TWI393972B - 主動元件陣列基板及液晶顯示面板 - Google Patents

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Description

主動元件陣列基板及液晶顯示面板
本發明是有關於一種主動元件陣列基板與液晶顯示面板，且特別是有關於一種具有窄邊框(narrow dead space)的主動元件陣列基板與液晶顯示面板。
現今的顯示技術相當發達，多半受惠於半導體科技與光電技術的進步。就顯示面板而言，又以具有輕薄短小、省電、無輻射、全彩及方便攜帶等優點的液晶顯示面板(Liquid Crystal Display panel,LCD panel)最為普及化。
圖1是習知的液晶顯示面板的示意圖。圖2是圖1的液晶顯示面板的區域C的局部放大圖，在圖2中繪示了此液晶顯示面板100的主動元件陣列基板的線路。
請同時參考圖1及圖2，此液晶顯示面板100具有一顯示區A以及一周邊線路區B，其中，顯示區A內設置有閘極線120、資料線140。此液晶顯示面板100採用整合型驅動晶片170，以驅動閘極線120與資料線140。閘極線120與資料線140將顯示區A劃分出多個畫素區D。在各個畫素區D內還設置有畫素電極150與主動元件160。另外，共用線132通過畫素區D，可提供畫素電極150儲存電容，以穩定畫素電極150的資料電壓，並且，共用線132還連接到後述的共用匯聚線130。
再者，在周邊線路區B中設置有多種電子元件與線路，如靜電保護元件110(Electric Static Discharge Guard,ESD guard)、檢查開關元件(未繪示)、共用匯聚線130(Vcom bus line)等。值得注意的是，位於顯示區A的閘極線120還延伸到周邊線路區B中，並於周邊線路區B中進行縱向的延伸與排列。在圖2中僅繪示了兩條縱向延伸的閘極線120，然而，實際上縱向延伸的閘極線120存在相當多條，其佔據了周邊線路區B的大部分面積。
請參照圖1，假設此液晶顯示面板100的解析度為320(V)x 240(H)。如此一來，在液晶顯示面板100左、右兩側的周邊線路區B中，即各需容納至少160條閘極線120。特別是，請參照圖2，根據液晶顯示面板100的陣列製程與曝光機的製造能力，若閘極線120本身的線寬d以及兩條閘極線120之間的線距w均為4微米(μm)，則周邊線路區B的寬度至少需要0.004 x 2 x 160=1.28毫米(mm)才能容納這些閘極線120。若再加上配置其中的靜電保護元件110、共用匯聚線130，則整體的周邊線路區B的寬度可能需要超過2毫米(mm)以上。隨著液晶顯示面板100的解析度越來越高，所需要的閘極線120的數量會隨之增加。因此，周邊線路區B便需要更多的空間才能容納這些縱向排列的閘極線120與多種電子元件，這便造成了液晶顯示面板100的周邊線路區B無法縮減的問題。
再者，雖可利用共用線132提供畫素電極150儲存電容，但所提供的儲存電容的穩定度仍差。在液晶顯示面板100中仍會產生顯示畫面閃爍與串影的問題。
有鑑於此，本發明提供一種主動元件陣列基板，具有狹窄的周邊線路區(亦即窄邊框區)，並且還能提供穩定的儲存電容。
本發明還提供一種液晶顯示面板，包括上述具有窄邊框區的主動元件陣列基板，可節省周邊線路區的空間。還能提供穩定的儲存電容，以提昇液晶顯示面板的顯示品質。
基於上述，本發明提出一種主動元件陣列基板，包括基板、第一金屬層、絕緣層、第二金屬層、保護層、多個畫素電極及多個主動元件。基板具有顯示區與位於該顯示區周邊的一窄邊框區(narrow dead space area)。第一金屬層配置於基板上且包括多條橫向排列的第一閘極線。絕緣層位於第一金屬層上。第二金屬層位於絕緣層上方且包括多條縱向排列的資料線與多條縱向排列的第二閘極線。第一閘極線與資料線將顯示區劃分為多個畫素區。第二閘極線配置於顯示區，而這些第二閘極線設置於畫素區之間並分別電性連接到對應的第一閘極線。保護層設置於第二金屬層上。畫素電極設置於保護層上，且各畫素電極位於各畫素區。各主動元件位於各畫素區，且各畫素電極經由各主動元件電性連接對應的各資料線與各第一閘極線。
