CN101907788A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置，无需减少从母TFT衬底取得TFT衬底的片数且无需增大各TFT衬底的外形，就可以进行TFT衬底的状态下的检查。在驱动液晶显示装置的端子的外侧形成检查用端子(101)，在配置在该TFT衬底(100)下侧的TFT衬底(100)上形成检查用布线(102)。由于形成了检查用布线(102)的区域是在下侧的TFT衬底(100)的端部与显示区域(10)之间形成了密封部件等的空间，所以不会实质上增大TFT衬底(100)。另外，由于不用另行形成检查布线区域(110)并废弃该部分，所以不会减少可以从一片母TFT衬底取得的TFT衬底(100)的片数。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，尤其涉及可以在制造工序的中途检查衬底中的布线或薄膜晶体管，从而可以提高制造成品率的液晶显示装置。
背景技术
在现有的液晶显示装置中，设置有TFT衬底和对置衬底，在TFT衬底和对置衬底之间夹有液晶，在TFT衬底上矩阵状地形成了像素电极和薄膜晶体管(TFT)等，对置衬底与TFT衬底相对置且在与TFT衬底的像素电极对应的位置形成了滤色片等。然后，通过针对各像素控制基于液晶分子的光的透射率，形成图像。
在液晶显示装置中为了提高制造效率，在母TFT衬底上形成多个TFT衬底。另外，在母对置衬底上形成多个对置衬底，通过用密封部件把母TFT衬底与母对置衬底接合起来，形成包含多个液晶盒(cell)的母衬底。然后，用划线(scribing)法等从母衬底分离出一个一个的液晶盒从而得到多个液晶盒。
在TFT衬底上针对多个像素的每一个形成有TFT和像素电极，还形成多个扫描线、影像信号线等。因此，容易发生TFT、像素电极、各种布线的断路或短路等的问题。只要在母TFT衬底的状态下可以掌握这些问题，就无需对有问题的液晶盒进行之后的工艺处理。另外，只要在母TFT衬底上中存在多个有问题的TFT衬底，该母TFT衬底自身就无需进入后面的工序。
在专利文献1中记载了在TFT衬底的状态下检查TFT衬底的缺陷的技术。即，在专利文献1中记载了以下的内容：通过对栅布线用两条检查用短路棒，对影像信号线用三条检查用短路棒，对各短路棒输入不同的检查用信号，就可以检查全部像素有无缺陷。
<专利文献1>日本特开2002-341377号公报
发明内容
(发明要解决的问题)
在专利文献1记载的技术中，作为检查用的布线，两条用作扫描线，三条用作影像信号线。即，如果在TFT衬底的状态下进行检查，则需要在母TFT衬底上形成这些检查用布线的区域。虽然也取决于检查的内容，但如果检查用布线多，检查布线用的区域大，则每片母TFT衬底可以形成的TFT衬底的片数减少，这也会导致液晶显示面板的制造成本的上升。
液晶显示装置中有用多晶Si形成TFT的类型和用a-Si形成TFT的类型。用多晶Si形成TFT的类型称为LTPS(低温多晶Si)型的TFT。在LTPS中，由于在TFT衬底上可以在显示区域之外形成驱动电路，所以可以利用该驱动电路检测像素缺陷或布线的断路、短路等的缺陷。具体地说，在LTPS型的TFT中，通过测定在像素中形成的存储容量的大小检测像素缺陷、布线缺陷。因此，在LTPS型的TFT中，可以不产生检查用布线区域的问题，以TFT衬底的状态进行缺陷的检查。
另一方面，即使在TFT中使用a-Si时，在TV等的大型液晶显示面板的情况下，由于各像素大，所以不设置各种检查用布线或检查用端子就能够检查像素或布线的缺陷。即，在大型的TFT衬底中，通过使全部像素成为ON状态，在例如显示区域上扫描电子束，检查各像素的表面的电位，进行像素或布线的缺陷的检测。另一方法是，通过取代扫描电子束而在TFT衬底的显示区域的表面上配置液晶组件(pack)来检测像素缺陷。
但是，在使用a-Si型TFT的液晶显示面板中，在中小型的液晶显示面板的情况下，由于各像素的尺寸小，所以不能使用上述那样的大型液晶显示面板所采用的检查方法。如果这样，必须有用来以TFT衬底的状态进行检查的布线或端子。如果不以TFT衬底的状态进行检查就不需要这样的用来检查的布线或端子。如果用来检查的布线或端子的面积大，就会产生每一片母TFT衬底上取得的TFT衬底的片数小的问题。
本发明正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于实现在可以以TFT衬底的状态进行检查的同时每一片母TFT衬底上取得的TFT衬底的片数不会减少的构成。
(用来解决问题的方案)
本发明可以克服上述问题，具体方案如下所述。
(1).一种液晶显示装置，利用在周边部形成的密封部件把具有共用布线的显示区域、具有端子部的TFT衬底以及与上述TFT衬底对置地配置的对置衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有像素电极和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上形成有驱动用端子和检查用端子，在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线、上述影像信号线和上述共用布线不连接的多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边。
(2).如(1)所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述多个布线为浮置状态。
