CN111969014A - 一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 166
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 166
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 18
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 20
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DWDGSKGGUZPXMQ-UHFFFAOYSA-N OPPO Chemical compound OPPO DWDGSKGGUZPXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiOx Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/81—Anodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
Abstract
本发明涉及OLED面板阵列基板技术领域，特别涉及一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法，包括玻璃基板，玻璃基板的一侧面的正常区上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极金属层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层，通过设置第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层，且正常区的第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均采用夹层结构，这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗；而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致，改善了现有屏下摄像头终端设备为了保证摄像头区域的透光率对部分像素进行留白缩减像素密度而导致观感上存在色差。
Description
技术领域
本发明涉及OLED面板阵列基板技术领域，特别涉及一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法。
背景技术
从“全面屏”这一概念出现后，人们就开始向着这一目标前行，经过努力，导航按键、听筒、传感器、指纹识别模组等都成功地实现了隐藏，新的封装工艺也让边框宽度不断下降，然而胜利在望的时刻，前置摄像头这一“钉子户”却成了最后的阻碍；于是异形屏成为了主流，同时也引起了大量用户的不满；机械结构虽然保证了屏幕完整性，但又让机身变得厚重，可靠性也有下降。
所谓屏下摄像头，需要前置摄像头上方的屏幕显示区域在摄像头关闭时呈现正常的显示状态，当摄像头启动后，这一区域又能够确保前置相机拥有充足的进光量；因此，搭载屏下摄像头的终端产品必须用到透光率非常高的OLED(即有机发光二极管)屏，否则，进光量不足就会对前置相机的成像效果产生影响。
OLED屏幕虽然是可以透光的，但透光率其实比较低；光学指纹识别可以通过屏幕的主动高亮发光照亮被摄画面，来弥补透光率低的问题，然而用于拍照的前置摄像头大部分情况则只能被动接受环境光，在摄像头模组本身较小、感光能力较弱的情况下，透光率便成了一个大问题；目前比较主流的做法就是此类“低PPI方案”，不过并不是让整个屏幕PPI(每英寸所拥有的像素数目)变低，而是只在摄像头区域的一小部分屏幕做此类低PPI设计，同时这也导致与周围屏幕有显示差异；目前的屏幕PPI大约在400左右，而PPI在这个水平，相机中光的透过率是很低的，这样就严重影响了拍照效果；而如果把PPI降低，提高透过率，就会出现显示区域的PPI和整个屏幕的PPI差距很大，从而出现显示区域有色块等现象。
在MWC19上海，OPPO首度展出其屏下摄像头解决方案“透视全景屏”，吸引了众人关注的目光，但试用者发现，屏下摄像头技术并没有想象的那么成熟：拍照时成像清晰度不高，出现了明显泛白的情况；摄像头区域的显示效果和屏幕其他区域有显著色差，近看则更加明显。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法，在不增加额外光罩和不缩减像素数量的前提下，增加面板特定区域的透光度。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种新型阵列基板膜层结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面的正常区上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极金属层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层；
所述第一栅极绝缘层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有第一源漏极金属层，所述第一源漏极金属层分别与第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层和第一钝化层接触，所述第一源漏极金属层上开设有第二过孔，所述第二过孔中填充有第一钝化层，所述第一钝化层分别与第一有源层和第一源漏极金属层接触，所述第一钝化层上开设有第三过孔，所述第一平坦层上开设有第四过孔，所述第四过孔与第三过孔相对设置且相通，所述第三过孔和第四过孔中均填充有第一阳极层，所述第三过孔中的第一阳极层分别与第一源漏极金属层和第一钝化层接触，所述第四过孔中的第一阳极层分别与第一平坦层和第一画素定义层接触，所述第一画素定义层上开设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第一有机发光层，所述第一有机发光层分别与第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层接触；
