片靠近所述显示区的侧边；以激光去除所述第一导电胶膜从第二侧边至所述接合垫片的部分；设置柔性电路板的第一端于所述第一导电胶膜上；通过加热加压使所述第一导电胶膜软化并延展成第二导电胶膜；以及通过冷却固化所述第二导电胶膜，以使所述柔性电路板的第一端固定在所述接合垫片上。
在一实施例中，在设置所述第一导电胶膜于所述接合垫片上的步骤中，使所述第一导电胶膜的第一侧边对齐所述接合垫远离所述显示区的侧边。
在一实施例中，在设置所述第一导电胶膜于所述接合垫片上的步骤中，所述第一导电胶膜的第二侧边与所述显示区的距离小于0.2mm。
在一实施例中，所述第二导电胶膜远离所述显示区的侧边位于所述基板的正上方。
在一实施例中，所述发光二极体显示器的制作方法还包括：将所述柔性电路板超过所述基板的部分向所述基板的下方弯折，并贴合所述基板的侧面。
在一实施例中，所述激光为二氧化碳激光。
在一实施例中，在所述设置柔性电路板的第一端于所述第一导电胶膜上的步骤之前，或是在所述通过冷却固化所述第二导电胶膜的步骤之后，所述发光二极体显示器的制作方法还包括：在所述柔性电路板的第二端设置驱动芯片，其中第一端与第二端为所述柔性电路板的相对两端。
在一实施例中，在所述提供基板的步骤之后，所述发光二极体显示器的制作方法还包括：形成薄膜晶体管于所述基板的显示区上；以及设置发光二极体于所述薄膜晶体管的上方，并使所述发光二极体与所述薄膜晶体管电连接。
在一实施例中，所述形成薄膜晶体管层的步骤可与所述设置接合垫片的步骤同时进行，且所述薄膜晶体管电连接至所述接合垫片。
在一实施例中，所述发光二极体为微型发光二极体或次毫米发光二极体。
在本申请实施例的发光二极体显示器的制作方法中，将第一导电胶膜的第一侧边靠近接合垫远离显示区的侧边，使所述第一导电胶膜的第二侧边靠近所述显示区，再以激光去除所述第一导电胶膜从所述第二侧边至所述接合垫片的部分；如此使得在后续通过加热加压使所述第一导电胶膜软化并延展成第二导电胶膜时，所述第二导电胶膜远离所述显示区的侧边仍位于所述基板的正上方，亦即所述第二导电胶膜不超出所述基板。因此，在后续将所述柔性电路板超过所述基板的部分向所述基板的下方弯折时，所述柔性电路板超过所述基板的部分能贴合所述基板的侧面，从而使所述发光二极体显示器的边框宽度最小化，进而有利于超窄拼接缝隙的实现。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单介绍。下列附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的拼接显示屏的局部示意图。
图2是本申请实施例的发光二极体显示器的制作方法的流程图。
图3是本申请实施例的发光二极体显示器的局部平面示意图。
图4至图8是本申请实施例的发光二极体显示器的制作流程图，其中图8亦是本申请实施例的发光二极体显示器的局部剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚及完整地描述。所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“长度”、“宽度”及“深度”等所指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，此仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能作为对本申请的限制。再者，除非另有说明，单数形式“一个”还意图包括复数，且“多个”的含义是两个或两个以上。此外，“包括”及“具有”等术语意图说明存在有本申请所揭示的特征、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、步骤、动作或其组合的可能性。
在附图中，相同的标号指代相同的元件。再者，需要注意的是，附图提供的仅仅是和本申请关系比较密切的结构，省略了一些与申请关系不大的细节，此目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是用于表示实际装置和附图一模一样。因此，附图不能成为实际装置的限制。
请参阅图2，本揭示提供一种发光二极体显示器100的制作方法，其包括下列步骤。
步骤S1：如图3及图4所示，提供基板10，其中所述基板10包括显示区13及设置在所述显示区13一侧的接合区15。所述基板10可为玻璃基板或塑料基板，但不限于此。
步骤S2：如图3及图4所示，设置接合垫片20于所述基板10的接合区15上。接合垫片20由导电材料制成，例如金属或合金，但不限于此。具体地，在所述基板10的接合区15上形成导电层，再将所述导电层蚀刻成间隔设置且排成一列的的多个接合垫片20。为实现发光二极体显示器100的超窄边框，在本实施例中，每个接合垫片20在从所述显示区13朝向所述接合区15的方向D上的长度小于或等于0.3mm。
