JP2003262885A - 電気光学装置およびその製造方法、電子機器 - Google Patents

電気光学装置およびその製造方法、電子機器

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JP2003262885A JP2002064316A JP2002064316A JP2003262885A JP 2003262885 A JP2003262885 A JP 2003262885A JP 2002064316 A JP2002064316 A JP 2002064316A JP 2002064316 A JP2002064316 A JP 2002064316A JP 2003262885 A JP2003262885 A JP 2003262885A
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electro
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剛史 深川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板間の電気的導通を保持すると共にセルギ
ャップの制御も簡便に行い得る構造を有する液晶装置を
提供する。 【解決手段】 本発明の液晶装置は、液晶１６を挟んで
ＴＦＴアレイ基板７と対向基板１５が対向配置されてお
り、対向基板１５上に設けられた凸部５０に導電層５１
を被覆して基板間導通部３４とし、この基板間導通部３
４をシール材２８内に収容することによって、前記ＴＦ
Ｔアレイ基板７と対向基板１５間の電気的導通とセルギ
ャップとが所定に保持されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置およ
びその製造方法、電子機器に関し、特に基板間の間隔お
よび電気的導通の制御に用いて好適な基板構造に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３は従来の液晶表示装置の一例を示
したものである。液晶パネル１００は、複数のデータ線
および走査線１０１が格子状に形成されるとともに、画
素電極、この画素電極を駆動する薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）からな
るスイッチング素子等がマトリクス状に配置された素子
基板１０２（ＴＦＴアレイ基板）と、対向電極１０３が
配置された対向基板１０４とが所定の間隔をもって配置
されてなるものである。素子基板１０２と対向基板１０
４とは、互いの電極形成面が対向するようにシール材１
０５によって貼り合わされている。このシール材１０５
によって区画された基板間の領域内には、液晶１０６が
封入されているとともに、スペーサ１０７が配置され、
基板１０２と基板１０４との間隔が所定の大きさに保持
されている。素子基板１０２の電極形成面上の液晶封入
領域外には、コモン電極１０８が形成されており、この
コモン電極１０８には銀ペーストからなる導通部１０９
が配設されており、これにより素子基板１０２と対向基
板１０４間での電気的導通がとれるようになっている。
また、素子基板１０２、対向基板１０４の外面側には偏
光板１１０がそれぞれ貼付されている。
【０００３】なお、図示を省略したが、素子基板１０２
上の対向基板１０４から張り出した端子部分には、各デ
ータ線にデータ信号を供給するデータ線駆動用ＩＣが実
装されるとともに、各走査線１０１に走査信号を供給す
る走査線駆動用ＩＣが実装されている。
【０００４】さらにこの例の場合、素子基板１０２の下
面側には、バックライトユニット１１１がシリコンゴム
等の緩衝材１１２を介して設けられている。このバック
ライトユニット１１１は、光を照射する線状の蛍光管１
１３と、この蛍光管１１３による光を反射して導光板１
１４に導く反射板１１５、導光板１１４に導かれた光を
液晶パネル１００に一様に拡散させる拡散板１１６と、
導光板１１４から液晶パネル１００とは反対方向に出射
される光を液晶パネル１００側へ反射させる反射板１１
５とから構成されている。
【０００５】この種の液晶表示装置を製造するには、ま
ず素子基板１０２および対向基板１０４上にフォトリソ
グラフィー等の技術を用いて、各基板上に必要な電極層
および駆動回路層を形成した後に、例えば素子基板１０
２の電極形成面に２枚の基板間の間隔を一定に保持する
ためのスペーサ１０７を散布する一方、対向基板１０４
の電極形成面に液晶を封止するためのシール材１０５を
スクリーン印刷等により形成する。次に素子基板１０２
と対向基板１０４とを貼り合わせ、シール材１０５の開
口部から液晶１０６を２枚の基板間の間隙に注入し、こ
の開口部をさらにシール材１０５によって封止し、両面
に偏光板を貼り付けることによって液晶パネル１００が
完成する。最後に、この液晶パネル１００に対してバッ
クライトユニット、各種の駆動用基板等を実装し、ケー
スに収納すれば、液晶表示装置として完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上下基板間の電気的導
通を取るための導通部１０９は、導電ペーストを硬化さ
せてなるものである。この導電ペーストは、たとえば銀
粉などの導電性の良好な金属粉や導電性のフィラー等を
樹脂中に混練したものである。導通部１０９の形成にあ
たっては、たとえばディスペンサー等の滴下装置を用い
て、素子基板１０２の電極形成面上の所定位置に所定量
の導電ペーストを滴下した後に、加熱や光照射等の適宜
手段で樹脂を硬化させる方法等が利用される。
【０００７】このような導通部１０９は安価に製造可能
である反面、導電ペーストを滴下する際の位置的精度と
量的精度とに限界があるという問題があった。またディ
スペンサーによるペースト打点は、たとえば０．５ｍｍ
×０．５ｍｍ角程度の面積を占めることとなり、近年の
液晶装置における狭額縁化にそぐわないという問題があ
った。さらには導電ペーストの滴下状態およびその硬化
条件等により、形成された導通部１０９の基板への圧着
密度や圧着面積が変化し、その電気抵抗値が一定しない
という問題があった。また、導電ペーストが外気に曝さ
れているために、これによってもその電気抵抗値が経時
的に変化し、その耐候性に劣るという問題もあった。
【０００８】このような問題を解決する方法として、樹
脂粒子表面に金属膜を被覆した導電粒子や金属粒子等を
直接シール材中に分散させて、導通部とする構成が提案
されている。しかしながら、このような構成では、導電
粒子や金属粒子の凝集およびその分散性により導通部の
電気抵抗値が変化するばかりでなく、シール材と基板間
との圧着密度によっても導通部の電気伝導度が変化し、
信頼性に欠けるという問題があった。
【０００９】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、電気光学装置における基板間の電
気的導通を安定的に保持可能な基板間導通部を有する電
気光学装置とその製造方法、およびこれを用いた電子機
器を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、互いに対向する一対の
