JP3900775B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関し、例えば液晶表示装置において一対の基板の貼り合わせずれ防止、もしくは基板間ギャップの制御に用いて好適な基板構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１５は従来の液晶表示装置の一例を示すものである。
この図に示すように、液晶パネル１００は、複数のデータ線および走査線１０１が格子状に形成されるとともに、画素電極、この画素電極を駆動する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）からなるスイッチング素子等がマトリクス状に配置された素子基板１０２（ＴＦＴアレイ基板）と、対向電極１０３、カラーフィルター等が配置された対向基板１０４（カラーフィルター基板）とが所定の間隔をもって配置されている。素子基板１０２と対向基板１０４とは、例えばグラスファイバー等からなる円筒状もしくは球状のスぺーサ１０５を混入したシール材１０６により、一定の間隔を保って互いに電極形成面が対向するように貼付され、２枚の基板１０２，１０４間の間隙に液晶１０７が封入されている。また、素子基板１０２、対向基板１０４の外面側には偏光板１０８，１０９がそれぞれ貼付されている。
【０００３】
なお、図示を省略したが、素子基板１０２上の対向基板１０４から張り出した端子部分には、各データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動用ＩＣが実装されるとともに、各走査線１０１に走査信号を供給する走査線駆動用ＩＣが実装されている。
【０００４】
さらにこの例の場合、素子基板１０２の下面側には、バックライトユニット１１０がシリコンゴム等の緩衝材１１１を介して設けられている。このバックライトユニット１１０は、光を照射する線状の蛍光管１１２と、この蛍光管１１２による光を反射して導光板１１３に導く反射板１１４と、導光板１１３に導かれた光を液晶パネル１００に一様に拡散させる拡散板１１５と、導光板１１３から液晶パネル１００とは反対方向に出射される光を液晶パネル１００側へ反射させる反射板１１６とから構成されている。
【０００５】
この種の液晶表示装置を製造する際には、いわゆる多面取りなどと呼ばれるように、各基板上に複数個の液晶パネルを構成するパターンを一括して形成し、２枚の基板を貼り合わせた後、これを切断し、各液晶パネル毎に分割するという方法を採るのが一般的である。
【０００６】
液晶パネルの組立工程の概略を示す図１６を用いてより具体的に説明すると、図１６（１）に示すように、素子基板１２０と対向基板１２１をそれぞれ作製した後、例えば素子基板１２０の電極形成面に２枚の基板間の間隔を一定に保持するためのスペーサ１２２を散布する一方、対向基板１２１の電極形成面には液晶を封止するためのシール材１２３をスクリーン印刷等により形成する。
次に、図１６（２）に示すように、これら２枚の基板１２０，１２１を貼り合わせ、図１６（３）に示すように、ダイヤモンドガラススクライバー、ブレイクマシン等を用いてパネルを分割し、個々の液晶パネル１２４とする。
その後、図１６（４）に示すように、液晶注入装置１２５を用いて各液晶パネル１２４のシール材１２３の開口部である液晶注入口１２３ａから２枚の基板間の間隙に液晶１２６を注入する。
【０００７】
後は、図１６（５）に示すように、液晶注入口１２３ａを封止材１２７により封止し、両面に偏光板を貼り付けることによって液晶パネル１２４が完成する。最後に、この液晶パネル１２４に対してバックライトユニット、各種の駆動用基板等を実装し、ケースに収納すれば、液晶表示装置として完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述した液晶表示装置の製造工程において、シール材塗布、スペーサ散布、貼り合わせ、パネル分割等の工程は、いわゆる液晶注入前の空パネルを作る工程であるが、これらの工程は一般的に安定化が比較的難しい工程である。例えば、スペーサ散布工程は、所定径（これがセルギャップ値となる）のスペーサを一方の基板上に分散させる工程であるが、基板のいずれの箇所でも均一なセルギャップを得るためには、スペーサ間の凝集を極力なくし、スペーサが基板上に均一に分布するように散布する必要があり、各製造メーカーごとに様々な工夫がなされている。
【０００９】
また、素子基板と対向基板の貼り合わせ工程では、例えば画像処理を使用した自動アライメント装置によって両基板のアライメントマーク同士をミクロン精度で合わせ込み、次いで、シール材を散布スペーサ径まで加熱プレスし、所定のセルギャップを保ちながらシール材を硬化させる、という方法を採る。この工程は、それぞれの基板が持つ製造時のパターニング誤差とアライメント精度とを含む、いわゆる貼り合わせ技術の精度の限界によってずれが生じる要因を持っている。そのため、通常、素子基板と対向基板の重ね合わせは、５〜１０μｍのマージンを持って設計される。このマージンを少なくすることは液晶パネルの高開口率化につながり、明るさを向上させるための重要な課題である。
【００１０】
ところが、アライメント、プレス、シール材硬化、等の貼り合わせの各工程において、セルギャップの均一化を図りながら貼り合わせずれを抑止することはなかなか難しく、ある程度のずれの発生は避けられなかった。また、ずれを最小限とするために、加圧治具を用いて２枚の基板を締め付けた状態でシール材を硬化するなどの方法が採られることもあるが、この方法は作業性や生産性の点で問題があった。
【００１１】
さらに、ギャップ制御に対しては、上述したスペーサ散布やプレスの均一化等の個々の工程技術に加えて、シール材中のスペーサ径と散布スペーサ径とのマッチング、散布スペーサ径の分布密度とプレス圧の関係なども考慮した総合的なプロセス設計が必要であるが、そのほとんどが経験的なノウハウに依存しており、作業的に負担が大きくなっていた。
【００１２】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、液晶表示装置をはじめとする電気光学装置における基板間の貼り合わせずれを極力低減できるとともに、基板間のギャップ制御も簡便に行い得る構造を有する電気光学装置、およびこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、互いに対向する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられるとともに、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部が嵌合されることにより前記一対の基板の貼り合わせずれの防止がなされ、前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
または、本発明の電気光学装置は、前記一対の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられるとともに、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部が嵌合されることにより前記一対の基板間が所定の間隔（セルギャップ）に保持され、前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
あるいは、本発明の電気光学装置は、前記一対の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられるとともに、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部が嵌合されることにより前記一対の基板の貼り合わせずれの防止がなされるとともに前記一対の基板間が所定の間隔（セルギャップ）に保持され、前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明によれば、電気光学装置を構成する２枚の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられる一方、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられているので、例えば従来のアライメントマークのように、各基板の対応する位置に予め凸部と凹部を形成しておき、これらを嵌合させれば２枚の基板の位置合わせを行うことができる。そして、２枚の基板を重ね合わせた状態ではこれら基板が動きにくくなるので、組立工程で生じる貼り合わせずれを防止することができる。また、凸部の高さや凹部の深さを予め所定の値に調整しておけば、凸部の高さから凹部の深さを引いた値が必然的に２枚の基板間のギャップとなるので、ギャップの制御を容易に行うことができる。すなわち、本発明における凸部や凹部が従来のアライメントマークやスペーサの役目を兼ねることによって、２枚の基板の位置合わせやギャップ制御を合理的に行うことができ、しかも貼り合わせずれの防止を図ることができる。
【００１７】
前記凸部または前記凹部は、前記一方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成することが好ましい。
この構成によれば、各基板上に凸部や凹部を形成するに際して基板とは別の部材を準備する必要がなく、部品コストが増大することがない。また、素子基板や対向基板を構成する膜材料からなる段差のみで凹凸を形成するので、通常の製造プロセス条件を若干変更するのみで充分に形成可能である。
【００１８】
前記凸部や凹部は、例えばアクリル膜、ポリイミド膜のような樹脂材料膜から形成することができる。もしくは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜のような無機材料膜から形成してもよい。
【００１９】
前記凸部および前記凹部には、その嵌合部における凸部と凹部との接触面積を増大させたことによりその嵌合をより強固にする嵌合強化部を付加することが望ましい。
【００２０】
つまり、前記凸部や凹部は、その平面形状を単純な円形、矩形等に形成するのではなく、例えば十字型、星型などのように入り組んだ形状とすると、凸部と凹部を嵌合させた際の接触面積が増え、これら凸部、凹部の接触面での摩擦力が大きくなる。その結果、平面形状が円形、矩形等の場合と比べて凸部と凹部の嵌合が強固になり、２枚の基板がより動きにくくなるため、貼り合わせずれをさらに低減することができる。例えば上記の例においては、「嵌合強化部」とは、平面形状を十字型、星型とした場合の中心から外側に張り出した部分のことを意味する。さらに、嵌合強化部は、平面形状のみならず、断面形状的に設けてもよい。すなわち、凸部の上面と凹部の底面を平坦面同士で接触させるのではなく、凸部の上面上、凹部の底面上にさらに嵌合し合う凹凸を形成すると、やはり凸部と凹部の接触面積が増え、上記と同様の作用により、貼り合わせずれをより低減することができる。
【００２１】
前記凸部や凹部は、例えば基板周縁部に長く延在させるなどして基板上に一つだけ設けてもよいが、小さいものであれば基板上に複数個設けることが望ましい。そして、２枚の基板の各々の基板本体の材質が異なり、各基板上に複数の凸部および複数の凹部を設けた場合には、各基板の中央部に設けた凸部および凹部の嵌合部の接触面積よりも各基板の周辺部に設けた凸部および凹部の嵌合部の接触面積の方を小さくすることが望ましい。もしくは、各基板の中央部に設けた凸部および凹部の嵌合部の密度よりも各基板の周辺部に設けた凸部および凹部の嵌合部の密度の方を小さくすることが望ましい。
【００２２】
例えば液晶パネルの組立工程では、素子基板と対向基板を重ね合わせた後、両基板を加圧しながらシール材を加熱硬化するが、この時に加わる熱によって基板本体が伸縮する。そして、例えば石英基板とガラス基板というように、もしくは同じガラス基板でも材質が違うというように、双方の基板本体の材質が異なる時には基板本体の熱伸縮量が異なる。この場合、本発明の特徴点である凸部と凹部の嵌合部では基板本体の熱伸縮量の違いに応じて応力が発生し、この応力によって基板のずれが生じたり、セルギャップに狂いが生じたりする恐れがある。この時、両基板の熱伸縮量の違いによって発生する応力は基板中央部よりも基板周辺部の方が大きい。その一方、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積の方を小さくしておけば、両基板の拘束力は基板中央部より基板周辺部の方が小さくなる。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周辺部側で基板の拘束力が弱いために応力が緩和され、セルギャップを均一に保った状態で基板のずれを確実に抑制することが可能になる。また、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の密度よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の密度の方を小さくした場合も、両基板の拘束力は基板中央部より基板周辺部の方が小さくなるため、上記と同様の作用によりセルギャップを均一に保ったまま基板のずれを確実に抑制することができる。
【００２３】
逆に、２枚の基板の各々の基板本体の材質が同一であり、各基板上に複数の凸部および複数の凹部を設けた場合には、各基板の中央部に設けた凸部と凹部の嵌合部の接触面積よりも各基板の周辺部に設けた凸部と凹部の嵌合部の接触面積の方を大きくすることが望ましい。もしくは、各基板の中央部に設けた凸部と凹部の嵌合部の密度よりも各基板の周辺部に設けた凸部と凹部の嵌合部の密度の方を大きくすることが望ましい。
【００２４】