(3).如(1)所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述多个布线用于其它的液晶显示装置的TFT衬底的检查。
(4).一种液晶显示装置，利用在周边部形成的密封部件把显示区域、具有端子部的TFT衬底以及与上述TFT衬底对置地配置的对置衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有像素电极和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上形成有驱动用端子和检查用端子，在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线或上述影像信号线不连接的多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边，上述多个布线形成在与形成了上述端子部的边相对置的边和上述显示区域之间，具有从上述多个布线延伸到上述相对置的边的引出布线。
(5).如(4)所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述多个布线隔着绝缘膜形成在上述密封部件的下层。
(6).一种液晶显示装置，利用在周边部形成的密封部件把具有共用布线的显示区域、具有端子部的TFT衬底以及与上述TFT衬底对置地配置的对置衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有像素电极和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上，形成有驱动用端子和检查用端子，在形成了上述端子部的边和上述检查用端子之间与上述边平行地配置有与上述检查用端子连接的第一多个布线，在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线、上述影像信号线和上述共用布线不连接的第二多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边。
(7).如(6)所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第一多个布线和上述第二多个布线用于上述TFT衬底的检查。
(8).一种有机EL显示装置，利用在周边部形成的密封部件把具有共用布线的显示区域、具有端子部的元件衬底以及与上述元件衬底对置地配置的密封衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有有机EL发光层和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上形成有驱动用端子和检查用端子，在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线、上述影像信号线和上述共用布线不连接的多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边。
(发明效果)
根据本发明，无需减少每一片母TFT衬底上取得的TFT衬底的片数且无需增大各TFT衬底的外形，就能够以母体TFT衬底的状态检查短路、断路等的缺陷。因此，由于无需在后续工序中对具有缺陷的衬底进行加工，所以可以提高液晶显示装置的制造效率。在有机EL显示装置的元件衬底中也是同样的。
附图说明
图1是实施例1的液晶显示装置的TFT衬底中的布线图。
图2是实施例1的母TFT衬底中的TFT衬底和检查用布线的配置图。
图3是实施例1的母TFT衬底中的TFT衬底和检查布线区域的配置图。
图4是实施例2的液晶显示装置的TFT衬底中的布线图。
图5是实施例1的母TFT衬底中的TFT衬底和检查布线区域的配置图。
图6是使用本发明的液晶显示装置的平面图。
图7是不使用本发明的液晶显示装置的TFT衬底中的布线图。
图8是不使用本发明的母TFT衬底中的TFT衬底和检查用布线的配置图。
图9是不使用本发明的母TFT衬底中的TFT衬底和检查布线区域的配置图。
图10是不具有TFT衬底检查用布线时的母TFT衬底中的TFT衬底的配置图。
(附图标记说明)
10：显示区域；15：密封部件；30：扫描线；31：扫描线引出线；40：影像信号线；41：影像信号线引出线；50：IC驱动器；51：扫描信号驱动电路；52：影像信号驱动电路；60：共用布线；100：TFT衬底；101：检查用端子；102：检查用布线；103：检查用开关；104：检查用外部端子；110：检查布线区域；120：切断路；150：端子部；200：对置衬底；201：对置电极；301：扫描线用端子；401：影像信号线用端子；601：共用布线用端子；1000：母TFT衬底；1100：定向平面
具体实施方式
在说明本发明的具体实施例之前，对使用本发明的液晶显示装置和不使用本发明时的问题进行说明。
图6是使用本发明的液晶显示装置的例子。图6是例如DSC(数码相机)等中使用的液晶显示装置，是小型且显示区域是横长的、在横方向上配置有端子部的类型的液晶显示装置。图6是使用本发明的液晶显示装置的例子，当然，除此之外，本发明还可以用于例如便携电话等中使用的显示区域是纵长的、在下方向上形成有端子部的液晶显示装置。
在图6中，在TFT衬底100上设置有对置衬底200。在TFT衬底100与对置衬底200之间夹有液晶层。利用在周边形成的密封部件15把TFT衬底100和对置衬底200接合起来。
