TWI754173B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種液晶顯示裝置包括陣列基板、液晶層及對向基板。陣 列基板包括第一畫素以及第二畫素。第一畫素包括第一主動元件及第一畫素電極。第一畫素電極藉由第一通孔而電性連接至第一主動元件。第一畫素電極包括沿著第一方向延伸的多條第一電極條。第一通孔位於第一畫素電極之第一角落。第二畫素包括第二主動元件及第二畫素電極。第二畫素電極藉由第二通孔而電性連接至第二主動元件。第二畫素電極包括沿著第二方向延伸的多條第二電極條。第二通孔位於該第二畫素電極之第二角落。第一角落與第二角落的連線實質上不平行於第一方向。

Description

液晶顯示裝置

本發明是有關於一種液晶顯示裝置，且特別是有關於一種包括第一畫素與第二畫素的液晶顯示裝置。

近年來，隨著顯示技術的不斷進步，觀賞者對於顯示器之顯示品質(如影像解析度、色彩飽和度等)的要求也越來越高。然而，為了製造高效能的顯示器，需要提高顯示器中之畫素的穿透率以及液晶效率。

在一般的顯示器中，陣列基板中之畫素只具有一種設置方式。使得陣列基板的畫素電極沒辦法最有效的設置於顯示區中，顯示區中有很多無效的空間被浪費了，導致顯示器的穿透率沒辦法提高。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。

本發明之至少一實施例提供一種液晶顯示裝置，能改善習知液晶顯示裝置穿透率不足的問題。

本發明之至少一實施例提供一種液晶顯示裝置，包括陣 列基板、液晶層以及對向基板。陣列基板包括第一畫素以及第二畫素。第一畫素包括第一主動元件以及第一畫素電極。第一畫素電極藉由第一通孔而電性連接至第一主動元件。第一畫素電極包括實質上沿著第一方向延伸的多條第一電極條。第一通孔位於第一畫素電極之第一角落。第二畫素包括第二主動元件以及第二畫素電極。第二畫素電極藉由第二通孔而電性連接至第二主動元件。第二畫素電極包括實質上沿著第二方向延伸的多條第二電極條。第二通孔位於第二畫素電極之第二角落。第一角落與第二角落的連線實質上不平行於第一方向。液晶層位於陣列基板與對向基板之間。

本發明之至少一實施例提供一種液晶顯示裝置，包括陣列基板、液晶層以及對向基板。陣列基板包括第一畫素、第二畫素、第一訊號線、第二訊號線以及傳輸線。第一畫素包括第一主動元件以及第一畫素電極。第一畫素電極藉由第一通孔而電性連接至第一主動元件。第一畫素電極包括實質上沿著一第一方向延伸的多條第一電極條。第二畫素包括第二主動元件以及第二畫素電極。第二畫素電極藉由第二通孔而電性連接至第二主動元件。第二畫素電極包括實質上沿著第二方向延伸的多條第二電極條。第一主動元件電性連接至第一訊號線與傳輸線。第二主動元件電性連接至第二訊號線與傳輸線。第一通孔與傳輸線之間的水平距離為L1。第二通孔與傳輸線之間的水平距離為L2。L1不同於L2，0.02≦L2/L1≦0.3。液晶層位於陣列基板與對向基板之間。

本發明之目的之一為提升液晶顯示裝置的穿透率。

本發明之目的之一為提升液晶顯示裝置的液晶效率。

本發明之目的之一為增加液晶顯示裝置的開口率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10:液晶顯示裝置

