JP2007279101A - 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 - Google Patents

液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 Download PDF

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JP2007279101A JP2006101633A JP2006101633A JP2007279101A JP 2007279101 A JP2007279101 A JP 2007279101A JP 2006101633 A JP2006101633 A JP 2006101633A JP 2006101633 A JP2006101633 A JP 2006101633A JP 2007279101 A JP2007279101 A JP 2007279101A
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Kimitaka Kamijo
公高 上條
Shinji Kato
真二 加藤
Hiroshi Ohira
啓史 大平
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Abstract

【課題】着色層を平坦に形成することが可能な液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機
器を提供すること。
【解決手段】画素を構成する複数のサブ画素に対応して形成された複数の着色層を有する
カラーフィルタを備えた液晶装置の製造方法であって、複数の着色層16B,16EG,
16R,16YGのうち少なくとも一つの着色層の膜厚が異なり、複数の着色層のうち膜
厚が薄い順に、複数の着色層を形成する工程を備えたことを特徴とする。
【選択図】図4

Description

本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器に関する。
一般に、携帯電話等の表示部として搭載される液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置
され、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板から構成されている。こ
のような液晶装置では、一対の基板の一方の基板上にカラーフィルタが形成されている。
このカラーフィルタは、例えば、透明ガラスから成る基材上にR(赤)、G(緑)、B(
青)の3色の着色要素が、所定の配列となるように形成されている。
また、液晶装置に用いられるカラーフィルタの製造方法としては、例えば、スピンコー
ト法を用いたものが提案されている(例えば、特許文献1参照。)この特許文献1に記載
のカラーフィルタ製造方法は、基板上に各画素領域の外枠を囲むブラックマトリックスを
形成した後、ブラックマトリックス間に、透過領域及び反射領域の着色画素の膜厚を制御
し、濃度の異なる着色画素領域を形成し易くするための透明パターン層を設ける。その後
、スピンナーにより赤色感光性レジストを全面に塗布する。そして、露光、現像等のパタ
ーニングを行って、ガラスの所定位置に赤色着色画素を形成する。次に、緑色感光性レジ
スト,青色感光性レジストを順に塗布し、緑色着色画素,青色着色画素を形成する。
特開2003−295180号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の液晶装置のカラーフィルタの製造方法では、各
着色感光性レジストを塗布する順番を考慮していないため、2色目以降の塗布を行う際、
前のカラーフィルタパターンに起因する塗布不良が発生する。すなわち、基板の中央に滴
下した各着色感光性レジストが、スピンナーの回転に伴い、基板の中央から外方に向かっ
て放射状のスジ状のムラとなる場合が生じる。これにより、液晶装置の表示特性の低下を
もたらすことになる。
また、スピンコート法を用いる場合の他、例えば、ラミネート法を用いて、各着色層の
順番を考慮せずにカラーフィルタを作製する際にも、カラーフィルタを構成する材料の基
板への密着性が低下するという問題が発生する。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、着色層を平坦に形成す