上述した基板本体の材質が異なる場合の作用とは逆に、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積の方が大きいと、両基板の拘束力は基板中央部より基板周辺部の方が大きくなる。一方、基板の熱伸縮による応力は基板中央部よりも基板周辺部の方が大きい。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周辺部側で基板の拘束力が強いため、基板のずれを確実に抑制することが可能になる。もしくは、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の密度よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の密度の方を大きくしても、同様の作用、効果が得られる。
【００２５】
前記凸部および前記凹部は、各基板における画像表示領域外の周辺部のみに設けるようにしてもよい。
この構成によれば、画像表示領域内、すなわち画素領域の構成は従来と全く変わらないため、画素パターン設計の自由度を従来通り確保した上で、貼り合わせずれの低減を図ることができる。
【００２６】
前記電気光学材料としては液晶を用いることができる。
この構成により、貼り合わせずれが少なく、セルギャップが確実に制御された液晶表示装置を実現することができる。
【００２７】
その場合、前記凸部および前記凹部を、液晶を封止するシール部の内部に設けることもできる。
この構成によれば、前記凸部および前記凹部がシール材内部のスペーサの役目を果たすので、従来、シール材の内部に混入させていたスペーサを不要とすることができる。
【００２８】
前記凸部の高さもしくは前記凹部の深さは、１μｍないし１０μｍの範囲とすることが望ましい。
現状の液晶パネルのセルギャップが２〜９μｍ程度であることを考えると、凸部の高さもしくは凹部の深さはこの程度とすることが望ましい。例えば凸部や凹部を樹脂材料膜から形成しようとした場合、現在、感光性を持った熱硬化型のアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の材料が豊富で入手しやすいことから、この種の材料を用いることが好ましく、これらの材料を用いればスピン塗布法によって１〜１０μｍ程度の均一な膜厚を容易に実現できる。
【００２９】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とするものである。
本発明によれば、上記本発明の電気光学装置を備えたことにより表示品位の高い表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図６を参照して説明する。
図１は、本実施の形態の液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板における隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、カラーフィルターが形成された対向基板の平面図である。図４は、図２および図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。図５は、ＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを説明するための工程断面図である。図６は、液晶装置の全体構成を示す平面図である。
なお、以上の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに平面寸法や膜厚等の縮尺を適宜異ならせてある。
【００３１】
［液晶装置要部の構成］
図１に示すように、本実施の形態の液晶装置において、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極１と当該画素電極１を制御するためのＴＦＴ２がマトリクス状に複数形成されており、画像信号を供給するデータ線３が当該ＴＦＴ２のソース領域に電気的に接続されている。データ線３に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線３同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ２のゲート電極に走査線４が電気的に接続されており、所定のタイミングで走査線４に対してパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極１は、ＴＦＴ２のドレイン領域に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ２を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線３から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３２】
画素電極１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極１と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量部５を付加する。符号６は、蓄積容量部５の上部電極をなす容量線である。この蓄積容量部５により、画素電極１の電圧はソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより保持特性はさらに改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。
【００３３】
図２に示すように、液晶装置の一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板７上には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる複数の画素電極１（輪郭を破線で示す）がマトリクス状に配置されており、画素電極１の紙面縦方向に延びる辺に沿ってデータ線３（輪郭を２点鎖線で示す）が設けられ、紙面横方向に延びる辺に沿って走査線４および容量線６（ともに輪郭を実線で示す）が設けられている。本実施の形態において、ポリシリコン膜からなる半導体層８（輪郭を１点鎖線で示す）は、データ線３と走査線４の交差点の近傍でＵ字状に形成され、そのＵ字状部８ａの一端が隣接するデータ線３の方向（紙面右方向）および当該データ線３に沿う方向（紙面上方向）に長く延びている。半導体層８のＵ字状部８ａの両端にはコンタクトホール９，１０が形成されており、一方のコンタクトホール９はデータ線３と半導体層８のソース領域とを電気的に接続するソースコンタクトホールとなり、他方のコンタクトホール１０はドレイン電極１１（輪郭を２点鎖線で示す）と半導体層８のドレイン領域とを電気的に接続するドレインコンタクトホールとなっている。ドレイン電極１１上のドレインコンタクトホール１０が設けられた側と反対側の端部には、ドレイン電極１１と画素電極１とを電気的に接続するための画素コンタクトホール１２が形成されている。
【００３４】
本実施の形態におけるＴＦＴ２は、半導体層８のＵ字状部８ａが走査線４と交差しており、半導体層８と走査線４が２回交差していることになるため、１つの半導体層上に２つのゲートを有するＴＦＴ、いわゆるデュアルゲート型ＴＦＴを構成している。また、容量線６は走査線４に沿って紙面横方向に並ぶ画素を貫くように延びるとともに、分岐した一部６ａがデータ線３に沿って紙面縦方向に延びている。そこで、ともにデータ線３に沿って長く延びる半導体層８と容量線６とによって蓄積容量部５が形成されている。
そして、本実施の形態においては、ＴＦＴアレイ基板７側の画素領域の角に矩形状の凹部５０が設けられている。この部分の断面構造は後で説明する。
【００３５】
他方、図３に示すように、対向基板１５上には、カラーフィルターをなすＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色にそれぞれ対応する色材層２２がＴＦＴアレイ基板７の各画素領域に対応して設けられ、これら色材層２２の境界部分を格子状に遮光する第１遮光膜２１（ブラックマトリクス）が設けられている。
そして、ＴＦＴアレイ基板７側の画素領域に設けた凹部５０に対応する第１遮光膜２１上の所定の位置に、前記凹部５０に嵌合し得る大きさ、形状を持った矩形状の凸部５１が設けられている。なお、本実施の形態では凹部５０および凸部５１の平面形状を矩形状としたが、例えば円形などとしてもよい。
【００３６】
本実施の形態の液晶装置は、図４に示すように、一対の透明基板１３，１４を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板７と、これに対向配置される他方の基板をなす対向基板１５とを備え、これら基板７，１５間に液晶１６が挟持されている。透明基板１３，１４は、例えばガラス基板や石英基板からなるものである。
【００３７】
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板７上に下地絶縁膜１７が設けられ、下地絶縁膜１７上には例えば膜厚５０ｎｍ程度のポリシリコン膜からなる半導体層８が設けられ、この半導体層８を覆うように膜厚１００〜１５０ｎｍ程度のゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜１８が全面に形成されている。下地絶縁膜１７上には各画素電極１をスイッチング制御するＴＦＴ２が設けられ、ＴＦＴ２は、タンタル等の金属からなる走査線４、当該走査線４からの電界によりチャネルが形成される半導体層８のチャネル領域８ｃ、走査線４と半導体層８とを絶縁するゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜１８、アルミニウム等の金属からなるデータ線３（図４には図示されない）、半導体層８のソース領域８ｂおよびドレイン領域８ｃを備えている。
【００３８】
また、走査線４上、絶縁薄膜１８上を含むＴＦＴアレイ基板７上には、ソース領域８ｂへ通じるソースコンタクトホール９、ドレイン領域８ｄへ通じるドレインコンタクトホール１０（図４にはともに図示されない）が各々形成された第１層間絶縁膜１９が形成されている。つまり、データ線３は、第１層間絶縁膜１９を貫通するソースコンタクトホール９を介して半導体層８のソース領域８ｂに電気的に接続されている。
【００３９】
さらに、第１層間絶縁膜１９上にはデータ線３と同一レイヤーの金属からなるドレイン電極１１が形成され、ドレイン電極１１へ通じる画素コンタクトホール１２（図４には図示されない）が形成された第２層間絶縁膜２０が形成されている。つまり、画素電極１はドレイン電極１１を介して半導体層８のドレイン領域８ｄと電気的に接続されている。
【００４０】
図４におけるＴＦＴ２の側方には蓄積容量部５が形成されている。この部分では、透明基板１３上に下地絶縁膜１７が設けられ、下地絶縁膜１７上にはＴＦＴ２の半導体層８と一体の不純物がドープされた半導体層８が設けられ、この半導体層８を覆うように絶縁薄膜１８が全面に形成されている。絶縁薄膜１８上に、走査線４と同一レイヤーの金属からなる容量線６が形成され、容量線６を覆うように第１層間絶縁膜１９が全面に形成されている。
【００４１】
また、第２層間絶縁膜２０は平坦化膜として用いられるものであり、例えば平坦性の高い樹脂膜の一種であるアクリル膜が膜厚２μｍ程度に厚く形成されている。本実施の形態では、上記凹部５０にあたる位置のアクリル膜が１μｍ程度掘り下げられることにより凹部５０が形成されており、この凹部５０を有する第２層間絶縁膜２０表面に沿って画素電極１が形成されている。ＴＦＴアレイ基板７の最上層の液晶１６に接する面にはポリイミド等からなる配向膜２５が設けられている。
【００４２】
他方、対向基板１５側は、透明基板１４上に例えばクロム等の金属膜、樹脂ブラックレジスト等からなる第１遮光膜２１が形成され、第１遮光膜２１上には色材層２２が形成されている。そして、基板全面に、画素電極１と同様のＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極２４、配向膜２６が順次形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板７側の凹部５０に対応する位置にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料膜からなる高さ３μｍ程度の凸部５１が形成されており、この凸部５１とＴＦＴアレイ基板７側の凹部５０が嵌合している。これら凸部５１と凹部５０の嵌合部５２は、液晶パネルの組立工程における貼り合わせずれを防止するとともに、セルギャップを一定に保持する機能を果たしており、本実施の形態の場合、凸部５１の高さが３μｍ、凹部５０の深さが１μｍに設定されたことでセルギャップが２μｍとなっている。
【００４３】
［液晶装置の製造プロセス］
次に、上記構成の液晶装置の製造プロセスについて図５を用いて説明する。
図５は、特にＴＦＴアレイ基板７の製造プロセスを示す工程断面図である。
まず、図５の工程（１）に示すように、ガラス基板等の透明基板１３上に下地絶縁膜１７を形成し、その上にアモルファスのシリコン層を積層する。その後、アモルファスシリコン層に対して、例えばレーザアニール処理等の加熱処理を施すことにより、アモルファスシリコン層を再結晶させ、例えば膜厚５０ｎｍ程度の結晶性のポリシリコン層２３を形成する。
【００４４】
次に、図５の工程（２）に示すように、形成されたポリシリコン層２３を上述した半導体層８のパターンとなるようにパターニングし、その上に例えば膜厚１００〜１５０ｎｍ程度のゲート絶縁膜となる絶縁薄膜１８を形成する。
