KR100774961B1 - 전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

전계발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 전계발광소자는 기판 상에 바텀 게이트형으로 형성된 박막트랜지스터부와, 기판 상의 박막트랜지스터부의 소스와 드레인 사이 오픈된 반도체 영역 상부에 형성되어 오픈된 반도체 영역 상부로부터 오픈된 반도체 영역으로 외광 및 자체 발광이 도달하지 못하도록 차단하는 빛차단막과, 기판 상에 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성되며 두 개의 전극 중 어느 하나가 박막트랜지스터부의 드레인과 전기적으로 연결된 발광부를 포함한다.
전계발광소자, 빛차단막, 포토커런트(Photo-Current)

Description

전계발광소자 및 그 제조방법{Light Emitting Diodes and Method for Manufacturing the same}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 제조 공정도.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 제조 공정도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 제조 공정도.
* 도면의 주요부호에 대한 설명 *
50, 90, 140 : 기판 52, 92, 142 : 게이트 전극
54, 94, 144 : 게이트 절연막 56, 96, 146 : 반도체층
58, 98, 148 : 도핑 전도막 60, 100, 150 : 금속 전극
62, 102, 152 : 소스 64, 104, 154 : 드레인
108, 162 : 평탄화막 68, 110, 160 : 캐소드 전극
70, 112 : 제 1 층간 절연막 72, 114, 164 : 전자 주입/수송층
74, 116, 166 : 발광층 76, 118, 168 : 정공 주입/수송층
78, 120, 170 : 애노드 전극 80, 122, 172 : 보호막
82, 124, 174 : 실란트층 84, 126, 176 : 보호용 기판
66 : 유기물 평탄화막 67, 106 : 무기물 절연막
156 : 제 1 무기물 절연막 158 : 제 2 무기물 절연막
A : 오픈된 반도체 영역 L : 발광부
T : 박막트랜지스터부 P : 빛차단막
본 발명은 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로, 전계발광소자는 전자(election)주입 전극(cathode)과 정공(hole)주입 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 자발광 소자이다.
또한, 전계발광소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점을 지니고 있다. 이러한 전계발광소자는 광시야각과 빠른 응답속도 등 종래 액정표시장치에서 문제로 지적되던 단점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있 다.
전계발광소자는 서브픽셀을 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형 전계발광소자(Passive Matrix LED)와 박막트랜지스터(TFT)를 이용하여 구동하는 방식인 액티브 매트릭스형 전계발광소자(Active Matrix LED)로 구분할 수 있다.
종래 전계발광소자는 박막트랜지스터부가 패터닝되어 있는 투명 기판 상에 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성되어 있었고 전술한 두 개의 전극 중 어느 하나가 전술한 박막트랜지스터부의 드레인과 전기적으로 연결되어 있었다.
이상과 같은 구조의 종래 전계발광소자는 소자 구동시 간섭하는 외광 또는 전술한 발광층으로부터의 내부 발광이 전술한 박막트랜지스터부의 소스 및 드레인 사이 오픈된 반도체 영역에 간섭하여 포토커런트(Photo-Current)를 흐르게 하므로, 소자의 오작동과 수명단축 및 신뢰도 저하라는 심각한 문제점이 발생하였다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 소자 구동시 간섭하는 외광 또는 내부 발광에 의한 박막트랜지스터부의 포토커런트의 발생을 방지할 수 있는 전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 오작동이 없고, 수명이 길며 신뢰도가 향상된 전계발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 바텀 게이트형으로 형성된 박막트랜지스터부와, 전술한 기판 상의 박막트랜지스터부의 소스와 드레인 사이 오픈된 반도체 영역 상부에 형성되어 전술한 오픈된 반도체 영역 상부로부터 전술한 오픈된 반도체 영역으로 외광 및 자체 발광이 도달하지 못하도록 차단하는 빛차단막과, 전술한 기판 상에 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성되며 전술한 두 개의 전극 중 어느 하나가 박막트랜지스터부의 드레인과 전기적으로 연결된 발광부를 포함하는 전계발광소자를 제공한다.
위에서 설명한 전계발광소자에 있어서, 빛차단막의 상부 및 하부에 절연막이 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 어느 하나는 평탄화막인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 상부에 있는 절연막은 무기물로 형성된 것을 특징으로 한다.
위에서 설명한 빛차단막은 불투명한 재질의 금속 물질 또는 유기물 또는 무기물 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 한다.
