CN1885114A - 显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示装置 - Google Patents

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CN1885114A CNA2006100900496A CN200610090049A CN1885114A CN 1885114 A CN1885114 A CN 1885114A CN A2006100900496 A CNA2006100900496 A CN A2006100900496A CN 200610090049 A CN200610090049 A CN 200610090049A CN 1885114 A CN1885114 A CN 1885114A
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Abstract

本发明公开了一种显示装置，该显示装置包括银钼合金电极，该银钼合金电极具有与退火温度无关的高反射率。显示器可具有第一显示基板、第二显示基板、以及液晶层。第一显示基板包括设置在第一显示基板上的多个信号施加模块(例如，TFT)，每个信号施加模块均包括用于输出数据信号的输出端；图样化绝缘层，具有用于露出输出端的接触孔；以及由银和钼制成的银钼合金电极，电连接至所述输出端。在显示装置中采用银钼合金电极，从而提高了显示装置的反射率，并提高了通过显示装置显示的图像的显示质量。

Description

显示基板及其制造方法和 具有该显示基板的显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示基板、该显示基板的制造方法、以及具有该显示基板的显示装置。更具体地，本发明涉及一种可提高图像显示质量的显示基板、该显示基板的制造方法、以及具有该显示基板的显示装置。
背景技术
通常，显示装置将经过信息处理装置处理的信息转换成图像。
显示装置的实例包括阴极射线管(CRT)型显示装置、液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置等。
液晶显示(LCD)装置根据光的使用方法被分成三种类型：透射型LCD装置、反射型LCD装置、以及透反射型LCD装置。
透射型LCD装置利用从安装在LCD装置中的内部灯提供的光来显示图像。反射型LCD装置利用从外部(例如，太阳、灯、或其他照明装置)提供的光来显示图像。透反射型LCD装置利用安装在LCD装置中的灯内部提供的光和/或从外部提供的光来显示图像。
透射型LCD装置包括透明且导电的透明电极，而反射型LCD装置包括反射率大于透明电极的反射电极。透反射型LCD装置包括透明电极和反射电极。
当反射型LCD装置或透反射型LCD装置的反射电极均包括具有高反射率的铝或铝合金(例如，由铝或铝合金制成的反射电极)时，在反射电极的表面上(例如，在形成于反射电极之上的定向层的固化工艺过程中)可能形成突起(hillock)，并且在反射电极和透明电极之间可能发生电偶腐蚀(galvanic corrosion)。
由于铝膜的低电阻率、低成本、高附着性、以及良好的图样化能力，其非常适于制造电极和电线。然而，A1膜和显示面板的基板或层之间热膨胀的不匹配使得加热时在A1膜中产生很大的压应力，并且为了释放应力而导致突起(或纤维状结晶(whisker))的形成。
为了防止电偶腐蚀的问题，可在反射电极和透明电极之间形成防腐蚀层。然而，防腐蚀层的形成需要在制造工艺中大量地增加制造步骤的数量，这增加了制造成本。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种具有银钼合金电极并可提高图像显示质量的显示基板。
本发明的一个方面提供了一种该显示基板的制造方法。
本发明的另一方面提供了一种具有该显示基板的显示装置。
在本发明的一个方面中，显示基板包括银钼合金电极(例如，每个像素一个)。显示基板可包括信号施加模块(例如，薄膜晶体管，TFT)、图样化绝缘层、以及银钼合金电极。信号施加模块设置在基板上，并包括用于输出数据信号的输出端(例如，TFT晶体管的漏极端)。图样化绝缘层具有露出该输出端的接触孔。银钼合金电极电连接至该输出端，并具有银和钼。