在图6中，由于是通过向液晶显示装置的内部滴下液晶而封入的方式，所以不形成液晶的封入孔。TFT衬底100形成得比对置衬底200大，在TFT衬底100的比对置衬底200大的部分上形成有用来向液晶显示面板供给电源、影像信号、扫描信号等的端子部150。
另外，在端子部150上设置用来驱动扫描线、影像信号线等的IC驱动器50。IC驱动器50分成三个区域，在中央设置有影像信号驱动电路52，在两侧设置有扫描信号驱动电路51。
在图6的显示区域10中，未图示的扫描线在横方向上延伸，在纵方向上排列。另外，未图示的影像信号线在纵方向上延伸，在横方向上排列。扫描线通过扫描线引出线31与IC驱动器50的扫描信号驱动电路51连接。在图6中，由于显示区域10配置在液晶显示装置的中央，影像信号线引出线41配置在显示区域10的上下，因此在IC驱动器50上，影像信号驱动电路52配置在两侧。另一方面，连接扫描线和IC驱动器50的扫描线引出线31集中在画面中央。扫描线引出线31与配置在IC驱动器50中央部的扫描信号驱动电路51连接。
在图6中，从显示区域10的端部到密封部件15的内侧端部的间隔为1mm左右，密封部件15的宽度小时，则为1mm左右。因此，从显示区域10的端部到密封部件15的外侧端部的距离为2mm左右，另外，把从显示区域10的端部到密封部件15的外侧端部的区域称为边缘区域。
在图6中，在端子部150上，除了驱动IC驱动器50或液晶显示装置的驱动用端子等以外，检查用端子101通过后面说明的检查用开关与驱动用端子连接。另外，检查用端子101与在图6中所示的液晶显示装置的外侧形成的检查用布线和检查用外部端子连接。这是因为该检查用端子101可以以TFT衬底的状态进行液晶显示面板的检查。
图7是示出图6中的TFT衬底100的布线的平面图。图8是在母TFT衬底1000上排列了图7所示的TFT衬底100的状态。图7记载了相对于图6旋转了90度的状态。虽然像图6那样在产品状态下是横向的，但有时在制造工序中，像图8那样是纵向时容易制作。另外，在本发明的说明中也是，由于在母TFT衬底1000上纵向配置液晶显示装置面板时容易理解，所以这样配置。
图7是示出从母TFT衬底1000分离成一个一个的TFT衬底100之前的状态的平面图。为了容易理解布线或端子部150的状态，图7把这些部分放大示出。图7中，切断路120的内侧是一个一个的TFT衬底100。
在TFT衬底100的内侧形成有显示区域10，在显示区域10上，影像信号线40在横方向上延伸，在纵方向上排列。另外，扫描线30在纵方向上延伸，在横方向上排列。与图6纵横相反。影像信号线40通过影像信号线引出线41与影像信号线用端子401连接。扫描线30通过扫描线引出线31与扫描线用端子301连接。
在图7中，由在横方向上延伸的影像信号线40和在纵方向上延伸的扫描线30包围的区域是像素。如图7所示，像素由TFT和利用液晶形成的电容构成。像素中的TFT的漏电极与影像信号线40连接，源电极与像素电极连接。液晶层夹在像素电极与共用电极之间，在图7中被作为电容示出。
在图7中，扫描线用端子301配置在中央部，影像信号线用端子401分开地配置在扫描线用端子301的左右。在扫描线用端子组301与影像信号线用端子组401之间形成有共用布线60。共用布线60包围显示区域10和端子而环绕在TFT衬底100的周边。这是为了屏蔽TFT衬底100内而使电位稳定。在共用布线60的紧接的外侧形成共用布线用端子601。
在扫描线用端子301和影像信号线用端子401的下侧配置有检查用端子101。由于检查用端子101的检查项目有限，所以无需像影像信号线用端子401或扫描线用端子301那样多的端子。在图6中形成12个检查用端子101。利用检查用开关103使检查用端子101与扫描线用端子301或影像信号线用端子401分离。
检查用开关103如图7所示，由TFT形成。检查用端子101的最右侧的端子TG与检查用开关103的TFT的栅布线连接。因此，通过在端子TG上施加电压可以使检查用开关103通断。另外，从端子TG供给的栅电压对于全部的扫描线用端子301和影像信号线用端子401、以及检查用端子101之间的检查用开关103同时有效。
在图7中，虽然有12个检查用端子101，但1个是与检查用开关103的栅电极连接的端子TG，4个与扫描线用端子301连接，6个与影像信号线用端子401连接，1个与共用布线60连接。由于在TFT衬底100的制造工序的阶段使用图6的检查用端子101，是针对一个一个的TFT衬底100的检查，所以效率低。因此，各检查用端子101与在TFT衬底100的外侧形成的检查用布线102连接，从检查用布线102同时检查在横方向上排列的所有TFT衬底100。另外，在图7中，通过沿切断路120对TFT衬底100划线等，从母TFT衬底1000分离成一个一个的TFT衬底100。
图8是示出在一片母TFT衬底1000上形成图7所示的TFT衬底100的状态的平面图。在图8的右下形成有用来确认母TFT衬底1000的方向的定向平面1100。在图8中，省略了TFT衬底100内的布线。作为TFT衬底100内的检查用端子101示出12个，D1～D6是与影像信号线40连接的检查用端子101，G1～G3是与扫描线30连接的检查用端子101，COM是与共用布线60连接的检查用端子101，TG是与检查用开关103的栅连接的检查用端子101。
像图8所示那样，在母TFT衬底1000上形成TFT衬底100和用来检查TFT衬底100的检查布线区域110。在检查布线区域110内形成的检查用布线102的个数为9条。在母TFT衬底1000的两端形成有向检查用布线102供给电压用的检查用外部端子104。用检查用外部端子104进行TFT衬底100的检查。
