CN1201183C - 电光装置及其制造方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具有在保持基板间的电导通的同时还可以简便地进行单元间隙的控制的构造的液晶装置。本发明的液晶装置，采用把液晶16夹在中间地对向配设TFT阵列基板7和对向基板15，把导电层51被覆到设置在对向基板15上边的凸部50上形成基板间导通部分34，把该基板间导通部分34收容在密封剂28内的办法，就可以使上述TFT阵列基板7和对向基板15间的电导通和单元间隙保持规定值。

Description

电光装置及其制造方法、电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置及其制造方法、电子设备，特别是涉及适合于在基板间的间隔和电导通的控制中使用的基板构造。
背景技术
图13示出了现有的液晶显示装置的一个例子。液晶面板100的构成为：以规定的间隔配置网格状地形成多条数据线和扫描线101，同时矩阵状地配置有象素电极、由驱动该象素电极的薄膜晶体管(以下，简称为TFT)构成的开关元件等的元件基板102(TFT阵列基板)，和配置有对向电极103的对向基板104。元件基板102和对向基板104使得电极形成面彼此对向那样地，用密封剂105粘贴起来。向用该密封剂105划分成区的基板间的区域内封入了液晶106，同时，还配置衬垫107，基板102和基板104之间的间隔保持规定的大小。在元件基板102的电极形成面上的液晶封入区外，形成有共用电极108，在该共用电极108上设置有由银膏构成的导通部分109，借助于此，结果元件基板102与对向基板104间就可以形成电导通。此外，在元件基板102、对向基板104的外面一侧，还分别粘贴有偏振光板110。
另外，图示虽然省略了，但是，在元件基板102上的从对向基板104伸出来的端子部分上，装配有向各个数据线供给数据信号的数据线驱动用IC，同时，还装配有向各个扫描线101供给扫描信号的扫描线驱动用的IC。
此外，在本例的情况下，在元件基板102的下表面一侧，通过硅橡胶等的缓冲材料112设置有背光源单元111。该背光源单元111，由照射光的线状的荧光管113、反射由该荧光管113产生的光以导往导光板114的反射板115、使被导往导光板114的光均匀地向液晶面板100扩散的扩散板116、使从导光板114向与液晶面板100相反的方向出射的光向液晶面板110一侧反射的反射板115构成。
要想制造这样的液晶显示装置，首先，在元件基板102和对向基板104上边，用光刻等的技术，在各个基板上形成了必要的电极层和驱动电路层之后，例如，向元件基板102的电极形成面上散布用来使2块基板间的间隔保持恒定的衬垫107，同时，用丝网漏印印刷等在对向基板104的电极形成面上形成用来密封液晶的密封剂105。
其次，采用把元件基板102和对向基板104粘贴起来，从密封剂105的开口部分向2块基板间的间隙内注入液晶106，然后用密封剂105把该开口部分密封起来，把偏振光板粘贴到两面上的办法，完成液晶面板100。
最后，对该液晶面板100安装背光源单元、各种驱动用基板等，放到壳体内，就完成了液晶显示装置。
用来实现上下基板间的电导通的导通部分109，是使导电膏硬化后形成的。该导电膏，是向树脂中混合搅拌进例如银粉等的导电性良好的金属粉或导电性的填充物等的一种膏。在形成导通部分109时，可以利用例如用分配器等的滴下装置，向元件基板102的电极形成面上边的规定位置上滴下规定量的导电膏之后，用加热或光照射等的适宜的手段使树脂硬化等的方法。
这样的导通部分109，在可以廉价地制造的反面，存在着这样的问题：在导电膏滴下时的位置上的精度和量上的精度方面存在着限制。此外，用分配器进行的膏射点，结果变成为例如占有0.5mm×0.5mm边缘左右的面积，存在着不适合近些年来的液晶装置的窄框缘化的问题。此外，取决于导电膏的滴下状态和其硬化条件等，所形成的导通部分109向基板的压粘密度或压粘面积会发生变化，因而存在着其电阻值不恒定的问题。此外，由于导电膏暴露在外气中，故归因于此其电阻值也会时间性地变化，存在着其耐气候性不好的问题。