在本发明的另一方面，为了制造显示基板，在基板上(例如，对每个像素)形成信号施加模块，该信号施加模块包括用于输出数据信号的输出端；穿过用于覆盖信号施加模块的绝缘层来形成用于露出一部分输出端的接触孔，从而形成图样化绝缘层；然后在图样化绝缘层上形成电连接至输出端的银钼合金层。将银钼合金层图样化，从而(例如，在显示器的每个像素处)形成银钼合金电极。
在本发明的另一方面，显示装置包括第一显示基板(包括银钼合金电极)，并可进一步包括第二显示基板和液晶层。第一显示基板包括：在第一基板上的针对每个像素的信号施加模块(例如，TFT晶体管)(该信号施加模块包括用于输出数据信号的输出端)；图样化绝缘层，具有用于露出该输出端的接触孔；以及银钼合金电极(由银和钼制成)，电连接至该输出端。第二显示基板包括共电极，该共电极设置在面向第一基板的第二基板上。共电极面向银钼合金电极。液晶层置于第一和第二显示基板之间。
下面将参照附图更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以多种不同的方式来实现而不应理解为局限于在此描述的实施例；相反，提供这些实施例是为了对本领域的技术人员来说，使得本发明充分公开并且完全覆盖本发明的范围。附图中，为清楚起见，扩大了层和区域的厚度。在整个说明书中，相同的标号表示相似或相同的元件。应该理解的是，当诸如层、区域、或基板的元件被称为“位于”、“在”、或“到”另一元件上时，其可直接位于另一元件上或也可存在中间元件。
附图说明
通过结合附图对本发明典型实施例的详细描述，本发明的上述和其他特性和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是根据本发明典型实施例的显示基板的一个像素区域的平面图；
图2是沿图1的线I-I′截取的横截面图；
图3是根据本发明另一的显示基板的像素区域的横截面图；
图4是显示基板的横截面图，用于示出根据本发明典型实施例的制造方法；
图5是示出在图1、图2、图3、以及图4中所示的典型的信号施加模块120中形成的晶体管(TFT)等效电路图；
图6是示出在图4中的基板105上形成的图样化绝缘层的横截面图；
图7是示出在图6中所示的图样化绝缘层上形成的银钼合金电极的横截面图；
图8是用于对根据本发明典型实施例的银钼合金层进行粘附性测试的测试板的平面图；
图9是处于测试中的图8的部分测试板的横截面图，用于示出执行图8中的粘附性测试的方法；
图10是示出根据本发明典型实施例的银钼合金层在退火之前(菱形)和退火之后(三角形)的色坐标的示意图；
图11示出了四幅扫描电子显微镜(SEM)照片，其示出在退火前后纯银层和根据本发明典型实施例的银钼合金层；
图12A、图12B、图12C、以及图12D是示出银钼合金层的蚀刻特性的SEM照片；
图13是示出银钼合金层的阶梯覆盖(step coverage)的SEM照片；
图14是第一基板的横截面图，其示出在根据本发明典型实施例的图样化绝缘层上形成的定向层(alignment layer)；
图15是第一基板的横截面图，其示出根据本发明另一典型实施例的显示基板的制造方法；以及
图16是根据本发明典型实施例的装配好的显示装置(包括第一显示基板、第二显示基板、以及液晶层)的横截面图。
具体实施方式
显示基板
图1是根据本发明典型实施例的显示基板的平面图。图2是沿图1的线I-I′截取的横截面图。
参照图1和图2，显示基板100包括基板105、具有输出端110的信号施加模块120、图样化绝缘层130、以及银钼合金电极140。
基板105可由诸如玻璃或其他可使光穿过的基板材料形成。
信号施加模块120设置在基板105上。信号施加模块120输出从外部提供的图像数据。
如图2中更为具体所示，信号施加模块120包括具有栅电极GE的栅极线GL、栅极绝缘层GIL、沟道图样CP、具有源电极SE的数据线DL、以及输出端110。