ることが可能な液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の液晶装置の製造方法は、画素を構成する複数のサブ画素に対応して形成された
複数の着色層を有するカラーフィルタを備えた液晶装置の製造方法であって、前記複数の
着色層のうち少なくとも一つの着色層の膜厚が異なり、前記複数の着色層のうち膜厚が薄
い順に、前記複数の着色層を形成する工程を備えたことを特徴とする。
本発明に係る液晶装置の製造方法では、本発明に係る液晶装置の製造方法では、まず、
複数の着色層のうち膜厚が薄い着色層を形成した後、この膜厚より膜厚の厚い着色層を形
成する。ここで、複数の着色層のうち膜厚の厚い着色層を先に形成すると、膜厚が厚いも
のの間に、膜厚の薄い着色層を形成することになる。この方法の場合、薄い着色層は、隣
接する着色層により段差の大きい凹部が形成されるため、平坦膜にならず、中央部分が薄
くなってしまう。しかしながら、本発明の製造方法では、薄い着色層が、従来に比べ深さ
の浅い凹部を形成することになり、その凹部に膜厚の厚い着色層が形成されるため、着色
層を平坦に形成することが可能となる。
なお、複数の着色層のうち膜厚が同じ着色層は、形成する順番を問わない。
また、本発明の液晶装置の製造方法は、スピンコート法により、前記基板上に前記複数
の着色層を構成する着色材を塗布することが好ましい。
本発明に係る液晶装置の製造方法では、スピンコート法により基板上の略全面に一括し
て着色層を構成する着色材を塗布することができる。これにより、複数の画素に対して、
容易かつ迅速に着色材を塗布することが可能になる。
また、複数の着色層のうち膜厚の薄い着色層を形成した後、この膜厚より膜厚の厚い着
色層を形成するため、膜厚の厚い着色層を先に形成した場合に比べ、次に形成する着色層
の凹部の隣接した着色層により形成される段差となる部分が小さくなる。これにより、基
板上に精度良く着色材を塗布することができる。
また、本発明の液晶装置の製造方法は、ラミネート法より、前記基板上に前記複数の着
色層を形成することが好ましい。
本発明に係る液晶装置の製造方法では、複数の着色層をフィルム状に形成することで、
ラミネート法により、基板上に着色層を均一な膜厚で形成することができる。また、複数
の着色層のうち膜厚が薄い着色層を形成した後、この膜厚より膜厚の厚い着色層を形成す
るため、膜厚の厚い着色層を先に形成した場合に比べ、着色層間の凹部の深さが浅くなる
。これにより、基板上に形成される着色層の密着性を良好にすることが可能となる。
本発明の液晶装置は、上記の液晶装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係る液晶装置では、複数の着色層が、複数の着色層のうち膜厚が薄い順に形成
されているため、基板上に着色層を平坦に形成することが可能となる。
また、本発明の液晶装置は、前記サブ画素内に、反射表示領域と、透過表示領域とを備
え、前記反射表示領域に形成された着色層の膜厚と前記透過表示領域に形成された着色層
の膜厚とが異なることが好ましい。
まず、半透過反射型の液晶装置では、透過表示領域は、光源から射出された光が、着色
層を1回透過し、反射表示領域は、光源から射出された光が、着色層を2回透過する。こ
れにより、透過表示領域及び反射表示領域の層の膜厚を同じに形成すると、2回透過する
反射表示領域から射出される光の色純度が悪くなってしまう。そこで、反射表示領域の着
色層の膜厚を透過表示領域の着色層の膜厚に比べて薄くすることにより、反射表示領域か
ら射出される光と透過表示領域から射出される光との色純度や明るさを同一にすることが
できる。これにより、本発明に係る液晶装置では、膜厚が異なる着色層を形成する際、着
色層のうち薄い着色層から順に形成することにより、性能の優れたカラーフィルタを得る
ことが可能となる。
このような、反射型と透過型とを兼ね備えた表示方式を採用することにより、周囲の明
るさに応じて反射モード、透過モードのいずれかの表示方式に切り替えることで消費電力
を低減しつつ周囲が暗い場合でも明瞭な表示を行うことができ、例えば、携帯機器の表示
部に好適なものにすることが可能である。
本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成により、液晶装置が、良好な状態のカラーフィルタを有しているため、より鮮