本發明還提出一種液晶顯示面板，包括上述的主動元件陣列基板、彩色濾光基板以及液晶層。彩色濾光基板與主動元件陣列基板相對設置。液晶層配置於主動元件陣列基板與彩色濾光基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的第一金屬層更包括多條縱向排列的第三閘極線。各第三閘極線是位於各資料線的正下方，各第三閘極線電性連接到對應的各第二閘極線。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣層具有多個接觸窗，各第三閘極線藉由這些接觸窗而電性連接到對應的各第二閘極線。
在本發明的一實施例中，上述的第一金屬層更包括多條第一共用線，橫向經過畫素區。各第一共用線、位於畫素區中的絕緣層及保護層，與各畫素電極形成第一儲存電容。
在本發明的一實施例中，上述的第二金屬層更包括多條第二共用線，縱向經過畫素區。各第二共用線、位於畫素區中的保護層與各畫素電極形成第二儲存電容。
在本發明的一實施例中，主動元件陣列基板更包括通道層與位於通道層上的歐姆接觸層，通道層與歐姆接觸層依序配置於絕緣層與第二金屬層之間。
在本發明的一實施例中，上述的第一金屬層還包括多個閘極，各閘極電性連接到對應的各第一閘極線。上述的第二金屬層還包括多個源極與多個汲極，各源極電性連接到對應的各資料線，各汲極電性連接到對應的各畫素電極。各閘極、各源極與各汲極形成各主動元件。
在本發明的一實施例中，上述的保護層具有多個接觸窗，這些畫素電極藉由這些接觸窗而電性連接到對應的這些汲極。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣層具有多個接觸窗，這些第二閘極線藉由這些接觸窗而電性連接到對應的這些第一閘極線。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件陣列基板更包括靜電保護元件，配置於該窄邊框區。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件陣列基板更包括共用匯聚線，配置於該窄邊框區。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件陣列基板更包括檢查開關元件，配置於該窄邊框區。
本發明的主動元件陣列基板將第一閘極線與第二閘極線都製作於顯示區，第一閘極線與第二閘極線分別以第一金屬層與第二金屬層來製作，並經由跳層而互相電性連接。因此，在主動元件陣列基板的周邊線路區可不用設置過多的閘極線，節省了主動元件陣列基板的周邊線路區的空間。另外，利用縱向延伸的共用線，可使共用線與畫素電極之間形成更大的儲存電容，以提昇液晶顯示面板的顯示品質。另外，可將位於顯示區內的第二閘極線的一部分，利用隱藏在資料線正下方的第三閘極線來取代，進一步提昇主動元件陣列基板的開口率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
主動元件陣列基板
【第一實施例】
圖3是本發明第一實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖。圖4是圖3的主動元件陣列基板沿A-A’線的剖面示意圖。以下，以圖3來說明此主動元件陣列基板200的組成元件，且配合圖4來說明圖3的主動元件陣列基板的各個膜層之間的配置關係。在圖4的標號中，屬於第一金屬層220的元件(以閘極224為例)，標示為閘極224/220。同樣地，屬於第二金屬層240的元件也以相同的方式標記。
請同時參考圖3及圖4，此主動元件陣列基板200包括基板210、第一金屬層220、絕緣層230、第二金屬層240、保護層250、多個畫素電極260以及多個主動元件270。基板210具有顯示區E與位於顯示區E周邊的窄邊框區F。第一金屬層220配置於基板210上且包括多條橫向排列的第一閘極線222。絕緣層230位於第一金屬層220上。第二金屬層240位於絕緣層230上方且包括多條縱向排列的資料線242與多條縱向排列的第二閘極線244。第一閘極線222與資料線242將顯示區E劃分為多個畫素區G。第二閘極線244配置於顯示區E，而這些第二閘極線244設置於畫素區G之間並分別電性連接到對應的第一閘極線222。保護層250設置於第二金屬層240上。畫素電極260設置於保護層250上，且各畫素電極260與各主動元件270位於各畫素區G中，其中各畫素電極260經由各主動元件270電性連接對應的各資料線232與各第一閘極線222。
