CN111863885A - 一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 - Google Patents
一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111863885A CN111863885A CN202010623862.5A CN202010623862A CN111863885A CN 111863885 A CN111863885 A CN 111863885A CN 202010623862 A CN202010623862 A CN 202010623862A CN 111863885 A CN111863885 A CN 111863885A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cut
- display panel
- area
- layer
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 71
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 15
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置。其中,待切割显示面板包括显示区和围绕显示区的非显示区,非显示区包括在显示区沿第一方向一侧设置的扇出区和绑定区,绑定区包括和扇出区中的扇出走线一一对应连接的信号引脚端子;在待切割显示面板的第一待切割区设置可变电阻部,通过可变电阻部电连接各个信号引脚端子,使各个信号引脚端子之间在第一状态下相互形成静电释放通道,起到静电防护的作用;在第二状态下,使各个信号引脚端子之间的测试信号阻隔,避免使可视化测试信号在各个信号引脚端子之间的串扰,从而改善显示面板在可视化测试中产生的亮度不均的mura现象,使可视化测试的检测判断更加精确。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置。
背景技术
在显示面板的生产过程中,通常大张基板通过第一次切割形成多个小张的待切割显示面板,第一切割的方式一般会采用激光切割或者刀棱等切割工艺,在第一次切割的工艺过程中或者在运输等生产过程中,通常会将外部静电带入显示面板内部,会影响后续的显示面板制备;此外,当制备形成待了切割显示面板后,在切割显示面板经过第二次切割形成的显示面板可以绑定驱动芯片IC之前,需要对待切割显示面板进行可视化测试(VisualTest,简称VT测试),用来检测绑定驱动芯片的显示面板是否存在不良,以免不良显示面板进入后续的工艺制程,降低产线的制备良率。同样,在第二次切割形成显示面板的制程工艺中会带入外部静电,影响显示面板后续的显示效果。因此需要在第二次切割形成显示面板之前对待切割显示面板进行静电防护。
然而,在对待切割显示面板进行VT测试的过程中,静电防护装置会由于制程波动的原因,使VT测试信号通过静电防护装置实现信号的串扰,从而在显示面板上产生亮度不均的mura现象,影响VT测试的检测判断。
因此,如何在一方面在对待切割显示面板进行静电防护的时候,在另一方面能够避免在VT测试时避免测试信号实现串扰,干扰VT测试的检测,是一个亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置,在对待切割显示面板进行静电防护的同时,可以有效避免在可视化测试时由于静电防护装置导致的测试信号串扰,可以对待切割显示面板实现有效的可视化检测。
第一方面,本发明实施例提供了一种待切割显示面板,包括:显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述显示区包括呈阵列排布的多个像素以及沿第一方向延伸的多条数据线;所述非显示区包括沿所述第一方向在所述显示区一侧设置的扇出区,以及设置在所述扇出区远离所述显示区的一侧绑定区,其中,所述扇出区包括和多条所述数据线对应连接的扇出走线,所述绑定区包括和所述扇出走线一一对应连接的信号引脚端子;
所述待切割显示面板还包括待切割区,所述待切割区包括第一待切割区,所述第一待切割区包括可变电阻部,所述可变电阻部电连接各个所述信号引脚端子,使各个所述信号引脚端子之间在第一状态下相互形成静电释放通道;在第二状态下相互之间信号阻断。
第二方面,本发明还提供了一种显示面板的制作,所述制作方法包括:提供一待切割显示面板,所述待切割显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述非显示区包括在所述显示区沿所述第一方向一侧设置的扇出区,以及设置在所述扇出区远离所述显示区的一侧绑定区,其中,所述扇出区包括和多条所述数据线对应连接的扇出走线,所述绑定区包括和所述扇出走线一一对应连接的信号引脚端子;
所述待切割显示面板还包括待切割区,所述待切割区包括第一待切割区,所述第一待切割区包括可变电阻部,所述可变电阻部电连接各个所述信号引脚端子,在第一状态下使各个所述信号引脚端子之间相互短接。
在所述待切割区沿第一切割线对所述待切割显示面板进行切割去掉第一待切割区,形成所述显示面板。
第三方面,本发明还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