当包括显示基板100的三色显示器具有1024×768的像素分辨率时，多条(768)栅极线GL，以大致垂直于第二(垂直)方向的第一(水平)方向彼此大致平行地延伸；多条(1024×3)数据线DL(每条数据线包括768个源电极SE)，沿第二(垂直)方向彼此大致平行地延伸；以及多个(1024×3)栅电极GE，从基板105上的各条(768条)栅极线GL突出，并沿与第二方向大致平行的方向突出。
栅极绝缘层GIL覆盖栅极线GL和栅电极GE，以使栅极线GL与数据线DL(包括源电极SE)绝缘。栅极绝缘层GIL可包括透明氮化硅层。
沟道图样CP在栅极绝缘层GIL之上形成为半导体岛。例如，沟道图样CP设置在栅极绝缘层GIL上与栅电极GE对应的区域中。沟道图样(半导体岛)CP包括非晶硅图样ASP和n+非晶硅图样nASP。一对n+非晶硅图样nASP设置在非晶硅图样ASP上，并彼此隔开。沟道图样CP和电极(栅电极、源电极、以及输出(漏)电极)形成晶体管(数据开关)，例如薄膜晶体管(TFT)。
数据线DL设置在栅极绝缘层GIL上。数据线DL沿大致垂直于第一(水平)方向的第二(垂直)方向延伸。当包括显示基板100的三色显示器具有1024×768的分辨率时，1024×3条数据线DL沿第一方向大致平行地排列。768个源电极SE沿与第一(水平)方向大致平行的方向从每条数据线DL突出。每个源电极SE电连接至半导体岛(沟道图样CP)中的n+非晶硅图样nASP中的一个。
输出端110电连接至n+非晶硅图样nASP中的另一个。输出端110与数据线DL同时形成。
图样化绝缘层130设置在基板105上，以使信号施加模块120被图样化绝缘层130所覆盖。例如，图样化绝缘层130包括对光敏感的感光材料，以形成接触孔。将图样化绝缘层130图样化，以使接触孔将信号施加模块120的输出端110露出。
多个纹理图样(textured pattern)135形成在图样化绝缘层130上。纹理图样135增加了银钼合金电极140的反射面积(下文将描述)，并且将由银钼合金电极140反射的光散射。纹理图样135可通过压纹(由此形成压纹图样)或通过其他方法(例如，划线、或蚀刻)形成。
在图样化绝缘层130上的纹理图样135上(例如，共形地)形成银钼合金电极140。银钼合金电极140的一部分(通过接触孔)电连接至通过接触孔露出的输出端110。
优选地，银钼合金电极140可由重量百分比约99％至重量百分比约95％的银(Ag)以及重量百分比约1％至重量百分比约5％的钼(Mo)构成。
定向层150形成在银钼合金电极140上。例如，定向层150包括聚酰亚胺树脂。定向层150上形成有定向槽，以使液晶分子定向。
包括聚酰亚胺树脂的定向层150在约150℃至约250℃的温度下固化。
当在约150℃至约250℃的温度下使定向层150固化时，在银钼合金电极140的表面上能够不形成突起，从而避免银钼合金电极140从图样化绝缘层130脱落。
图3是根据本发明另一典型实施例的显示基板的像素区域的横截面图。除了透明电极137和银钼合金电极142中的开口145之外，图3中的显示基板与图1和图2中所示的显示基板大致相同。因此，将省略对大致相同元件的任何进一步的描述。
参照图3，透明且导电的透明电极137形成在图样化绝缘层130上。透明电极137包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、以及非晶氧化铟锡(a-ITO)等。透明电极137的一部分电连接至通过接触孔露出的输出端110，该接触孔穿过图样化绝缘层130而形成。
银钼合金电极142设置在透明电极137上。优选地，银钼合金电极142可具有重量百分比约99％至重量百分比约95％的银(Ag)以及重量百分比约1％至重量百分比约5％的钼(Mo)。
多个开口145可通过银钼合金电极142向下到达透明电极137而形成。光可有效地穿过开口145，并有效地穿过透明电极137。例如，当从平面图上观察时，开口145可具有多边形周边的形状。
显示基板的制造方法
图4是包括信号施加模块120的(不完整)显示基板的横截面图，用于示出根据本发明典型实施例的显示基板(例如，图1和图2或图1和图3中)的制造方法。图5是示出在图1、图2、图3、以及在图4所示的示例性信号施加模块120中形成的晶体管(TFT)的等效电路图。
参照图4和图5，为了制造显示基板，首先，在基板105上形成信号施加模块120。
