TWI396025B - 主動元件陣列基板 - Google Patents

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Description

主動元件陣列基板
本發明是有關於一種基板，且特別是有關於一種主動元件陣列基板。
在諸多平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優越特性，因此成為目前市場之主流。
圖1A繪示為習知一種液晶顯示器的立體示意圖。請參照圖1A，液晶顯示器100具有一主動元件陣列基板110、一對向基板120、一夾設於主動元件陣列基板110與對向基板120之間的液晶層130以及用以提供光線的背光模組140。主動元件陣列基板110上具有多個畫素單元112以及多條位於畫素單元112之間的訊號線114，對向基板120具有一共通電極122。液晶層130中的液晶分子藉由畫素單元112中的畫素電極116與共通電極122之間的電壓差作不同程度的扭轉，以控制背光模組140所提供之光線L經過液晶顯示面板150的穿透率，而使液晶顯示面板150呈現顯示效果。
圖1B進一步繪示圖1A之習知一種液晶顯示器的局部放大剖面示意圖，其中圖1B中繪示兩組畫素單元112的剖面為例作說明。請參照圖1B，對向基板120具有一位於 訊號線114上方的黑色矩陣124(BlackMatrix簡稱BM，圖1中僅繪示一個黑色矩陣為例)。如圖1B所示，由於訊號線114上方之液晶層130之液晶分子會受到訊號線114的影響而產生非預期的扭轉，導致漏光現象，因此黑色矩陣124對應地設置於訊號線114上方的對向基板120上，用以遮蔽通過非顯示區域(如訊號線)的光線以避免漏光。
如前述，為避免液晶顯示器100在顯示時產生上述漏光的現象，可藉由加寬黑色矩陣124的寬度W’來改善側向漏光的問題。然而，加寬黑色矩陣124寬度W’會使得液晶顯示面板150的畫素開口率(Aperture Ratio)下降，進而影響液晶顯示器100的亮度表現。因此，如何在兼顧開口率的需求下防止漏光是目前液晶顯示器的一大課題。
本發明提供一種主動元件陣列基板，其可以大幅增加開口率，並可大幅降低資料線與共通線之間的寄生電容。
本發明提出一種主動元件陣列基板，其包括一基板、一第一圖案化導體層、一介電層、一第二圖案化導體層、一保護層以及多個畫素電極。第一圖案化導體層配置於基板上，第一圖案化導體層包括多條掃描線、多個與掃描線連接的閘極、多條共通線以及多個條狀浮置遮光圖案。介電層配置於基板上以覆蓋第一圖案化導體層，介電層具有多個第一接觸開口，且各第一接觸開口分別將共通線的一部份區域暴露。第二圖案化導體層配置於介電層上，第二圖案化導體層包括多條資料線、多個與資料線連接的源 極、多個汲極、多個條狀電容電極，其中各條狀電容電極透過其中一個第一接觸開口與其中一條共通線電性連接，各資料線與其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各條狀浮置遮光圖案位於資料線、間隙以及條狀電容電極下方。保護層配置於介電層上以覆蓋第二圖案化導體層，保護層具有多個第二接觸開口，且各第二接觸開口分別將其中一個汲極暴露。多個畫素電極配置於保護層上，其中各畫素電極分別透過其中一個第二接觸開口與其中一個汲極電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之各資料線例如與其中一條狀電容電極之間的間隙未被畫素電極所覆蓋。
在本發明之一實施例中，上述之掃描線的延伸方向例如是實質上平行於共通線的延伸方向，且各共通線分別位於二相鄰掃描線之間。
在本發明之一實施例中，上述之資料線的延伸方向例如實質上平行於條狀浮置遮光圖案以及條狀電容電極的延伸方向。
在本發明之一實施例中，上述之位於同一條資料線兩側的二條狀電容電極的間隙例如為S，各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為W1，而各資料線的線寬例如為W2，且W1>S>W2。
在本發明之一實施例中，上述之各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為W1，各資料線的線寬例如為W2，而各間隙例如為G，且W1>W2+2G。
在本發明之一實施例中，上述之各條狀電容電極的至 少部分區域例如與其中一個畫素電極重疊。
