CN111048020B - 阵列基板、显示面板、及电性测试方法 - Google Patents

阵列基板、显示面板、及电性测试方法 Download PDF

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Abstract

一种阵列基板、显示面板、及电性测试方法，所述阵列基板包括:基板，包括显示区及电性测试区；薄膜晶体管层，设于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括设于所述电性测试区的测试薄膜晶体管，其中，所述测试薄膜晶体管包括有源层、栅极层、及电极层，所述有源层的一端与所述电极层的第一电极相连，所述有源层的另一端悬空设置；平坦化层，设于所述薄膜晶体管的电极层上，其中，所述平坦化层对应所述电极层的第一电极处设有第一过孔；公共电极层，设在所述平坦化层远离所述电极层的一侧，所述公共电极层通过所述第一过孔与所述电极层的第一电极连接。

Description

阵列基板、显示面板、及电性测试方法
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，具体涉阵列基板、显示面板和用于所述阵列基板的电性测试方法。
【背景技术】
随着低温多晶硅(low temperature poly-silicon，LTPS)液晶显示面板的逐渐普及，薄膜晶体管层的电路设计越来越精细，小尺寸面板的像素密度(pixels per inch，PPI)也逐渐增加，LTPS液晶显示面板在Array段需进行多道制程。在制程中，薄膜晶体管层的最外围存在一条不作用的薄膜晶体管(dummy thin-film transistors)，只作为聚酰亚胺(polyimide，PI)膜印刷时的参考边界，并不发挥显示作用。当该处的栅极绝缘层(gateinsulator，GI)薄膜脱落在栅极层和有源层之间时，栅极层和有源层会因短路而漏电，导致显示画面出现水平线状的异常现象。但由于电性测试机台本身能力限制的问题，无法检测面板左右两侧约五个像素距离的区域，因此该问题无法被电性测试机台在薄膜晶体管制程完成后即时检测发现，而造成材料的浪费。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板、及电性测试方法，对于所述阵列基板的最外围的薄膜晶体管的公共电极层进行不开孔设计，可以提高最外围的薄膜晶体管的栅极层和有源层发生短路而漏电的异常检出率。
为实现上述目的，本发明提出一种阵列基板，包括:基板，包括显示区及电性测试区；薄膜晶体管层，设于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括设于所述电性测试区的测试薄膜晶体管，其中，所述测试薄膜晶体管包括有源层、栅极层、及电极层，所述有源层的一端与所述电极层的第一电极相连，所述有源层的另一端悬空设置，即不与所述电极层的第二电极相连；平坦化层，设于所述薄膜晶体管的电极层上，其中，所述平坦化层对应所述电极层的第一电极处设有第一过孔；公共电极层，设在所述平坦化层远离所述电极层的一侧，所述公共电极层通过所述第一第一过孔与所述电极层的第一电极连接。所述有源层可以是非晶硅、低温多晶硅、也可以为有机物半导体等。其中，当位于所述电性测试区的栅极层与所述有源层发生短路时，来自所述栅极层的电流经由所述有源层、所述测试薄膜晶体管的第一电极，传导至所述公共电极层，而拉高所述公共电极层在所述电性测试区的电压。
较佳地，所述测试薄膜晶体管的电极层还包括第二电极，其中，所述第二电极悬空设置，即不与所述有源层的一端相连。
较佳地，所述测试薄膜晶体管还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于所述公共电极层远离所述公共电极层表面，以及第二电极层，所述第二电极层设于所述绝缘保护层上，所述第二电极层在显示区通过过孔与电极层相连接，形成像素电极。
较佳地，所述测试薄膜晶体管还包括设于所述有源层与所述电极层之间的层间介电层，其中，所述层间介电层设有第二过孔，所述第一电极通过所述第二过孔与所述有源层的一端连接。
较佳地，所述测试薄膜晶体管的栅极层设于所述有源层与所述电极层之间，其中，所述栅极层与所述有源层之间设有栅极绝缘层，所述第二过孔贯穿所述层间介电层与所述栅极绝缘层。
较佳地，所述测试薄膜晶体管的栅极层设于所述有源层远离所述电极层一侧的表面，其中所述栅极层与所述有源层之间设有栅极绝缘层，所述第二过孔贯穿所述层间介电层。
较佳地，所述公共电极层与所述第二电极层由氧化铟锡组成。
