CN1743934A

CN1743934A - 有源器件矩阵基板及其修补方法

Info

Publication number: CN1743934A
Application number: CN 200510114005
Authority: CN
Inventors: 林祥麟; 林敬桓; 黄国有
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2005-10-13
Filing date: 2005-10-13
Publication date: 2006-03-08
Anticipated expiration: 2025-10-13
Also published as: CN100365496C

Abstract

一种有源器件矩阵基板，包括一基板、多条扫描线、多条数据线以及多个像素单元。扫描线与数据线皆配置于基板上，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线具有一第一线段、一第二线段以及一连接第一线段与第二线段的连接线段。像素单元配置于基板上，且分别与对应的扫描线及数据线电连接，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线的第一线段与第二线段分别位于与其相邻的二像素单元的下方。

Description

有源器件矩阵基板及其修补方法

技术领域

本发明涉及一种有源器件矩阵基板(active device matrix substrate)及其修补方法，尤其涉及一种能改善液晶显示面板的显示品质的有源器件矩阵基板及其修补方法。

背景技术

早期以阴极射线管(cathode ray tube，CRT)制造的显示装置具有体积大、重量重、辐射量高及画质较差等缺点，因此新的平面显示技术便不断被开发出来。这些新开发出的平面显示器具有轻薄、省电、低辐射、全彩色等优点，包括液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、等离子体显示器(plasma displaypanel，PDP)、有机电致发光显示器(organic electroluminescent display，OELD)等。其中，这些新开发出的平面显示器里，又以液晶显示器最为普遍，技术最为成熟，举凡手机、数字相机、笔记本计算机、液晶电视等都有其应用范围。一般而言，液晶显示器主要包括一液晶显示面板与一背光模块。液晶显示面板主要包括一薄膜晶体管阵列基板与一彩色滤光基板。

图1A为绘示现有薄膜晶体管数组基板的结构示意图。图1B为绘示图1A的薄膜晶体管阵列基板沿剖面线a-b的剖面示意图，而图2为绘示利用图1A的薄膜晶体管阵列基板制成的液晶显示面板的结构示意图。请先同时参照图1A与图1B，薄膜晶体管阵列基板100包括一玻璃基板110、多条扫描线120、多条数据线130、多个像素单元140以及至少一修补线150(如图2所示)。其中，扫描线120、数据线130、像素单元140以及修补线150皆配置于玻璃基板110上，且像素单元140与对应的扫描线120及数据线130电连接，而每一像素单元140包括一薄膜晶体管142以及一透明导电电极(例如铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO))144。

薄膜晶体管阵列基板100在制造的过程中难免会产生一些断线瑕疵。这些断线瑕疵可通过阵列测试(array test)工艺检测出，并可在修补工艺中以激光化学气相沉积法(laser chemical vapor deposition，laser CVD)将其修复。然而并非所有的断线瑕疵都适用激光化学气相沉积法来修补。例如使用低介电绝缘层的高开口率工艺或当断线瑕疵是在组成液晶盒(cell)后才检测到等情况。

数据线130与透明导电电极144之间的杂散电容C_pd(Capacitancebetween pixel and data line)，是影响开口率的主要因素之一，当杂散电容C_pd的效应过大时，透明导电电极144上所保持的电荷，容易受相邻数据线130影响，而产生串扰(cross talk)效应。为减少杂散电容C_pd效应并增加开口率，已有许多种方法被研究，其中一种方法是在数据线130与透明导电电极144之间加一层低介电常数的绝缘层(insulator layer)(未绘示)，此绝缘层介电常数(dielectric constant)为3.5时在数据线上的厚度约1到3微米以上，可以让透明导电电极144跨上数据线130而增加开口率。上述方法使用的低介电绝缘层(insulator layer)，可包括有机、无机、感光(photo-sensitivity)与非感光(nonphoto-sensitivity)材料等。在工艺中为有效减低杂散电容C_pd效应，透明导电电极144与数据线130之间的绝缘层，厚度常须要1～3微米(μm)以上，当在工艺中发生数据线130断线时，使用传统正面修补的方式，必须挖穿1～3微米(μm)厚的绝缘层，才能修补断路的数据线130，因此容易在修补的过程中产生其它的缺陷，影响到修补位置附近透明导电电极144的正常显示。