위에서 설명한 전계발광소자의 발광층은 유기물인 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서 이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 바텀 게이트형의 박막트랜지스터부를 형성하는 구동부 형성단계와, 전술한 박막트랜지스터부의 소스 및 드레인 사이 오픈된 반도체 영역 상부로부터 전술한 오픈된 반도체 영역으로 외광 및 자체 발광이 도달하지 못하도록 차단하는 빛차단막을 형성하는 빛차단막 형성단계와, 전술한 기판 상에 하나의 전극과 발광층 및 다른 하나의 전극을 순차적으로 적층하여 발광부를 형성하며 발광부의 두 개의 전극 중 어느 하나를 박막트랜지스터부의 드레인과 전기적으로 연결시키는 발광부 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법에 있어서, 빛차단막 형성단계에서는 박막트랜지스터부 상에 절연막을 형성한 뒤 빛차단막을 형성하고 그 위에 또 다른 절연막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 위에서 설명한 빛차단막 형성단계에서는 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 어느 하나를 평탄화막으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 빛차단막 형성단계에서는 빛차단막의 상부에 형성된 절연막이 무기 절연막인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 빛차단막 형성단계에서는 빛차단막을 불투명한 재질의 금속 물질 또는 유기물 또는 무기물 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 한다.
위에서 설명한 발광부 형성단계에서는 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 빛차단막 형성단계에서는 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막이 모두 무기 절연막인 것을 특징으로 한다.
삭제
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삭제
또한, 전술한 빛차단막 형성단계에서는 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막이 모두 유기 절연막인 것을 특징으로 한다.
또한, 위에서 설명한 빛차단막 형성단계에서는 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 어느 하나가 유기 절연막인 것을 특징으로 한다.
삭제
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이하, 본 발명의 실시예들에 따른 전계발광소자의 첨부하는 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(50) 상에 게이트 전극(52)이 선택적으로 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(54)이 형성되어 있다. 또한, 전술한 게이트 절연막(54) 상의 전술한 게이트 전극(52)에 대응되는 위치에 반도체층(56)이 형성되어 있고, 반도체층(56) 상에 전술한 게이트 전극(52)을 기준으로 구분되도록 도핑 전도막(58)과 금속 전극(60)이 순차적으로 적층 형성되어 박막트랜지스터부(T)의 소스(62) 및 드레인(64)으로 구분된다. 이 때문에, 상기 박막 트랜지스터부(T)는 바텀 게이트형의 구조를 가질 수 있다.
계속해서, 유기물 평탄화막(66)이 형성되며, 그 위 전술한 박막트랜지스터부(T)에 대응되도록 빛차단막(P)이 형성되어 있고, 전술한 빛차단막(P) 상에 무기물 절연막(67)이 박막트랜지스터부(T)의 드레인(64)이 노출되도록 형성되어 있다.
그 위에 캐소드 전극(68)이 전술한 드레인(64)과 접촉되도록 형성되어 있고, 이어서 제 1 층간 절연막(70)이 전술한 캐소드 전극(68)의 일부가 노출되도록 형성되어 있다.
전술한 캐소드 전극(68)의 노출된 영역과 접촉되도록 전자 주입/수송층(72)이 형성되어 있고, 그 위에 발광층(74) 및 정공 주입/수송층(76)이 순차적으로 적층되어 발광부(L)가 형성되어 있다. 전술한 발광부(L) 상에는 캐소드 전극(78)이 형성되어 있고, 그 위에 보호막(80)과 보호용 기판(82)이 실란트층(82)에 의해 밀착 형성되어 있다.
이하, 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 구조를 공정 측면에서 설명한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 제조 공정도이다.
도 2a 및 2b를 참조하면, 구동부 형성단계로 전계발광소자의 박막 트랜지스터부(T)가 바텀 게이트형의 구조를 갖도록, 먼저, 기판(50) 상에 게이트 전극(52)을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막(54)을 형성하여 게이트 전극(52)을 절연 구분하고 전술한 게이트 전극(52)에 대응되게 반도체층(56)과 도핑 전도막(58) 및 금속 전극(60)을 순차적으로 적층 형성한다. 이때, 반도체층(56)에는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 적용하고, 도핑 전도막(58)에는 예를 들어 B 또는 P가 도핑된 비정질 실리콘을 적용할 수 있다.
이어서, 전술한 게이트 전극(52)을 기준으로 상호 간 구분되게 도핑 전도막(58)과 금속 전극(60)을 패터닝하여 박막트랜지스터부(T)의 소스(62) 및 드레인(64)을 형성한다.