在完成母TFT衬底1000并完成与另行形成的母TFT衬底1000贴合起来得到的母衬底后，沿切断路120分离成一个一个的液晶盒。此时，检查布线区域110就被废弃了。即，由于形成检查布线区域110，每片母TFT衬底1000上取得的TFT衬底100的片数减少了。
图9示出该状态。在图9中，在母TFT衬底1000上形成有横方向上9个，纵方向上从A到F共7个TFT衬底100。因此，从一片母TFT衬底1000可以取得63个TFT衬底100。在上侧TFT衬底100与下侧TFT衬底100之间形成有检查布线区域110。例如，在1AT上形成有TFT衬底1A的检查用布线102，在1BT上形成有TFT衬底1B的检查用布线102。
另一方面，在不进行母TFT衬底1000中的TFT衬底100的检查时，就不需要检查用布线102。因此，像图10所示那样，可以从一片母TFT衬底1000的取得更多的TFT衬底100。例如，在图10中，TFT衬底100的大小与图9相同时，可以从一片母TFT衬底1000取得的TFT衬底100的数目为72个。
根据以下实施例所示的本发明，可以不减少每一片母TFT衬底上取得的TFT衬底的片数，就能在母TFT衬底的状态下进行TFT衬底100的检查。
(实施例1)
图1是本发明的液晶显示装置中的TFT衬底100的平面图。图1是示意图，端子部150和检查布线区域110被放大示出。在图1中，对与图7相同的构成省略说明。与图7同样地，图1也是在以液晶显示装置为产品时，像图6所示那样以横向使用。图2是示出在母TFT衬底1000上配置了图1所示的TFT衬底100的状态的平面图。
在图1中，在由切断路120包围的TFT衬底100的下方形成有该TFT衬底100用的检查用布线102。即，在下一个TFT衬底100上形成检查布线区域110。另外，在图1中，在该TFT衬底100的上侧形成有上一个形成的TFT衬底100的检查用布线102。即，在本实施例中，检查布线区域110不在该TFT衬底100上形成，而在下一个TFT衬底100上形成。
由于TFT衬底100中的检查是在母TFT衬底1000的状态下进行的，所以只要把检查用布线102导通，检查就没有问题。另一方面，在完成母TFT衬底后，从母TFT衬底1000沿切断路120分离成一个一个的TFT衬底100。这样，检查用布线102被切断路120切断而不能工作，但由于检查用布线102已经完成任务，所以没有问题。在进行各液晶盒的检查时，使用在TFT衬底100的端子部150上形成的检查用端子101即可。
另外，在切断各个TFT衬底100后，用来检查在该衬底上残留的其它TFT衬底100的检查用布线102一般不与该TFT衬底100的扫描线30或影像信号线40连接，成为浮置状态。另外，检查用布线102与在TFT衬底上形成的共用布线60也不连接。另外，也有在TFT衬底上不形成共用布线的构成，此时检查用布线不与共用布线连接。另外，用来与上述其它的TFT衬底连接的引出布线从检查用布线102朝着TFT衬底端部设置。由于该引出布线与检查用端子交叉，所以由在与检查用布线不同的层上设置的导电层形成。
在图6所示的使用本发明的液晶显示装置中，右侧的短边与图1所示的TFT衬底100的上侧的短边相当。在图6中，由于扫描线引出线31在显示区域10的上下密封部上延伸，空间受限，所以扫描线引出线31形成到密封部件15的下面。但是，在图6中的右侧的短边上不存在扫描线引出线31。
在本发明中，通过在图6中的右侧的短边处的密封部件15的下部配置检查用布线102，确保检查用布线102的空间。即，通过使用现有技术中不使用的、图6中的右侧短边的密封部件15的下侧，无需增大TFT衬底100的外形就可以形成检查用布线102。另外，图6中的右侧短边是图1中的TFT衬底100的上侧短边。
在图1中，检查布线区域110被夸张地放大示出，但实际中可以为3mm以下。在图6中，由于从显示区域10的外侧端部到TFT衬底100的端部的边缘区域为2mm以上，所以在母TFT衬底1000中，检查布线区域110可以基本上落在配置在下一个那一侧的TFT衬底100的边缘部中。
图2是这样地配置了TFT衬底100的母TFT衬底1000的平面图。图2是示意图，把检查用端子101、检查用布线102、检查用外部端子104等放大示出，省略了TFT衬底100的显示区域10和驱动布线等。在图2中，与图8同样地，作为TFT衬底100内的检查用端子101示出12个，D1～D6是与影像信号线40连接的检查用端子101，G1～G3是与扫描线30连接的检查用端子101，COM是与共用布线60连接的检查用端子101，TG是与检查用开关103的栅连接的检查用端子101。
在图2中，用于检查特定的TFT衬底100的检查布线区域110在配置在下一个那一侧的TFT衬底100的上侧形成。该部分是与下一个那一侧的TFT衬底100中的边缘部相当的部分。在图2中，在最下面的行上排列的TFT衬底100的检查用布线102在TFT衬底100外形成。在检查布线区域110内形成的检查用布线102的个数为9条。在母TFT衬底1000的两端形成有用来向检查用布线102供给电压的检查用外部端子104。用检查用外部端子104进行TFT衬底100的检查。
即，在本发明中，由于检查用布线102在下一个那一侧的TFT衬底100上形成，所以无需废弃检查用布线102的区域，不会减少每片母TFT衬底1000上取得的TFT衬底100的片数。另外，由于上一个TFT衬底100的检查用布线102在该TFT衬底100的边缘部上形成，所以TFT衬底100的尺寸也不会增大。