步骤S3：如图4所示，设置第一导电胶膜30于所述接合垫片20上，使所述第一导电胶膜30的第一侧边31靠近所述接合垫20远离所述显示区13的侧边，并使所述第一导电胶膜30的第二侧边32靠近所述显示区13并远离所述接合垫片20靠近所述显示区13的侧边。第一侧边31及第二侧边32为所述第一导电胶膜30的两相对侧边。所述第一导电胶膜30为异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)。在现有技术中，异方性导电胶膜所能达到的最小长度/宽度为0.5mm。因此，为实现发光二极体显示器100的超窄边框，在本实施例中，所述第一导电胶膜30在从所述显示区13朝向所述接合区15的方向D上的长度为0.5mm。据此，所述第一导电胶膜30在方向D上的长度大于所述接合垫片20在方向D上的长度，因此当使所述第一导电胶膜30的第一侧边31靠近所述接合垫20远离所述显示区13的侧边时，所述第一导电胶膜30的第二侧边32会靠近所述显示区13并远离所述接合垫片20靠近所述显示区13的侧边。在一实施例中，所述第一导电胶膜30的第二侧边32与所述显示区13的距离X可小于0.2mm。在一实施例中，可使所述第一导电胶膜30的第一侧边31对齐所述接合垫20远离所述显示区13的侧边。所述第一导电胶膜30包括树脂层及分散于树脂层中的多个导电粒子。所述树脂层是由树脂材料制成，树脂材料可为热固性树脂或热塑性树脂。
步骤S4：如图5所示，以激光R去除所述第一导电胶膜30从第二侧边32至所述接合垫片20的部分。在一实施例中，所述激光R为二氧化碳激光。所述二氧化碳激光的波长可为10.6μm。
步骤S5：如图5及图6所示，设置柔性电路板40的第一端41于所述第一导电胶膜30上。在一实施例中，所述柔性电路板40靠近所述显示区13的侧边对齐所述接合垫20靠近所述显示区13的侧边。
步骤S6：如图5及图6所示，通过加热加压使所述第一导电胶膜30软化并延展成第二导电胶膜35。在一实施例中，所述第二导电胶膜35远离所述显示区13的侧边位于所述基板10的正上方。亦即，所述第二导电胶膜35不超出所述基板10的边缘。在一实施例中，第二导电胶膜35靠近所述显示区13的侧边可与所述显示区13间隔一段距离。所述第二导电胶膜35在垂直于所述基板10的方向上使所述接合垫片20与所述柔性电路板40电连接。具体地，所述接合垫片20是通过所述第二导电胶膜35中的多个导电粒子与所述柔性电路板40电连接。所述第二导电胶膜35中的多个导电粒子在平行于所述基板10的方向上通过树脂材料的隔绝而互相绝缘。
在一实施例中，在步骤S3中，所述第一导电胶膜30的第一侧边31可略为超出所述接合垫20远离所述显示区13的侧边，只要确保在步骤S6形成的所述第二导电胶膜35不超出所述基板10的边缘即可。
在一实施例中，步骤S4亦可为：以激光R去除所述第一导电胶膜30从第二侧边32至靠近所述接合垫片20的部分。亦即，经激光R去除后的第一导电胶膜30略为超出所述接合垫20靠近所述显示区13的侧边。只要确保在步骤S6形成的所述第二导电胶膜35不超出所述基板10的边缘，可依实际条件调整激光R照射所述第一导电胶膜30的范围，进而调整所述第一导电胶膜30待去除部分的大小。
步骤S7：如图6所示，通过冷却固化所述第二导电胶膜35，以使所述柔性电路板40的第一端41固定在所述接合垫片20上。所述柔性电路板40通过所述第二导电胶膜35电连接至所述接合垫片20。
在一实施例中，如图8所示，所述方法还包括步骤S8：将所述柔性电路板40超过所述基板10的部分向所述基板10的下方弯折，并贴合所述基板10的侧面。所述柔性电路板40向下弯折时角度可为90度。
在一实施例中，如图7所示，在设置柔性电路板40的第一端41于所述第一导电胶膜30上的步骤之前，或是在所述通过冷却固化所述第二导电胶膜35的步骤之后，所述方法还包括：在所述柔性电路板40的第二端42设置驱动芯片50，其中第一端41与第二端42为所述柔性电路板40的相对两端。所述驱动芯片50与所述柔性电路板40电连接。亦即，所述发光二极体显示器100具有膜片上驱动芯片(Chip On Film，COF)封装。具体地，所述驱动芯片50设置在所述柔性电路板40靠近所述基板10的表面上。在一实施例中，所述方法还包括：将所述驱动芯片50远离所述柔性电路板40的表面贴附至所述基板10的底面，即所述基板10远离所述接合垫片20的表面。
在一实施例中，如图4所示，在所述提供基板10的步骤之后，所述方法还包括：形成薄膜晶体管65于所述基板10的显示区13上；以及设置发光二极体70于所述薄膜晶体管65的上方，并使所述发光二极体70与所述薄膜晶体管65电连接。在一实施例中，所述形成薄膜晶体管层60的步骤可与所述设置接合垫片20的步骤S2同时进行，且所述薄膜晶体管65电连接至所述接合垫片20。如图4及图8所示，所述驱动芯片50依序通过所述柔性电路板40、所述第二导电胶膜35及所述接合垫片20驱动所述薄膜晶体管65，进而控制所述发光二极体70的发光。