此外，当断线瑕疵是在薄膜晶体管基板100与彩色滤光基板(未绘示)组装完毕，并注入液晶(未绘示)后才检测到时，由于断线发生的薄膜晶体管阵列(TFT array)端已被包覆在整个液晶盒(cell)中，因此并不能用激光化学气相沉积法在断线的上方做修补，为了避免在液晶显示面板(未绘示)上形成亮线，有另外的修补方式是通过薄膜晶体管阵列基板100的修补线150将液晶显示面板修复。

请参照图2，液晶显示面板200以上述的薄膜晶体管阵列基板100制成，且具有多条扫描线120、多条数据线130以及一修补线150。当发现液晶显示面板200有断线的瑕疵时，就必须通过修补线150进行修补。举例而言，当在液晶显示面板200上检测到一受损的数据线130时，可分别在熔接点150a与150b以激光熔接修补线150与此受损的数据线130，使此受损的数据线130可经由修补线150而恢复大部分的功能。

然而，由于液晶显示面板200的修补线150通常有数量的限制，所以能修复断裂的数据线130数就有所限制，当出现多条以上的断线瑕疵或是一条数据线130上有两处以上的断点时，液晶显示面板200就无法修复，使能修复的断线瑕疵的数目受到限制。此外，面板的尺寸越来越大，修补线150的长度也越来越长，导致当信号经过长距离的传递后容易出现信号延迟与信号衰减的现象，致使液晶显示面板200的显示画面不佳。

发明内容

有鉴于上述，本发明的目的是提供一种能改善液晶显示面板的显示品质的有源器件矩阵基板。

本发明的另一目的是提供一种能修复多条数据线断线或单条数据线发生两处以上的断路，且可避免信号延迟与信号衰减的有源器件矩阵基板的修补方法；同时由于本发明可以在有源器件矩阵基板的背部做修补，能减少修补时产生的其它缺陷。

本发明提出一种有源器件矩阵基板，包括一基板、多条扫描线、多条数据线以及多个像素单元。扫描线与数据线皆配置于基板上，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线具有一第一线段、一第二线段以及一连接第一线段与第二线段的连接线段。像素单元配置于基板上，且分别与对应的扫描线及数据线电连接，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线的第一线段与第二线段分别位于与其相邻的二像素单元的下方。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中每一像素单元例如包括一有源器件以及一像素电极。像素电极通过有源器件与对应的扫描线及数据线电连接。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线的第一线段与第二线段分别位于与其相邻的二像素电极的下方。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，例如还包括多条配置于基板上的公共线，该公共线可与该扫描线同时在基板上形成，其中每一像素电极与对应的公共线构成一储存电容。

依依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中像素电极例如为一矩形电极。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中像素电极具有两个第一电极部份，分别位于一第一参考线两侧且彼此连接，且这些第一电极部份对称于第一参考线。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中这些第一电极部份的形状例如为平行四边形。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中每一第一电极部份具有两个第二电极部份，分别位于一第二参考线两侧且彼此连接，且这些第二电极部份对称于第二参考线。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中这些第二电极部份的形状例如为平行四边形。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，还包括多组配置于基板上的修补线组，其中每一修补线组对应于其中一个连接线段，且每一修补线组例如包括一第一修补线以及一第二修补线。第一修补线以及第二修补线与数据线电绝缘，且第一修补线与第二修补线分别位于对应的连接线段的对侧，这些修补线及连接线段是在与数据线非同一层的金属线形成时一并形成的。在本发明举出的案例中，第一修补线、第二修补线以及连接线段是在制作扫描线时一起形成的，因此第一修补线与第二修补线的末端分别位于对应的数据线第一线段与第二线段下方。

依照本发明优选实施例所述的有源器件矩阵基板，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线旁的第一修补线与第二修补线分别位于与其相邻的二像素电极的下方。

本发明提出一种有源器件矩阵基板的修补方法，采用激光熔接法(laserwelding)，在有源器件矩阵基板的背部进行修补。修补方法包括使第一修补线的末端或第二修补线的末端与对应的第一线段以及第二线段焊接，让数据信息能通过修补线的连接继续传递。且由于每一个像素单元中的数据线都有相对应的修补线，因此可以针对每一个发生缺陷的单元做修补。