为了形成信号施加模块120，在基板105上(例如，通过化学气相沉积(CVD)工艺或溅射工艺)形成栅极金属(未示出)。将栅极金属(例如，通过光刻工艺)图样化，以在基板105上形成栅极线GL(以及从栅极线GL突出的栅电极GE)。
随后，在基板105上(例如，通过CVD工艺)形成栅极绝缘层GIL。栅极绝缘层GIL可包括透明氮化硅层。
在栅极绝缘层GIL上相继形成n+非晶硅层(未示出)、非晶硅层(未示出)、以及源极/漏极层(未示出)。
将源极/漏极层(例如，通过光刻工艺)图样化，从而在n+非晶硅层上形成具有源电极SE的数据线DL和与源电极SE隔开的输出端110。
利用数据线DL和输出端110的掩模，将n+非晶硅层和非晶硅层图样化，以在栅极绝缘层GIL上形成n+非晶硅图样nASP和非晶硅图样ASP。
图6是示出在图4中的基板上形成的图样化绝缘层135的横截面图。
参照图6，在基板105上形成厚绝缘层(未示出)。该绝缘层包括例如具有感光材料的有机层。将形成在基板105上的绝缘层(例如，利用穿过预定掩模的光)图样化，以形成图样化绝缘层130。在图样化绝缘层130上(中)形成纹理图样135，并穿过图样化绝缘层130形成接触孔CT，用于露出信号施加模块120的输出端110的一部分。
图7是示出在图6中所示的图样化绝缘层130上形成的银钼合金电极的横截面图。
参照图7，在图样化绝缘层130的大致整个表面上形成银钼合金层(未示出)，其将接触孔CT包括在内。由此，银钼合金层的一部分电连接至通过接触孔CT露出的输出端110，该接触孔穿过图样化绝缘层130形成。例如，通过CVD工艺或溅射工艺，形成银钼合金层。优选地，该银钼合金层可具有重量百分比约99％至重量百分比约95％的银(Ag)以及重量百分比约1％至重量百分比约5％的钼(Mo)。
通过光刻工艺，可将银钼合金层图样化，从而在图样化绝缘层130上形成银钼合金电极140。通过将银钼合金层图样化而形成的银钼合金电极140的一部分电连接至输出端110。
下面，将详细地描述根据本发明典型实施例的银钼合金层的多种特性。
测量银钼合金电极和纯铝电极的光反射率。
为了测量银钼合金电极和纯铝电极的光反射率，在有机层上形成纹理图样，随后在纹理图样上形成银钼合金电极和纯铝电极。
下面的表1示出了银钼合金电极和纯铝电极的光反射率、色坐标、以及粘附性的测量结果。表1表示从形成在纹理图样上的银钼合金电极和纯铝电极反射的光的光反射率。
表1
    光反射率     色坐标     粘附性
银钼合金电极 73.0％     X＝0.1364Y＝0.3359 极好
纯铝电极 60.4％     X＝0.3129Y＝0.3307 极好
参照表1，银钼合金电极具有比纯铝电极大20％的反射率，而银钼合金电极对于有机层的粘附性与纯铝电极对于有机层的粘附性基本上相同。
图8是用于对根据本发明典型实施例形成的银钼合金层进行粘附性测试的测试板的平面图。图9是处于测试中的图8的测试板的一部分的横截面图，用于示出执行图8中的粘附性测试的方法。
参照图8和图9，测试板200包括底膜210(图9)以及形成在底膜210上的测试膜220(图9)。
例如，底膜210包括玻璃、氧化硅、氧化铟锡、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、丙烯酸树脂(acryl resin)、聚酰亚胺等。
测试膜220可包括银钼合金层或纯银层。
使用切割机将用于粘附性测试的测试膜220切成约1mm×1mm的块。在测试膜220形成网格形状之后，将胶带230附着到测试膜220，随后将测试膜220剥离。
下面的表2示出了粘附性测试的结果。在表2中，符号“○”、“△”、以及“×”分别表示(从底膜脱落的测试膜)“无脱落”、“脱落少于约50％”、以及“脱落多于约50％”。
表2
    纯银     银钼合金
    沉积     沉积     退火之后
    玻璃     ×      ○    ○     250℃
    氧化硅     ×      ○    ○     250℃
    氧化铟锡     △      ○    ○     250℃
    聚碳酸酯     ×      ○     未测试