本发明实施例提供的待切割显示面板,包括显示区和围绕显示区的非显示区,非显示区包括在显示区沿第一方向一侧设置的扇出区和绑定区,绑定区包括和扇出区中的扇出走线一一对应连接的信号引脚端子;在待切割显示面板的第一待切割区设置可变电阻部,通过可变电阻部电连接各个信号引脚端子,使各个信号引脚端子之间在第一状态下相互形成静电释放通道,在第二状态下相互之间信号阻断。一方面,在第一状态下,也即是在非可视化检测状态下,即在显示面板的生产过程中,通过可变电阻部连接各个信号引脚端子,使各个信号引脚端子相互之间形成静电释放通道,从而实现对待切割显示面板的静电释放,起到静电防护的作用;另一方面,在第二状态下,也即是在可视化检测状态下,利用可变电阻部的特性,使各个信号引脚端子之间的测试信号阻隔,避免使可视化测试信号在各个信号引脚端子之间的串扰,从而改善显示面板在可视化测试中产生的亮度不均的mura现象,使可视化测试的检测判断更加精确。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是相关技术中显示面板的一种静电防护单元的局部示意图;
图2为本发明实施例提供的待切割显示面板的一种平面结构示意图;
图3为本发明实施例提供的待切割显示面板的一种局部放大示意图;
图4为本发明实施例提供的待切割显示面板的一种剖面结构示意图;
图5为本发明实施例提供的待切割显示面板的另一种剖面结构示意图;
图6为本发明实施例提供的待切割显示面板的另一种局部放大示意图;
图7为图6中沿剖面线XX’处的一种结构示意图;
图8为本发明实施例提供的待切割显示面板的又一种局部放大示意图;
图9为本发明实施例提供的待切割显示面板的另一种平面结构示意图;
图10为本发明实施例提供的待切割显示面板的又一种平面结构示意图;
图11为本发明实施例所提供的一种显示面板的制作方法的流程图;
图12为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
为了在显示面板的生产过程中设置静电防护,同时还需要解决VT测试信号在数据线的各个信号引脚端子之间引起的串扰问题,下面结合附图说明,本发明实施例做出了如下研究:
如图1所示,图1是相关技术中显示面板的一种静电防护单元的局部示意图,显示面板011包括显示区aa以及非显示区va,显示区aa包括多个子像素以及连接子像素的多条数据线,其中子像素包括红色子像素01、绿色子像素02,以及蓝色子像素03,数据线包括连接红色子像素01的第一数据线010、连接绿色子像素02的第二数据线020,以及连接蓝色子像素03的第三数据线030;非显示区va包括VT测试电路04以及静电防护单元05,其中VT测试电路04包括第一短接棒R、第二短接棒G,以及第三短接棒B,各个短接棒通过开关T和数据线连接,通过控制端sw实现对开关T的导通和截止;同时,第一短接棒R、第二短接棒G,以及第三短接棒B分别接收红色像素测试信号、绿色像素测试信号,以及蓝色像素测试信号。具体的,第一短接棒R短接了各个红色子像素01,第二短接棒G短接了各个绿色子像素02,第三短接棒B短接了各个蓝色子像素03,在VT测试阶段,通过短接棒将显示为同一种颜色的子像素短接在一起,同时点亮,从而检测出单色画面下的视觉效果,并可以检查出子像素单元是否能够正常显示。
但是,在显示面板的生产过程中会产生静电效应,导致各个检测器件以及数据线会不同程度的受到静电破坏,影响显示效果,通过设置静电防护单元05,如图1所示,静电防护单元05短接各个子像素对应连接的数据线,也就是将所有的数据信号线进行短接,具体的,静电防护单元05还包括固定电位线06和数据线一一对应连接的连接线07,固定电位线06连接各条连接线07。固定电位线06可以采用接地信号或者连接固定电位信号实现静电导出,此外,固定电位线06和连接线07可以均采用Poly材料设置,也就是在制作显示面板的过程中,在显示面板的衬底基板上制作有源层,有源层采用多晶硅Poly-Si,固定电位线06和连接线07可以和有源层采用同一工艺制程,利用多晶硅材料的大电阻特征,保证了固定点位线06可以导出静电,实现静电防护的效果。
然而,在VT测试电路进行检测的过程中,静电防护单元05会导通各条数据信号线,导致VT测试信号会通过静电防护单元实现测试信号的串扰,从而影响检测画面的显示。具体的,请继续参见图1,当对显示面板内的红色子像素01进行单色画面检测时,控制端sw导通,与红色子像素01连接的第一数据线010均短接于第一短接棒R,并传输红色像素测试信号,最后显示红色画面。但与此同时,由于静电防护单元05连接了各条数据信号线,由此,第一短接棒R上传输的红色像素测试信号会经过静电防护单元05传输到邻近的绿色子像素02和蓝色子像素03,如图1中方向e所示,从而产生信号的串扰,点亮原本不显示的绿色子像素或者蓝色子像素,影响测试过程中的显示画面。
发明人在此基础上设计了如下技术方案:
本发明实施例提供了一种待切割显示面板,请参考图2,图2为本发明实施例提供的待切割显示面板的一种平面结构示意图,如图2所示,待切割显示面板100包括:显示区AA和围绕显示区AA的非显示区VA,显示区AA包括呈阵列排布的多个像素P(附图2未示出)以及沿第一方向Y延伸的多条数据线Data;
非显示区VA包括沿第一方向Y在显示区AA一侧设置的扇出区Fanout,以及设置在扇出区Fanout远离显示区AA的一侧绑定区BA,其中,扇出区Fanout包括和多条数据线Data对应连接的扇出走线10,绑定区BA包括和扇出走线10一一对应连接的信号引脚端子20;
可选的,非显示区VA还包括多路选通单元3以及可视化测试电路4;