明な画像表示を行うことが可能な電子機器を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明に係る液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器の実
施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとす
るために、各部材の縮尺を適宜変更している。
まず、本発明の液晶装置の製造方法の説明に先立ち、本発明に係る液晶装置の構造につ
いて説明する。
[液晶装置の全体構成]
図1は、本第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面構成図であり、図2は、図1
のH−H’線に沿う断面構成図であり、図3は、液晶装置の回路構成を示す図であり、図
4は、図1の液晶装置の製造方法を示す工程図である。
図1及び図2に示すように、本実施形態の液晶装置1は、一対の基板,TFTアレイ基
板4と、カラーフィルタ基板5とからなる液晶パネル10が平面視略矩形枠状のシール材
7を介して貼り合わされ、このシール材7に囲まれた領域内に、正の誘電率異方性を有す
るTN(Twisted Nematic)型の液晶層8が封入された構成になっている。
シール材7内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り9が形成され、この周辺見切り
の内側の領域が表示領域100となっている。また、液晶装置1は、図2に示すように、
液晶パネル10にバックライトとして光を照射させる光源ユニット30を備えている。
表示領域100内には、画素領域(画素)Aがマトリクス状に設けられている。この画
素領域Aは、図2に示すように、表示領域100の最小単位となる4つのサブ画素Bから
構成されている。
また、シール材7の外側の領域には、データ線駆動回路101及び外部回路実装端子1
02がTFTアレイ基板4の1辺(図示下辺)に沿って形成されており、この1辺に隣接
する2辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路104が形成されて周辺回路を構成している。
TFTアレイ基板4の残る1辺(図示上辺)には、表示領域100の両側の走査線駆動
回路104間を接続する複数の配線105が設けられている。また、カラーフィルタ基板
5の各角部においては、TFTアレイ基板4とカラーフィルタ基板5との間の電気的導通
をとるための基板間導通材106が配設されている。本実施形態の液晶装置1は、透過型
の液晶装置として構成され、TFTアレイ基板4側に配置された光源(図示略)からの光
を変調し、カラーフィルタ基板5側から表示光として射出するようになっている。
図3は、上記の液晶装置の等価回路図である。
同図に示すように、液晶装置の表示領域100には、複数の画素領域Aがマトリクス状
に配置されており、これら画素領域Aのサブ画素Bには、それぞれ画素電極11が配置さ
れている。また、その画素電極11の側方にはTFT素子12が形成されている。TFT
素子12は、該画素電極11への通電制御を行うスイッチング素子である。このTFT素
子12のソース側にはデータ線6aが接続されている。各データ線6aには、例えばデー
タ線駆動素子から画像信号S1、S2、…、Snが供給されるようになっている。
また、TFT素子12のゲート側には走査線3aが接続されている。走査線3aには、
例えば走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号G1、G2、…、Gm
が供給されるようになっている。また、TFT素子12のドレイン側には画素電極11が
接続されている。
走査線3aから供給された走査信号G1、G2、…、Gmにより、スイッチング素子で
あるTFT素子12が一定期間だけオンにされると、データ線6aから供給された画像信
号S1、S2、…、Snが、画素電極11を介して画素領域Aのサブ画素Bに所定のタイ
ミングで書き込まれるようになっている。
画素領域Aのサブ画素Bに書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは
、画素電極11と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。
なお、保持された画像信号S1、S2、…、Snがリークするのを防止するため、画素電
極11と容量線3bとの間に蓄積容量14が形成され、液晶容量と並列に配置されている