    PET     △      ○     未测试
    丙烯酸树脂     ×      ○    ○     150℃
    聚酰亚胺     -     ○    ○     150℃
参照表2，不管底膜如何，作为测试膜的纯银层都造成脱落，而作为测试膜的银钼合金层不管底膜如何都不造成脱落。因此，银钼合金层对于底膜的粘附性比纯银层对于底膜的粘附性要好得多。
图10是示出根据本发明典型实施例的银钼合金层在退火之前(菱形)和退火之后(三角形)的色坐标的示意图。在图10中，符号“◆”(菱形)和“▲”(三角形)分别表示烘焙之前和烘焙之后的色坐标。
参照图10，在将纯银烘焙之后，纯银的色坐标发生很大的变化。通过烘焙，纯银变成淡黄色。相反，在烘焙银钼合金之后，银钼合金的色坐标几乎没有变化，因此，采用银钼合金的显示装置的图像颜色也几乎不改变。
图11示出根据本发明典型实施例，纯银层和银钼合金层在退火之前和之后的四幅扫描电子显微镜(SEM)照片。
参照图11，在将纯银层退火之后，在纯银层上会形成突起，使得该纯银层不平坦。当纯银层具有突起时，从外部提供的光被纯银层的不平坦表面不规则地散射，从而极大地降低了其光反射率。相反，在将银钼合金层退火之后，银钼层仍然相当平坦(平滑)。
图12A、图12B、图12C、以及图12D是示出银钼合金层的蚀刻特性的SEM照片。
参照图12A至图12D，当利用传统的蚀刻剂(用于蚀刻纯银)来蚀刻银钼合金层时，银钼合金层被图样化成具有约4μm的基本均匀的间隔D，并且发现最佳蚀刻时间为约17秒。因此，根据本发明的银钼合金层相对于传统的蚀刻剂具有良好的蚀刻特性。
图13是示出银钼合金层的阶梯覆盖的SEM照片。
参照图13，为了观察位于通孔(接触孔)中的银钼合金层的外型，穿过绝缘层而形成厚度约5μm的通孔。随后，分别在具有厚度约70nm和约240nm的通孔的绝缘层上相继沉积氧化铟锡层和银钼合金层。如图13所示，银钼合金层具有良好的阶梯覆盖。
图14是第一基板的横截面图，其示出在根据本发明典型实施例的图样化绝缘层130上形成的定向层150。
参照图14，定向层150形成在图样化绝缘层130上。例如，定向层150包括聚酰亚胺树脂。可在约150℃至约250℃的温度下烘焙定向层150，以防止银钼合金层发黄，并防止在银钼合金层上形成突起。
图15是第一基板的横截面图，用于示出根据本发明另一典型实施例的显示基板的制造方法。除了透明电极和银钼合金电极中的开口之外，图15中所示的显示基板的制造方法与图14中所示的显示基板的制造方法基本相同。由此，用相同的参考标号和相同的名称来表示大致相同的元件。
参照图15，透明导电层(例如，137)形成在图样化绝缘层130的大致整个表面上，并且银钼合金层(例如，142)形成在透明导电层上。尽管在图15中银钼合金层形成于透明导电层之上，但可选地，透明导电层也可形成在银钼合金层之上。
将在图样化绝缘层130上形成的透明导电层和银钼合金层(例如，通过光刻工艺)图样化，以在图样化绝缘层130上形成透明电极137和银钼合金电极142。透明电极137和银钼合金电极142电连接至(TFT的)输出端110。银钼合金电极142可具有多个开口145。例如，当从平面图上观察时，开口145为多边形形状。
显示装置
图16是根据本发明典型实施例的组装显示装置(包括第一显示基板、第二显示基板、以及液晶层)的横截面图。
参照图16，显示装置800包括第一显示基板500、第二显示基板600、以及液晶层700。
第一显示基板500包括第一基板505、具有输出端510的信号施加模块520、图样化绝缘层530、以及银钼合金电极540。
第一基板505包括可使光通过的透明基板(例如，玻璃基板)。
(各个像素的)信号施加模块520设置在第一基板505上。当使用显示器时，(各个像素的)信号施加模块520输出从外部提供的图像数据。
具体来说，信号施加模块520包括具有栅电极GE的栅极线(未示出)、栅极绝缘层GIL、沟道图样CP、具有源电极SE的数据线(未示出)、以及输出(漏极)端510。
例如，栅极线沿第一(例如，水平)方向延伸。当第一显示基板500具有1024×768的分辨率时，768条栅极线沿大致垂直于第一方向的第二方向大致平行地分布。1024×3个栅电极GE从第一基板505上的每条栅极线突出。
