JP4918633B1 - 有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよび有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
10 基板
20 第1電極
22 給電配線
24 接続配線
24a ヒューズ部
30 有機機能層
40 第2電極
50 封止層
52 接着層
54 封止板
60 空隙含有層
70 バンク
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1の電極層と、
前記第1の電極層の上に設けられた有機材料を含む有機機能層と、
前記有機機能層の上に設けられた第2の電極層と、
前記基板上に設けられて前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続された接続配線と、
前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆する封止層と、を含み、
前記接続配線は過電流により断線に至るヒューズ部を有し、前記ヒューズ部は、前記ヒューズ部の上方に空間を形成する空隙層と接し、
前記封止層は、前記空隙層を画定する開口部を有し、前記ヒューズの上面は前記開口部において前記封止層から露出していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記封止層の前記開口部の側面を覆うバンクを更に有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記封止層は、薄膜により構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1の電極層と、
前記第1の電極層の上に設けられた有機材料を含む有機機能層と、
前記有機機能層の上に設けられた第2の電極層と、
前記基板上に設けられて前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続された接続配線と、
前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆する封止層と、を含み、
前記接続配線は過電流により断線に至るヒューズ部を有し、前記ヒューズ部は前記ヒューズ部の上方に空間を形成する空隙層と接し、
前記封止層は、前記基板上において前記空隙層を包埋するように形成された接着層と、前記接着層の上に設けられた封止板により構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 基板上に第1の電極層を形成する工程と、
前記第1の電極層の上に有機材料を含む有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層の上に第2の電極層を形成する工程と、
前記基板上に前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続され且つ過電流により断線に至るヒューズ部を有する接続配線を形成する工程と、
前記第1および第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆するように封止層を形成する工程と、
前記封止層の前記ヒューズ部の上面を覆う部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 前記封止層を形成する前に前記ヒューズ部を囲むバンクを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
- 基板上に第1の電極層を形成する工程と、
前記第1の電極層の上に有機材料を含む有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層の上に第2の電極層を形成する工程と、
前記基板上に前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続され且つ過電流により断線に至るヒューズ部を有する接続配線を形成する工程と、
前記ヒューズ部を囲むバンクを形成する工程と、
前記ヒューズ部上において空間を形成し且つ前記バンクを側壁とする空隙層を形成しつつ前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆する接着層を形成する工程と、
前記接着層の上に封止板を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
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