本發明另提出一種主動元件陣列基板，其包括基板、第一圖案化導體層、介電層、第二圖案化導體層、保護層以及多個畫素電極。第一圖案化導體層配置於基板上，第一圖案化導體層包括多條掃描線、多個與掃描線連接的閘極以及多個條狀浮置遮光圖案。介電層配置於基板上以覆蓋第一圖案化導體層，介電層具有多個第一接觸開口，且各第一接觸開口分別將掃描線的一部份區域暴露。第二圖案化導體層配置於介電層上，第二圖案化導體層包括多條資料線、多個與資料線連接的源極、多個汲極、多個條狀電容電極，其中各條狀電容電極與各條狀電容電極透過其中一個第一接觸開口與其中一條掃描線電性連接，各資料線與其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各條狀浮置遮光圖案位於資料線、間隙以及條狀電容電極下方。保護層配置於介電層上以覆蓋第二圖案化導體層，保護層具有多個第二接觸開口，且各第二接觸開口分別將其中一個汲極暴露。多個畫素電極配置於保護層上，其中各畫素電極分別透過其中一個第二接觸開口與其中一個汲極電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之各資料線例如與其中一條狀電容電極之間的間隙未被畫素電極所覆蓋。
在本發明之一實施例中，上述之資料線的延伸方向實質上平行於條狀浮置遮光圖案以及條狀電容電極的延伸方向。
在本發明之一實施例中，上述之位於同一條資料線兩 側的二條狀電容電極的間隙例如為S，各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為W1，而各資料線的線寬例如為W2，且W1>S>W2。
在本發明之一實施例中，上述之各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為W1，各資料線的線寬例如為W2，而各間隙為例如G，且W1>W2+2G。
在本發明之一實施例中，上述之各條狀電容電極的至少部分區域例如與其中一個畫素電極重疊。
基於上述，利用條狀浮置遮光圖案以及條狀電容電極的適當佈局方式，當主動元件陣列基板應用於液晶顯示器時可以大幅增加開口率並避免漏光現象，並且利用條狀電容電極與共通線或掃描線電性連接，藉以進一步提供用以穩定畫素電極上之資料電壓的儲存電容。另一方面，相較於習知結構，由於訊號線之間(例如資料線與條狀電容電極之間)的橫向寄生電容很小且對液晶影響較小，故此寄生電容可以被忽略，因此在提高畫素開口率的同時，不會使得資料線因寄生電容的影響而導致負載過大的問題，並且可以避免訊號線之間產生串音現象。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
第一實施例
圖2繪示為本發明第一實施例之一種主動元件陣列基板的局部上視圖，圖3A是將圖2中的主動元件陣列基板 應用於液晶顯示器的局部剖面圖，其中圖3A中剖面位置大致為沿著圖2中AA’剖面線之主動元件陣列基板200的對應位置。請同時參照圖2與圖3A，本實施例之主動元件陣列基板200包括基板202、第一圖案化導體層210、介電層230、第二圖案化導體層240、保護層260以及多個畫素電極270。
請同時參照圖2與圖3A，第一圖案化導體層210配置於基板202上，第一圖案化導體層210包括多條掃描線212、多個與掃描線212連接的閘極214、多條共通線216以及多個條狀浮置遮光圖案218，在本實施例中，掃描線212的延伸方向例如是實質上平行於共通線216的延伸方向，且各共通線216分別位於二相鄰掃描線212之間。第二圖案化導體層240配置於介電層230上，第二圖案化導體層240包括多條資料線242、多個與資料線242連接的源極244、多個汲極246、多個條狀電容電極248。在本實施例中，資料線242的延伸方向例如實質上平行於條狀浮置遮光圖案218以及條狀電容電極248的延伸方向。此外，資料線242大體與掃描線212垂直排列，並且資料線242與掃描線212大致上圍出多個畫素單元，而圖2中僅繪示兩組畫素單元為例作說明。
請繼續參照圖2與圖3A，為清楚說明各膜層之間的堆疊關係，於圖3A中定義一膜層的相對關係，如圖中之上方向D1以及下方向D2。如圖3A所示，對向基板290具有黑色矩陣292，且位於主動元件陣列基板200的上方。此外，液晶層296則配置於主動元件陣列基板200與對向 基板290之間。
請同時參照圖2與圖3A，值得注意的是，條狀浮置遮光圖案218位於資料線242正下方，並且條狀浮置遮光圖案218的面積大體大於且涵蓋資料線242的面積，因此條狀浮置遮光圖案218能夠有效遮蔽來自背光模組的光線L，如此一來，位於對向基板290上之黑色矩陣292的寬度W’可以地被大幅縮減，進而提升了液晶顯示器300的整體開口率。並且，由於條狀浮置遮光圖案218不與其他膜層或訊號線連接，故其獨立成為電性浮置的狀態。如此，條狀浮置遮光圖案218在遮蔽光線以增加開口率的同時，條狀浮置遮光圖案218與資料線242之間的寄生電容可以有效地被抑制。藉此，資料線242的負載可以有效被控制，以避免資料線因電阻-電容遲緩(RC delay)過大而需要提高資料驅動訊號之電力(power)等問題。另一方面，資料線242亦不易受到條狀浮置遮光圖案218的影響而發生所傳遞之資料電壓產生擾動，導致串音等現象。