。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の
配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が生成さ
れるようになっている。
次に、液晶パネル10の詳細について説明する。
TFTアレイ基板4の液晶層8側の面には、図2に示すように、マトリクス状に複数の
走査線(図示略)と複数のデータ線(図示略)とが形成され、これら走査線とデータ線と
に囲まれた画素領域Aのサブ画素B毎に画素電極11が設けられている。この走査線とデ
ータ線とが交差する位置にTFT素子12が設けられ、TFT素子12を介して各画素電
極11がデータ線に接続されている。これにより、走査線とデータ線に対して信号を印加
すると、TFT素子12がオン・オフして画素電極11への信号の書き込みが行われるよ
うになっている。これらのTFT素子12及び画素電極11等上の全面にはラビング処理
が施された水平配向の配向膜13が形成されている。
カラーフィルタ基板5の液晶層8側の面には、図2に示すように、カラーフィルタ16
と、オーバーコート層17,共通電極18,水平配向の配向膜19とがこの順に積層され
て形成されている。
また、カラーフィルタ16は、遮光部16aと赤色,黄緑色(イエロッシュグリーン)
,エメラルドグリーン色,青色の各着色部(着色層)16R,16YG,16EG,16
Bとを備え、遮光部16aは各着色部16R,16YG,16EG,16Bを区画するよ
うにしてマトリクス状に形成されている。
また、赤色の波長帯域は600nm以上であり、黄緑色の波長帯域は520nm〜57
0nmであり,エメラルドグリーン色の波長帯域は490nm〜520nmであり,青色
の波長帯域は400nm〜490nmである。
さらに、赤色の着色部16Rの膜厚は2.2μm、黄緑色の着色部16YGの膜厚は2
.3μm、エメラルドグリーン色の着色部16EGの膜厚は2.3μm、青色の着色部1
6Bの膜厚は2.0μmとなっている。さらに、カラーフィルタ16は、着色部16B,
着色部16R,着色部16EG,着色部16YGの順に形成されている。
また、遮光部16aは、例えば、黒色感光性樹脂膜からなっている。なお、配向膜13
,19は、液晶層8の液晶分子が初期配向状態において水平配向となるように、ラビング
処理が施されている。
また、画素電極11及び共通電極18は、ITOなどの透光性導電材料によって形成さ
れており、配向膜13,19は、ポリイミド等によって形成されている。さらに、TFT
アレイ基板4及びカラーフィルタ基板5は、例えば、ガラスなどの透明材料からなる光透
過性基板である。
[液晶装置の製造方法]
次に、液晶装置の製造方法について説明する。なお、TFTアレイ基板4の製造方法に
ついては周知の方法により製造しているため説明を省略し、カラーフィルタ基板5の製造
方法についてのみ説明する。また、本実施形態では、カラーフィルタをスピンコート法に
より製造する場合について説明する。
まず、ガラス基板51上に、黒色感光性樹脂膜を、スピンコート等の方法で所定の厚さ
に塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングして、遮光部16aを形成す
る。
次に、着色部16R,16YG,16EG,16Bのうち膜厚が最も薄い(膜厚2.0
μm)青色の着色部16Bの形成を行う。
スピンナー(図示略)により、図4(a)に示すように、遮光部16aを含む基板51
上全面を覆うように青色のレジストを塗布して、青色レジスト層52Bを形成する。そし
て、この青色レジスト層52B上に、所定の形状のフォトマスク53を設置した状態で、
例えば、紫外光Rをフォトマスク53から基板51に向けて照射する。その後、現像を行
い、図4(b)に示すように、基板51上に青色の着色部16Bが形成される。
このとき、着色部16Bにより、基板51上に凹部55が形成される。
次に、2番目に膜厚の薄い(膜厚2.2μm)赤色の着色部16Rの形成を行う。この
着色部16Rは、青色の着色部16Bと同様にスピンナーにより、赤色のレジストを塗布
した後、露光,現像を行い、図4(c)に示すように、基板51上に赤色の着色部16R
が形成される。このとき、着色部16B,16Rにより、基板51上には凹部56が形成
される。
次に、着色部16R,16YG,16EG,16Bのうち最も膜厚の厚い(膜厚2.3
μm)着色部16EG,16YGの形成を行う。まず、着色部16EGの形成を行う。こ