100:陣列基板

200:液晶層

300:對向基板

AR、BR:區域

BM:遮光層

BM1:第一遮光層

BM2:第二遮光層

BM3:第三遮光層

CH1:第一半導體層

CH1A、CH1B、CH1C、CH2A、CH2B、CH2C:部

CH2:第二半導體層

CN1:第一角落

CN2:第二角落

CT1:第一導電孔

CT2:第二導電孔

D1:第一汲極

D2:第二汲極

DL:傳輸線

E1:第一畫素電極

E2:第二畫素電極

E3:第三畫素電極

EM1:第一連接部

EM2:第二連接部

ES1:第一電極條

ES2:第二電極條

ET1:第一方向

ET2:第二方向

G1:第一閘極

G2:第二閘極

H1:第一導孔

H2:第二導孔

H3:第三導孔

HT1、HT2、LT1、LT2、LT3:部分

I1:第一絕緣層

I2:第二絕緣層

I3:第三絕緣層

I4:第四絕緣層

I5:第五絕緣層

L、X1、X2:連線

L1、L2:距離

LC:液晶介質

N1:第一導電層

N2:第二導電層

N3:第三導電層

PS:間隙物

PX1:第一畫素

PX2:第二畫素

SB1、SB2:基板

S1:第一源極

S2:第二源極

SL1:第一訊號線/第一掃描線

SL2:第二訊號線/第二掃描線

SL3:第三訊號線/第三掃描線

SM:遮蔽層

T1:第一通孔

T2:第二通孔

TH1:第一開口

TH2:第二開口

TFT1:第一主動元件

TFT2:第二主動元件

圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖2A是圖1區域AR的局部放大示意圖。

圖2B是圖1區域BR的局部放大示意圖。

圖3A是沿著圖2A剖線AA’的剖面示意圖。

圖3B是沿著圖2B剖線BB’的剖面示意圖。

圖3C是沿著圖2A剖線CC’的剖面示意圖。

圖3D是沿著圖2B剖線DD’的剖面示意圖。

圖4是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖2A是圖1區域AR的局部放大示意圖。圖2B是圖1區域BR的局部放大示意圖。圖3A是沿著圖2A剖線AA’的剖面示意圖。圖3B是沿著圖2B剖線BB’的剖面示意圖。圖3C是沿著圖2A剖線CC’的剖面示意圖。圖3D是沿著圖2B剖線DD’的剖 面示意圖。

為方便說明，圖1、圖2A以及圖2B省略繪示了遮蔽層SM、液晶層200、對向基板300、間隙物PS、共通電極CM以及第一~第五絕緣層11~15。

請參考圖1、圖3A以及圖3B，液晶顯示裝置10包括陣列基板100、液晶層200以及對向基板300。液晶層200位於陣列基板100與對向基板300之間。液晶層200包括液晶介質LC，液晶介質LC可為液晶分子、電泳顯示介質或是其他可適用的介質。在本發明下列實施例中的顯示介質係以液晶分子當作範例，但本發明不限於此。

陣列基板100包括基板SB1、第一畫素PX1、第二畫素PX2、第一訊號線SL1、第二訊號線SL2、第三訊號線SL3以及傳輸線DL。第一畫素PX1、第二畫素PX2、第一訊號線SL1、第二訊號線SL2、第三訊號線SL3以及傳輸線DL位於基板SB1上。第一訊號線SL1、第二訊號線SL2以及第三訊號線SL3交錯於傳輸線DL。

第一畫素PX1包括第一主動元件TFT1以及第一畫素電極E1。第二畫素PX2包括第二主動元件TFT2以及第二畫素電極E2。第一主動元件TFT1與第二主動元件TFT2分別電性連接至第一訊號線SL1與第二訊號線SL2，第一訊號線SL1與第二訊號線SL2例如為掃描線。第一主動元件TFT1與第二主動元件TFT2電性連接至傳輸線DL，傳輸線DL例如為資料線。在本實施例中， 傳輸線DL鄰近第一電極條ES1的部分之延伸方向實質上與第一方向ET1相同，且傳輸線DL鄰近第二電極條ES2的部分之延伸方向實質上與第二方向ET2相同，但本發明不以此為限。在本實施例中，第二方向ET2不平行亦不垂直於第一方向ET1。

