CN107065363A - 一种阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007688 edging Methods 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000002305 electric material Substances 0.000 claims description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区内设置有：连接总线，用于引入检测信号；连接引线，所述连接引线的一端与所述显示区内的数据线或扫描线连接，所述连接引线的另一端与所述连接总线连接，其中，所述连接引线的至少部分区域通过耐腐蚀导电材料连接形成。本发明可以隔绝连接引线腐蚀延续。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体地说，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长，因而也推动了液晶面板行业的快速发展。在液晶面板行业快速发展的同时，面板的产量不断提升，对产品的品质及良率也有了更高要求，提升产品质、降低不良率、节约成本成为面板行业的主题。
考虑到需要对TFT LCD基板进行检测，现有TFT-LCD面板都设计有检测电路。现有检测电路把面板内栅线分奇偶数分别短接在栅线短路棒上，数据线分红子像素、绿子像素和蓝子像素分别短接在对应的数据线短路棒上。
如图1所示为现有技术中一种TFT-LCD显示面板上检测电路的连接引线14和栅线短路棒12的连接示意图。如图1所示，切割线11和连接引线14分别设置在栅线短路棒12的两侧，连接引线14通过过孔141与栅线短路棒12连接。由于分别对应奇偶序列的栅线，栅线短路棒12至少需设置两条。同理，数据线短路棒至少需设置三条。在栅线短路棒12靠近连接引线14的一侧还设置有标识过孔13，用于标示激光切割的区域或后磨边终止的区域。在连接引线14远离栅线短路棒12的另一端还设置有过孔142，通过过孔142连接栅极驱动电路和栅线。在过孔142上以及焊接引线14与栅线短路棒12连接的过孔141上一般均设置有ITO薄膜15。图2为图1所示显示面板上的检测电路去除ITO薄膜15后的示意图，去除掉ITO薄膜15后露出过孔141和过孔142。
阵列基板在组立成盒后，会在切割制程进行切割。如图1和图2所示，切割线11都是在栅线短路棒12的外侧。为了使面板正常驱动，必须断开面内连接引线14与栅线短路棒12之间的短接。目前有两种断开连接引线14与栅线短路棒12连接的方法，一种是通过激光断开连接引线14与栅线短路棒12之间的短接，另一种是通过切割工艺后的后磨边工艺把短路棒磨掉，以达到断开连接引线14与栅线短路棒12之间的短接。
由图1和图2可知，在连接引线14由金属材料制成时，基于标识过孔13进行后磨边处理磨掉栅线短路棒12时，会磨掉部分连接引线14。这样，剩余连接引线14在后磨边处理位置处的部分就会裸露在外。由于一般金属材料不耐腐蚀，裸露出的连接引线14会向过孔142的方向逐渐腐蚀，并沿着连接引线14一直腐蚀到连接引线14的过孔142处。由于过孔142连接栅极驱动电路，过孔142金属材料发生腐蚀会使得显示面板工作时栅极驱动电路输出的栅极信号不能到达栅线，进而导致产品功能异常。所以目前无法在切割工艺之后导入后磨边工艺，影响生产制造能力的提升。
发明内容
为解决以上问题，本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，可以隔绝连接引线腐蚀延续。
根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区内设置有：
连接总线，用于引入检测信号；
连接引线，所述连接引线的一端与所述显示区内的数据线或扫描线连接，所述连接引线的另一端与所述连接总线连接，
其中，所述连接引线的至少部分区域通过耐腐蚀导电材料连接形成。
根据本发明的一个实施例，所述耐腐蚀导电材料包括氧化铟锡材料。
根据本发明的一个实施例，在所述连接总线靠近所述显示区的一侧、沿所述连接总线延伸方向设置有后磨边终止标记。
根据本发明的一个实施例，所述耐腐蚀导电材料对应的连接区域位于所述后磨边终止标记靠近所述显示区的一侧。
根据本发明的一个实施例，所述后磨边终止标记包括沿所述连接总线延伸方向依次设置的多个第一过孔。
根据本发明的一个实施例，相邻两个所述第一过孔之间设置有一条所述连接引线。