作为解决这样的问题的方法，人们提出了直接向密封剂中分散在树脂粒子表面上已被覆上金属膜的导电粒子或金属粒子等，使之作为导通部的构成的方案。但是，在这样的构成的情况下，导通部分的电阻值也将不只取决于导电粒子或金属粒子的凝集和其分散性而变化，而随密封剂和基板间的压粘密度导通部分的电导率也变化，存在着缺乏可靠性的问题。
发明内容
本发明，就是为解决上述的课题而发明的，其目的在于提供具有可以稳定地保持电光装置的基板间的电导通的基板间导通部分的电光装置及其制造方法，和使用该电光装置的电子设备。
为了实现上述目的，本发明的电光装置，是一种把电光材料挟持在彼此对向的一对基板间构成的电光装置，其特征在于：在构成上述一对基板的各基板内面上设置导电部分，同时，在上述一对基板中的一方上设置由用导电层被覆起来的凸部构成的基板间导通部分，通过上述基板间导通部分把上述各个基板的导电部分彼此间电连起来。在这里所说的‘设置在各个基板的内面上的导电部分’，是含有电极或布线的部分。
倘采用本发明的这样的构成，则可以借助于在其电导率方面可靠性优良的导电层确实地保持各个基板的导电部分间的电导通。此外，由于可以恒定地保持导电层和基板之间的连接条件，故可以消除由连接条件的变化引起的电阻值等的电气特性的参差，可以在基板间确实地保持稳定的电导通。
此外，本发明的电光装置，是一种把电光材料挟持在彼此对向的一对基板间构成的电光装置，其特征在于：在构成上述一对基板的各个基板的内面上设置导电部分，同时，在上述一对基板中的一方基板上设置保持上述一对基板间为规定的间隔的凸部，通过把导电层被覆到上述凸部上构成的基板间导通部分把上述各个基板的导电部分彼此间电连起来。
倘采用本发明的这样的构成，则不仅可以确实且稳定地保持各个基板的导电部分间的电导通，还可以借助于上述凸部的高度和导电层的膜厚之和，使基板间的间隔保持规定的值。
即，如果预先把给凸部的高度加上导电层的膜厚后的值调整为作为基板间距离的规定的值，由于必然地会变成为2块基板间的间隙，故就可以容易地进行间隙的控制。即，采用使本发明的基板间导通部分兼具现有的衬垫的作用的办法，就也可以合理地进行2块基板的间隙控制。
理想的是上述基板间导通部分的凸部由构成上述一方的基板的1层或多层的膜材料构成。
倘采用该构成，则在基板上形成凸部时就没有必要特别地准备与基板不同的构件，不会使造价增加。此外，由于可以用构成元件基板或对向基板的膜材料来形成凸部，故可以采用对通常的制造工艺条件进行若干变更的办法形成。
理想的是上述凸部例如由聚丙烯膜、聚酰亚胺膜之类的树脂材料构成。如果用这些具有感光性的热硬化型的树脂构成凸部，则可以利用光刻技术等在基板上边以所希望的膜厚容易地形成所希望的形状的凸部。
上述基板间导通部分的导电层，理想的是由金属膜构成。倘采用金属膜，则可以得到更进一步稳定的导电性，可以使基板间的电气特性稳定。此外，金属膜可以借助于种种的制膜技术简单且廉价地以规定的膜厚被覆到凸部表面上，得益于此，可以实现电光装置的低成本化。
此外，上述基板间导通部分的导电层，理想的是由透明导电性膜构成。此外，采用把凸部也同时作成为透明构件的部分，则不论是在电光装置的任何区域上形成该构成的基板间导通部分，电光装置的光透过率也不会降低。此外，倘采用这样的构成，在基板上形成透明电极时，还可以同时形成基板间导通部分的导电层，可以实现制造工艺的简化。
作为上述电光材料可以使用液晶。
倘采用该构成，则可以稳定地保持各个基板间的电导通，而且，可以实现确实控制单元间隙的液晶显示装置。
也可以仅仅在各个基板中的图象显示区域外的周边部分上设置上述基板间导通部分。如这样构成，则在图象显示区域内，即象素区域的构成与现有的完全没有改变，所以在确保了象素图形设计的自由度与现有同样之外，还能保持基板间可靠的电导通。
另外，也可以将上述基板间导通部设在密封液晶的密封剂部分的内部。