所述第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均为夹层结构。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种新型阵列基板膜层结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一侧面的正常区上覆盖有第一栅极金属层；
S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面，在所述第一栅极金属层中形成第一过孔；
S3、形成第一有源层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；
S4、形成第一源漏极金属层，所述第一源漏极金属层分别覆盖于第一有源层和第一栅极绝缘层表面且第一过孔中填充有第一栅极金属层；在第一源漏极金属层中形成第二过孔；
S5、形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于第一源漏极金属层表面且第二过孔中填充有第一钝化层；在第一钝化层中形成第三过孔；
S6、形成第一平坦层，且覆盖于所述第一钝化层表面，在第一平坦层中形成第四过孔；
S7、形成第一阳极层，所述第一阳极层覆盖于第一平坦层表面且第三过孔和第四过孔中填充有第一阳极层；
S8、形成第一画素定义层，且分别覆盖于所述第一钝化层和第一阳极层表面，在第一画素定义层中形成第五过孔；
S9、在所述第五过孔中形成第一有机发光层；
S10、形成第一阴极层，且覆盖于所述第一画素定义层表面。
本发明的有益效果在于：
通过设置第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层，且正常区的第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均采用夹层结构，这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗；而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致，改善了现有屏下摄像头终端设备为了保证摄像头区域的透光率对部分像素进行留白缩减像素密度而导致观感上存在色差；本方案设计的阵列基板膜层结构，在不增加额外光罩和不缩减像素数量的前提下，能够增加面板特定区域透光度，这样可以为隐藏在屏下各类元器件提供更好的工作条件，使得全面屏更好的实现。
附图说明
图1为根据本发明的一种新型阵列基板膜层结构的结构示意图；
图2为根据本发明的一种新型阵列基板膜层结构的结构示意图；
图3为根据本发明的一种新型阵列基板膜层结构的结构示意图；
图4为根据本发明的一种新型阵列基板膜层结构的应用实例的结构示意图；
图5为根据本发明的一种新型阵列基板膜层结构的应用实例的结构示意图；
图6为根据本发明的一种新型阵列基板膜层结构的应用实例的结构示意图；
图7为根据本发明的一种新型阵列基板膜层结构的制备方法的步骤流程图；
标号说明：
1、玻璃基板；
11、正常区；1101、第一栅极金属层；1102、第一栅极绝缘层；1103、第一有源层；1104、第一源漏极金属层；1105、第一钝化层；1106、第一平坦层；1107、第一阳极层；1108、第一画素定义层；1109、第一阴极层；1110、第一有机发光层；
12、增透区；1201、第二栅极金属层；1202、第二栅极绝缘层；1203、第二有源层；1204、第二源漏极金属层；1205、第二钝化层；1206、第二平坦层；1207、第二阳极层；1208、第二画素定义层；1209、第二阴极层；1210、第二有机发光层；1211、金属反射层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种新型阵列基板膜层结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面的正常区上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极金属层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层；
所述第一栅极绝缘层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有第一源漏极金属层，所述第一源漏极金属层分别与第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层和第一钝化层接触，所述第一源漏极金属层上开设有第二过孔，所述第二过孔中填充有第一钝化层，所述第一钝化层分别与第一有源层和第一源漏极金属层接触，所述第一钝化层上开设有第三过孔，所述第一平坦层上开设有第四过孔，所述第四过孔与第三过孔相对设置且相通，所述第三过孔和第四过孔中均填充有第一阳极层，所述第三过孔中的第一阳极层分别与第一源漏极金属层和第一钝化层接触，所述第四过孔中的第一阳极层分别与第一平坦层和第一画素定义层接触，所述第一画素定义层上开设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第一有机发光层，所述第一有机发光层分别与第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层接触；