請參考圖1、圖2A與圖3A，第一主動元件TFT1包括第一閘極G1、第一半導體層CH1、第一源極S1與第一汲極D1。第一閘極G1電性連接至第一訊號線SL1。第一閘極G1位於第一半導體層CH1上，且與第一半導體層CH1之間隔有第二絕緣層I2。第一半導體層CH1例如包括依序連接的第一部CH1A、第二部CH1B以及第三部CH1C所共同構成的U字形，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一半導體層CH1例如包括依序連接的第一部CH1A、第二部CH1B以及第三部CH1C所共同構成的7字形。在本實施例中，第一半導體層CH1與基板SB1之間具有遮蔽層SM，且第一半導體層CH1與遮蔽層SM之間具有第一絕緣層I1，但本發明不以此為限。遮蔽層SM例如為金屬層，可以降低外界電磁波對第一半導體層CH1所造成的干擾或降低第一半導體層CH1之漏電流的現象。

第一源極S1與第一汲極D1電性連接第一半導體層CH1。第一源極S1與傳輸線DL電性連接，傳輸線DL例如為資料線。第一半導體層CH1與第一源極S1藉由第一開口TH1而電性連接。第一半導體層CH1與第一汲極D1藉由第一導電孔CT1而電性連接。在本實施例中，第二絕緣層I2中的導電孔(未標號)與第三絕 緣層I3中的導電孔(未標號)互相連接以構成第一導電孔CT1，且第二絕緣層I2中的開口(未標號)與第三絕緣層I3中的開口(未標號)互相連接以構成第一開口TH1，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一汲極D1與第一半導體層CH1之間不包括第三絕緣層I3。第一導電孔CT1只包括第二絕緣層I2中的導電孔，且第一開口TH1只包括第二絕緣層I2中的開口。

第一畫素電極E1包括第一連接部EM1以及多條第一電極條ES1。第一電極條ES1實質上沿著第一方向ET1延伸。本發明並未限制整個第一電極條ES1都是沿著相同的方向延伸，而是第一電極條ES1的主要部分大致上沿著第一方向ET1延伸，舉例來說，單一第一電極條ES1可具有部分HT1及部分LT1，部分HT1及部分LT1舉例係由同一膜層所形成，部分HT1為第一電極條ES1的主要部分而沿著第一方向ET1延伸，第一電極條ES1具有轉折(kink)位於部分HT1及部分LT1之間。第一畫素電極E1所具有之轉折中，相鄰之轉折的連線X1不為直線。由於轉折的存在，第一電極條ES1在靠近第一訊號線SL1與第二訊號線SL2的位置處可以有不同於第一方向ET1的至少另一延伸方向，且藉由第一電極條ES1在靠近第一訊號線SL1與第二訊號線SL2的位置處設計至少另一延伸方向能進一步幫助液晶的配向。

第一畫素電極E1包括對應高穿透率區的部分HT1以及對應低穿透率區的部分LT1。部分HT1與部分LT1例如是以連線X1所定義，且部分HT1之至少一部分可位於兩個分離的部分LT1 之間。

第一連接部EM1電性連接多條第一電極條ES1，在本實施例中，第一連接部EM1舉例係與三條第一電極條ES1電性連接，但不以此為限。第一連接部EM1及多條第一電極條ES1舉例係由同一膜層所形成。第一連接部EM1舉例係重疊於第一通孔T1及第一導電孔CT1。

第四絕緣層I4位於第一畫素電極E1與第一汲極D1之間。第四絕緣層I4具有第一通孔T1。第一畫素電極E1藉由第一通孔T1而電性連接至第一主動元件TFT1的第一汲極D1，舉例來說，第一畫素電極E1之第一連接部EM1藉由第一通孔T1而電性連接至第一主動元件TFT1的第一汲極D1。第一通孔T1位於第一畫素電極E1之第一角落CN1。第一通孔T1與傳輸線DL之間的水平距離為距離L1。