得益于作成为这样的构成，就可以更为牢固地把基板间导通部分紧密粘接到基板上，不仅可以保持更为稳定地的电导通，还可以提高其机械强度。此外，基板间导通部分变成为用密封部分保护起来的构造，由于不会接触外气，故可以减少因导电层的氧化等引起的电阻值的变化等，可以变成为耐气候性良好的电光装置。此外，倘采用该构成，则还可以实现电光装置的窄框缘化而无须在电光装置的图象显示区域外边设定导通部分形成空间。
倘采用该构成，由于上述基板间导通部分起着密封剂内部的衬垫的作用，故可以不要以往要使之混入到密封剂的内部或电光材料内的衬垫，得益于此，也可以进行制造工序的简化。
本发明的电光装置的制造方法，是一种把电光材料挟持在彼此对向的一对基板间构成的电光装置的制造方法，其特征在于具有下述工序：在上述一对基板中的一方的基板上设置凸部的工序；在该凸部上形成导电层以形成基板间导通部分的工序。
倘采用该方法，由于结果变成为在规定位置上形成了凸部后，在该凸部的表面上确实地形成电导率不会因形成条件而变化的导电层，故可以在所希望的位置上以正确的电气特性形成总是具有恒定的电导率的基板间导通部分。
此外，倘采用该方法，则可以去掉使导电膏滴下或硬化的工序，变成为可以仅仅用制膜技术进行所有的制造工序，因而也可以实现归因于制造工序和制造机械的简化而带来的造价的降低。
本发明的电光装置的制造方法，其特征在于：在上述基板的成型时一体成型上述基板间导通部分的凸部。
倘采用该方法，则不需要新设置形成上述基板间导通部分的工序。
本发明的电光装置的制造方法，其特征在于：用光刻技术形成上述基板间导通部分的凸部。
倘采用该方法，不仅可以容易地以所希望的膜厚在基极上边形成所希望形状的凸部，采用例如在基板上形成其它的元件等时的若干的工艺变更的办法，就可以容易地形成基板间导通部分。
本发明的电子设备，其特征在于：具备上述本发明的电光装置。
倘采用本发明归因于具备上述本发明的电光装置，则可以实现具备显示品位高的显示部分的电子设备。
附图说明
图1是构成本发明的实施方案1的液晶装置的图象显示区域的多个象素中的各种元件、布线等的等效电路图。
图2是同上液晶装置的TFT阵列基板中的相邻的多个象素群的平面图。
图3是同上液晶装置的对向基板的平面图。
图4是沿着图2和图3的A-A’线的剖面图。
图5是用来说明同上液晶装置的TFT阵列基板的制造工艺的工序剖面图。
图6的平面图示出了同上液晶装置的整体构成。
图7是沿着图6的B-B’线的剖面图。
图8的平面图示出了本发明的实施方案2的液晶装置的整体构成。
图9是沿着图8的C-C’线的剖面图。
图10的立体图示出了使用本发明的液晶装置的电子设备的一个例子。
图11的立体图示出了使用本发明的液晶装置的电子设备的另一个例子。
图12的立体图示出了使用本发明的液晶装置的电子设备的再一个例子。
图13的剖面图示出了现有的液晶显示装置的一个例子。
标号说明
7             TFT阵列基板
13            透明基板
14            透明基板
15            对向基板
16            液晶
24            对向电极
28            密封剂
34            基板间导通部
50            凸部
51            导电层
60            共用电极
具体实施方式
实施方案1的液晶装置的构成
以下，参看图1到图7说明本发明的实施方案1。
图1是构成本发明的实施方案的液晶装置的图象显示区域的多个象素中的各种元件、布线等的等效电路图。图2是已形成了数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板中的相邻的多个象素的平面图。图3是已形成了滤色片的对向基板的平面图。图4是沿着图2和图3的A-A’线的剖面图。图5是用来说明TFT阵列基板的制造工艺的工序剖面图。图6的平面图示出了液晶装置的整体构成。
另外，在以上的附图中，为了把各层或各个构件作成为可以在图面上边可以识别的那种程度的大小，在各层或各个构件中都使平面尺寸或膜厚等的比例尺适宜地不同。
液晶装置的主要部分的构成