值得注意的是，在此主動元件陣列基板200中，第二閘極線244設置於顯示區E內且位於各個畫素區G之間，且第二閘極線244(屬於第二金屬層240)經由跳層方式電性連接到第一閘極線222(屬於第一金屬層220)。更詳細而言，圖5是圖3的主動元件陣列基板沿著B-B’線的剖面示意圖。請同時參考圖3及圖5，絕緣層230具有多個接觸窗232，因此屬於第二金屬層240的第二閘極線244可藉由接觸窗232而電性連接到屬於第一金屬層220上相對應的第一閘極線222。
相對於習知的圖2繪示的液晶顯示面板100的主動元件陣列基板，本發明的主動元件陣列基板200無需在窄邊框區F設置過多的閘極線(亦即可將第二閘極線244設置於顯示區E內)，而可以節省窄邊框區F的佈局面積。
請再參考圖4，主動元件陣列基板200可更包括通道層280與位於此通道層280上的歐姆接觸層290，依序配置於絕緣層230與第二金屬層240之間。通道層280可為一非晶矽層，用來提供電子傳輸的通道。歐姆接觸層290可為一N型摻雜非晶矽層，用來降低第二金屬層240(源極246/240、汲極248/240)與通道層280之間的阻抗。
此外，請同時參考圖3及圖4，第一金屬層220還可包括多個閘極224，且各閘極224電性連接到對應的第一閘極線222。第二金屬層240還可包括多個源極246與多個汲極248，且各源極246電性連接到對應的各資料線242，而各汲極248電性連接到對應的各畫素電極260。各個閘極224、各個源極246與各個汲極248形成各個主動元件270。另外，保護層250可具有多個接觸窗252，且畫素電極260藉由接觸窗252而電性連接到對應的汲極248。
圖6是圖3的主動元件陣列基板沿C-C’線的剖面示意圖。請同時參考圖3及圖6，第一金屬層220可更包括多條第一共用線226，橫向經過畫素區G，各第一共用線226、位於畫素區G中的絕緣層230及保護層250，與各畫素電極260可形成第一儲存電容Cst1。如此一來，可以提供顯示時所需要的儲存電容，提昇顯示品質。
請再參考圖3，此主動元件陣列基板200可更包括靜電保護元件500、共用匯聚線510以及檢查開關元件520，皆配置於窄邊框區F。共用匯聚線510用以提供顯示區E內的第一共用線226共用電壓訊號(Vcom )。靜電保護元件500是用以防止主動元件陣列基板200的線路遭受靜電放電的破壞。檢查開關元件520是電性連接於檢查裝置(未繪示)與主動元件陣列基板200的顯示區E的線路之間，用以檢查主動元件陣列基板200是否能正常顯示。
承上述，本發明的主動元件陣列基板200無需在窄邊框區F設置過多的閘極線(亦即可將第二閘極線244設置於顯示區E內)，而可以節省窄邊框區F的佈局面積。
【第二實施例】
本發明並未限定共用線於主動元件陣列基板200上的配置方向。圖7是本發明第二實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖，僅繪示顯示區E的部分，而省略窄邊框區F的部分。圖8是圖7的主動元件陣列基板沿D-D’線的剖面示意圖。
請同時參考圖7與圖8，與第一實施例不同的是，在此主動元件陣列基板300中，第二金屬層240可包括多條第二共用線241，縱向經過畫素區G，且各第二共用線241、位於畫素區G中的保護層250，與各畫素電極260可形成第二儲存電容Cst2。
值得注意的是，請參照圖7，由於第二共用線241縱向經過畫素電極260，所經過畫素電極260的區域大於圖3中第一共用線226所經過畫素電極260的區域，因此第二儲存電容Cst2所提供的儲存電壓會大於圖3的第一儲存電容Cst1。如此一來，可使顯示區E中的電壓較為穩定，以改善顯示畫面發生閃爍(flicker)與串影(cross talk)的問題。特別是，第二共用線241可同時於佈置第二金屬層240(資料線242、源極246、汲極248)時一起形成，並不會造成製程上的額外負擔。
【第三實施例】
另外，也可同時設置橫向的第一共用線226與縱向的第二共用線241。圖9是本發明第三實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖，僅繪示顯示區E的部分，而省略窄邊框區F的部分。請參考圖9，此主動元件陣列基板400同時包括橫向的多條第一共用線226與縱向的多條第二共用線241。因此，可達到第一儲存電容Cst1與第二儲存電容Cst2的累加效果，進一步使顯示區E的電壓能更加穩定並進而提升顯示品質。
【第四實施例】
