JP2007004166A - 表示基板とその製造方法、及びこれを有する表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の光反射効率を極大化させて画像の表示品質をより向上させる表示基板とその製造方法、及びこれを有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１表示基板、第２表示基板、及び液晶層を含む。第１表示基板は、第１基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、出力端を露出させるコンタクトホールが形成された絶縁パターン、及び出力端と電気的に連結され、銀及びモリブデンを含む銀−モリブデン合金電極を含む。第２表示基板は、第１基板と向かい合う第２基板上に配置され、銀−モリブデン合金電極と対向する共通電極を含む。液晶層は、第１表示基板と第２表示基板との間に介在する。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示基板とその製造方法、及びこれを有する表示装置に関し、より詳細には、画像の表示品質を向上させることができる表示基板とその製造方法、及びこれを有する表示装置に関する。

一般に、表示装置は、情報処理装置で処理された情報を画像に変更する。

代表的な表示装置としては、ＣＲＴ方式表示装置、液晶表示装置、有機発光表示装置等がある。

これらの中、液晶表示装置は、光の利用方法によって透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、及び反射−透過型液晶表示装置に区分される。

透過型液晶表示装置は、内蔵されたランプから発生した内部光を利用して画像を表示し、反射型液晶表示装置は、太陽、照明灯等から発生した外部光を利用して画像を表示する。反射−透過型液晶表示装置は、内蔵されたランプ等から発生した内部光、及び太陽、照明灯から発生した外部光を利用して画像を表示する。

透過型液晶表示装置は、透明で導電性である透明電極を含み、反射型液晶表示装置は、透明電極に対して光反射率が高い反射電極を含む。特に、反射−透過型液晶表示装置は、透明電極及び反射電極を全部含む。

反射型液晶表示装置及び反射−透過型液晶表示装置に採用される反射電極を光反射率に優れたアルミニウム又はアルミニウム合金等を利用して形成する場合、反射電極上に形成される配向膜のキュアリング（ｃｕｒｉｎｇ）工程の途中に反射電極の表面が膨らむヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋｓ）が発生するか、反射電極及び透明電極の間でガルバニック腐食（ｇａｌｖａｎｉｃ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）等が発生するという問題点を有する。

これを防止するために、反射電極及び透明電極の間に腐食防止層を形成する等の方法が使用されているが、これによって製造工程数が大幅に増加するという更に他の問題点を有する。

そこで本発明は、上記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、画像の表示品質をより向上させた表示基板を提供することにある。

又、本発明の他の目的は、前記表示基板の製造方法を提供することにある。

又、本発明の更に他の目的は、前記表示基板を有する表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示基板は、信号印加モジュール、絶縁パターン、及び銀−モリブデン合金電極を有する。信号印加モジュールは、基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む。絶縁パターンは前記出力端を露出させるコンタクトホールが形成され、銀−モリブデン合金電極は、前記出力端と電気的に連結され、銀及びモリブデンを含む。

又、上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示基板の製造方法は、基板上にデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュールを形成し、前記信号印加モジュールを覆う絶縁薄膜上に出力端の一部を露出させるコンタクトホールを形成して絶縁パターンを形成し、前記絶縁パターン上に出力端と電気的に連結された銀−モリブデン合金層を形成し、前記銀−モリブデン合金層をパターニングして、銀−モリブデン合金電極を形成する。

又、上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示装置は、第１表示基板、第２表示基板、及び液晶層を含む。第１表示基板は、第１基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、前記出力端を露出させるコンタクトホールが形成された絶縁パターン、及び前記出力端と電気的に連結され、銀及びモリブデンを含む銀−モリブデン合金電極を含む。第２表示基板は、前記第１基板と向かい合う第２基板上に配置され、前記銀−モリブデン合金電極と対向する共通電極を含む。液晶層は、第１表示基板と第２表示基板との間に介在する。

このような本発明の表示基板とその製造方法、及びこれを有する表示装置によれば、表示装置の電極を銀−モリブデン合金に変更した表示装置によって発生した画像の表示品質をより向上させる効果を有する。