图3示出像图2那样配置了TFT衬底100时母TFT衬底1000中的TFT衬底100和检查布线区域110。像图3所示那样，除了在最下面的行上配置的TFT衬底100以外，检查布线区域110形成在下侧的TFT衬底100上，所以每一片母TFT衬底上取得的TFT衬底100的片数与图10所示的没有TFT衬底100的检查用布线102时相同。
(实施例2)
实施例1是在母TFT衬底1000中，在下一个TFT衬底100上形成全部检查用布线102的构成。但有时不能收存与下一个TFT衬底100对应的边缘部的全部检查用布线102。在这样的情况下，也可以在该TFT衬底100的切断路120上或附近形成检查用布线102的一部分。
从母TFT衬底1000切离TFT衬底100时，例如，进行划线，然后施加冲击而使TFT衬底破断。在这样的情况下，如果在密封部件15的极其近处划线、冲击破断(以后称为划线)，则因密封部件15造成的应力而使破断面不规则。因此，在切断路120附近什么都不能形成，成为死空间(dead space)。在该TFT衬底100的端子部150端部也生成该死空间。
在本实施例中，在成为该死空间的划线部分上配置检查用布线102。图4示出本实施例。图4是在母TFT衬底1000上形成的TFT衬底100的平面图。在图4中，检查用布线102配置在检查用端子101附近。另外，9条检查用布线102中的4条收存在该TFT衬底100上，剩余的5条检查用布线102收存在紧接的下一个TFT衬底100上。
检查用布线102的一部分配置在切断路120即划线区域上。在该区域上配置的检查用布线102因划线而消失，但由于在划线时TFT衬底100的检查已经结束，所以没有问题。
在图4中，在该TFT衬底100的上方配置有该TFT衬底100的上一个TFT衬底100的检查用布线102中的5条，在该TFT衬底100的下方配置有该TFT衬底100的检查用布线102中的4条。在图4中，除了决定检查用布线102的位置和TFT衬底100的外形的切断路120以外，与图1相同，所以省略说明。
在切断各个TFT衬底100后，在该TFT衬底100上残留的TFT衬底100的检查用布线102通过检查用开关103与检查端子连接。但是，由于检查用开关103在该状态下为OFF(断开)，所以没有检查用布线102造成的影响。另一方面，在该TFT衬底100上残留的、其它用来检查TFT衬底100的检查用布线102不与扫描线30或影像信号线40连接，一般成为浮置状态。
图5示出本实施例中的母TFT衬底1000中的TFT衬底100和检查布线区域110的配置。该TFT衬底100的检查布线区域110配置在该检查布线区域110和下一个TFT衬底100这两者上。例如，在图5中，TFT衬底1A的检查布线区域1AT配置在TFT衬底1A的下侧和TFT衬底1B的上侧。在图5中，从每一片母TFT衬底1000取得的TFT衬底100的片数与没有用于检查TFT衬底100的检查用布线102时相同。
这样，根据本实施例，由于在划线区域上也配置有检查用布线102，所以可以更有效地利用TFT衬底100中的空间。因此，可以不增大TFT衬底100的外形，且使每一片母TFT衬底上取得的TFT衬底100的片数与不进行TFT衬底检查时相同。
(实施例3)
在实施例1和实施例2中说明了液晶显示装置。本发明并不仅限于液晶显示装置，也可以用于有机EL显示装置。有机EL显示装置由元件衬底和密封衬底构成。在元件衬底的显示区域上矩阵状地形成有由驱动用TFT、开关用TFT和有机EL发光层构成的像素。另外，扫描线在第一方向上延伸且在与第一方向成直角的第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列。而且向有机EL发光层供给电流的电源线在第二方向上延伸且在第一方向上排列。
由于在元件衬底上形成的有机EL发光层因水分而特性变差，所以用密封衬底密封并保护形成了有机EL层的元件衬底的面。在密封衬底的周边形成密封部件，用密封部件把元件衬底和密封衬底接合起来。
元件衬底形成得比密封衬底大，元件衬底的比密封衬底大的部分作为端子部。在端子部上形成有驱动用端子和检查用端子。这样，有机EL显示装置的元件衬底成为与液晶显示装置中的TFT衬底类似的构成。
为了提高制造的效率，在有机EL显示装置中也是，在母元件衬底上形成多个元件衬底，在母密封衬底上形成多个密封衬底，这也与液晶显示装置的情况相同。因此，只要能在母元件衬底的状态下检测元件衬底中的断路、短路等的缺陷，就可以大幅度提高制造的效率。即，无需对具有该缺陷的元件衬底附加后续工序。另外，可以停止把缺陷多的元件衬底送到后续工序。
通过对在有机EL显示装置中的元件衬底使用上述实施例1或实施例2等中说明的构成，可以不增大元件衬底的外形，且不减少每一片母元件衬底的元件衬底的取得数目地形成元件衬底的检查用端子或检查用布线。

Claims (8)

1.一种液晶显示装置，利用在周边部形成的密封部件把具有共用布线的显示区域、具有端子部的TFT衬底以及与上述TFT衬底对置地配置的对置衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有像素电极和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上形成有驱动用端子和检查用端子，在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线、上述影像信号线和上述共用布线不连接的多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述多个布线为浮置状态。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述多个布线用于其它液晶显示装置的TFT衬底的检查。