圖10是本發明第四實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖。圖11是圖10的主動元件陣列基板沿E-E’線的剖面示意圖。請同時參考圖10及圖11，此主動元件陣列基板600的第一金屬層220更包括多條縱向排列的第三閘極線228，且各第三閘極線228是位於各資料線242的正下方，且各第三閘極線228電性連接到對應的各第二閘極線244。另外，如圖11所示，絕緣層230可具有多個接觸窗234，且各第三閘極線228藉由這些接觸窗234而電性連接至對應的各第二閘極線244。以此方式進行跳層連接。
在本實施例中，將縱向的閘極線的一部分(即圖10所示的第三閘極線228)隱藏在資料線242的正下方。如此一來，可減少閘極線佔據畫素區G的面積。換言之，如圖10所示的畫素區G相較於上述第一～第三實施例中的畫素區G為大，亦即，此主動元件陣列基板600的畫素區G可具有較大的開口率(aperture ratio)。
液晶顛示面板
圖12是本發明較佳實施例的一種液晶顯示面板的剖面示意圖。請參考圖12，此液晶顯示面板700包括主動元件陣列基板710、彩色濾光基板720以及液晶層730。彩色濾光基板720與主動元件陣列基板710對向設置。液晶層730則配置於主動元件陣列基板710與彩色濾光基板720之間。
值得注意的是，此主動元件陣列基板710可採用上述第一實施例~第四實施例任一所述的主動元件陣列基板200、300、400、600。關於主動元件陣列基板的詳細元件組成已於上述實施例中說明，在此不再贅述。而彩色濾光基板720可包括黑矩陣(未繪示)、彩色濾光層(未繪示)以及共用電極層(未繪示)。
如此一來，此液晶顯示面板700的邊框區域只要進行共用匯聚線510、檢查開關元件520以及靜電放電保護元件530等的設置即可，而無需設置過多的閘極線。所以，此液晶顯示面板700可具有相當窄的邊框區域。再者，由於是利用縱向設置第二共用線，可提昇儲存電容進而使液晶顯示面板700具有良好的顯示品質。
綜上所述，本發明的主動元件陣列基板與液晶顯示面板至少具有以下優點：
可將第二閘極線設置在顯示區內，而無需在主動元件陣列基板的周邊線路區設置過多的閘極線。因此，可以節省周邊線路區的空間，以達到窄邊框的效果。再者，第二閘極線可利用第二金屬層的製程來同時形成，於製造工藝上並不會造成額外的負擔。此外，此主動元件陣列基板所具有的縱向排列的第二共用線，可提供了主動元件陣列基板更為穩定的儲存電壓，並進而提高液晶顯示面板的顯示品質。特別是，可將位於顯示區內的第二閘極線的一部分，利用隱藏在資料線正下方的第三閘極線來取代，以提昇主動元件陣列基板的開口率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、700‧‧‧液晶顯示面板
110、500‧‧‧靜電保護元件
120‧‧‧閘極線
130、510‧‧‧共用匯聚線
132‧‧‧共用線
140、242‧‧‧資料線
150、260‧‧‧畫素電極
160、270‧‧‧主動元件
170‧‧‧整合型驅動晶片
200、300、400、600、710‧‧‧主動元件陣列基板
210‧‧‧基板
220‧‧‧第一金屬層
222‧‧‧第一閘極線
224．．．閘極
226．．．第一共用線
228．．．第三閘極線
230．．．絕緣層
232、234、252．．．接觸窗
240．．．第二金屬層
241．．．第二共用線
244．．．第二閘極線
246．．．源極
248．．．汲極
250．．．保護層
280．．．通道層
290．．．歐姆接觸層
520．．．檢查開關元件
720．．．彩色濾光基板
730．．．液晶層
A、E．．．顯示區
B．．．周邊線路區
F．．．窄邊框區
D、G．．．畫素區
Cst1．．．第一儲存電容
Cst2．．．第二儲存電容
d．．．線寬
w．．．線距
圖1是習知的液晶顯示面板的示意圖。
圖2是圖1的液晶顯示面板的區域C的局部放大圖。
圖3是本發明第一實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖。
圖4是圖3的主動元件陣列基板沿A-A’線的剖面示意圖。
圖5是圖3的主動元件陣列基板沿著B-B’線的剖面示意圖。
圖6是圖3的主動元件陣列基板沿C-C’線的剖面示意圖。
圖7是本發明第二實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖。
圖8是圖7的主動元件陣列基板沿D-D’線的剖面示意圖。
圖9是本發明第三實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖。