栅极绝缘层GIL覆盖具有栅电极GE的栅极线，以使栅极线与具有源电极SE的数据线绝缘。栅极绝缘层GIL可包括透明氮化硅层。
沟道图样CP(半导体岛)形成在栅极绝缘层GIL上。例如，沟道图样CP设置在对应于栅电极GE的栅极绝缘层GIL上。沟道图样CP包括非晶硅图样ASP以及n+非晶硅图样nASP。一对n+非晶硅图样nASP设置在非晶硅图样ASP上，并且彼此隔开。
在栅极绝缘层GIL上设置数据线。每条数据线沿大致垂直于第一方向的第二(垂直)方向延伸。当第一显示基板500具有1024×768的分辨率时，1024×3条数据线沿第一方向分布；768个源电极SE从第一基板505上的每条数据线突出。
各个源电极SE电连接至n+非晶硅图样nASP中的一个。输出端510电连接至n+非晶硅图样nASP中的另一个。输出端510与数据线同时形成。
在第一基板505上设置图样化绝缘层530，从而使信号施加模块520由图样化绝缘层530覆盖。图样化绝缘层530包括接触孔，用于露出信号施加模块520的输出端510。例如，图样化绝缘层530包括对光敏感的感光材料，以促进接触孔的形成。
在图样化绝缘层530上形成多个纹理(例如，压纹)图样535。纹理图样535增加了银钼合金电极540的反射面积(将在下面进行描述)，并将从银钼合金电极540反射的光散射。
在图样化绝缘层530上的纹理图样535上形成银钼合金电极540。银钼合金电极540的一部分电连接至通过接触孔露出的输出端510。
优选地，银钼合金电极540可具有重量百分比约99％至重量百分比约95％的银(Ag)以及重量百分比约1％至重量百分比约5％的钼(Mo)。
在银钼合金电极540上形成定向层550。例如，定向层550包括聚酰亚胺树脂。定向槽形成在定向层550上，以使液晶层700的液晶分子定向。
包括聚酰亚胺树脂的定向层550在约150℃至约250℃的温度下固化。
当在上述约150℃至约250℃的温度下使定向层550固化时，在银钼合金电极540的表面上不会形成突起，从而避免银钼合金电极540从图样化绝缘层530脱落。
第二显示基板600包括第二基板605、彩色滤光片610(例如，形成在第二基板605上)、形成在彩色滤光片610上的共电极620、以及第二定向层630。
在图16中，将彩色滤光片610设置成与第一显示基板500的银钼合金电极540相对应。例如，彩色滤光片610包括使白光中的红光穿过的红色滤光片、使白光中的绿光穿过的绿色滤光片、以及使白光中的蓝光穿过的蓝色滤光片。
在彩色滤光片610上形成共电极620。共电极620可包括诸如氧化铟锡、氧化铟锌、非晶氧化铟锡等的透明导电材料。共电极620与第一显示基板500的银钼合金电极540面对。
将第二定向层630设置成面对第一定向层550。定向槽形成在第二定向层630上，以使液晶层700的液晶分子定向。
液晶层700设置在第一显示基板500和第二显示基板600之间。
根据本发明的实施例，显示装置的电极包括银钼合金，从而提高了显示装置所显示的图像的显示质量。
虽然已经描述了本发明的典型实施例，但是应当理解，本发明并不局限于这些典型实施例，在本文所要求保护的本发明的精神和范围之内，本领域技术人员可以做出各种修改和替换。

Claims (21)

1.一种显示基板，包括：
信号施加模块，设置在基板上，并具有输出端，所述输出端用于输出数据信号；
图样化绝缘层，具有用于露出所述输出端的接触孔；以及
银钼合金电极，包括银和钼，所述银钼合金电极与所述输出端电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述信号施加模块还包括：
晶体管-栅电极，从栅极线突出，所述晶体管-栅电极接收定时信号；
栅极绝缘层，用于使所述晶体管-栅电极绝缘；
半导体层中的晶体管沟道，设置在所述栅电极之上的所述栅极绝缘层上；以及
晶体管-源电极，从数据线突出，用于将所述数据信号输入到所述晶体管沟道，