所述第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均为夹层结构。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过设置第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层，且第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均采用夹层结构，这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗；而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致，改善了现有屏下摄像头终端设备为了保证摄像头区域的透光率对部分像素进行留白缩减像素密度而导致观感上存在色差；本方案设计的阵列基板膜层结构，在不增加额外光罩和不缩减像素数量的前提下，能够增加面板特定区域透光度，这样可以为隐藏在屏下各类元器件提供更好的工作条件，使得全面屏更好的实现。
进一步的，所述夹层结构包括第一透明层和第一金属层，所述第一透明层与第一金属层层叠设置。
由上述描述可知，夹层结构采用第一透明层与第一金属层层叠设置，能够进一步提高增加面板特定区域透光度。
进一步的，所述第一透明层的材质为氧化铟锡。
进一步的，所述夹层结构包括第二透明层、第三透明层和第二金属层，所述第二金属层位于第二透明层和第三透明层之间且分别与第二透明层和第三透明层接触。
由上述描述可知，夹层结构采用第二透明层、第三透明层和第二金属层层叠设置，能够进一步提高增加面板特定区域透光度。
进一步的，所述第二过孔对应第一有源层的位置设置。
进一步的，所述第一源漏极金属层上还开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层，所述第六过孔中填充的第一钝化层分别与第一栅极绝缘层、第一栅极金属层和第一平坦层接触。
请参照图7，本发明提供的另一种技术方案：
一种新型阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一侧面的正常区上覆盖有第一栅极金属层；
S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面，在所述第一栅极金属层中形成第一过孔；
S3、形成第一有源层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；
S4、形成第一源漏极金属层，所述第一源漏极金属层分别覆盖于第一有源层和第一栅极绝缘层表面且第一过孔中填充有第一栅极金属层；在第一源漏极金属层中形成第二过孔；
S5、形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于第一源漏极金属层表面且第二过孔中填充有第一钝化层；在第一钝化层中形成第三过孔；
S6、形成第一平坦层，且覆盖于所述第一钝化层表面，在第一平坦层中形成第四过孔；
S7、形成第一阳极层，所述第一阳极层覆盖于第一平坦层表面且第三过孔和第四过孔中填充有第一阳极层；
S8、形成第一画素定义层，且分别覆盖于所述第一钝化层和第一阳极层表面，在第一画素定义层中形成第五过孔；
S9、在所述第五过孔中形成第一有机发光层；
S10、形成第一阴极层，且覆盖于所述第一画素定义层表面。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过设置第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层，且正常区的第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均采用夹层结构，这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗；而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致，改善了现有屏下摄像头终端设备为了保证摄像头区域的透光率对部分像素进行留白缩减像素密度而导致观感上存在色差；本方案设计的阵列基板膜层结构，在不增加额外光罩和不缩减像素数量的前提下，能够增加面板特定区域透光度，这样可以为隐藏在屏下各类元器件提供更好的工作条件，使得全面屏更好的实现。
进一步的，所述步骤S4中在第一源漏极金属层中形成第二过孔的同时也形成第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层。
进一步的，所述夹层结构包括第一透明层和第一金属层，所述第一透明层与第一金属层层叠设置。
进一步的，所述夹层结构包括第二透明层、第三透明层和第二金属层，所述第二金属层位于第二透明层和第三透明层之间且分别与第二透明层和第三透明层接触。
请参照图1至图6，本发明的实施例一为：
请参照图1，一种新型阵列基板膜层结构，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1的一侧面的正常区11上依次层叠设有第一栅极金属层1101、第一栅极绝缘层1102、第一有源层1103、第一源漏极金属层1104、第一钝化层1105、第一平坦层1106、第一阳极层1107、第一画素定义层1108和第一阴极层1109；
所述第一栅极绝缘层1102上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有第一源漏极金属层1104，所述第一源漏极金属层1104分别与第一栅极金属层1101、第一栅极绝缘层1102、第一有源层1103和第一钝化层1105接触，所述第一源漏极金属层1104上开设有第二过孔，所述第二过孔中填充有第一钝化层1105，所述第一钝化层1105分别与第一有源层1103和第一源漏极金属层1104接触，所述第一钝化层1105上开设有第三过孔，所述第一平坦层1106上开设有第四过孔，所述第四过孔与第三过孔相对设置且相通，所述第三过孔和第四过孔中均填充有第一阳极层1107，所述第三过孔中的第一阳极层1107分别与第一源漏极金属层1104和第一钝化层1105接触，所述第四过孔中的第一阳极层1107分别与第一平坦层1106和第一画素定义层1108接触，所述第一画素定义层1108上开设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第一有机发光层1110，所述第一有机发光层1110分别与第一阳极层1107、第一画素定义层1108和第一阴极层1109接触；