圖10是本發明第四實施例的主動元件陣列基板的局部俯視示意圖。
圖11是圖10的主動元件陣列基板沿E-E’線的剖面示意圖。
圖12是本發明較佳實施例的一種液晶顯示面板的剖面示意圖。
200．．．主動元件陣列基板
210．．．基板
222．．．第一閘極線
224．．．閘極
226．．．第一共用線
232．．．接觸窗
242．．．資料線
244．．．第二閘極線
246．．．源極
248．．．汲極
260．．．畫素電極
270．．．主動元件
280．．．通道層
500．．．靜電保護元件
510．．．共用匯聚線
520．．．檢查開關元件
E．．．顯示區
F．．．窄邊框區
G．．．畫素區

Claims (26)

  1. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板，具有一顯示區與位於該顯示區周邊的一窄邊框區(narrow dead space area)；一第一金屬層，配置於該基板上，該第一金屬層包括：多條橫向排列的第一閘極線；一絕緣層，位於該第一金屬層上；一第二金屬層，位於該絕緣層上方，該第二金屬層包括：多條縱向排列的資料線，該些第一閘極線與該些資料線將該顯示區劃分為多個畫素區；多條縱向排列的第二閘極線，配置於該顯示區，而該些第二閘極線設置於該些畫素區之間，且分別電性連接到對應的該些第一閘極線；一保護層，設置於該第二金屬層上；多個畫素電極，設置於該保護層上，且各該畫素電極位於各該畫素區；以及多個主動元件，各該主動元件位於各該畫素區，且各該畫素電極經由各該主動元件電性連接到對應的各該資料線與各該第一閘極線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該第一金屬層更包括：多條縱向排列的第三閘極線，各該第三閘極線是位於各該資料線的正下方，且各該第三閘極線電性連接到對應的各該第二閘極線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的主動元件陣列基板，其中該絕緣層具有多個接觸窗，各該第三閘極線藉由該些接觸窗而電性連接到對應的各該第二閘極線。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該第一金屬層更包括：多條第一共用線，橫向經過該畫素區，且各該第一共用線、位於該畫素區中的該絕緣層及該保護層，與各該畫素電極形成一第一儲存電容。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的主動元件陣列基板，其中該第二金屬層更包括：多條第二共用線，縱向經過該畫素區，且各該第二共用線、位於該畫素區中的該保護層，與各該畫素電極形成一第二儲存電容。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該第二金屬層更包括：多條第二共用線，縱向經過該畫素區，且各該第二共用線、位於該畫素區中的該保護層，與各該畫素電極形成一第二儲存電容。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，更包括一通道層與位於該通道層上的一歐姆接觸層，依序配置於該絕緣層與該第二金屬層之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該第一金屬層還包括多個閘極，各該閘極電性連接到對應的各該第一閘極線；該第二金屬層還包括多個源極與多個汲極，各該源極電性連接到對應的各該資料線，各該汲極電性連接到對應的各該畫素電極；其中，各該閘極、各該源極與各該汲極形成各該主動元件。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的主動元件陣列基板，其中該保護層具有多個接觸窗，該些畫素電極藉由該些接觸窗而電性連接到對應的該些汲極。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該絕緣層具有多個接觸窗，該些第二閘極線藉由該些接觸窗而電性連接到對應的該些第一閘極線。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，更包括一靜電保護元件，配置於該窄邊框區。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，更包括一共用匯聚線，設置於該窄邊框區。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，更包括一檢查開關元件，設置於該窄邊框區。