4.一种液晶显示装置，利用在周边部形成的密封部件把显示区域、具有端子部的TFT衬底以及与上述TFT衬底对置地配置的对置衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有像素电极和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上，形成有驱动用端子和检查用端子，在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线或上述影像信号线不连接的多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边，上述多个布线形成在与形成了上述端子部的边相对置的边与上述显示区域之间，具有从上述多个布线延伸到上述相对置的边的引出布线。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述多个布线隔着绝缘膜形成在上述密封部件的下层。
6.一种液晶显示装置，利用在周边部形成的密封部件把显示区域、具有端子部的TFT衬底以及与上述TFT衬底对置地配置的对置衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有像素电极和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上形成有驱动用端子和检查用端子，在形成了上述端子部的边与上述检查用端子之间，与上述边平行地配置有与上述检查用端子连接的第一多个布线，
在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线、上述影像信号线和上述共用布线不连接的第二多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第一多个布线和上述第二多个布线用于上述TFT衬底的检查。
8.一种有机EL显示装置，利用在周边部形成的密封部件把具有共用布线的显示区域、具有端子部的元件衬底以及与上述元件衬底对置地配置的密封衬底接合起来，上述显示区域上矩阵状地形成有具有有机EL发光层和TFT的像素，扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，影像信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，其特征在于：
在上述端子部上形成有驱动用端子和检查用端子，在与形成了上述端子部的边相对置的边那一侧，与上述扫描线、上述影像信号线和上述共用布线不连接的多个布线配置成平行于与形成了上述端子部的边相对置的边。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105321835A (zh) * 2014-08-01 2016-02-10 日东电工株式会社 挠性薄膜结构的显示元件的光学检查方法及虚拟端子单元
CN105355633A (zh) * 2015-10-26 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN105917736A (zh) * 2014-01-16 2016-08-31 凸版印刷株式会社 发光装置及发光装置的制造方法
CN108122804A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
CN108267904A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 乐金显示有限公司 显示面板
CN109856834A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 夏普株式会社 电子设备
CN110233154A (zh) * 2018-11-26 2019-09-13 友达光电股份有限公司 元件基板
CN114677927A (zh) * 2022-03-16 2022-06-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101839954B1 (ko) * 2010-12-17 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
WO2012157724A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 シャープ株式会社 アレイ基板、表示装置、液晶パネルおよび液晶表示装置
KR101906248B1 (ko) * 2012-12-13 2018-10-11 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치
WO2015075844A1 (ja) * 2013-11-20 2015-05-28 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置