所述第一栅极金属层1101、第一源漏极金属层1104和第一阳极层1107均为夹层结构。
所述夹层结构包括第一透明层和第一金属层，所述第一透明层与第一金属层层叠设置。
所述第一透明层的材质为氧化铟锡，所述第一金属层的材质可以为铝、钼、钛、镍、铜、银和铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金。
所述夹层结构包括第二透明层、第三透明层和第二金属层，所述第二金属层位于第二透明层和第三透明层之间且分别与第二透明层和第三透明层接触；所述第二金属层可以为铝、钼、钛、镍、铜、银和铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金；所述第二透明层和第三透明层的材质均为氧化铟锡。
所述第二过孔对应第一有源层1103的位置设置。
所述第一源漏极金属层1104上还开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层1105，所述第六过孔中填充的第一钝化层1105分别与第一栅极绝缘层1102、第一栅极金属层1101和第一平坦层1106接触。
请参照图2，所述玻璃基板1的一侧面的增透区12上依次层叠设有第二栅极金属层1201、第二栅极绝缘层1202、第二有源层1203、第二源漏极金属层1204、第二钝化层1205、第二平坦层1206、第二阳极层1207、第二画素定义层1208和第二阴极层1209；
所述第二栅极绝缘层1202上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有第二源漏极金属层1204，所述第二源漏极金属层1204分别与第二栅极金属层1201、第二栅极绝缘层1202、第二有源层1203和第二钝化层1205接触，所述第二源漏极金属层1204上开设有第二过孔，所述第二过孔中填充有第二钝化层1205，所述第二钝化层1205分别与第二有源层1203和第二源漏极金属层1204接触，所述第二钝化层1205上开设有第三过孔，所述第二平坦层1206上开设有第四过孔，所述第四过孔与第三过孔相对设置且相通，所述第三过孔和第四过孔中均填充有第二阳极层1207，所述第三过孔中的第二阳极层1207分别与第二源漏极金属层1204和第二钝化层1205接触，所述第四过孔中的第二阳极层1207分别与第二平坦层1206和第二画素定义层1208接触，所述第二画素定义层1208上开设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第二有机发光层1210，所述第二有机发光层1210分别与第二阳极层1207、第二画素定义层1208和第二阴极层1209接触。
所述第二栅极金属层1201、第二源漏极金属层1204和第二阳极层1207的材质均为透明导电材料，在增透区12采用的透明导电材料可以为ITO、CdO、In2O3、SnO2和ZnO等透明氧化物，以及石墨烯和碳纳米管等；
本方案设计的正常区11的第一画素定义层1108的发光子画素尺寸大于增透区12的第二画素定义层1208的发光子画素尺寸；
请参照图3，为提高增透区12的发光层光线利用率，可在所述第二平坦层1206与第二阳极层1207之间设有金属反射层1211，所述金属反射层1211分别与第二平坦层1206和第二阳极层1207接触，这样使得增透区12达到和正常区11一致的光线利用率，可以进一步减少色偏。
所述第二有机发光层1210为半透明第二有机发光层1210。
所述第二有源层1203对应第二栅极金属层1201的位置设置。
所述第二过孔对应第二有源层1203的位置设置。
所述第二源漏极金属层1204上还开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第二钝化层1205，所述第六过孔中填充的第二钝化层1205分别与第二栅极绝缘层1202、第二栅极金属层1201和第二平坦层1206接触。
所述第一栅极金属层1101和第二栅极金属层1201为分布在不同区域的同一层栅极金属层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；
所述第一栅极绝缘层1102和第二栅极绝缘层1202为分布在不同区域的同一层栅极绝缘层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述栅极绝缘层的材料可选用无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛和氧化铝等，并在栅极绝缘层上蚀刻出第一过孔露出栅极金属层表面；
所述第一有源层1103和第二有源层1203为分布在不同区域的同一层有源层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述有源层可以由氧化物半导体、石墨烯和碳纳米管等透明半导体材料制成；所述有源层为透明半导体层。
所述第一源漏极金属层1104和第二源漏极金属层1204为分布在不同区域的同一层源漏极金属层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述源漏极金属层所采用的材质与栅极金属层的材料相同(材料选择以及工艺均与栅极金属层的相同)；
所述第一钝化层1105和第二钝化层1205为分布在不同区域的同一层钝化层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述钝化层所采用的材料与栅极绝缘层的材料相同(材料选择以及工艺均与栅极绝缘层的相同)；