次に、本発明の表示基板とその製造方法、及びこれを有する表示装置を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら説明する。

＜表示基板＞
図１は、本発明の一実施例による表示基板の平面図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。

図１及び図２に示す表示基板１００は、基板１０５、出力端１１０を含む信号印加モジュール１２０、絶縁パターン１３０及び銀−モリブデン合金電極１４０を含む。

基板１０５は、光が透過するガラス基板のような透明基板で構成され、基板１０５上には信号印加モジュール１２０が配置される。信号印加モジュール１２０は、外部から印加された画像データを指定された時間に出力する。

具体的に、信号印加モジュール１２０は、ゲート電極ＧＥを有するゲートラインＧＬ、ゲート絶縁膜ＧＩＬ、チャンネルパターンＣＰ、ソース電極ＳＥを有するデータラインＤＬ、及び上記出力端１１０を含む。

ゲートラインＧＬは、第１方向に延長される。表示基板１００の解像度が１０２４×７６８である場合、約７６８個を有するゲートラインＧＬは、第１方向と実質的に垂直な第２方向に互いに平行に配置される。一方、約１０２４×３個を有するゲート電極ＧＥは、各ゲートラインＧＬから基板１０５に沿って第２方向と平行な方向に突出される。

ゲート絶縁膜ＧＩＬは、ゲート電極ＧＥを有するゲートラインＧＬを覆って、ソース電極ＳＥを有するデータラインＤＬから絶縁される。好ましく、ゲート絶縁膜ＧＩＬは、透明な窒化シリコン薄膜でも良い。

ゲート絶縁膜ＧＩＬ上には、チャンネルパターンＣＰが形成される。チャンネルパターンＣＰは、例えば、ゲート電極ＧＥと対応するゲート絶縁膜ＧＩＬ上に配置される。チャンネルパターンＣＰは、アモルファスシリコンパターン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｐａｔｔｅｒｎ、ＡＳＰ）及び高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎ＋ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｐａｔｔｅｒｎ、ｎＡＳＰ）を含む。一対の高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）は、アモルファスシリコンパターン（ＡＳＰ）の上部に互いに離隔して配置される。

データラインＤＬは、ゲート絶縁膜ＧＩＬ上に配置される。データラインＤＬは、第１方向と実質的に直交する第２方向に配置される。表示基板１００の解像度が１０２４×７６８である場合、約１０２４×３個を有するデータラインＤＬは、第１方向に互いに平行に配置される。一方、約７６８個を有するソース電極ＳＥは、各データラインＤＬから基板１０５に沿って第１方向と平行な方向に突出される。ソース電極ＳＥは、一つの高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）に電気的に連結される。

出力端１１０は、残り一つの高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）上に電気的に連結される。出力端１１０は、データラインＤＬと共に形成される。

絶縁パターン１３０は基板１０５上に配置され、これによって、信号印加モジュール１２０は絶縁パターン１３０によって覆われる。絶縁パターン１３０は、信号印加モジュール１２０の出力端１１０を露出させるコンタクトホールを含む。好ましく、絶縁パターン１３０はコンタクトホールを形成するために光と反応する感光物質を含むことが好ましい。

一方、絶縁パターン１３０の上面には、複数個のテクスチャーパターン１３５が形成される。テクスチャーパターン１３５は、後述する銀−モリブデン合金電極１４０の反射面積を向上させ、銀−モリブデン合金電極１４０で反射した光を拡散させる。テクスチャーパターン１３５は、エンボシング（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）方法、又は他の方法、例えば、スクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）又はエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）によって形成することができる。

銀−モリブデン合金電極１４０は、絶縁パターン１３０に形成されたテクスチャーパターン１３５上に形成され、銀−モリブデン合金電極１４０の一部は、コンタクトホールによって露出した出力端１１０に電気的に連結される。

好ましく、銀−モリブデン合金電極１４０は、約９９ｗｔ％（ｐｅｒｃｅｎｔ ｂｙ ｗｅｉｇｈｔ）乃至約９５ｗｔ％の銀、及び約１ｗｔ％乃至約５ｗｔ％のモリブデンを含むことができる。