の着色部16EGも、青色の着色部16Bと同様にスピンナーにより、エメラルドグリー
ン色のレジストを塗布した後、露光,現像を行い、基板51上にエメラルドグリーン色の
着色部16EGが凹部56に形成される。
次に、着色部16YGの形成を行う。この着色部16YGも、青色の着色部16Bと同
様にスピンナーにより、黄緑色のレジストを塗布した後、露光,現像を行い、図4(d)
に示すように、基板51上に黄緑色の着色部16Rが凹部56に形成される。なお、エメ
ラルドグリーン色の着色部16EGと黄緑色の着色部16YGとの膜厚は、同じであるた
め、形成する順番はどちらが先であっても良い。
次に、カラーフィルタ16が、形成された後、カラーフィルタ16上の全面を覆うよう
に、光透過性を有する樹脂からなるオーバーコート層17をスピンコート法等により形成
する。そして、オーバーコート層17上に、例えばスパッタ法等の物理気相成長法により
透明なITOを共通電極18として成膜する。さらに、この共通電極18上に、例えば、
ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによって配向膜19を形成する。この配向膜
19に、配向処理、例えばラビング処理を施す。このようにして、カラーフィルタ基板5
が形成される。
本実施形態に係る液晶装置1の製造方法では、膜厚が薄い順(着色部16B,16R,
16EG,16YGの順)に形成することにより、従来に比べて低い凹部55を形成する
ことになる。すなわち、図5に示す従来の製造方法では、例えば、膜厚が厚い着色部16
EG,16YGを先に形成した場合、着色部16EG,16YG間の凹部60の深さは、
本実施形態の凹部55,56の深さに比べて深くなっている。これにより、従来の方法で
は、着色部の中央部が窪んで形成されてしまう。しかしながら、本発明は、従来に比べて
深さの浅い凹部55,56に着色部16B,16EG,16YGを形成しているため、着
色部16B,16R,16EG,16YGを平坦に形成することが可能となる。
なお、上述した製造方法によりカラーフィルタ16を形成する際、隣接する着色部16
R,16EG,16B,16YGの端面は接触することが好ましいが、各着色部16R,
16EG,16YGが、遮光部16a間に必ず形成されるように、図6に示すように、着
色部の端部16b,16cが重なるように形成されている。
この構成の場合、膜厚の薄い着色部16B,16Rの上に、膜厚の厚い着色部16EG
,16YGを形成するため、隣接する着色部16Bの端部と着色部16EGの端部とが重
なる部分、あるいは、隣接する着色部16Rの端部と着色部16YGの端部とが重なる部
分における段差が、膜厚が厚い着色層の上に膜厚が薄い着色層を形成する場合に比べて小
さくなる。したがって、平坦な着色層を形成することができる。
[第2実施形態]
次に、本発明に係る第2実施形態について、図7から図9を参照して説明する。なお、
以下に説明する各実施形態において、上述した第1実施形態に係る液晶装置1と構成を共
通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る液晶装置は、半透過反射型の液晶装置である点において第1実施形態
と異なる。また、本実施形態では、パッシブマトリクス型の半透過反射の液晶装置につい
て説明する。
図7は、本実施形態の半透過反射型液晶装置に備えられたカラーフィルタ、遮光層を液
晶層側から見たときの概略平面図であり、図8は、本実施形態の半透過反射型液晶装置の
部分概略断面図であり、図9は、カラーフィルタ基板の要部拡大図ある。
本実施形態の半透過反射型液晶装置70は、図8に示すように、液晶層85を挟持して
対向配置されたカラーフィルタ基板81と対向基板82とから構成された液晶パネル78
と、液晶パネル78の視認側と反対側に配置された光源ユニット90とを備えて構成され
ている。
カラーフィルタ基板81、対向基板82には、図7に示すように、各々、ストライプ状
に配列され、インジウム錫酸化物(ITO)等からなる複数の透明電極91、92が形成
されており、カラーフィルタ基板81の透明電極91と対向基板82の透明電極92とは
互いに交差する方向に延在している。そして、カラーフィルタ基板81の透明電極91と
対向基板82の透明電極92とが交差する矩形状の部分及びその周辺部が各ドット93に
なっており、多数のドット93がマトリクス状に配列した領域が表示領域となっている。