所述第一平坦层1106和第二平坦层1206为分布在不同区域的同一层平坦层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述平坦层所采用的材料与栅极绝缘层的材料相同(材料选择以及工艺均与栅极绝缘层的相同)；
所述第一阳极层1107和第二阳极层1207为分布在不同区域的同一层阳极层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述阳极层所采用的材料与栅极金属层的材料相同(材料选择以及工艺均与栅极金属层的相同)；
所述第一画素定义层1108和第二画素定义层1208为分布在不同区域的同一层画素定义层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；
所述第一阴极层1109和第二阴极层1209为分布在不同区域的同一层阴极层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述阴极层所采用的材料为镁银合金等；
所述第一有机发光层1110和第二有机发光层1210为分布在不同区域的同一层有机发光层，在进行光阻涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的；所述有机发光层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层(EM)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)；所述有机发光层为半透明有机发光层。
所述第一栅极金属层1101的优选厚度范围为
(此厚度范围是基于第一栅极导电层采用ITO材料)；
所述第一栅极绝缘层1102的优选厚度范围为
所述第一有源层1103的优选厚度范围为
所述第一源漏极导电层1104的优选厚度范围为
(此厚度范围是基于第一栅极导电层采用ITO材料)；
所述第一钝化层1105的优选厚度范围为
所述第一平坦层1106的优选厚度范围为1μm-2.5μm；
所述第一阳极层1107的优选厚度范围为
所述第一画素定义层1108的优选厚度范围为1μm-2.5μm；
所述第一阴极层1109的优选厚度范围为
所述第二栅极金属层1201的优选厚度范围为
所述第二源漏极金属层1204的优选厚度范围为
所述第二阳极层1207的优选厚度范围为
所述金属反射层1211的优选厚度范围为
本发明阵列膜层厚度基于现有基板结构调试给出优选膜厚范围，但不仅限于此，各膜层厚度根据材料基础物理特性、TFT器件尺寸及性能设计、电容充电速率及容值设计、寄生电容规避、面板尺寸大小、面板透光率、面板功耗设计、生产效益性等多方面考虑因素考量，可做相应调整以达到最佳需求。
面板上的增透区12和正常区11的位置请参照图4、图5和图6，对增透区12的形状、大小、位置和数量不做特殊限定，根据实际设计需要增透区12可以是任一几何形状，任一大小，在显示面板任意位置，任一数量皆可，以实际设计需要而定。
请参照图7，本发明的实施例二为：
一种新型阵列基板膜层结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板1，在玻璃基板1的一侧面的正常区11上覆盖有第一栅极金属层1101；
S2、形成第一栅极绝缘层1102，且覆盖于所述第一栅极金属层1101表面，在所述第一栅极金属层1101中形成第一过孔；
S3、形成第一有源层1103，且覆盖于所述第一栅极金属层1101表面；
S4、形成第一源漏极金属层1104，所述第一源漏极金属层1104分别覆盖于第一有源层1103和第一栅极绝缘层1102表面且第一过孔中填充有第一栅极金属层1101；在第一源漏极金属层1104中形成第二过孔；
S5、形成第一钝化层1105，所述第一钝化层1105覆盖于第一源漏极金属层1104表面且第二过孔中填充有第一钝化层1105；在第一钝化层1105中形成第三过孔；
S6、形成第一平坦层1106，且覆盖于所述第一钝化层1105表面，在第一平坦层1106中形成第四过孔；
S7、形成第一阳极层1107，所述第一阳极层1107覆盖于第一平坦层1106表面且第三过孔和第四过孔中填充有第一阳极层1107；
S8、形成第一画素定义层1108，且分别覆盖于所述第一钝化层1105和第一阳极层1107表面，在第一画素定义层1108中形成第五过孔；
S9、在所述第五过孔中形成第一有机发光层1110；
S10、形成第一阴极层1109，且覆盖于所述第一画素定义层1108表面。
所述步骤S4中在第一源漏极金属层1104中形成第二过孔的同时也形成第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层1105。
所述夹层结构包括第一透明层和第一金属层，所述第一透明层与第一金属层层叠设置。
所述夹层结构包括第二透明层、第三透明层和第二金属层，所述第二金属层位于第二透明层和第三透明层之间且分别与第二透明层和第三透明层接触。
综上所述，本发明提供的一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法，通过设置第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层，且正常区的第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均采用夹层结构，这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗；而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致，改善了现有屏下摄像头终端设备为了保证摄像头区域的透光率对部分像素进行留白缩减像素密度而导致观感上存在色差；本方案设计的阵列基板膜层结构，在不增加额外光罩和不缩减像素数量的前提下，能够增加面板特定区域透光度，这样可以为隐藏在屏下各类元器件提供更好的工作条件，使得全面屏更好的实现。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种新型阵列基板膜层结构，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面的正常区上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极金属层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层；