基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置で
あって、前記一対の基板を構成する各基板の内面に導電
部が設けられるとともに、導電層で被覆された凸部から
なる基板間導通部が前記一対の基板のうちの一方に設け
られ、前記各基板の導電部同士が前記基板間導通部を介
して電気的に接続されたことを特徴とするものである。
ここで言う「各基板の内面に設けられた導電部」とは、
電極や配線を含むものである。本発明のこのような構成
によれば、その導電率において信頼性に優れた導電層に
よって各基板の導電部間の電気的導通を確実に保持する
ことができる。また導電層と基板との接続条件を一定に
保持することができるので、接続条件の変化による電気
抵抗値等の電気特性のバラツキを無くし、安定した電気
的導通を基板間で確実に保持することができる。
【００１１】また、本発明の電気光学装置は、互いに対
向する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電
気光学装置であって、前記一対の基板を構成する各基板
の内面に導電部が設けられるとともに、前記一対の基板
間を所定の間隔に保持する凸部が前記一対の基板のうち
の一方の基板に設けられ、前記各基板の導電部同士が前
記凸部に導電層を被覆してなる基板間導通部を介して電
気的に接続されたことを特徴とするものである。本発明
のこのような構成によれば、各基板の導電部間の電気的
導通を確実かつ安定的に保持できるばかりでなく、前記
凸部の高さと導電層の膜厚との和によって基板間の間隔
を所定の値に保持することができる。すなわち凸部の高
さに導電層の膜厚を加えた値を予め基板間距離となる所
定の値に調整しておけば、必然的に２枚の基板間のギャ
ップとなるので、ギャップの制御を容易に行うことがで
きる。すなわち、本発明における基板間導通部が従来の
スペーサの役目を兼ねることによって、２枚の基板のギ
ャップ制御をも合理的に行うことができる。
【００１２】前記基板間導通部の凸部は前記一方の基板
を構成する１層または複数層の膜材料からなることが好
ましい。この構成によれば、基板に凸部を形成するに際
して、基板とは別の部材を特別に用意する必要がなく、
製造コストを増大させることがない。また、素子基板や
対向基板を構成する膜材料から凸部を形成可能であるの
で、通常の製造プロセス条件の若干の変更で形成が可能
となる。
【００１３】前記凸部はたとえばアクリル膜、ポリイミ
ド膜のような樹脂材料からなることが好ましい。これら
の感光性を有する熱硬化型の樹脂で凸部を構成すれば、
フォトリソグラフィー技術等を利用して基板上に所望形
状の凸部を所望膜厚で容易に形成することができる。
【００１４】前記基板導通部の導電層は金属膜からなる
ことが好ましい。金属膜によれば、より一層安定した導
電性を得ることができ、基板間の電気特性を安定させる
ことができる。また、金属膜は種々の製膜技術によって
簡単かつ安価に所定の膜厚で凸部表面に被覆することが
でき、これによって電気光学装置の低コスト化を図るこ
とができる。
【００１５】また、基板間導通部の導電層は透明導電膜
からなることが好ましい。さらに凸部も共に透明部材と
することにより、この構成の基板間導通部が電気光学装
置のいかなる領域に形成されていても電気光学装置の光
透過率を低下させることがなくなる。また、このような
構成によれば、基板に透明電極を形成する際に基板間導
通部の導電層を併せて形成することも可能となり、製造
プロセスの簡略化を図ることができる。
【００１６】前記電気光学材料としては液晶を用いるこ
とができる。この構成により、各基板間の電気的導通が
安定的に保持され、かつセルギャップが確実に制御され
た液晶表示装置を実現することができる。
【００１７】基板間導通部は各基板における画像表示領
域外の周辺部のみに設けるようにしてもよい。この構成
によれば、画像表示領域内、すなわち画素領域の構成は
従来と全く変わらないため、画素パターン設計の自由度
を従来通り確保した上で、基板間の確実な電気的導通を
保持することができる。
【００１８】また、前記基板間導通部を液晶を封止する
シール部の内部に設けることもできる。この構成とする
ことにより、基板に基板間導通部をより一層強固に密着
させることができ、より安定した電気的導通を保持でき
るばかりでなく、その機械的強度も向上する。また基板
間導通部がシール部によって保護された構造となり、外
気と接触することがなくなり、導電層の酸化等による電
気抵抗値の変化等を低減させることができ、耐候性の良
好な電気光学装置とすることができる。さらにこの構成
によれば、電気光学装置の画像表示領域外に導通部形成
スペースを設定する必要がなくなり、電気光学装置の狭
額縁化を図ることも可能である。この構成によれば、前
記基板間導通部がシール材内部のスペーサの役目を果た
すので、従来、シール材の内部や電気光学材料内に混入
させていたスペーサを不要とすることができ、これによ
っても製造工程の簡略化が可能となる。
【００１９】本発明の電気光学装置の製造方法は、互い
に対向する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてな
る電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板の
うちの一方の基板に凸部を設ける工程と、この凸部に導
電層を形成して基板間導通部を形成する工程とを有する
ことを特徴とする。この方法によれば、所定位置に凸部
を形成した後に、この凸部の表面に形成条件によって電
気伝導率の変化しない導電層を確実に形成することとな
るので、所望の位置に常に一定の電気伝導率を有する基
板間導通部を正確な電気特性で形成することができる。
またこの方法によれば、導電ペーストを滴下および硬化
させる工程をなくすことができ、すべての製造工程を製
膜技術のみによって行うことができるようになり、製造
工程と製造機械との簡略化による製造コストの低減を図
ることもできる。
【００２０】本発明の電気光学装置の製造方法は、前記
基板の成形時に前記基板間導通部の凸部を一体成形する
ことを特徴とする。この方法によれば、前記基板導通部
の凸部を形成する工程を新たに設ける必要がない。
【００２１】本発明の電気光学装置の製造方法は、前記
基板間導通部の凸部をフォトリソグラフィーにより形成
することを特徴とする。この方法によれば凸部を基板上
に所望形状の凸部を所望膜厚で容易に形成することがで
きるばかりでなく、たとえば基板に他の素子等を形成す
る際の若干のプロセス変更で前記基板間導通部を容易に
形成することができる。
【００２２】本発明の電子機器は、上記本発明の電気光
学装置を備えたことを特徴とするものである。本発明に
よれば、上記本発明の電気光学装置を備えたことにより
表示品位の高い表示部を備えた電子機器を実現すること
ができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態の液晶装置の
構成］以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図
７を参照して説明する。図１は、本実施の形態の液晶装
置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素