根据本发明的一个实施例，所述连接引线中耐腐蚀导电材料之外的区域在所述耐腐蚀导电材料对应的连接区域处设置为断路，所述断路通过所述耐腐蚀导电材料连接。
根据本发明的一个实施例，所述连接导线中耐腐蚀导电材料之外的部分与所述耐腐蚀导电材料部分非同层设置，并通过所述连接导线中耐腐蚀导电材料之外的部分在所述断路处的第二过孔连接所述耐腐蚀导电材料部分。
根据本发明的一个实施例，还包括在所述连接总线相对所述连接引线的另一侧、沿所述连接总线延伸方向设置有切割线。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作阵列基板的方法，包括：
在基底上形成第一金属层，并使得所述第一金属层包括栅线、开关元件的栅极、与栅线对应的连接总线、以及与数据线对应的连接总线；
在所述第一金属层以及裸露的基底上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上对应所述栅极形成沟道层，并在裸露的栅绝缘层上的栅线预定连接处、栅线连接总线预定连接处、以及数据线连接总线预定连接处蚀刻第三过孔；
在所述沟道层和裸露的栅绝缘层上形成第二金属层，并使得所述第二金属层包括所述开关元件的源极和漏极、数据线及断路设置的连接引线，其中，断路设置的连接引线通过对应的第三过孔连接栅线、数据线、与栅线对应的连接总线及与数据线对应的连接总线；
在所述第二金属层和裸露的栅绝缘层上形成钝化层，并在所述连接引线的断路处沿所述连接引线延伸方向的相对两端分别蚀刻第二过孔；
在所述钝化层上沉积耐腐蚀导电材料，并通过断路处的第二过孔将连接引线的断路处进行连接。
本发明的有益效果：
本发明通过在连接引线的至少部分区域通过耐腐蚀导电材料进行连接，可以隔绝连接引线腐蚀延续。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1是现有技术中一种阵列基板上连接引线和栅线短路棒的连接区域示意图；
图2是图1所示连接引线和栅线短路棒的连接区域去除ITO薄膜后的示意图；
图3是根据本发明的一个实施例的一种阵列基板上连接引线和连接总线的连接区域示意图；
图4是图3所示连接引线和连接总线的连接区域去除ITO薄膜后的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，用以隔绝连接引线腐蚀延续。如图3所示为根据本发明的一个实施例的一种阵列基板上连接引线和连接总线的连接区域示意图，图4为图3所示连接引线和连接总线的连接区域去除ITO薄膜后的示意图，以下参考图3和图4来对本发明进行详细说明。
如图3所示，该阵列基板包括显示区和非显示区，该非显示区内设置有连接总线22和连接引线24。其中，连接总线22用于引入检测信号。在本实施例中，以连接总线22为栅线短路棒为例进行说明，所以连接总线22设置有两条，用以分别连接奇偶序列的栅线。由于两条连接总线22通常在一道制程中完成，并位于同一图层。为防止影响输送至奇偶序列的栅线上的检测信号，连接引线24通常与连接总线22非同层设置，连接引线24通过对应的过孔241与对应的连接总线连接。当以连接总线22为数据线短路棒为例进行说明时，连接总线22要对应设置为三条，用以分别连接红绿蓝子像素对应的数据线。连接引线24的一端与显示区内的扫描线连接，另一端与连接总线22连接。其中，连接引线24的至少部分区域通过耐腐蚀导电材料连接形成。
在本发明中，通过在连接引线的至少部分区域采用耐腐蚀导电材料进行连接，则在对显示面板进行后磨边断开处理时，裸露出的连接引线24腐蚀至该耐腐蚀导电材料处即停止。由于在连接引线24的一端，即过孔242处，连接引线24与栅线连接，栅极驱动电路也与栅线连接。如过孔242的导电材料腐蚀，在阵列基板正常工作时，会影响栅极驱动电路向栅线输送栅极驱动信号，进而会影响画面显示。耐腐蚀导电材料不易腐蚀，不会把腐蚀延续至连接引线24的端口处，即过孔242处，从而起到隔绝腐蚀延续的作用。由于过孔241和过孔242处设置有金属导电材料，通常在过孔241和过孔242以及连接引线24上设置一层ITO薄膜25来防止氧化腐蚀。
在本发明的一个实施例中，该耐腐蚀导电材料为氧化铟锡材料，即通常采用的ITO材料。ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，具有很好的导电性和透明性，常用于制作导电薄膜。尤其在ITO薄膜经高温退火处理后，其耐腐蚀性远远大于铝、铜等金属材料。当然，也可以采用其他耐腐蚀导电材料，本发明不限于此。