如此,将数据线Data通过多路选通单元3连接到扇出区,利用多个多路选通单元3以连接多条数据线和一条扇出走线10,减小扇出走线10的数量,从而减小扇出区的高度,有利于实现窄边框。
另一方面,数据线Data通过多路选通单元3连接可视化测试电路4,以便在VT测试时对显示面板进行单色画面检测。
请继续参见图2,待切割显示面100还包括待切割区A,待切割区A包括第一待切割区A1,其中,第一待切割区A1包括可变电阻部30,可变电阻部30电连接各个信号引脚端子20,使各个信号引脚端子20之间在第一状态下相互之间形成静电释放通道,在第二状态下相互之间信号阻断。
其中,在第一状态下,也即是在非可视化检测状态下,即在显示面板的生产过程中,通过可变电阻部连接各个信号引脚端子,使各个信号引脚端子相互之间形成静电释放通道,从而实现对待切割显示面板的静电释放,起到静电防护的作用;在第二状态下,也即是在可视化检测状态下,利用可变电阻部的特性,使各个信号引脚端子之间的测试信号阻隔,避免使可视化测试信号在各个信号引脚端子之间的串扰,从而改善显示面板在可视化测试中产生的亮度不均的mura现象,使可视化测试的检测判断更加精确。
具体的,请参考图3,图3为本发明实施例提供的待切割显示面板的一种局部放大示意图,如图3所示,显示面板100包括显示区AA以及非显示区VA,其中显示区AA包括多个子像素P,多个子像素P包括第一子像素P1,第二子像素P2,以及第三子像素P3,其中第一子像素可以为发红光的红色子像素,第二子像素可以为发绿光的绿色子像素,第三子像素可以为发蓝光的蓝色子像素。第一子像素P1对应连接第一数据线11,第二子像素P2对应连接第二数据线12,第三子像素P3对应连接第三数据线13,当然,本实施例不限于上述子像素的排布方式。
本实施例中,可变电阻部30包括多个和信号引脚端子20一一对应电连接的第一传输部31,以及沿第一方向y和第一传输部31间隔第一距离d1的第二传输部32,其中,第一传输部31包括和第二传输部32相对的第一尖端311,第二传输部32包括和第一传输部31相对的第二尖端321,第一尖端311和第二尖端321在第一状态下形成静电放电通道e1;请继续参见图3,多个第二传输部32远离第一传输部31的一端均电连接第一导通传输部33。
本实施例中利用第一尖端和第二尖端形成的尖端放电作为静电防护装置,在第一状态下,也就是在非可视化检测状态下,即常规的显示面板的生产过程中,显示面板上的数据线会由于生产携带静电,一方面,通过尖端放电形成的静电放电通道e1,可以将数据线中携带的静电荷通过放电的方式排出;另一方面,第一导通传输部通过将不同信号引脚端子之间进行联通,增加静电分散及排出的通道,从而可以分散在局部产生的静电积累。
可选的,请参见图4,图4为本发明实施例提供的待切割显示面板的一种剖面结构示意图,待切割显示面板100包括衬底基板1,位于衬底基板1上的像素电路层2,有机发光器件层6,有机发光器件层6位于所述像素电路层2远离衬底基板1的一侧;以及薄膜封装层4,薄膜封装层4位于有机发光器件层3远离衬底基板1的一侧,在薄膜封装层4远离衬底基板的一侧还包括盖板7,起到保护作用。其中,像素电路层2包括有源层21、栅极金属层22、金属电容层24,以及源漏极层23,多个金属层之间通过无机绝缘层绝缘隔开;
其中,待切割显示面板100还包括第一平坦化层25,使像素电路阵列层2表面平坦化。有机发光器件层6包括多个有机发光单元P,有机发光单元P通过第一像素定义层31定义开口面积,其中,有机发光单元P包括阳极61、发光层62、阴极63。在发光器件层6的一侧通常需要封装薄膜封装层,用来阻隔水氧。其中,薄膜封装层4包括沿柔性显示面板出光面方向Y依次设置的第一无机层41、第一有机层42,以及第二无机层43。
此外,衬底基板1包括柔性衬底基板,柔性衬底基板的材料可以为超薄玻璃、金属箔或者高分子塑料材料。
进一步的,请继续参见图4,第一传输部31,第二传输部32,以及第一导通传输33部均采用同一工艺制程,且有源层21同层,也就是说第一传输部31,第二传输部32,以及第一导通传输33部可以采用多晶硅材料制成。
需要说明的是,由于第一传输部需要和数据线上的各个信号引脚端子连接,而第一传输部31在有源层21,各个信号引脚端子设置在源漏极层23,因此第一传输部需要通过过孔连接各个信号引脚端子。
可以理解的是,由于第一导通传输部33采用了多晶硅,导致其电阻很大,相当于接地信号,在第一状态下,也就是非VT检测状态的显示面板生产过程中,显示面板上的数据线携带静电荷通过静电放电产生的高电压可以导通第一传输部和对应的第二传输部,从而形成静电传输通道,进行静电排出或者消耗;而在第二状态下,也就是VT测试的状态下,第一传输部中的第一尖端和第二传输部中的第二尖端间隔一定距离,对于常规的检测信号属于隔断状态,因此VT测试信号无法通过可变电阻部产生串扰,从而避免影响VT检测的显示画面。
同时,由于第一导通传输部33采用了电阻较大多晶硅,可以省去常规情况下静电传输信号线需要接地或者固定电位的设置,可以简化信号线的设置,节省面板上的空间。
在另一种可选的实施例中,请参见图5,图5为本发明实施例提供的待切割显示面板的另一种剖面结构示意图,如图5所示,可变电阻部的部分结构如第一尖端311和第二尖端321分别与源漏极层23同层,采用同一工艺设置,而可变电阻部30中除了第一尖端和第二尖端之外的其余部分均和有源层同层并采用同一工艺设置。由于源漏极金属层采用了Ti/Al/Ti金属结构,其导电性更加优异,可以增加静电放电的有效性。