도 2c를 참조하면, 빛차단막 형성단계로 전술한 구동부 형성단계를 거친 기판(50) 상에 유기물 평탄화막(66)을 형성한 후, 전술한 박막트랜지스터부(T)의 소스(62) 및 드레인(64) 사이 오픈된 반도체 영역(A)에 대응되는 위치에 불투명한 금속 물질 예를 들어, Al, Cr, Mg, Mo 등 주기율표상의 금속 물질 중 어느 하나 또는 불투명한 유기물 또는 무기물 절연막을 패터닝하여 빛차단막(P)을 형성한다.
이어서, 빛차단막(P) 상에 예를 들어, SiNx, SiOx, SiOxNy, AlOx, MgO와 같 은 재료로 채택하여 무기물 절연막(67)을 증착하고, 전술한 박막트랜지스터부(T)의 드레인(64)이 일부 노출되도록 콘택홀을 형성한다.
도 2d 및 2e를 참조하면, 발광부 형성단계로 전술한 빛차단막 형성단계를 거친 기판(50) 상에 전술한 콘택홀을 통해 박막트랜지스터부(T)의 드레인(64)과 전기적으로 연결되도록 캐소드 전극(68)을 형성하고, 전술한 캐소드 전극(68)의 일부 영역이 노출되도록 제 1 층간 절연막(70)을 형성한다.
이어서, 전술한 캐소드 전극(68)의 노출된 영역과 접촉되도록 전자 주입/수송층(72)을 형성하고, 그 위에 발광층(74) 및 정공 주입/수송층(76)과 애노드 전극(78)을 순차적으로 적층하여 발광부(L)를 형성한다. 이때, 발광부(L)는 예를 들어, 셰도우 마스크를 사용하여 R,G,B 발광층을 적층함으로써 형성하며, 또한 애노드 전극(78)은 반투명하거나 투명한 전도성 물질을 채택하여 증착 형성한다. 이는 전면 발광을 구현하기 위함이다.
도 2f를 참조하면, 보호부 형성단계로 전술한 발광부 형성단계를 거친 기판(50) 상에 전술한 발광부(L) 및 애노드 전극(78)을 산소나 수분으로부터 보호하기 위해 보호막(80)을 형성한다. 이때, 보호막(80)은 유기물층과 무기물층의 조합 또는 서로 종류가 다른 무기물층의 조합으로 2층 또는 다층구조로 형성할 수 있다.
전술한 보호막(80) 상에는 실란트층(82)을 통해 보호용 기판(84)을 밀착 형성한다.
이하, 본 발명의 제 2 및 제 3 실시예를 각각 공정 측면에서 도시 참조하여 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 제조 공정도이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 구동부 형성단계로 전계발광소자의 박막 트랜지스터부(T)가 바텀 게이트형의 구조를 갖도록, 먼저, 기판(90) 상에 게이트 전극(92)을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막(94)을 형성하여 게이트 전극(92)을 절연 구분하고 전술한 게이트 전극(92)에 대응되게 반도체층(96)과 도핑 전도막(98) 및 금속 전극(100)을 순차적으로 적층 형성한다. 이때, 반도체층(96)에는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 적용하고, 도핑 전도막(98)에는 예를 들어 B 또는 P가 도핑된 비정질 실리콘을 적용할 수 있다.
이어서, 전술한 게이트 전극(92)을 기준으로 상호 간 구분되게 도핑 전도막(98)과 금속 전극(100)을 패터닝하여 박막트랜지스터부(T)의 소스(102) 및 드레인(104)을 형성한다.
도 3c를 참조하면, 빛차단막 형성단계로 전술한 구동부 형성단계를 거친 기판(90) 상에 무기물 절연막(106)을 형성한 후, 전술한 박막트랜지스터부(T)의 소스(102) 및 드레인(104) 사이 오픈된 반도체 영역(A)에 대응되는 위치에 불투명한 금속 물질이나 불투명한 유기물 또는 무기물 절연막을 패터닝하여 빛차단막(P)을 형성한다. 이어서, 빛차단막(P) 상에 평탄화막(108)을 형성하고, 전술한 박막트랜지 스터부(T)의 드레인(104)이 일부 노출되도록 콘택홀을 형성한다.
이때, 전술한 무기물 절연막(106) 및 평탄화막(108)은 예를 들어, SiNx, SiOx, SiOxNy, AlOx, MgO 중 어느 하나 즉, 무기물 계통의 재료를 채택하여 증착 형성할 수 있다.
도 3d 및 3e를 참조하면, 발광부 형성단계로 전술한 빛차단막 형성단계를 거친 기판(90) 상에 전술한 콘택홀을 통해 박막트랜지스터부(T)의 드레인(104)과 전기적으로 연결되도록 캐소드 전극(110)을 형성하고, 전술한 캐소드 전극(110)의 일부 영역이 노출되도록 제 1 층간 절연막(112)을 형성한다.