综上所述，在本发明的有源器件矩阵基板中，任二相邻扫描线之间，每一数据线的第一线段与第二线段分别位于与其相邻的二像素电极的下方，这些像素电极与数据线间隔着一层或多层，有机或非有机、感光或非感光的绝缘层(insulator layer)，配合点反转(dot innversion)或行反转(column inversion)等驱动方式后可抵消寄生电容的效应，以改善液晶显示面板的显示品质。此外，每一个像素单元都有对应的修补机制，可修复多条断线，且相较于绕越显示区域的外围走线修补法，本发明提出的有源器件矩阵基板的修补方法更不容易造成信号延迟与信号衰减。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A为绘示现有技术一薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。

图1B为绘示图1A的薄膜晶体管阵列基板沿剖面线a-b的剖面示意图。

图2为绘示利用图1A的薄膜晶体管阵列基板制成的液晶显示面板的结构示意图。

图3A为绘示本发明第一实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。

图3B、图3C与图3D分别为绘示图3A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。

图3E为绘示图3A的有源器件矩阵基板的修补方法示意图。

图4A为绘示本发明第二实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。

图4B、图4C与图4D分别为绘示图4A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。

图5A为绘示本发明第三实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。

图5B、图5C与图5D分别为绘示图5A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。

图6A为绘示本发明第四实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。

图6B、图6C与图6D分别为绘示图6A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。

图7A为绘示本发明第五实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。

图7B、图7C与图7D分别为绘示图7A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。

图8A为绘示本发明第六实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。

图8B、图8C与图8D分别为绘示图8A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。

图9A为绘示本发明第七实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。

图9B、图9C与图9D分别为绘示图9A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。

主要组件符号说明

100：薄膜晶体管阵列基板

110：玻璃基板

120、320：扫描线

130、330、430、530、630、730、830、930：数据线

140、340、440、640、740：像素单元

142：薄膜晶体管

144：透明导电电极

150：修补线

150a、150b、332a、332b、332a’、332a”、334a、334b、334b’、33b”、432a、432b、434a、434b、532a、532b、534a、534b：熔接点

200：液晶显示面板

300、400、500、600、700、800、900：有源器件矩阵基板

310：基板

330a：断线处

332、432、532、632、732、832、932：第一线段

334、434、534、634、734、834、934：第二线段

336、436、536：连接线段

342：有源器件

344、444、644、744：像素电极

350、450、550、650、750：修补线组

352、452、552、652、752：第一修补线

354、454、554、654、754：第二修补线

460、660、760：公共线

644a、644b、744a、744b：第一电极部份

644c、744c：第一参考线

744a’、744b’：第二电极部份

744c：第二参考线

a、b、c：局部区域

具体实施方式

第一实施例

图3A为绘示本发明第一实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。图3B、图3C与图3D分别为绘示图3A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。请同时参照图3A至图3D，本实施例的有源器件矩阵基板300包括一基板310、多条扫描线320、多条数据线330以及多个像素单元340。以下将针对基板310、扫描线320、数据线330以及像素单元340的相对位置、细部结构以及材料作进一步说明。

基板310例如为玻璃基板、石英基板或是其它适当材料的基板。扫描线320配置于基板310上，可为铝合金配线或是其它适当导电材料所形成的配线。数据线330配置于基板310上，可为铬金属线、铝合金线或是其它适当导电材料所形成的配线。在任二相邻扫描线320之间，每一数据线330具有一第一线段332、一第二线段334以及一连接线段336，而连接线段336连接第一线段332与第二线段334。像素单元340配置于基板310上，且分别与对应的扫描线320及数据线330电连接，其中在任二相邻扫描线320之间，每一数据线330的第一线段332与第二线段334分别位于与此数据线330相邻的二像素单元340的下方。

在本实施例中，像素单元340包括一有源器件342以及一像素电极344。有源器件342例如为一薄膜晶体管或是其它具有三端子的开关组件(tri-polarswitching device)。像素电极344通过有源器件342与对应的扫描线320及数据线330电连接，此像素电极344例如是一透射电极(transmissive electrode)、反射电极(reflective electrode)或是半透射半反射电极(transflective electrode)，而像素电极344的材料可为铟锡氧化物、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、金属或是其它透明或不透明的导电材料。此外，在任二相邻扫描线320之间，每一数据线330的第一线段332与第二线段334分别位于与此数据线330相邻的二像素电极344的下方。