在另一种可选的实施例中,请参见图6,图6为本发明实施例提供的待切割显示面板的另一种局部放大示意图,如图6所示,本发明中的可变电阻部30还包括多个和信号引脚端子20一一对应电连接的第三传输部34,还包括将第三传输部34的另一端相互电连接的第二导通传输部35;其中,第三传输部34和第二导通传输部35分别与有源层同层,且采用同一工艺制程;同时可变电阻部30还包括和多个第三传输部34在衬底基板的正投影交叠的第一金属电极36。
具体的,请参见图7,图7为图6中沿剖面线XX’处的一种结构示意图,如图7所示,第三传输部34包括和第一金属电极36交叠的第一子部341,以及和第一金属电极36不交叠的第二子部342,其中,第一子部341的掺杂浓度小于第二子部342的掺杂浓度。由于第三传输部和有源层采用同层同一工艺制程的情况下,第三传输部采用多晶硅材料,也就是不掺杂硼元素和磷元素的本征半导体,因此当设置第一子部341的掺杂浓度小于第二子部342的掺杂浓度时,也就是第二子部342的掺杂浓度大于第一子部341的掺杂浓度,示例性的,第一子部可以采用不掺杂任何元素的本征半导体,第二子部可以采用部分掺杂硼元素或磷元素;或者第一子部可以采用轻掺杂,即掺杂少量的掺杂硼元素或磷元素,第二子部可以采用重掺杂,即掺杂大量的硼元素或磷元素,从而通过第三传输部34和第一金属电极36交叠的区域形成非掺杂区或者轻掺杂区,从而增加第三传输部34的电阻特征。
本发明实施例中通过将设置在有源层的第三传输部中,和第一金属电极交叠的区域形成非掺杂区或者轻掺杂区,通过增加第三传输部的电阻,从而提升静电荷的有效消耗。
可选的,请继续参考图8,第一金属电极36和栅极金属层同层设置。
可选的,请参见图8,图8为本发明实施例提供的待切割显示面板的又一种局部放大示意图,第一金属电极36的一端连接电压输入信号线37,其中,电压输入信号可以输入高电平信号和低电平信号。
在本实施例中,由于第三传输部设置在有源层,第一金属电极36设置栅极金属层,因此该第三传输部和第一金属电极形成具有临界状态的电阻晶体管DT,当对第一金属电极输入第一电压,第一电压可以使该电阻晶体管呈现截止状态,即信号无法导通,也在第二状态下,即在VT检测过程中,测试信号无法通过可变电阻部进行信号传导,从而避免的测试信号的串扰导致的检测画面的异常显示;当对第一金属电极输入第二电压,第二电压可以使该电阻晶体管呈现导通状态,即形成静电传输通道,保证了在第一状态下,也即是显示面板生产过程中静电传导消耗,对显示面板上的数据线等起到静电防护作用。
可选的,请参见图9,图9为本发明实施例提供的待切割显示面板的另一种平面结构示意图,如图9所示,第一待切割区A1包括测试电路焊盘区80,测试电路焊盘区包括多个测试引脚端子81;具体的,非显示区VA包括多条测试信号线82,数据线通过测试信号线82对应连接测试引脚端子81;在VT测试的过程中,通过给测试引脚端子输入检测信号,从而检测显示面板的单色画面显示效果。
其中,可变电阻部30和测试电路焊盘区80沿第二方向X排列。
在另一种可选的实施例中,请参考图10,图10为本发明实施例提供的待切割显示面板的又一种平面结构示意图,待切割区A还包括设置在第一待切割区A1远离显示区AA一侧的第二待切割区A2,第二待切割区A2包括第三导通传输部38;
多个测试引脚端子81均电连接同一第三导通传输部38。
可选的,第三导通传输部38与有源层同层设置,并采用同一工艺制程。
本实施例中,通过第三导通传输部连接各个测试引脚端子,使得在显示面板的生产过程中VT测试电路上携带的静电可以通过第三导通传输部进行排出或者消耗,从而有效保护VT测试电路避免静电效应的破坏。
本发明实施例还提供一种显示面板的制造方法,如图11为本发明实施例所提供的一种显示面板的制作方法的流程图,具体的:
S1:提供上述所示的一待切割显示面板,待切割显示面板100包括显示区AA和围绕显示区的非显示区VA;
非显示区VA包括在显示区沿第一方向Y一侧设置的扇出区,以及设置在扇出区远离显示区的一侧绑定区,其中,扇出区包括和多条数据线对应连接的扇出走线,绑定区包括和扇出走线一一对应连接的信号引脚端子;
待切割显示面板还包括待切割区,待切割区包括第一待切割区,第一待切割区包括可变电阻部,可变电阻部电连接各个信号引脚端子,在第一状态下使各个信号引脚端子之间相互短接。
S2:对第一待切割区进行切割,具体的,在待切割区沿第一切割线X1对待切割显示面板进行切割去掉第一待切割区A1,形成显示面板200。
可以理解的是,在提供上述待切割显示面板之前,先提供一显示母版,通过在待切割区沿第二切割线对所述待切割显示面板进行切割去掉第二待切割区,形成所述待切割显示面板,其中,
待切割区还包括设置在第一待切割区远离显示区一侧的第二待切割区,第二待切割区包括第三导通传输部;
第一待切割区包括测试电路焊盘区,测试电路焊盘区包括多个测试引脚端子,多个测试引脚端子均电连接同一第三导通传输部。
需要说明的是,第一切割线沿第二方向X方向进行切割,且切在第一传输部31或者第三传输部34上,由此,形成的显示面板上会留下残留的测试信号线和残留的第一传输部31或者第三传输部34。
基于同样的发明构思,本发明还提供一种显示装置300,包括本发明提供的显示面板。具体的,参见图12,图12为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图,图12提供的显示装置300包括上述实施例所涉及到的显示面板200。需要说明的是,图12以手机作为显示装置300为例进行示例,但显示装置300并不限制为手机,具体的,该显示装置300可以包括计算机、电脑、电视机或者车载显示等任何具有显示功能的显示装置或者电子设备,本发明对此不作具体限制。