在本實施例中，第一畫素電極E1與第四絕緣層I4之間還具有共通電極CM以及第五絕緣層I5，其中第五絕緣層I5位於第一畫素電極E1與共通電極CM之間。共通電極CM以及第五絕緣層I5分別具有對應第一通孔T1的通孔，且第一畫素電極E1更填入共通電極CM以及第五絕緣層I5中的通孔而與第一汲極D1電性連接，其中共通電極CM不連接於第一畫素電極E1及第一汲極D1。

請參考圖1、圖2B與圖3B，第二主動元件TFT2包括第二閘極G2、第二半導體層CH2、第二源極S2與第二汲極D2。第 二閘極G2電性連接至第二訊號線SL2。第二閘極G2位於第二半導體層CH2上，且與第二半導體層CH2之間隔有第二絕緣層I2。第二半導體層CH2例如包括依序連接的第一部CH2A、第二部CH2B以及第三部CH2C所共同構成的U字形，但本發明不以此為限，在其他實施例中，第二半導體層CH2例如包括依序連接的第一部CH2A、第二部CH2B以及第三部CH2C所共同構成的7字形。在本實施例中，第二半導體層CH2與基板SB1之間具有遮蔽層SM，且第二半導體層CH2與遮蔽層SM之間具有第一絕緣層I1，但本發明不以此為限。遮蔽層SM例如為金屬層，可以降低外界電磁波對第二半導體層CH2所造成的干擾或降低第二半導體層CH2之漏電流的現象。

第二源極S2與第二汲極D2電性連接第二半導體層CH2。第二半導體層CH2與第二汲極D2藉由第二導電孔CT2而電性連接。第二半導體層CH2與第二源極S2藉由第二開口TH2而電性連接。第二源極S2與傳輸線DL電性連接。在本實施例中，第二絕緣層I2中的導電孔(未標號)與第三絕緣層I3中的導電孔(未標號)互相連接以構成第二導電孔CT2，且第二絕緣層I2中的開口(未標號)與第三絕緣層I3中的開口(未標號)互相連接以構成第二開口TH2，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第二汲極D2與第二半導體層CH2之間不包括第三絕緣層I3。第二導電孔CT2只包括第二絕緣層I2中的導電孔，且第二開口TH2只包括第二絕緣層I2中的開口。

在本實施例中，第一半導體層CH1與第二半導體層CH2的形狀雖然皆為U字形，但第一半導體層CH1在第一導電孔CT1與第一開口TH1處的形狀略與第二半導體層CH2在第二導電孔CT2與第二開口TH2處的形狀不同。

第二畫素電極E2包括第二連接部EM2以及多條第二電極條ES2。第二電極條ES2實質上沿著第二方向ET2延伸。本發明並未限制整個第二電極條ES2都是沿著相同的方向延伸，而是第二電極條ES2的主要部分大致上沿著第二方向ET2延伸，舉例來說，單一第二電極條ES2可具有部分HT2及部分LT2，部分HT2及部分LT2舉例係由同一膜層所形成，部分HT2為第二電極條ES2的主要部分而沿著第二方向ET2延伸，第二電極條ES2具有轉折位於部分HT2及部分LT2之間。第二畫素電極E2所具有之轉折中，相鄰之轉折的連線X2不為直線。由於轉折的存在，第二電極條ES2在靠近第二訊號線SL2與第三訊號線SL3的位置處可以有不同於第二方向ET2的至少另一延伸方向，且藉由第二電極條ES2在靠近第二訊號線SL2與第三訊號線SL3的位置處設計至少另一延伸方向能進一步幫助液晶的配向。

第二畫素電極E2包括對應高穿透率區的部分HT2以及對應低穿透率區的部分LT2。部分HT2與部分LT2例如是以連線X2所定義，且部分HT2之至少一部分可位於兩個分離的部分LT2之間。

第二連接部EM2電性連接多條第二電極條ES2，在本實 施例中，第二連接部EM2舉例係與三條第二電極條ES2電性連接，但不以此為限。第二連接部EM2及多條第二電極條ES2舉例係由同一膜層所形成。第二連接部EM2舉例係重疊於第二通孔T2及第二導電孔CT2。