为使有源器件矩阵基板300的数据线330断裂时能够被修复，本实施例的有源器件矩阵基板300包括多组修补线组350，这些修补线组340配置于基板310上。每一修补线组340对应一个连接线段336配置，且每一修补线组350包括一第一修补线352以及一第二修补线354。第一修补线352与第二修补线354的材料例如为铝合金或是其它适当导电材料，且分别位于对应的连接线段336的对侧，而第一修补线352与第二修补线354的末端分别位于对应的第一线段332与第二线段334下方。再者，在任二相邻扫描线320之间，每一数据线330旁的第一修补线332与第二修补线334分别位于与此数据线330相邻的两像素电极344下方。值得一提的是，第一修补线332、第二修补线334以及连接线段336是与数据线330不同时形成的，第一修补线332、第二修补线334以及连接线段336可以在制作扫描线320、遮光层(shielding layer)(未绘示)或公共线(common line)(未绘示)时一并形成。

当数据线330之一断裂时，可以利用修补线组350的第一修补线352或第二修补线354将有源器件矩阵基板300修复。有源器件矩阵基板300的修补方法是使第一修补线352的末端或第二修补线354的末端与对应的第一线段332以及第二线段334焊接。以下将更详细地说明修补的方法。

图3E绘示图3A的有源器件矩阵基板的修补方法示意图。请参照图3E，当有源器件矩阵基板300上的一数据线330断裂，断裂的位置标示为断线处330a时，可以用激光熔接的方法进行修补。当检查到图3E标示的局部区域a中，有一数据线330断裂，且断线处330a位于熔接点332a至熔接点332b之间(或位于熔接点332b至熔接点334b之间)时，可以先在熔接点332a以激光熔接第一线段332与第一修补线352的一末端，并且在熔接点334b以激光熔接第二线段334与第一修补线352的另一末端，如此电流即可沿着第一修补线352使数据线330导通。

在另一种情形下，如果此显示面板是以点反转(dot inversion)或行反转(column inversion)方式驱动，当熔接点332a与334b被激光熔接后，由于数据线330经由第一修补线352导通，且像素电极344覆盖在此第一修补线352上，因此在局部区域a右边的像素电极344与局部区域a中的第一修补线352间也会有寄生电容C_pd产生。为了平衡此寄生电容C_pd，可以在图3E标示的局部区域b中，在熔接点332b’以激光熔接第一线段332与第二修补线354之一末端，并且在熔接点334a’以激光熔接第二线段334与第二修补线354的另一末端。如此，在局部区域a与局部区域b之间，像素电极344与左边的第一修补线352间的寄生电容C_pd会相同于与左边的第二修补线354间的寄生电容C_pd。当有源器件矩阵基板300的驱动方式是采用点反转或行反转等驱动方式，这个像素电极344两边的寄生电容C_pd的效应就可以相互抵消。

承上所述，若断线处330a位于熔接点334a至熔接点334b之间或位于熔接点334b至熔接点332b之间时，可以先在熔接点332b以激光熔接第一线段332与第二修补线354的一末端，并且在熔接点334a以激光熔接第二线段334与第二修补线354的另一末端。在熔接点332b与334a做激光熔接后，必须在图3E标示的局部区域c中，在熔接点332a”以激光熔接第一线段332与第一修补线352的一末端，并且在熔接点334b”以激光熔接第二线段334与第一修补线352的另一末端。以下将进一步说明配置修补线组350的优点。

由于每一修补线组350对应一个连接线段336配置，其中第一修补线352与第二修补线354分别位于对应的连接线段336的对侧，且第一线段352与第二线段354的末端分别位于对应的第一线段332与第二线段334下方。第一修补线352与第二修补线354可用以修补断裂的数据线330，也可用以遮挡漏光。就修补的功能而言，与现有技术相比，不论有源器件矩阵基板300中的像素显示区有几条数据线330断裂，这些断裂的数据线330都可被修复。修复后的有源器件矩阵基板300也不会有信号延迟与信号衰减的问题。