銀−モリブデン合金電極１４０上には、配向膜１５０が形成される。配向膜１５０はポリイミド樹脂を含み、配向膜１５０の上面には液晶を配向するための配向溝が形成される。

ポリイミド樹脂を含む配向膜１５０は、約１５０°Ｃ〜２５０°Ｃの温度で硬化される。

本実施例において、銀−モリブデン合金電極１４０は、約１５０°Ｃ〜２５０°Ｃの温度でヒロック等が発生しないので、銀−モリブデン合金電極１４０及び絶縁パターン１３０の剥離を防止することができる。

図３は、本発明の他の実施例による表示基板を示す断面図である。図３に示す表示基板は、透明電極及び銀−モリブデン合金電極の開口を除くと、上述した図１及び図２を参照して説明した表示基板と同じである。本実施例では、同じ部分について重複する説明は省略する。

図３に示す絶縁パターン１３０の上面には透明で導電性である透明電極１３７が形成される。透明電極１３７の一部は、絶縁パターン１３０に形成されたコンタクトホールによって露出された出力端１１０の一部に電気的に連結される。好ましく、透明電極１３７は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、又はアモルファス酸化スズインジウム（ａ−ＩＴＯ）等を含むことができる。

銀−モリブデン合金電極１４２は、透明電極１３７上に配置される。銀−モリブデン合金電極１４２は、好ましく、約９９ｗｔ％乃至約９５ｗｔ％の銀、及び約１ｗｔ％乃至約５ｗｔ％のモリブデンを含むことができる。

又、銀−モリブデン合金電極１４２には、複数個の開口１４５を形成することができる。開口１４５は光を透過するに適合し、平面上で見た時、多角形形状を有することが好ましい。

＜表示基板の製造方法＞
図４は、本発明の一実施例による表示基板の製造方法を示す断面図であり、図５は、図４の平面図上に表した回路構成である。

図４及び図５に示す表示基板を製造するために、まず、基板１０５上に信号印加モジュール１２０が形成される。

信号印加モジュール１２０を形成するためには、まず、基板１０５上にゲート金属（図示せず）が化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程又はスパッタリング工程を通じて形成される。ゲート金属は、写真−エッチング工程を通じてパターニングされ、基板１０５上にはゲートラインＧＬ及びゲートラインＧＬに形成されたゲート電極ＧＥが形成される。

その後、基板１０５上にはゲート絶縁膜ＧＩＬがＣＶＤ工程を通じて形成される。ゲート絶縁膜ＧＩＬは、透明なシリコン窒化膜であることが好ましい。

ゲート絶縁膜ＧＩＬ上には、好ましく、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコン薄膜（ｎＡＳＰ ｌａｙｅｒ）、アモルファスシリコン薄膜（ＡＳＰ ｌａｙｅｒ）、及びソース／ドレイン薄膜（ｓｏｕｒｃｅ／ｄｒａｉｎ ｌａｙｅｒ）が名称順序に沿って連続的に形成される。

その後、ソース／ドレイン薄膜は写真−エッチング工程によってパターニングされ、高濃度イオンドーピングアモルファスシリコン薄膜（ｎＡＳＰ ｌａｙｅｒ）上には、ソース電極ＳＥが形成されたデータラインＤＬ及びソース電極ＳＥと離隔した出力端１１０が形成される。

その後、データラインＤＬ及び出力端１１０をマスクとして高濃度イオンドーピングアモルファスシリコン薄膜（ｎＡＳＰ ｌａｙｅｒ）及びアモルファスシリコン薄膜（ＡＳＰ ｌａｙｅｒ）はパターニングされ、ゲート絶縁膜ＧＩＬ上には高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）及びアモルファスシリコンパターン（ＡＳＰ）が形成される。

図６は、図４に示す基板上に形成された絶縁パターンを示す断面図である。

図６に示す基板１０５上には、厚い絶縁膜（図示せず）が形成される。好ましく、絶縁膜は、光と反応する感光物質を含む有機膜でも良い。基板１０５上に形成された絶縁膜は、パターンマスクを通過した光によってパターニングされ、絶縁膜上には絶縁パターン１３０が形成される。絶縁パターン１３０には、テクスチャーパターン１３５及び信号印加モジュール１２０の出力端１１０の一部を露出させるコンタクトホールＣＴが形成される。