如图4所示，所述形成薄膜晶体管65的步骤具体可包括：形成薄膜晶体管层60于所述基板10的显示区13上，其中所述薄膜晶体管层60包括阵列排布的多个薄膜晶体管65。所述多个薄膜晶体管65电连接至在步骤S2中设置的多个金属垫片20。在一实施例中，所述形成所述薄膜晶体管层60的步骤可与步骤S2同时进行。亦即，所述薄膜晶体管层60中的一层金属层可与所述多个金属垫片20以同一个工艺步骤制成。
再者，如图4所示，所述设置发光二极体70的步骤具体可包括：阵列排布多个发光二极体70于所述薄膜晶体管层60上，其中所述多个发光二极体70电连接至所述多个薄膜晶体管65。所述多个发光二极体70可包含多个红色发光二极体71、多个绿色发光二极体73及多个蓝色发光二极体75。所述多个发光二极体70为多个微型发光二极体或多个次毫米发光二极体。当所述多个发光二极体70为多个微型发光二极体时，所述多个发光二极体70与所述多个薄膜晶体管65为一对一对应设置。当所述多个发光二极体70为多个次毫米发光二极体时，所述多个发光二极体70与所述多个薄膜晶体管65为多对一对应设置。
由于现有的接合垫的长度可小于或等于0.3mm，但现有的异方性导电胶膜的最小长度为0.5mm，因此在加热加压的过程中异方性导电胶会软化并溢出至基板的外围，而使得所述显示器的边框宽度变宽，并使所述柔性电路板向下弯折时角度变大，最终使得两相邻显示器之间的拼接缝隙大幅增加。
在本申请实施例的发光二极体显示器的制作方法中，将第一导电胶膜的第一侧边靠近接合垫远离显示区的侧边，使所述第一导电胶膜的第二侧边靠近所述显示区，再以激光去除所述第一导电胶膜从所述第二侧边至所述接合垫片的部分；如此使得在后续通过加热加压使所述第一导电胶膜软化并延展成第二导电胶膜时，所述第二导电胶膜远离所述显示区的侧边仍位于所述基板的正上方，亦即所述第二导电胶膜不超出所述基板。因此，在后续将所述柔性电路板超过所述基板的部分向所述基板的下方弯折时，所述柔性电路板超过所述基板的部分能贴合所述基板的侧面，从而使所述发光二极体显示器的边框宽度最小化，进而有利于超窄拼接缝隙的实现。
本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的原则之内所作的任何修改、等同替换及改进，均应包含在本发明的保护范围之内。本申请的保护范围应以权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种发光二极体显示器的制作方法，其包括：
提供基板，其中所述基板包括显示区及设置在所述显示区一侧的接合区；
设置接合垫片于所述基板的接合区上；
设置第一导电胶膜于所述接合垫片上，使所述第一导电胶膜的第一侧边靠近所述接合垫远离所述显示区的侧边，并使所述第一导电胶膜的第二侧边靠近所述显示区并远离所述接合垫片靠近所述显示区的侧边；
以激光去除所述第一导电胶膜从所述第二侧边至所述接合垫片的部分；
设置柔性电路板的第一端于所述第一导电胶膜上；
通过加热加压使所述第一导电胶膜软化并延展成第二导电胶膜；以及
通过冷却固化所述第二导电胶膜，以使所述柔性电路板的第一端固定在所述接合垫片上。
2.根据权利要求1所述的发光二极体显示器的制作方法，其特征在于：在设置所述第一导电胶膜于所述接合垫片上的步骤中，使所述第一导电胶膜的第一侧边对齐所述接合垫远离所述显示区的侧边。
3.根据权利要求1所述的发光二极体显示器的制作方法，其特征在于：在设置所述第一导电胶膜于所述接合垫片上的步骤中，所述第一导电胶膜的第二侧边与所述显示区的距离小于0.2mm。
4.根据权利要求1所述的发光二极体显示器的制作方法，其特征在于：所述第二导电胶膜远离所述显示区的侧边位于所述基板的正上方。
5.根据权利要求4所述的发光二极体显示器的制作方法，其还包括：
将所述柔性电路板超过所述基板的部分向所述基板的下方弯折，并贴合所述基板的侧面。
6.根据权利要求1所述的发光二极体显示器的制作方法，其特征在于：所述激光为二氧化碳激光。
7.根据权利要求1所述的发光二极体显示器的制作方法，在所述设置柔性电路板的第一端于所述第一导电胶膜上的步骤之前，或是在所述通过冷却固化所述第二导电胶膜的步骤之后，还包括：
在所述柔性电路板的第二端设置驱动芯片，其中第一端与第二端为所述柔性电路板的相对两端。
8.根据权利要求1所述的发光二极体显示器的制作方法，在所述提供基板的步骤之后，还包括：
形成薄膜晶体管于所述基板的显示区上；以及
设置发光二极体于所述薄膜晶体管的上方，并使所述发光二极体与所述薄膜晶体管电连接。
9.根据权利要求8所述的发光二极体显示器的制作方法，其特征在于：所述形成薄膜晶体管层的步骤可与所述设置接合垫片的步骤同时进行，且所述薄膜晶体管电连接至所述接合垫片。
10.根据权利要求8所述的发光二极体显示器的制作方法，其特征在于：所述发光二极体为微型发光二极体或次毫米发光二极体。
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