此外，这些修补的动作并不需用到激光化学气相沉积的方式，而是利用激光熔接法(laser welding)，可以在组成液晶盒后由玻璃的背部进行激光熔接修补。因此在使用低介电绝缘层(厚度1～3微米以上)的高开口率工艺，与当断线瑕疵是在组成液晶盒(cell)后才检测到时，都可利用本发明做修补。

值得一提的是，本实施例虽以第一线段332、第二线段334以及连接线段336为直线进行说明，但在其它实施例中也可视需求而为不同的形状。

第二实施例

图4A绘示本发明第二实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。图4B、图4C与图4D分别绘示图4A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。请同时参照图4A至4D，本实施例的有源器件矩阵基板400与第一实施例的有源器件矩阵基板300类似。本实施例的有源器件矩阵基板400包括一基板310、多条扫描线320、多条数据线430以及多个像素单元440。

基板310以及扫描线320与第一实施例中所述相同。在任二相邻扫描线320之间，每一数据线430包括第一线段432、第二线段434以及一连接线段436，且第一线段432与第二线段434为近似C字形的线段或近似U字形的线段，而直线状的连接线段436连接第一线段432与第二线段434。位于扫描线320一侧的第一线段432与位于扫描线320另一侧的第二线段434则以一直线状的连接线段436连接。修补线组450的第一修补线452以及第二修补线454则配合第一线段432、第二线段434以及连接线段436弯折成近似C字形的线段或近似U字形的线段，以使第一修补线452的末端分别位于对应的第一线段432下方，且使第二修补线454的末端分别位于对应的第二线段434下方。此外，有源器件矩阵基板400包括多条公共线460，这些公共线460配置于基板310上，其可以与扫描线320同时形成，且可为铝合金配线或是其它适当导体材料所形成的配线，而每一矩形状的像素电极444与对应的公共线460构成一储存电容。

与第一实施例相同，在任二相邻扫描线320之间，每一数据线430的第一线段432与第二线段434分别位于与此数据线330相邻的二像素单元440的下方。更详细而言，每一数据线430的第一线段432与第二线段434分别位于与此数据线330相邻的二像素电极444的下方。因此在配合点反转或行反转等驱动方式后，以有源器件矩阵基板400制作的液晶显示面板(未绘示)的显示不均现象可获得改善。

当在有源器件矩阵基板400中有一数据线430断裂时，可以用激光熔接的方法进行修补。举例而言，若数据线430断裂的位置位于第一线段432上，则先在熔接点432a以激光熔接第一线段432与第一修补线452的一末端，并且在熔接点432b以激光熔接第一线段432与第一修补线452的另一末端。然后，在覆盖此第一修补线452的像素电极444的斜对角位置，将第二修补线454的两末端分别熔接于覆盖此第二修补线454的第二线段434。如此，寄生电容C_pd的效应就可以藉由点反转或行反转等驱动方式而被相互抵消。

本实施例的有源器件矩阵基板400所具有的优点与第一实施例中所述相同，故在此不再重述。

第三实施例

图5A绘示本发明第三实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。图5B、图5C与图5D分别绘示图5A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。请同时参照图5A至图5D，本实施例的有源器件矩阵基板500与第二实施例的有源器件矩阵基板400类似，不同之处在于：在任二相邻扫描线320之间，每一数据线530具有一第一线段532、一第二线段534以及两连接线段536。这两个连接线段536皆为直线，且连接近似C字形或近似U字形的第一线段532与第二线段534。位于扫描线320一侧的第一线段532与位于扫描线320另一侧的第二线段534则以两个直线的连接线段536连接。修补线组550的第一修补线552的末端分别位于对应的第一线段532下方，且使第二修补线554的末端分别位于对应的第二线段534下方。

第二实施例与第三实施例的差别，在于数据线530与扫描线320或数据线530与公共线460的交接区(cross over)。第三实施例的数据线530有两处跨越扫描线320与公共线460，因此当断路是发生在交接区(cross over)的某一段时，可以通过另一段继续传送数据。其它的有源器件矩阵基板500的修补方法与上述的有源器件矩阵基板400的修补方法相同，而有源器件矩阵基板500具有的优点与第一实施例中所述相同，故在此皆不再重述。