子、配線等の等価回路である。図２はデータ線、走査
線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板における
隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、カラー
フィルターが形成された対向基板の平面図である。図４
は、図２および図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
図５は、ＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを説明するた
めの工程断面図である。図６は、液晶装置の全体構成を
示す平面図である。なお、以上の図面においては、各層
や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、各層や各部材ごとに平面寸法や膜厚等の縮尺を適宜
異ならせてある。
【００２４】［液晶装置要部の構成］図１に示すよう
に、本実施の形態の液晶装置において、画像表示領域を
構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素
電極１と当該画素電極１を制御するためのＴＦＴ２がマ
トリクス状に複数形成されており、画像信号を供給する
データ線３が当該ＴＦＴ２のソース領域に電気的に接続
されている。データ線３に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わない
し、相隣接する複数のデータ線３同士に対して、グルー
プ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ２のゲ
ート電極に走査線４が電気的に接続されており、所定の
タイミングで走査線４に対してパルス的に走査信号Ｇ
１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するよう
に構成されている。画素電極１は、ＴＦＴ２のドレイン
領域に電気的に接続されており、スイッチング素子であ
るＴＦＴ２を一定期間だけオンすることにより、データ
線３から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所
定のタイミングで書き込む。
【００２５】画素電極１を介して液晶に書き込まれた所
定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板
（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間
で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極１と対向電極との
間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量部５を付加す
る。符号６は、蓄積容量部５の上部電極をなす容量線で
ある。
【００２６】図２に示すように、液晶装置の一方の基板
をなすＴＦＴアレイ基板７上には、複数の画素電極１
（輪郭を破線で示す）がマトリクス状に配置されてお
り、画素電極１の紙面縦方向に延びる辺に沿ってデータ
線３（輪郭を２点鎖線で示す）が設けられ、紙面横方向
に延びる辺に沿って走査線４および容量線６（ともに輪
郭を実線で示す）が設けられている。前記液晶装置が透
過型液晶装置の場合は、前記画素電極１は、インジウム
錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記す
る）等の透明導電膜により形成される。また、前記液晶
装置が反射型液晶装置の場合は、前記画素電極１は、ア
ルミニウム（Ａｌ）等の金属薄膜により形成される。ま
た、前記液晶装置が半透過反射型液晶装置の場合は、前
記画素電極１は、例えば透明導電膜と金属薄膜との積層
膜により形成される。本実施の形態において、ポリシリ
コン膜からなる半導体層８（輪郭を１点鎖線で示す）
は、データ線３と走査線４の交差点の近傍でＵ字状に形
成され、そのＵ字状部８ａの一端が隣接するデータ線３
の方向（紙面右方向）および当該データ線３に沿う方向
（紙面上方向）に長く延びている。半導体層８のＵ字状
部８ａの両端にはコンタクトホール９，１０が形成され
ており、一方のコンタクトホール９はデータ線３と半導
体層８のソース領域とを電気的に接続するソースコンタ
クトホールとなり、他方のコンタクトホール１０はドレ
イン電極１１（輪郭を２点鎖線で示す）と半導体層８の
ドレイン領域とを電気的に接続するドレインコンタクト
ホールとなっている。ドレイン電極１１上のドレインコ
ンタクトホール１０が設けられた側と反対側の端部に
は、ドレイン電極１１と画素電極１とを電気的に接続す
るための画素コンタクトホール１２が形成されている。
【００２７】本実施の形態におけるＴＦＴ２は、半導体
層８のＵ字状部８ａが走査線４と交差しており、半導体
層８と走査線４が２回交差していることになるため、１
つの半導体層上に２つのゲートを有するＴＦＴ、いわゆ
るデュアルゲート型ＴＦＴを構成している。また、容量
線６は走査線４に沿って紙面横方向に並ぶ画素を貫くよ
うに延びるとともに、分岐した一部６ａがデータ線３に
沿って紙面縦方向に延びている。そこで、ともにデータ
線３に沿って長く延びる半導体層８と容量線６とによっ
て蓄積容量部５が形成されている。
【００２８】他方、図３に示すように、対向基板１５上
には、カラーフィルターをなすＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３原色にそれぞれ対応する色材層２２がＴＦＴ
アレイ基板７の各画素領域に対応して設けられ、これら
色材層２２の境界部分を格子状に遮光する第１遮光膜２
１（ブラックマトリクス）が設けられている。
【００２９】本実施の形態の液晶装置は、図４に示すよ
うに、一対の透明基板１３，１４を有しており、その一
方の基板をなすＴＦＴアレイ基板７と、これに対向配置
される他方の基板をなす対向基板１５とを備え、これら
基板７，１５間に液晶１６が挟持されている。透明基板
１３，１４は、例えばガラス基板や石英基板からなるも
のである。
【００３０】図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板７上
に下地絶縁膜１７が設けられ、下地絶縁膜１７上には例
えば膜厚３０〜１００ｎｍ程度のポリシリコン膜からな
る半導体層８が設けられ、この半導体層８を覆うように
膜厚３０〜１５０ｎｍ程度のゲート絶縁膜をなす絶縁薄
膜１８が全面に形成されている。下地絶縁膜１７上には
各画素電極１をスイッチング制御するＴＦＴ２が設けら
れ、ＴＦＴ２は、タンタルまたはＡｌ等の金属からなる
走査線４、当該走査線４からの電界によりチャネルが形
成される半導体層８のチャネル領域８ｃ、走査線４と半
導体層８とを絶縁するゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜１
８、アルミニウム等の金属からなるデータ線３（図４に
は図示されない）、半導体層８のソース領域８ｂおよび
ドレイン領域８ｄを備えている。
【００３１】また、走査線４上、絶縁薄膜１８上を含む