  14. 一種液晶顯示面板，包括：一主動元件陣列基板，包括：一基板，具有一顯示區與位於該顯示區周邊的一窄邊框區(narrow dead space area)；一第一金屬層，配置於該基板上，該第一金屬層包括：多條橫向排列的第一閘極線；一絕緣層，配置於該第一金屬層上；一第二金屬層，位於該絕緣層上方，該第二金屬層包括：多條縱向排列的資料線，該些第一閘極線與該些資料線將該顯示區劃分為多個畫素區；多條縱向排列的第二閘極線，配置於該顯示區，而該些第二閘極線設置於該些畫素區之間，且分別電性連接到對應的該些第一閘極線；一保護層，設置於該第二金屬層上；多個畫素電極，設置於該保護層上，且各該畫素電極位於各該畫素區內；多個主動元件，各該主動元件位於各該畫素區，且各該畫素電極經由各該主動元件電性連接到對應的各該資料線與各該第一閘極線；一彩色濾光基板，與該主動元件陣列基板相對設置；以及一液晶層，配置於該主動元件陣列基板與該彩色濾光基板之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，其中該第一金屬層更包括：多條縱向排列的第三閘極線，各該第三閘極線是位於各該資料線的正下方，且各該第三閘極線電性連接到對應的各該第二閘極線。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的液晶顯示面板，其中該絕緣層具有多個接觸窗，各該第三閘極線經由該些接觸窗而電性連接到對應的各該第二閘極線。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，其中該第一金屬層更包括：多條第一共用線，橫向經過該畫素區，且各該第一共用線、位於該畫素區中的該絕緣層及該保護層，與各該畫素電極形成一第一儲存電容。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的液晶顯示面板，其中該第二金屬層更包括：多條第二共用線，縱向經過該畫素區，且各該第二共用線、位於該畫素區中的該保護層，與各該畫素電極形成一第二儲存電容
  19. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，其中該第二金屬層更包括：多條第二共用線，縱向經過該畫素區，且各該第二共用線、位於該畫素區中的該保護層，與各該畫素電極形成一第二儲存電容。
  20. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，其中該主動元件陣列基板更包括一通道層與位於該通道層上的一歐姆接觸層，依序配置於該絕緣層與該第二金屬層之間。
  21. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，其中該第一金屬層還包括多個閘極，各該閘極電性連接到對應的各該第一閘極線；該第二金屬層還包括多個源極與多個汲極，各該源極電性連接到對應的各該資料線，各該汲極電性連接到對應的各該畫素電極；其中，各該閘極、各該源極與各該汲極形成各該主動元件。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的液晶顯示面板，其中該保護層具有多個接觸窗，該些畫素電極藉由該些接觸窗而電性連接到對應的該些汲極。
  23. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，其中該絕緣層具有多個接觸窗，該些第二閘極線藉由該些接觸窗而電性連接到對應的該些第一閘極線。
  24. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，更包括一靜電保護元件，配置於該窄邊框區。
  25. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，更包括一共用匯聚線，設置於該窄邊框區。
  26. 如申請專利範圍第14項所述的液晶顯示面板，更包括一檢查開關元件，設置於該窄邊框區。
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