JP2015169760A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、表示装置および表示装置形成基板
KR102373536B1 (ko) * 2015-01-27 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 비사각형 디스플레이
JP2017090683A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置
KR102468141B1 (ko) * 2015-12-31 2022-11-16 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI634745B (zh) * 2017-05-16 2018-09-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN111508971A (zh) * 2019-01-30 2020-08-07 夏普株式会社 有源矩阵基板以及其检查装置
CN110164935B (zh) * 2019-05-28 2022-04-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
KR20210030773A (ko) 2019-09-10 2021-03-18 삼성전자주식회사 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN111681545B (zh) * 2020-05-27 2022-03-29 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112904632A (zh) * 2021-04-02 2021-06-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示模组和显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1482508A (zh) * 2002-09-10 2004-03-17 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN1924963A (zh) * 2005-08-31 2007-03-07 三星Sdi株式会社 执行片状单元测试的oeld和使用该oeld的测试方法
US20070139312A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Kwak Won K Organic light emitting display device and mother substrate for performing sheet unit test and testing method thereof
CN101051647A (zh) * 2006-04-07 2007-10-10 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其测试方法
CN101191928A (zh) * 2006-11-29 2008-06-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件
CN101221330A (zh) * 2006-11-22 2008-07-16 卡西欧计算机株式会社 液晶显示装置
CN101334541A (zh) * 2008-07-23 2008-12-31 友达光电股份有限公司 阵列基板及其显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3667548B2 (ja) * 1998-03-27 2005-07-06 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示パネル及びその検査方法
JP2002341377A (ja) 2001-05-15 2002-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板
JP2004325956A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Sharp Corp 表示装置及びその製造方法
JP2006227291A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP5194382B2 (ja) * 2005-08-18 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100749423B1 (ko) 2006-08-09 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 검사회로구동방법
KR101306860B1 (ko) * 2006-11-07 2013-09-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100840090B1 (ko) * 2007-08-17 2008-06-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 모기판