請繼續同時參照圖2與圖3A，各資料線242與其中一條狀電容電極248之間具有一間隙G，且各條狀浮置遮光圖案218位於資料線242、間隙G以及條狀電容電極248下方。具體而言，在本實施例中，各資料線242與其中一條狀電容電極248之間的間隙G未被畫素電極270所覆蓋，並且各條狀電容電極248鄰接畫素電極270之一側的至少部分區域例如與其中一個畫素電極270重疊，而各條狀電容電極248鄰接資料線242之一側的至少部分區域例如與其中一個條狀浮置遮光圖案218重疊。藉此，條狀浮 置遮光圖案218與條狀電容電極248可以共同構成遮光結構。
進一步而言，令位於同一條資料線242兩側的二條狀電容電極248的間隙為S、各條狀浮置遮光圖案218的線寬為W1，而各資料線242的線寬為W2，且位於同一條資料線242兩側的二條狀電容電極248的間隙S、浮置遮光圖案的線寬W1以及資料線242的線寬W2例如是滿足下列關係式W1>S>W2，換言之，各條狀浮置遮光圖案218在基板202上的投影範圍會涵蓋二條狀電容電極248之間隙S，並且會涵蓋資料線242在基板202上的投影範圍。藉此，條狀浮置遮光圖案218與條狀電容電極248可以共同構成畫素單元長邊的遮光結構，有效地遮蔽來自背光模組的光線，避免光線穿透資料線242以及位於同一條資料線242兩側之二條狀電容電極248的間隙S，進而避免漏光。
更詳細而言，令各資料線242與其中一條狀電容電極248之間的間隙為G、令各條狀浮置遮光圖案218的線寬為W1，且各資料線242的線寬為W2，在本實施例中，資料線242與其中一條狀電容電極248之間的間隙G、條狀浮置遮光圖案218的線寬W1以及資料線242的線寬W2例如滿足下列關係式W1>W2+2G。藉此，條狀浮置遮光圖案218的線寬W1可以有效遮蔽來自背光模組的光線，避免光線穿透資料線242以及資料線242與條狀電容電極248之間隙G的區域，進而在提高開口率時避免產生漏光。如此一來，如圖3A所示，對向基板290上之黑色矩 陣292的線寬W’可以被縮減至小於條狀浮置遮光圖案218之線寬W1的範圍，因此可以大幅提昇開口率。
當然，設計者尚可依據主動元件陣列基板200與對向基板290之間的晶穴間隙(Cell Gap)大小或是開口率、亮度等產品需求，適度地調整條狀浮置遮光圖案218的寬度W1、條狀電容電極248、資料線242與條狀電容電極248之間隙G以及位於同一條資料線242兩側之二條狀電容電極248的間隙S，以進一步提升條狀浮置遮光圖案218的遮光效果。
圖3B是沿著圖2之BB’剖面線以及CC’剖面線的主動元件陣列基板的局部剖面示意圖。請同時參照圖2與圖3B，介電層230配置於基板202上，以覆蓋第一圖案化導體層210，其中介電層230具有多個第一接觸開口H1，且各第一接觸開口H1分別暴露共通線216的一部份區域。第二圖案化導體層240配置於介電層230上。特別的是，各條狀電容電極248透過其中一個第一接觸開口H1與其中一條共通線216電性連接。
如圖2與3B所示，保護層260配置於介電層230上以覆蓋第二圖案化導體層240，保護層260具有多個第二接觸開口H2，且各第二接觸開口H2分別將其中一個汲極246暴露。多個畫素電極270配置於保護層260上，其中各畫素電極270分別透過其中一個第二接觸開口H2與其中一個汲極246電性連接。換言之，在一畫素單元中，閘極214、主動層249、源極244與汲極246構成一主動元件T，而資料線242藉由主動元件T的控制將對應的資料訊 號經由汲極246輸入至對應的畫素電極270以達到顯示的效果。
值得注意的是，在本實施例中，各條狀電容電極248透過其中一個第一接觸開口H1與其中一條共通線216電性連接，藉由各條狀電容電極248與其中一條共通線216電性連接，而在一畫素單元中形成了儲存電容C於共通線216的型態(Cst on common)，換言之，在一畫素單元中，畫素電極270、保護層260、兩側之條狀電容電極248以及共通線216共同構成一儲存電容C於共通線216的型態。如此一來，條狀電容電極248可以進一步增加畫素單元的儲存電容值，以進一步穩定畫素電極270的資料訊號。另一方面，藉由畫素單元中之兩側條狀電容電極248的設置亦可以進一步抑制資料線242所傳輸之資料訊號對畫素電極270中所儲存之資料訊號的干擾。