第四絕緣層I4位於第二畫素電極E2與第二汲極D2之間。第四絕緣層I4具有第二通孔T2。第二畫素電極E2藉由第二通孔T2而電性連接至第二主動元件TFT2的第二汲極D2，舉例來說，第二畫素電極E2之第二連接部EM2藉由第二通孔T2而電性連接至第二主動元件TFT2的第二汲極D2。第二通孔T2位於第二畫素電極E2之第二角落CN2。第二通孔T2與傳輸線DL之間的水平距離為距離L2。距離L1不等於距離L2且0.02≦L2/L1≦0.3。

在本實施例中，第二畫素電極E2與第四絕緣層I4之間還具有共通電極CM以及第五絕緣層I5，其中第五絕緣層I5位於第二畫素電極E2與共通電極CM之間。共通電極CM以及第五絕緣層I5分別具有對應第二通孔T2的通孔，且第二畫素電極E2更填入共通電極CM以及第五絕緣層I5中的通孔而與第二汲極D2電性連接，其中共通電極CM不連接於第二畫素電極E2及第二汲極D1。

在本實施例中，第一畫素電極E1的第一角落CN1與相鄰之第二畫素電極E2的第二角落CN2的連線L會重疊於第一畫素電極E1之多條第一電極條ES1，且連線L實質上不平行於第一 方向ET1，連線L為虛擬直線。第一角落CN1與第二角落CN2的連線L實質上不垂直於第一掃描線SL1的延伸方向。在一些實施例中，第一畫素電極E1的第一角落CN1與相鄰之第二畫素電極的第二角落CN2的連線L實質上不平行於第二方向ET2。在一些實施例中，第一通孔T1的中心與第二通孔T2的中心之連線實質上平行於連線L。在一些實施例中，第一通孔T1的中心與第二通孔T2的中心之連線實質上平行且重疊於連線L。

於基板SB1的法線方向觀察，第一畫素PX1之第一導電孔CT1位於對應之第一通孔T1及第一開口TH1之間，且第二畫素PX2之第二通孔T2位於對應之第二導電孔CT2及第二開口TH2之間。由於第一導電孔CT1、第一通孔T1以及第一開口TH1之間的相對位置不同於第二導電孔CT2、第二通孔T2以及第二開口TH2之間的相對位置。因此，第一畫素電極E1與第二畫素電極E2可以更緊密的排列。換句話說，減少了第一畫素電極E1與第二畫素電極E2之間的空間。在本實施例中，部分第一畫素電極E1重疊於第二掃描線SL2，且部分第二畫素電極E2重疊於第三掃描線SL3，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第一畫素PX1與第二畫素PX2具有不同的設置方式，因此，第一畫素電極E1對應高穿透率區的部分HT1(轉折之間的部分)與第二畫素電極E2對應高穿透率區的部分HT2(轉折之間的部分)的布局面積可以被增加，藉此提高液晶顯示裝置10整體的穿透率以及/或液晶效率。

請參考圖1、圖2A與圖3C，第一畫素PX1選擇性的地更包括第一導電層N1。第一導電層N1例如與傳輸線DL於同一道圖案化製程中形成，第一導電層N1之材料係為金屬，但本發明不以此為限。第一導電層N1藉由兩個第一導孔H1而與第一掃描線SL1並聯，藉此改善因為訊號線阻抗大而導致訊號衰減的問題。

請參考圖1、圖2B與圖3D，第二畫素PX2選擇性地更包括第二導電層N2。第二導電層N2例如與傳輸線DL於同一道圖案化製程中形成，第二導電層N2之材料係為金屬，但本發明不以此為限。第二導電層N2藉由兩個第二導孔H2而與第二掃描線SL2並聯，藉此改善因為訊號線阻抗大而導致訊號衰減的問題。

在本實施例中，第一導孔H1之中心連線實質上不平行於第二導孔H2之中心連線。第一畫素PX1的第一導電層N1與第二畫素PX2的第二導電層N2具有不同之形狀(例如互相對稱之形狀)，可以更有效的利用佈線空間。