이어서, 전술한 캐소드 전극(110)의 노출된 영역과 접촉되도록 전자 주입/수송층(114)을 형성하고, 그 위에 발광층(116) 및 정공 주입/수송층(118)과 애노드 전극(120)을 순차적으로 적층하여 발광부(L)를 형성한다. 이때, 애노드 전극(120)은 반투명하거나 투명한 전도성 물질을 채택하여 증착 형성한다. 이는 전면 발광을 구현하기 위함이다.
도 3f를 참조하면, 보호부 형성단계로 전술한 발광부 형성단계를 거친 기판(90) 상에 전술한 발광부(L) 및 애노드 전극(120)을 산소나 수분으로부터 보호하기 위해 보호막(122)을 형성한다. 이때, 보호막(122)은 유기물층과 무기물층의 조합 또는 서로 종류가 다른 무기물층의 조합으로 2층 또는 다층구조로 형성할 수 있다.
전술한 보호막(122) 상에는 실란트층(124)을 통해 보호용 기판(126)을 밀착 형성한다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 제조 공정도이다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 구동부 형성단계로 전계발광소자의 박막 트랜지스터부(T)가 바텀 게이트형의 구조를 갖도록, 먼저, 기판(140) 상에 게이트 전극(142)을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막(144)을 형성하여 게이트 전극(142)을 절연 구분하고 전술한 게이트 전극(142)에 대응되게 반도체층(146)과 도핑 전도막(148) 및 금속 전극(150)을 순차적으로 적층 형성한다. 이때, 반도체층(146)에는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 적용하고, 도핑 전도막(148)에는 예를 들어 B 또는 P가 도핑된 비정질 실리콘을 적용할 수 있다.
이어서, 전술한 게이트 전극(142)을 기준으로 상호 간 구분되게 도핑 전도막(148)과 금속 전극(150)을 패터닝하여 박막트랜지스터부(T)의 소스(152) 및 드레인(154)을 형성한다.
도 4c를 참조하면, 빛차단막 형성단계로 전술한 구동부 형성단계를 거친 기판(140) 상에 제 1 무기물 절연막(156)을 형성한 후, 전술한 박막트랜지스터부(T)의 소스(152) 및 드레인(154) 사이 오픈된 반도체 영역(A)에 대응되는 위치에 불투명한 금속 물질이나 불투명한 유기물 또는 무기물 절연막을 패터닝하여 빛차단막(P)을 형성한다. 이어서, 빛차단막(P) 상에 제 2 무기물 절연막(158)을 형성하고, 전술한 박막트랜지스터부(T)의 드레인(154)이 일부 노출되도록 콘택홀을 형성한다.
이때, 전술한 제 1 및 제 2 무기물 절연막(156, 158)은 예를 들어, SiNx, SiOx, SiOxNy, AlOx, MgO 과 같은 재료를 채택하여 증착 형성할 수 있다.
도 4d 및 4e를 참조하면, 발광부 형성단계로 전술한 빛차단막 형성단계를 거친 기판(140) 상에 전술한 콘택홀을 통해 박막트랜지스터부(T)의 드레인(154)과 전기적으로 연결되도록 캐소드 전극(160)을 형성하고, 전술한 캐소드 전극(160)의 일부 영역이 노출되도록 제 1 층간 절연막(162)을 형성한다.
이어서, 전술한 캐소드 전극(160)의 노출된 영역과 접촉되도록 전자 주입/수송층(164)을 형성하고, 그 위에 발광층(166) 및 정공 주입/수송층(168)과 애노드 전극(170)을 순차적으로 적층하여 발광부(L)를 형성한다. 이때, 애노드 전극(170)은 반투명하거나 투명한 전도성 물질을 채택하여 증착 형성한다. 이는 전면 발광을 구현하기 위함이다.
도 4f를 참조하면, 보호부 형성단계로 전술한 발광부 형성단계를 거친 기판(140) 상에 전술한 발광부(L) 및 애노드 전극(170)을 산소나 수분으로부터 보호하기 위해 보호막(172)을 형성한다. 이때, 보호막(172)은 유기물층과 무기물층의 조합 또는 서로 종류가 다른 무기물층의 조합으로 2층 또는 다층구조로 형성할 수 있다.
전술한 보호막(172) 상에는 실란트층(174)을 통해 보호용 기판(176)을 밀착 형성한다.
이상과 같은 구조 및 제조방법에 따르는 본 발명의 전계발광소자는 소기 목 적을 달성할 수 있다.