此外，如圖3B所示，在本實施例中，位於第一接觸開口H1處的條狀電容電極248更可以藉由一輔助的接觸電極272來進一步確保條狀電容電極248與共通線216之間的電性連接，舉例而言，接觸電極272與畫素電極270的材質相同，並利用同一道光罩製程所製成。
實務上，當主動元件陣列基板200應用液晶顯示器時，由於條狀浮置遮光圖案218可以有效阻擋來自背光模組之光線，因此可以大幅防止漏光。並且，在提升開口率時，利用條狀電容電極248與共通線216電性連接，可以將儲存電容C架構於共通線216上進而穩定畫素電極270的資料電壓。再者，藉由上述條狀浮置遮光圖案218與條 狀電容電極248的設計，可以大幅降低資料線242與條狀浮置遮光圖案218之間的寄生電容，避免資料線242負載過大的問題，並可避免訊號線之間產生串音現象。
第二實施例
圖4繪示為本發明第二實施例之一種主動元件陣列基板的局部上視圖，請參照圖4，本實施例之主動元件陣列基板400與第一實施例之主動元件陣列基板200類似，惟，在本實施例之主動元件陣列基板400的畫素單元中，儲存電容的型態為儲存電容於掃描線212的型態(Cst on scan line)。為清楚說明，本實施例與第一實施例相同構件以相同符號表示。
圖5為圖4沿BB’剖面線之剖面示意圖。請參照圖5，在本實施例中，介電層230之第一接觸開口H1的位置是開設於掃描線212的上方，換言之，第一接觸開口H1分別將掃描線212的一部份區域暴露。並且，各條狀電容電極248透過其中一個第一接觸開口H1與其中一條掃描線212電性連接。其餘構件以及設計考量與第一實施例相同，類推第一實施例之記載內容，不再贅述。
如圖5所示，藉由各條狀電容電極248與其中一條掃描線212電性連接，在一畫素單元中，畫素電極270、保護層260、兩側之條狀電容電極248以及掃描線212共同構成一儲存電容C架構於掃描線212的型態。值得一提是，在本實施例中，條狀電容電極248例如是與下一條掃描線212電性連接。藉由上述的佈局，條狀電容電極248 可以進一步增加畫素單元的儲存電容值，並且於畫素單元中之主動元件的關閉期間內，穩定畫素電極270的資料訊號不受干擾。另一方面，藉由畫素單元中之兩側條狀電容電極248的設置亦具有進一步抑制資料線242所傳輸之資料訊號對畫素電極270中所儲存之資料訊號的干擾的效果。
此外，如圖5所示，在本實施例中，位於第一接觸開口H1處的條狀電容電極248更可以藉由一輔助的接觸電極272來進一步確保條狀電容電極248與掃描線212之間的電性連接，舉例而言，此接觸電極272與畫素電極270的材質相同，並利用同一道光罩製程所製成。
綜上所述，本發明之主動元件陣列基板利用條狀浮置遮光圖案以及條狀電容電極與共通線或掃描線電性連接的適當佈局方式，可以大幅提升開口率，並且當其應用於液晶顯示器時，可以避免漏光並使亮度提升。另一方面，條狀電容電極可以提供一用以穩定畫素單元之資料電壓的儲存電容，並且由於資料線與共通線之間的寄生電容可以被忽略，因此在提高畫素開口率的同時，不會使得資料線因寄生電容而導致負載過大的問題，並且可以避免訊號線之間產生串音現象。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
110、200、400‧‧‧主動元件陣列基板
300‧‧‧液晶顯示器
112‧‧‧畫素單元
114‧‧‧訊號線
116‧‧‧畫素電極
120‧‧‧對向基板
122‧‧‧共通電極
124‧‧‧黑色矩陣
130‧‧‧液晶層
140‧‧‧背光模組
150‧‧‧液晶顯示面板
202‧‧‧基板
210‧‧‧第一圖案化導體層
212‧‧‧掃描線
214‧‧‧閘極
216‧‧‧共通線
218‧‧‧條狀浮置遮光圖案
230‧‧‧介電層
240‧‧‧第二圖案化導體層
242‧‧‧資料線
244‧‧‧源極
246‧‧‧汲極
248‧‧‧條狀電容電極
249‧‧‧主動層
260‧‧‧保護層
270‧‧‧畫素電極
280‧‧‧介電層
290‧‧‧對向基板
296‧‧‧液晶層
C‧‧‧儲存電容
D1‧‧‧上方向
D2‧‧‧下方向
G‧‧‧資料線與其中一條狀電容電極之間的間隙
H1‧‧‧第一接觸開口
H2‧‧‧第二接觸開口
L‧‧‧光線
W’‧‧‧黑色矩陣的寬度
W1‧‧‧條狀浮置遮光圖案的線寬
W2‧‧‧資料線的線寬
S‧‧‧同一條資料線兩側的二條狀電容電極的間隙
T‧‧‧主動元件
圖1A繪示為習知一種液晶顯示器的立體示意圖。
圖1B進一步繪示圖1A之習知一種液晶顯示器的局部放大剖面示意圖。
圖2繪示為本發明第一實施例之一種主動元件陣列基板的局部上視圖。
圖3A是將圖2中的主動元件陣列基板應用於液晶顯示器的局部剖面圖