在本實施例中，液晶顯示裝置10還可以包括第三導電層N3。如圖1所示，第三導電層N3藉由兩個第三導孔H3而與第三掃描線SL3並聯，藉此改善因為訊號線阻抗大而導致訊號衰減的問題。第三導電層N3例如與第一導電層N1具有類似的形狀。

圖4是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

請同時參考圖1、圖3A~圖3D以及圖4。圖4僅繪示出遮光層BM、第一畫素電極E1、第二畫素電極E2、第三畫素電極 E3以及間隙物PS，並省略繪示其他構件。

對向基板300包括基板SB2以及遮光層BM。遮光層BM設置於基板SB2上，沿基板SB2之法線方向觀察下，請同時參考圖1及圖4，遮光層BM覆蓋第一開口TH1、第二開口TH2、第一導電孔CT1、第二導電孔CT2、第一導孔H1、第二導孔H2以及第三導孔H3。在較佳的實施例中，遮光層BM完全覆蓋第一開口TH1、第二開口TH2、第一導電孔CT1、第二導電孔CT2、第一導孔H1、第二導孔H2以及第三導孔H3。遮光層BM包括第一遮光層BM1、第二遮光層BM2以及第三遮光層BM3。

沿法線方向(例如是垂直於基板SB1或基板SB2的方向)觀察下，第一遮光層BM1的部分邊緣鄰近畫素電極的轉折之連線(例如連線X1或連線X2)。在一些實施例中，沿法線方向(例如是垂直於基板SB1或基板SB2的方向)觀察下，第一遮光層BM1的部分邊緣重疊畫素電極的轉折之連線(例如包括連線X1及連線X2)，此重疊舉例係為多個交點或是多個線段，在本實施例中，此重疊係為多個交點，但不以此為限。第一遮光層BM1覆蓋第一訊號線SL1、第二訊號線SL2以及第三訊號線SL3。在一些實施例中，第一遮光層BM1的寬度維持一致，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一遮光層BM1之延伸方向不同於第一訊號線SL1(第一掃描線)之延伸方向、第二訊號線SL2(第二掃描線)之延伸方向以及第三訊號線SL3(第三掃描線)之延伸方向。因此，第一遮光層BM1的寬度不用很大就可以覆蓋第一畫素電極E1、第 二畫素電極E2與第三畫素電極E3的低穿透率區。在本實施例中，位於第一訊號線SL1上之第一遮光層BM1的延伸方向不同於第二訊號線SL2上之第一遮光層BM1的延伸方向。

第二遮光層BM2與第一遮光層BM1連接。第二遮光層BM2的寬度例如大於第一遮光層BM1的寬度，第二遮光層BM2之輪廓舉例係為圓形。間隙物PS位於對向基板300與陣列基板100之間。第二遮光層BM2對應且重疊於間隙物PS，第二遮光層BM2之輪廓舉例係同於間隙物PS之輪廓，但不以此為限。間隙物PS例如是用來控制對向基板300與陣列基板100之間的距離，也可以說是用來控制液晶層200的厚度(或液晶層間隙)。間隙物PS之輪廓舉例係為圓形、矩形、梯形或其它適合的形狀。

第一遮光層BM1與第二遮光層BM2例如覆蓋了第一畫素電極E1、第二畫素電極E2與第三畫素電極E3對應低穿透率區的部分(例如包括部分LT1、LT2、LT3)。在一些實施例中，第一遮光層BM1與第二遮光層BM2完全覆蓋第一畫素電極E1、第二畫素電極E2與第三畫素電極E3對應低穿透率區的部分(例如包括部分LT1、LT2、LT3)。

第三遮光層BM3與第二遮光層BM2及/或第一遮光層BM1連接。第三遮光層BM3對應且覆蓋傳輸線DL。

在一些實施例中，對向基板300還包括濾光元件(未繪出)，濾光元件例如是對應第一畫素電極E1、第二畫素電極E2與第三畫素電極E3的位置設置的彩色濾光膜。在一些實施例中，濾 光元件也可以設置於陣列基板100中，以構成彩色濾光元件於畫素陣列上(color filter on array,COA)之結構。