図７は、図６に示す絶縁パターン上に形成された銀−モリブデン合金電極を示す断面図である。

図７に示す絶縁パターン１３０上には銀−モリブデン合金薄膜（図示せず）が全面積にかけて形成される。本実施例において、銀−モリブデン合金薄膜は、化学気相蒸着工程又はスパッタリング方式によって形成することができ、銀−モリブデン合金薄膜は、銀約９９ｗｔ％乃至約９５ｗｔ％、モリブデン約１ｗｔ％乃至約５ｗｔ％を含むことができる。本実施例による銀−モリブデン合金薄膜の一部は、絶縁パターン１３０に形成されたコンタクトホールＣＴによって露出された出力端１１０の一部と電気的に連結される。

本実施例による銀−モリブデン合金薄膜は写真−エッチング工程によってパターニングされ、絶縁パターン１３０上には銀−モリブデン合金電極１４０が形成される。銀−モリブデン合金電極１４０の一部は、出力端１１０の一部と電気的に連結される。

以下、本発明の一実施例による銀−モリブデン合金薄膜の特性をより具体的に説明すると次のようである。

まず、銀−モリブデン合金電極及び純粋アルミニウム電極の反射率を測定した。

銀−モリブデン合金電極及び純粋アルミニウム電極の反射率を測定するために、まず、有機膜にテクスチャーパターンを形成し、テクスチャーパターン上にそれぞれ銀−モリブデン合金電極及び純粋アルミニウム電極を形成した。

下記表１は、銀−モリブデン合金電極及び純粋アルミニウム電極の反射率、色座標、及び密着性を測定した結果を示す。表１において、反射率はテクスチャーパターン上にそれぞれ蒸着された銀−モリブデン合金電極、純粋アルミニウム電極から反射された光の反射率である。

表１を参照すると、銀−モリブデン合金電極での反射率は、純粋アルミニウム電極を使用した場合に対して、約２０％以上増加し、銀−モリブデン合金電極及び有機膜の密着性は純粋アルミニウム電極及び有機膜の密着性と実質的に同じである。

図８は、本発明の一実施例による銀−モリブデン合金薄膜の密着性テストを行うための試験プレートであり、図９は、密着性テスト方法を示す断面図である。

図８及び図９に示す試験プレート２００は、ベースフィルム２１０及びベースフィルム２１０上に形成されたテストフィルム２２０を含む。

ベースフィルム２１０は、例えば、ガラス、酸化シリコン薄膜、酸化スズインジウム薄膜、ポリカボネート薄膜、ポリエチレンテレフタレート薄膜、アクリル樹脂薄膜、及びポリイミド薄膜等を含むことができる。

又、テストフィルム２２０は、例えば、銀−モリブデン合金薄膜又は純粋銀薄膜でも良い。

密着性テストを行うために、テストフィルム２２０は、カッターによって約１×１ｍｍ間隔に切断される。その後、テストフィルム２２０が格子形態に切断された後、テストフィルム２２０上には接着テープ２３０が付着され、接着テスト２３０はテストフィルム２２０から剥離される。

下記の表２は、密着性テスト結果を示す表である。

◎：剥離現象なし
△：剥離５０％以内
Ｘ：剥離５０％以上

表２を参照すると、テストフィルムを純粋銀薄膜を利用して形成した場合、ベースフィルムに関係なく剥離現象が発生したが、テストフィルムを銀−モリブデン合金薄膜を利用して形成した場合、剥離現象が発生しなかった。従って、銀−モリブデン合金薄膜及びベースフィルムの密着性は、純粋銀薄膜及びベースフィルムの密着性より非常に優れる。