ＴＦＴアレイ基板７上には、ソース領域８ｂへ通じるソ
ースコンタクトホール９、ドレイン領域８ｄへ通じるド
レインコンタクトホール１０（図４にはともに図示され
ない）が各々形成された第１層間絶縁膜１９が形成され
ている。つまり、データ線３は、第１層間絶縁膜１９を
貫通するソースコンタクトホール９を介して半導体層８
のソース領域８ｂに電気的に接続されている。
【００３２】さらに、第１層間絶縁膜１９上にはデータ
線３と同一レイヤーの金属からなるドレイン電極１１が
形成され、ドレイン電極１１へ通じる画素コンタクトホ
ール１２（図４には図示されない）が形成された第２層
間絶縁膜２０が形成されている。つまり、画素電極１は
ドレイン電極１１を介して半導体層８のドレイン領域８
ｄと電気的に接続されている。
【００３３】図４におけるＴＦＴ２の側方には蓄積容量
部５が形成されている。この部分では、透明基板１３上
に下地絶縁膜１７が設けられ、下地絶縁膜１７上にはＴ
ＦＴ２の半導体層８と一体の不純物がドープされた半導
体層８が設けられ、この半導体層８を覆うように絶縁薄
膜１８が全面に形成されている。絶縁薄膜１８上に、走
査線４と同一レイヤーの金属からなる容量線６が形成さ
れ、容量線６を覆うように第１層間絶縁膜１９が全面に
形成されている。
【００３４】また、第２層間絶縁膜２０は平坦化膜とし
て用いられるものであり、例えば平坦性の高い樹脂膜の
一種であるアクリル膜が膜厚２μｍ程度に厚く形成され
ている。この第２層間絶縁膜２０表面には、画素電極１
が形成されており、さらにＴＦＴアレイ基板７の最上層
の液晶１６に接する面にはポリイミド等からなる配向膜
２５が設けられている。
【００３５】他方、対向基板１５側は、透明基板１４上
に例えばクロム等の金属膜、樹脂ブラックレジスト等か
らなる第１遮光膜２１が形成され、第１遮光膜２１上に
は色材層２２が形成されている。そして、基板全面に、
画素電極１と同様のＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向
電極２４、配向膜２６が順次形成されている。
【００３６】［液晶装置の製造プロセス］次に、上記構
成の液晶装置の製造プロセスについて図５を用いて説明
する。図５はＴＦＴアレイ基板７の製造プロセスを示す
工程断面図である。まず、図５の工程（１）に示すよう
に、ガラス基板等の透明基板１３上に下地絶縁膜１７を
形成し、その上にアモルファスのシリコン層を積層す
る。その後、アモルファスシリコン層に対して、例えば
レーザアニール処理等の加熱処理を施すことにより、ア
モルファスシリコン層を再結晶させ、例えば膜厚３０〜
１００ｎｍ程度の結晶性のポリシリコン層２３を形成す
る。
【００３７】次に、図５の工程（２）に示すように、形
成されたポリシリコン層２３を上述した半導体層８のパ
ターンとなるようにパターニングし、その上に例えば膜
厚３０〜１５０ｎｍ程度のゲート絶縁膜となる絶縁薄膜
１８を形成する。その後、表示領域のうち、ＴＦＴ２と
蓄積容量部５との接続部および蓄積容量部５の下部電極
となるべき領域以外の領域をポリイミド等のレジストで
マスクした後、例えばドナーとしてのＰＨ３／Ｈ２イオ
ンを絶縁薄膜を介してポリシリコン層にドーピングす
る。この時のイオン注入条件は、例えば31Ｐのイオンド
ーズ量が３×１０14〜５×１０14ions/cm2程度であり、
加速エネルギーは８０keV程度が必要である。
【００３８】次に上記のレジストを剥離した後、図５の
工程（３）に示すように、絶縁薄膜１８上に走査線４お
よび容量線６を形成する。この走査線４等の形成は、タ
ンタルまたはＡｌ等の金属をスパッタまたは真空蒸着し
た後、当該走査線４等のレジストパターンを形成し、レ
ジストパターンをマスクとしたエッチングを行い、レジ
ストパターンを剥離することにより行う。そして、当該
走査線４および容量線６の形成後、蓄積容量部５を覆う
レジストパターンを形成した後、ＰＨ３／Ｈ２イオンを
注入する。この時のイオン注入条件は、例えば31Ｐのイ
オンドーズ量が５×１０14〜７×１０14ions/cm2程度で
あり、加速エネルギーは８０keV程度である。以上の工
程（３）により、ＴＦＴ２のソース領域８ｂおよびドレ
イン領域８ｄが形成される。
【００３９】次にレジストパターンを剥離した後、図５
の工程（４）に示すように、第１層間絶縁膜１９を積層
し、その後、ソースコンタクトホール９およびドレイン
コンタクトホール１０（図５にはともに図示せず）とな
る位置を開口し、その後、アルミニウム等の金属をスパ
ッタまたは蒸着し、データ線３およびドレイン電極１１
の形状をなすレジストパターンを形成し、これをマスク
としてエッチングすることにより、データ線３（図示せ
ず）およびドレイン電極１１を形成する。その後、第２
層間絶縁膜２０を積層し、画素コンタクトホール１２と
なる位置を開口する。
【００４０】その後、図５の工程（５）に示すように、
その上に膜厚約５０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ等の透明
導電性薄膜を成膜した後、これをパターニングして画素
電極１を形成し、最後に全面に配向膜２５を形成する。
以上の工程により、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板７
が完成する。以上の説明は、透過型液晶装置の場合の工
程に沿って説明したが、反射型液晶装置の場合は、前記
画素電極１は、アルミニウム（Ａｌ）等の金属薄膜によ
り形成され、半透過反射型液晶装置の場合は、前記画素
電極１は、例えば透明導電膜と金属薄膜との積層膜によ
り形成される。
【００４１】他方、図４に示した対向基板１５について
は工程図の例示を省略するが、ガラス基板等の透明基板
１４が先ず用意され、第１遮光膜２１および後述する額
縁としての第２遮光膜２９（図６参照）を、例えば金属
クロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィー
工程、エッチング工程を経て形成する。なお、これら遮
光膜２１，２９は、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケ
ル）、Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料の他、カー
ボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックな
どの材料から形成してもよい。
【００４２】次に、カラーフィルターとなる色材層２２
を染色法、顔料分散法、印刷法などの周知の方法を用い
て形成した後、対向基板１５の全面にスパッタリング等
により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を約５０〜２００ｎ
ｍの厚さに堆積することにより対向電極２４を形成す
る。
【００４３】さらに、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等
の有機樹脂材料をスピンコータ等を用いて膜厚３μｍ程
度に厚く塗布した後、これをパターニングすることによ
り凸部５０を形成する。ついで凸部５０表面に導電層５
１（後述する図６および図７参照）を被覆して基板間導