第四实施例

图6A绘示本发明第四实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。图6B、图6C与图6D分别绘示图6A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。请同时参照图6A至图6D，本实施例的有源器件矩阵基板600与第三实施例的有源器件矩阵基板500的变形，不同之处在于：在本实施例中，像素单元640的像素电极644具有分别位于一第一参考线644c两侧且彼此连接的第一电极部份644a、644b，这些第一电极部份644a、644b对称于第一参考线644c，而第一电极部份644a、644b的形状例如为平行四边形。

此外，数据线630的第一线段632与第二线段634近似C字形，且第一线段632与第二线段634沿着像素电极644边缘弯折，以使第一线段632与第二线段634分别位于与此数据线630相邻的二像素电极444的下方。修补线组650的第一修补线652以及第二修补线654也沿着像素电极644边缘弯折，以使第一修补线652的末端分别位于对应的第一线段632下方，且使第二修补线654的末端分别位于对应的第二线段634下方。

有源器件矩阵基板600的修补方法与上述的有源器件矩阵基板400的修补方法相同，而有源器件矩阵基板600具有的优点与第一实施例中所述相同，故在此皆不再重述。

第五实施例

图7A绘示本发明第五实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。图7B、图7C与图7D分别绘示图7A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。请同时参照图7A至7D，本实施例的有源器件矩阵基板700与第四实施例的有源器件矩阵基板600类似，不同之处在于：在本实施例中，像素单元740的像素电极744具有分别位于一第一参考线744c两侧且彼此连接的第一电极部份744a、744b，这些第一电极部份744a、744b对称于第一参考线744c，而第一电极部份744a、744b的形状为平行四边形。此外，第一电极部份744a、744b分别具有分别位于一第二参考线744c’两侧且彼此连接的第二电极部份744a’、744b’，这些第二电极部份744a’、744b’对称于第二参考线744c’，且第二电极部份744a’、744b’的形状为平行四边形。数据线730的第一线段732与第二线段734的形状相同，且都沿着像素电极744的边缘弯折，以使第一线段732与第二线段734分别位于与此数据线730相邻的二像素电极744的下方。修补线组750包括两条第一修补线752以及两条第二修补线754。这两条第一修补线752的末端皆位于对应的第一线段732下方，而这两条第二修补线754的末端皆位于对应的第一线段734下方。

有源器件矩阵基板700的修补方法与上述的有源器件矩阵基板400的修补方法类似。举例而言，若数据线730的断裂处位于第一线段732上，则先以激光熔接对应的第一修补线752的两端，再在覆盖此第一修补线752第一电极部份744a的斜对角位置，将第一修补线752熔接于覆盖此第一修补线752的第一线段732。

有源器件矩阵基板700具有的优点与第一实施例中所述相同，故在此皆不再重述。

第六实施例

图8A绘示本发明第六实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。图8B、图8C与图8D分别绘示图8A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。请同时参照图8A至图8D，本实施例的有源器件矩阵基板800为第五实施例的有源器件矩阵基板700的变形。在有源器件矩阵基板700中，第一线段732与第二线段734的形状相同，但在有源器件矩阵基板800中，数据线830的第一线段832与第二线段834的形状相互对称，其余部份则相同于有源器件矩阵基板700。

有源器件矩阵基板800的修补方法与上述的有源器件矩阵基板700的修补方法相同，而有源器件矩阵基板800具有的优点与第一实施例中所述相同，故在此皆不再重述。

第七实施例

图9A绘示本发明第七实施例的有源器件矩阵基板的结构示意图。图9B、图9C与图9D分别绘示图9A的有源器件矩阵基板沿剖面线a-b、c-d与e-f的剖面示意图。请同时参照图9A至图9D，本实施例的有源器件矩阵基板900与第五实施例的有源器件矩阵基板700类似，不同之处在于：在本实施例中，第一线段932的形状近似C字形，而第二线段934的形状近似数字3。此外，不同于如图7A中的有源器件矩阵基板700具有两条第一修补线752以及两条第二修补线754，图9A中的有源器件矩阵基板900具有一条第一修补线752以及一条第二修补线754。