図１０は、本発明の一実施例によって銀薄膜及び銀−モリブデン合金薄膜をアニーリングした後、色座標変化を示すグラフである。

図１０の色座標（ＣＩＥ１９３１の色度図上の色度座標）に示すように、純粋銀の場合、ベークを行うと、銀薄膜の色座標が大幅に変化する。即ち、純粋銀の場合、ベークによって黄色化する。反面、銀−モリブデン合金の場合、ベークを行っても、銀−モリブデン合金の色座標は変更されず、従って、画像の色も変更されない。

図１０において、◆はベースを行う前の色座標で、▲はベークを行った後の色座標である。

図１１は、本発明の一実施例によって銀薄膜及び銀−モリブデン合金薄膜をアニーリングした後に撮影した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

図１１に示すように、純粋銀薄膜をアニーリングする場合、銀薄膜はヒロックによって表面が凸凹に突出する。銀薄膜の表面にヒロックが発生する場合、銀−薄膜の表面で光が不規則に散乱され、反射率が大幅に低下する。反面、銀−モリブデン薄膜の場合、アニーリングによるヒロックが抑制され、比較的平坦な表面を有する。

図１２乃至図１５は、銀−モリブデン合金薄膜のエッチング特性を撮影した走査型電子顕微鏡写真である。

図１２乃至図１５に示すように、純粋銀エッチャントで銀−モリブデン合金薄膜をエッチングする場合、反射膜間隔Ｄは、約４μｍに非常に均一にパターニングされ、約４μｍエッチングするのに所要される最適時間は約１７秒であった。即ち、本実施例によると、銀−モリブデン合金薄膜は、従来純粋銀用のエッチャント（ｅｔｃｈａｎｔ）によって良質のエッチング特性を有する。

図１６は、銀−モリブデン合金薄膜のステップカバレッジを観察した走査型電子顕微鏡写真である。

図１６は、銀−モリブデン合金薄膜のビアホールプロファイルを観察するために、約５μｍのビアホールを形成し、その上にインジウムスズ酸化膜及び銀−モリブデン合金薄膜をそれぞれ７０ｎｍ、２４０ｎｍを蒸着し、その後、プロファイルを、走査型電子顕微鏡写真を通じて観察したもので、その結果、非常に良好なステップカバレッジが得られることが観察された。

図１７は、本発明の一実施例によって絶縁パターン上に形成された配向膜を示す断面図である。

図１７に示すように、絶縁パターン１３０上には配向膜１５０が形成される。例えば、配向膜１５０はポリイミド樹脂を含み、配向膜１５０は、銀−モリブデン薄膜の変色及びヒロック発生を減少させるために、約１５０°Ｃ乃至約２５０°Ｃの温度でベークされる。

図１８は、本発明の他の実施例による表示基板の製造方法を示す断面図である。図１８に示す実施例は、透明電極及び銀−モリブデン合金電極に形成された開口を除くと、上述した図４乃至図１７の実施例と同じである。従って、同じ構成要素には同じ参照符号及び名称を付与する。

図１８に示すように、絶縁パターン１３０の上面には、全面的にかけて透明で導電性である導電性透明薄膜が形成され、導電性透明薄膜の上面には、銀−モリブデン合金薄膜が連続的に形成される。本実施例において、例えば、導電性透明薄膜の上面に銀−モリブデン合金薄膜が形成されるが、これと異なり、銀−モリブデン合金薄膜の上面に導電性透明薄膜が形成されても良い。

絶縁パターン１３０の上面に形成された導電性透明薄膜及び銀−モリブデン合金薄膜は、写真−エッチング工程によってパターニングされ、絶縁パターン１３０上には出力端１１０と電気的に連結された透明電極１３７及び銀−モリブデン合金電極１４２が形成される。この際、銀−モリブデン合金電極１４２は、複数個の開口１４５を含むことができる。開口１４５は、平面上で見た時、多角形形状を有することができる。