通部３４とした後、対向電極２４の全面に配向膜２６を
形成する。このような凸部５０は対向基板１５上へのア
クリル樹脂等の有機材料の塗布により形成されているの
で、通常の製造プロセスを若干変更するのみで充分に形
成可能である。なお凸部５０は透明基板１４の成形時に
一体成形されてもよく、これにより製造工程の簡略化を
図ることができる。また、凸部５０をシリコン酸化膜や
シリコン窒化膜等の無機材料から構成する場合には、半
導体製造工程に一般に用いられる製膜技術等を利用する
ことにより、容易かつ正確に所望膜厚のものを所望形状
で製造可能である。さらに、必要に応じてこの凸部５０
は複数の膜材料を積層して構成してもよい。
【００４４】基板間導通部３４はＴＦＴアレイ基板７と
対向基板１５との間の電気的導通を保持するものであっ
て、ＴＦＴアレイ基板７に設けられたコモン電極６０
（図６および図７参照）に接触せしめることにより対向
電極２４とコモン電極６０とを電気的に接続するもので
ある。コモン電極６０は入力信号に応じて対向電極２４
に対して遅延なく、かつ対向基板１５のいかなる部分に
おいても均一となるように電圧を印加できるように、Ｔ
ＦＴアレイ基板７上に少なくとも１箇所以上設けられた
ものであって、各コモン電極６０間はコモン配線６１に
よって接続されている。基板間導通部３４の導通部５１
の構成材料は導電性を有するものであれば特に限定され
るものではなく、銀、銅、ニッケル、アルミニウム等の
金属のほか、ＩＴＯ等の透明導電性膜から構成されてい
てもよい。このような導電層５１は真空蒸着法等の各種
製膜技術によって凸部５０表面に容易に形成することが
できる。なお、その際には、導電層５１を形成する凸部
５０以外の基板表面部分には感光性樹脂材料等を塗布す
るなどしてマスキングし、導電層５１の形成後にマスク
材を除去すればよい。
【００４５】凸部５０の高さａと、導電層５１の膜厚ｂ
と、コモン電極６０の厚さｃとの合計ａ＋ｂ＋ｃ、換言
すれば基板間導通部３４の基板からの高さとコモン電極
６０の厚さの合計値を液晶装置の基板間距離等しく設定
することにより、この基板間導通部３４はセルギャップ
を一定に保持する機能を有することとなり、スペーサと
して利用可能となる。たとえばセルギャップが３．２μ
ｍ、コモン電極の厚さが０．２μｍ、凸部の高さが３μ
ｍである場合には、導電層の膜厚を０．２μｍとすれば
よい。また基板間導通部３４の配設個数は特に限定され
るものではないが、より均一で迅速な応答を考慮すれば
画像表示部のそれぞれのコーナー部分にそれぞれ１個以
上配設されることが好ましい。
【００４６】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板７と対向基板１５とを対向させて配置
し、シール材により貼り合わせ、空パネルを作製する。
次いで、液晶１６を空パネル内に封入すれば、本実施の
形態の液晶装置が作製される。
【００４７】［液晶装置の全体構成］次に、液晶装置４
０の全体構成について図６を用いて説明する。図６にお
いて、ＴＦＴアレイ基板７の上には、シール材２８がそ
の縁に沿って設けられており、その内側に並行して額縁
としての第２遮光膜２９が設けられている。シール材２
８の外側の領域には、データ線駆動回路３０および外部
回路接続端子３１がＴＦＴアレイ基板７の一辺に沿って
設けられており、走査線駆動回路３２がこの一辺に隣接
する２辺に沿って設けられている。走査線４に供給され
る走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動
回路３２は片側だけでも良いことは言うまでもない。ま
た、データ線駆動回路３０を画像表示領域の辺に沿って
両側に配列してもよい。例えば、奇数列のデータ線３は
画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆
動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線３は前
記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ
線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。
このようにデータ線３を櫛歯状に駆動するようにすれ
ば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができ
るため、複雑な回路を構成することが可能となる。さら
に、ＴＦＴアレイ基板７の残る一辺には、画像表示領域
の両側に設けられた走査線駆動回路３２間をつなぐため
の複数の配線３３が設けられている。そして、シール材
２８とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板１５が当該シール材
２８によりＴＦＴアレイ基板７に固着されている。
【００４８】また、ＴＦＴアレイ基板７のコーナー部の
少なくとも１箇所には、対向基板１５の対向電極２４へ
の電圧の印加を可能とするためのコモン電極６０が設け
られている。液晶１６を介し、このコモン電極６０が形
成された箇所と対峙する対向基板１５上には各基板間で
の電気的導通をとるための基板間導通部３４が形成され
ており、各コモン電極６０と接続されている。各コモン
電極６０間は図６中、破線および実線で示されたコモン
配線６１によって互いに接続されるとともに、コモン端
子６２に接続されており、コモン端子６２からの入力に
従って対向電極２４への遅延のない均一な電圧の印加を
可能としている。なお、対向電極２４への遅延および均
一な電圧印加が可能である限りにおいては、コモン電極
６０の配設個数を増減可能であるのはいうまでもない。
【００４９】図６に示した液晶装置の１点鎖線Ｂ−Ｂ’
で切ったときの断面の概略を図７に示し、基板間導通部
３４についてさらに詳細に説明する。図７はＴＦＴアレ
イ基板７と対向基板１５との接続状態を概略的に示した
ものであって、前記図１ないし図６において詳細に説明
したＴＦＴ等のスイッチング素子および配向膜等の基板
間の接続に直接関係しない構成については略記してあ
る。図７においてＴＦＴアレイ基板７と対向基板１５と
は、液晶１６を封止するシール材２８で固着されてお
り、基板間導通部３４で電気的導通が保持されている。
基板間導通部３４はＴＦＴアレイ基板７上に設けられた
コモン電極６０と接触せしめるように対向基板１５上に
設けられており、凸部５０の高さａと導電層５１の膜厚
ｂとコモン電極６０の膜厚ｃとの合計値が液晶装置のセ
ルギャップとなっている。すなわち基板間導通部３４が
スペーサとしての機能を有することとなる。このような
構成の基板間導通部３４によれば、従来の導電ペースト
からなる導通部に比較して、その形成領域のスペースを
より小さくすることができ、狭額縁化が可能となる。ま
た導電層５１は均一な膜材料からなるものであるので、
どの部分においてもその導電率は変化しないものである
ので、基板間の電気的導通を所定の抵抗値で保持するこ
とができる。また導電率が一定した基板間導通部を複数
個配設することによって、対向基板１５への遅延のない
均一な電圧印加が可能となり、より鮮明な画像の表示が
可能となる。
【００５０】［第２の実施の形態の液晶装置の構成］以