JP5154254B2 (ja) * 2008-02-18 2013-02-27 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置、及び、表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1482508A (zh) * 2002-09-10 2004-03-17 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN1924963A (zh) * 2005-08-31 2007-03-07 三星Sdi株式会社 执行片状单元测试的oeld和使用该oeld的测试方法
US20070139312A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Kwak Won K Organic light emitting display device and mother substrate for performing sheet unit test and testing method thereof
CN101051647A (zh) * 2006-04-07 2007-10-10 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其测试方法
CN101221330A (zh) * 2006-11-22 2008-07-16 卡西欧计算机株式会社 液晶显示装置
CN101191928A (zh) * 2006-11-29 2008-06-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件
CN101334541A (zh) * 2008-07-23 2008-12-31 友达光电股份有限公司 阵列基板及其显示面板

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105917736A (zh) * 2014-01-16 2016-08-31 凸版印刷株式会社 发光装置及发光装置的制造方法
CN105321835A (zh) * 2014-08-01 2016-02-10 日东电工株式会社 挠性薄膜结构的显示元件的光学检查方法及虚拟端子单元
KR20160016593A (ko) * 2014-08-01 2016-02-15 닛토덴코 가부시키가이샤 가요성 박막 구조의 표시 셀의 광학 검사 방법 및 그 방법으로 사용되는 의사 단자 유닛
KR102454250B1 (ko) 2014-08-01 2022-10-14 닛토덴코 가부시키가이샤 가요성 박막 구조의 표시 셀의 광학 검사 방법 및 그 방법으로 사용되는 의사 단자 유닛
CN108538742B (zh) * 2014-08-01 2022-06-28 日东电工株式会社 虚拟端子单元
CN105321835B (zh) * 2014-08-01 2018-09-18 日东电工株式会社 挠性薄膜结构的显示元件的光学检查方法及虚拟端子单元
CN105355633B (zh) * 2015-10-26 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
US9804466B2 (en) 2015-10-26 2017-10-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of manufacturing array substrate and array substrate
WO2017071233A1 (zh) * 2015-10-26 2017-05-04 京东方科技集团股份有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN105355633A (zh) * 2015-10-26 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN108267904A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 乐金显示有限公司 显示面板
CN109856834A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 夏普株式会社 电子设备
CN108122804A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
WO2019114079A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板全接触式测试线路
CN110233154A (zh) * 2018-11-26 2019-09-13 友达光电股份有限公司 元件基板
CN114677927A (zh) * 2022-03-16 2022-06-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板
CN114677927B (zh) * 2022-03-16 2023-08-22 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板

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