圖3B是沿著圖2之BB’剖面線以及CC’剖面線的主動元件陣列基板的局部剖面示意圖。
圖4繪示為本發明第二實施例之一種主動元件陣列基板的局部上視圖。
圖5為圖4沿BB’剖面線之剖面示意圖。
200‧‧‧液晶顯示器
202‧‧‧基板
210‧‧‧第一圖案化導體層
212‧‧‧掃描線
214‧‧‧閘極
216‧‧‧共通線
218‧‧‧條狀浮置遮光圖案
240‧‧‧第二圖案化導體層
242‧‧‧資料線
244‧‧‧源極
246‧‧‧汲極
248‧‧‧條狀電容電極
270‧‧‧畫素電極
S‧‧‧二條狀電容電極之間的間隙
H1‧‧‧第一接觸開口
H2‧‧‧第二接觸開口
W1‧‧‧條狀浮置遮光圖案的線寬
W2‧‧‧資料線的線寬

Claims (16)

  1. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板；一第一圖案化導體層，配置於該基板上，該第一圖案化導體層包括多條掃描線、多個與該些掃描線連接的閘極、多條共通線以及多個條狀浮置遮光圖案；一介電層，配置於該基板上以覆蓋該第一圖案化導體層，該介電層具有多個第一接觸開口，且各該第一接觸開口分別將該些共通線的一部份區域暴露；一第二圖案化導體層，配置於該介電層上，該第二圖案化導體層包括多條資料線、多個與該些資料線連接的源極、多個汲極以及多個條狀電容電極，其中各該條狀電容電極透過其中一個第一接觸開口與其中一條共通線電性連接；一保護層，配置於該介電層上以覆蓋該第二圖案化導體層，該保護層具有多個第二接觸開口，且各該第二接觸開口分別將其中一個汲極暴露；以及多個畫素電極，配置於該保護層上，其中各該畫素電極分別透過其中一個第二接觸開口與其中一個汲極電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中該些掃描線的延伸方向實質上平行於該些共通線的延伸方向，且各該共通線分別位於二相鄰掃描線之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中該些資料線的延伸方向實質上平行於該些條狀浮 置遮光圖案以及該些條狀電容電極的延伸方向。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中位於同一條資料線兩側的二條狀電容電極的間隙為S，各該條狀浮置遮光圖案的線寬為W1，而各該資料線的線寬為W2，且W1>S>W2。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中各該資料線與其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各該條狀浮置遮光圖案位於該資料線、該間隙以及該條狀電容電極下方，該條狀浮置遮光圖案的面積大於該資料線的面積。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之主動元件陣列基板，其中各該條狀浮置遮光圖案的線寬為W1，各該資料線的線寬為W2，而各該間隙為G，且W1>W2+2G。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之主動元件陣列基板，其中各該資料線與其中一條狀電容電極之間的該間隙未被該些畫素電極所覆蓋。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中各該條狀電容電極的至少部分區域與其中一個畫素電極重疊。
  9. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板；一第一圖案化導體層，配置於該基板上，該第一圖案化導體層包括多條掃描線、多個與該些掃描線連接的閘極以及多個條狀浮置遮光圖案；一介電層，配置於該基板上以覆蓋該第一圖案化導體 層，該介電層具有多個第一接觸開口，且各該第一接觸開口分別將該些掃描線的一部份區域暴露；一第二圖案化導體層，配置於該介電層上，該第二圖案化導體層包括多條資料線、多個與該些資料線連接的源極、多個汲極、多個條狀電容電極，其中各該條狀電容電極透過其中一個第一接觸開口與其中一條掃描線電性連接；一保護層，配置於該介電層上以覆蓋該第二圖案化導體層，該保護層具有多個第二接觸開口，且各該第二接觸開口分別將其中一個汲極暴露；以及多個畫素電極，配置於該保護層上，其中各該畫素電極分別透過其中一個第二接觸開口與其中一個汲極電性連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之主動元件陣列基板，其中該些資料線的延伸方向實質上平行於該些條狀浮置遮光圖案以及該些條狀電容電極的延伸方向。