下、本発明の第２の実施の形態を図８および図９を参照
して説明する。図９は、図８に示した液晶装置の１点鎖
線Ｃ−Ｃ‘で切ったときの断面図である。本実施の形態
の液晶装置が第１の実施の形態と異なる点は、基板間導
通部３４を液晶１６を基板間に封止するシール材２８の
内部に収容したところである。このような構成にするこ
とにより、基板間導通部３４とコモン電極６０との圧着
度を向上させ、その機械的強度を増すのみならず圧着状
態の変化による基板間導通部３４の抵抗値の変化を低減
することができる。これによって基板間でより一層と信
頼性の高い電気的導通を保持することができる。また、
この構成によれば導電層５１が直接外気に曝されること
がなくなり、酸化等による導電層５１の抵抗値の上昇等
を防止することができ、より耐候性の良好な液晶装置と
することができる。さらに、この構成によれば基板間導
通部３４はシール材２８の配設スペース内に収容される
こととなり、さらなる狭額縁化を図ることも可能であ
る。特に基板間導通部３４をセルギャップを保持するた
めのスペーサとして機能させる場合にこの効果が顕著と
なる。
【００５１】［電子機器］以下、本発明の液晶装置を備
えた電子機器の具体例について説明する。図１０は、携
帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、
符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上
記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。図１１
は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図
１１において、符号１１００は時計本体を示し、符号１
１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示してい
る。図１２は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処
理装置の一例を示した斜視図である。図１２において、
符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボー
ドなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符
号１２０６は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示し
ている。図１０から図１２に示す電子機器は、上記の液
晶装置を用いた液晶表示部を備えたものであるので、表
示品位の高い電子機器を実現することができる。
【００５２】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記第１および第２の実施の形態では凸部５０を膜
厚の厚い１層の膜のみで構成したが、２層以上の積層膜
で構成してもよい。また、上記実施の形態では凸部５０
をアクリル膜、ポリイミド膜等の有機材料膜で形成する
例を示したが、これらの材料に代えてシリコン酸化膜、
シリコン窒化膜等の無機材料膜を用いてもよい。さら
に、凸部５０の形状や形成位置に関しても、上記実施の
形態で例示したものの他に、適宜設計変更が可能であ
る。上記実施の形態ではＴＦＴをスイッチング素子とし
たアクティブマトリクス方式の液晶装置を例示したが、
その他、薄膜ダイオード（ＴＦＤ）をスイッチング素子
としたアクティブマトリクス方式の液晶装置、あるいは
パッシブマトリクス方式の液晶装置に適用することも可
能である。さらにエレクトロルミネッセンス、プラズマ
ディスプレイ等、他の電気光学装置に本発明を適用する
ことも可能である。
【００５３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、一方の基板に設けられた凸部を導電層で被覆し
て基板間導通部としたので、基板間で安定した電気的導
通を保持することができるばかりでなく、基板間導通部
が電気光学装置内で占めるスペースを小さくすることが
できるので、狭額縁化が可能となる。また、凸部の高さ
と導電層の膜厚とを予め所定の大きさに設定しておけ
ば、セルギャップの制御をも同時に行うことができ、ス
ペーサとして機能させることもでき、さらなる狭額縁化
が可能となる。さらに本発明の基板間導通部を液晶を封
止するシール材内部に収容すれば、より一層の狭額縁化
が可能なうえに、基板間導通部の機械的強度が向上する
ばかりでなく、導電層が外気に曝されることなくなり、
より一層安定した電気的導通を基板間で保持することが
でき、耐候性の良好な電気光学装置とすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態の液晶装置の画像
表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路である。
【図２】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板における隣
接する複数の画素群の平面図である。
【図３】 同、液晶装置の対向基板の平面図である。
【図４】 図２および図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図で
ある。
【図５】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造プロ
セスを説明するための工程断面図である。
【図６】 同、液晶装置の全体構成を示す平面図であ
る。
【図７】 図６のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図８】 本発明の第２の実施の形態の液晶装置の全体
構成を示す平面図である。
【図９】 図８のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
【図１０】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の一例
を示す斜視図である。
【図１１】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の他の
例を示す斜視図である。
【図１２】 本発明の液晶装置を用いた電子機器のさら
に他の例を示す斜視図である。
【図１３】 従来の液晶表示装置の一例を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
７ ＴＦＴアレイ基板 １３ 透明基板 １４ 透明基板 １５ 対向基板 １６ 液晶 ２４ 対向電極 ２８ シール材 ３４ 基板間導通部 ５０ 凸部 ５１ 導電層 ６０ コモン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ 9/35 9/35 Ｆターム(参考） 2H089 LA06 LA09 LA11 LA13 LA16 LA19 LA20 LA48 MA04X NA14 NA17 NA24 NA32 NA40 PA04 QA03 QA05 QA11 QA12 QA13 QA14 2H092 GA05 GA37 GA38 GA39 JA25 JA33 JA39 JA46 KA04 MA07 MA12 MA30 MA35 MA37 5C094 AA15 AA31 AA36 AA43 AA47 AA48 BA03 BA43 CA19 DA07 DA09 DA12 DA13 DB01 DB05 EA02 EA04 EA07 EC01 EC02 FA01 FA02 FB12 FB15 GB01 5G435 AA07 AA14 AA17 BB12 CC09 EE37 HH12 HH14 HH18 KK05