如图1所示，在本实施方案的液晶装置中，构成图象显示区域的矩阵状地形成的多个象素，矩阵状地形成有多个象素电极1和用来控制该象素电极1的TFT2，供给图象信号的数据线3已被电连到相应的TFT2的源极区域上。要写入到数据线3上的象素信号S1、S2、...、Sn，既可以按照该顺序依线供给，也可以对相邻的多条数据线3间分组供给。此外，要构成为使得扫描线4电连到TFT2的栅极上，并以规定的定时，按照扫描信号G1、G2、...、Gm的顺序，依线给扫描线4脉冲式地加上扫描信号。象素电极1已电连到TFT2的漏极上，采用使作为开关元件的TFT2仅仅在恒定的期间内才变成为ON状态的办法，以规定的定时，写入从数据线3供给的图象信号S1、S2、...、Sn。
象这样地通过象素电极1写入到液晶的规定电平的图象信号S1、S2、...、Sn，在与后边要讲述的对向基板上形成的对向电极之间，可以保持恒定期间。在这里，出于防止所保持的图象信号进行漏泄的目的，有时候要与在象素电极1和对向电极之间形成的液晶电容并联地附加上存储电容部分5。标号6是构成存储电容部分5的上部电极的电容线。
如图2所示，在构成液晶装置的一方的基板的TFT阵列基板7上，矩阵状地配置有多个象素电极1(用虚线表示轮廓)，沿着象素电极1的纸面纵向延伸的边设置数据线3(用2点链状线表示轮廓)，沿着纸面横向延伸的边设置有扫描线4和电容线6(都用实线表示轮廓)。在上述液晶装置是透射式液晶装置的情况下，上述象素电极1可以用铟锡氧化物(以下，简称为ITO)等透明导电膜形成。此外，在上述液晶装置为反射式液晶装置的情况下，上述象素电极1可由铝(Al)等金属薄膜形成。另外，上述液晶装置是半透射反射式液晶装置的场合，上述象素电极1则可以用例如透明导电膜和金属薄膜的叠层膜形成。在本实施方案中，由多晶硅膜构成的半导体层8(用1点链状线表示轮廓)。在数据线3和扫描线4的交叉点的附近被形成为U形形状，该U形形状部分8a的一端沿着相邻的数据线3的方向(纸面右方向)和该数据线3的方向(纸面上方向)延长。在半导体层8的U形形状部分8a的两端上，形成有接触孔9、10，一方的接触孔9，变成为把数据线3和半导体层8的源极区电连起来的源极接触孔，另一方的接触孔10则变成为与漏极电极11(用2点链状线表示轮廓)和半导体层8的漏极区电连起来的漏极接触孔。在与设置有漏极电极11上的漏极接触孔10的一侧相反的一侧的端部上，形成有用来把漏极电极11和象素电极1电连起来的象素接触孔12。
本实施方案的TFT2，由于半导体层8的U形形状部分8a与扫描线4进行交叉，结果变成为半导体层8和扫描线4进行2次交叉，故构成在一个半导体层上边有2个栅极的TFT，即构成所谓双栅极型TFT。此外，电容线6被延设为使得沿着扫描线4贯穿在纸面横向方向上排列的象素，同时，分枝的一部分6a则沿着数据线3在纸面纵向方向上延伸。于是，就可以用都沿着数据线3延长的半导体层8和电容线6形成存储电容部分5。
另一方面，如图3所示，在对向基板15上，与TFT阵列基板7的各个象素区域对应的设置有分别与构成滤色片的R(红)、G(绿)、B(蓝)这3原色对应的色材层22，在这些色材层22的边界部分上设置网格状地遮光的第1遮光膜21(黑色矩阵)。
本实施方案的液晶装置，如图4所示，具有一对透明基板13、14，具备构成其一方的基板的TFT阵列基板7，构成与之对向配置的另一方的基板的对向基板15，在这些基板7、15间挟持有液晶16。透明基板13、14，例如由玻璃基板或石英基板构成。
如图4所示，在TFT阵列基板7上设置基底绝缘膜17，在基底绝缘膜17上边，设置例如膜厚30到100nm左右的多晶硅膜构成的半导体层8，以覆盖该半导体层8式地在整个面上形成膜厚30到150nm左右的构成栅极绝缘膜的绝缘薄膜18。在基底绝缘膜17上边设置对各个象素电极1进行开关控制的TFT2。TFT2具备由钽或铝等的金属构成的扫描线4、借助于来自该扫描线4的电场而形成沟道的半导体层8的沟道区域8c、构成使扫描线4和半导体层8绝缘的栅极绝缘膜的绝缘薄膜18、由铝等的金属构成的数据线3(在图4中未画出来)、半导体层8的源极区8b和漏极区8d。