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之主動元件陣列基板，其中位於同一條資料線兩側的二條狀電容電極的間隙為S，各該條狀浮置遮光圖案的線寬為W1，而各該資料線的線寬為W2，且W1>S>W2。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之主動元件陣列基板，其中，各該資料線與其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各該條狀浮置遮光圖案位於該資料線、該間隙以及該條狀電容電極下方，該條狀浮置遮光圖案的面積大於該資料線的面積。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之主動元件陣列基板，其中各該條狀浮置遮光圖案的線寬為W1，各該資料線的線寬為W2，而各該間隙為G，且W1>W2+2G。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之主動元件陣列基板，其中各該資料線與其中一條狀電容電極之間的該間隙未被該些畫素電極所覆蓋。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之主動元件陣列基板，其中各該條狀電容電極的至少部分區域與其中一個畫素電極重疊。
  16. 一種液晶顯示器，包括：如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述之主動元件陣列基板；一對向基板；以及一液晶層，位於該主動元件陣列基板以及該對向基板之間。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104536227B (zh) * 2012-11-16 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及制作方法
CN102998866B (zh) * 2012-11-16 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及制作方法
CN103852941A (zh) * 2012-12-07 2014-06-11 瀚宇彩晶股份有限公司 主动元件阵列基板与显示面板
TWI542932B (zh) 2014-07-22 2016-07-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及曲面顯示器
CN105405852B (zh) * 2016-01-05 2019-04-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
TWI609214B (zh) * 2017-01-06 2017-12-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN110109306B (zh) 2019-04-25 2020-12-08 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN113540213B (zh) * 2020-04-17 2023-07-14 长鑫存储技术有限公司 有源区、有源区阵列及其形成方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0651349A (ja) * 1992-06-04 1994-02-25 Nec Corp 液晶表示装置およびその製造方法
TW448332B (en) * 1996-04-22 2001-08-01 Sharp Kk Active matrix substrate and method for producing the same
TW200605008A (en) * 2004-07-23 2006-02-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Display panel and method for repairing defective pixel electrode therein
US20060028593A1 (en) * 2001-12-20 2006-02-09 Joo-Soo Lim Method of driving liquid crystal display device