在本发明的一个实施例中，在连接总线24靠近显示区的一侧、沿连接总线延伸方向设置有后磨边终止标记。具体的，如图3所示，该后磨边终止标记用于标记在对显示面板进行切割后，采用后磨边工艺将连接总线22磨掉的终止区域，即磨边时磨至该后磨边终止标记即可。优选的，后磨边终止标记包括沿连接总线22延伸方向依次设置的多个第一过孔23。如图3所示，将后磨边终止标记设置为多个第一过孔23，有利于实现后磨边工艺。当然，将后磨边终止标记也可以设置为其他标记类型，如沿连接总线延伸方向设置的线条标记等，本发明不限于此。
在将后磨边终止标记设置为多个第一过孔23时，第一过孔23的数量可根据具体需要设定。第一过孔23的数量越多，越有利于进行后磨边工艺。优选地，可以在相邻两个第一过孔23之间设置有一条连接引线24，如图3和图4所示。通过沿后磨边终止标记磨掉连接总线24，就可以断开连接总线22与数据线和栅线的连接。
在本发明的一个实施例中，该耐腐蚀导电材料对应的连接区域位于后磨边终止标记靠近显示区的一侧。具体的，如图3所示，耐腐蚀导电材料对应的连接区域243位于后磨边终止标记第一过孔23的下侧，靠近显示区的一侧。这样，在沿后磨边终止区域对该阵列基板进行磨边处理后，连接引线24在后磨边终止标记处裸露出来。连接引线24在此处由非耐腐蚀材料构成，所以连接引线24由此处开始向内腐蚀，并腐蚀至耐腐蚀导电材料对应的连接区域243处时停止。这样，连接引线24就不会腐蚀至过孔242处，就不会影响栅极驱动电路经由过孔242向栅线输送栅极驱动信号。
在本发明的一个实施例中，连接引线24中耐腐蚀导电材料之外的区域在耐腐蚀导电材料对应的连接区域处设置为断路244，该断路244通过耐腐蚀导电材料连接，如图4所示。
在本发明的一个实施例中，连接导线24中耐腐蚀导电材料之外的部分与耐腐蚀导电材料部分非同层设置，并通过连接导线中耐腐蚀导电材料之外的部分在断路244处的第二过孔245连接耐腐蚀导电材料部分。具体的，如图4所示，连接引线24在断路244处断开连接，并在断路244的两侧设置第二过孔245，非同层设置的耐腐蚀导电材料通过第二过孔245连接断路244的两端，进而将连接引线24连接为一整体。
在本发明的一个实施例中，在连接总线22相对连接引线24的另一侧、沿连接总线22延伸方向设置有切割线21，如图3和图4所示。通常以切割线21为基准，对显示面板进行切割处理。切割处理之后，采用后磨边工艺以后磨边终止区域为基准磨掉连接总线22。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作以上阵列基板的方法，具体包括以下几个步骤。
首先，在基底上形成第一金属层，并使得第一金属层包括栅线、开关元件的栅极、与栅线对应的连接引线、以及与数据线对应的连接总线。也就是说，在同一制程中，形成开关元件的栅极、栅线及栅线对应的连接总线、数据线对应的连接总线。栅线对应的连接总线与数据线对应的连接总线设置不同，通常栅线对应的连接线设置为两条，用以分别连接奇数栅线和偶数栅线。数据线对应的连接总线设置为三条，用以分别连接红子像素、绿子像素和子蓝像素。
接着，在第一金属层以及裸露的基底上形成栅绝缘层，用于对其下的各层进行绝缘保护。
接着，在栅绝缘层上形成对应栅极的沟道层，并在裸露的栅绝缘层上的栅线预定连接处、栅线连接总线预定连接处、数据线连接总线预定连接处分别蚀刻第三过孔，即过孔241和过孔242。也就是说，在栅绝缘层上栅线与其他器件(连接引线)连接的位置处蚀刻过孔，在连接总线与其他器件(连接引线)连接的位置处蚀刻过孔。
接着，在沟道层和裸露的栅绝缘层上形成第二金属层，并使第二金属层包括开关元件的源极和漏极、数据线及断路设置的连接引线，其中，断路设置的连接引线通过对应的过孔连接栅线、数据线、与栅线对应的连接总线及与数据线对应的连接总线。开关元件的源极和漏极设置在沟道层的两端，源极与数据线连接，用于在沟道层中的沟道打开时，将数据线上的信号通过漏极引入像素电极。栅极、沟道层及源极和漏极构成开关元件。
接着，在第二金属层和裸露的栅绝缘层上形成钝化层，并在连接引线的断路处沿连接引线延伸方向的相对两端分别蚀刻第二过孔，即过孔245。也就是说，在连接引线的断路处设置两个过孔，一个过孔连接断路的一端，另一个过孔连接断路的另一端。
最后，在钝化层上沉积耐腐蚀导电材料，并通过断路处的第二过孔将连接引线的断路处进行连接，从而将连接引线连接为一整体。
在本发明中，该耐腐蚀导电材料可为氧化铟锡薄膜材料。在采用氧化铟锡薄膜材料时，对氧化铟锡薄膜材料进行高温退火处理，以提高氧化铟锡薄膜材料的耐腐蚀性。在沉积氧化铟锡薄膜材料对连接引线的断路处进行连接时，同时形成像素电极，这样可以减少工艺制程。在连接引线的断路处两端分别蚀刻过孔的同时，在对应漏极处蚀刻过孔，用以连接像素电极和漏极。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括显示区和非显示区，其特征在于，所述非显示区内设置有：