此外，在包括扫描线4上和绝缘薄膜18上的TFT阵列基板7上，形成用分别形成了通往源极区8b的源极接触孔9，通往漏极区8d的漏极接触孔10(在图4中都未画出来)的第1层间绝缘膜19。即，数据线3通过贯通第1层间绝缘膜19的源极接触孔9电连到半导体层8的源极区8b上。
此外，在第1层间绝缘膜19上，形成由与数据线3同一层的金属构成的漏极电极11，形成已形成了通往漏极电极11的象素接触孔12(在图4中未画出来)的第2层间绝缘膜20。即，象素电极1通过漏极电极11与半导体层8的漏极区8d电连起来。
在图4中的TFT2的侧方形成存储电容部分5。在该部分中，在透明基板13上边设置基底绝缘膜17，在基底绝缘膜17上边设置与TFT2的半导体层8一体的已掺进了杂质的半导体层8，在整个面上形成绝缘薄膜18使得把该半导体层8被覆起来。在绝缘薄膜18上边，形成由与扫描线4同一层的金属构成的电容线6，使得把电容线6被覆起来那样地在整个面上形成第1层间绝缘膜19。
此外，第2层间绝缘膜20可以用做平坦化膜，例如，把本身为平坦性高的树脂膜的一种的聚丙烯膜形成为大约2微米左右的厚度。在该第2层间绝缘膜20的表面上，形成象素电极1，此外，在与TFT阵列基板7的最上层的液晶16接连的面上设置有聚酰亚胺等构成的取向膜25。
另一方面，在对向基板15一侧，在透明基板14上，形成例如由铬等的金属膜、树脂黑光刻胶等构成的第1遮光膜21，在第1遮光膜21上边，形成色材层22。然后，在基板整个面上，依次形成与象素电极1同样的由ITO等的透明导电膜构成的对向电极24、取向膜26。
液晶装置的制造工艺
其次，用图5对上述构成的液晶装置的制造工艺进行说明。
图5的工序剖面图示出了TFT阵列基板7的制造工艺。
首先，如图5的工序(1)所示，在玻璃基板等的透明基板13上边形成基底绝缘膜17，在其上边叠层无定形的硅层。然后，采用对该无定形硅层，施行例如激光退火处理等的加热处理的办法，使无定形硅层再结晶化，形成例如膜厚30到100nm左右结晶性的多晶硅层23。
其次，如图5的工序(2)所示，把所形成的多晶硅层23图形化为使得变成为上述的半导体层8的图形，在其上边形成例如变成为膜厚30到150nm左右的栅极绝缘膜的绝缘薄膜18。
然后，在用聚酰亚胺等的光刻胶，对在显示区域中，应当变成为TFT2和存储电容5之间的连接部分和存储电容5的下部电极的区域以外的区域形成掩模之后，例如，通过绝缘薄膜向多晶硅层内掺入作为施主的PH3/H2离子。这时的离子注入条件，例如，31P的离子剂量为3×1014到5×1014离子/cm2左右，加速能则需要80keV左右。
其次，在剥离掉上述光刻胶之后，如图5的工序(3)所示，在绝缘薄膜18上边形成扫描线4和电容线6。该扫描线4的形成，采用在溅射或真空蒸镀上钽或铝等的金属之后，形成该扫描线4等的光刻胶图形，进行以该光刻胶图形为掩模的刻蚀，进行剥离光刻胶图形。然后，在该扫描线4和电容线6的形成后，在形成了被覆存储电容部分5的光刻胶图形之后，注入PH3/H2离子。这时的离子注入条件，例如，31P的离子剂量为5×1014到7×1014离子/cm2左右，加速能则是80keV左右。借助于以上的工序(3)，就可以形成TFT2的源极区8b和漏极区8d。
其次，在剥离掉光刻胶图形后，如图5的工序(4)所示，叠层第1层间绝缘膜19，然后，在将变成为源极接触孔9和漏极接触孔10(在图5中都未画出来)的位置上形成开口，然后，采用溅射或蒸镀铝等的金属，形成构成数据线3及漏极电极11的形状的光刻胶图形，以之为掩模进行刻蚀的办法，形成数据线3(未画出来)和漏极电极11。然后，叠层第2层间绝缘膜20，在将要成为象素接触孔12的位置上形成开口。
然后，如图5的工序(5)所示，在其上边成膜膜厚约50到200nm左右的由ITO等的透明导电性薄膜后，使之图形化以形成象素电极1，最后，在整个面上形成取向膜25。借助于以上的工序，完成本实施方案的TFT阵列基板7。以上的说明，虽然是根据透射式液晶装置的情况下的工序进行的说明，但是，在反射式液晶装置的情况下，上述象素电极1可以用铝(Al)等的金属薄膜形成，在半透射反射式液晶装置的情况下，上述象素电极1，例如可以透明导电膜和金属薄膜之间的叠层膜形成。