本发明实施例另外提供一种显示面板，包括前述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，其中，所述彩膜基板接近所述阵列基板一侧的表面上设有第三电极层，其中，所述公共电极层与所述第三电极层连接。
本发明实施例另外提供一种用于前述阵列基板的电性测试方法，包括:提供一所述阵列基板；对所述阵列基板通电；对所述电性测试区的多个块状的公共电极进行电性测试以获得多组电压值；确认所述多组电压值之中有无出现异常值，所述异常值例如可定义为较所述多组电压值的平均值高出1-3个标准差；以及若所述多组电压值中之任一出现异常值，则判定所述阵列基板为异常。
【附图说明】
图1为本发明实施例的阵列基板的俯视示意图；
图2为本发明实施例的阵列基板的电性测试区的截面示意图；
图3为本发明实施例的显示面板示意图；以及
图4为本发明实施例的对阵列基板进行电性测试的方法流程图。
【具体实施方式】
以下将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
以下实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
习知的阵列基板，其最外围存在一条无作用的薄膜晶体管(Dummy TFT)，其中公共电极层在第二电极层与第一电极相接处的上方过孔周围附近断开，而不与第一电极相接，当该处的闸极介电质层(gate insulator)膜脱落在栅极走线与有源层之间时，会导致栅极层与有源层发生短路而漏电，产品模组完成后会导致显示画面中出现水平线状的显示异常，但无法被电性测试机台在薄膜晶体管侧制程完成时提前检测出来。针对此问题，对Dummy TFT的公共电极层进行设计，以利于电性测试机台提前检出，避免流入模组阶段产生损失。
请参考图1，为本发明实施例的阵列基板俯视示意图，包括显示区1001和电性测试区1002，其中在电性测试区1002的开口990的第二电极层113与公共电极层111(一并参照图2)未被钻开。
请参考图2，为本发明实施例的阵列基板的电性测试区的截面示意图，所述阵列基板包括:
玻璃基板100；设于玻璃基板100上的遮光层101；薄膜晶体管层，设于所述玻璃基板100上，所述薄膜晶体管层包括设于所述电性测试区1002的测试薄膜晶体管900(请一并参考图1)，其中，所述测试薄膜晶体管900包括有源层104、栅极层106、及电极层(109，116)，所述有源层104的一端与所述电极层的第一电极109相连，所述有源层104的另一端悬空设置，即不与所述电极层的第二电极116相连；平坦化层110，设于所述薄膜晶体管的电极层(109，116)上，其中，所述平坦化层110对应所述电极层的第一电极109处设有第一过孔114；公共电极层111，设在所述平坦化层110远离所述电极层(109，116)的一侧，所述公共电极层111通过所述第一过孔114与所述电极层的第一电极109连接。其中，当位于电性测试区1002的栅极层106与有源层104发生短路时，来自栅极层106的电流经由有源层104、测试薄膜晶体管的第一电极109，传导至公共电极层111，而拉高公共电极层111在电性测试区1002的电压。
于一具体实施例，所述测试薄膜晶体管900的电极层还包括第二电极116，其中，所述第二电极116悬空设置，即不与所述有源层104相连。
于一具体实施例，所述测试薄膜晶体管900还包括绝缘保护层112，所述绝缘保护层112设于所述公共电极层111远离所述公共电极层111一侧的表面，以及第二电极层113，所述第二电极层113设于所述绝缘保护层112上；所述第二电极层113在显示区1001通过过孔与电极层(109，116)相连接，形成像素电极。
于一具体实施例，所述测试薄膜晶体管900还包括设于所述有源层104与所述电极层(109，116)之间，由硅氮化物所组成的层间介电层107及硅氧化物所组成的层间介电层108，其中，所述层间介电层(107，108)设有第二过孔115，所述第一电极109通过所述第二过孔115与所述有源层104的一端连接。
于一具体实施例，所述测试薄膜晶体管900的栅极层106设于所述有源层104与所述电极层(109，116)之间，其中，所述栅极层106与所述有源层104之间还设有硅氧化物所组成的栅极绝缘层105，所述第二过孔115贯穿所述层间介电层(107，108)与所述栅极绝缘层105。
于一具体实施例，所述测试薄膜晶体管900的栅极层106设于所述有源层104远离所述电极层(109，116)一侧的表面，其中所述栅极层106与所述有源层104之间设有栅极绝缘层105，所述第二过孔115贯穿所述层间介电层(107，108)。