连接总线，用于引入检测信号；
连接引线，所述连接引线的一端与所述显示区内的数据线或扫描线连接，所述连接引线的另一端与所述连接总线连接，
其中，所述连接引线的至少部分区域通过耐腐蚀导电材料连接形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述耐腐蚀导电材料包括氧化铟锡材料。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述连接总线靠近所述显示区的一侧、沿所述连接总线延伸方向设置有后磨边终止标记。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述耐腐蚀导电材料对应的连接区域位于所述后磨边终止标记靠近所述显示区的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述后磨边终止标记包括沿所述连接总线延伸方向依次设置的多个第一过孔。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述第一过孔之间设置有一条所述连接引线。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述连接引线中耐腐蚀导电材料之外的区域在所述耐腐蚀导电材料对应的连接区域处设置为断路，所述断路通过所述耐腐蚀导电材料连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述连接导线中耐腐蚀导电材料之外的部分与所述耐腐蚀导电材料部分非同层设置，并通过所述连接导线中耐腐蚀导电材料之外的部分在所述断路处的第二过孔连接所述耐腐蚀导电材料部分。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括在所述连接总线相对所述连接引线的另一侧、沿所述连接总线延伸方向设置有切割线。
10.一种用于制作阵列基板的方法，包括：
在基底上形成第一金属层，并使得所述第一金属层包括栅线、开关元件的栅极、与栅线对应的连接总线、以及与数据线对应的连接总线；
在所述第一金属层以及裸露的基底上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上对应所述栅极形成沟道层，并在裸露的栅绝缘层上的栅线预定连接处、栅线连接总线预定连接处、以及数据线连接总线预定连接处蚀刻第三过孔；
在所述沟道层和裸露的栅绝缘层上形成第二金属层，并使得所述第二金属层包括所述开关元件的源极和漏极、数据线及断路设置的连接引线，其中，断路设置的连接引线通过对应的第三过孔连接栅线、数据线、与栅线对应的连接总线及与数据线对应的连接总线；
在所述第二金属层和裸露的栅绝缘层上形成钝化层，并在所述连接引线的断路处沿所述连接引线延伸方向的相对两端分别蚀刻第二过孔；
在所述钝化层上沉积耐腐蚀导电材料，并通过断路处的第二过孔将连接引线的断路处进行连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710436479.7A CN107065363A (zh) | 2017-06-12 | 2017-06-12 | 一种阵列基板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710436479.7A CN107065363A (zh) | 2017-06-12 | 2017-06-12 | 一种阵列基板及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107065363A true CN107065363A (zh) | 2017-08-18 |
Family
ID=59594040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710436479.7A Pending CN107065363A (zh) | 2017-06-12 | 2017-06-12 | 一种阵列基板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107065363A (zh) |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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