另一方面，对于图4所示的对向基板15来说虽然工序图的例示被省略，但是，首先准备玻璃基板等的透明基板14，在溅射上例如金属铬之后，经过光刻工序、刻蚀工序形成第1遮光膜21和作为后述的框缘的第2遮光膜29(参看图6)。另外，这些遮光膜21、29，除去Cr(铬)、Ni(镍)、Al(铝)等的金属材料之外，也可以用已把炭或Ti分散到光刻胶内的树脂黑等的材料。
其次，用染色法、颜料分散法、印刷法等众所周知的方法形成将变成为滤色片的色材层22之后，采用用溅射法等向对向基板15的整个面上淀积约50到200nm的厚度的由ITO等的透明导电性薄膜的办法，形成对向电极24。
此外，采用在用旋转涂敷法等涂敷上膜厚约3微米的聚丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料之后，使之图形化的办法，形成凸部50。接着，在凸部50的表面上被覆上导电层51(参看后边说明的图6和图7)变成为基板间导通部分34之后，在对向电极24的整个面上形成取向膜26。由于这样的凸部50可以借助于向对向基板15上进行的聚丙烯树脂等的有机材料的涂敷的办法形成，故仅仅使通常的制造工艺进行若干变更就可以充分地形成。
另外，凸部50也可以在透明基板14的成型时一体地成型，归因于此，可以实现制造工序的简化。此外，在用硅氧化膜或硅氮化膜等的无机材料构成凸部50的情况下，采用利用在半导体制造工序中一般地说要使用的制膜技术等的办法就可以容易且正确地以所希望形状制造所希望的膜厚的凸部。此外，也可以根据需要把多个膜材料叠层起来制造该凸部50。
基板间导通部分34，是保持TFT阵列基板7和对向基板15之间的电导通的部分，采用使之与设置在TFT阵列基板7上的共用电极60(参看图6和图7)进行接触的办法，把对向电极24和共用电极60电连起来。共用电极60，使得可以与输入信号对应地加上电压，以便对对向电极24无延迟而且在对向基板15的不论什么部分中都变成为均一那样地，在TFT阵列基板7上边至少要在一个以上的地方设置，且在各个共用电极60间用共用布线61进行连接。基板间导通部分34的导通部分51的构成材料，只要是具有导电性的材料，就没有什么特别限制，除银、铜、镍、铝等、的材料之外，也可以用ITO等的透明导电性膜构成。这样的导电层51可以用真空蒸镀法等的各种制膜技术容易地在凸部50的表面上形成。另外，这时，采用用进行涂敷等的办法向要形成导电层51的凸部50以外的基板表面部分上，涂敷感光性树脂材料等形成掩模，在导电层51形成后，除去掩模材料即可。
采用把凸部50的高度a、导电层51的膜厚b、和共用电极60的厚度c的合计a+b+c，换句话说，把基板间导通部分34的距基板的高度和共用电极60的厚度的合计值，设定为与液晶装置的基板间距离相等的办法，结果就变成为该基板间导通部分34具有使单元间隙保持恒定的功能，因而可以用做衬垫。例如，在单元间隙为3.4微米，共用电极的厚度为0.2微米，凸部的高度为3微米的情况下，使导电层的膜厚变成为0.2微米即可。
此外，虽然基板间导通部分34的配设个数没有什么特别限制，但是如果考虑更为均一且迅速的响应，则理想的是在图象显示部分的每一个拐角部分上都配设一个以上。
最后，如上所述，使形成了各层的TFT阵列基板7和对向基板15对向的配置，并用密封剂粘贴起来，制作空面板。接着，如果向空面板内封入液晶16，就可制造成本实施方案的液晶装置。
液晶装置的整体构成
其次，用图6对液晶装置40的整体构成进行说明。