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板間に電気光学
    材料が挟持されてなる電気光学装置であって、 前記一対の基板を構成する各基板の内面に導電部が設け
    られるとともに、導電層で被覆された凸部からなる基板
    間導通部が前記一対の基板のうちの一方に設けられ、前
    記各基板の導電部同士が前記基板間導通部を介して電気
    的に接続されたことを特徴とする電気光学装置。
  2. 【請求項２】 互いに対向する一対の基板間に電気光学
    材料が挟持されてなる電気光学装置であって、 前記一対の基板を構成する各基板の内面に導電部が設け
    られるとともに、前記一対の基板間を所定の間隔に保持
    する凸部が前記一対の基板のうちの一方の基板に設けら
    れ、前記各基板の導電部同士が前記凸部に導電層を被覆
    してなる基板間導通部を介して電気的に接続されたこと
    を特徴とする電気光学装置。
  3. 【請求項３】 前記基板間導通部の凸部が前記一方の基
    板を構成する１層または複数層の膜材料からなることを
    特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装
    置。
  4. 【請求項４】 前記基板間導通部の凸部が樹脂材料から
    なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
    電気光学装置。
  5. 【請求項５】 前記基板間導通部の導電層が金属膜から
    なることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれ
    か一項に記載の電気光学装置。
  6. 【請求項６】 前記基板間導通部の導電層が透明導電性
    膜からなることを特徴とする請求項１ないし請求項４の
    いずれか一項に記載の電気光学装置。
  7. 【請求項７】 前記電気光学材料が液晶であることを特
    徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載
    の電気光学装置。
  8. 【請求項８】 前記基板間導通部が各基板における画像
    表示領域外の周辺部に設けられたことを特徴とする請求
    項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装
    置。
  9. 【請求項９】 前記基板間導通部が前記電気光学材料を
    封止するシール部の内部に設けられたことを特徴とする
    請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の電気光
    学装置。
  10. 【請求項１０】 互いに対向する一対の基板間に電気光
    学材料が挟持されてなる電気光学装置の製造方法であっ
    て、 前記一対の基板のうちの一方の基板に凸部を設ける工程
    と、 この凸部に導電層を形成して基板間導通部を形成する工
    程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方
    法。
  11. 【請求項１１】 前記基板の成形時に前記基板間導通部
    の凸部を一体成形することを特徴とする請求項１０に記
    載の電気光学装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記基板間導通部の凸部をフォトリソ
    グラフィーにより形成することを特徴とする請求項１０
    に記載の電気光学装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１ないし請求項９のいずれか一
    項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子
    機器。
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CNU032401051U CN2672685Y (zh) 2002-03-08 2003-03-03 电光装置及电子设备
TW092104828A TW594162B (en) 2002-03-08 2003-03-06 Electro-optic device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
KR10-2003-0014210A KR100530644B1 (ko) 2002-03-08 2003-03-07 전기 광학 장치와 그 제조 방법 및 전자 기기

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005107294A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JP2006030606A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示パネル
JP2006184879A (ja) * 2004-12-02 2006-07-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2007293273A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Citizen Holdings Co Ltd 液晶光変調装置およびその製造方法
US7649202B2 (en) 2004-06-25 2010-01-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Transistor, method of fabricating the same, and light emitting display comprising the same
US9166190B2 (en) 2004-12-02 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100620138B1 (ko) * 2003-04-08 2006-09-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 브이브이에이 모드 액정표시장치
KR101001963B1 (ko) * 2003-05-15 2010-12-17 삼성전자주식회사 액정표시장치
KR101146536B1 (ko) * 2005-06-27 2012-05-25 삼성전자주식회사 표시패널, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