その後、表示領域のうち、ＴＦＴ２と蓄積容量部５との接続部および蓄積容量部５の下部電極となるべき領域以外の領域をポリイミド等のレジストでマスクした後、例えばドナーとしてのＰＨ3／Ｈ2イオンを絶縁薄膜を介してポリシリコン層にドーピングする。この時のイオン注入条件は、例えば31Ｐのイオンドーズ量が３×１０14〜５×１０14ions/cm2程度であり、加速エネルギーは８０keV程度が必要である。
【００４５】
次に上記のレジストを剥離した後、図５の工程（３）に示すように、絶縁薄膜１８上に走査線４および容量線６を形成する。この走査線４等の形成は、タンタル等の金属をスパッタまたは真空蒸着した後、当該走査線４等のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしたエッチングを行い、レジストパターンを剥離することにより行う。そして、当該走査線４および容量線６の形成後、蓄積容量部５を覆うレジストパターンを形成した後、ＰＨ3／Ｈ2イオンを注入する。この時のイオン注入条件は、例えば31Ｐのイオンドーズ量が５×１０14〜７×１０14ions/cm2程度であり、加速エネルギーは８０keV程度である。以上の工程（３）により、ＴＦＴ２のソース領域８ｂおよびドレイン領域８ｄが形成される。
【００４６】
次にレジストパターンを剥離した後、図５の工程（４）に示すように、第１層間絶縁膜１９を積層し、その後、ソースコンタクトホール９およびドレインコンタクトホール１０（図５にはともに図示せず）となる位置を開口し、その後、アルミニウム等の金属をスパッタまたは蒸着し、データ線３およびドレイン電極１１の形状をなすレジストパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングすることにより、データ線３（図示せず）およびドレイン電極１１を形成する。
その後、第２層間絶縁膜２０を積層し、画素コンタクトホール１２となる位置を開口するとともに、第２層間絶縁膜２０表面の所定の位置に凹部５０を形成する。
【００４７】
その後、図５の工程（５）に示すように、その上に膜厚約５０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ等の透明導電性薄膜を成膜した後、これをパターニングして画素電極１を形成し、最後に全面に配向膜２５を形成する。以上の工程により、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板７が完成する。
【００４８】
他方、図４に示した対向基板１５については工程図の例示を省略するが、ガラス基板等の透明基板１４が先ず用意され、第１遮光膜２１および後述する額縁としての第２遮光膜２９（図６参照）を、例えば金属クロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て形成する。なお、これら遮光膜２１，２９は、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。
【００４９】
次に、カラーフィルターとなる色材層２２を染色法、顔料分散法、印刷法などの周知の方法を用いて形成した後、対向基板１５の全面にスパッタリング等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより対向電極２４を形成する。さらに、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料をスピンコータ等を用いて膜厚３μｍ程度に厚く塗布した後、これをパターニングすることにより凸部５１を形成する。そして、対向電極２４の全面に配向膜２６を形成する。
【００５０】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板７と対向基板１５とを対向させて配置し、シール材により貼り合わせ、空パネルを作製する。次いで、液晶１６を空パネル内に封入すれば、本実施の形態の液晶装置が作製される。
【００５１】
［液晶装置の全体構成］
次に、液晶装置４０の全体構成について図６を用いて説明する。
図６において、ＴＦＴアレイ基板７の上には、シール材２８がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して額縁としての第２遮光膜２９が設けられている。シール材２８の外側の領域には、データ線駆動回路３０および外部回路接続端子３１がＴＦＴアレイ基板７の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路３２がこの一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線４に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路３２は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路３０を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば、奇数列のデータ線３は画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線３は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。このようにデータ線３を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。さらに、ＴＦＴアレイ基板７の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路３２間をつなぐための複数の配線３３が設けられている。また、対向基板１５のコーナー部の少なくとも１箇所には、ＴＦＴアレイ基板７と対向基板１５との間で電気的導通をとるための導通材３４が設けられている。そして、シール材２８とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板１５が当該シール材２８によりＴＦＴアレイ基板７に固着されている。
【００５２】
本実施の形態の液晶装置によれば、ＴＦＴアレイ基板７上に凹部５０が設けられる一方、対向基板１５上の前記凹部５０に対応する位置に凸部５１が設けられているので、これらを嵌合させることにより２枚の基板７，１５の位置合わせを行うことができる。そして、２枚の基板７，１５を重ね合わせた状態ではこれら基板が動きにくくなるので、従来組立工程で生じていた貼り合わせずれを防止することができる。また、凸部５１の高さが３μｍ、凹部５０の深さが１μｍに制御されているので、２枚の基板７，１５間のセルギャップが必然的に２μｍとなり、ギャップの制御を容易に行うことができる。すなわち、本実施の形態の液晶装置では、凸部５１や凹部５０が従来のアライメントマークやスペーサの役目を兼ねることによって、２枚の基板の位置合わせやギャップ制御を合理的に行うことができ、しかも貼り合わせずれの防止を図ることができる。
【００５３】
また本実施の形態の場合、各画素領域毎に凸部５１と凹部５０の嵌合部５２を有しており、通常は開口領域として使えるこの部分を非開口領域としなければならないために開口率が若干低下するという欠点はあるものの、貼り合わせずれ防止とギャップ制御の２つの機能を備える嵌合部５２が基板上に一定間隔で満遍なく配置されるので、どの場所においても貼り合わせずれを均一に防止できると同時に、基板全体にわたってセルギャップを均一に保持することができる。
【００５４】
さらに、凹部５０はＴＦＴアレイ基板７の第２層間絶縁膜２０が掘り込まれて形成され、凸部５１は対向基板１５上へのアクリル樹脂等の有機材料の塗布により形成されているので、通常の製造プロセスを若干変更するのみで充分に形成可能である。
【００５５】
［第２の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第２の実施の形態を図７を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置の基本構成は第１の実施の形態と全く同様であり、凹部と凸部の嵌合部の平面形状が異なるのみである。したがって、図７では嵌合部の平面形状のみを示し、共通部分の説明は省略する。
【００５６】
第１の実施の形態の液晶装置では凹部と凸部の嵌合部の平面形状を矩形としたが、本実施の形態においては、図７（ａ）に示したような十字型の嵌合部５３、図７（ｂ）に示したような手裏剣型の嵌合部５４、図７（ｃ）に示したような曲線からなる不定形の輪郭を持つ嵌合部５５をそれぞれ有している。
すなわち、本実施の形態の嵌合部５３，５４，５５は、その平面形状が単なる矩形や円形などではなく、図７（ａ）〜（ｃ）のいずれの場合も中心から外側に張り出した部分（嵌合強化部）を有している。この構成においては、嵌合部の平面形状を単純な矩形、円形等に形成した場合に比べて凸部と凹部を嵌合させた際の接触面積が増え、これら凸部、凹部の接触面での摩擦力が大きくなる。その結果、平面形状が円形、矩形等の場合と比べて凸部と凹部の嵌合が強固になり、２枚の基板がより動きにくくなるため、貼り合わせずれをさらに低減することができる。
【００５７】
［第３の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第３の実施の形態を図８を参照して説明する。
上記第１、第２の実施の形態では１個の液晶装置の内部に多数の嵌合部を設けた例を画素領域の平面パターンを参照して説明したが、以下の実施の形態では、液晶装置の製造時に多面取りを行う場合の大型の基板に対して本発明の嵌合部を多数設けた例を挙げて説明する。
【００５８】
図８は、液晶装置の製造時に４面取りを行う場合の基板の構成を示している。１対の基板５６が縦横に４分割されたそれぞれの領域にシール材５７が設けられている。そして、例えばＴＦＴアレイ基板に凹部、対向基板に凸部が形成され、これら凹部と凸部が嵌合した楕円形の嵌合部５８が基板の周縁部に多数配置されている。したがって、本実施の形態の場合、第１、第２の実施の形態とは異なり、有効表示領域内（シール材の内側）に嵌合部は設けられていない。
【００５９】
第１、第２の実施の形態の液晶装置は、各画素領域毎に嵌合部を設けたために貼り合わせずれ防止とギャップ制御をより確実に行える一方、開口率が低下するという欠点を有していた。これに対して、本実施の形態の液晶装置によれば、基板５６の周縁部のみに嵌合部５８を配置したことによって、有効表示領域内、すなわち画素領域の構成は従来と全く変える必要がないため、開口率が低下することもなく、画素パターン設計の自由度を従来通り確保した上で貼り合わせずれの低減およびセルギャップの制御を図ることができる。
【００６０】
［第４の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第４の実施の形態を図９を参照して説明する。
本実施の形態も第３の実施の形態と同様、基板の周縁部に嵌合部を設けた例であるが、本実施の形態では特にシール材の内部に嵌合部を設けたことが第３の実施の形態と異なっている。
【００６１】
図９（ａ）は、液晶装置の製造時に４面取りを行う場合の基板の構成を示している。この図に示すように、１対の基板５６が縦横に４分割されたそれぞれの領域にシール材５７が設けられている。
【００６２】
図９（ｂ）は、このシール材５７の１つの角部（図９（ａ）の２点鎖線で囲んだ部分）を拡大視したものである。この図に示すように、例えばＴＦＴアレイ基板に凹部、対向基板に凸部が形成され、これら凹部と凸部が嵌合した楕円形の嵌合部５９がシール材５７の幅方向の中央に略一定間隔を持って設けられている。図９（ｃ）は嵌合部５９の断面構造を示す図であって、図９（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。ＴＦＴアレイ基板７上にアクリル樹脂、ポリイミド等の材料により高さ３μｍの凸部６０が形成される一方、対向基板１５上に前記凸部６０に嵌合し得る深さ１μｍの凹部６１を有するアクリル樹脂、ポリイミド等の材料からなる層が形成されている。そして、凹部６１と凸部６０が嵌合されることにより嵌合部５９が形成され、この嵌合部５９を内部に収容するように周囲にシール材５７が形成されている。
【００６３】
本実施の形態の液晶装置によれば、シール材５７の内部に設けられた高さ３μｍの凸部６０と深さ１μｍの凹部６１が嵌合していることによって、セルギャップが２μｍ（厳密には２μｍからＴＦＴアレイ基板７上、対向基板１５上にそれぞれ形成された積層膜の膜厚分を引いた値）に制御されている。このように、凸部６０および凹部６１が２枚の基板の貼り合わせずれを防止するとともにシール材内部のスペーサの役目を果たすので、従来、シール材の内部に混入させていたスペーサを不要とすることができる。
【００６４】
［第５の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第５の実施の形態を図１０（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
第３の実施の形態では４面取りを行う基板の周縁部のみに嵌合部を設けていたのに対し、本実施の形態の液晶装置は、基板の周縁部のみならず、基板の中央部にも嵌合部を設けている。
【００６５】
本実施の形態の液晶装置はＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が例えば石英基板とガラス基板というように異なっており、図１０（ａ）に示すように、基板５６の周縁部に嵌合部６２ａを設けたことに加えて、４個の液晶装置を区画する境界線に沿うように多数の嵌合部６２ｂ，６２ｃが配置されている。そして、各嵌合部の大きさは、基板周縁部の嵌合部６２ａは全て一様の大きさであるが、前記境界線に沿って並ぶ嵌合部６２ｂ，６２ｃは基板周縁部から中央部にいく程大きくなっている。
【００６６】
例えば液晶パネルの組立工程では、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を重ね合わせた後、両基板を加圧しながらシール材を加熱硬化するが、この時に加わる熱によって基板本体が伸縮する。この際、本実施の形態のように、石英基板とガラス基板というように双方の基板本体の材質が異なる時には基板本体の熱伸縮量が異なる。この場合、凸部と凹部の嵌合部では基板本体の熱伸縮量の違いに応じて応力が発生し、この応力によって基板のずれが生じたり、セルギャップに狂いが生じたりする恐れがある。また、両基板の熱伸縮量の違いによって発生する応力は基板中央部よりも基板周縁部の方が大きい。その一方、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の大きさよりも基板周縁部の嵌合部の大きさの方を小さくしておけば、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が小さくなる。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が弱いために応力が緩和され、セルギャップを均一に保った状態で基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００６７】
また、ＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が同じ場合には図１０（ａ）とは逆に、図１０（ｂ）に示すように、前記境界線に沿って並ぶ嵌合部６２ｄ，６２ｅの大きさを基板周縁部から中央部に向けて小さくすればよい。
上述した基板本体の材質が異なる場合の作用とは逆に、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の大きさよりも基板周縁部の嵌合部の大きさの方が大きいと、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が大きくなる。一方、基板の熱伸縮による応力は基板中央部よりも基板周縁部の方が大きい。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が強いため、基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００６８】
［第６の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第６の実施の形態を図１１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置も第５の実施の形態と同様、基板周縁部に加えて基板中央部にも嵌合部を設けた例である。
【００６９】
本実施の形態の液晶装置はＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が異なっており、図１１（ａ）に示すように、基板５６の周縁部に嵌合部６３ａを設けたことに加えて、４個の液晶装置を区画する境界線に沿うように多数の嵌合部６３ｂ，６３ｃが配置されている。そして、各嵌合部の密度は、基板周縁部の嵌合部６３ａは全て一定間隔で配置されているが、前記境界線に沿って並ぶ嵌合部６３ｂ，６３ｃは基板周縁部から中央部にいく程密度が高くなっている。
【００７０】
本実施の形態のように、基板中央部の嵌合部の密度よりも基板周縁部の嵌合部の密度の方を小さくした場合、第５の実施の形態における基板周縁部の嵌合部を小さくした場合の作用と同様、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が小さくなる。したがって、本構成においては、２枚の基板本体の材質が異なっていても、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が弱いために応力が緩和され、セルギャップを均一に保った状態で基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００７１】
また、ＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が同じ場合には図１１（ａ）とは逆に、図１１（ｂ）に示すように、嵌合部６３ｄ，６３ｅの密度を基板周縁部から中央部に向けて小さくすればよい。
上述した基板本体の材質が異なる場合の作用とは逆に、基板周縁部の嵌合部の密度の方が大きいと、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が大きくなるが、基板の熱伸縮による応力は基板中央部よりも基板周縁部の方が大きい。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が強いため、基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００７２】
［電子機器］
以下、本発明の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１２は、携帯電話の一例を示した斜視図である。
図１２において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１３は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。
図１３において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１４は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
図１４において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１２から図１４に示す電子機器は、上記の液晶装置を用いた液晶表示部を備えたものであるので、表示品位の高い電子機器を実現することができる。
【００７３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記第１の実施の形態ではＴＦＴアレイ基板側に凹部、対向基板側に凸部を設けた例を示したが、これとは逆にＴＦＴアレイ基板側に凸部、対向基板側に凹部を設けてもよい。凹部や凸部を膜厚の厚い１層の膜のみで構成するのではなく、２層以上の積層膜で構成してもよい。また、上記実施の形態では凹部や凸部をアクリル膜、ポリイミド膜等の有機材料膜で形成する例を示したが、これらの材料に代えてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料膜を用いてもよい。さらに、嵌合部の形状や形成位置等に関しても、上記実施の形態で例示したものの他に、適宜設計変更が可能である。上記実施の形態では液晶装置の例を示したが、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等、他の電気光学装置に本発明を適用することも可能である。
【００７４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、一方の基板に凸部が設けられる一方、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられているので、例えば従来のアライメントマークのように、各基板の対応する位置に予め凸部と凹部を形成しておき、これらを嵌合させれば２枚の基板の位置合わせを行うことができる。そして、２枚の基板を重ね合わせた状態ではこれら基板が動きにくくなるので、組立工程で生じる貼り合わせずれを防止することができる。また、凸部の高さや凹部の深さを予め所定の値に調整しておけば、ギャップの制御を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態の液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板における隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】 同、液晶装置の対向基板の平面図である。
【図４】 図２および図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図５】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを説明するための工程断面図である。
【図６】 同、液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図７】 本発明の第２の実施の形態の液晶装置における嵌合部の形状を示す平面図である。
【図８】 本発明の第３の実施の形態の液晶装置における嵌合部の配置を示す平面図である。
【図９】 本発明の第４の実施の形態の液晶装置を示す図であって、（ａ）全体構成図、（ｂ）シール材の部分の拡大図、（ｃ）（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿う断面図、である。
【図１０】 本発明の第５の実施の形態の液晶装置を示す図であって、（ａ）２枚の基板の材質が異なる場合、（ｂ）２枚の基板の材質が同じ場合、に好適な構成例である。
【図１１】 本発明の第６の実施の形態の液晶装置を示す図であって、（ａ）２枚の基板の材質が異なる場合、（ｂ）２枚の基板の材質が同じ場合、に好適な構成例である。
【図１２】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１３】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の他の例を示す斜視図である。
【図１４】 本発明の液晶装置を用いた電子機器のさらに他の例を示す斜視図である。
【図１５】 従来の液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【図１６】 従来の液晶表示装置の組立工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
１ 画素電極
２ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３ データ線
４ 走査線
５ 蓄積容量部
６ 容量線
７ ＴＦＴアレイ基板
８ 半導体層
１５ 対向基板
１６ 液晶（電気光学材料）
２８，５７ シール材
４０ 液晶装置
５０，６１ 凹部
５１，６０ 凸部
５２，５３，５４，５５，５８，５９，６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ，６２ｅ，６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｅ 嵌合部
５６ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関し、例えば液晶表示装置において一対の基板の貼り合わせずれ防止、もしくは基板間ギャップの制御に用いて好適な基板構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１５は従来の液晶表示装置の一例を示すものである。
この図に示すように、液晶パネル１００は、複数のデータ線および走査線１０１が格子状に形成されるとともに、画素電極、この画素電極を駆動する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）からなるスイッチング素子等がマトリクス状に配置された素子基板１０２（ＴＦＴアレイ基板）と、対向電極１０３、カラーフィルター等が配置された対向基板１０４（カラーフィルター基板）とが所定の間隔をもって配置されている。素子基板１０２と対向基板１０４とは、例えばグラスファイバー等からなる円筒状もしくは球状のスぺーサ１０５を混入したシール材１０６により、一定の間隔を保って互いに電極形成面が対向するように貼付され、２枚の基板１０２，１０４間の間隙に液晶１０７が封入されている。また、素子基板１０２、対向基板１０４の外面側には偏光板１０８，１０９がそれぞれ貼付されている。
【０００３】
なお、図示を省略したが、素子基板１０２上の対向基板１０４から張り出した端子部分には、各データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動用ＩＣが実装されるとともに、各走査線１０１に走査信号を供給する走査線駆動用ＩＣが実装されている。
【０００４】
さらにこの例の場合、素子基板１０２の下面側には、バックライトユニット１１０がシリコンゴム等の緩衝材１１１を介して設けられている。このバックライトユニット１１０は、光を照射する線状の蛍光管１１２と、この蛍光管１１２による光を反射して導光板１１３に導く反射板１１４と、導光板１１３に導かれた光を液晶パネル１００に一様に拡散させる拡散板１１５と、導光板１１３から液晶パネル１００とは反対方向に出射される光を液晶パネル１００側へ反射させる反射板１１６とから構成されている。
【０００５】
この種の液晶表示装置を製造する際には、いわゆる多面取りなどと呼ばれるように、各基板上に複数個の液晶パネルを構成するパターンを一括して形成し、２枚の基板を貼り合わせた後、これを切断し、各液晶パネル毎に分割するという方法を採るのが一般的である。
【０００６】
液晶パネルの組立工程の概略を示す図１６を用いてより具体的に説明すると、図１６（１）に示すように、素子基板１２０と対向基板１２１をそれぞれ作製した後、例えば素子基板１２０の電極形成面に２枚の基板間の間隔を一定に保持するためのスペーサ１２２を散布する一方、対向基板１２１の電極形成面には液晶を封止するためのシール材１２３をスクリーン印刷等により形成する。
次に、図１６（２）に示すように、これら２枚の基板１２０，１２１を貼り合わせ、図１６（３）に示すように、ダイヤモンドガラススクライバー、ブレイクマシン等を用いてパネルを分割し、個々の液晶パネル１２４とする。
その後、図１６（４）に示すように、液晶注入装置１２５を用いて各液晶パネル１２４のシール材１２３の開口部である液晶注入口１２３ａから２枚の基板間の間隙に液晶１２６を注入する。
【０００７】
後は、図１６（５）に示すように、液晶注入口１２３ａを封止材１２７により封止し、両面に偏光板を貼り付けることによって液晶パネル１２４が完成する。最後に、この液晶パネル１２４に対してバックライトユニット、各種の駆動用基板等を実装し、ケースに収納すれば、液晶表示装置として完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述した液晶表示装置の製造工程において、シール材塗布、スペーサ散布、貼り合わせ、パネル分割等の工程は、いわゆる液晶注入前の空パネルを作る工程であるが、これらの工程は一般的に安定化が比較的難しい工程である。例えば、スペーサ散布工程は、所定径（これがセルギャップ値となる）のスペーサを一方の基板上に分散させる工程であるが、基板のいずれの箇所でも均一なセルギャップを得るためには、スペーサ間の凝集を極力なくし、スペーサが基板上に均一に分布するように散布する必要があり、各製造メーカーごとに様々な工夫がなされている。
【０００９】
また、素子基板と対向基板の貼り合わせ工程では、例えば画像処理を使用した自動アライメント装置によって両基板のアライメントマーク同士をミクロン精度で合わせ込み、次いで、シール材を散布スペーサ径まで加熱プレスし、所定のセルギャップを保ちながらシール材を硬化させる、という方法を採る。この工程は、それぞれの基板が持つ製造時のパターニング誤差とアライメント精度とを含む、いわゆる貼り合わせ技術の精度の限界によってずれが生じる要因を持っている。そのため、通常、素子基板と対向基板の重ね合わせは、５〜１０μｍのマージンを持って設計される。このマージンを少なくすることは液晶パネルの高開口率化につながり、明るさを向上させるための重要な課題である。
【００１０】
ところが、アライメント、プレス、シール材硬化、等の貼り合わせの各工程において、セルギャップの均一化を図りながら貼り合わせずれを抑止することはなかなか難しく、ある程度のずれの発生は避けられなかった。また、ずれを最小限とするために、加圧治具を用いて２枚の基板を締め付けた状態でシール材を硬化するなどの方法が採られることもあるが、この方法は作業性や生産性の点で問題があった。
【００１１】
さらに、ギャップ制御に対しては、上述したスペーサ散布やプレスの均一化等の個々の工程技術に加えて、シール材中のスペーサ径と散布スペーサ径とのマッチング、散布スペーサ径の分布密度とプレス圧の関係なども考慮した総合的なプロセス設計が必要であるが、そのほとんどが経験的なノウハウに依存しており、作業的に負担が大きくなっていた。
【００１２】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、液晶表示装置をはじめとする電気光学装置における基板間の貼り合わせずれを極力低減できるとともに、基板間のギャップ制御も簡便に行い得る構造を有する電気光学装置、およびこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、互いに対向する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられるとともに、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部が嵌合されることにより前記一対の基板の貼り合わせずれの防止がなされ、前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
または、本発明の電気光学装置は、前記一対の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられるとともに、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部が嵌合されることにより前記一対の基板間が所定の間隔（セルギャップ）に保持され、前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
あるいは、本発明の電気光学装置は、前記一対の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられるとともに、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部が嵌合されることにより前記一対の基板の貼り合わせずれの防止がなされるとともに前記一対の基板間が所定の間隔（セルギャップ）に保持され、前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明によれば、電気光学装置を構成する２枚の基板のうちの一方の基板に凸部が設けられる一方、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられているので、例えば従来のアライメントマークのように、各基板の対応する位置に予め凸部と凹部を形成しておき、これらを嵌合させれば２枚の基板の位置合わせを行うことができる。そして、２枚の基板を重ね合わせた状態ではこれら基板が動きにくくなるので、組立工程で生じる貼り合わせずれを防止することができる。また、凸部の高さや凹部の深さを予め所定の値に調整しておけば、凸部の高さから凹部の深さを引いた値が必然的に２枚の基板間のギャップとなるので、ギャップの制御を容易に行うことができる。すなわち、本発明における凸部や凹部が従来のアライメントマークやスペーサの役目を兼ねることによって、２枚の基板の位置合わせやギャップ制御を合理的に行うことができ、しかも貼り合わせずれの防止を図ることができる。
【００１７】
前記凸部または前記凹部は、前記一方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成することが好ましい。
この構成によれば、各基板上に凸部や凹部を形成するに際して基板とは別の部材を準備する必要がなく、部品コストが増大することがない。また、素子基板や対向基板を構成する膜材料からなる段差のみで凹凸を形成するので、通常の製造プロセス条件を若干変更するのみで充分に形成可能である。
【００１８】
前記凸部や凹部は、例えばアクリル膜、ポリイミド膜のような樹脂材料膜から形成することができる。もしくは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜のような無機材料膜から形成してもよい。
【００１９】
前記凸部および前記凹部には、その嵌合部における凸部と凹部との接触面積を増大させたことによりその嵌合をより強固にする嵌合強化部を付加することが望ましい。
【００２０】
つまり、前記凸部や凹部は、その平面形状を単純な円形、矩形等に形成するのではなく、例えば十字型、星型などのように入り組んだ形状とすると、凸部と凹部を嵌合させた際の接触面積が増え、これら凸部、凹部の接触面での摩擦力が大きくなる。その結果、平面形状が円形、矩形等の場合と比べて凸部と凹部の嵌合が強固になり、２枚の基板がより動きにくくなるため、貼り合わせずれをさらに低減することができる。例えば上記の例においては、「嵌合強化部」とは、平面形状を十字型、星型とした場合の中心から外側に張り出した部分のことを意味する。さらに、嵌合強化部は、平面形状のみならず、断面形状的に設けてもよい。すなわち、凸部の上面と凹部の底面を平坦面同士で接触させるのではなく、凸部の上面上、凹部の底面上にさらに嵌合し合う凹凸を形成すると、やはり凸部と凹部の接触面積が増え、上記と同様の作用により、貼り合わせずれをより低減することができる。
【００２１】
前記凸部や凹部は、例えば基板周縁部に長く延在させるなどして基板上に一つだけ設けてもよいが、小さいものであれば基板上に複数個設けることが望ましい。そして、２枚の基板の各々の基板本体の材質が異なり、各基板上に複数の凸部および複数の凹部を設けた場合には、各基板の中央部に設けた凸部および凹部の嵌合部の接触面積よりも各基板の周辺部に設けた凸部および凹部の嵌合部の接触面積の方を小さくすることが望ましい。もしくは、各基板の中央部に設けた凸部および凹部の嵌合部の密度よりも各基板の周辺部に設けた凸部および凹部の嵌合部の密度の方を小さくすることが望ましい。
【００２２】
例えば液晶パネルの組立工程では、素子基板と対向基板を重ね合わせた後、両基板を加圧しながらシール材を加熱硬化するが、この時に加わる熱によって基板本体が伸縮する。そして、例えば石英基板とガラス基板というように、もしくは同じガラス基板でも材質が違うというように、双方の基板本体の材質が異なる時には基板本体の熱伸縮量が異なる。この場合、本発明の特徴点である凸部と凹部の嵌合部では基板本体の熱伸縮量の違いに応じて応力が発生し、この応力によって基板のずれが生じたり、セルギャップに狂いが生じたりする恐れがある。この時、両基板の熱伸縮量の違いによって発生する応力は基板中央部よりも基板周辺部の方が大きい。その一方、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積の方を小さくしておけば、両基板の拘束力は基板中央部より基板周辺部の方が小さくなる。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周辺部側で基板の拘束力が弱いために応力が緩和され、セルギャップを均一に保った状態で基板のずれを確実に抑制することが可能になる。また、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の密度よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の密度の方を小さくした場合も、両基板の拘束力は基板中央部より基板周辺部の方が小さくなるため、上記と同様の作用によりセルギャップを均一に保ったまま基板のずれを確実に抑制することができる。
【００２３】
逆に、２枚の基板の各々の基板本体の材質が同一であり、各基板上に複数の凸部および複数の凹部を設けた場合には、各基板の中央部に設けた凸部と凹部の嵌合部の接触面積よりも各基板の周辺部に設けた凸部と凹部の嵌合部の接触面積の方を大きくすることが望ましい。もしくは、各基板の中央部に設けた凸部と凹部の嵌合部の密度よりも各基板の周辺部に設けた凸部と凹部の嵌合部の密度の方を大きくすることが望ましい。
【００２４】
上述した基板本体の材質が異なる場合の作用とは逆に、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の接触面積の方が大きいと、両基板の拘束力は基板中央部より基板周辺部の方が大きくなる。一方、基板の熱伸縮による応力は基板中央部よりも基板周辺部の方が大きい。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周辺部側で基板の拘束力が強いため、基板のずれを確実に抑制することが可能になる。もしくは、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の密度よりも基板周辺部の凸部と凹部の嵌合部の密度の方を大きくしても、同様の作用、効果が得られる。
【００２５】
前記凸部および前記凹部は、各基板における画像表示領域外の周辺部のみに設けるようにしてもよい。
この構成によれば、画像表示領域内、すなわち画素領域の構成は従来と全く変わらないため、画素パターン設計の自由度を従来通り確保した上で、貼り合わせずれの低減を図ることができる。
【００２６】
前記電気光学材料としては液晶を用いることができる。
この構成により、貼り合わせずれが少なく、セルギャップが確実に制御された液晶表示装置を実現することができる。
【００２７】
その場合、前記凸部および前記凹部を、液晶を封止するシール部の内部に設けることもできる。
この構成によれば、前記凸部および前記凹部がシール材内部のスペーサの役目を果たすので、従来、シール材の内部に混入させていたスペーサを不要とすることができる。
【００２８】
前記凸部の高さもしくは前記凹部の深さは、１μｍないし１０μｍの範囲とすることが望ましい。
現状の液晶パネルのセルギャップが２〜９μｍ程度であることを考えると、凸部の高さもしくは凹部の深さはこの程度とすることが望ましい。例えば凸部や凹部を樹脂材料膜から形成しようとした場合、現在、感光性を持った熱硬化型のアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の材料が豊富で入手しやすいことから、この種の材料を用いることが好ましく、これらの材料を用いればスピン塗布法によって１〜１０μｍ程度の均一な膜厚を容易に実現できる。
【００２９】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とするものである。
本発明によれば、上記本発明の電気光学装置を備えたことにより表示品位の高い表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図６を参照して説明する。
図１は、本実施の形態の液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板における隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、カラーフィルターが形成された対向基板の平面図である。図４は、図２および図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。図５は、ＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを説明するための工程断面図である。図６は、液晶装置の全体構成を示す平面図である。
なお、以上の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに平面寸法や膜厚等の縮尺を適宜異ならせてある。
【００３１】
［液晶装置要部の構成］
図１に示すように、本実施の形態の液晶装置において、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極１と当該画素電極１を制御するためのＴＦＴ２がマトリクス状に複数形成されており、画像信号を供給するデータ線３が当該ＴＦＴ２のソース領域に電気的に接続されている。データ線３に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線３同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ２のゲート電極に走査線４が電気的に接続されており、所定のタイミングで走査線４に対してパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極１は、ＴＦＴ２のドレイン領域に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ２を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線３から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３２】
画素電極１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極１と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量部５を付加する。符号６は、蓄積容量部５の上部電極をなす容量線である。この蓄積容量部５により、画素電極１の電圧はソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより保持特性はさらに改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。
【００３３】
図２に示すように、液晶装置の一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板７上には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる複数の画素電極１（輪郭を破線で示す）がマトリクス状に配置されており、画素電極１の紙面縦方向に延びる辺に沿ってデータ線３（輪郭を２点鎖線で示す）が設けられ、紙面横方向に延びる辺に沿って走査線４および容量線６（ともに輪郭を実線で示す）が設けられている。本実施の形態において、ポリシリコン膜からなる半導体層８（輪郭を１点鎖線で示す）は、データ線３と走査線４の交差点の近傍でＵ字状に形成され、そのＵ字状部８ａの一端が隣接するデータ線３の方向（紙面右方向）および当該データ線３に沿う方向（紙面上方向）に長く延びている。半導体層８のＵ字状部８ａの両端にはコンタクトホール９，１０が形成されており、一方のコンタクトホール９はデータ線３と半導体層８のソース領域とを電気的に接続するソースコンタクトホールとなり、他方のコンタクトホール１０はドレイン電極１１（輪郭を２点鎖線で示す）と半導体層８のドレイン領域とを電気的に接続するドレインコンタクトホールとなっている。ドレイン電極１１上のドレインコンタクトホール１０が設けられた側と反対側の端部には、ドレイン電極１１と画素電極１とを電気的に接続するための画素コンタクトホール１２が形成されている。
【００３４】
本実施の形態におけるＴＦＴ２は、半導体層８のＵ字状部８ａが走査線４と交差しており、半導体層８と走査線４が２回交差していることになるため、１つの半導体層上に２つのゲートを有するＴＦＴ、いわゆるデュアルゲート型ＴＦＴを構成している。また、容量線６は走査線４に沿って紙面横方向に並ぶ画素を貫くように延びるとともに、分岐した一部６ａがデータ線３に沿って紙面縦方向に延びている。そこで、ともにデータ線３に沿って長く延びる半導体層８と容量線６とによって蓄積容量部５が形成されている。
そして、本実施の形態においては、ＴＦＴアレイ基板７側の画素領域の角に矩形状の凹部５０が設けられている。この部分の断面構造は後で説明する。
【００３５】
他方、図３に示すように、対向基板１５上には、カラーフィルターをなすＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色にそれぞれ対応する色材層２２がＴＦＴアレイ基板７の各画素領域に対応して設けられ、これら色材層２２の境界部分を格子状に遮光する第１遮光膜２１（ブラックマトリクス）が設けられている。
そして、ＴＦＴアレイ基板７側の画素領域に設けた凹部５０に対応する第１遮光膜２１上の所定の位置に、前記凹部５０に嵌合し得る大きさ、形状を持った矩形状の凸部５１が設けられている。なお、本実施の形態では凹部５０および凸部５１の平面形状を矩形状としたが、例えば円形などとしてもよい。
【００３６】
本実施の形態の液晶装置は、図４に示すように、一対の透明基板１３，１４を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板７と、これに対向配置される他方の基板をなす対向基板１５とを備え、これら基板７，１５間に液晶１６が挟持されている。透明基板１３，１４は、例えばガラス基板や石英基板からなるものである。
【００３７】
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板７上に下地絶縁膜１７が設けられ、下地絶縁膜１７上には例えば膜厚５０ｎｍ程度のポリシリコン膜からなる半導体層８が設けられ、この半導体層８を覆うように膜厚１００〜１５０ｎｍ程度のゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜１８が全面に形成されている。下地絶縁膜１７上には各画素電極１をスイッチング制御するＴＦＴ２が設けられ、ＴＦＴ２は、タンタル等の金属からなる走査線４、当該走査線４からの電界によりチャネルが形成される半導体層８のチャネル領域８ｃ、走査線４と半導体層８とを絶縁するゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜１８、アルミニウム等の金属からなるデータ線３（図４には図示されない）、半導体層８のソース領域８ｂおよびドレイン領域８ｃを備えている。
【００３８】
また、走査線４上、絶縁薄膜１８上を含むＴＦＴアレイ基板７上には、ソース領域８ｂへ通じるソースコンタクトホール９、ドレイン領域８ｄへ通じるドレインコンタクトホール１０（図４にはともに図示されない）が各々形成された第１層間絶縁膜１９が形成されている。つまり、データ線３は、第１層間絶縁膜１９を貫通するソースコンタクトホール９を介して半導体層８のソース領域８ｂに電気的に接続されている。
【００３９】
さらに、第１層間絶縁膜１９上にはデータ線３と同一レイヤーの金属からなるドレイン電極１１が形成され、ドレイン電極１１へ通じる画素コンタクトホール１２（図４には図示されない）が形成された第２層間絶縁膜２０が形成されている。つまり、画素電極１はドレイン電極１１を介して半導体層８のドレイン領域８ｄと電気的に接続されている。
【００４０】
図４におけるＴＦＴ２の側方には蓄積容量部５が形成されている。この部分では、透明基板１３上に下地絶縁膜１７が設けられ、下地絶縁膜１７上にはＴＦＴ２の半導体層８と一体の不純物がドープされた半導体層８が設けられ、この半導体層８を覆うように絶縁薄膜１８が全面に形成されている。絶縁薄膜１８上に、走査線４と同一レイヤーの金属からなる容量線６が形成され、容量線６を覆うように第１層間絶縁膜１９が全面に形成されている。
【００４１】
また、第２層間絶縁膜２０は平坦化膜として用いられるものであり、例えば平坦性の高い樹脂膜の一種であるアクリル膜が膜厚２μｍ程度に厚く形成されている。本実施の形態では、上記凹部５０にあたる位置のアクリル膜が１μｍ程度掘り下げられることにより凹部５０が形成されており、この凹部５０を有する第２層間絶縁膜２０表面に沿って画素電極１が形成されている。ＴＦＴアレイ基板７の最上層の液晶１６に接する面にはポリイミド等からなる配向膜２５が設けられている。
【００４２】
他方、対向基板１５側は、透明基板１４上に例えばクロム等の金属膜、樹脂ブラックレジスト等からなる第１遮光膜２１が形成され、第１遮光膜２１上には色材層２２が形成されている。そして、基板全面に、画素電極１と同様のＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極２４、配向膜２６が順次形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板７側の凹部５０に対応する位置にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料膜からなる高さ３μｍ程度の凸部５１が形成されており、この凸部５１とＴＦＴアレイ基板７側の凹部５０が嵌合している。これら凸部５１と凹部５０の嵌合部５２は、液晶パネルの組立工程における貼り合わせずれを防止するとともに、セルギャップを一定に保持する機能を果たしており、本実施の形態の場合、凸部５１の高さが３μｍ、凹部５０の深さが１μｍに設定されたことでセルギャップが２μｍとなっている。
【００４３】
［液晶装置の製造プロセス］
次に、上記構成の液晶装置の製造プロセスについて図５を用いて説明する。
図５は、特にＴＦＴアレイ基板７の製造プロセスを示す工程断面図である。
まず、図５の工程（１）に示すように、ガラス基板等の透明基板１３上に下地絶縁膜１７を形成し、その上にアモルファスのシリコン層を積層する。その後、アモルファスシリコン層に対して、例えばレーザアニール処理等の加熱処理を施すことにより、アモルファスシリコン層を再結晶させ、例えば膜厚５０ｎｍ程度の結晶性のポリシリコン層２３を形成する。
【００４４】
次に、図５の工程（２）に示すように、形成されたポリシリコン層２３を上述した半導体層８のパターンとなるようにパターニングし、その上に例えば膜厚１００〜１５０ｎｍ程度のゲート絶縁膜となる絶縁薄膜１８を形成する。
その後、表示領域のうち、ＴＦＴ２と蓄積容量部５との接続部および蓄積容量部５の下部電極となるべき領域以外の領域をポリイミド等のレジストでマスクした後、例えばドナーとしてのＰＨ3／Ｈ2イオンを絶縁薄膜を介してポリシリコン層にドーピングする。この時のイオン注入条件は、例えば31Ｐのイオンドーズ量が３×１０14〜５×１０14ions/cm2程度であり、加速エネルギーは８０keV程度が必要である。
【００４５】
次に上記のレジストを剥離した後、図５の工程（３）に示すように、絶縁薄膜１８上に走査線４および容量線６を形成する。この走査線４等の形成は、タンタル等の金属をスパッタまたは真空蒸着した後、当該走査線４等のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしたエッチングを行い、レジストパターンを剥離することにより行う。そして、当該走査線４および容量線６の形成後、蓄積容量部５を覆うレジストパターンを形成した後、ＰＨ3／Ｈ2イオンを注入する。この時のイオン注入条件は、例えば31Ｐのイオンドーズ量が５×１０14〜７×１０14ions/cm2程度であり、加速エネルギーは８０keV程度である。以上の工程（３）により、ＴＦＴ２のソース領域８ｂおよびドレイン領域８ｄが形成される。
【００４６】
次にレジストパターンを剥離した後、図５の工程（４）に示すように、第１層間絶縁膜１９を積層し、その後、ソースコンタクトホール９およびドレインコンタクトホール１０（図５にはともに図示せず）となる位置を開口し、その後、アルミニウム等の金属をスパッタまたは蒸着し、データ線３およびドレイン電極１１の形状をなすレジストパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングすることにより、データ線３（図示せず）およびドレイン電極１１を形成する。
その後、第２層間絶縁膜２０を積層し、画素コンタクトホール１２となる位置を開口するとともに、第２層間絶縁膜２０表面の所定の位置に凹部５０を形成する。
【００４７】
その後、図５の工程（５）に示すように、その上に膜厚約５０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ等の透明導電性薄膜を成膜した後、これをパターニングして画素電極１を形成し、最後に全面に配向膜２５を形成する。以上の工程により、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板７が完成する。
【００４８】
他方、図４に示した対向基板１５については工程図の例示を省略するが、ガラス基板等の透明基板１４が先ず用意され、第１遮光膜２１および後述する額縁としての第２遮光膜２９（図６参照）を、例えば金属クロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て形成する。なお、これら遮光膜２１，２９は、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。
【００４９】
次に、カラーフィルターとなる色材層２２を染色法、顔料分散法、印刷法などの周知の方法を用いて形成した後、対向基板１５の全面にスパッタリング等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより対向電極２４を形成する。さらに、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料をスピンコータ等を用いて膜厚３μｍ程度に厚く塗布した後、これをパターニングすることにより凸部５１を形成する。そして、対向電極２４の全面に配向膜２６を形成する。
【００５０】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板７と対向基板１５とを対向させて配置し、シール材により貼り合わせ、空パネルを作製する。次いで、液晶１６を空パネル内に封入すれば、本実施の形態の液晶装置が作製される。
【００５１】
［液晶装置の全体構成］
次に、液晶装置４０の全体構成について図６を用いて説明する。
図６において、ＴＦＴアレイ基板７の上には、シール材２８がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して額縁としての第２遮光膜２９が設けられている。シール材２８の外側の領域には、データ線駆動回路３０および外部回路接続端子３１がＴＦＴアレイ基板７の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路３２がこの一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線４に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路３２は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路３０を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば、奇数列のデータ線３は画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線３は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。このようにデータ線３を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。さらに、ＴＦＴアレイ基板７の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路３２間をつなぐための複数の配線３３が設けられている。また、対向基板１５のコーナー部の少なくとも１箇所には、ＴＦＴアレイ基板７と対向基板１５との間で電気的導通をとるための導通材３４が設けられている。そして、シール材２８とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板１５が当該シール材２８によりＴＦＴアレイ基板７に固着されている。
【００５２】
本実施の形態の液晶装置によれば、ＴＦＴアレイ基板７上に凹部５０が設けられる一方、対向基板１５上の前記凹部５０に対応する位置に凸部５１が設けられているので、これらを嵌合させることにより２枚の基板７，１５の位置合わせを行うことができる。そして、２枚の基板７，１５を重ね合わせた状態ではこれら基板が動きにくくなるので、従来組立工程で生じていた貼り合わせずれを防止することができる。また、凸部５１の高さが３μｍ、凹部５０の深さが１μｍに制御されているので、２枚の基板７，１５間のセルギャップが必然的に２μｍとなり、ギャップの制御を容易に行うことができる。すなわち、本実施の形態の液晶装置では、凸部５１や凹部５０が従来のアライメントマークやスペーサの役目を兼ねることによって、２枚の基板の位置合わせやギャップ制御を合理的に行うことができ、しかも貼り合わせずれの防止を図ることができる。
【００５３】
また本実施の形態の場合、各画素領域毎に凸部５１と凹部５０の嵌合部５２を有しており、通常は開口領域として使えるこの部分を非開口領域としなければならないために開口率が若干低下するという欠点はあるものの、貼り合わせずれ防止とギャップ制御の２つの機能を備える嵌合部５２が基板上に一定間隔で満遍なく配置されるので、どの場所においても貼り合わせずれを均一に防止できると同時に、基板全体にわたってセルギャップを均一に保持することができる。
【００５４】
さらに、凹部５０はＴＦＴアレイ基板７の第２層間絶縁膜２０が掘り込まれて形成され、凸部５１は対向基板１５上へのアクリル樹脂等の有機材料の塗布により形成されているので、通常の製造プロセスを若干変更するのみで充分に形成可能である。
【００５５】
［第２の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第２の実施の形態を図７を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置の基本構成は第１の実施の形態と全く同様であり、凹部と凸部の嵌合部の平面形状が異なるのみである。したがって、図７では嵌合部の平面形状のみを示し、共通部分の説明は省略する。
【００５６】
第１の実施の形態の液晶装置では凹部と凸部の嵌合部の平面形状を矩形としたが、本実施の形態においては、図７（ａ）に示したような十字型の嵌合部５３、図７（ｂ）に示したような手裏剣型の嵌合部５４、図７（ｃ）に示したような曲線からなる不定形の輪郭を持つ嵌合部５５をそれぞれ有している。
すなわち、本実施の形態の嵌合部５３，５４，５５は、その平面形状が単なる矩形や円形などではなく、図７（ａ）〜（ｃ）のいずれの場合も中心から外側に張り出した部分（嵌合強化部）を有している。この構成においては、嵌合部の平面形状を単純な矩形、円形等に形成した場合に比べて凸部と凹部を嵌合させた際の接触面積が増え、これら凸部、凹部の接触面での摩擦力が大きくなる。その結果、平面形状が円形、矩形等の場合と比べて凸部と凹部の嵌合が強固になり、２枚の基板がより動きにくくなるため、貼り合わせずれをさらに低減することができる。
【００５７】
［第３の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第３の実施の形態を図８を参照して説明する。
上記第１、第２の実施の形態では１個の液晶装置の内部に多数の嵌合部を設けた例を画素領域の平面パターンを参照して説明したが、以下の実施の形態では、液晶装置の製造時に多面取りを行う場合の大型の基板に対して本発明の嵌合部を多数設けた例を挙げて説明する。
【００５８】
図８は、液晶装置の製造時に４面取りを行う場合の基板の構成を示している。１対の基板５６が縦横に４分割されたそれぞれの領域にシール材５７が設けられている。そして、例えばＴＦＴアレイ基板に凹部、対向基板に凸部が形成され、これら凹部と凸部が嵌合した楕円形の嵌合部５８が基板の周縁部に多数配置されている。したがって、本実施の形態の場合、第１、第２の実施の形態とは異なり、有効表示領域内（シール材の内側）に嵌合部は設けられていない。
【００５９】
第１、第２の実施の形態の液晶装置は、各画素領域毎に嵌合部を設けたために貼り合わせずれ防止とギャップ制御をより確実に行える一方、開口率が低下するという欠点を有していた。これに対して、本実施の形態の液晶装置によれば、基板５６の周縁部のみに嵌合部５８を配置したことによって、有効表示領域内、すなわち画素領域の構成は従来と全く変える必要がないため、開口率が低下することもなく、画素パターン設計の自由度を従来通り確保した上で貼り合わせずれの低減およびセルギャップの制御を図ることができる。
【００６０】
［第４の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第４の実施の形態を図９を参照して説明する。
本実施の形態も第３の実施の形態と同様、基板の周縁部に嵌合部を設けた例であるが、本実施の形態では特にシール材の内部に嵌合部を設けたことが第３の実施の形態と異なっている。
【００６１】
図９（ａ）は、液晶装置の製造時に４面取りを行う場合の基板の構成を示している。この図に示すように、１対の基板５６が縦横に４分割されたそれぞれの領域にシール材５７が設けられている。
【００６２】
図９（ｂ）は、このシール材５７の１つの角部（図９（ａ）の２点鎖線で囲んだ部分）を拡大視したものである。この図に示すように、例えばＴＦＴアレイ基板に凹部、対向基板に凸部が形成され、これら凹部と凸部が嵌合した楕円形の嵌合部５９がシール材５７の幅方向の中央に略一定間隔を持って設けられている。図９（ｃ）は嵌合部５９の断面構造を示す図であって、図９（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。ＴＦＴアレイ基板７上にアクリル樹脂、ポリイミド等の材料により高さ３μｍの凸部６０が形成される一方、対向基板１５上に前記凸部６０に嵌合し得る深さ１μｍの凹部６１を有するアクリル樹脂、ポリイミド等の材料からなる層が形成されている。そして、凹部６１と凸部６０が嵌合されることにより嵌合部５９が形成され、この嵌合部５９を内部に収容するように周囲にシール材５７が形成されている。
【００６３】
本実施の形態の液晶装置によれば、シール材５７の内部に設けられた高さ３μｍの凸部６０と深さ１μｍの凹部６１が嵌合していることによって、セルギャップが２μｍ（厳密には２μｍからＴＦＴアレイ基板７上、対向基板１５上にそれぞれ形成された積層膜の膜厚分を引いた値）に制御されている。このように、凸部６０および凹部６１が２枚の基板の貼り合わせずれを防止するとともにシール材内部のスペーサの役目を果たすので、従来、シール材の内部に混入させていたスペーサを不要とすることができる。
【００６４】
［第５の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第５の実施の形態を図１０（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
第３の実施の形態では４面取りを行う基板の周縁部のみに嵌合部を設けていたのに対し、本実施の形態の液晶装置は、基板の周縁部のみならず、基板の中央部にも嵌合部を設けている。
【００６５】
本実施の形態の液晶装置はＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が例えば石英基板とガラス基板というように異なっており、図１０（ａ）に示すように、基板５６の周縁部に嵌合部６２ａを設けたことに加えて、４個の液晶装置を区画する境界線に沿うように多数の嵌合部６２ｂ，６２ｃが配置されている。そして、各嵌合部の大きさは、基板周縁部の嵌合部６２ａは全て一様の大きさであるが、前記境界線に沿って並ぶ嵌合部６２ｂ，６２ｃは基板周縁部から中央部にいく程大きくなっている。
【００６６】
例えば液晶パネルの組立工程では、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を重ね合わせた後、両基板を加圧しながらシール材を加熱硬化するが、この時に加わる熱によって基板本体が伸縮する。この際、本実施の形態のように、石英基板とガラス基板というように双方の基板本体の材質が異なる時には基板本体の熱伸縮量が異なる。この場合、凸部と凹部の嵌合部では基板本体の熱伸縮量の違いに応じて応力が発生し、この応力によって基板のずれが生じたり、セルギャップに狂いが生じたりする恐れがある。また、両基板の熱伸縮量の違いによって発生する応力は基板中央部よりも基板周縁部の方が大きい。その一方、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の大きさよりも基板周縁部の嵌合部の大きさの方を小さくしておけば、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が小さくなる。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が弱いために応力が緩和され、セルギャップを均一に保った状態で基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００６７】
また、ＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が同じ場合には図１０（ａ）とは逆に、図１０（ｂ）に示すように、前記境界線に沿って並ぶ嵌合部６２ｄ，６２ｅの大きさを基板周縁部から中央部に向けて小さくすればよい。
上述した基板本体の材質が異なる場合の作用とは逆に、基板中央部の凸部と凹部の嵌合部の大きさよりも基板周縁部の嵌合部の大きさの方が大きいと、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が大きくなる。一方、基板の熱伸縮による応力は基板中央部よりも基板周縁部の方が大きい。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が強いため、基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００６８】
［第６の実施の形態の液晶装置の構成］
以下、本発明の第６の実施の形態を図１１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置も第５の実施の形態と同様、基板周縁部に加えて基板中央部にも嵌合部を設けた例である。
【００６９】
本実施の形態の液晶装置はＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が異なっており、図１１（ａ）に示すように、基板５６の周縁部に嵌合部６３ａを設けたことに加えて、４個の液晶装置を区画する境界線に沿うように多数の嵌合部６３ｂ，６３ｃが配置されている。そして、各嵌合部の密度は、基板周縁部の嵌合部６３ａは全て一定間隔で配置されているが、前記境界線に沿って並ぶ嵌合部６３ｂ，６３ｃは基板周縁部から中央部にいく程密度が高くなっている。
【００７０】
本実施の形態のように、基板中央部の嵌合部の密度よりも基板周縁部の嵌合部の密度の方を小さくした場合、第５の実施の形態における基板周縁部の嵌合部を小さくした場合の作用と同様、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が小さくなる。したがって、本構成においては、２枚の基板本体の材質が異なっていても、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が弱いために応力が緩和され、セルギャップを均一に保った状態で基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００７１】
また、ＴＦＴアレイ基板と対向基板の基板本体の材質が同じ場合には図１１（ａ）とは逆に、図１１（ｂ）に示すように、嵌合部６３ｄ，６３ｅの密度を基板周縁部から中央部に向けて小さくすればよい。
上述した基板本体の材質が異なる場合の作用とは逆に、基板周縁部の嵌合部の密度の方が大きいと、両基板の拘束力は基板中央部より基板周縁部の方が大きくなるが、基板の熱伸縮による応力は基板中央部よりも基板周縁部の方が大きい。したがって、本構成においては、大きな応力が発生する基板周縁部側で基板の拘束力が強いため、基板のずれを確実に抑制することが可能になる。
【００７２】
［電子機器］
以下、本発明の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１２は、携帯電話の一例を示した斜視図である。
図１２において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１３は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。
図１３において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１４は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
図１４において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
図１２から図１４に示す電子機器は、上記の液晶装置を用いた液晶表示部を備えたものであるので、表示品位の高い電子機器を実現することができる。
【００７３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記第１の実施の形態ではＴＦＴアレイ基板側に凹部、対向基板側に凸部を設けた例を示したが、これとは逆にＴＦＴアレイ基板側に凸部、対向基板側に凹部を設けてもよい。凹部や凸部を膜厚の厚い１層の膜のみで構成するのではなく、２層以上の積層膜で構成してもよい。また、上記実施の形態では凹部や凸部をアクリル膜、ポリイミド膜等の有機材料膜で形成する例を示したが、これらの材料に代えてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料膜を用いてもよい。さらに、嵌合部の形状や形成位置等に関しても、上記実施の形態で例示したものの他に、適宜設計変更が可能である。上記実施の形態では液晶装置の例を示したが、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等、他の電気光学装置に本発明を適用することも可能である。
【００７４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、一方の基板に凸部が設けられる一方、他方の基板に前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられているので、例えば従来のアライメントマークのように、各基板の対応する位置に予め凸部と凹部を形成しておき、これらを嵌合させれば２枚の基板の位置合わせを行うことができる。そして、２枚の基板を重ね合わせた状態ではこれら基板が動きにくくなるので、組立工程で生じる貼り合わせずれを防止することができる。また、凸部の高さや凹部の深さを予め所定の値に調整しておけば、ギャップの制御を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態の液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板における隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】 同、液晶装置の対向基板の平面図である。
【図４】 図２および図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図５】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを説明するための工程断面図である。
【図６】 同、液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図７】 本発明の第２の実施の形態の液晶装置における嵌合部の形状を示す平面図である。
【図８】 本発明の第３の実施の形態の液晶装置における嵌合部の配置を示す平面図である。
【図９】 本発明の第４の実施の形態の液晶装置を示す図であって、（ａ）全体構成図、（ｂ）シール材の部分の拡大図、（ｃ）（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿う断面図、である。
【図１０】 本発明の第５の実施の形態の液晶装置を示す図であって、（ａ）２枚の基板の材質が異なる場合、（ｂ）２枚の基板の材質が同じ場合、に好適な構成例である。
【図１１】 本発明の第６の実施の形態の液晶装置を示す図であって、（ａ）２枚の基板の材質が異なる場合、（ｂ）２枚の基板の材質が同じ場合、に好適な構成例である。
【図１２】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１３】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の他の例を示す斜視図である。
【図１４】 本発明の液晶装置を用いた電子機器のさらに他の例を示す斜視図である。
【図１５】 従来の液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【図１６】 従来の液晶表示装置の組立工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
１ 画素電極
２ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３ データ線
４ 走査線
５ 蓄積容量部
６ 容量線
７ ＴＦＴアレイ基板
８ 半導体層
１５ 対向基板
１６ 液晶（電気光学材料）
２８，５７ シール材
４０ 液晶装置
５０，６１ 凹部
５１，６０ 凸部
５２，５３，５４，５５，５８，５９，６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ，６２ｅ，６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｅ 嵌合部
５６ 基板
Claims (17)
- 互いに対向する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記一対の基板の貼り合わせずれを防止するための凸部が設けられ、他方の基板には前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部とが嵌合しており、
前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されたものであり、
前記凸部および前記凹部には、その嵌合部における前記凸部と前記凹部との接触面積を増大させたことによりその嵌合をより強固にする嵌合強化部が付加されていることを特徴とする電気光学装置。 - 互いに対向する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記一対の基板間を所定の間隔に保持するための凸部が設けられ、他方の基板には前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部とが嵌合しており、
前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されたものであり、
前記凸部および前記凹部には、その嵌合部における前記凸部と前記凹部との接触面積を増大させたことによりその嵌合をより強固にする嵌合強化部が付加されていることを特徴とする電気光学装置。 - 互いに対向する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記一対の基板の貼り合わせずれを防止するとともに前記一対の基板間を所定の間隔に保持するための凸部が設けられ、他方の基板には前記凸部に嵌合し得る凹部が設けられ、前記凸部と前記凹部とが嵌合しており、
前記凹部は、前記他方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成され、前記他方の基板上において平坦化膜として用いられる層間絶縁膜が掘り下げられて形成されたものであり、
前記凸部および前記凹部には、その嵌合部における前記凸部と前記凹部との接触面積を増大させたことによりその嵌合をより強固にする嵌合強化部が付加されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板本体の材質が互いに異なる一対の基板上に複数の凸部および複数の凹部がそれぞれ設けられ、基板中央部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の接触面積よりも基板周辺部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の接触面積の方を小さくしたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気光学装置。
- 基板本体の材質が互いに異なる一対の基板上に複数の凸部および複数の凹部がそれぞれ設けられ、基板中央部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の密度よりも基板周辺部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の密度の方を小さくしたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気光学装置。
- 基板本体の材質が同一である一対の基板上に複数の凸部および複数の凹部がそれぞれ設けられ、基板中央部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の接触面積よりも基板周辺部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の接触面積の方を大きくしたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気光学装置。
- 基板本体の材質が同一である一対の基板上に複数の凸部および複数の凹部がそれぞれ設けられ、基板中央部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の密度よりも基板周辺部に位置する前記凸部と前記凹部との嵌合部の密度の方を大きくしたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気光学装置。
- 前記凸部および前記凹部が各基板における画像表示領域外の周辺部のみに設けられたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気光学装置。
- 前記電気光学材料が液晶であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の電気光学装置。
- 前記凸部および前記凹部が前記液晶を封止するシール部の内部に設けられたことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
- 前記凸部の高さもしくは前記凹部の深さが１μｍないし１０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の電気光学装置。
- 前記凸部が前記一方の基板を構成する１層または複数層の膜材料から形成されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の電気光学装置。
- 前記凸部が樹脂材料膜からなることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
- 前記凸部が無機材料膜からなることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
- 前記凹部が樹脂材料膜からなることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の電気光学装置。
- 前記凹部が無機材料膜からなることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の電気光学装置。
- 請求項１ないし１６のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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