＜表示装置＞
図１９は、本発明の一実施例による表示装置の断面図である。

図１９を参照すると、表示装置８００は、第１表示基板５００、第２表示基板６００、及び液晶層７００を含む。

第１表示基板５００は、第１基板５０５、出力端５１０を含む信号印加モジュール５２０、絶縁パターン５３０、及び銀−モリブデン合金電極５４０を含む。

第１基板５０５は、光が透過するガラス基板のような透明基板を含む。

第１基板５０５上には、信号印加モジュール５２０が配置される。信号印加モジュール５２０は、外部から印加された画像データを指定された時間に出力する。

具体的に、信号印加モジュール５２０は、ゲート電極ＧＥを有するゲートライン（図示せず）、ゲート絶縁膜ＧＩＬ、チャンネルパターンＣＰ、ソース電極ＳＥを有するデータライン（図示せず）、及び前記出力端５１０を含む。

ゲートラインは、例えば、図１に示した第１方向に延長される。第１表示基板５００の解像度が１０２４×７６８である場合、約７６８個を有するゲートラインは、第１方向と実質的に垂直な第２方向に互いに平行に配置される。一方、約１０２４×３個を有するゲート電極ＧＥは、各ゲートラインから第１基板５０５に沿って第２方向と平行な方向に突出される。

ゲート絶縁膜ＧＩＬは、ゲート電極ＧＥを有するゲートラインを覆って、ソース電極ＳＥを有するデータラインから絶縁される。好ましく、ゲート絶縁膜ＧＩＬは、透明な窒化シリコン薄膜でも良い。

ゲート絶縁膜ＧＩＬ上には、チャンネルパターンＣＰが形成される。チャンネルパターンＣＰは、例えば、ゲート電極ＧＥと対応するゲート絶縁膜ＧＩＬ上に配置される。チャンネルパターンＣＰは、アモルファスシリコンパターン（ＡＳＰ）及び高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）を含む。一対の高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）は、アモルファスシリコンパターン（ＡＳＰ）の上部に互いに離隔するように配置される。

データラインは、ゲート絶縁膜ＧＩＬ上に配置される。データラインＤＬは、第１方向と実質的に直交する第２方向に配置される。表示基板１００の解像度が１０２４×７６８である場合、約１０２４×３個を有するデータラインは、第１方向に互いに平行に配置される。一方、約７６８個を有するソース電極ＳＥは、各データラインから第１基板５０５に沿って第１方向と平行な方向に突出される。ソース電極ＳＥは、一つの高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）に電気的に連結される。

出力端５１０は、残り一つの高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン（ｎＡＳＰ）上に電気的に連結される。出力端５１０は、データラインと共に形成される。

絶縁パターン５３０は第１基板５０５上に形成され、これによって、信号印加モジュール５２０は絶縁パターン５３０によって覆われる。絶縁パターン５３０は、信号印加モジュール５２０の出力端５１０を露出させるコンタクトホールを含む。好ましく、絶縁パターン５３０はコンタクトホールを形成するために、光と反応する感光物質を含むことが好ましい。

一方、絶縁パターン５３０の上面には、複数個のテクスチャーパターン５３５（例えば、エンボシングパターン）が形成される。テクスチャーパターン５３５は、銀−モリブデン合金電極５４０の反射面積を向上させ、銀−モリブデン合金電極５４０で反射した光を拡散させる。

銀−モリブデン合金電極５４０は、絶縁パターン５３０に形成されたテクスチャーパターン５３５上に形成され、銀−モリブデン合金電極５４０の一部は、コンタクトホールによって露出した出力端５１０に電気的に連結される。

好ましく、銀−モリブデン合金電極５４０は、約９９ｗｔ％乃至約９５ｗｔ％の銀及び約１ｗｔ％乃至約５ｗｔ％のモリブデンを含むことができる。

銀−モリブデン合金電極５４０上には、第１配向膜５５０が形成される。第１配向膜５５０はポリイミド樹脂を含み、第１配向膜５５０の上面には、液晶を配向するための配向溝（図示せず）が形成される。

ポリイミド樹脂を含む第１配向膜５５０は、約１５０℃〜２５０℃の温度で硬化される。

本実施例において、銀−モリブデン合金電極５４０は、約１５０°Ｃ〜２５０°Ｃの温度でヒロック等が発生しないので、銀−モリブデン合金電極５４０及び絶縁パターン５３０の剥離を防止することができる。