CN102253519A (zh) * 2011-06-10 2011-11-23 友达光电（苏州）有限公司 液晶面板及其制作方法
CN104885576B (zh) * 2012-12-31 2017-12-05 阿莫绿色技术有限公司 柔性印刷电路基板及其制造方法
US20150022759A1 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Apple Inc. Display with Radioluminescent Backlight Unit
CN104122696A (zh) * 2013-08-21 2014-10-29 深超光电（深圳）有限公司 触控式液晶显示装置
CN104360545B (zh) * 2014-12-03 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置
TWI577000B (zh) 2015-01-21 2017-04-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
CN105739188A (zh) * 2016-04-14 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制作方法、显示面板、封框胶涂覆方法及装置
US11067857B2 (en) * 2016-09-05 2021-07-20 Sakai Display Products Corporation Display panel, display device, and method for manufacturing display panel
CN106125419A (zh) * 2016-09-14 2016-11-16 豪威半导体（上海）有限责任公司 Lcos显示器及其制造方法
TWI676066B (zh) * 2018-01-05 2019-11-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI754173B (zh) * 2018-01-05 2022-02-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示裝置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58182685A (ja) * 1982-04-20 1983-10-25 セイコーエプソン株式会社 表示体パネル
US4640583A (en) * 1983-07-22 1987-02-03 Kabushiki Kaisha Seiko Epson Display panel having an inner and an outer seal and process for the production thereof
US5081520A (en) * 1989-05-16 1992-01-14 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern
US6101846A (en) * 1997-02-06 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Differential pressure process for fabricating a flat-panel display face plate with integral spacer support structures
US5946057A (en) * 1997-05-28 1999-08-31 Nec Corporation Liquid crystal display having electrostatic discharge damage prevention
TW561292B (en) * 1998-04-01 2003-11-11 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, method for manufacturing the liquid crystal device, and electronic apparatus
CN101738790A (zh) * 1999-01-28 2010-06-16 精工爱普生株式会社 电光转换面板、投射型显示装置及电光转换面板的制造方法
JP2001100217A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nec Corp カラー液晶表示装置およびその製造方法
KR100455681B1 (ko) * 2000-03-23 2004-11-06 가부시끼가이샤 도시바 평면 표시 장치의 스페이서 어셈블리, 스페이서 어셈블리의 제조 방법, 평면 표시 장치의 제조 방법, 평면 표시 장치, 스페이서 어셈블리의 제조에 이용되는 금형
JP2001305561A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Hitachi Ltd 液晶表示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005107294A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Casio Comput Co Ltd 表示装置
US7649202B2 (en) 2004-06-25 2010-01-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Transistor, method of fabricating the same, and light emitting display comprising the same
JP2006030606A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示パネル
JP4626203B2 (ja) * 2004-07-16 2011-02-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル
JP2006184879A (ja) * 2004-12-02 2006-07-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9166190B2 (en) 2004-12-02 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2007293273A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Citizen Holdings Co Ltd 液晶光変調装置およびその製造方法

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Publication number Publication date
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