于一具体实施例，所述公共电极层111与所述第二电极层113由氧化铟锡组成。
图3为本发明实施例的显示面板1的示意图，包括:
如前所述的阵列基板10，还包括与所述阵列基板10相对设置的彩膜基板20，其中，所述彩膜基板20接近所述阵列基板10一侧的表面上设有第三电极层201，其中，公共电极层111与所述第三电极层201连接。
如图4所示，为本发明实施例对阵列基板进行电性测试的方法流程图，所述方法包括:
提供一所述阵列基板；对所述阵列基板通电；对所述电性测试区的多个块状公共电级进行电性测试以获得多组电压值；确认所述多组电压值之中有无出现异常值，所述异常值例如可定义为较所述多组电压值的平均值高出2个标准差；以及若所述多组电压值中之任一出现异常值，则判定所述阵列基板为异常。
通过本发明实施例的阵列基板设计，当最外围薄膜晶体管处的栅极绝缘层(gateinsulator)薄膜脱落在栅极层106和有源层104之间时，因栅极层106和有源层104发生短路而漏电，并通过第一电极109漏电至公共电极层111，造成该处的块状公共电极层111电压上升，因此可提前通过电性测试机台检出。模组段因测试薄膜晶体管的栅电极线和有源层短路造成的显示不良由1.1％降至0％。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括:
基板，包括显示区及电性测试区；
薄膜晶体管层，设于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括
设于所述电性测试区的测试薄膜晶体管，其中，所述测试薄膜晶体管包括有源层、栅极层、及电极层，所述有源层的一端与所述电极层的第一电极相连，所述有源层的另一端悬空设置；
平坦化层，设于所述薄膜晶体管的电极层上，其中，所述平坦化层对应所述电极层的第一电极处设有第一过孔；
公共电极层，设在所述平坦化层远离所述电极层的一侧，所述公共电极层通过所述第一过孔与所述电极层的第一电极连接；
其中，当位于所述电性测试区的栅极层与所述有源层发生短路时，来自所述栅极层的电流经由所述有源层、所述测试薄膜晶体管的第一电极，传导至所述公共电极层，而拉高所述公共电极层在所述电性测试区的电压。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述测试薄膜晶体管的电极层还包括第二电极，其中，所述第二电极悬空设置。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述测试薄膜晶体管还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于所述公共电极层远离所述公共电极层表面，以及第二电极层，所述第二电极层设于所述绝缘保护层上。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述测试薄膜晶体管还包括设于所述有源层与所述电极层之间的层间介电层，其中，所述层间介电层设有第二过孔，所述第一电极通过所述第二过孔与所述有源层的一端连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述测试薄膜晶体管的栅极层设于所述有源层与所述电极层之间，其中，所述栅极层与所述有源层之间设有栅极绝缘层，所述第二过孔贯穿所述层间介电层与所述栅极绝缘层。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述测试薄膜晶体管的栅极层设于所述有源层远离所述电极层一侧的表面，其中所述栅极层与所述有源层之间设有栅极绝缘层，所述第二过孔贯穿所述层间介电层。
7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述第二电极层由氧化铟锡组成。
8.一种显示面板，包括如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，其中，所述彩膜基板接近所述阵列基板一侧的表面上设有第三电极层，其中，所述公共电极层与所述第三电极层连接。
9.一种用于如权利要求8所述的显示面板的电性测试方法，其特征在于，包括:
提供一所述阵列基板；
对所述阵列基板通电；
对所述电性测试区的多个公共电极进行电性测试以获得多组电压值；
确认所述多组电压值之中有无出现异常值；以及
若所述多组电压值中之任一出现异常值，则判定所述阵列基板为异常；
其中，所述异常值定义为较所述多组电压值的平均值高出2个标准差。
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