이상 종래 기술 및 본 발명을 설명함에 있어, 발광부에 유기물 발광층을 채택 적용한 경우로 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 발광부에 유기물뿐만 아니라 무기물 또한 이용 가능한 전계발광 표시장치(LED)의 범주로 이해하여야 한다.
이상 다양한 실시예를 들어 본 발명에 대하여 서술하였으나, 본 발명의 범위는 전술한 상세 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고, 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 빛차단막을 포함한 다양한 구조의 전계발광소자 및 그 제조방법을 제공함으로써 소자 구동시 간섭하는 외광 또는 내부 발광, 특히, 오픈된 반도체 영역 상부로부터 오픈된 반도체 영역으로 유입되는 외광 또는 내부 발광에 의한 박막트랜지스터부의 포토커런트의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 오작동이 없고, 수명이 길며 신뢰도가 향상된 전계발광소자를 제공한다.

Claims (19)

  1. 기판 상에 바텀 게이트형으로 형성된 박막트랜지스터부와;
    상기 기판 상의 상기 박막트랜지스터부의 소스와 드레인 사이 오픈된 반도체 영역 상부에 형성되어 상기 오픈된 반도체 영역 상부로부터 상기 오픈된 반도체 영역으로 외광 및 자체 발광이 도달하지 못하도록 차단하는 빛차단막과;
    상기 기판 상에 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성되며 상기 두 개의 전극 중 어느 하나가 상기 박막트랜지스터부의 드레인과 전기적으로 연결된 발광부를 포함하는 전계발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 빛차단막의 상부 및 하부에 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 어느 하나는 평탄화막인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 상부에 있는 절연막은 무기물로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 빛차단막은 불투명한 재질의 금속 물질 또는 유기물 또는 무기물 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 발광층은 유기물인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  7. 기판 상에 바텀 게이트형의 박막트랜지스터부를 형성하는 구동부 형성단계와;
    상기 박막트랜지스터부의 소스 및 드레인 사이 오픈된 반도체 영역 상부로부터 상기 오픈된 반도체 영역으로 외광 및 자체 발광이 도달하지 못하도록 차단하는 빛차단막을 형성하는 빛차단막 형성단계와;
    상기 기판 상에 하나의 전극과 발광층 및 다른 하나의 전극을 순차적으로 적층하여 발광부를 형성하며 상기 발광부의 두 개의 전극 중 어느 하나를 상기 박막트랜지스터부의 드레인과 전기적으로 연결시키는 발광부 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 빛차단막 형성단계에서는 상기 박막트랜지스터부 상에 절연막을 형성한 뒤 상기 빛차단막을 형성하고 그 위에 또 다른 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 빛차단막 형성단계에서는 상기 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 어느 하나를 평탄화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  10. 제 8항 또는 제 9항에 있어서,
    상기 빛차단막 형성단계에서는 상기 빛차단막의 상부에 형성된 절연막이 무기 절연막인 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 빛차단막 형성단계에서는 상기 빛차단막을 불투명한 재질의 금속 물질 또는 유기물 또는 무기물 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 발광부 형성단계에서는 상기 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제 8항에 있어서,
    상기 빛차단막 형성단계에서는 상기 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막이 모두 무기 절연막인 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  16. 제 8항에 있어서,
    상기 빛차단막 형성단계에서는 상기 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막이 모두 유기 절연막인 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  17. 제 8항에 있어서,
    상기 빛차단막 형성단계에서는 상기 빛차단막의 상부 및 하부에 형성된 절연막 중 어느 하나가 유기 절연막인 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101117730B1 (ko) * 2009-12-23 2012-03-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101383474B1 (ko) * 2007-09-21 2014-04-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자
KR101084176B1 (ko) * 2009-11-26 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
CN103000661B (zh) 2012-12-12 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106206744A (zh) * 2016-08-30 2016-12-07 武汉华星光电技术有限公司 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
CN106449658A (zh) * 2016-11-08 2017-02-22 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板及其制作方法
CN107492567B (zh) * 2017-08-30 2020-06-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示基板及显示装置
CN109962084B (zh) * 2017-12-14 2020-08-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板、显示装置及制作方法
CN111211152B (zh) * 2020-01-14 2021-06-25 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040069016A (ko) * 2003-01-28 2004-08-04 세심광전자기술(주) 반사율이 높은 박막 다결정 규소 액정표시소자와 그구동장치
KR20050002273A (ko) * 2003-06-30 2005-01-07 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040069016A (ko) * 2003-01-28 2004-08-04 세심광전자기술(주) 반사율이 높은 박막 다결정 규소 액정표시소자와 그구동장치
KR20050002273A (ko) * 2003-06-30 2005-01-07 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101117730B1 (ko) * 2009-12-23 2012-03-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

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