其中，所述输出端是晶体管-漏极端。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述图样化绝缘层上形成有纹理图样。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述纹理图样是压纹图样。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述银钼合金电极具有重量百分比约99％至重量百分比约95％的银以及重量百分比约1％至重量百分比约5％的钼。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述银钼合金电极具有多个多边形形状的开口。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述图样化绝缘层和所述银钼合金电极之间形成有透明且导电的电极。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述透明且导电的电极包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种。
9.一种显示基板的制造方法，包括：
在基板上形成信号施加模块，所述信号施加模块包括用于输出数据信号的输出端；
形成图样化绝缘层，用于覆盖除接触孔之外的所述信号施加模块，所述接触孔露出所述输出端的一部分；
在所述图样化绝缘层上形成银钼合金层，以通过所述接触孔电连接至所述输出端；以及
将所述银钼合金层图样化，以形成银钼合金电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述银钼合金电极层具有重量百分比约99％至重量百分比约95％的银以及重量百分比约1％至重量百分比约5％的钼。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述图样化绝缘层的步骤还包括在所述绝缘层上压纹出图样。
12.根据权利要求9所述的方法，还包括在形成所述图样化绝缘层之后并在形成所述银钼合金层之前，在所述图样化绝缘层上形成透明且导电的电极层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述银钼合金电极具有多个开口。
14.根据权利要求9所述的方法，还包括：在形成所述银钼合金电极之后，
在所述图样化绝缘层上形成定向层，以覆盖所述银钼合金电极；以及
在约150℃至约250℃的温度下烘焙所述定向层。
15.根据权利要求9所述的方法，还包括：在形成所述银钼合金电极之后，
在所述图样化绝缘层上形成定向层，以覆盖所述银钼合金电极；以及
在选定温度下烘焙所述定向层，以防止所述银钼合金电极发黄。
16.一种显示装置，包括：
第一显示基板，包括：
信号施加模块，设置在第一基板上，并具有用于输出数据信号的输出端；
图样化绝缘层，具有露出所述输出端的接触孔；以及
银钼合金电极，电连接至所述输出端。
17.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：
第二显示基板，包括设置在与所述第一基板面对的第二基板上的共电极，所述共电极面对所述银钼合金电极；以及
液晶层，设置在所述第一和第二显示基板之间。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述银钼合金电极具有重量百分比约99％至重量百分比约95％的银以及重量百分比约1％至重量百分比约5％的钼。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，设置有与所述银钼合金电极和所述图样化绝缘层接触的透明电极。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述透明电极设置在所述银钼合金电极和所述图样化绝缘层之间。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述透明电极包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种。
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