有源器件矩阵基板900的修补方法与上述的有源器件矩阵基板400的修补方法相同，而有源器件矩阵基板900具有的优点与第一实施例中所述相同，故在此皆不再重述。

综上所述，本发明的有源器件矩阵基板及其修补方法至少具有下列优点：

一、本发明所提出的有源器件矩阵基板中，修补线是在与数据线非同一层的金属线形成时一起成形的。在本发明举出的实施例中，修补线是在制作扫描线时一起成形的，另外，修补线可在制作其它遮光层(shielding layer)或公共电极层(common line)时一起成形。以本发明提出的有源器件矩阵基板的修补方法修复断线瑕疵，可修补多条断线或单条数据线有两处以上的断点，另外还不会成信号延迟、信号衰减的问题。

二、本发明的修补动作可不需用到激光化学气相沉积的方式，而是利用激光熔接法(laser welding)，可以在组成液晶盒(cell)后由玻璃的背部进行激光熔接修补。因此在使用低介电绝缘层的高开口率工艺，或当断线瑕疵是在组成液晶盒后才检测到时，本发明皆可做修补。

三、在本发明提出的有源器件矩阵基板中，任二相邻扫描线之间，每一数据线的第一线段与第二线段分别位于与其相邻的二像素电极的下方，配合点反转或行反转(column inversion)等驱动方式可抵消寄生电容的效应，以改善液晶显示面板的显示品质。

虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims

1.一种有源器件矩阵基板，包括：

一基板；

多条扫描线，配置于该基板上；

多条数据线，配置于该基板上，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线具有一第一线段、一第二线段以及一连接该第一线段与该第二线段的连接线段；以及

多个像素单元，配置于该基板上，且分别与对应的该扫描线及该数据线电连接，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线的该第一线段与该第二线段分别位于与其相邻的二像素单元的下方。

2.如权利要求1所述的有源器件矩阵基板，其中每一像素单元包括：

一有源器件；以及

一像素电极，通过该有源器件与对应的扫描线及数据线电连接。

3.如权利要求2所述的有源器件矩阵基板，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线的该第一线段与该第二线段分别位于与其相邻的二像素电极的下方。

4.如权利要求2所述的有源器件矩阵基板，还包括多条公共线，配置于该基板上。

5.如权利要求2所述的有源器件矩阵基板，其中该像素电极为一矩形电极。

6.如权利要求2所述的有源器件矩阵基板，其中该像素电极具有二第一电极部份，分别位于一第一参考线两侧且彼此连接，且所述第一电极部份对称于该第一参考线。

7.如权利要求6所述的有源器件矩阵基板，其中所述第一电极部份的形状为平行四边形。

8.如权利要求6所述的有源器件矩阵基板，其中每一第一电极部份具有二分别位于一第二参考线两侧且彼此连接的第二电极部份，且所述第二电极部份对称于该第二参考线。

9.如权利要求8所述的有源器件矩阵基板，其中所述第二电极部份的形状为平行四边形。

10.如权利要求2所述的有源器件矩阵基板，还包括多组配置于该基板上的修补线组，其中每一修补线组对应于其中一个连接线段，且每一修补线组包括：

一第一修补线；以及

一第二修补线，其中该第一修补线以及该第二修补线与该数据线电绝缘，且该第一修补线与该第二修补线分别位于对应的该连接线段的对侧。

11.如权利要求10所述的有源器件矩阵基板，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线旁的该第一修补线与该第二修补线分别位于与其相邻的二像素电极的下方。

12.一种有源器件矩阵基板的修补方法，适于修补权利要求11所述的有源器件矩阵基板中的数据线，该有源器件矩阵基板的修补方法包括连接该第一修补线的末端或该第二修补线的末端与对应的该第一线段以及该第二线段。

13.如权利要求12所述的有源器件矩阵基板的修补方法，其中连接该第一修补线的末端或该第二修补线的末端与对应的该第一线段以及该第二线段包括激光熔接该第一修补线的末端与对应的该第一线段和/或该第二线段。

14.如权利要求12所述的有源器件矩阵基板的修补方法，其中连接该第一修补线的末端或该第二修补线的末端与对应的该第一线段以及该第二线段包括以激光熔接该第二修补线的末端与对应的该第一线段和/或该第二线段。