より詳細には、カラーフィルタ基板81において、基板本体81aの液晶層85側には
、図8に示すように、アルミニウム、銀、銀合金等の光反射性材料からなり、各ドット9
3の略中心部に形成されたスリット状の開口部95aと、各ドット93の周縁部に形成さ
れた開口部95bとを具備する半透過反射層95が形成されている。この半透過反射層9
5においては、開口部95aが光を透過する光透過部、開口部95a、95bが形成され
た部分を除く領域が光を反射する光反射部として機能する。
また、半透過反射層95の液晶層85側には、半透過反射層95の光透過部(開口部9
5a)に対応して透過表示領域のカラーフィルタ71が形成されていると共に、半透過反
射層95の光反射部(開口部95a、95bが形成された部分を除く領域)に対応して、
透過表示領域のカラーフィルタ71とは膜厚の異なる反射表示領域のカラーフィルタ72
が形成されている。
ここで、透過表示領域のカラーフィルタ71は、赤(R)の着色部71R、緑(G)の
着色部71G、青(B)の着色部71Bにより構成されており、各着色部は、各ドット9
3に対応して所定のパターンで形成されている。また、反射表示領域のカラーフィルタ7
2は、透過表示領域のカラーフィルタ71と同様に、赤(R)の着色部72R、緑(G)
の着色部72G、青(B)の着色部72Bにより構成されており、各着色部は、各ドット
93に対応して所定のパターンで形成されている。
また、半透過反射層95の開口部95b内には、カーボン粒子等の黒色粒子を含有する
黒色樹脂、クロム等の金属や金属化合物等の遮光性材料からなり、半透過反射層95より
も厚い遮光層(ブラックマトリクス)73が形成されている。
また、透過表示領域のカラーフィルタ71及び反射表示領域のカラーフィルタ72の膜
厚は、図9に示すように、赤色透過領域の着色部71Rの膜厚が1.8μm,赤色反射領
域の着色部72Rの膜厚が1.0μm、緑色透過領域の着色部71Gの膜厚が1.9μm
,緑色反射領域の着色部72Gの膜厚が0.9μm、青色透過領域の着色部71Bの膜厚
が1.8μm,青色反射領域の着色部72Bの膜厚が1.1μmである。
このカラーフィルタ71,72を製造する方法としては、着色部のうち膜厚の薄い順、
すなわち、着色部72G,72R,72B,71R,71B,71Gの順に形成する。
また、緑色反射領域の着色部72Gから射出される光は、観察者側での視認度が高いた
め、緑色反射領域の着色部72Gから射出される光を淡くしたいので、最も薄い膜厚とな
っている。
また、図8においては、透過表示領域のカラーフィルタ71、反射表示領域のカラーフ
ィルタ72、遮光層73が形成された基板本体81aの表面が平坦であるように図示して
いるが、実際には、図9においては、凹凸を有するものとなっている。そこで、透過表示
領域のカラーフィルタ71、反射表示領域のカラーフィルタ72、遮光層73の液晶層8
5側には、これらが形成された基板本体81aの表面を平坦化すると共に、透過表示領域
のカラーフィルタ71、反射表示領域のカラーフィルタ72を保護するために、有機膜等
からなるオーバーコート層76が形成されている。
また、オーバーコート層76の液晶層85側には、透明電極91が形成されており、基
板本体81aの液晶層85側最表面には、液晶層85内の液晶分子の配向を規制するため
の配向膜77が形成されている。配向膜77としては、例えば、ポリイミド等の配向性高
分子からなり、表面にラビング処理を施されたものを例示することができる。また、実際
には、基板本体81aの液晶層85と反対側に、位相差板と偏光子とが順次貼着されてい
るが、図示を省略している。
一方、対向基板82において、基板本体82aの液晶層85側には、図8に示すように
、透明電極92と配向膜96とが順次形成されている。また、実際には、基板本体82a
の液晶層85側と反対側に、位相差板と偏光子とが順次貼着されているが、図示を省略し
ている。なお、配向膜96の構造は、カラーフィルタ基板81の配向膜77と同様である
ので、説明は省略する。
また、カラーフィルタ基板81と対向基板82との間(液晶層85内)には、液晶パネ
ル78のセルギャップを均一化するために、二酸化珪素、樹脂等からなる球状のスペーサ
31が多数配置されている。
本実施形態に係る液晶装置70の製造方法では、着色部を形成する順番は、着色部の膜
厚の薄い順(着色部72G,72R,72B,71R,71B,71G)の順に形成する
。これにより、すべての着色部72G,72R,72B,71R,71B,71Gを平坦