应当理解,上述所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种待切割显示面板,其特征在于,包括:显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述显示区包括呈阵列排布的多个像素以及沿第一方向延伸的多条数据线;
所述非显示区包括沿所述第一方向在所述显示区一侧设置的扇出区,以及设置在所述扇出区远离所述显示区的一侧绑定区,其中,所述扇出区包括和多条所述数据线对应连接的扇出走线,所述绑定区包括和所述扇出走线一一对应连接的信号引脚端子;
所述待切割显示面板还包括待切割区,所述待切割区包括第一待切割区,所述第一待切割区包括可变电阻部,所述可变电阻部电连接各个所述信号引脚端子,使各个所述信号引脚端子之间在第一状态下相互之间形成静电释放通道;在第二状态下相互之间信号阻断。
2.根据权利要求1所述的待切割显示面板,其特征在于,所述可变电阻部包括多个和所述信号引脚端子一一对应电连接的第一传输部,以及沿所述第一方向和所述第一传输部间隔第一距离的第二传输部,其中,
所述第一传输部包括和所述第二传输部相对的第一尖端,所述第二传输部包括和所述第一传输部相对的第二尖端,所述第一尖端和所述第二尖端在所述第一状态下形成所述静电放电通道;
多个所述第二传输部远离所述第一传输部的一端均电连接第一导通传输部。
3.根据权利要求2所述的待切割显示面板,其特征在于,所述显示面板包括衬底基板,位于所述衬底基板上的像素电路层,所述像素电路层包括有源层、栅极金属层、金属电容层,以及源漏极层;
其中,所述第一传输部,所述第二传输部,以及所述第一导通传输部均采用同一工艺制程,且和所述有源层同层。
4.根据权利要求2所述的待切割显示面板,其特征在于,所述待切割显示面板包括衬底基板,位于所述衬底基板上的像素电路层,所述像素电路层包括有源层、栅极金属层、金属电容层,以及源漏极层;
其中,所述第一尖端和所述第二尖端分别与所述源漏极层同层设置。
5.根据权利要求1所述的待切割显示面板,其特征在于,可变电阻部包括多个和所述信号引脚端子一一对应电连接的第三传输部,还包括将所述第一传输部的另一端相互电连接的第二导通传输部;
所述显示面板包括衬底基板,位于所述衬底基板上的像素电路层,所述像素电路层包括有源层、栅极金属层、金属电容层,以及源漏极层;
所述第一传输部和所述第二导通传输部分别与所述有源层同层设置;
所述可变电阻部还包括和多个所述第一传输部在所述衬底基板的正投影交叠的第一金属电极;
所述第一传输部包括和所述第一金属电极交叠的第一子部,以及和所述第一金属电极不交叠的第二子部,所述第一子部的掺杂浓度小于所述第二子部的掺杂浓度。
6.根据权利要求5所述的待切割显示面板,其特征在于,所述第一金属电极的一端连接电压输入信号线。
7.根据权利要求5所述的待切割显示面板,其特征在于,所述第一金属电极和所述栅极金属层同层设置。
8.根据权利要求1所述的待切割显示面板,其特征在于,所述第一待切割区包括测试电路焊盘区,所述测试电路焊盘区包括多个测试引脚端子;
所述非显示区包括多条测试信号线,所述数据线通过测试信号线对应连接所述测试引脚端子;
沿所述第二方向,所述可变电阻部和所述测试电路焊盘区排列。
9.根据权利要求8所述的待切割显示面板,其特征在于,所述待切割区还包括设置在所述第一待切割区远离所述显示区一侧的第二待切割区,所述第二待切割区包括第三导通传输部;
多个所述测试引脚端子均电连接同一所述第三导通传输部;
所述显示面板包括衬底基板,位于所述衬底基板上的像素电路层,所述像素电路层包括有源层、栅极金属层、金属电容层,以及源漏极层;
所述第三导通传输部与所述有源层同层设置。
10.根据权利要求1所述的待切割显示面板,其特征在于,所述非显示区包括可视化测试电路以及多路选通单元;
所述数据线通过多路选通单元连接所述扇出走线,所述数据线通过多路选通器连接所述可视化测试电路。
11.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一待切割显示面板,所述待切割显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;
所述非显示区包括在所述显示区沿所述第一方向一侧设置的扇出区,以及设置在所述扇出区远离所述显示区的一侧绑定区,其中,所述扇出区包括和多条所述数据线对应连接的扇出走线,所述绑定区包括和所述扇出走线一一对应连接的信号引脚端子;
所述待切割显示面板还包括待切割区,所述待切割区包括第一待切割区,所述第一待切割区包括可变电阻部,所述可变电阻部电连接各个所述信号引脚端子,在第一状态下使各个所述信号引脚端子之间相互短接;
在所述待切割区沿第一切割线对所述待切割显示面板进行切割去掉第一待切割区,形成所述显示面板。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括根据上述权利要求11所述的显示面板的制作方法制作而成的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010623862.5A CN111863885B (zh) | 2020-07-01 | 2020-07-01 | 一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010623862.5A CN111863885B (zh) | 2020-07-01 | 2020-07-01 | 一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111863885A true CN111863885A (zh) | 2020-10-30 |