本發明之至少一實施例可以降低遮光層的寬度，以提升液晶顯示裝置的開口率。

本發明之至少一實施例可以增加畫素電極的排列密度，以提升液晶顯示裝置的穿透率及液晶效率。

本發明之至少一實施例可以改善因為訊號線阻抗大而導致訊號衰減的問題。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:液晶顯示裝置

AR、BR:區域

CH1:第一半導體層

CH2:第二半導體層

CN1:第一角落

CN2:第二角落

CT1:第一導電孔

CT2:第二導電孔

D1:第一汲極

D2:第二汲極

DL:傳輸線

E1:第一畫素電極

E2:第二畫素電極

E3:第三畫素電極

EM1:第一連接部

EM2:第二連接部

ES1:第一電極條

ES2:第二電極條

ET1:第一方向

ET2:第二方向

G1:第一閘極

G2:第二閘極

H1:第一導孔

H2:第二導孔

H3:第三導孔

HT1、HT2、LT1、LT2:部分

L、X1、X2:連線

N1:第一導電層

N2:第二導電層

N3:第三導電層

PX1:第一畫素

PX2:第二畫素

SB1:基板

S1:第一源極

S2:第二源極

SL1:第一訊號線/第一掃描線

SL2:第二訊號線/第二掃描線

SL3:第三訊號線/第三掃描線

T1:第一通孔

T2:第二通孔

TH1:第一開口

TH2:第二開口

TFT1:第一主動元件

TFT2:第二主動元件

Claims (5)

1. 一種液晶顯示裝置，包括：一陣列基板，包括一第一畫素，包括：一第一主動元件；以及一第一畫素電極，藉由一第一通孔而電性連接至該第一主動元件，該第一畫素電極包括實質上沿著一第一方向延伸的多條第一電極條；一第二畫素，包括：一第二主動元件；以及一第二畫素電極，藉由一第二通孔而電性連接至該第二主動元件，該第二畫素電極包括實質上沿著一第二方向延伸的多條第二電極條；以及一第一訊號線、一第二訊號線與一傳輸線，位於該陣列基板上，其中該第一畫素以及該第二畫素位於該傳輸線之同一側，該第一主動元件電性連接至該第一訊號線與該傳輸線，且該第二主動元件電性連接至該第二訊號線與該傳輸線，其中該第一通孔與該傳輸線之間的水平距離為L1，該第二通孔與該傳輸線之間的水平距離為L2，0.02≦L2/L1≦0.3；一液晶層；以及一對向基板，該液晶層位於該陣列基板與該對向基板之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，其中該第一通孔位於該第一畫素電極之一第一角落，該第二通孔位於該第二畫素電極之一第二角落，其中該第一角落與該第二角落的連線實質上不平行於該第一方向，其中該第一訊號線為一第一掃描線，且該連線不垂直於該第一掃描線的延伸方向。
3. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，其中：該第一主動元件，包括：一第一閘極；一第一半導體層，位於該第一閘極上；一第一源極與一第一汲極，電性連接該第一半導體層；且該第二主動元件，包括：一第二閘極；一第二半導體層，位於該第二閘極上；一第二源極與一第二汲極，電性連接該第二半導體層，該第一半導體層與該第二半導體層分別包括依序連接的一第一部、一第二部以及一第三部共同構成一U字形或一7字形。
4. 如申請專利範圍第3項所述的液晶顯示裝置，其中該第一半導體層與該第一汲極藉由一第一導電孔而電性連接，該第二半導體層與該第二汲極藉由一第二導電孔而電性連接。
5. 如申請專利範圍第4項所述的液晶顯示裝置，其中該第一導電孔位於該傳輸線與該第一通孔之間，且該第二通孔位於該傳輸線與該第二導電孔之間。

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