所述第一栅极绝缘层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有第一源漏极金属层，所述第一源漏极金属层分别与第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层和第一钝化层接触，所述第一源漏极金属层上开设有第二过孔，所述第二过孔中填充有第一钝化层，所述第一钝化层分别与第一有源层和第一源漏极金属层接触，所述第一钝化层上开设有第三过孔，所述第一平坦层上开设有第四过孔，所述第四过孔与第三过孔相对设置且相通，所述第三过孔和第四过孔中均填充有第一阳极层，所述第三过孔中的第一阳极层分别与第一源漏极金属层和第一钝化层接触，所述第四过孔中的第一阳极层分别与第一平坦层和第一画素定义层接触，所述第一画素定义层上开设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第一有机发光层，所述第一有机发光层分别与第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层接触；
所述第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均为夹层结构。
2.根据权利要求1所述的新型阵列基板膜层结构，其特征在于，所述夹层结构包括第一透明层和第一金属层，所述第一透明层与第一金属层层叠设置。
3.根据权利要求2所述的新型阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第一透明层的材质为氧化铟锡。
4.根据权利要求1所述的新型阵列基板膜层结构，其特征在于，所述夹层结构包括第二透明层、第三透明层和第二金属层，所述第二金属层位于第二透明层和第三透明层之间且分别与第二透明层和第三透明层接触。
5.根据权利要求1所述的新型阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第二过孔对应第一有源层的位置设置。
6.根据权利要求1所述的新型阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第一源漏极金属层上还开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层，所述第六过孔中填充的第一钝化层分别与第一栅极绝缘层、第一栅极金属层和第一平坦层接触。
7.一种权利要求1所述的新型阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一侧面的正常区上覆盖有第一栅极金属层；
S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面，在所述第一栅极金属层中形成第一过孔；
S3、形成第一有源层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；
S4、形成第一源漏极金属层，所述第一源漏极金属层分别覆盖于第一有源层和第一栅极绝缘层表面且第一过孔中填充有第一栅极金属层；在第一源漏极金属层中形成第二过孔；
S5、形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于第一源漏极金属层表面且第二过孔中填充有第一钝化层；在第一钝化层中形成第三过孔；
S6、形成第一平坦层，且覆盖于所述第一钝化层表面，在第一平坦层中形成第四过孔；
S7、形成第一阳极层，所述第一阳极层覆盖于第一平坦层表面且第三过孔和第四过孔中填充有第一阳极层；
S8、形成第一画素定义层，且分别覆盖于所述第一钝化层和第一阳极层表面，在第一画素定义层中形成第五过孔；
S9、在所述第五过孔中形成第一有机发光层；
S10、形成第一阴极层，且覆盖于所述第一画素定义层表面。
8.根据权利要求7所述的新型阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中在第一源漏极金属层中形成第二过孔的同时也形成第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层。
9.根据权利要求7所述的新型阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，所述夹层结构包括第一透明层和第一金属层，所述第一透明层与第一金属层层叠设置。
10.根据权利要求7所述的新型阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，所述夹层结构包括第二透明层、第三透明层和第二金属层，所述第二金属层位于第二透明层和第三透明层之间且分别与第二透明层和第三透明层接触。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010836418.1A Pending CN111969014A (zh) | 2020-08-19 | 2020-08-19 | 一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法 |
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