第２表示基板６００は、第２基板６０５、第２基板６０５上に、例えば、形成されたカラーフィルター６１０、カラーフィルター６１０上に形成された共通電極６２０、及び第２配向膜６３０を含む。

本実施例において、カラーフィルター６１０は、第１表示基板５００の銀−モリブデン合金電極５４０に対応する位置に配置される。好ましく、カラーフィルター６１０は、白色光のうち、赤色光を通過させる赤色カラーフィルター、白色光のうち、緑色光を通過させる緑色カラーフィルター、及び白色光のうち、青色光を通過させる青色カラーフィルターを含む。

共通電極６２０はカラーフィルター６１０の上面に形成され、共通電極６２０は透明で導電性である酸化スズインジウム、酸化亜鉛インジウム、又はアモルファス酸化スズインジウム等を使用することができる。共通電極６２０は、第１表示基板５００の銀−モリブデン合金電極５４０と向かい合う。

第２配向膜６３０は第１配向膜５５０と向かい合うように配置され、第２配向膜には液晶を配向するための配向溝が形成される。

液晶層７００は、第１表示基板５００及び第２表示基板６００の間に介在する。

以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。

本発明の一実施例による表示基板の平面図である。 図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。 本発明の他の実施例による表示基板を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示基板の製造方法を示す断面図である。 図４の平面図上に表した回路構成である。 図４に示す基板上に形成された絶縁パターンを示す断面図である。 図６に示す絶縁パターン上に形成された銀−モリブデン合金電極を示す断面図である。 本発明の一実施例による銀−モリブデン合金薄膜の密着性テストを行うための試験プレートである。 密着性テスト方法を示す断面図である。 本発明の一実施例によって銀−モリブデン合金薄膜をアニーリングした後、色座標変化を示すグラフである。 本発明の一実施例によって銀薄膜及び銀−モリブデン合金薄膜をアニーリングした後に撮影した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 銀−モリブデン合金薄膜のエッチング特性を撮影した 走査型電子顕微鏡写真である。 銀−モリブデン合金薄膜のエッチング特性を撮影した 走査型電子顕微鏡写真である。 銀−モリブデン合金薄膜のエッチング特性を撮影した 走査型電子顕微鏡写真である。 銀−モリブデン合金薄膜のエッチング特性を撮影した 走査型電子顕微鏡写真である。 銀−モリブデン合金薄膜のステップカバレッジを観察した走査型電子顕微鏡写真である。 本発明の一実施例によって絶縁パターン上に形成された薄膜膜を示す断面図である。 本発明の他の実施例による表示基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示装置の断面図である。

符号の説明

１００ 表示基板
１０５ 基板
１１０、５１０ 出力端
１２０、５２０ 信号印加モジュール
１３０、５３０ 絶縁パターン
１３５、５３５ テクスチャーパターン
１３７ 透明電極
１４０、１４２、５４０ 銀−モリブデン合金電極
１４５ 開口
１５０ 配向膜
２００ 試験プレート
２１０ ベースフィルム
２２０ テストフィルム
５００ 第１表示基板
５０５ 第１基板
５５０ 第１配向膜
６００ 第２表示基板
６０５ 第２基板
６１０ カラーフィルター
６２０ 共通電極
６３０ 第２配向膜
７００ 液晶層
８００ 表示装置
ＧＥ ゲート電極
ＧＬ ゲートライン
ＧＩＬ ゲート絶縁膜
ＣＰ チャンネルパターン
ＳＥ ソース電極
ＤＬ データライン
ＡＳＰ アモルファスシリコンパターン
ｎＡＳＰ 高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターン
ＣＴ コンタクトホール

Claims (21)