TW200736774A (en) * 2006-03-16 2007-10-01 Quanta Display Inc Pixel structure and liquid crystal display panel
TW200925750A (en) * 2007-12-05 2009-06-16 Hannstar Display Corp Liquid crystal display device and method of making the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10240162A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Sony Corp アクティブマトリクス表示装置
US6897477B2 (en) * 2001-06-01 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device
JP4551049B2 (ja) * 2002-03-19 2010-09-22 三菱電機株式会社 表示装置
TW574540B (en) * 2002-09-13 2004-02-01 Toppoly Optoelectronics Corp Pixel structure of TFT LCD
KR20040031370A (ko) * 2002-10-05 2004-04-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
KR101186292B1 (ko) * 2006-01-10 2012-09-27 삼성전자주식회사 트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 적용하는유기발광 디스플레이 및 그 제조방법
US7736936B2 (en) * 2006-08-29 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming display device that includes removing mask to form opening in insulating film
TWI311337B (en) * 2006-10-02 2009-06-21 Au Optronics Corporatio Multi-domain vertical alignment pixel structure and fabrication method thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0651349A (ja) * 1992-06-04 1994-02-25 Nec Corp 液晶表示装置およびその製造方法
TW448332B (en) * 1996-04-22 2001-08-01 Sharp Kk Active matrix substrate and method for producing the same
US20060028593A1 (en) * 2001-12-20 2006-02-09 Joo-Soo Lim Method of driving liquid crystal display device
TW200605008A (en) * 2004-07-23 2006-02-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Display panel and method for repairing defective pixel electrode therein
TW200736774A (en) * 2006-03-16 2007-10-01 Quanta Display Inc Pixel structure and liquid crystal display panel
TW200925750A (en) * 2007-12-05 2009-06-16 Hannstar Display Corp Liquid crystal display device and method of making the same

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US8643017B2 (en) 2014-02-04
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