に形成することが可能となる。したがって、性能の優れたカラーフィルタを用いることに
より、表示特性の優れた液晶装置70を提供することができる。
[電子機器]
図10は、上記一実施形態の液晶装置1を搭載した電子機器の一例を示す図である。図
10に示す携帯電話200は、上記実施形態の液晶装置1を表示部201として備えて構
成されている。このような構成により、良好な状態のカラーフィルタ16を有しているた
め、より鮮明な画像表示を行うことが可能な電子機器を提供することができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、スピンコート法により、カラーフィルタを製造したが、ラミネート法を用いて
も良い。この方法の場合、各着色部の着色材をフィルム状に形成し、この着色部を基板に
転写する。ここで、従来の製造方法では、着色層のうち膜厚の厚い着色層を先に形成した
後、薄い着色部の着色材303を形成すると、図11(a)に示すように、凹部301の
端部301aにおける基板302と着色材303との密着が悪くなってしまう。しかしな
がら、本発明は、図11(b)に示すように、従来に比べ浅い凹部305に着色部の着色
材306を形成しているため、基板307と着色材306との密着性が良く、基板307
上に着色部を均一な膜厚で形成することができる。
また、ラミネート法を用いた場合も、深さの浅い着色部間の凹部に着色部を形成するた
め、基板と着色部との密着性を向上させることが可能となる。
本発明の第1実施形態に係る液晶装置を示す平面図である。 図1の液晶装置のH−H’線における断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の回路構成を示す図である。 図1の液晶装置の製造方法を示す工程図である。 従来の液晶装置の製造方法の一例を示す工程図である。 図1の液晶装置のカラーフィルタを示す要部拡大図である。 本発明の第2実施形態に係る液晶装置に備えられたカラーフィルタ、遮光層を液晶層側から見たときの概略平面図である。 本発明の液晶装置の部分概略断面図である。 本発明の液晶装置のカラーフィルタ基板の要部拡大図ある。 本発明の電子機器の全体構成を示す斜視図である。 上記各実施形態における着色層をラミネート法により形成する場合の平面図である。
符号の説明
A…画素領域(画素)、B…サブ画素、1…液晶装置、16…カラーフィルタ、16B
,16EG,16R,16YG…着色部(着色層)、200…携帯電話(電子機器)

Claims (6)

  1. 画素を構成する複数のサブ画素に対応して形成された複数の着色層を有するカラーフィ
    ルタを備えた液晶装置の製造方法であって、
    前記複数の着色層のうち少なくとも一つの着色層の膜厚が異なり、
    前記複数の着色層のうち膜厚が薄い順に、前記複数の着色層を形成する工程を備えたこ
    とを特徴とする液晶装置の製造方法。
  2. スピンコート法により、前記基板上に前記複数の着色層を構成する着色材を塗布するこ
    とを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製造方法。
  3. ラミネート法より、前記基板上に前記複数の着色層を形成することを特徴とする請求項
    1に記載の液晶装置の製造方法。
  4. 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法により製造されたこ
    とを特徴とする液晶装置。
  5. 前記サブ画素内に、反射表示領域と、透過表示領域とを備え、
    前記反射表示領域に形成された着色層の膜厚と前記透過表示領域に形成された着色層の
    膜厚とが異なることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。
  6. 請求項4または請求項5に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。



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US10163986B2 (en) 2016-11-15 2018-12-25 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

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