1. 基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュールと、
   前記出力端を露出させるコンタクトホールが形成された絶縁パターンと、
   前記出力端と電気的に連結され、銀及びモリブデンを含む銀−モリブデン合金電極と、を有することを特徴とする表示基板。
2. 前記信号印加モジュールは、タイミング信号の印加を受けるゲートラインから突出したゲート電極、該ゲート電極を絶縁するゲート絶縁膜、前記ゲート電極と対応する該ゲート絶縁膜上に配置されたチャンネル層、及び該チャンネル層に前記データ信号を出力するためにデータラインから突出したソース電極を更に含み、
   前記出力端は、ドレイン端子であることを特徴とする請求項１記載の表示基板。
3. 前記絶縁パターンの上面には、テクスチャーパターンが形成されることを特徴とする請求項１記載の表示基板。
4. 前記テクスチャーパターンは、エンボシングパターンであることを特徴とする請求項３記載の表示基板。
5. 前記銀−モリブデン合金電極は、銀９９〜９５ｗｔ％及びモリブデン１〜５ｗｔ％からなることを特徴とする請求項１記載の表示基板。
6. 前記銀−モリブデン合金電極は、多角形形状の開口を含むことを特徴とする請求項１記載の表示基板。
7. 前記絶縁パターンと前記銀−モリブデン合金電極との間には、透明で導電性である透明電極が形成されることを特徴とする請求項１記載の表示基板。
8. 前記透明電極は、酸化スズインジウム又は酸化亜鉛インジウムを含むことを特徴とする請求項７記載の表示基板。
9. 基板上にデータ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュールを形成する段階と、
   前記信号印加モジュールを覆う絶縁薄膜上に出力端の一部を露出させるためのコンタクトホールを形成して絶縁パターンを形成する段階と、
   前記絶縁パターン上に出力端と電気的に連結された銀−モリブデン合金層を形成する段階と、
   前記銀−モリブデン合金層をパターニングして、銀−モリブデン合金電極を形成する段階と、を有することを特徴とする表示基板の製造方法。
10. 前記銀−モリブデン合金層は、銀９９〜９５ｗｔ％及びモリブデン１〜５ｗｔ％からなることを特徴とする請求項９記載の表示基板の製造方法。
11. 前記絶縁パターンを形成する段階は、前記絶縁膜の表面にエンボシングパターンを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項９記載の表示基板の製造方法。
12. 絶縁パターンを形成する段階と前記銀−モリブデン合金層を形成する段階との間には、前記絶縁パターン上に透明で導電性である透明電極層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項９記載の表示基板の製造方法。
13. 前記銀−モリブデン合金電極は、複数個の開口を含むことを特徴とする請求項９記載の表示基板の製造方法。
14. 前記銀−モリブデン合金電極を形成する段階後に、前記銀−モリブデン合金電極が覆われるように前記絶縁パターン上に配向膜を形成する段階、及び前記配向膜を１５０〜２５０℃の温度でベーキングする段階を更に含むことを特徴とする請求項９記載の表示基板の製造方法。
15. 前記銀−モリブデン合金電極を形成する段階後に、前記銀−モリブデン合金電極が覆われるように前記絶縁パターン上に配向膜を形成する段階、及び前記配向膜を前記銀−モリブデン合金電極の黄色化を抑制するためにベーキングする段階を更に含むことを特徴とする請求項９記載の表示基板の製造方法。
16. 第１基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、前記出力端を露出させるコンタクトホールが形成された絶縁パターン、及び前記出力端と電気的に連結され、銀−モリブデン合金電極を含む第１表示基板を具備することを特徴とする表示装置。
17. 前記第１基板と向かい合う第２基板上に配置され、前記銀−モリブデン合金電極と対向する共通電極を含む第２表示基板と、
    前記第１表示基板と第２表示基板との間に介在する液晶層と、を更に含むことを特徴とする請求項１６記載の表示装置。
18. 前記銀−モリブデン合金電極は、銀９９〜９５ｗｔ％及びモリブデン１〜５ｗｔ％からなることを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
19. 前記銀−モリブデン合金電極及び前記絶縁パターンと接触して透明電極が配置されることを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
20. 前記透明電極は、前記銀−モリブデン合金電極と前記絶縁パターンとの間に介在することを特徴とする請求項１９記載の表示装置。
21. 前記透明電極は、酸化スズインジウム又は酸化亜鉛インジウムを含むことを特徴とする請求項１９記載の表示装置。