在图6中，在TFT阵列基板7的上边，沿着其边缘设置密封剂28，在其内侧并行地设置作为框缘的第2遮光膜29。在密封剂28的外侧的区域上，沿着TFT阵列基板7的一边设置数据线驱动电路30和外部连接端子31，沿着与该一边相邻的2边设置扫描线驱动电路32。如果供往扫描线4的扫描信号延迟不成为问题，不言而喻扫描线驱动电路32也可以仅仅在单侧设置。另外，也可将数据线驱动电路30沿着图象显示区域的边的两侧配置。例如，也可以作成为使得奇数列的数据线3，从沿着图象显示区域的一方的边配设的数据线驱驱动电路供给图象信号，偶数列的数据线3则从沿着上述图象显示区域的相反一侧的边配设的数据线驱动电路供给图象信号。如果作成为使得象这样地梳状地驱动数据线3，由于可以扩展数据线驱动电路的占有面积，故可以构成复杂的电路。此外在TFT阵列基板7的剩下的一边上，设置用来把设置在图象显示区域的两侧的扫描线驱动电路32间连接起来的多条布线33。然后，借助于该密封剂28把与密封剂28具有大体上相同的轮廓的对向基板15固定粘接到TFT阵列基板7上。
此外，在TFT阵列基板7的拐角部分的至少一个地方上，设置有用来使对向对向基板15的对向电极24上施加电压成为可能的共用电极60。通过液晶16，在与已形成了该共用电极60的地方对峙的对向电极15上边，形成有用来在各个基板间形成电导通的基板间导通部分34，并与各个共用电极60连接起来。各个共用电极60间，在图6中，借助于用虚线和实线表示的共用布线61彼此连接起来，同时，连接到共用端子62上，使得可以根据源自共用端子62的输入给对向电极24加上无延迟的均一的电压。另外，只要可给对向电极24加上无延迟和均一的电压，不言而喻增减共用电极60的配设个数是可能的。
图7示出了在图6所示的液晶装置的1点链状线B-B’处切开时的截面的概略，对基板间导通部分34更为详细地进行说明。图7概略地示出了TFT阵列基板7和对向基板15之间的连接状态，对于那些在上述图1到图6中所说明的TFT等的开关元件和取向膜等与基板间的连接没有直接关系的构成，省略而不进行说明，在图7中，TFT阵列基板7和对向基板15，已用密封剂28把液晶16固定粘接起来，并用基板间导通部分34保持电导通。基板间导通部分34在对向基板15上边被设置为使得与设置在TFT阵列基板7上边的共用电极60接触，凸部50的高度a和导电层51的膜厚b和共用电极60的膜厚c的合计值变成为液晶装置的单元间隙。即，结果变成为基板间导通部分34具有作为衬垫的功能。
倘采用这样的构成的基板间导通部分34，与现有的由导电膏构成的导通部分比较，则可以使其形成区域的空间变成为更小，使窄框缘化成为可能。此外，导电层51由于由均一的膜材料构成，即便是在无论哪一部分中其电导率也都不会变化，故可以规定电阻值保持基板间的电导通。此外，采用配设多个使电导率变成为恒定的基板间导通部分的办法，就可以给对向基板15加上无延迟的均一的电压，因而可以进行更鲜明的图象的显示。
实施方案2的液晶装置的构成
以下，参看图8和图9说明本发明的实施方案2。图9是在图8所示的液晶装置的1点链状线C-C’处剖开时的剖面图。
本实施方案的液晶装置与实施方案1的不同之处在于把基板间导通部分34收容在把液晶16封入在基板间的密封剂28的内部。
归因于作成为这样的构成，就可以提高基板间导通部分34和共用电极60之间的压粘度而不仅增加其机械强度，还可以减小因压粘状态的变化而产生的基板间导通部分34的电阻值的变化。归因于此，就可以保持基板间可靠性更高的电导通。
此外，倘采用该构成，导电层51就不会被直接暴露于外气中，就可以防止因氧化等引起的导电层51的电阻值的上升等，可以变成为耐气候性更好的液晶装置。
再有，倘采用该构成，则结果就变成为基板间导通部分34被收容在密封剂28的配设空间内，因而还可以实现进一步的窄框缘化。特别是在使基板间导通部分34作为用来保持单元间隙的衬垫起作用的情况下，该效果是显著的。
电子设备
以下，对具备本发明的液晶装置的电子设备进行说明。
图10立体图示出了移动电话的一个例子。
在图10中标号1000表示移动电话本体，标号1001表示使用上述液晶装置的液晶显示部分。
图11的立体图示出了手表式电子设备的一个例子。
在图11中，标号1100表示手表本体，标号1101表示使用上述液晶装置的液晶显示部分。
图12的立体图示出了文字处理机、个人计算机等的便携式信息处理装置的一个例子。