CN111863885B CN111863885B (zh) | 2023-06-27 |
Family
ID=72988951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010623862.5A Active CN111863885B (zh) | 2020-07-01 | 2020-07-01 | 一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111863885B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112289243A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-01-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112687191A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-20 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN114698367A (zh) * | 2022-03-23 | 2022-07-01 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 显示面板、显示装置及绑定阻值测试方法 |
WO2024001580A1 (zh) * | 2022-06-29 | 2024-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及终端设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050078232A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | Au Optronics Corp. | Protecting structure for electrostatic discharge |
CN102331644A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-01-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器的静电放电保护装置 |
CN105097800A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
CN111352281A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-06-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
-
2020
- 2020-07-01 CN CN202010623862.5A patent/CN111863885B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050078232A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | Au Optronics Corp. | Protecting structure for electrostatic discharge |
CN102331644A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-01-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器的静电放电保护装置 |
CN105097800A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
CN111352281A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-06-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112289243A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-01-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112687191A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-20 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN114698367A (zh) * | 2022-03-23 | 2022-07-01 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 显示面板、显示装置及绑定阻值测试方法 |
CN114698367B (zh) * | 2022-03-23 | 2023-07-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 显示面板、显示装置及绑定阻值测试方法 |
WO2024001580A1 (zh) * | 2022-06-29 | 2024-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及终端设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111863885B (zh) | 2023-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US12080207B2 (en) | Display device | |
CN111863885B (zh) | 一种待切割显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 | |
CN109935571B (zh) | 显示基板及其制作方法、裂纹检测方法、显示装置 | |
CN108445686B (zh) | 阵列基板、显示面板与显示装置 | |
CN108010947B (zh) | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 | |
KR102402084B1 (ko) | 표시 장치 | |
EP2797069B1 (en) | Active matrix substrate, display device, method for inspecting the active matrix substrate, and method for inspecting the display device | |
CN102566167B (zh) | 一种阵列基板 | |
CN103163668B (zh) | 液晶显示装置的检测装置 | |
EP3278360B1 (en) | Array substrates, methods for fabricating the same, and display device containing the same | |
CN111106151B (zh) | 电子装置 | |
KR20080046603A (ko) | 액정표시장치 | |
CN104391389A (zh) | 一种基板及显示面板、显示装置 | |
US20220376003A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
KR20190031407A (ko) | 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
CN114830221A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20240280867A1 (en) | Display device and display panel thereof | |
US5953086A (en) | Liquid crystal display device with protection circuit for electrostatic break down | |
CN115311975A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN109727972B (zh) | 显示母板及其制备方法、显示基板及显示装置 | |
US8031314B2 (en) | Color liquid crystal display panel | |
CN113517262A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
US11881154B1 (en) | Drive substrate and display panel | |
CN114185190B (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN106597766A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20211018 Address after: No.8, liufangyuanheng Road, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province, 430074 Applicant after: WUHAN TIANMA MICROELECTRONICS Co.,Ltd. Applicant after: Wuhan Tianma Microelectronics Co.,Ltd. Shanghai Branch Address before: Room 509, building 1, No. 6111, Longdong Avenue, Pudong New Area, Shanghai, 201201 Applicant before: SHANGHAI TIANMA AM-OLED Co.,Ltd. |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |