TW201034183A - Method of manufacturing display device and display device - Google Patents

Description

201034183 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 . 本發明係有關於一種製造一顯示裝置，較佳地爲一有 機EL(電激發光）顯示裝置，一液晶顯示裝置及類此者的 方法，及有關於該顯示裝置。 【先前技術】 φ TFT(膜電晶體）基材良率上的改善在現今製造FPD(平 板顯示器）中是一項重大的課題。例如，在一用於有機EL 顯示裝置的TFT基材的例子中，因爲除了訊號線及掃描 . 線之外還有多條電位供應線存在，所以在一像素中的佈線 密度被提高，使得一像素結構被極度複雜化，導致缺陷產 品的可能性極高。在另一方面，即使是在一用於液晶顯示 裝置的TFT基材的例子中，在顯示裝置尺寸上的增加及 在像素解析度上的提高係在顯示裝置的尺寸被增加至一相 φ 當於一電漿顯示裝置的尺寸的程度的假設上而被向前推 進，且缺陷的數量因而被增加，因此在良率上的顯著降低 是目前一個重要的問題。 一種發生的可能性很高的缺陷包括層間短路。該層間 ' 短路意指一種上及下導電膜在一個該上及下導電膜彼此相 • 交叉或重疊的位置處經由一絕緣膜的缺陷或一非絕緣異物 的污染而被電連接的現象。此短路通常發生在例如佈線線 路之間的交叉點內或在保存電荷的電容器內，且在該有機 EL顯示裝置的例子中特別是有很高的可能性是發生在電 -5- 201034183 容器內。其原因是，與液晶顯示裝置比較起來，由於在驅 動方法上不同於液晶顯示裝置，所以在有機EL顯示裝置 中，電容器區域很大。當層間短路發生在該電容器中時， 部分的像素不會發光，或部分的像素與周圍的像素比較起 來會發出極亮的光，導致影像顯示效能極端下降。

製程的管理，譬如像是減少異物，被嘗試用以抑制此 缺陷產生。然而，該缺陷產生難以完全避免。因此，在一 TFT基材的製造中，一修復缺陷的步驟（修復步驟）目前是 必要的。例如，日本專利未審申請案，公開第 2001 -77 1 98(JP-A-200 1 -77 1 98)號及日本專利未審申請案，公開 第 1 1 -2 8 20 1 0( JP-A- 1 1 -2820 1 0)號分別揭露一種藉由雷射 照射來修復層間短路的方法。 【發明內容】 然而，在JP-A-2〇01-77l98中，上及下線路中的一者 被雷射照射切斷，然後一旁通線路被形成，這導至一複雜 化的處理。在 JP-A- 1 1 -28201 0的方法中，上及下線路中 的一者被雷射照射切斷，然後該等線路被重新連接至一預 先提供的冗餘線路，這導致—個困難，即很難在原已具有 高佈線密度之有機EL顯示裝置的佈線板上確保一用於該 冗餘線路的空間。 再者，JP-A-2001-77198 及 JP-A-11-282010 兩者的方 法都是有關於在佈線線路之間的交叉點內的缺陷修復，且 修復在電容器內的缺陷的方法尙未在過去被發展出來。 -6- 201034183 提供一種製造一顯示裝置是所想要的，其中形成在一 佈線板的電容器內或佈線線路之間的交叉點內的層間短路 可被修復，及提供一種顯示裝置是所想要的，其中由佈線 板的電容器內的層間短路所造成的缺陷顯示可被修復。 一種依據本發明的實施例之製造一顯示裝置的方法包 括形成一佈線板，該佈線板依序在一基材上具有一下導電 膜，一絕緣膜及一上導電膜，修復在該上導電膜與該下導 電膜之間被短路的層間短路，及形成顯示元件於該佈線板 上，其中一具有1 0微微秒或更小的脈衝寬度的雷射光在 該修復該層間短路的步驟中被照射至一包括該層間短路之 內含短路的（short-included)區域，用以去除掉在該內含短 路的區域內的該下導電膜，該絕緣膜與該上導電膜中的至 少該上導電膜，等步驟。 一種依據本發明的實施例的顯示裝置包括一佈線板其 依序在一基材上具有一下導電膜，一絕緣膜及一上導電 _ 膜，及被形成在該佈線板上的顯示元件，其中該佈線板包 括像素驅動電路，每一像素驅動電路具有電晶體，每一電 晶體包括該下導電膜，該絕緣膜及該上導電膜，及一電容 器其包括該下導電膜，該絕緣膜及該上導電膜，及該等顯 示元件’及該電容器具有一開孔，該開孔內的該下導電 膜，該絕緣膜及該上導電膜中的至少該上導電膜被去除 掉。 依據本發明的實施例的該顯示裝置，在該佈線板內的 電容器的開孔內’該下導電膜，該絕緣膜及該上導電膜中 201034183 的至少該上導電膜被去除掉，因此在製程中形成的層間短 路被確實地修復。這因而可抑制該電容器中的層間短路所 造成缺陷顯示，例如，抑制部分像素不發光，或部分像素 相較於周圍的像素發出過亮的光線的現象。 依據本發明的實施例之製造一顯示裝置的方法，該具 有1 〇微微秒或更小的脈衝寬度的雷射光在該修復該層間 短路的步驟中被照射至一包括該層間短路之內含短路的區 域，用以去除掉在該內含短路的區域內的一下導電膜，一 © 絕緣膜與一上導電膜中的至少該上導電膜，因此形成在一 佈線板的電容器內或在佈線線路之間的交叉點內的層間短 路可被修復。 依據本發明的實施例的該顯示裝置，因爲在該佈線板 內的電容器具有該開孔，該下導電膜，該絕緣膜及該上導 電膜中的至少該上導電膜會在該開孔處被去除掉，所以由 該電容器中的層間電短路所造成的缺陷顯示可被抑制。 本發明的其它的進一步的目的，特徵及優點從下面的 · 描述中將更完整地顯示。 【實施方式】 本發明的實施例將於下文中參考圖式加以詳細描述。 描述將依下面的順序來提供。 1. 第一實施例（電容器；照射雷射至一內含短路的區 域的例子） 2. 第二實施例（電容器；決定層間短路的尺寸，及照 -8- 201034183 射雷射至一包含該層間短路的框架區的例子） 3 .第三實施例（路線之間的交叉點；照射雷射至一內 含短路的區域的例子） 4 ·第四實施例（路線之間的交叉點；照射雷射至一包 含一層間缺陷的框架區的例子） 第一實施例 φ 圖1顯示依據本發明的第一實施例的顯示裝置的結 構。該顯示裝置被用於一超薄有機發光彩色顯示裝置或類 此者’且例如具有多個有機發光元件10R，10G及1〇B， 其在稍後被描述爲在一佈線板1上的發光元件。該等有機 發光元件10R，10G及10B被設置成在該佈線板丨的中心 的一顯示區110內的矩陣形狀。 在該佈線板1中’一像素驅動電路111被形成在一基 材11上的顯示區110內，及一訊號線路驅動電路112及 Φ 一作爲圖像顯示的驅動器之掃描線路驅動電路1 1 3分別被 形成在該顯示區110的周圍。 圖2顯示該像素驅動電路的平面結構的例子。該 像素驅動電路111在一包括玻璃或類此者的基材Η上依 序具有一下導電膜120’ 一緣膜131(未示於圖2中，參見 圖3)»及一上導電膜140。在此說明書中，在圖2及其它 圖的平面中’該下導電膜1 20係以向下傾斜的剖面線來標 示’及該上導電膜1 4 0係以向上傾斜的剖面線來標示，用 以在該下導電膜120與該上導電膜140之間作出區別。 -9 - 201034183 該下導電膜120包括每一掃描線121及與其相連的線 路，即，一電容器（保存電容値）CS的下電極122的線 路，及一寫入電晶體Trl及一驅動電晶體Tr2的每一者的 閘極。該下導電膜120具有一例如約1〇〇奈米的厚度且包 括鉬（Mo)。該絕緣膜131具有一例如約3 00奈米的厚度且 包括二氧化矽（S i Ο 2)。 該上導電膜140包括訊號線141，及源極電位供應線 142及與其連接的線路，即，該電容器CS的一上電極的 @ 線路，及該寫入電晶體Trl及驅動電晶體Tr2的每一者的 源極與汲極。該上導電膜140包括例如一厚度爲50奈米 的鈦（Ti)層，一厚度爲900奈米的鋁（A1)層，及一厚度爲 50奈米的鈦（Ti)層的堆疊式膜，且該堆疊式膜的總厚度例 如約爲1000奈米。 一絕緣膜132(未示於圖2中，參見圖3)可被形成在 該下導電膜120，該絕緣膜131，及該上導電膜14〇的每 一者上。該絕緣膜132具有一例如約300奈米的厚度且包 @ 括氮化矽（SiN)。 圖3顯示該電容器CS的剖面結構的例子。該電容器 CS具有一開孔1 6 1，在該開孔內的該上電極1 43，該絕緣 膜131及該下電極122都被去除掉。因此’在該顯示裝置 中，由該電容器CS內的層間短路所造成的缺陷顯示可被 抑制。 該開孔1 6 1是一個被留下來當作在製程期間修理形成 在該電容器CS內的層間短路時造成之修復記號的開孔’ -10" 201034183 因此並不一定會被形成在所有有機發光元件1 OR， 1 0B的像素驅動電路111的每一電容器CS中。 圖4顯示該電容器CS的剖面結構的另一例子 開孔161中’只有該上電極143，該絕緣膜131及 極122中的上電極I43被去除掉。在此例子中，一 間短路的異物162可被留在該絕緣膜131及該下電 中。 φ 在該開孔161中’該上電極143，該絕緣膜1: 下電極122較佳地是如圖3所示地被去除掉，而不 4所示地只有上電極143被去除掉。這是因爲這樣 穩定且確實的修復。詳言之，當下電極122如圖4 沒有被完全去除掉時，一構成該下電極122的導電 被擴散至該絕緣層131中，導致與該上電極143 — 短路。 圖5顯示圖2中所示之像素驅動電路ill的一 φ 路。該像素驅動電路111被形成在一將於稍後描述 電極13底下，且是一主動式驅動電路其具有該寫 體Trl，該驅動電晶體Tr2，及介於該等電晶體之 電容器（保持電容）CS，及一有機發光元件l〇R(l〇G 其經由該驅動電晶體Tr2連接至該源極電位供 142 ° 該寫入電晶體Trl的一閘極被連接至該掃 121。該寫入電晶體Trl的源極與汲極中的一者被 該訊號線路1 4 1，及另一者經由一連接孔1 5 1被連 10G及 。在該 該下電 造成層 :極 122 51及該 是如圖 可以有 所示地 物質可 可能的 等效電 的第一 入電晶 間的該 或 1 0B) 應線路 描線路 連接至 接至該 -11 - 201034183 電容器CS的上電極133及連接至該驅動電晶體Tr2的閘 極。該電容器CS的下電極122經由一連接孔152被連接 至該源極電位供應線路1 42。該驅動電路Tr2的源極與汲 極中的一者被連接至該源極電位供應線路142，及另一者 被連接至該有機發光元件l〇R(l〇G或10B)之將於稍後描 述的第一電極13。 掃描線路1 2 1主要是被設置在橫列方向上，及訊號線 路1 4 1與源極電位供應線路1 42主要是被設置在縱行方向 (與掃描線路121垂直的方向）上。每一訊號線路141與每 一掃描線路1 2 1之間的交叉點都對應於一個像素，即，有 機發光元件l〇R，10G，及10B中的一者。每一訊號線路 141被連接至該訊號驅動電路112，及一影像訊號DS從 該訊號線路驅動電路112經由該訊號線路141被提供至該 寫入電晶體Trl的一源極電極。每一掃描線路121都被連 該掃描線路驅動電路113，且掃描訊號SS從該掃描線路 驅動電路113經由該掃描線路121被依序地提供至該寫入 電晶體Trl的閘極電極。 圖6顯示該顯示區110的剖面結構。在該顯示區11〇 中，發紅光的該有機發光元件1 〇R，發綠光的該有機發光 元件10G及發藍光的該有機發光元件10B被依次大致形 成一矩陣圖案。有機發光元件10R，10G及10B每一者都 具有例如一條帶狀（矩形）平面形狀，且針對每一發光顏色 被安排成在一縱長方向上的直線。彼此鄰接的有機發光元 件10R，10G及10B的一個組合被建構成一個像素。 201034183 有機發光元件10R，10G及10B中的每一者都具有一 結構，其中該像素驅動電路1 1 1的驅動電晶體Tr2，一平 坦化層1 2 ’作爲一陽極的第一電極1 3，一絕緣膜1 4，一 包括稍後將被描述的發光層的有機層15，及一作爲陰極 的第二電極1 6依照此順序從一基材1 1側被堆疊。 當有必要時，該等有機發光元件10R，10G及10B被 一保護膜17，譬如氮化矽（SiN)或氧化矽（SiO)，覆蓋，再 ^ 者，一包括玻璃或類此者的密封基材30藉由一包括熱固 性樹脂或可紫外線固化的樹脂的黏著層20而被黏合至該 保護膜17的整個表面上，以密封該等發光元件。一彩色 濾光片31及一作爲黑色矩陣的光遮蔽膜（未示出）在有必 要時可被設置在該密封基材30上。 該驅動電晶體Tr2經由一設置在該平坦化層12內的 連接孔12A而被連接至該第一電極13。該平坦化層12將 其上形成有該像素驅動電路111及類此者的佈線板1的表 φ 面平坦化，且因爲連接孔12A被形成在該平坦化層內所 以其較佳地包括一提供高圖案精確度的物質。該平坦化層 1 2的一成分物質包括例如一有機物質，如聚醯亞胺，或 無機物質，如二氧化矽（Si02)。 該第一電極13係相對應於有機發光元件10R，l〇G 及10B的每一者被形成。該第一電極13更具有一反射層 的功能，且包括像是鉑（Pt)，金（Au)，鉻（Cr)，銅（Cu)， 鎢（W)的金屬，或它們的合金。該絕緣膜1 4確保介於該第 一電極13與該第二電極16之間的隔離，且將有機發光元 -13- 201034183 件10R，10G及10B的每一者的發光區的形狀精確地作成 所想要的形狀，且包括聚醯亞胺。 例如，該有機層15具有一結構，其中一電洞輸送 層’一發光層，及一電子輸送層依此順序從一第一電極 13側被堆疊。該電洞輸送層改善電洞進入該發光層的電 洞注入效率。該發光層被施加一電壓，藉此一電子與一電 洞的再結合造成光的產生。該電子輸送層改善電子進入該 發光層中的電子注入效率。該有機發光元件10R的電洞輸 送層的成分物質包括例如二[N-萘基]-N-苯基]聯苯胺（α-NPD)’該有機發光元件1 0R的發光層的成分物質包括例 如2,5-二[4-[N-(4-甲氧苯基）-N-苯胺基]]苯乙烯基苯_1，4 二腈（B SB) ’及該有機發光元件10R的電子輸送層的成分 物質包括例如8-羥基喹啉鋁錯合物（Alq3)。該有機發光元 件10B的電洞輸送層的成分物質包括例如α-NPD，該有機 發光元件10B的發光層的成分物質包括例如4,4’-二（2,2’_ 二苯基伸乙烯基）聯苯（DPVBi)，及該有機發光元件10B的 電子輸送層的成分物質包括例如Alq3。該有機發光元件 10G的電洞輸送層的成分物質包括例如α-NPD，該有機發 光元件1 0G的發光層的成分物質包括例如混合了 I體積％ 的香豆素6(C6)的Alq3，及該有機發光元件10G的電子輸 送層的成分物質包括例如Alq3。 該第二電極16包括一半透明的電極，及產生在該發 光層中的光係從一第二電極16側被擷取。該第二電極16 包括像是銀（Ag)，鋁（A1)，鎂（Mg)，鈣（Ca)或鉀（Na)的金 201034183 屬，或它們的合金。 該顯示裝置可用例如下面的方式來製造。 _ 形成佈線板的步驟 首先，包括上述物質的基材11被製備’及一約100 奈米的鉬膜被形成，然後藉由光鈾刻（photolith〇graPhy)被 形塑成一預定的圖案。因此，該下導電膜120被形成，該 導電膜包括每一掃描線路121及與其相連接的線路’即， 該電容器CS的下電極122的線路’及該寫入電晶體Trl 與該驅動電晶體Tr2的每一者的閘極。在彼時’該下電極 122可被黏附著該導電的異物162。 . 接下來，具有上述厚度且包括上述物質的該絕緣膜 131被形成在該下導電膜120。在彼時’該異物162不一 定完全被該絕緣膜131所覆蓋，且可被部分地從該絕緣膜 131露出。 接下來，一鈦（Ti)層，一鋁（Α1)層，及一鈦（Ti)層的 φ —堆疊膜被形成在該絕緣膜131上且具有一約1000奈米 的總厚度，然後藉由光蝕刻被形塑成一預定的圖案。因 此，該上導電膜140被形成，該導電膜包括每一訊號線路 141，及每一源極電位供應線路142及與其相連接的線 ' 路，即，該電容器CS的上電極143的線路，及該寫入電 • 晶體Trl與該驅動電晶體Tr2的每一者的源極與汲極。因 此，具有像素驅動電路111於該基材11上的該佈線板1 被形成。該訊號線路驅動電路1 1 2與該掃描線路驅動電路 113可藉由相同的處理被形成在該像素驅動電路ill內。 -15- 201034183 修復層間短路的方法 在該處理中，該下電極122經由異物162與該上電極 143被短路的該層間短路163可如圖7A及7B所示地發生 在該電容器CS中。因此，該層間短路163的存在係藉由 例如一電測試來加以檢驗，然後藉由光學測試來取得該層 間短路的位置及尺寸。該電測試可藉由例如一使用一陣列 的測試元（電玻璃基材測試元）的電荷偵測方法來實施。在 該電荷測試方法中，所有像素都以與實際操作時實質相同 的方式用電荷寫入，且被寫入的電荷在特定的時間之後被 讀出，且每一像素的缺陷可從電荷的轉變中加以決定。在 光測試中，層間短路1 63的位置及尺寸藉由例如圖案檢驗 來加以檢測。該圖案檢驗是以一種該像素驅動電路1 1 1被 一分光鏡放大（magnified)，且被放大的影像被一· CCD(電 荷耦合裝置）攝像機或類此者攝取，且異常處藉由影像處 理加以偵測（即，相鄰像素之間在影像上的差異被評估）， 及當發現重大的差異時相關的像素被判定爲是有缺陷的的 方式來實施。該層間短路163的成因除了如上文所述在光 蝕刻步驟期間因爲導電異物1 62而產生的缺陷之外還可包 括該絕緣膜131的缺陷。 然後’該層間短路1 63被一修復裝置修復。圖8顯示 —修復裝置8 00的結構。該修復裝置8 00包括例如一用來 觀察該層間短路163的光學系統810，一運動機構820其 將該光學系統810相對於該佈線板1移動，及一用來修復 該層間短路163的修復機構830。該光學系統819包括例 201034183 如一物鏡811。該運動機構820包括例如一Χ-Υ桌台。 該修復機構8 3 0包括例如一局部修復區段8 3 1其被設 置在介於該運動機構820上的佈線板1與該物鏡811之 間。該局部修復區段8 3 1具有位在該物鏡8 1 1底下的一視 窗8 3 1 Α及一雷射照射室8 3丨β，及該層間短路丨6 3可經由 該視窗831 A被觀察到，或雷射光LB可被照射以經由它 來實施一修復步驟。 φ 該修復機構8 30進一步具有一用於剌射處理的脈衝雷 射光源832 ’ 一用於雷射CVD處理的CW(連續波）雷射光 源83 3，一局部評估系統8 3 5，一壓縮氣體供應系統 836’ 一壓縮氣體排放系統837，及一沖洗氣體供應系統 8 3 8 〇 該脈衝雷射光源8 3 2可產生具有1 〇微微秒或更小的 脈衝寬度之雷射光LB。該局部評估系統83 5局部地評估 該雷射照射室83 1 B用以排出被雷射處理去除之佈線物 φ 質。該壓縮氣體供應系統836藉由使用一包括鈍氣（譬如 像是氬氣（Ar)或氮氣（N2))的壓縮氣體G1來飛升（fly)該局 部修復區段831。該壓縮氣體排放系統837將該壓縮氣體 G1排放掉並藉以形成一具有極大的彈簧係數的彈簧於該 局部修復區段8 3 1與該佈線板1之間，使得該局部修復區 段83 1的飛升高度D的變化被抑制以提高飛升的剛性。 該沖洗氣體供應系統83 8將一沖洗氣體G2(譬如像是氬氣 (Α〇)吹送至該視窗831 A以抑制被雷射處理去除掉的佈線 物質黏附到該視窗上。該修復機構8 3 0在有需要時可具有 -17- 201034183 一用來提供一用於雷射CVD處理的氣體之沉積物質供應 系統，或一用於金屬顆粒塗覆處理的塗覆液體供應系統 (這兩個系統未被示出）。 如圖9所示，該局部修復區段831的底部具有一空氣 吹送區831C其包括用來吹送該包括氮氣（N2)或類此者的 壓縮氣體G1的多孔鋁，及一壓縮氣體抽吸孔83 1D用來 排放流入到一靠近該雷射光LB的照射位置的區域內的壓 縮氣體G1。該空氣吹送區段831C藉由該壓縮氣體G1來 將該局部修復區段831相對於該佈線板1飛升。該壓縮氣 體抽吸孔831D抽吸該壓縮氣體G1，並將該氣體經由該壓 縮氣體排放系統837排出。 該修復裝置8 00可例如以下面的方式來修復辭間短路 163° 首先，該局部修復區段831較佳地在實施修復之前先 被升高例如約100微米。這是因爲即使翹曲或腫脹被形成 在該佈線板1上，該佈線板1都可被防止與該局部修復區 @ 段83 1接觸並受損。爲了要將該局部修復區段83 1飛升， 例如氬氣（Ar)或氮氣（N2)從該壓縮氣體供應系統8 3 6被供 應作爲壓縮氣體G1，及該壓縮氣體G1經由該空氣吹送區 段831C被吹送至該運動機構82〇。 又’該視窗83 1 A較佳地用該沖洗氣體供應系統838 提供之作爲沖洗氣體G2的20Occm的氮氣加以吹刮。 接下來，該運動機構820被移動於水平方向上，且該 佈線板1因而被插入到介於該局部修復區段831與該運動 18 - 201034183 機構820之間的空間內。接下來，該壓縮氣體排放系統 837開始排氣，且該壓縮氣體G1的壓力或流率被閥83 7A 所控制，使得該局部修復區段8 3 1的飛升高度D被調整 至例如20微米。 然後，如圖1 〇所示，該具有1 〇微微秒或更小的脈衝 寬度之雷射光LB被照射至包一包括該層間短路1 63的內 含短路的區域1 64，亦即，該雷射光照射涵蓋該層間短路 163。圖11顯示作爲該上導電膜14〇(上電極143)的主要 成分物質的鋁（A1)的脈衝寬度與熱擴散長度之間的關係。 該熱擴散長度被表示爲熱擴散長度[# m] = 2,熱擴散率 [m2/sec]*脈衝寬度[sec]。鋁的熱擴散率被假設爲9.98* l(T4m2/Sec。該熱擴散長度較調整至.01微米或更小以防止 該上導電膜140(上電極143)與下導電膜120(下電極122) 之間的短路。爲了要達到此目標，該雷射光LB的脈衝寬 度可被調整至1 0微微秒或更小，如可從圖1 1被得知。 該雷射光LB的每一脈衝的能量密度較佳地被調整至 〇.3J/cm2至0.5J/cm2。其理由係如下所述。當該能量密度 小於0.3 J/cm2時，因爲能量密度一物質的處理門檻値， 所以處理無法被實施。當能量密度大於0.5 J/cm2時，物 質就傾向於被熔化，因此下電極122會與上電極143短 路。 §羊Θ之’該雷射光LB被調整至波長爲400奈米》重 覆率爲500Hz，脈衝寬度爲3微微秒，且照射光束形狀爲 1 0微米平方，且在靜止時以4000脈衝的輸出照射約8秒 -19- 201034183 鐘’同時在該佈線板1的一表面上的能量密度被設定爲 〇·2 J/cm2。該雷射光LB被一孔徑（未示出）塑形且被照 射，同時使用該光學系統810之具50倍放大率的物鏡 811加以觀察且操作距離爲15公釐。 因此，在該內含短路的區域164內的該下電極122, 該絕緣膜131及該上電極143被去除掉，因此該層間短路 1 6 3被修復，使得該開孔1 6 1如圖2及3所示地被形成。 或者，如圖4所示，只有該內含短路的區域164內的該下 電極122，該絕緣膜131及該上電極143中該上電極143 被去除掉。在此例子中，該雷射光LB被調整爲波長爲 4〇〇奈米，重覆率爲500Hz，脈衝寬度爲3微微秒，且照 射光束形狀爲10微米平方，且在靜止時以4000脈衝的輸 出照射約8秒鐘，同時在該佈線板1的表面上的能量密度 被設定爲0.03 JT/cm2。 形成有機發光元件10R，10G及10B於佈線板1上的 步驟 以此方式，在該佈線板1上的層間短路1 63被修復。 然後，如圖1 2A所示，光敏樹脂被覆蓋在該佈線板〗的 整個表面上，以形成該平坦化層12，及該平坦化層藉由 曝光及顯影，然後烘烤而與連接孔12A的形成同時地被 預先地圖案化。 在該平坦化層12被形成之後，包括上述物質的該第 一電極1 3藉由例如濺鍍方法被形成且藉由例如蝕刻而被 形塑成一預定的圖案，如圖12B所示。 -20- 201034183 在第一電極13被形成之後，光敏樹脂被塗覆在該平 坦層1 2的整個表面上，然後開孔藉由例如光蝕刻而相對 應於該等發光區域被形成，然後該光敏樹脂被烘烤，使得 該絕緣膜1 4被形成，如圖1 3 A所示。 在該絕緣膜14被形成之後，該包括電洞注入層，電 洞輸送層，該發光層，該電子輸送層，及該電子注入層 (每一層都具有上述的厚度及包括上述的物質）的有機層 秦 15，及該第二電極被依序地形成，如圖13B及14A所 示。該等有機發光元件10R，10G及10B因而被形成。 在該等有機發光元件l〇R，10G及10B被形成之後， 包括上述物質的該保護膜17藉由例如蒸鍍方法或CVD方 法而被形成，如圖14B所示。 再者，一紅色濾光片的物質藉由旋轉塗佈或類此者被 塗覆在包括上述物質的該密封基材30上，然後該被塗覆 的物質藉由光蝕刻技術及烘烤被圖案化，該紅色濾光片藉 φ 此被形成。接下來，一綠色濾光片及藍色濾光片用與紅光 濾光片相同的方式被依序形成，以形成該彩色濾光片 3 1° 然後，該黏著層20被形成在該保護層17上，然後該 密封基材3 0用位在該密封基材與該保護膜1 7之間的黏著 層20黏著至該保護膜17。示於圖1至6的該顯示裝置因 而被完成。 在以此方式形成的顯示裝置中，該掃描訊號SS從該 掃描線路驅動電路1 1 3經由該顯入電晶體Tr 1的閘極被提 -21 - 201034183 供至每一像素，及該影像訊號DS從該訊號線路驅動電.路 112經由該寫入電晶體Trl被提供至該保存電容CS，且被 該保存電容CS所保存。詳言之，該驅動電晶體Τι:2根據 該保存電容SC所保存的訊號而被控制成開或關，驅動電 流被注入每一有機發光元件10R，10G及10Β，且一電洞 與一電子的再結合因而發生，這導致發光。該被發出的光 被該第二電極16，該彩色濾光片31及該密封基材30傳 輸，然後被擷取。 g 以此方式，在製造依據此實施例之顯示裝置的方法 中，該具有1〇微微秒或更小的脈衝寬度的雷射光LB在 修復該層間短路163的步驟中被照射至包括該層間短路的 內含短路的區域164，用以去除掉在該內含短路的區域 164內之該下電極122，該絕緣膜131及該上電極143中 的至少該上電極143，因此，形成在該佈線板1的電容器 CS中的層間電極163可被修復。 詳言之，在該內含短路的區域164內之該下電極 _ 122，該絕緣膜131及該上電極143被去除掉可獲得穩定 及確實的修復。 根據此實施例的顯示裝置，因爲在該佈線板1內的該 電容器CS具有開孔161 (在該處之該下電極122，該絕緣 膜 及該上電極143中的至少該上電極143被去除 掉），所以由該電容器CS內的層間短路163所造成的缺陷 顯示可被抑制。 -22- 201034183 第二實施例 圖15顯示一依據本發明的第二實施例的顯示裝置的 像素驅動電路111的平面結構的例子。除了電容器CS具 有一溝槽165之外’該顯示裝置具有與第一實施例相同的 結構。因此’相對應的構件係以相同的標號或符號來描 述。 圖16顯示該電容器CS的一剖面結構的例子。在該 φ 電容器中，層間短路163被直接留下來，且溝槽165將該 層間短路163圏圍起來。在該溝槽165中，一上電極 143，一絕緣膜131及一下電極122被去除掉。因此，在 該顯示裝置中，由該電容器CS中的層間短路所造成的缺 陷顯示就可如第一實施例般地被抑制。 該溝槽1 6 5是一被留下來當作在製程期間修理該形成 在該電容器C S內的層間短路時造成之修復記號的溝槽， 因此並不一定會被形成在所有有機發光元件1 0R，10G及 _ 10B的像素驅動電路111的每一電容器CS中。 圖1 7顯示該電容器C S的剖面結構的另一例子。在 該溝槽165中，只有該上電極143，該絕緣膜131及該下 電極122中的上電極143被去除掉，如同在開孔161中一 般。在此例子中，一造成層間短路的異物162可被留在該 絕緣膜I3〗及該下電極122中。 在該溝槽165中，該上電極143，該絕緣膜131及該 下電極1 22較佳地是如圖1 6所示地被去除掉，而不是如 圖17所示地只有上電極143被去除掉。這是因爲這樣可 -23- 201034183 以有穩定且確實的修復。 該溝槽1 65與該開孔1 6 1可被結合在同一佈線板1或 同一顯示裝置中。在此例子中，該溝槽165及該開孔161 可如下面的製造方法中所描述的較佳地根據層間短路163 的尺寸被適當地使用。 該顯示裝置可例如以下面的方式來加以製造。 形成佈線板的步驟 首先，一下導電膜120，該絕緣膜131及一上導電膜 140依據圖7A及7B所示的步驟被形成在一基材11上， 使得一佈線板1被形成爲與第一實施例的佈線板一樣。 修復層間短路的步驟 接下來，該層間短路1 63的存在係藉由例如一電測試 來加以檢驗，然後藉由光學測試來取得該層間短路的位置 及尺寸（步驟S101)。 然後，該層間短路1 63藉由使用示於圖8及9的修復 裝置來加以修復。在彼時，一種照射雷射光LB的方法較 佳地根據該層間短路1 63的尺寸被實施。這是因爲無論該 層間短路的尺寸爲何，該層間短路1 63都可藉此被確實地 修復。 詳言之，如圖1 8所示，一特定的門檻値（例如，如 20微米平方）被設定爲該層間短路163的尺寸，且該層間 短路163的尺寸是不大於或大於該門檻値被測定。當該層 間短路163的尺寸不大於該門檻値（20微米平方或更小） 時，該雷射光束LB較佳地被照射至該內含短路的區域 -24 - 201034183 164(步驟S 102)。這是因爲處理面積可被最小化，及處理 時間可被縮短，因爲該雷射光LB可在靜止時被照射。在 此例子中，一修復方法與第一實施例的修復方法相同。 相反地，當該層間短路1 6 3的尺寸大於該門檻値（大 於20微米平方）時，該雷射光束LB較佳地被照射至一圍 住該層間短路163的框架區166(步驟S103)。這是因爲當 該層間短路163的尺寸很大時，用來調整該雷射光LB的 ^ 光束形狀的狹縫尺寸可能無法符合該尺寸，或甚至是如果 Ο 該狹縫尺寸符合該尺寸的話，在一不規則平面內的雷射能 量分布會導致修復可靠性的降低。 在此例子中，例如，該雷射光LB被調整成波長爲 4 00奈米，重覆率爲500Hz，脈衝寬度爲3微微秒，及照 射光束形狀爲8微米平方，且該脈衝式雷射LB係在該佈 線板1的表面上的能量密度被設定爲〇.2J/cm2的同時藉由 一具5微米/秒的掃描速率的掃描方法以6個掃描來加以 φ 照射。 因此，在該框架區1 66內的該下電極1 22，該絕緣膜 131及該上電極143被去除掉，使得該層間短路163與該 電容器CS分離，如圖15及16所示的該溝槽165因而被 形成。 或者，只有該框架區166內的該下電極122，該絕緣 膜131及該上電極143中的該上電極143被去除掉，如圖 1 7所示。在此例子中，例如，該雷射光LB被調整成波長 爲400奈米，重覆率爲500Hz，脈衝寬度爲3微微秒，及 -25- 201034183 照射光束形狀爲8微米平方，且該脈衝式雷射LB係在該 佈線板1的表面上的能量密度被設定爲〇.〇3J/cm2的同時 藉由一具5微米/秒的掃描速率的掃描方法以6個掃描來 加以照射。即使是以此方式，該層間短路1 63仍可被修 復，且該溝槽可被形成。 形成有機發光元件10R，10G及10B的步驟

以此方式，在該佈線板1內的層間短路16 3可被修 復。然後，有機發光元件l〇R，10G及10B依據圖12A至 MB所示的方法被製造，使得一顯示裝置可與第一實施例 的顯示裝置一樣地被形成。 該顯示裝置的操作與第一實施例中的相同。

以此方式，根據製造此實施例的顯示裝置的方法，因 爲在修復該層間短路163的步驟中，照射該雷射光LB的 方法隨著該層間短路163的尺寸被改變，所以發生在該佈 線板的電容器CS中的層間短路163無論該層間短路的尺 寸爲何都可被確實地修復。 詳言之，當該層間短路163的尺寸不大於該門檻値 時，該雷射光LB被照射至該內含短路的區域164。因 此，處理面積可被最小化，及處理時間可被縮短，因爲該 雷射光LB可在靜止時被照射。 當該層間短路1 63的尺寸大於該門檻値時，該雷射光 束LB較佳地被照射至該圍住該層間短路1 63的框架區 166。因此，即使是該層間短路163的尺寸很大，修復可 靠性的降低仍可被抑制。 -26-

201034183 再者，因爲在該框架區166內的該下電 緣膜131及該上電極143被去除掉’所以層 定地且確實地修復。 依據此實施例的顯示裝置，在該佈線板 具有該溝槽165(在該處的該下電極122’該 該上電極143中的至少該上電極M3被去玲 電容器CS內的層間短路163所造成的缺 制。 第三實施例 圖20顯示依據本發明的第三實施例的 像素驅動電路111的平面結構的例子。除了 設置在一掃描線路1 2 1與一訊號線路1 4 1 IS內之外，該顯示裝置具有與第一實施例； 因此，相對應的構件係以相同的標號或符號: 圖2 1顯示該交叉點IS的剖面結構的 1 6 1中，該訊號線路1 4 1，該絕緣膜1 3 1 ； 121都被去除掉。因此，由該交叉點IS內 造成的缺陷顯示可在此顯示裝置中被抑制。 該開孔1 6 1是一個被留下來當作在製程 在該交叉點IS內的層間短路時造成之修復 因此並不一定會被形成在所有交叉點IS的每 圖22顯示該交叉點IS的剖面結構的另 該開孔中’只有該訊號線路1 4 1，該絕緣層 極1 2 2，該絕 間短路可被穩 1內的電容器 絕緣膜1 3 1及 我），所以由該 陷顯示可被抑 顯示裝置的一 —開孔1 6 1被 之間的交叉點 泪同的結構。 來描述。 例子。在開孔 &該掃描線路 的層間短路所 期間修理形成 記號的開孔， —者中。 一個例子。在 131及該掃描 -27- 201034183 線路121中的該訊號線路141被去除掉，就如同第一實施 例一樣。在此例子中，一造成層間短路的導電的異物162 可被留在該絕緣層131與該掃描線路121內。 在該開孔1 6 1中，該訊號線路1 4 1，該絕緣層1 3 1及 該掃描線路121較佳地如圖21所示地被去除掉，而不是 如圖22所示地只有該訊號線路141被去除掉。這因爲穩 定且確實的修復可藉此被達成。 該顯示裝置可例如以下面的方式加以製造。 _ 形成佈線板的步驟 首先，一下導電膜120，該絕緣膜131及一上導電膜 140依據圖7A及7B所示的步驟被形成在一基材11上， 使得一佈線板1被形成爲與第一實施例的佈線板一樣。 修復層間短路的步驟 在此步驟中，該層間短路1 6 3 (即，該掃描線路1 2 1 經由該異物162與該訊號線路141短路者）可如圖23A及 23B所示發生在該交叉點IS。因此，該層間短路163的存 q 在係藉由例如一電測試來加以檢驗，然後藉由光學測試來 取得該層間短路的位置及尺寸。 接下來，雷射光LB被圖8及9所示的修復裝置照射 至一內含短路的區域164，用以如圖24所示地修復該層 間短路163。 形成有機發光元件l〇R，10G及10B於佈線板1上的 步驟 在該佈線板1內的層間短路163被修復。然後，有機 -28- 201034183 發光元件10R，10G及10B根據圖12A至14B所示的步 驟被形成，使得一顯示裝置可與第一實施例的顯示裝置一 樣地被形成。 該顯示裝置的操作與第一實施例中的相同。 以此方式，根據製造此實施例之顯示裝置的方法，具 有1 〇微微秒或更小的脈衝寬度的雷射光LB被照射至包 括該層間短路的內含短路的區域164，用以在一修復該層 ® 間短路1 63的步驟中去除掉在該內含短路的區域1 64內之 該掃描線路121，該絕緣膜131及該訊號線路141中的至 少該訊號線路1 41，因此，形成在該佈線板1的交叉點IS 中的層間電極1 6 3可被修復。 詳言之，因爲在該內含短路的區域164內之該掃描線 路121，該絕緣膜131及該訊號線路141被去除掉所以該 層間短路可被穩定及確實地修復。 根據此實施例的顯示裝置，因爲在該佈線板1內的該 _ 交叉點I S具有開孔1 6 1 (在該處之該掃描線路1 2 1，該絕 緣膜1 3 1及該訊號線路1 4 1中的至少該訊號線路1 4 1被去 除掉）’所以由該交叉點IS內的層間短路1 63所造成的缺 陷顯示可被抑制。 此實施例可被應用至一介於一掃描線路121與一來源 電位供應線路1 42間的交叉點IS上。 第四實施例 圖25顯示一依據本發明的第四實施例的顯示裝置的 -29- 201034183 像素驅動電路111的平面結構的例子。除了--溝槽165 被設在一介於一掃描線121與一訊號線141之間的交叉點 IS內之外，該顯示裝置具有與第二實施例相同的結構。 因此，相對應的構件係以相同的標號或符號來描述。 圖26顯示該交叉點IS的一剖面結構的例子。在該交 叉點IS中，層間短路163被直接留下來，且溝槽165將 該層間短路163圈圍起來。在該溝槽165中，該訊號線路 141，一絕緣膜131及該掃描線路121被去除掉。因此， ❹ 在該顯示裝置中，由該交叉點IS中的層間短路所造成的 缺陷顯示就可如第三實施例般地被抑制。 該溝槽165是一被留下來當作在製程期間修理該形成 在該交叉點IS內的層間短路時造成之修復記號的溝槽， 因此並不一定會被形成在所有有交叉點IS的每一者中。 圖27顯示該交叉點IS的剖面結構的另一例子。在該 溝槽165中，只有該訊號線路141，該絕緣膜131及該掃 描線路121中的該訊號線路141被去除掉，如同在開孔 @ 161中一般。在此例子中，一造成層間短路的異物162可 被留在該絕緣膜131及該掃描線路121中。 在該溝槽165中，該訊號線路141，該絕緣膜131及 該掃描線路1 2 1較佳地是如圖2 6所示地被去除掉，而不 是如圖27所示地只有該訊號線路141被去除掉。這是因 爲這樣可以有穩定且確實的修復。 該溝槽1 6 5與該開孔1 6 1可被結合在同一佈線板1或 同一顯示裝置中。在此例子中，該溝槽165及該開孔161 -30- 201034183 可如下面的製造方法中所描述的較佳地根據層間短路16 3 的尺寸被適當地使用。 ^ 該顯示裝置可例如以下面的方式來加以製造。 形成佈線板的步驟 首先，一下導電膜12〇，該絕緣膜131及一上導電膜 140依據圖7A及7B所示的步驟被形成在一基材1 1上， 使得一佈線板1被形成爲與第一實施例的佈線板一樣。 ^ 修復層間短路的步驟 接下來，該層間短路1 63的存在係藉由例如一電測_ 來加以檢驗，然後如同第二實施一般地藉由圖18所坏；；^ . 步驟用一光學測試來取得該層間短路的位置或尺寸（步，驟 S 1 0 1) ° 然後，該層間短路1 6 3藉由使用示於圖8及9的修復 裝置來加以修復。在彼時，一種照射雷射光LB的方法較 佳地如同第二實施例般地根據該層間短路1 6 3的尺寸被實 φ 施。這是因爲無論該層間短路的尺寸爲何，該層間短路 163都可藉此被確實地修復。 詳言之，如圖18所示，一特定的門檻値（例如，如 20微米平方）被設定爲該層間短路163的尺寸，且該層間 * 短路163的尺寸是不大於或大於該門檻値被測定。當該層 • 間短路163的尺寸不大於該門檻値（20微米平方或更小） 時，該雷射光束LB較佳地被照射至該內含短路的區域 104(步驟Sl〇2)。在此例子中，修復方法與第一或第三實 施例的修復方法相同。 -31 - 201034183

相反地，當該層間短路1 63的尺寸大於該門檻値（大 於20微米平方）時，該雷射光束LB較佳地被照射至一圍 住該層間短路163的框架區166(步驟S103)。這是因爲當 該層間短路163的尺寸很大時，用來調整該雷射光LB的 光束形狀的狹縫尺寸可能無法符合該尺寸，或甚至是如果 該狹縫尺寸符合該尺寸的話，在一不規則平面內的雷射能 量分布會導致修復可靠性的降低。在此例子中，修復方法 與第二實施例的修復方法相同。 A 馨 形成有機發光元件l〇R，10G及10B於佈線板1上的 步驟 在該佈線板1內的層間短路163被修復。然後，有機 發光元件10R，10G及10B根據圖12A至14B所示的步 驟被形成，使得一顯示裝置可與第一實施例的顯示裝置一 樣地被形成。 該顯示裝置的操作與第一實施例中的相同。 以此方式，根據製造此實施例的顯示裝置的方法，因 Q 爲在修復該層間短路1 63的步驟中，照射該雷射光LB的 方法隨著該層間短路163的尺寸被改變，所以發生在該佈 線板的交叉點IS中的層間短路1 63無論該層間短路的尺 寸爲何都可被確實地修復。 詳言之，當該層間短路163的尺寸不大於該門檻値 時，該雷射光LB被照射至該內含短路的區域164。因 此，處理面積可被最小化，及處理時間可被縮短因爲該雷 射光LB可在靜止時被照射。 -32- 201034183 當該層間短路163的尺寸大於該門檻値時，該雷射光 束LB較佳地被照射至該圍住該層間短路ι63的框架區 166。因此’即使是該層間短路163的尺寸很大，修復可 靠性的降低仍可被抑制。 再者’因爲在該框架區166內的該掃描線路121，該 絕緣膜131及該訊號線路141被去除掉，所以層間短路可 被穩定地且確實地修復。 依據此實施例的顯不裝置’在該佈線板1內的交叉點 IS具有該溝槽165 (在該處的該掃描線路ι21，該絕緣膜 131及該訊號線路141中的至少該訊號線路ι41被去 除）’所以由該交叉點IS內的層間短路1 6 3所造成的缺陷 顯示可被抑制。 此實施例可被應用至一介於一掃描線路121與一來源 電位供應線路1 42間的交叉點IS上。 例子 再者，依據本發明之特定的例子被描述。 例1 該佈線板1用與第一實施例相同的方式被製備。所得 到的佈線板1被測量以獲得形成在該電容器C S內之層間 短路163的尺寸。因此，該層間短路具有5微米的直徑。 具有10微微米或更小的脈衝寬度的雷射光LB被照 射至包括該層間短路1 6 3的內含短路的區域1 6 4，即被照 -33- 201034183 射涵蓋該層間短路163。在彼時，該雷射光LB被調整至 波長爲400奈米，重覆率爲500Hz，脈衝寬度爲3微微 秒，且照射光束形狀爲10微米平方，且在靜止時以40 00 脈衝的輸出照射約8秒鐘，同時在該佈線板1的一表面上 的能量密度被設定爲0.2 J/cm2。該雷射光LB被一孔徑 (未示出）塑形且被照射，同時使用該光學系統810之具50 倍放大率的物鏡8 1 1加以觀察且操作距離爲1 5公釐。 因此，在該內含短路的區域164內的該下電極122， ^ 該絕緣膜131及該上電極143被去除掉，因此該層間短路 1 63被修復，使得該開孔1 61如圖2及3所示地被形成。 該雷射光 LB被調整至波長爲 400奈米，重覆率爲 5 00Hz，脈衝寬度爲3微微秒，且照射光束形狀爲1〇微米 平方，且在靜止時以4000脈衝的輸出照射約8秒鐘，同 時在該佈線板1的一表面上的能量密度被設定爲 0.2 J/cm2。該雷射光LB被一孔徑（未示出）塑形且被照射，同 時使用該光學系統8 1 0之具5 0倍放大率的物鏡8 1 1加以 @ 觀察且操作距離爲1 5公釐。 因此，在該內含短路的區域164內的該下電極122， 該絕緣膜131及該上電極143被去除掉，使得該層間短路 163被修復，及該開孔161被形成。 圖2 9 A及2 9 B分別顯示該開孔1 6 1的一反射照片及 一透射照片。由圖29B可知，光線被透射穿過該開孔 161，由此可確認下電極122被去除掉。 圖30A及30B分別顯示該開孔161的上端及剖面的 -34- 201034183 SEM(掃描式電子顯微鏡）照片。由圖30B可知，該上電極 143的鈦層，鋁層及鈦層’絕緣膜131，及該下電極122 的鉬層被確認被去除掉。 當一 OV至200V的電壓被施加在該被修復的電容器 CS的該下電極122與該上電極143之間時，漏電流値被 調查。圖31顯示該調查的結果。由圖31可知，即使是所 施加的電壓增加至200V，介電質崩潰並未發生，因而可 φ 靠的修復被確認。 對照例1 作爲對照例1，層間短路被嘗試用與例子1相同的方 式加以修復，但使用的是具有大於1 〇微微秒的脈衝寬度 的雷射光。在彼時，該雷射光LB被調整至波長爲53 2奈 米，重覆率爲1 0Hz，脈衝寬度爲1 0奈秒，且照射光束形 狀爲10微米平方，且在靜止時以5脈衝的輸出照射’同 φ 時在該佈線板1的一表面上的能量密度被設定爲 2·0 J/cm2。 該對照例1的一電容器在該修復嘗試之後如例1般地 其漏電流値亦被調查。其結果爲漏電流値爲1 0mA ’其爲 上測量極限値的電流値。亦即，該電容器仍被短路’且該 層間短路並未能被修復。 亦即，已知的是當具有1 0微微秒或更小的脈衝胃$ 的雷射光LB被照射至包括該層間短路1 63的內含短路的 區域1 64時，形成在該佈線層1的該電容器CS內的該層 -35- 201034183 間短路163就可被修復。 例2

該層間短路163用與例1相同的方式被修復，但只有 該內含短路的區域164內的該下電極122，該絕緣膜131 及該上電極143中的至少該上電極143被去除掉。在彼 時，該雷射光LB被調整至波長爲400奈米，重覆率爲 5 00Hz，脈衝寬度爲3微微秒，且照射光束形狀爲1〇微米 平方，且在靜止時以4000脈衝的輸出照射約8秒鐘，同 時在該佈線板1的一表面上的能量密度被設定爲0.03 J/cm2 ° 例2之被修復的電容器的漏電流如同例1般地亦被調 查。其結果爲，介電質崩潰在150V至200V的施加電壓 時發生。 詳言之，在該內含短路的區域164內的該下電極 122，該絕緣膜131及該上電極143被去除，該層間短路 @ 可被穩定地及確實地被修復。 亦即，已知的是當該內含短路的區域164內的該下電 極122，該絕緣膜131及該上電極143被去除時，該層間 短路可被穩定地及確實地被修復。 模組及應用例 在下文中，描述在該等實施例的每一實施例中的顯示 裝置的應用例被描述。每一實施例的顯示裝置可被使用在 -36- 201034183 1 該 或， 號示 訊顯 訊被 視式 的形 入的 輸 像 部圖 外 I I 或 中像 其影 ,1 中以 置號 裝訊 子訊 &m1 見 獨 涵 的的 域生 領產 何部 任內 電子裝置包括電視設備’數位相機，筆記型電腦，行動終 端設備，譬如像是行動電話，或視訊攝影機。 模組 該等實施例的每一實施例中的顯示裝置被結合到各式 φ 電子儀器中’包括例如稍後描述的應用例1至5，作爲一 如圖32所示的模組。在該模組中，例如，一從一密封基 材30露出的區域210及一黏著層20被設置在一轉移目標 基材1 1的一側上’且外部連接端子（未示出）係藉由延伸 一訊號線路驅動電路1 20的線路及一掃描線路驅動電路 130的線路而被形成在該外露的區域210上。該等外部連 接端子可被設置有一用於輸入/輸出訊號的可撓性印刷電 路（FPC)。 Φ 應用例1 圖3 3顯示一應用了每一實施例的顯示裝置的電視設 備的外觀。該電視設備具有例如一圖像顯示螢幕3 00其包 括一前面板310及一濾光玻璃320，及該圖像顯示螢幕 3 〇〇包括依據每一實施例的顯示裝置。 應用例2 圖3 4A及3 4B顯示一應用了每一實施例的顯示裝置 -37- 201034183 的數位相機。該數位相機具有例如一閃光燈發射區4丨〇， 一顯示區420 ’ 一選單開關43 0，及一快門按鈕440，且 該顯示區420包括依據每一實施例的顯示裝置。 應用例3 圖3 5顯示一應用了每一實施例的顯示裝置的筆記電 腦的外觀。該筆記電腦具有例如一本體5 1 〇，一用於字母 及類此者的輸入操作之鍵盤520，及一顯示影像的顯示區 530，姐該顯示區530包括依據每一實施例的顯示裝置。 應用例4 圖36顯示一應用了每一實施例的顯示裝置的視序攝 影機的外觀。該視訊攝影機具有例如一本體610，一用來 拍攝一物件的鏡頭620，該鏡頭被設置在該本體610的正 面上，一拍攝開始/停止開關630，及一顯示區640，且該 顯示區640包括依據每一實施例的顯示裝置。 應用例5 圖37Α至37G顯示一應用了每一實施例的顯示裝置 的行動電話的外觀。該行動電話具有例如一上外殻7 1 0及 —下外殼720其經由一絞鏈730彼此相連接，且具有—顯 示器740，一副顯示器’ 一照相燈760 ’及一照相機 770。該顯示器740或該副顯示器750包括依據每一實施 例的顯示裝置。 -38- 201034183 雖然本發明已於上文中用該等實施例加以描述，但本 發明並不侷限於該等實施例，且可發生各式的修改及變 化。例如，雖然該等源極電位供應線路i 42在該等實施例 中是被形成在上導電膜140中’但該等線路亦可被形成該 下導電膜120中。 再者’例如，雖然該等實施例已用製造依據本發明的 實施例的顯示裝置的方法被應用至使用有機發光元件 _ 10R ’ 10G及10B的有機發光顯示裝置的例子加以描述， 但本發明可被廣泛地應用至其它平面顯示裝置，譬如像是 液晶顯示裝置。 再者，例如，雖人該等實施例已用該修復裝置800的 一特定的結構加以描述，但該修復裝置800的結構並不侷 限於此。例如’雖然該等實施例已用該佈線板1被該運動 機構820相對於該光學系統8 1 0移動爲例子加以描述，但 該光學系統810可相對於該佈線板1被移動，或這兩者可 φ 相對於彼此被移動。 此外，例如，雖然該等實施例已用該局部修復區段 83 1藉由使用該壓縮氣體G1而被飛升的例子加以描述， 但飛升方法並不侷限此使用壓縮氣體G1之靜壓力飛升方 法。該局部修復區段83 1可被固定至一支撐件或類此者 上。 本申請案包含與揭露在2009年2月10日向日本專利 局提申之日本專利申請案JP2 009-02 8330號相關的主體， 該申請案的全部內容藉由此參照而被倂於本文中。 -39- 201034183 熟習此技藝者應瞭解的是，各種變化，組合，次組合 及更改可根據設計要求及其它因素而發生，因爲它們都是 在下面的申請專利範圔或其等效物的範圍內。 【圖式簡單說明】 圖1爲一顯示依據本明的第一實施例的顯示裝置的結 構的圖式。 圖2爲一平面圖其顯示一示於圖1中之像素驅動電路 的例子。 圖3爲一剖面圖其顯示一示於圖2中之電容器的結 構。 圖4爲一剖面圖其顯示一示於圖2中之電容器的另一 結構。 圖5爲一顯示一示於圖2中之像素驅動電路的一等效 電路的圖式。 圖6爲一剖面圖其顯示一示於圖1中之顯示區的結 g 構。 圖7A及7B爲平面圖及剖面圖其依處理順序顯示一 種製造示於圖1中之顯示裝置的方法。 圖8爲一顯示一修復示於圖7A及7B中的層間短路 的修復裝置的結構的圖式。 圖9爲一平面圖，其顯示從該區段的底部觀看示於圖 8中之局部修復區段的結構。 圖10爲一平面圖，其顯示一接在圖7A及7B的步驟 -40- 201034183 之後的步驟。 圖U爲一顯示鋁（A 1)脈衝寬度與末端擴散之間的關 係的圖表，鋁是上導電膜（上電極）的主要成分物質。 圖12A及12B爲剖面圖其分別顯示接在圖1〇的步驟 之後的步驟。 圖13A及13B爲剖面圖其分別顯示接在圖12A及 12B的步驟之後的步驟。 圖14A及14B爲用來顯示分別接在圖13A及13B的 步驟之後的步驟的圖式。 圖15爲一平面圖其顯示依據本發明的第二實施例的 顯示裝置的像素驅動電路的例子。 圖16爲一剖面圖其顯示一示於圖15中之電容器的結 構。 圖17爲一剖面圖其顯示該示於圖15中之電容器的另 ~結構。 圖18爲一用來顯示製造圖15中之顯示裝置的方法的 圖表。 圖19爲一用來顯示圖18中之步驟的圖式。 圖20爲一平面圖其顯示依據本發明的第三實施例的 顯示裝置的像素驅動電路的例子。 圖21爲一剖面圖其顯示一示於圖20中之互連的結 構。 圖22爲一剖面圖其顯示該示於圖20中之互連的另一 結構。 -41 - 201034183 圖23 A及2SB爲一平面圖與—剖面圖，用來依照處 理順序顯示一製造示於圖19中之顯示裝置的方法。 圖24爲一用來顯示接在圖23a及23B的步驟之後的 步驟的圖式。 圖25爲一平面圖其顯示依據本發明的第四實施例的 顯示裝置的像素驅動電路的例子。 圖26爲一剖面圖其顯示一示於圖25中之互連的結 構。

圖27爲一剖面圖其顯示該示於圖25中之互連的另一 結構。 圖28爲一平面圖用來顯示製造示於圖25中之顯示裝 置的方法。 圖29A及29B爲照片其分別顯示一依據本發明的例 子的結果。

圖3 Ο A及3 OB爲照片其分別顯示該依據本發明的例 子的另一結果。 圖3 1爲一圖式其顯示該依據本發明的例子的另一結 果。 圖32爲一平面圖其顯示一包括每一實施例的顯示裝 置的模組的示意結構。 圖33爲一立體圖其顯示每一實施例的顯示裝置的應 用例1的外觀。 圖34A爲一立體圖其顯示應用例2正表面側観看時 的外觀，及圖34B爲一立體圖其顯示該應用例2從背面觀 -42- 201034183 看時的外觀。 圖35爲一立體圖其顯示應用例3的外觀。 圖36爲一立體圖其顯示應用例4的外觀。 置打開時 爲~前視 該應用例 37F爲該 圖37A —前視圖其顯示應用例5的顯示裝 的狀態’圖3 7 B爲該應用例的側視圖，圖3 7 c 圖其顯示該應用例在關閉時的狀態，圖37D爲 的左側視圖’圖3 7 E爲該應用例的右側視圖，圖 應用例的頂視圖’及圖3 7 G爲該應用例的底視圖 擊 【主要元件符號說明】 I :佈線板 II 〇 :顯示區域 I or :有機發光元件 10G:有機發光元件 10B :有機發光元件 φ 11 2 :訊號線路驅動電路 π 3 :掃描線路驅動電路 II :基材 11 1 :像素驅動電路 1 2 0 :下導電膜 - Trl :驅動電晶體

Tr2 :寫入電晶體 CS :電容器 1 3 1 :絕緣膜 -43- 201034183 140 :上導電膜 1 2 1 :掃描線路 1 22 :下電極 1 4 1 :訊號線路 142 :源極電位供應線路 1 4 3 :上電極線路 1 3 2 :絕緣膜 ❿ 1 6 1 :開孔 1 6 2 :異物 1 5 1 :連接孔 1 5 2 :連接孔 D S :影像訊號 S S :掃描訊號 1 2 :平坦化層 1 3 :第一電極

1 4 :絕緣膜 1 5 :有機層 1 6 :第二電極 1 7 :保護膜 3 0 :密封基材 20 :黏著層 3 1 :彩色濾光片 12A :連接孔 1 6 3 :層間短路 -44 - 201034183

800 ： 810 ： 8 20 ： 8 3 0 ： 8 11： 8 3 1： 8 3 1 A 8 3 1 B LB : 8 32 ： 8 3 3 ： 8 3 5 ： 83 6 ： 83 7 ·_ 8 3 8 ·· G1 ： D : fp G2 ： 83 1 C 83 1 D 83 7 A 164 ： 165 ： 166 ： 修復裝置 光學系統 運動機構 修復機構 物鏡 局部修復區段 :視窗 =雷射照射室 雷射光 脈衝式雷射光源 CW雷射光源 局部評估系統 壓縮氣體供應系統 壓縮氣體排放系統 沖洗氣體供應系統 堅縮空氣 :升高度 沖洗空氣 :吹氣區段 :壓縮空氣抽吸孔 •閥 內含短路的區域 溝槽 框架區 -45 201034183 IS :交叉點 2 1 0 :外露區 3 00 :圖像顯示螢幕 3 1 0 :前面板 3 2 0 :濾光玻璃 4 1 0 :閃光燈發射區

4 2 0 :顯不區 430 :選單開關 440 :快門按鈕 5 1 0 :本體 520 :鍵盤 5 3 0 :顯不區 6 1 0 :本體 6 2 0 :鏡頭 6 3 0 :拍攝開始-停止開關 6 4 0 :顯不區 7 1 0 :上外殼 7 2 0 :下外殼 7 3 0 :絞鏈 740 :顯示器 7 5 0 :副顯示器 760 :照相光 770 :照相機 -46 -

Claims (1)

1. 201034183 七、申請專利範圍 ^一種製造一顯示裝置的方法，其包含的步驟爲： 形成一佈線板，該佈線板依序在一基材上具有一下導 電膜、一絕緣膜及一上導電膜； 修復在該上導電膜與該下導電膜之間被短路的層間短 路；及 形成顯示元件於該佈線板上； 其中具有10微微秒或更小的脈衝寬度的雷射光在該 修復該層間短路的步驟中被照射至一包括該層間短路之內 含短路的（short-included)區域，用以去除掉在該內含短路 的區域內的該下導電膜、該絕緣膜與該上導電膜中的至少 該上導電膜。 2 _如申請專利範圍第1項之製造一顯示裝置的方法， 其中該內含短路的區域內的該上導電膜、該絕緣膜及 該下導電膜於該修復該層間短路的步驟中被去除掉。 3 .如申請專利範圍第1項之製造一顯示裝置的方法， 其中在該修復該層間短路的步驟中，照射該雷射光的 方法係根據該層間短路的尺寸而被改變。 4.如申請專利範圍第3項之製造一顯示裝置的方法， 其中在該修復該層間短路的步驟中，測定該層間短路 的尺寸被測定是否不大於或大於一門檻値，且當該層間短 路的尺寸不大於該門檻値時，該雷射光被照射至該內含短 路的區域’及當該層間短路的尺寸大於該門檻値時，該雷 射光被照射至一將該層間短路圈圍起來的框架區。 -47- 201034183 5. 如申請專利範圍第1項之製造一顯示裝置的方法， 其中該佈線板具有像素驅動電路，每一像素驅動電路 具有：電晶體，每一電晶體包括該下導電膜、該絕緣膜及 該上導電膜；一電容器其包括該下導電膜、該絕緣膜及該 上導電膜；及該等顯示元件，及 在該電容器內的層間短路在該修復該層間短路的步驟 中被修復。 6. 如申請專利範圍第1項之製造一顯示裝置的方法， 其中該佈線板具有掃描線路其包括該下導電膜及該上 導電膜中的一者，及訊號線路其包括該下導電膜及該上導 電膜中的另一者，及 在該等掃描線路的一者與該等訊號線路的一者之間的 一交叉點內的層間短路在該修復該層間短路的步驟中被修 復。 7. 如申請專利範圍第6項之製造一顯示裝置的方法， 其中該等顯示元件爲有機發光元件， 該佈線板具有源極電位供應線路其包括該下導電膜或 該上導電膜，及 在該等源極電位供應線路的一者與該等掃描線路的一 者或該等訊號線路的一者之間的一交叉點內的層間短路在 該修復該層間短路的步驟中被修復。 8. 如申請專利範圍第1項之製造一顯不裝置的方法， 其中該雷射光的每一脈衝的能量密度爲〇·〇3 J/Cm2至 0.5 J/cm2 。 -48- 201034183 9. 如申請專利範圍第1項之製造一顯示裝置的方法， 其中該雷射光是在靜止時被照射。 10. 如申請專利範圍第1項之製造一顯示裝置的方 法， 其中該雷射光是在掃描時被照射。 11. —種顯示裝置，包含： 一佈線板，其依序在一基材上具有一下導電膜、一絕 緣膜及一上導電膜；及 顯示元件，其被形成在該佈線板上； 其中該佈線板包括像素驅動電路，每一像素驅動電路 具有：電晶體，每一電晶體包括該下導電膜、該絕緣膜及 該上導電膜；及一電容器其包括該下導電膜、該絕緣膜及 該上導電膜；及該等顯示元件，及 該電容器具有一開孔，該開孔內之該下導電膜、該絕 緣膜及該上導電膜中的至少該上導電膜被去除掉。 12. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置， 其中該佈線板具有掃描線路其包括該下導電膜及該上 導電膜中的一者，及訊號線路其包括該下導電膜及該上導 電膜中的另一者，及 在該等掃描線路的一者與該等訊號線路的一者之間的 一交叉點具有一開孔，該開孔內之該下導電膜、該絕緣膜 及該上導電膜中的至少該上導電膜被去除掉。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之顯示裝置， 其中該等顯示元件爲有機發光元件， -49- 201034183 該佈線板具有源極電位供應線路其包括該下導電膜或 該上導電膜，及 在該等源極電位供應線路的一者與該等掃描線路的一 者或該等訊號線路的一者之間的一交叉點具有一開孔’該 開孔內之該下導電膜、該絕緣膜及該上導電膜中的至少該 上導電膜被去除掉。 14.如申請專利範圍第1 1項之顯示裝置’ 其中該電容器包括 層間短路，其在該上導電膜與該下導電膜之間被短 路，及 一溝槽，其圈圍住該餍間短路’該溝槽內之該下導電 膜、該絕緣膜及該上導電膜中的至少該上導電膜被去除 掉〇 -50-