在图12中，标号1200是信息处理装置，标号1202是键盘等的输入部分，标号1204是信息处理装置本体，标号1206是使用上述液晶装置的液晶显示部分。
图10到图12所示的电子设备，由于是具备使用上述液晶装置的液晶显示部分的电子设备，故可以实现显示品位高的电子设备。
另外，本发明的技术范围并不限于上述实施方案，在不偏离本发明的宗旨的范围内可以加以种种的变更。例如，在上述实施方案1和2中，虽然仅仅用膜厚1层厚的膜构成凸部50，但是也可以用2层以上的叠层膜构成。此外，在上述的实施方案中虽然示出的是用聚丙烯膜、聚酰亚胺膜等的有机材料膜形成凸部50的例子，但是，也可以不用这些材料而代之以用硅氧化膜、硅氮化膜等的无机材料膜。再有，就凸部50的形状或形成位置来说，除去在上述实施方案中示出的例子之外，也可以适宜变更设计。
在上述实施方案中，虽然例示的是把TFT当作开关元件的有源矩阵方式的液晶装置，但是，除此之外，也可以在把薄膜二极管(TFD)当作开关元件的有源矩阵方式的液晶装置，或无源矩阵方式的液晶装置中应用。此外，也可以在电致发光、等离子体显示器等其它的电光装置应用本发明。
就如以上详细地说明的那样，倘采用本发明，由于用导电层把设置在一方的基板上的凸部被覆起来作成为基板间导通部分，故不仅在基板间保持稳定的电导通，而且由于可以减小基板间导通部分在电光装置内所占的空间，故窄框缘化成为可能。
此外，如果预先把凸部的高度和导电层的膜厚设定为规定的大小，则也可以同时进行单元间隙的控制，也可以使之作为衬垫起作用，因而可以进一步窄框缘化。
再有，如果把本发明的基板间导通部分收容在密封液晶的密封剂内部，则除去可以进一步窄框缘化之外，不仅会提高基板间导通部分的机械强度，使导电层不再暴露在外气中，还可以在基板间保持更为稳定的电导通，可以作成为耐气候性良好的电光装置。

Claims (12)

1.一种电光装置，是使在第1基板上形成的第1电极和在第2基板上形成的第2电极相互对向地形成的一对基板间夹持电光材料而构成的电光装置，其特征在于：
在上述第2电极与上述第1电极对向的部分上，具有形成于上述第2电极表面的凸部和以覆盖该凸部的方式形成的导电层所形成的基板间导通部，
在上述第1基板上形成的第1电极和在上述第2基板上形成的第2电极通过上述基板间导通部分电连起来。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述基板间导通部分的凸部由构成上述一方的基板的1层或多层的膜材料构成。
3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述基板间导通部分的凸部由树脂材料构成。
4.根据权利要求1到3的任何一项所述的电光装置，其特征在于：上述基板间导通部分的导电层由金属膜构成。
5.根据权利要求1到3的任何一项所述的电光装置，其特征在于：上述基板间导通部分的导电层由透明导电性膜构成。
6.根据权利要求1到3的任何一项所述的电光装置，其特征在于：上述电光材料是液晶。
7.根据权利要求1到3的任何一项所述的电光装置，其特征在于：上述基板间导通部分设置在各个基板中的图象显示区域外的周边部分上。
8.根据权利要求1到3的任何一项所述的电光装置，其特征在于：上述基板间导通部分设置在密封上述电光材料的密封部分的内部。
9.一种电光装置的制造方法，是关于使在第1基板上形成的第1电极和在第2基板上形成的第2电极相互对向地形成的一对基板间夹持电光材料而构成的电光装置的制造方法，其特征在于：包括
在上述一对基板中的一方的基板上设置凸部的工序；
和在该凸部上形成导电层以形成基板间导通部分的工序。
10.根据权利要求9所述的电光装置的制造方法，其特征在于：在上述基板的成型时一体成型上述基板间导通部分的凸部。
11.根据权利要求9所述的电光装置的制造方法，其特征在于：用光刻方法形成上述基板间导通部分的凸部。
12.一种电子设备，其特征在于：具备权利要求1到8中的任何一项所述的电光装置。
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